JPH11229135A - スパッタ装置および成膜方法 - Google Patents
スパッタ装置および成膜方法Info
- Publication number
- JPH11229135A JPH11229135A JP5276598A JP5276598A JPH11229135A JP H11229135 A JPH11229135 A JP H11229135A JP 5276598 A JP5276598 A JP 5276598A JP 5276598 A JP5276598 A JP 5276598A JP H11229135 A JPH11229135 A JP H11229135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- film
- target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ法によって成膜される薄膜の膜厚分
布を均一にする。 【解決手段】 複数のターゲット２ａ，２ｂを交互にス
パッタして多層膜を成膜する工程において、基板ホルダ
３を保持するアーム５ａを矢印Ａで示すように旋回させ
ることで、各ターゲット２ａ，２ｂに対する偏心量を調
節し、アーム５ａを支持する駆動軸５ｂを軸方向に移動
させることで基板ホルダ３の高さを調節する。各ターゲ
ット２ａ，２ｂごとに、成膜材料やスパッタ圧力等に応
じて、各薄膜の膜厚分布が均一になるように基板ホルダ
３の相対位置を最適化することができる。
布を均一にする。 【解決手段】 複数のターゲット２ａ，２ｂを交互にス
パッタして多層膜を成膜する工程において、基板ホルダ
３を保持するアーム５ａを矢印Ａで示すように旋回させ
ることで、各ターゲット２ａ，２ｂに対する偏心量を調
節し、アーム５ａを支持する駆動軸５ｂを軸方向に移動
させることで基板ホルダ３の高さを調節する。各ターゲ
ット２ａ，２ｂごとに、成膜材料やスパッタ圧力等に応
じて、各薄膜の膜厚分布が均一になるように基板ホルダ
３の相対位置を最適化することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光干渉効果を利用
した色分解ダイクロイックミラーや反射防止膜等の多層
膜を成膜するためのスパッタ装置および成膜方法に関す
るものである。
した色分解ダイクロイックミラーや反射防止膜等の多層
膜を成膜するためのスパッタ装置および成膜方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、色分解ダイクロイックミラーや反
射防止膜等の交互多層膜等を大面積で成膜するために
は、ターゲットとなる電極と基板ホルダを平行に配設し
た平行平板型のスパッタ装置が広く用いられている。
射防止膜等の交互多層膜等を大面積で成膜するために
は、ターゲットとなる電極と基板ホルダを平行に配設し
た平行平板型のスパッタ装置が広く用いられている。
【０００３】図５は一従来例によるスパッタ装置を示す
もので、これは、真空排気手段を備えたチャンバ１０１
内に複数のターゲット１０２ａ，１０２ｂと基板ホルダ
１０３を平行に配設して、チャンバ１０１を所定の真空
度に排気したうえでスパッタガスを導入し、基板を保持
する基板ホルダ１０３を回転装置１０４によって回転さ
せながら第１のターゲット１０２ａに高周波電力を投入
する。基板に飛来するスパッタ粒子によって所定の膜厚
の第１の薄膜が成膜されたら、第２のターゲット１０２
ｂに高周波電力を投入し、第２の薄膜を積層する。この
工程を繰り返すことで、交互多層膜を製作する。
もので、これは、真空排気手段を備えたチャンバ１０１
内に複数のターゲット１０２ａ，１０２ｂと基板ホルダ
１０３を平行に配設して、チャンバ１０１を所定の真空
度に排気したうえでスパッタガスを導入し、基板を保持
する基板ホルダ１０３を回転装置１０４によって回転さ
せながら第１のターゲット１０２ａに高周波電力を投入
する。基板に飛来するスパッタ粒子によって所定の膜厚
の第１の薄膜が成膜されたら、第２のターゲット１０２
ｂに高周波電力を投入し、第２の薄膜を積層する。この
工程を繰り返すことで、交互多層膜を製作する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、交互多層膜を構成する複数の薄膜を、
それぞれ所定の膜厚で均一に成膜するには、成膜材料の
種類ごとにスパッタ圧力等の成膜条件を高精度で制御す
る必要がある。従って、成膜工程が複雑で、コスト高で
あり、しかも、スパッタ圧力等の成膜条件を管理するの
みでは充分に均一な膜厚分布を得るのは難しいという未
解決の課題がある。
の技術によれば、交互多層膜を構成する複数の薄膜を、
それぞれ所定の膜厚で均一に成膜するには、成膜材料の
種類ごとにスパッタ圧力等の成膜条件を高精度で制御す
る必要がある。従って、成膜工程が複雑で、コスト高で
あり、しかも、スパッタ圧力等の成膜条件を管理するの
みでは充分に均一な膜厚分布を得るのは難しいという未
解決の課題がある。
【０００５】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、成膜材料やスパッタ
圧力等の成膜条件に応じて基板とターゲットの相対位置
を変化させることで、多層膜の各薄膜ごとに均一な膜厚
分布を得ることのできるスパッタ装置および成膜方法を
提供することを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、成膜材料やスパッタ
圧力等の成膜条件に応じて基板とターゲットの相対位置
を変化させることで、多層膜の各薄膜ごとに均一な膜厚
分布を得ることのできるスパッタ装置および成膜方法を
提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のスパッタ装置は、チャンバ内で基板を保持
する基板ホルダと、該基板ホルダに対向する複数のター
ゲットと、各ターゲットと前記基板ホルダの間の相対位
置を個別に調節するための位置調節手段を有することを
特徴とする。
めに本発明のスパッタ装置は、チャンバ内で基板を保持
する基板ホルダと、該基板ホルダに対向する複数のター
ゲットと、各ターゲットと前記基板ホルダの間の相対位
置を個別に調節するための位置調節手段を有することを
特徴とする。
【０００７】位置調節手段が、基板ホルダを保持する支
持部材とこれを所定の軸のまわりに旋回させる駆動手段
を備えているとよい。
持部材とこれを所定の軸のまわりに旋回させる駆動手段
を備えているとよい。
【０００８】また、位置調節手段が、基板ホルダを保持
する支持部材とこれを所定の軸方向に移動させる駆動手
段を備えているとよい。
する支持部材とこれを所定の軸方向に移動させる駆動手
段を備えているとよい。
【０００９】
【作用】同じチャンバ内で複数のターゲットを交互にス
パッタして基板上に多層膜を成膜する工程において、各
ターゲットの材料やスパッタ圧力等の成膜条件に応じ
て、ターゲットに対する基板ホルダの偏心量や高さ等の
相対位置を調節して、所定の膜厚で膜厚分布が均一にな
るように最適化する。
パッタして基板上に多層膜を成膜する工程において、各
ターゲットの材料やスパッタ圧力等の成膜条件に応じ
て、ターゲットに対する基板ホルダの偏心量や高さ等の
相対位置を調節して、所定の膜厚で膜厚分布が均一にな
るように最適化する。
【００１０】スパッタ圧力等の成膜条件を調節すること
のみによって膜厚の制御を行なう場合に比べて、簡単か
つ高精度に膜厚分布を均一にできる。これによって、色
分解ダイクロイックミラーや反射防止膜等の多層膜の高
品質化と製造コストの低減に大きく貢献できる。
のみによって膜厚の制御を行なう場合に比べて、簡単か
つ高精度に膜厚分布を均一にできる。これによって、色
分解ダイクロイックミラーや反射防止膜等の多層膜の高
品質化と製造コストの低減に大きく貢献できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は一実施の形態によるスパッタ装置を
示すもので、真空排気手段を備えたチャンバ１内に複数
のターゲット２ａ，２ｂと基板ホルダ３を平行に配設し
て、チャンバ１を所定の真空度に排気したうえでスパッ
タガスを導入し、基板を保持する基板ホルダ３を回転軸
４によって回転させながら第１のターゲット２ａに高周
波電力を投入する。基板に飛来するスパッタ粒子によっ
て所定の膜厚の第１の薄膜が成膜されたら、第２のター
ゲット２ｂに高周波電力を投入し、第２の薄膜を積層す
る。この工程を繰り返すことで、交互多層膜を製作す
る。
示すもので、真空排気手段を備えたチャンバ１内に複数
のターゲット２ａ，２ｂと基板ホルダ３を平行に配設し
て、チャンバ１を所定の真空度に排気したうえでスパッ
タガスを導入し、基板を保持する基板ホルダ３を回転軸
４によって回転させながら第１のターゲット２ａに高周
波電力を投入する。基板に飛来するスパッタ粒子によっ
て所定の膜厚の第１の薄膜が成膜されたら、第２のター
ゲット２ｂに高周波電力を投入し、第２の薄膜を積層す
る。この工程を繰り返すことで、交互多層膜を製作す
る。
【００１３】基板ホルダ３は、駆動手段である駆動装置
５から懸下された支持部材であるアーム５ａの自由端に
保持され、回転軸４は、駆動装置５の駆動軸５ｂと一体
であるギヤ５ｃ、ベルト５ｄおよびギヤ５ｅを介して回
転駆動される。アーム５ａは、駆動装置５の駆動軸５ｂ
を中心として矢印Ａで示すように旋回自在であり、図２
に示すように、アーム５ａを旋回させることでその振れ
角を調節し、第１、第２のターゲット２ａ，２ｂに対す
る基板ホルダ３の偏心量Ｓを変化させることができる
（図３参照）。
５から懸下された支持部材であるアーム５ａの自由端に
保持され、回転軸４は、駆動装置５の駆動軸５ｂと一体
であるギヤ５ｃ、ベルト５ｄおよびギヤ５ｅを介して回
転駆動される。アーム５ａは、駆動装置５の駆動軸５ｂ
を中心として矢印Ａで示すように旋回自在であり、図２
に示すように、アーム５ａを旋回させることでその振れ
角を調節し、第１、第２のターゲット２ａ，２ｂに対す
る基板ホルダ３の偏心量Ｓを変化させることができる
（図３参照）。
【００１４】また、駆動装置５の駆動軸５ｂは、その軸
方向に進退自在であり、駆動軸５ｂの突出量を調節する
ことで、基板ホルダ３の高さＨを変化させることができ
る。
方向に進退自在であり、駆動軸５ｂの突出量を調節する
ことで、基板ホルダ３の高さＨを変化させることができ
る。
【００１５】基板ホルダ３に保持された基板に前述の第
１、第２の薄膜をそれぞれ成膜するに際しては、ターゲ
ット２ａ，２ｂの材料（成膜材料）の種類や、スパッタ
圧力等の成膜条件に合わせてアーム５ａの振れ角と駆動
軸５ｂの突出量を調節し、基板の高さＨと偏心量Ｓをそ
れぞれ最適化する。これによって、各薄膜の膜厚分布を
極めて均一にすることができる。その理由は以下の通り
である。
１、第２の薄膜をそれぞれ成膜するに際しては、ターゲ
ット２ａ，２ｂの材料（成膜材料）の種類や、スパッタ
圧力等の成膜条件に合わせてアーム５ａの振れ角と駆動
軸５ｂの突出量を調節し、基板の高さＨと偏心量Ｓをそ
れぞれ最適化する。これによって、各薄膜の膜厚分布を
極めて均一にすることができる。その理由は以下の通り
である。
【００１６】図４に示すように、ターゲットＴ上からの
スパッタ粒子の分布が蒸着の余原則に従うと仮定する。
基板Ｗ上の膜厚分布は、ターゲットＴ上の微少面積から
の余原則ルールで表される微少堆積膜の総和として計算
できる。すなわち、膜厚Ｄは、スパッタ距離Ｌ、ターゲ
ットＴ上の出射角α、基板Ｗ上の入射角βにより
スパッタ粒子の分布が蒸着の余原則に従うと仮定する。
基板Ｗ上の膜厚分布は、ターゲットＴ上の微少面積から
の余原則ルールで表される微少堆積膜の総和として計算
できる。すなわち、膜厚Ｄは、スパッタ距離Ｌ、ターゲ
ットＴ上の出射角α、基板Ｗ上の入射角βにより
【００１７】
【数１】 で表される（ｋは比例定数）。
【００１８】ｃｏｓα，ｃｏｓβ，Ｌは、それぞれ、タ
ーゲットＴから基板Ｗまでの高さＨと偏心量Ｓから算出
できる値である。
ーゲットＴから基板Ｗまでの高さＨと偏心量Ｓから算出
できる値である。
【００１９】従って、基板Ｗ上の各位置における膜厚
は、基板Ｗの高さＨと、偏心量Ｓを適正化することで極
めて効果的に均一化できる。
は、基板Ｗの高さＨと、偏心量Ｓを適正化することで極
めて効果的に均一化できる。
【００２０】基板の高さＨ，偏心量Ｓの２つの最適値
は、ターゲットの材料の種類や、スパッタ圧力等の成膜
条件によって異なるものであるから、これらに合わせて
予め基板の高さＨ，偏心量Ｓの最適値を制御装置に記録
しておき、自動的にセットすることもできる。
は、ターゲットの材料の種類や、スパッタ圧力等の成膜
条件によって異なるものであるから、これらに合わせて
予め基板の高さＨ，偏心量Ｓの最適値を制御装置に記録
しておき、自動的にセットすることもできる。
【００２１】このようなスパッタ装置により、例えば、
均一性にすぐれた色分解ダイクロイックミラーや、反射
防止膜を極めて低コストで成膜できる。
均一性にすぐれた色分解ダイクロイックミラーや、反射
防止膜を極めて低コストで成膜できる。
【００２２】なお、本装置は、上記の干渉薄膜に限ら
ず、大面積で、交互多層膜を積層する用途に広く適用で
きる。
ず、大面積で、交互多層膜を積層する用途に広く適用で
きる。
【００２３】（実施例１）６インチターゲットを２基備
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには石
英ターゲット、他方のターゲットにはチタンターゲット
を用いる。
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには石
英ターゲット、他方のターゲットにはチタンターゲット
を用いる。
【００２４】直径２００ｍｍのガラス基板を基板ホルダ
に装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１０
ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転させ
る。
に装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１０
ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転させ
る。
【００２５】高真空に３０分維持後、酸素：アルゴンを
５０％混合したスパッタガスを１００ｃｃｍ流し、圧力
を３×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、チタンターゲットに高周
波電力を投入して、スパッタ成膜を開始する。酸化チタ
ン膜の光学的膜厚が設計波長の１／４λの膜厚になった
ところで、石英ターゲットに向かって基板ホルダを移動
し、基板ホルダを高さ１０ｃｍ、偏心量４．５ｃｍの位
置にセットして、基板を回転させ、石英膜を１／４λの
膜厚に成膜する。これらの操作を１０回繰り返すことに
より、１０層の交互多層膜からなるダイクロイックミラ
ーを２００ｍｍΦの基板に均一に成膜することができ
た。
５０％混合したスパッタガスを１００ｃｃｍ流し、圧力
を３×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、チタンターゲットに高周
波電力を投入して、スパッタ成膜を開始する。酸化チタ
ン膜の光学的膜厚が設計波長の１／４λの膜厚になった
ところで、石英ターゲットに向かって基板ホルダを移動
し、基板ホルダを高さ１０ｃｍ、偏心量４．５ｃｍの位
置にセットして、基板を回転させ、石英膜を１／４λの
膜厚に成膜する。これらの操作を１０回繰り返すことに
より、１０層の交互多層膜からなるダイクロイックミラ
ーを２００ｍｍΦの基板に均一に成膜することができ
た。
【００２６】（実施例２）６インチターゲットを２基備
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには石
英ターゲット、他方のターゲットにはタンタルターゲッ
トを用いる。
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには石
英ターゲット、他方のターゲットにはタンタルターゲッ
トを用いる。
【００２７】直径２００ｍｍのガラス基板を基板ホルダ
に装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１０
ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転させ
る。
に装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１０
ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転させ
る。
【００２８】高真空に３０分維持後、酸素：アルゴンを
５０％混合したスパッタガスを１００ｃｃｍ流し、圧力
を３×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、タンタルターゲットに高
周波電力を投入して、スパッタ成膜を開始する。設計波
長の１／２λの膜厚に五酸化タンタル膜を成膜したとこ
ろで、石英ターゲットに向かって基板ホルダを移動し、
基板ホルダを高さ１０ｃｍ、偏心量４．５ｃｍの位置に
セットして、基板を回転させ、石英膜を１／４λの膜厚
に成膜する。このようにして、均一な反射防止膜を製作
することができた。
５０％混合したスパッタガスを１００ｃｃｍ流し、圧力
を３×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、タンタルターゲットに高
周波電力を投入して、スパッタ成膜を開始する。設計波
長の１／２λの膜厚に五酸化タンタル膜を成膜したとこ
ろで、石英ターゲットに向かって基板ホルダを移動し、
基板ホルダを高さ１０ｃｍ、偏心量４．５ｃｍの位置に
セットして、基板を回転させ、石英膜を１／４λの膜厚
に成膜する。このようにして、均一な反射防止膜を製作
することができた。
【００２９】（実施例３）６インチターゲットを２基備
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには銅
ターゲット、他方のターゲットにはアルミターゲットを
使用する。
えたスパッタ装置を使用して、一方のターゲットには銅
ターゲット、他方のターゲットにはアルミターゲットを
使用する。
【００３０】直径２００ｍｍのシリコン基板を基板ホル
ダに装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１
０ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転さ
せる。
ダに装着し、チャンバを排気する。基板ホルダを高さ１
０ｃｍ、偏心量５ｃｍの位置にセットし、基板を回転さ
せる。
【００３１】高真空に３０分維持後、アルゴンガスを１
００ｃｃｍ流し、圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、銅
ターゲットに高周波電力を投入して、スパッタ成膜を開
始する。膜厚１μの膜に成膜したところで、アルミター
ゲットに向かって基板ホルダを移動し、基板ホルダを高
さ１０ｃｍ、偏心量４ｃｍの位置にセットし、基板を回
転させて、アルミ膜を０．５μの膜厚に成膜した。この
ようにして、シリコン基板上に均一な電極膜を成膜する
ことができた。
００ｃｃｍ流し、圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒに保ち、銅
ターゲットに高周波電力を投入して、スパッタ成膜を開
始する。膜厚１μの膜に成膜したところで、アルミター
ゲットに向かって基板ホルダを移動し、基板ホルダを高
さ１０ｃｍ、偏心量４ｃｍの位置にセットし、基板を回
転させて、アルミ膜を０．５μの膜厚に成膜した。この
ようにして、シリコン基板上に均一な電極膜を成膜する
ことができた。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３３】成膜材料やスパッタ圧力等の成膜条件に応
じて基板とターゲットの相対位置を変化させることで、
各薄膜ごとの膜厚分布を極めて均一にすることができ
る。これによって、高品質な多層膜を安価に製造でき
る。
じて基板とターゲットの相対位置を変化させることで、
各薄膜ごとの膜厚分布を極めて均一にすることができ
る。これによって、高品質な多層膜を安価に製造でき
る。
【図１】一実施の形態によるスパッタ装置を示す模式立
面図である。
面図である。
【図２】図１の装置を示す模式平面図である。
【図３】基板ホルダの偏心量と高さを説明する図であ
る。
る。
【図４】蒸着の余原則を説明する図である。
【図５】一従来例を示す模式立面図である。
１ チャンバ ２ａ，２ｂ ターゲット ３ 基板ホルダ ４ 回転軸 ５ 駆動装置 ５ａ アーム ５ｂ 駆動軸
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバ内で基板を保持する基板ホルダ
と、該基板ホルダに対向する複数のターゲットと、各タ
ーゲットと前記基板ホルダの間の相対位置を個別に調節
するための位置調節手段を有するスパッタ装置。 - 【請求項２】 位置調節手段が、基板ホルダを保持する
支持部材とこれを所定の軸のまわりに旋回させる駆動手
段を備えていることを特徴とする請求項１記載のスパッ
タ装置。 - 【請求項３】 位置調節手段が、基板ホルダを保持する
支持部材とこれを所定の軸方向に移動させる駆動手段を
備えていることを特徴とする請求項１記載のスパッタ装
置。 - 【請求項４】 複数のターゲットを交互にスパッタする
ことによって基板上に多層膜を成膜する成膜方法であっ
て、各ターゲットをスパッタする工程において該ターゲ
ットと前記基板との間の相対位置を個別に調節すること
を特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5276598A JPH11229135A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | スパッタ装置および成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5276598A JPH11229135A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | スパッタ装置および成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11229135A true JPH11229135A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12923979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5276598A Pending JPH11229135A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | スパッタ装置および成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11229135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001044534A1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-06-21 | Hitachi, Ltd | Method and apparatus for thin film deposition |
| JP2006265692A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| WO2010038593A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | ハードバイアス積層体の成膜装置および成膜方法、並びに磁気センサ積層体の製造装置および製造方法 |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP5276598A patent/JPH11229135A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001044534A1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-06-21 | Hitachi, Ltd | Method and apparatus for thin film deposition |
| JP2006265692A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| WO2010038593A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | ハードバイアス積層体の成膜装置および成膜方法、並びに磁気センサ積層体の製造装置および製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1992001081A1 (en) | Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films | |
| US6241857B1 (en) | Method of depositing film and sputtering apparatus | |
| JP2009041040A (ja) | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
| JP7815100B2 (ja) | 圧電コーティングおよび堆積プロセス | |
| JPH11229135A (ja) | スパッタ装置および成膜方法 | |
| US20040182701A1 (en) | Sputtering apparatus, a mixed film produced by the sputtering apparatus and a multilayer film including the mixed film | |
| CN110408904A (zh) | 一种溅射成膜装置 | |
| JP4005172B2 (ja) | 両面同時成膜方法および装置 | |
| US20210230741A1 (en) | Film Forming Method | |
| TW202415787A (zh) | 藉由磁控濺鍍以沉積量子化奈米層的方法 | |
| JP2003247065A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3506782B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP2002088470A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH09296265A (ja) | 斜め蒸着膜の製造方法 | |
| JP3994000B2 (ja) | 薄膜の成膜装置及び成膜方法 | |
| JP7048420B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2005139549A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子 | |
| JP4678996B2 (ja) | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 | |
| JP3706409B2 (ja) | 複合酸化物薄膜の製造方法 | |
| JP4502540B2 (ja) | 光学多層膜干渉フィルタの作製装置および作製方法 | |
| US20100001814A1 (en) | Thin film acoustic reflector stack | |
| JP2005171369A (ja) | 基板保持機構 | |
| KR20120003926A (ko) | 마그네트론 코팅 모듈 및 마그네트론 코팅 방법 | |
| JP2002339060A (ja) | 光学薄膜用のスパッター装置及び光学薄膜 | |
| JP7134802B2 (ja) | 真空処理装置 |