JPH11228788A - Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation - Google Patents
Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulationInfo
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- JPH11228788A JPH11228788A JP10032646A JP3264698A JPH11228788A JP H11228788 A JPH11228788 A JP H11228788A JP 10032646 A JP10032646 A JP 10032646A JP 3264698 A JP3264698 A JP 3264698A JP H11228788 A JPH11228788 A JP H11228788A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着
性を向上させることにより、半田耐熱性に優れた半導体
装置を提供する。
【解決手段】 150℃での溶融粘度が5ポイズ以下のフ
ェノール樹脂と、特定の接着性付与剤を含む特殊なエポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止して構成
することにより、リードフレームと封止用樹脂硬化物と
の接着性が向上し、半田実装におけるような過酷な条件
下においてもパッケージクラックの発生を防ぐことがで
きる。(57) [Problem] To provide a semiconductor device excellent in solder heat resistance by improving the adhesiveness between a lead frame and a cured resin for sealing. SOLUTION: The lead is formed by resin-sealing a semiconductor element using a phenol resin having a melt viscosity at 150 ° C. of 5 poise or less and a special epoxy resin composition containing a specific adhesion-imparting agent. The adhesiveness between the frame and the cured resin for sealing is improved, and the generation of package cracks can be prevented even under severe conditions such as solder mounting.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、エポキシ樹脂組成物
で封止された樹脂封止型半導体装置に係わり、特に半田
耐熱性に優れた半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device sealed with an epoxy resin composition, and more particularly to a semiconductor device excellent in solder heat resistance.
【0002】[0002]
【従来の技術】トランジスタ、IC、LSI等の半導体
素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いてトランスフ
ァー成形により封止される。この種のパッケージの代表
例としては、従来からデュアルインラインパッケージ
(DIP)がある。このDIPは、ピン挿入型のもので
あり、実装基板に対してピンを挿入することにより基板
に取り付けるようになっている。2. Description of the Related Art Semiconductor devices such as transistors, ICs and LSIs are usually sealed by transfer molding using an epoxy resin composition. A typical example of this type of package is a dual in-line package (DIP). This DIP is of a pin insertion type, and is attached to a mounting board by inserting pins into the board.
【0003】しかし、近年の電子機器の小型化、軽量
化、高性能化にともない実装の高密度化が進み、半導体
パッケージの表面実装化が促進されてきている。However, as electronic devices have become smaller, lighter, and more sophisticated in recent years, the mounting density has been increased, and the surface mounting of semiconductor packages has been promoted.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パッケージを用いた半導体装置において、
特に表面実装前にパッケージ自体が吸湿している場合に
は、半田実装時に気化した吸湿水分の蒸気圧によって、
パッケージにクラックが生じるという問題がある。However, in a semiconductor device using the above surface mount type package,
Especially when the package itself has absorbed moisture before surface mounting, the vapor pressure of the absorbed moisture vaporized during solder mounting
There is a problem that cracks occur in the package.
【0005】このような問題の対策として、樹脂骨格の
低吸湿化や充填剤の高充填化によりパッケージの吸湿水
分を減少させる方法や、シラン化合物を添加することに
よりリードフレームと封止用樹脂硬化物との界面の接着
性を向上させる方法が提案されているが、いまだ満足出
来る結果が得られていない。また、近年パラジウムによ
る先付けめっきリードフレームが、半導体装置の製造工
程の時間短縮及び合理化と鉛半田を使用しないことによ
る地球環境保護の観点から適用されるようになってきた
が、このようなリードフレームでは特に封止用樹脂硬化
物との接着性が十分でなく、半田耐熱性を悪くする原因
となっている。As a countermeasure against such a problem, a method of reducing the moisture absorption of the package by lowering the moisture absorption of the resin skeleton and increasing the filling amount of the filler, or a method of curing the lead frame and the sealing resin by adding a silane compound. Although a method for improving the adhesiveness of the interface with an object has been proposed, satisfactory results have not yet been obtained. In recent years, lead-plated lead frames made of palladium have been applied from the viewpoint of global environment protection by shortening and rationalizing the manufacturing process of semiconductor devices and not using lead solder. In particular, the adhesiveness with the cured resin for sealing is not sufficient, which is a cause of deteriorating solder heat resistance.
【0006】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着
性が良好で半田耐熱性に優れた半導体装置の提供をその
目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having good adhesiveness between a lead frame and a cured resin for encapsulation and having excellent solder heat resistance.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この半導体装置は、下記の (A)〜(D)成分を含有し
ているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止す
るという構成をとる。 (A) エポキシ樹脂。 (B) 150℃での溶融粘度が5ポイズ以下のフェノール樹
脂。 (C) 無機充填剤。 (D) 有機チタン化合物、ロジン系樹脂、またはインデ
ン系樹脂より選ばれた少なくとも一種の接着性付与剤。In order to achieve the above-mentioned object, this semiconductor device encapsulates a semiconductor element using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (D). Take the configuration. (A) Epoxy resin. (B) A phenol resin having a melt viscosity at 150 ° C. of 5 poise or less. (C) Inorganic filler. And (D) at least one type of adhesion imparting agent selected from organic titanium compounds, rosin-based resins, and indene-based resins.
【0008】すなわち、本発明者らは上記の目的を達成
するため、一連の研究を重ねた。その結果、実装時のパ
ッケージクラックの発生防止には、硬化剤として150℃
での溶融粘度が5ポイズ以下のフェノール樹脂ととも
に、リードフレームとの接着を促進する添加剤として、
有機チタン化合物、ロジン系樹脂またはインデン系樹脂
より選ばれた少なくとも一種の接着性付与剤を用いるこ
とが有効であることを見出しこの発明に到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies to achieve the above object. As a result, to prevent the occurrence of package cracks during mounting, a 150 ° C
As an additive that promotes adhesion to the lead frame, together with a phenol resin having a melt viscosity of 5 poise or less,
The present inventors have found that it is effective to use at least one kind of an adhesion-imparting agent selected from an organic titanium compound, a rosin-based resin, and an indene-based resin, and have reached the present invention.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明に用いる(A)成分であるエ
ポキシ樹脂は、特に限定されるものではなく通常用いら
れるエポキシ樹脂が用いられる。例えばオルソクレゾー
ルノボラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノ
ールA型、ビフェニル型やナフタレン型等の各種エポキ
シ樹脂やブロム化エポキシ樹脂等が挙げられる。これら
は、単独で使用できるほか、2種以上を併用してもよ
い。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The epoxy resin as the component (A) used in the present invention is not particularly limited, and a commonly used epoxy resin is used. Examples thereof include various epoxy resins such as orthocresol novolak type, phenol novolak type, bisphenol A type, biphenyl type and naphthalene type, and brominated epoxy resins. These can be used alone or in combination of two or more.
【0010】また、(B)成分であるフェノール樹脂は、1
50℃での溶融粘度が5ポイズ以下であることを特徴とし
ている。より好ましくは2ポイズ以下である。溶融粘度
が150℃で5ポイズを超えると、得られるエポキシ樹脂
組成物の溶融粘度が上昇し成形時の流動性が低下し、未
充填やボンディングワイヤーの変形が発生するとともに
リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着性も低下す
ることになる。本発明でのフェノール樹脂の150℃での
溶融粘度は、ICI粘度計を用いて測定される。このよ
うなフェノール樹脂としては、フェール性水酸基を有す
る樹脂を指し、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂等のノボラック型樹脂、キシリレン変性
フェノール樹脂等のフェノールアラルキル樹脂、テルペ
ン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂等が例示されるが、これらに限定されるもの
ではない。これらのフェノール樹脂も単独もしくは併用
して用いることが出来る。[0010] The phenolic resin as the component (B) comprises 1
The melt viscosity at 50 ° C. is not more than 5 poise. More preferably, it is 2 poise or less. When the melt viscosity exceeds 5 poise at 150 ° C, the melt viscosity of the obtained epoxy resin composition increases, the fluidity during molding decreases, unfilling and deformation of the bonding wire occur, and it is used for sealing the lead frame. The adhesiveness with the cured resin also decreases. The melt viscosity at 150 ° C. of the phenolic resin in the present invention is measured using an ICI viscometer. Such a phenolic resin refers to a resin having a failing hydroxyl group, such as a phenol novolak resin, a novolak resin such as a cresol novolak resin, a phenol aralkyl resin such as a xylylene-modified phenol resin, a terpene-modified phenol resin, and a dicyclopentadiene-modified phenol. Examples thereof include resins, but are not limited thereto. These phenol resins can be used alone or in combination.
【0011】そして、(A)成分であるエポキシ樹脂のエ
ポキシ基(a)と(B)成分であるフェノール樹脂のフェノー
ル性水酸基(b)との当量比[(a)/(b)]が0.5〜2.0の範
囲にあるのが好ましい。The equivalent ratio [(a) / (b)] between the epoxy group (a) of the epoxy resin (A) and the phenolic hydroxyl group (b) of the phenol resin (B) is 0.5. It is preferably in the range of ~ 2.0.
【0012】また、(C)成分である無機充填剤として
は、溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ等の無機粉末
が用いられる。これらの無機充填剤は、破砕状、球状の
どちらでも使用可能である。また、これらは単独もしく
は2種以上混合して用いられる。また、これらの無機充
填剤の配合量は成形性と半田耐熱性とのバランスから、
エポキシ樹脂組成物中に70〜95重量%含有することが好
ましい。配合量が70重量%未満では、半田耐熱性が不十
分になり易く、95重量%を超えるとエポキシ樹脂組成物
の溶融粘度が大きくなり、成形時の流動性が低下し、未
充填やボンディングワイヤーの変形が生じる傾向が見ら
れるようになる。Further, as the inorganic filler as the component (C), inorganic powders such as fused silica, crystalline silica, and alumina are used. These inorganic fillers can be used in either crushed or spherical form. These may be used alone or in combination of two or more. The amount of these inorganic fillers is determined from the balance between moldability and solder heat resistance.
It is preferable to contain 70 to 95% by weight in the epoxy resin composition. If the compounding amount is less than 70% by weight, the solder heat resistance tends to be insufficient, and if it exceeds 95% by weight, the melt viscosity of the epoxy resin composition increases, the fluidity at the time of molding decreases, and unfilled or bonding wires Tend to occur.
【0013】また、(D)成分である有機チタン化合
物、ロジン系樹脂またはインデン系樹脂より選ばれた少
なくとも一種の接着性付与剤は、リードフレームとの接
着性を上げる効果があり、通常エポキシ樹脂組成物全体
に対して0.1〜5.0重量%の範囲で用いられる。本発明に
用いられる有機チタン化合物としては、チタンのアルコ
キサイドやキレート化合物が好ましく用いられる。具体
的には、テトライソプロピルチタネート、テトラ-n-ブ
チルチタネート、テトラキス(2-エチルヘキシル)チタ
ネート、テトラステアリルチタネート、ジイソプロポキ
シ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、ジ-n-プロポ
キシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン、イソプ
ロピルトリスステアリルチタネート、チタンアセチルア
セトナト、チタンエチルアセトアセテート等が挙げられ
る。ロジン系樹脂としては、ロジン変性フェノール樹脂
やロジンエステル等が挙げられる。インデン系樹脂とし
ては、インデン、アルキルインデン等のインデン類とス
チレン類とを共重合して得られるオリゴマー、上記イン
デン類とスチレン類とクマロンとの共重合して得られる
オリゴマー等が挙げられる。この(D)成分の接着性付与
剤も単独であっても、また併用しても差し支えない。[0013] At least one kind of adhesion imparting agent selected from the group consisting of an organotitanium compound, a rosin-based resin and an indene-based resin, which is the component (D), has the effect of increasing the adhesion to the lead frame. It is used in the range of 0.1 to 5.0% by weight based on the whole composition. As the organic titanium compound used in the present invention, an alkoxide or a chelate compound of titanium is preferably used. Specifically, tetraisopropyl titanate, tetra-n-butyl titanate, tetrakis (2-ethylhexyl) titanate, tetrastearyl titanate, diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-propoxy bis (triethanol) Aminato) titanium, isopropyl trisstearyl titanate, titanium acetylacetonate, titanium ethyl acetoacetate and the like. Examples of the rosin-based resin include a rosin-modified phenol resin and a rosin ester. Examples of the indene-based resin include an oligomer obtained by copolymerizing an indene such as indene or alkylindene and styrene, and an oligomer obtained by copolymerizing the above-mentioned indene, styrene and cumarone. The component (D) may also be used alone or in combination.
【0014】さらに、この発明に用いられるエポキシ樹
脂組成物には、上記(A)〜(D)成分以外にも、必要に応じ
て従来から用いられているその他の添加剤が含有され
る。Further, the epoxy resin composition used in the present invention contains, if necessary, other additives conventionally used in addition to the components (A) to (D).
【0015】上記その他の添加剤としては、例えば硬化
促進剤、離型剤、難燃助剤、着色剤、シランカップリン
グ剤等が挙げられる。Examples of the other additives include a curing accelerator, a release agent, a flame retardant aid, a colorant, and a silane coupling agent.
【0016】上記硬化促進剤としては、アミン類、イミ
ダゾール類、ホスフィン化合物や四級ホスホニウム化合
物等の有機りん化合物等が挙げられ、単独もしくは併せ
て使用することができる。Examples of the curing accelerator include amines, imidazoles, and organic phosphorus compounds such as phosphine compounds and quaternary phosphonium compounds, and they can be used alone or in combination.
【0017】上記離型剤としては、従来公知のステアリ
ン酸、パルミチン酸等の長鎖のカルボン酸、ステアリン
酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の
金属塩、カルナバワックス、モンタンワックス等のワッ
クス類を用いることができる。Examples of the releasing agent include conventionally known long-chain carboxylic acids such as stearic acid and palmitic acid, metal salts of long-chain carboxylic acids such as zinc stearate and calcium stearate, and waxes such as carnauba wax and montan wax. Can be used.
【0018】また、難燃助剤としては、三酸化アンチモ
ン、五酸化アンチモン等があげられる。Further, examples of the flame retardant auxiliary include antimony trioxide, antimony pentoxide and the like.
【0019】さらに、着色剤としては、カーボンブラッ
ク等があげられる。Further, examples of the coloring agent include carbon black.
【0020】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、まず上記(A)〜(D)成分ならびに上記その他の添
加剤を適宜配合し、この混合物をミキシングロール等の
混練機に掛け加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却
したのち公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程により製造することができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows. That is, first, the components (A) to (D) and the above-mentioned other additives are appropriately compounded, the mixture is melted and mixed in a heating state with a kneading machine such as a mixing roll, and the mixture is cooled to room temperature and then cooled. It can be manufactured by a series of steps of pulverizing by means and tableting as necessary.
【0021】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。The sealing of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
【0022】なお、本発明の説明では、表面実装につい
て説明してきたが、本発明の効果はピン挿入型等の実装
方式にも適用できるものである。In the description of the present invention, surface mounting has been described, but the effects of the present invention can be applied to a mounting method such as a pin insertion type.
【0023】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。まず、実施例に先立って下記に示す化合物を準
備した。 <エポキシ樹脂> (a):o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量:195,軟化点:80℃) (b):ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂(エポキシ
当量:275,軟化点:84℃) <フェノール樹脂> (c):フェノールノボラック樹脂(水酸基当量:10
6,軟化点:83℃,150℃溶融粘度:2ポイズ) (d):式(1)で表されるフェノールアラルキル樹脂
(水酸基当量:170,軟化点83 ℃,150℃溶融粘度:1.8
ポイズ) (e):フェノールノボラック樹脂(水酸基当量:10
6,軟化点:91℃,150℃溶融粘度:11ポイズ) <無機充填剤> (f):溶融破砕シリカ(平均粒径:20μm) <接着性付与剤> (g):イソプロピルトリステアリルチタネート (h):ロジンエステル(重量平均分子量:5800,水酸
基当量:170) (i):インデン系樹脂(インデンとスチレンとをカチ
オン重合して得られるオリゴマー,インデン/スチレン
重合比=2/1〜1/2)Next, examples will be described together with comparative examples. First, the following compounds were prepared prior to the examples. <Epoxy resin> (a): o-cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 195, softening point: 80 ° C) (b): novolak type brominated epoxy resin (epoxy equivalent: 275, softening point: 84 ° C) < Phenol resin> (c): Phenol novolak resin (hydroxyl equivalent: 10
6, softening point: 83 ° C, 150 ° C melt viscosity: 2 poise) (d): Phenol aralkyl resin represented by the formula (1) (hydroxy equivalent: 170, softening point 83 ° C, 150 ° C melt viscosity: 1.8)
Poise) (e): phenol novolak resin (hydroxyl equivalent: 10)
6, softening point: 91 ° C, 150 ° C, melt viscosity: 11 poise) <Inorganic filler> (f): Fused crushed silica (average particle size: 20 µm) <Adhesiveness imparting agent> (g): isopropyl tristearyl titanate ( h): Rosin ester (weight average molecular weight: 5800, hydroxyl equivalent: 170) (i): Indene resin (oligomer obtained by cationic polymerization of indene and styrene, indene / styrene polymerization ratio = 2/1 to 1/1) 2)
【0024】[0024]
【実施例1〜5、比較例1〜3】つぎに、表1に示す成
分を所定の割合で配合し、ミキシングロール機で混練し
て冷却した後、粉砕することにより目的とする粉末状の
エポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物を
用いて半導体素子トランスファー成形(175℃×90sec成
形、180℃×5時間後硬化)でモールドすることにより半
導体装置を得た。この半導体装置は、QFP-160のパッケ
ージを用い、リードフレームとして、その表面にNi:50
0μm、Pd:50μmそして最外層にAu:8 nmのめっきを施
したものを用いた。このよにして得られた半導体装置に
ついて、85℃/85%RHで168時間吸湿させた後260℃の半
田中へ浸漬してパッケージクラックが発生するまでの時
間を測定した。Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 Next, the components shown in Table 1 were blended at a predetermined ratio, kneaded and cooled by a mixing roll machine, and then pulverized by pulverization. An epoxy resin composition was obtained. Using this epoxy resin composition, a semiconductor device was obtained by molding by semiconductor element transfer molding (molding at 175 ° C. × 90 sec, curing at 180 ° C. × 5 hours). This semiconductor device uses a package of QFP-160, and has a Ni: 50
Plating of 0 μm, Pd: 50 μm and Au: 8 nm on the outermost layer were used. The semiconductor device obtained in this manner was subjected to moisture absorption at 85 ° C./85% RH for 168 hours, then immersed in solder at 260 ° C., and the time until a package crack occurred was measured.
【0025】また、接着力は上記リードフレームと同じ
材質の金属板に、図1及び図2に示すように上記エポキ
シ樹脂組成物を成形し、図3に示す方法でそのせん断接
着力を求めた。The adhesive strength was determined by molding the epoxy resin composition on a metal plate of the same material as the lead frame as shown in FIGS. 1 and 2, and determining the shear adhesive strength by the method shown in FIG. .
【0026】また、スパーラルフローはEMMI規格に準じ
た金型を使用して、175℃,70kg/cm2の条件で評価し
た。これらの測定、評価の結果を表1に示す。The sparral flow was evaluated under the conditions of 175 ° C. and 70 kg / cm 2 using a mold conforming to the EMMI standard. Table 1 shows the results of these measurements and evaluations.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特定のフェノール樹脂((B)成分)と、特定の接着
性付与剤((D)成分)を含む特殊なエポキシ樹脂組成物
を用いて半導体素子を樹脂封止して構成することによ
り、リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着性が良
好となり、半田実装におけるような過酷な条件下におい
てもパッケージクラックが生ずることがなく、優れた半
田耐熱性を備えていることが判る。As described above, the semiconductor device of the present invention comprises a special epoxy resin composition containing a specific phenol resin (component (B)) and a specific adhesion-imparting agent (component (D)). By using a semiconductor element with resin sealing, the adhesion between the lead frame and the cured resin for sealing is improved, and the package crack does not occur even under severe conditions such as solder mounting. It can be seen that they have excellent solder heat resistance.
【0028】特に、近年適用されるようになってきたパ
ラジウムによる先付けリードフレームに対しても、良好
な接着性を示し半田耐熱性に優れている。In particular, it shows good adhesiveness to a lead frame made of palladium which has recently been applied and has excellent solder heat resistance.
【0029】[0029]
【化1】 Embedded image
【0030】[0030]
【表1】 [Table 1]
【0031】[0031]
【図1】エポキシ樹脂組成物からなる樹脂硬化体の接着
性を評価する際に用いられる評価用サンプルの製造方法
を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for producing an evaluation sample used for evaluating the adhesiveness of a cured resin body made of an epoxy resin composition.
【図2】上記製造方法により得られた評価用サンプルを
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an evaluation sample obtained by the above manufacturing method.
【図3】樹脂硬化体とフレームとのせん断力の測定方法
を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method for measuring a shearing force between a cured resin body and a frame.
【0032】[0032]
10:上型 11:中型 12:下型 13:測定用フレーム 15:円錐台形状の樹脂硬化体 16:固定治具 10: Upper mold 11: Middle mold 12: Lower mold 13: Measurement frame 15: Frustoconical resin cured body 16: Fixing jig
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/29 H01L 23/50 D 23/31 H01L 23/30 R 23/50 //(C08L 63/00 61:06 93:04) (C08L 63/00 61:06 45:02) ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 23/29 H01L 23/50 D 23/31 H01L 23/30 R 23/50 // (C08L 63/00 61:06 93: 04) (C08L 63/00 61:06 45:02)
Claims (4)
度が5ポイズ以下のフェノール樹脂、(C)無機充填剤、
及び(D)有機チタン化合物、ロジン系樹脂またはインデ
ン系樹脂より選ばれた少なくとも一種の接着性付与剤を
含有するエポキシ樹脂組成物で、リードフレーム上に載
置された半導体素子を封止した半導体装置。1. An epoxy resin, (B) a phenol resin having a melt viscosity at 150 ° C. of 5 poise or less, (C) an inorganic filler,
And (D) an epoxy resin composition containing at least one type of adhesion imparting agent selected from an organic titanium compound, a rosin-based resin or an indene-based resin, and a semiconductor in which a semiconductor element mounted on a lead frame is sealed. apparatus.
有するものである請求項1記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the lead frame has Au plating on the outermost layer.
層であるリードフレームを用いる請求項2記載の半導体
装置。3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the lower layer adjacent to the Au plating uses a lead frame having a Pd plating layer.
度が5ポイズ以下のフェノール樹脂、(C)無機充填剤、
及び(D)有機チタン化合物、ロジン系樹脂またはインデ
ン系樹脂より選ばれた少なくとも一種の接着性付与剤を
含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。4. An epoxy resin, (B) a phenol resin having a melt viscosity at 150 ° C. of 5 poise or less, (C) an inorganic filler,
And (D) an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing at least one kind of adhesion imparting agent selected from an organic titanium compound, a rosin-based resin and an indene-based resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032646A JPH11228788A (en) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032646A JPH11228788A (en) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228788A true JPH11228788A (en) | 1999-08-24 |
Family
ID=12364628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10032646A Pending JPH11228788A (en) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11228788A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1582546A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP10032646A patent/JPH11228788A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1582546A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same |
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