JPH11224633A - Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法 - Google Patents
Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法Info
- Publication number
- JPH11224633A JPH11224633A JP10027970A JP2797098A JPH11224633A JP H11224633 A JPH11224633 A JP H11224633A JP 10027970 A JP10027970 A JP 10027970A JP 2797098 A JP2797098 A JP 2797098A JP H11224633 A JPH11224633 A JP H11224633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- sample
- fluoride
- gas
- solid sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマを生成させるための試料ガスとして
化学的に安定で、毒性の無いＳＦ6ガスを用い、ＳＦ6プ
ラズマ中のフッ素で固体試料のフッ化物をイオン源プラ
ズマ室内で生成することにより、試料元素のイオンを生
成させる方法。 【解決手段】 プラズマ室内にＳＦ6またはＳＦ6を混入
したガスを供給してＳＦ6プラズマを生成させ、そのプ
ラズマ中又はその近傍に設置された固体試料とそのプラ
ズマ中のフッ素またはフッ化物とを化学反応させ、その
固体試料のフッ化物を生成させることにより固体試料の
蒸気圧を上げて試料元素を含むフッ化物蒸気を生成さ
せ、このフッ化物蒸気がプラズマ中で分解、電離されて
固体試料のイオンを生成させる。
化学的に安定で、毒性の無いＳＦ6ガスを用い、ＳＦ6プ
ラズマ中のフッ素で固体試料のフッ化物をイオン源プラ
ズマ室内で生成することにより、試料元素のイオンを生
成させる方法。 【解決手段】 プラズマ室内にＳＦ6またはＳＦ6を混入
したガスを供給してＳＦ6プラズマを生成させ、そのプ
ラズマ中又はその近傍に設置された固体試料とそのプラ
ズマ中のフッ素またはフッ化物とを化学反応させ、その
固体試料のフッ化物を生成させることにより固体試料の
蒸気圧を上げて試料元素を含むフッ化物蒸気を生成さ
せ、このフッ化物蒸気がプラズマ中で分解、電離されて
固体試料のイオンを生成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】近年、高機能性材料開発や半
導体デバイス開発のため、材料へのイオン注入が加速器
等を利用して行われている。その注入させるための各種
イオンをフリーマンイオン源又はＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）イオ
ン源等の周知のイオン源で生成させる時に本方法は有効
である。
導体デバイス開発のため、材料へのイオン注入が加速器
等を利用して行われている。その注入させるための各種
イオンをフリーマンイオン源又はＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）イオ
ン源等の周知のイオン源で生成させる時に本方法は有効
である。
【０００２】
【従来の技術】常温で固体状の試料をイオン源でイオン
化させる場合、その固体試料を加熱することにより気化
させ、その気体をプラズマ室に導入してイオン化させて
いる。この気化方法における固体試料の加熱方法として
は、一般的に坩堝に固体材料を入れて加熱する方法が知
られている。
化させる場合、その固体試料を加熱することにより気化
させ、その気体をプラズマ室に導入してイオン化させて
いる。この気化方法における固体試料の加熱方法として
は、一般的に坩堝に固体材料を入れて加熱する方法が知
られている。
【０００３】この時、例えば、タングステン、シリコン
等の高融点を有する低蒸気圧物質の固体試料を気化し、
その十分な蒸気圧を得るためには、それらを坩堝中に入
れて加熱するだけでは、その加熱温度が足りないので、
ＷＦ6、ＳｉＦ4等の高い腐食性または毒性を有する化合
物を試料ガスとして利用し、その物質を腐食処理して気
化させていた。
等の高融点を有する低蒸気圧物質の固体試料を気化し、
その十分な蒸気圧を得るためには、それらを坩堝中に入
れて加熱するだけでは、その加熱温度が足りないので、
ＷＦ6、ＳｉＦ4等の高い腐食性または毒性を有する化合
物を試料ガスとして利用し、その物質を腐食処理して気
化させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、上記低蒸
気圧物質の固体試料を気化させる際には、その試料の気
化操作又は取扱いに特別の注意を必要とし、また、イオ
ン源を含む加速器等が腐食されてしまうという問題があ
った。
気圧物質の固体試料を気化させる際には、その試料の気
化操作又は取扱いに特別の注意を必要とし、また、イオ
ン源を含む加速器等が腐食されてしまうという問題があ
った。
【０００５】固体試料を直接イオン源プラズマの熱で気
化させる方法や外部からのレーザーを試料に照射して気
化する方法が、坩堝を用いない固体試料気化方法として
発表されているが、長時間安定なプラズマを維持するこ
とが困難であったり、又レーザーのような付加的な装置
と電源とを必要としている。
化させる方法や外部からのレーザーを試料に照射して気
化する方法が、坩堝を用いない固体試料気化方法として
発表されているが、長時間安定なプラズマを維持するこ
とが困難であったり、又レーザーのような付加的な装置
と電源とを必要としている。
【０００６】本発明の方法は、これらの欠点を除いて、
毒性ガスを用いずに、長時間安定に、レーザーのような
付加的装置を使用せずに高融点を有する低蒸気圧物質を
効率よくイオン化させることが可能である。
毒性ガスを用いずに、長時間安定に、レーザーのような
付加的装置を使用せずに高融点を有する低蒸気圧物質を
効率よくイオン化させることが可能である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、プラズ
マを生成させるための試料ガスとして化学的に安定で、
毒性の無いＳＦ6ガスを用い、ＳＦ6プラズマ中のフッ素
で固体試料のフッ化物をイオン源プラズマ室内で生成す
ることにより、前記の欠点を除いたものである。
マを生成させるための試料ガスとして化学的に安定で、
毒性の無いＳＦ6ガスを用い、ＳＦ6プラズマ中のフッ素
で固体試料のフッ化物をイオン源プラズマ室内で生成す
ることにより、前記の欠点を除いたものである。
【０００８】即ち、本発明の方法は、フリーマンイオン
源装置又はＥＣＲイオン源装置のプラズマ室内にＳＦ6
またはＳＦ6を混入したガスを供給してＳＦ6プラズマを
生成させ、そのプラズマ中又はその近傍に設置された固
体試料とそのプラズマ中のフッ素またはフッ化物とを化
学反応させ、その固体試料のフッ化物を生成させること
により固体試料の蒸気圧を上げて試料元素を含むフッ化
物蒸気を生成させ、このフッ化物蒸気がプラズマ中で分
解、電離されて固体試料のイオンを生成させるものであ
る。
源装置又はＥＣＲイオン源装置のプラズマ室内にＳＦ6
またはＳＦ6を混入したガスを供給してＳＦ6プラズマを
生成させ、そのプラズマ中又はその近傍に設置された固
体試料とそのプラズマ中のフッ素またはフッ化物とを化
学反応させ、その固体試料のフッ化物を生成させること
により固体試料の蒸気圧を上げて試料元素を含むフッ化
物蒸気を生成させ、このフッ化物蒸気がプラズマ中で分
解、電離されて固体試料のイオンを生成させるものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下にフリーマンイオン源を使用
してイオンを生成させる場合を図１に基づいて説明す
る。ディスク状試料１の中心に穴を開け、その穴にフィ
ラメント２を通してアークチェンバ（プラズマ生成室）
３内下側に置く。このアークチェンバ内にＳＦ6ガス４
を供給し、フィラメント（タングステン）から発生する
熱電子との衝突で、ＳＦ6プラズマ５を生成させる。こ
のＳＦ6ガスにはプラズマ安定性向上のため、Ａｒガス
が混合される。ＳＦ6プラズマ中に設置された試料は、
プラズマ中のフッ素と反応して試料のフッ化物が生成さ
れる。
してイオンを生成させる場合を図１に基づいて説明す
る。ディスク状試料１の中心に穴を開け、その穴にフィ
ラメント２を通してアークチェンバ（プラズマ生成室）
３内下側に置く。このアークチェンバ内にＳＦ6ガス４
を供給し、フィラメント（タングステン）から発生する
熱電子との衝突で、ＳＦ6プラズマ５を生成させる。こ
のＳＦ6ガスにはプラズマ安定性向上のため、Ａｒガス
が混合される。ＳＦ6プラズマ中に設置された試料は、
プラズマ中のフッ素と反応して試料のフッ化物が生成さ
れる。
【００１０】フッ化物になると多くの物質は蒸気圧が高
まり、しかもアークチェンバ内温度は１０００℃以上に
なるので、容易に気化することができる。気化されたフ
ッ化物は再びプラズマ中に戻り、分解、電離され、目的
イオンを生成させることができる。このイオンは引出電
極６の作用にによりイオンビーム７となる。
まり、しかもアークチェンバ内温度は１０００℃以上に
なるので、容易に気化することができる。気化されたフ
ッ化物は再びプラズマ中に戻り、分解、電離され、目的
イオンを生成させることができる。このイオンは引出電
極６の作用にによりイオンビーム７となる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明を、フリーマンイオン源を使
用してイオンを生成させた場合について説明する。
用してイオンを生成させた場合について説明する。
【００１２】
【実施例１】ディスク状（１０ｍｍφ×５ｍｍ）Ｎｂ試
料の中心に穴を開け、その穴にフィラメントを通してア
ークチェンバ（プラズマ生成室）内下側に置いた。この
アークチェンバ内にＳＦ6ガスを供給し、これにフィラ
メント（タングステン）から発生する熱電子を衝突さ
せ、ＳＦ6プラズマを生成させた。このＳＦ6ガスにはプ
ラズマ安定性向上のため、Ａｒガスを混合したものを使
用した。ＳＦ6プラズマ中に設置されたＮｂ試料は、プ
ラズマ中のフッ素と反応して気化してＮｂのフッ化物ガ
スが生成された。気化されたフッ化物は再びプラズマ中
に戻り、分解、電離され、Ｎｂイオンが生成した。その
結果、Ｎｂイオンは１５μＡ得ることができた。これは
Ａｒガスのみを供給して発生するＡｒプラズマによるイ
オン生成時の約１５０倍の電流量であった。
料の中心に穴を開け、その穴にフィラメントを通してア
ークチェンバ（プラズマ生成室）内下側に置いた。この
アークチェンバ内にＳＦ6ガスを供給し、これにフィラ
メント（タングステン）から発生する熱電子を衝突さ
せ、ＳＦ6プラズマを生成させた。このＳＦ6ガスにはプ
ラズマ安定性向上のため、Ａｒガスを混合したものを使
用した。ＳＦ6プラズマ中に設置されたＮｂ試料は、プ
ラズマ中のフッ素と反応して気化してＮｂのフッ化物ガ
スが生成された。気化されたフッ化物は再びプラズマ中
に戻り、分解、電離され、Ｎｂイオンが生成した。その
結果、Ｎｂイオンは１５μＡ得ることができた。これは
Ａｒガスのみを供給して発生するＡｒプラズマによるイ
オン生成時の約１５０倍の電流量であった。
【００１３】ＳＦ6プラズマによるＮｂイオン生成時の
マススペクトルを図２に示す。このマススペクトルで分
かるように、アークチェンバ内ではＮｂのフッ化物が多
く生成された。このことから、フッ化ニオブは蒸気圧が
高いために、容易に気化されてＮｂイオンが生成される
ことが分かった。したがって、ＳＦ6を用いた新しいイ
オン発生法により、現在までフリーマンイオン源で、毒
性ガスやＣＣｌ4ガスを使用しなければ発生困難だった
高融点物質の大電流イオンの発生が可能になった。
マススペクトルを図２に示す。このマススペクトルで分
かるように、アークチェンバ内ではＮｂのフッ化物が多
く生成された。このことから、フッ化ニオブは蒸気圧が
高いために、容易に気化されてＮｂイオンが生成される
ことが分かった。したがって、ＳＦ6を用いた新しいイ
オン発生法により、現在までフリーマンイオン源で、毒
性ガスやＣＣｌ4ガスを使用しなければ発生困難だった
高融点物質の大電流イオンの発生が可能になった。
【００１４】同様にして、この方法で、試料にボロン
（Ｂ）及びシリコン（Ｓｉ）を用いて行った結果、Ｂ及
びＳｉイオンはそれぞれ１３μＡ及び７μＡ得ることが
できた。これはＡｒガスのみを供給して発生するＡｒプ
ラズマによるイオン生成時の約１３倍及び３０倍の電流
量であった。
（Ｂ）及びシリコン（Ｓｉ）を用いて行った結果、Ｂ及
びＳｉイオンはそれぞれ１３μＡ及び７μＡ得ることが
できた。これはＡｒガスのみを供給して発生するＡｒプ
ラズマによるイオン生成時の約１３倍及び３０倍の電流
量であった。
【００１５】
【実施例２】以下にミラー磁場によるイオンの閉じ込め
とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴を利用する
ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）イオン源の実施例を図３に基づき説明
する。プラズマ室に固体状試料１を設置する。そこにＳ
Ｆ6ガスを導入し、マイクロ波によりＳＦ6プラズマ５を
生成させる。この時プラズマ中でＳＦ6はＳイオンとＦ
イオンに解離される。
とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴を利用する
ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）イオン源の実施例を図３に基づき説明
する。プラズマ室に固体状試料１を設置する。そこにＳ
Ｆ6ガスを導入し、マイクロ波によりＳＦ6プラズマ５を
生成させる。この時プラズマ中でＳＦ6はＳイオンとＦ
イオンに解離される。
【００１６】固体状試料がタングステンの場合を例にと
ると、プラズマ中のフッ素とタングステンが反応してフ
ッ化タングステンが生成される。フッ化タングステンは
沸点が約１８℃なので、室温でも気化する。このフッ化
タングステン蒸気がＳＦ6プラズマ中に導入され、プラ
ズマ中の電子により解離してタングテンイオンを生成す
ることができる。固体状試料がタンタル（Ｔａ）の場合
にも、それがフッ化され、その蒸気がプラズマ中に流入
する。
ると、プラズマ中のフッ素とタングステンが反応してフ
ッ化タングステンが生成される。フッ化タングステンは
沸点が約１８℃なので、室温でも気化する。このフッ化
タングステン蒸気がＳＦ6プラズマ中に導入され、プラ
ズマ中の電子により解離してタングテンイオンを生成す
ることができる。固体状試料がタンタル（Ｔａ）の場合
にも、それがフッ化され、その蒸気がプラズマ中に流入
する。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、現在まで毒性ガス等の使
用、もしくはレーザー等の付加的装置が無ければ安定な
生成が困難であったイオンを安全に、しかも効率よく安
定に生成できるようになった。さらに、プラズマ室でフ
ッ化物を生成するため、腐食性ガスによるイオン源及び
加速器の腐食を従来の方法に比べ格段に少なくすること
ができるという、本発明に特有の顕著な効果が生じる。
用、もしくはレーザー等の付加的装置が無ければ安定な
生成が困難であったイオンを安全に、しかも効率よく安
定に生成できるようになった。さらに、プラズマ室でフ
ッ化物を生成するため、腐食性ガスによるイオン源及び
加速器の腐食を従来の方法に比べ格段に少なくすること
ができるという、本発明に特有の顕著な効果が生じる。
【図１】 フリーマンイオン源においてＳＦ6ガスを使
用して固体試料をイオン化する方法を示す図である。
用して固体試料をイオン化する方法を示す図である。
【図２】 ＳＦ6プラズマによるＮｂイオン発生時のマ
ススペクトルを示す図である。
ススペクトルを示す図である。
【図３】 ＥＣＲイオン源においてＳＦ6プラズマを用
いて固体試料をイオン化する方法を示す図である。
いて固体試料をイオン化する方法を示す図である。
１：固体試料、２：フィラメント、３：アークチェン
バ、４：ＳＦ6ガス、５：ＳＦ6プラズマ、６：引出電
極、７：イオンビーム
バ、４：ＳＦ6ガス、５：ＳＦ6プラズマ、６：引出電
極、７：イオンビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｈ０１Ｌ 21/265 ６０３Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳＦ6またはＳＦ6を混入したガスのプラ
ズマ中または近傍に設置された固体状試料とそのプラズ
マ中のフッ素またはフッ化物との化学反応を利用して、
固体状試料のフッ化物を生成させることにより、試料の
蒸気圧を上げ、試料元素を含むフッ化物蒸気をプラズマ
中に導入させ、固体状試料のイオンを生成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2797098A JP3595442B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2797098A JP3595442B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224633A true JPH11224633A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3595442B2 JP3595442B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=12235750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2797098A Expired - Fee Related JP3595442B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3595442B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818909B2 (en) | 2001-12-03 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Ion sources for ion implantation apparatus |
| WO2016069516A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-06 | Entegris, Inc. | Ion implantation processes and apparatus |
| CN117263248A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-22 | 湖北工业大学 | 一种六氟化硫的硫氟资源化利用方法和装置 |
| CN117285075A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-26 | 湖北工业大学 | 一种基于光电协同制备六氟化钨的方法和装置 |
| CN117401717A (zh) * | 2023-10-08 | 2024-01-16 | 湖北工业大学 | 一种基于加热法制备六氟化钨的方法和装置 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP2797098A patent/JP3595442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818909B2 (en) | 2001-12-03 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Ion sources for ion implantation apparatus |
| GB2389451B (en) * | 2001-12-03 | 2004-12-15 | Applied Materials Inc | Improvements in ion sources for ion implantation apparatus |
| WO2016069516A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-06 | Entegris, Inc. | Ion implantation processes and apparatus |
| CN107004550A (zh) * | 2014-10-27 | 2017-08-01 | 恩特格里斯公司 | 离子植入工艺及设备 |
| CN110010433A (zh) * | 2014-10-27 | 2019-07-12 | 恩特格里斯公司 | 离子植入工艺及设备 |
| TWI674614B (zh) * | 2014-10-27 | 2019-10-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 離子佈植方法及設備 |
| US10497532B2 (en) | 2014-10-27 | 2019-12-03 | Entegris, Inc. | Ion implantation processes and apparatus |
| CN117263248A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-22 | 湖北工业大学 | 一种六氟化硫的硫氟资源化利用方法和装置 |
| CN117285075A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-26 | 湖北工业大学 | 一种基于光电协同制备六氟化钨的方法和装置 |
| CN117285075B (zh) * | 2023-09-20 | 2024-05-10 | 湖北工业大学 | 一种基于光电协同制备六氟化钨的方法和装置 |
| US12281025B2 (en) | 2023-09-20 | 2025-04-22 | Hubei University Of Technology | Tungsten hexafluoride preparation method and apparatus based on photoelectric synergy |
| CN117401717A (zh) * | 2023-10-08 | 2024-01-16 | 湖北工业大学 | 一种基于加热法制备六氟化钨的方法和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3595442B2 (ja) | 2004-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100571015B1 (ko) | 데카보란 이온화기 | |
| JP4641544B2 (ja) | イオン源 | |
| EP0266178A2 (en) | Method and apparatus for forming a thin film | |
| KR102356543B1 (ko) | 원자 알루미늄 이온을 생성하기 위한 고체 요오드화 알루미늄(ali3)을 사용하는 주입 및 요오드화 알루미늄과 관련된 부산물의 현장 세정 | |
| CN111263971B (zh) | 碘化铝用作离子源材料时的共伴氢气 | |
| JP2023548015A (ja) | アルミニウムイオンビームを発生させるためのソース材料としてジメチルアルミニウムクロリドを流す場合におけるフッ素系分子共ガス | |
| JP2859479B2 (ja) | ボロンイオンを生成するためのイオン源 | |
| US5861630A (en) | Method for generating a boron vapor | |
| US5059292A (en) | Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure | |
| JP3595442B2 (ja) | Ｓｆ６プラズマを用いたイオン生成方法 | |
| JP2837023B2 (ja) | イオン源の寿命を向上させたイオン打ち込み装置 | |
| US6497744B2 (en) | Apparatus and method for generating indium ion beam | |
| US4952294A (en) | Apparatus and method for in-situ generation of dangerous polyatomic gases, including polyatomic radicals | |
| WO2013068796A2 (en) | Molecular ion source for ion implantation | |
| US5808416A (en) | Ion source generator auxiliary device | |
| JPH11238485A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH0313576A (ja) | イオン照射方法 | |
| Kawano et al. | Simultaneous production of H− by both thermal and electron-stimulated desorptions from saline hydrides | |
| WO1993023869A1 (en) | Apparatus for and method of producing ions | |
| JPH0577138B2 (ja) | ||
| JPH0418028B2 (ja) | ||
| JPH0765169B2 (ja) | イオン生成方法 | |
| Wolf | High current metal ion production | |
| Pong et al. | A displacement reaction source demonstrated for aluminum implantation and proposed for indium implantation | |
| Ohkoshi et al. | 8 New ion generation method of refractory materials with SF6 plasma |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040831 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040903 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |