JPH11226874A - 凹溝加工方法 - Google Patents
凹溝加工方法Info
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- JPH11226874A JPH11226874A JP5133798A JP5133798A JPH11226874A JP H11226874 A JPH11226874 A JP H11226874A JP 5133798 A JP5133798 A JP 5133798A JP 5133798 A JP5133798 A JP 5133798A JP H11226874 A JPH11226874 A JP H11226874A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base material
- grooved portion
- organic solvent
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00388—Etch mask forming
- B81C1/00412—Mask characterised by its behaviour during the etching process, e.g. soluble masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/025—Abrading, e.g. grinding or sand blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】比較的少ない工程で微細な凹溝を加工でき、耐
ブラスト性と剥離性に優れた凹溝加工方法を提供する。 【解決手段】セラミックス基板１の表面に有機溶剤によ
る溶解性を有する鎖状高分子材料からなる第１層２を形
成し、第１層２の上に耐ブラスト性を有する空間網状高
分子材料からなる第２層３を凹溝加工部を除く部位にパ
ターン形成する。次に、第２層３の上からサンドブラス
ト加工を行ない、第１層２の凹溝加工部とセラミックス
基板１の凹溝加工部を切削し、第１層２を有機溶剤で溶
解させることで第１層２と第２層３をセラミックス基板
１から剥離，除去する。
ブラスト性と剥離性に優れた凹溝加工方法を提供する。 【解決手段】セラミックス基板１の表面に有機溶剤によ
る溶解性を有する鎖状高分子材料からなる第１層２を形
成し、第１層２の上に耐ブラスト性を有する空間網状高
分子材料からなる第２層３を凹溝加工部を除く部位にパ
ターン形成する。次に、第２層３の上からサンドブラス
ト加工を行ない、第１層２の凹溝加工部とセラミックス
基板１の凹溝加工部を切削し、第１層２を有機溶剤で溶
解させることで第１層２と第２層３をセラミックス基板
１から剥離，除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス基板な
どの母材表面に微細な凹溝を形成するのに適した凹溝加
工方法に関するものである。
どの母材表面に微細な凹溝を形成するのに適した凹溝加
工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ型圧電共振子などにおい
て、圧電基板の両面に接着されるセラミックス封止基板
の表面に凹溝を形成し、振動空間を形成するようにした
ものが知られている（例えば実公平７−４９８６０号公
報参照）。
て、圧電基板の両面に接着されるセラミックス封止基板
の表面に凹溝を形成し、振動空間を形成するようにした
ものが知られている（例えば実公平７−４９８６０号公
報参照）。
【０００３】このような凹溝付きのセラミックス基板
は、グリーンシートの状態（焼成前）でプレス金型など
で形成されるが、焼成によるセラミックス材料の収縮に
より、凹溝の寸法精度が悪いという問題があった。
は、グリーンシートの状態（焼成前）でプレス金型など
で形成されるが、焼成によるセラミックス材料の収縮に
より、凹溝の寸法精度が悪いという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、サンドブラス
トを用いて凹溝を加工する方法が考えられる。すなわ
ち、母材の表面にブラスト用保護膜でマスキングし、そ
の上からサンドブラスト等を行なって凹溝を形成するも
のである。この場合、ブラスト用保護膜としてはシリコ
ーン系やウレタン系の樹脂が有効であるが、これら材料
を母材に直接印刷，硬化を行なうと、剥離が不可能とな
り、再研磨やカットなどが必要になるという不具合があ
る。
トを用いて凹溝を加工する方法が考えられる。すなわ
ち、母材の表面にブラスト用保護膜でマスキングし、そ
の上からサンドブラスト等を行なって凹溝を形成するも
のである。この場合、ブラスト用保護膜としてはシリコ
ーン系やウレタン系の樹脂が有効であるが、これら材料
を母材に直接印刷，硬化を行なうと、剥離が不可能とな
り、再研磨やカットなどが必要になるという不具合があ
る。
【０００５】一方、熱可塑性インクを用いてマスキング
を行なう方法もある。この場合には、溶剤で簡単に剥離
できる利点はあるが、サンドブラスト処理での耐久性が
なく、簡単に削り取られてしまうため、マスキング材と
しては使用できない。
を行なう方法もある。この場合には、溶剤で簡単に剥離
できる利点はあるが、サンドブラスト処理での耐久性が
なく、簡単に削り取られてしまうため、マスキング材と
しては使用できない。
【０００６】そこで、特開平６−１６１０９８号公報に
は、サンドブラスト加工用の感光性フィルムが開示され
ている。このフィルムは、可撓性フィルムの上に、水溶
性樹脂層、ウレタンオリゴマーを主成分としセルロース
誘導体を含む感光性樹脂組成物層、および剥離フィルム
を順に積層したものである。しかし、この場合には、フ
ィルムの母材への貼り付け、マスクパターンの貼り付
け、露光、マクスパターンの除去、現像、ブラスト加
工、フィルム剥離といった複雑で多くの加工を必要とす
るため、小型部品に対しては対応できない。また、耐サ
ンドブラスト性と剥離性は相反する性質であるため、そ
れらを両立させることが難しいという問題があった。
は、サンドブラスト加工用の感光性フィルムが開示され
ている。このフィルムは、可撓性フィルムの上に、水溶
性樹脂層、ウレタンオリゴマーを主成分としセルロース
誘導体を含む感光性樹脂組成物層、および剥離フィルム
を順に積層したものである。しかし、この場合には、フ
ィルムの母材への貼り付け、マスクパターンの貼り付
け、露光、マクスパターンの除去、現像、ブラスト加
工、フィルム剥離といった複雑で多くの加工を必要とす
るため、小型部品に対しては対応できない。また、耐サ
ンドブラスト性と剥離性は相反する性質であるため、そ
れらを両立させることが難しいという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、比較的少ない工
程で微細な凹溝を加工でき、耐ブラスト性と剥離性に優
れた凹溝加工方法を提供することにある。
程で微細な凹溝を加工でき、耐ブラスト性と剥離性に優
れた凹溝加工方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、母材表面に凹溝を加工す
る方法であって、上記母材の表面に有機溶剤による溶解
性を有する鎖状高分子材料からなる第１層を形成する工
程と、第１層の上に耐ブラスト性を有する空間網状高分
子材料からなる第２層を、凹溝加工部を除く部位にパタ
ーン形成する工程と、第２層の上からブラスト加工を行
ない、第１層の凹溝加工部と母材の凹溝加工部を切削す
る工程と、第１層を有機溶剤で溶解させることで第１層
と第２層を母材から剥離，除去する工程と、を備えたも
のである。
め、請求項１に記載の発明は、母材表面に凹溝を加工す
る方法であって、上記母材の表面に有機溶剤による溶解
性を有する鎖状高分子材料からなる第１層を形成する工
程と、第１層の上に耐ブラスト性を有する空間網状高分
子材料からなる第２層を、凹溝加工部を除く部位にパタ
ーン形成する工程と、第２層の上からブラスト加工を行
ない、第１層の凹溝加工部と母材の凹溝加工部を切削す
る工程と、第１層を有機溶剤で溶解させることで第１層
と第２層を母材から剥離，除去する工程と、を備えたも
のである。
【０００９】まず、母材の表面全面に有機溶剤による溶
解性を有する鎖状高分子材料からなる第１層を形成す
る。鎖状高分子材料としては、剥離作業の簡易化（有機
溶剤による溶解性）と耐ブラスト性を有しないことが重
要であり、例えばエッチングレジストインクなどの熱可
塑性インクなどがある。次に、第１層の上に耐ブラスト
性を有する空間網状高分子材料からなる第２層を、凹溝
加工部を除く部位にパターン形成する。パターン形成方
法としては、印刷法やフォトエッチング法などがあり、
いずれも微細加工に適している。第２層としては、有機
溶剤に対して溶解せず、耐ブラスト性に優れた材料、例
えばシリコーン系またはウレタン系の熱硬化性樹脂、Ｕ
Ｖ樹脂のような感光性樹脂などが用いられる。次に、第
２層の上からブラスト加工を行なうと、凹溝加工部を除
く部位が第２層で保護されているので、第１層の凹溝加
工部と母材の凹溝加工部とが切削される。ブラスト加工
法としては、サンドブラストのほかにウォーターブラス
トを用いてもよい。ブラスト処理が終了した母材（第１
層および第２層を含む）を有機溶剤でエッチングする
と、第１層が溶解するので、第２層が容易に剥れる。こ
れにより、凹溝が形成された母材を得ることができる。
なお、有機溶剤としては、例えばシンナー，アセトンな
どを用いることができる。
解性を有する鎖状高分子材料からなる第１層を形成す
る。鎖状高分子材料としては、剥離作業の簡易化（有機
溶剤による溶解性）と耐ブラスト性を有しないことが重
要であり、例えばエッチングレジストインクなどの熱可
塑性インクなどがある。次に、第１層の上に耐ブラスト
性を有する空間網状高分子材料からなる第２層を、凹溝
加工部を除く部位にパターン形成する。パターン形成方
法としては、印刷法やフォトエッチング法などがあり、
いずれも微細加工に適している。第２層としては、有機
溶剤に対して溶解せず、耐ブラスト性に優れた材料、例
えばシリコーン系またはウレタン系の熱硬化性樹脂、Ｕ
Ｖ樹脂のような感光性樹脂などが用いられる。次に、第
２層の上からブラスト加工を行なうと、凹溝加工部を除
く部位が第２層で保護されているので、第１層の凹溝加
工部と母材の凹溝加工部とが切削される。ブラスト加工
法としては、サンドブラストのほかにウォーターブラス
トを用いてもよい。ブラスト処理が終了した母材（第１
層および第２層を含む）を有機溶剤でエッチングする
と、第１層が溶解するので、第２層が容易に剥れる。こ
れにより、凹溝が形成された母材を得ることができる。
なお、有機溶剤としては、例えばシンナー，アセトンな
どを用いることができる。
【００１０】母材としては、セラミックス基板、ガラス
基板、プリント基板、ウエハー、石材のようにブラスト
処理可能な材料であれば、いかなる材料でもよい。
基板、プリント基板、ウエハー、石材のようにブラスト
処理可能な材料であれば、いかなる材料でもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明にかかる凹溝加工法
の工程図の一例を示す。まず、（ａ）のように母材の一
例であるセラミックス基板１を準備する。この基板１の
表面は平坦に形成されている。次に、（ｂ）のようにセ
ラミックス基板１の表面全面に、ＥＲインクなどの有機
溶剤による溶解性を有する鎖状高分子材料からなる第１
層２を形成する。この第１層２は、後のブラスト処理で
容易に切削でき、かつブラスト処理で必要部が剥離しな
いように薄膜状（例えば５〜１０μｍ程度）に形成する
のが望ましい。次に、（ｃ）のように第１層２の上に、
シリコーン膜などの耐ブラスト性を有する空間網状高分
子材料からなる第２層３を、凹溝加工部を除く部位にパ
ターン形成する。パターン形成の具体的方法としては、
スクリーン印刷、転写などの印刷法の他、感光性樹脂を
用いてフォトエッチング法により形成してもよい。第２
層３の膜厚は、サンドブラスト処理によって目的とする
深さまで切削する前に磨滅しないように、第１層２より
厚膜状（例えば３０μｍ程度）に形成するのがよい。次
に、（ｄ1 〜ｄ3 ）のように第２層３の上からブラスト
装置５によってアルミナなどの粉体を吹きつけてブラス
ト処理を行なう。これによって、耐ブラスト性のない第
１層２の凹溝加工部とセラミックス基板１の凹溝加工部
が切削される。次に、（ｅ）のように第１層２を有機溶
剤で溶解させることで、第２層３をセラミックス基板１
から剥離，除去する。ブラスト処理後には切削屑などの
除去のために洗浄工程が行なわれるが、この洗浄工程を
有機溶剤で行なうことで第２層３を剥離できるので、剥
離工程を別に設ける必要がない。以上のようにして、
（ｆ）のような凹溝４を有するセラミックス基板１を得
ることができる。
の工程図の一例を示す。まず、（ａ）のように母材の一
例であるセラミックス基板１を準備する。この基板１の
表面は平坦に形成されている。次に、（ｂ）のようにセ
ラミックス基板１の表面全面に、ＥＲインクなどの有機
溶剤による溶解性を有する鎖状高分子材料からなる第１
層２を形成する。この第１層２は、後のブラスト処理で
容易に切削でき、かつブラスト処理で必要部が剥離しな
いように薄膜状（例えば５〜１０μｍ程度）に形成する
のが望ましい。次に、（ｃ）のように第１層２の上に、
シリコーン膜などの耐ブラスト性を有する空間網状高分
子材料からなる第２層３を、凹溝加工部を除く部位にパ
ターン形成する。パターン形成の具体的方法としては、
スクリーン印刷、転写などの印刷法の他、感光性樹脂を
用いてフォトエッチング法により形成してもよい。第２
層３の膜厚は、サンドブラスト処理によって目的とする
深さまで切削する前に磨滅しないように、第１層２より
厚膜状（例えば３０μｍ程度）に形成するのがよい。次
に、（ｄ1 〜ｄ3 ）のように第２層３の上からブラスト
装置５によってアルミナなどの粉体を吹きつけてブラス
ト処理を行なう。これによって、耐ブラスト性のない第
１層２の凹溝加工部とセラミックス基板１の凹溝加工部
が切削される。次に、（ｅ）のように第１層２を有機溶
剤で溶解させることで、第２層３をセラミックス基板１
から剥離，除去する。ブラスト処理後には切削屑などの
除去のために洗浄工程が行なわれるが、この洗浄工程を
有機溶剤で行なうことで第２層３を剥離できるので、剥
離工程を別に設ける必要がない。以上のようにして、
（ｆ）のような凹溝４を有するセラミックス基板１を得
ることができる。
【００１２】上記凹溝４の加工精度は、第２層３のパタ
ーン精度に基づく。特に、近年スクリーン印刷法の精度
が±０．０５〜０．１ｍｍ程度のレベルまで向上してお
り、グリーンシートの段階でプレス加工し、その後焼成
する従来のセラミックス基板に比べて格段に凹溝４の精
度が向上する。印刷法の場合、その作業工程が少ないの
で、従来の感光性フィルムを用いたサンドブラスト加工
に比べて、工程数が少なく、装置も簡単となる。
ーン精度に基づく。特に、近年スクリーン印刷法の精度
が±０．０５〜０．１ｍｍ程度のレベルまで向上してお
り、グリーンシートの段階でプレス加工し、その後焼成
する従来のセラミックス基板に比べて格段に凹溝４の精
度が向上する。印刷法の場合、その作業工程が少ないの
で、従来の感光性フィルムを用いたサンドブラスト加工
に比べて、工程数が少なく、装置も簡単となる。
【００１３】また、複数枚のセラミックス基板（母基
板）を治具などに整列させて配置し、これら基板を同時
に印刷処理、ブラスト処理、剥離処理するようにすれ
ば、小型部品であっても多量生産に対応できる。
板）を治具などに整列させて配置し、これら基板を同時
に印刷処理、ブラスト処理、剥離処理するようにすれ
ば、小型部品であっても多量生産に対応できる。
【００１４】なお、第２層３としては感光性樹脂を用い
ることも可能である。この場合には、第１層２の上に全
面に第２層３を形成し、マスクを載せて露光した後、エ
ッチング処理することにより、パターン形成すればよ
い。この場合には、印刷法に比べて工程数は増えるが、
パターン精度を一層高めることが可能である。本発明の
母材は平板形状に限るものではなく、円筒形状や凹曲面
など平滑な表面を有するものであれば、適用可能であ
る。また、凹溝としては、島状の溝に限らず、連続また
は不連続の線状溝であってもよく、形状は問わない。
ることも可能である。この場合には、第１層２の上に全
面に第２層３を形成し、マスクを載せて露光した後、エ
ッチング処理することにより、パターン形成すればよ
い。この場合には、印刷法に比べて工程数は増えるが、
パターン精度を一層高めることが可能である。本発明の
母材は平板形状に限るものではなく、円筒形状や凹曲面
など平滑な表面を有するものであれば、適用可能であ
る。また、凹溝としては、島状の溝に限らず、連続また
は不連続の線状溝であってもよく、形状は問わない。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、母材の表面に有機溶剤による溶解性を有する第
１層を形成し、第１層の上に耐ブラスト性を有する第２
層を凹溝加工部を除く部位にパターン形成し、第２層の
上からブラスト加工を行なって第１層の凹溝加工部と母
材の凹溝加工部を切削し、その後、第１層を有機溶剤で
溶解させることで第１層と第２層を母材から剥離，除去
するようにしたので、従来の感光性シートを用いる場合
に比べて少ない工程で安価に、かつ微細な凹溝を加工で
きる。また、耐ブラスト性を第２層が確保し、剥離性を
第１層が確保し、それぞれの層が役割を分担するので、
耐ブラスト性と剥離性を両立させることができ、作業性
に優れた凹溝加工方法を得ることができる。
よれば、母材の表面に有機溶剤による溶解性を有する第
１層を形成し、第１層の上に耐ブラスト性を有する第２
層を凹溝加工部を除く部位にパターン形成し、第２層の
上からブラスト加工を行なって第１層の凹溝加工部と母
材の凹溝加工部を切削し、その後、第１層を有機溶剤で
溶解させることで第１層と第２層を母材から剥離，除去
するようにしたので、従来の感光性シートを用いる場合
に比べて少ない工程で安価に、かつ微細な凹溝を加工で
きる。また、耐ブラスト性を第２層が確保し、剥離性を
第１層が確保し、それぞれの層が役割を分担するので、
耐ブラスト性と剥離性を両立させることができ、作業性
に優れた凹溝加工方法を得ることができる。
【図１】本発明にかかる凹溝加工方法の一例を示す工程
図である。
図である。
１ 母材（セラミックス基板） ２ 第１層 ３ 第２層 ４ 凹溝
Claims (4)
- 【請求項１】母材表面に凹溝を加工する方法であって、 上記母材の表面に有機溶剤による溶解性を有する鎖状高
分子材料からなる第１層を形成する工程と、 第１層の上に耐ブラスト性を有する空間網状高分子材料
からなる第２層を、凹溝加工部を除く部位にパターン形
成する工程と、 第２層の上からブラスト加工を行ない、第１層の凹溝加
工部と母材の凹溝加工部を切削する工程と、 第１層を有機溶剤で溶解させることで第１層と第２層を
母材から剥離，除去する工程と、を備えた凹溝加工方
法。 - 【請求項２】上記母材は、セラミックス基板、ガラス基
板、プリント基板、ウエハー、石材の何れかであること
を特徴とする請求項１に記載の凹溝加工方法。 - 【請求項３】上記第１層は、熱可塑性樹脂で構成されて
いることを特徴とする請求項１または２に記載の凹溝加
工方法。 - 【請求項４】上記第２層は、シリコーン系またはウレタ
ン系の熱硬化性樹脂で構成されていることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の凹溝加工方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133798A JPH11226874A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 凹溝加工方法 |
| US09/212,884 US6276992B1 (en) | 1998-02-16 | 1998-12-16 | Method of forming a groove in a surface of a mother substrate |
| CNB99102351XA CN1134888C (zh) | 1998-02-16 | 1999-02-09 | 在母材基板表面形成沟槽的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133798A JPH11226874A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 凹溝加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11226874A true JPH11226874A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12884119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5133798A Pending JPH11226874A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 凹溝加工方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6276992B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11226874A (ja) |
| CN (1) | CN1134888C (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002028867A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-29 | Sendai Nikon:Kk | ブラスト加工方法 |
| KR20030085819A (ko) * | 2002-05-02 | 2003-11-07 | 주식회사 에스세라 | 표면실장형 압전공진기의 패키지기판 제조방법 |
| WO2007091476A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Asahi Kasei Emd Corporation | サンドブラスト用レジスト材料 |
| JP2012102731A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | General Electric Co <Ge> | 一時的被覆を使用して構成部品を作製する方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730365B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-06-19 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 플레이트에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법, 브리틀-형 물질, 및 ｐｄｐ, 및 마이크로-전기 기계 시스템, 및 플라즈마-주소지정 액정 디스플레이 |
| US20050144821A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-07-07 | Griesemer Daniel A. | Printing surface preparation methods and apparatus incorporating same |
| US7534639B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-19 | Nxp B.V. | Semiconductor device with a resonator |
| US20060226202A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-12 | Ho-Ching Yang | PCB solder masking process |
| JP4517992B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
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| CN102335880B (zh) * | 2010-07-15 | 2014-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 玻璃加工设备 |
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