JPH11224833A - 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法Info
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- JPH11224833A JPH11224833A JP10025736A JP2573698A JPH11224833A JP H11224833 A JPH11224833 A JP H11224833A JP 10025736 A JP10025736 A JP 10025736A JP 2573698 A JP2573698 A JP 2573698A JP H11224833 A JPH11224833 A JP H11224833A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多孔質陽極体の表面状態を改良して陽極体の
表面の空孔を拡大する効果により、固体電解質母液の含
浸性を向上させてコンデンサの電気抵抗特性、静電容量
変化率が優れた固体電解コンデンサを得ることができる
固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 弁作用金属粉末をバインダとして樟脳お
よび塊状昇華性シクロドデカンを使用して造粒した後、
これを加圧成形し弁作用金属からなる陽極リードを植設
して成形体を形成し、この成形体を高温高真空中で焼結
して多孔質陽極体を構成する製造方法とすることによ
り、陽極体の表面の空孔を大きくすることができる。
表面の空孔を拡大する効果により、固体電解質母液の含
浸性を向上させてコンデンサの電気抵抗特性、静電容量
変化率が優れた固体電解コンデンサを得ることができる
固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 弁作用金属粉末をバインダとして樟脳お
よび塊状昇華性シクロドデカンを使用して造粒した後、
これを加圧成形し弁作用金属からなる陽極リードを植設
して成形体を形成し、この成形体を高温高真空中で焼結
して多孔質陽極体を構成する製造方法とすることによ
り、陽極体の表面の空孔を大きくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
用多孔質陽極体の製造方法に関するものである。
用多孔質陽極体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に固体電解コンデンサはタンタル等
の弁作用金属からなる粉末を樟脳やアクリル系樹脂を用
いて混合造粒した後、弁作用金属からなる陽極導出線を
植設した状態で加圧成形することで成形体を形成し、か
つこの成形体を高温高真空中で焼結することにより多孔
質陽極体を形成し、その後この多孔質陽極体の表面に誘
電体酸化皮膜層、半導体層、カーボン層、銀ペイント層
を順次形成してコンデンサ素子を構成するようにしてい
るものである。
の弁作用金属からなる粉末を樟脳やアクリル系樹脂を用
いて混合造粒した後、弁作用金属からなる陽極導出線を
植設した状態で加圧成形することで成形体を形成し、か
つこの成形体を高温高真空中で焼結することにより多孔
質陽極体を形成し、その後この多孔質陽極体の表面に誘
電体酸化皮膜層、半導体層、カーボン層、銀ペイント層
を順次形成してコンデンサ素子を構成するようにしてい
るものである。
【０００３】また、上記半導体層は誘電体酸化皮膜層を
形成した多孔質陽極体に固体電解質母液を含浸した後、
熱分解、重合等の方法によって形成され、この半導体層
の形成状態は固体電解質母液の多孔質陽極体への含浸性
に依存するため、多孔質陽極体の表面状態、特に表面の
空孔状態の影響が強い。すなわち、表面空孔径が大きい
ほど半導体層の形成状態は良い。そしてこの半導体層の
形成状態は、固体電解コンデンサの静電容量変化率、電
気抵抗特性に強く影響を与え、形成状態が悪いとこれら
の特性は著しく悪化することが知られている。
形成した多孔質陽極体に固体電解質母液を含浸した後、
熱分解、重合等の方法によって形成され、この半導体層
の形成状態は固体電解質母液の多孔質陽極体への含浸性
に依存するため、多孔質陽極体の表面状態、特に表面の
空孔状態の影響が強い。すなわち、表面空孔径が大きい
ほど半導体層の形成状態は良い。そしてこの半導体層の
形成状態は、固体電解コンデンサの静電容量変化率、電
気抵抗特性に強く影響を与え、形成状態が悪いとこれら
の特性は著しく悪化することが知られている。
【０００４】最近、固体電解コンデンサの小形、大容量
化が進み、使用される弁作用金属粉末の高ＣＶ化（ただ
しＣＶは弁作用金属粉末の電気特性を示す指数で、誘電
体酸化皮膜の形成電圧Ｖ（V）とその時に発現する弁作
用金属粉末単位重量当たりの静電容量Ｃ（μＦ）の積）
が進んでいるが、弁作用金属粉末の高ＣＶ化は、構成す
る粉末粒子の微細化による粒子表面積拡大で実現されて
いるので、この高ＣＶ化は一方で成形性の悪化による多
孔質陽極体の表面空孔径の縮小、及び成形時の成形体表
面の目つぶれをもたらし、これが固体電解質母液の含浸
性の悪化をもたらすため、結果として固体電解コンデン
サの静電容量変化率、電気抵抗特性の悪化を引き起こし
ていた。
化が進み、使用される弁作用金属粉末の高ＣＶ化（ただ
しＣＶは弁作用金属粉末の電気特性を示す指数で、誘電
体酸化皮膜の形成電圧Ｖ（V）とその時に発現する弁作
用金属粉末単位重量当たりの静電容量Ｃ（μＦ）の積）
が進んでいるが、弁作用金属粉末の高ＣＶ化は、構成す
る粉末粒子の微細化による粒子表面積拡大で実現されて
いるので、この高ＣＶ化は一方で成形性の悪化による多
孔質陽極体の表面空孔径の縮小、及び成形時の成形体表
面の目つぶれをもたらし、これが固体電解質母液の含浸
性の悪化をもたらすため、結果として固体電解コンデン
サの静電容量変化率、電気抵抗特性の悪化を引き起こし
ていた。
【０００５】また、この固体電解質母液の含浸性の悪化
を防ぐために、弁作用金属粉末を成形前に、バインダと
して使用する樟脳と弁作用金属粉末を混合造粒する際
に、そのバインダ混合割合を高めたり、予めバインダを
混合した後、改めて塊状アクリルバインダを混合する方
法や、あるいは成形体の密度を低く設定することによっ
て焼結体空孔径を確保することが行われてきた。
を防ぐために、弁作用金属粉末を成形前に、バインダと
して使用する樟脳と弁作用金属粉末を混合造粒する際
に、そのバインダ混合割合を高めたり、予めバインダを
混合した後、改めて塊状アクリルバインダを混合する方
法や、あるいは成形体の密度を低く設定することによっ
て焼結体空孔径を確保することが行われてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の製造方法では、弁作用金属粉末粒子の微細化は成形性
の悪化を引き起こし、多孔質陽極体の表面空孔径の縮
小、及び成形時の成形体の表面の目つぶれをもたらし、
陽極酸化時の化成液の含浸、半導体固体電解質層の形成
時の固体電解質母液の多孔質陽極体への含浸が困難にな
り、結果として固体電解コンデンサの静電容量変化率、
電気抵抗特性の悪化を引き起こしていた。そこで、上記
従来の技術で示したように、固体電解質母液の含浸性の
悪化を防ぐための焼結体空孔を確保する手段として、成
形体の密度を低く設定することや、弁作用金属粉末をバ
インダと混合造粒する際にそのバインダ混合割合を高め
たり、粒径調整の容易なアクリル樹脂等の非昇華性バイ
ンダを顆粒状にして添加する方法が行われているが、こ
れらの方法は電極体素子強度の低下をもたらすために固
体電解コンデンサの漏れ電流特性、及び信頼性の低下を
引き起こすという欠点があった。また、アクリルバイン
ダ等の非昇華性バインダを使用することは、真空焼結中
においては脱バインダが容易ではなく、残留する炭素の
影響で固体電解コンデンサの漏れ電流特性が悪化すると
いう問題点もあった。
の製造方法では、弁作用金属粉末粒子の微細化は成形性
の悪化を引き起こし、多孔質陽極体の表面空孔径の縮
小、及び成形時の成形体の表面の目つぶれをもたらし、
陽極酸化時の化成液の含浸、半導体固体電解質層の形成
時の固体電解質母液の多孔質陽極体への含浸が困難にな
り、結果として固体電解コンデンサの静電容量変化率、
電気抵抗特性の悪化を引き起こしていた。そこで、上記
従来の技術で示したように、固体電解質母液の含浸性の
悪化を防ぐための焼結体空孔を確保する手段として、成
形体の密度を低く設定することや、弁作用金属粉末をバ
インダと混合造粒する際にそのバインダ混合割合を高め
たり、粒径調整の容易なアクリル樹脂等の非昇華性バイ
ンダを顆粒状にして添加する方法が行われているが、こ
れらの方法は電極体素子強度の低下をもたらすために固
体電解コンデンサの漏れ電流特性、及び信頼性の低下を
引き起こすという欠点があった。また、アクリルバイン
ダ等の非昇華性バインダを使用することは、真空焼結中
においては脱バインダが容易ではなく、残留する炭素の
影響で固体電解コンデンサの漏れ電流特性が悪化すると
いう問題点もあった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、静電容量変化率、電気抵抗特性が極めて優れ、かつ
漏れ電流の劣化もない固体電解コンデンサを得ることが
できる固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法を
提供することを目的とするものである。
で、静電容量変化率、電気抵抗特性が極めて優れ、かつ
漏れ電流の劣化もない固体電解コンデンサを得ることが
できる固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方
法は、成形前の弁作用金属粉末の造粒において混合する
バインダとして、樟脳と塊状昇華性シクロドデカンの混
合物を使用するようにしたもので、この製造方法によれ
ば焼結体の表面に大きな空孔径を確保することができる
ので、固体電解質形成母液を多孔質陽極体の内部に容易
に含浸させることができ、コンデンサ静電容量、電気抵
抗特性が極めて優れた固体電解コンデンサを得ることが
できるものである。
に本発明の固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方
法は、成形前の弁作用金属粉末の造粒において混合する
バインダとして、樟脳と塊状昇華性シクロドデカンの混
合物を使用するようにしたもので、この製造方法によれ
ば焼結体の表面に大きな空孔径を確保することができる
ので、固体電解質形成母液を多孔質陽極体の内部に容易
に含浸させることができ、コンデンサ静電容量、電気抵
抗特性が極めて優れた固体電解コンデンサを得ることが
できるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、弁作用金属粉末をバインダと混合して造粒した後、
弁作用金属からなる陽極導出線を植設した状態で加圧成
形して成形体を形成し、この成形体を高温高真空中で焼
結することにより固体電解コンデンサ用多孔質陽極体を
製造する際に、上記弁作用金属粉末と混合するバインダ
として、樟脳および塊状昇華性シクロドデカンの混合物
を用いるようにしたものであり、この製造方法により、
成形時において造粒粉末中に塊状昇華性シクロドデカン
のバインダが存在するために高密度で成形をしても造粒
粒子間の間隙が多く残留し、かつ目つぶれも少なく、し
かもこの造粒粒子間隙は焼結後に多孔質陽極体の空孔と
なるため、焼結体の表面空孔径の大きな多孔質陽極体を
得ることができ、この結果、陽極酸化時の化成液の含
浸、半導体固体電解質層の形成時の固体電解質母液の多
孔質陽極体への含浸が容易となり、コンデンサ静電容
量、電気抵抗特性の向上を可能にすることができるとい
う作用を有する。
は、弁作用金属粉末をバインダと混合して造粒した後、
弁作用金属からなる陽極導出線を植設した状態で加圧成
形して成形体を形成し、この成形体を高温高真空中で焼
結することにより固体電解コンデンサ用多孔質陽極体を
製造する際に、上記弁作用金属粉末と混合するバインダ
として、樟脳および塊状昇華性シクロドデカンの混合物
を用いるようにしたものであり、この製造方法により、
成形時において造粒粉末中に塊状昇華性シクロドデカン
のバインダが存在するために高密度で成形をしても造粒
粒子間の間隙が多く残留し、かつ目つぶれも少なく、し
かもこの造粒粒子間隙は焼結後に多孔質陽極体の空孔と
なるため、焼結体の表面空孔径の大きな多孔質陽極体を
得ることができ、この結果、陽極酸化時の化成液の含
浸、半導体固体電解質層の形成時の固体電解質母液の多
孔質陽極体への含浸が容易となり、コンデンサ静電容
量、電気抵抗特性の向上を可能にすることができるとい
う作用を有する。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、弁作用金属がタンタルを主成分とした
ものであり、請求項１に記載の発明による作用と同様の
作用を有する。
の発明において、弁作用金属がタンタルを主成分とした
ものであり、請求項１に記載の発明による作用と同様の
作用を有する。
【００１１】次に本発明の具体的な実施の形態につい
て、比較例とともに説明する。 （実施の形態）以下、本発明の一実施の形態について、
タンタル固体電解コンデンサを例として説明する。
て、比較例とともに説明する。 （実施の形態）以下、本発明の一実施の形態について、
タンタル固体電解コンデンサを例として説明する。
【００１２】まず、タンタル粉末（５００００ＣＶ）と
平均径０．１mmの塊状昇華性シクロドデカンを、樟脳を
溶解したアセトン溶液に入れて混合、混練した後、常温
にて乾燥して造粒を行った。続いてこの造粒粉末１５０
mgをタンタル線からなる陽極リードを植設した状態で、
成形体密度６．０、φ３．０×４．０mmの円柱形に加圧
成形することによって成形体を形成し、さらにこの成形
体を焼結温度１４００度、真空度が１０-3Ｐａの真空中
において２０分間焼結を行うことで多孔質陽極体を作成
した。
平均径０．１mmの塊状昇華性シクロドデカンを、樟脳を
溶解したアセトン溶液に入れて混合、混練した後、常温
にて乾燥して造粒を行った。続いてこの造粒粉末１５０
mgをタンタル線からなる陽極リードを植設した状態で、
成形体密度６．０、φ３．０×４．０mmの円柱形に加圧
成形することによって成形体を形成し、さらにこの成形
体を焼結温度１４００度、真空度が１０-3Ｐａの真空中
において２０分間焼結を行うことで多孔質陽極体を作成
した。
【００１３】（比較例１）比較例１として、タンタル粉
末（５００００ＣＶ）を樟脳を溶解したアセトン溶液に
入れて混合、混練した後、常温にて乾燥して造粒を行っ
た。続いてこの造粒粉末１５０mgをタンタル線からなる
陽極リードを植設した状態で、成形体密度６．０、φ
３．０×４．０mmの円柱形に加圧成形することによって
成形体を形成し、さらにこの成形体を焼結温度１４００
度、真空度が１０-3Ｐａの真空中において２０分間焼結
を行うことで多孔質陽極体を作成した。
末（５００００ＣＶ）を樟脳を溶解したアセトン溶液に
入れて混合、混練した後、常温にて乾燥して造粒を行っ
た。続いてこの造粒粉末１５０mgをタンタル線からなる
陽極リードを植設した状態で、成形体密度６．０、φ
３．０×４．０mmの円柱形に加圧成形することによって
成形体を形成し、さらにこの成形体を焼結温度１４００
度、真空度が１０-3Ｐａの真空中において２０分間焼結
を行うことで多孔質陽極体を作成した。
【００１４】（比較例２）比較例２として、タンタル粉
末（５００００ＣＶ）を樟脳を溶解したアセトン溶液に
入れて混合した後、粒径０．１mmのメタクリル酸イソブ
チルエステル重合体を混合し混練し、その後常温にて乾
燥して造粒を行った。続いて、この造粒粉末１５０mgを
タンタル線からなる陽極リードを植設した状態で、成形
体密度６．０、φ３．０×４．０mmの円柱形に加圧成形
することによって成形体を形成し、さらにこの成形体を
焼結温度１４００度、真空度が１０-3Ｐａの真空中にお
いて２０分間焼結を行うことで多孔質陽極体を作成し
た。
末（５００００ＣＶ）を樟脳を溶解したアセトン溶液に
入れて混合した後、粒径０．１mmのメタクリル酸イソブ
チルエステル重合体を混合し混練し、その後常温にて乾
燥して造粒を行った。続いて、この造粒粉末１５０mgを
タンタル線からなる陽極リードを植設した状態で、成形
体密度６．０、φ３．０×４．０mmの円柱形に加圧成形
することによって成形体を形成し、さらにこの成形体を
焼結温度１４００度、真空度が１０-3Ｐａの真空中にお
いて２０分間焼結を行うことで多孔質陽極体を作成し
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】（表１）は、本発明の実施の形態と比較例
１，２で得られたそれぞれの多孔質陽極体の表面最大空
孔径と、それぞれの多孔質陽極体に０．５ｗｔ％のリン
酸水溶液中で５０Ｖ、２時間の陽極酸化を実施して誘電
体酸化皮膜を形成した後、この誘電体酸化皮膜を形成し
た多孔質陽極体に０．２ｗｔ％のリン酸水溶液中で３５
Ｖの電圧を印加して、２分間充電した後の漏れ電流を測
定した結果を示したものである。
１，２で得られたそれぞれの多孔質陽極体の表面最大空
孔径と、それぞれの多孔質陽極体に０．５ｗｔ％のリン
酸水溶液中で５０Ｖ、２時間の陽極酸化を実施して誘電
体酸化皮膜を形成した後、この誘電体酸化皮膜を形成し
た多孔質陽極体に０．２ｗｔ％のリン酸水溶液中で３５
Ｖの電圧を印加して、２分間充電した後の漏れ電流を測
定した結果を示したものである。
【００１７】（表１）から明らかなように、多孔質陽極
体の表面最大空孔径は比較例１では１．０μｍ以下であ
ったが、本実施の形態においては１．５μｍ以上を確保
し、本発明のバインダを使用すると最大空孔径が大きく
なることを示す。かつ、本発明で使用のバインダは昇華
性であるため、同様の効果をもたらす比較例２のアクリ
ルバインダで見られるような漏れ電流の増大も見られな
いものである。
体の表面最大空孔径は比較例１では１．０μｍ以下であ
ったが、本実施の形態においては１．５μｍ以上を確保
し、本発明のバインダを使用すると最大空孔径が大きく
なることを示す。かつ、本発明で使用のバインダは昇華
性であるため、同様の効果をもたらす比較例２のアクリ
ルバインダで見られるような漏れ電流の増大も見られな
いものである。
【００１８】次に、本発明の実施の形態と比較例１で得
られた多孔質陽極体について燐酸液中で２０Ｖの化成を
実施して誘電体皮膜を形成した後、硝酸マンガンの含
浸、熱分解により二酸化マンガン半導体層、カーボン
層、銀電極層を順次形成してコンデンサ素子を作成した
後、外部引き出し用の陰極リードおよび陽極リードを引
き出し、その後、樹脂外装を施してタンタル固体電解コ
ンデンサを作成した。
られた多孔質陽極体について燐酸液中で２０Ｖの化成を
実施して誘電体皮膜を形成した後、硝酸マンガンの含
浸、熱分解により二酸化マンガン半導体層、カーボン
層、銀電極層を順次形成してコンデンサ素子を作成した
後、外部引き出し用の陰極リードおよび陽極リードを引
き出し、その後、樹脂外装を施してタンタル固体電解コ
ンデンサを作成した。
【００１９】そして、これらのタンタル固体電解コンデ
ンサについて８５度６Ｖ印加の高温負荷試験を実施し
た。この試験結果をｔａｎδ特性について図１に、静電
容量変化率について図２に示す。
ンサについて８５度６Ｖ印加の高温負荷試験を実施し
た。この試験結果をｔａｎδ特性について図１に、静電
容量変化率について図２に示す。
【００２０】図１、図２から明らかなように、本発明の
実施の形態のような製造方法で作成した多孔質陽極体を
使用したタンタル固体電解コンデンサは、比較例に比べ
て粒子間間隙が大きいために多孔質陽極体の表面の空孔
径が増大した結果、陰極層の形成が容易となり、初期ｔ
ａｎδ特性、静電容量変化率が比較例に比べて著しく良
好となったことが確認できた。
実施の形態のような製造方法で作成した多孔質陽極体を
使用したタンタル固体電解コンデンサは、比較例に比べ
て粒子間間隙が大きいために多孔質陽極体の表面の空孔
径が増大した結果、陰極層の形成が容易となり、初期ｔ
ａｎδ特性、静電容量変化率が比較例に比べて著しく良
好となったことが確認できた。
【００２１】なお、上記本発明の実施の形態において
は、コンデンサ素子を構成する多孔質陽極体として弁作
用金属であるタンタル金属粉末を成形焼結したものを用
いたものについて説明したが、アルミ、チタンのような
その他の弁作用金属を用いて多孔質陽極体を構成しても
上記本発明と同様の効果が得られるものである。
は、コンデンサ素子を構成する多孔質陽極体として弁作
用金属であるタンタル金属粉末を成形焼結したものを用
いたものについて説明したが、アルミ、チタンのような
その他の弁作用金属を用いて多孔質陽極体を構成しても
上記本発明と同様の効果が得られるものである。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サ用多孔質陽極体の製造方法は、成形前の弁作用金属粉
末の造粒において混合するバインダとして、樟脳と平均
径０．１mmの塊状昇華性シクロドデカンの混合物を使用
するもので、この製造方法によれば焼結体の表面に大き
な空孔径を確保することができるので、固体電解質形成
母液を多孔質陽極体の内部に容易に含浸させることがで
き、固体電解コンデンサの半導体層固体電解質の形成状
態が良好になり、静電容量変化率、電気抵抗特性の向上
をもたらすことができ、かつ漏れ電流特性も従来品と比
べて極めて良特性の固体電解コンデンサを得ることがで
きるものである。
サ用多孔質陽極体の製造方法は、成形前の弁作用金属粉
末の造粒において混合するバインダとして、樟脳と平均
径０．１mmの塊状昇華性シクロドデカンの混合物を使用
するもので、この製造方法によれば焼結体の表面に大き
な空孔径を確保することができるので、固体電解質形成
母液を多孔質陽極体の内部に容易に含浸させることがで
き、固体電解コンデンサの半導体層固体電解質の形成状
態が良好になり、静電容量変化率、電気抵抗特性の向上
をもたらすことができ、かつ漏れ電流特性も従来品と比
べて極めて良特性の固体電解コンデンサを得ることがで
きるものである。
【図１】本発明の一実施の形態と比較例１で得られた多
孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高
温負荷試験におけるｔａｎδ特性を比較した特性図
孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高
温負荷試験におけるｔａｎδ特性を比較した特性図
【図２】本発明の一実施の形態と比較例１で得られた多
孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高
温負荷試験における静電容量変化率を比較した特性図
孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高
温負荷試験における静電容量変化率を比較した特性図
Claims (2)
- 【請求項１】 弁作用金属粉末をバインダと混合して造
粒した後、弁作用金属からなる陽極導出線を植設した状
態で加圧成形して成形体を形成し、この成形体を高温高
真空中で焼結することにより固体電解コンデンサ用多孔
質陽極体を製造する際に、上記弁作用金属粉末と混合す
るバインダとして、樟脳および塊状昇華性シクロドデカ
ンの混合物を用いた固体電解コンデンサ用多孔質陽極体
の製造方法。 - 【請求項２】 弁作用金属粉末がタンタルを主成分とす
るものである請求項１に記載の固体電解コンデンサ用多
孔質陽極体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025736A JPH11224833A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025736A JPH11224833A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224833A true JPH11224833A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12174114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10025736A Pending JPH11224833A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11224833A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091953A1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-06 | Cabot Supermetals K.K. | Niobium or tantalum powder and method for production thereof, and solid electrolytic capacitor |
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1998
- 1998-02-06 JP JP10025736A patent/JPH11224833A/ja active Pending
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