JPH11230825A - 焦電型赤外線センサとその製造方法 - Google Patents
焦電型赤外線センサとその製造方法Info
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- JPH11230825A JPH11230825A JP10030966A JP3096698A JPH11230825A JP H11230825 A JPH11230825 A JP H11230825A JP 10030966 A JP10030966 A JP 10030966A JP 3096698 A JP3096698 A JP 3096698A JP H11230825 A JPH11230825 A JP H11230825A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、封止体に低熱伝導ガスと酸素を混
合したガスを封入することにより、高感度および高信頼
性を実現する焦電型赤外線センサを提供することを目的
とする。 【解決手段】 赤外線入射窓3を接着固定した封止体1
と、前記封止体1に内蔵された焦電素子5と、前記焦電
素子5を実装した固定台4より構成され、前記封止体1
と固定台4は気密封止され、その内部は低熱伝導ガスと
酸素を混合したガスが充填されている。この発明によれ
ば、焦電素子5から封止体内部の空間9への熱伝導を抑
制することによりセンサ出力の高感度化を実現すること
ができ、同時に封止体内部の構造物からの脱ガスを抑え
ることができるため動作雰囲気での安定したセンサ検知
動作を実現することができる。
合したガスを封入することにより、高感度および高信頼
性を実現する焦電型赤外線センサを提供することを目的
とする。 【解決手段】 赤外線入射窓3を接着固定した封止体1
と、前記封止体1に内蔵された焦電素子5と、前記焦電
素子5を実装した固定台4より構成され、前記封止体1
と固定台4は気密封止され、その内部は低熱伝導ガスと
酸素を混合したガスが充填されている。この発明によれ
ば、焦電素子5から封止体内部の空間9への熱伝導を抑
制することによりセンサ出力の高感度化を実現すること
ができ、同時に封止体内部の構造物からの脱ガスを抑え
ることができるため動作雰囲気での安定したセンサ検知
動作を実現することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は焦電体を用いて赤外
線の検出を行う焦電型赤外線センサとその製造方法に関
するものである。
線の検出を行う焦電型赤外線センサとその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、焦電型赤外線センサは非接触で物
体の検知や温度検出ができる点を活かして、電子レンジ
の調理物の温度測定、エアコンの室内温度制御、あるい
は自動ドア、警報装置での人体検知等に利用されてお
り、今後その利用範囲は拡大していくと見られる。一般
に、焦電型赤外線センサはLiTaO3結晶等の焦電効
果を利用したものであり、焦電体は自発分極を有してお
り常に表面電荷が発生しているが、大気中における定常
状態では大気中の電荷と結びついて電気的に中性を保っ
ている。これに赤外線が入射すると焦電体の温度が変化
し、これに伴い表面の電荷状態も中性状態が壊れて変化
する。この時表面に発生する電荷を検出し、赤外線入射
量を測定するのが赤外線センサである。一般に物体はそ
の温度に応じた赤外線を放出しており、この焦電型赤外
線センサを用いることにより物体の存在や温度を検知で
きる。
体の検知や温度検出ができる点を活かして、電子レンジ
の調理物の温度測定、エアコンの室内温度制御、あるい
は自動ドア、警報装置での人体検知等に利用されてお
り、今後その利用範囲は拡大していくと見られる。一般
に、焦電型赤外線センサはLiTaO3結晶等の焦電効
果を利用したものであり、焦電体は自発分極を有してお
り常に表面電荷が発生しているが、大気中における定常
状態では大気中の電荷と結びついて電気的に中性を保っ
ている。これに赤外線が入射すると焦電体の温度が変化
し、これに伴い表面の電荷状態も中性状態が壊れて変化
する。この時表面に発生する電荷を検出し、赤外線入射
量を測定するのが赤外線センサである。一般に物体はそ
の温度に応じた赤外線を放出しており、この焦電型赤外
線センサを用いることにより物体の存在や温度を検知で
きる。
【0003】従来、焦電型赤外線センサでは、封止体内
部の封入ガスとして窒素を用いることが一般的に知られ
ている。
部の封入ガスとして窒素を用いることが一般的に知られ
ている。
【0004】図9は従来の焦電型赤外線センサの概略を
示すものである。従来の焦電型赤外線センサは、封止体
1、開口部2、窓材3、固定台4、焦電素子5、高抵抗
6、FET7、リードピン8、空間9、窒素13から構
成されている。
示すものである。従来の焦電型赤外線センサは、封止体
1、開口部2、窓材3、固定台4、焦電素子5、高抵抗
6、FET7、リードピン8、空間9、窒素13から構
成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】封止体1内部に封入さ
れている窒素13は、熱伝導率が0.026W/mKと
大きく、焦電素子5を構成する赤外線受光部が、例えば
薄板もしくは薄膜のように熱容量が小さい場合、赤外線
受光部での入射赤外光の蓄熱に比べて、雰囲気中への熱
伝導が支配的になり、センサ出力が比較的小さな値を示
す傾向にある。特に低周波で移動する物体の検知におい
ては、その傾向が顕著に起こりやすい。
れている窒素13は、熱伝導率が0.026W/mKと
大きく、焦電素子5を構成する赤外線受光部が、例えば
薄板もしくは薄膜のように熱容量が小さい場合、赤外線
受光部での入射赤外光の蓄熱に比べて、雰囲気中への熱
伝導が支配的になり、センサ出力が比較的小さな値を示
す傾向にある。特に低周波で移動する物体の検知におい
ては、その傾向が顕著に起こりやすい。
【0006】近年、高速応答性および高分解能に優れた
薄板もしくは薄膜の焦電体を用いた焦電型赤外線センサ
の民生製品への用途展開が図られており、高感度化(特
に低周波域)および信頼性の向上が強く求められてい
る。
薄板もしくは薄膜の焦電体を用いた焦電型赤外線センサ
の民生製品への用途展開が図られており、高感度化(特
に低周波域)および信頼性の向上が強く求められてい
る。
【0007】本発明は、高感度および高信頼性を実現す
る焦電型赤外線センサを提供することを目的とする。
る焦電型赤外線センサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の焦電型赤外線セ
ンサは、封止体に低熱伝導ガスと酸素を混合したガスを
封入した構成からなるものである。
ンサは、封止体に低熱伝導ガスと酸素を混合したガスを
封入した構成からなるものである。
【0009】この発明によれば、高感度(特に低周波
域)および信頼性の高い焦電型赤外線センサを実現する
ことができる。
域)および信頼性の高い焦電型赤外線センサを実現する
ことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、開口部を有する封止体と、前記開口部に封着された
赤外線入射窓と、前記封止体に内蔵された焦電素子と、
前記焦電素子を実装する固定部より構成され、前記封止
体は低熱伝導ガスと酸素を混合する雰囲気からなるもの
で、入射赤外線により蓄熱した焦電素子から雰囲気中へ
の熱伝導が抑制されるためセンサ出力の高感度化が実現
でき、さらに酸素が添加されていることにより、封止体
内部の構成体の表面に強固な酸化物が形成でき、特に焦
電素子部分からの脱ガスを抑えることができるので動作
雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現することがで
きるという作用を有する。
は、開口部を有する封止体と、前記開口部に封着された
赤外線入射窓と、前記封止体に内蔵された焦電素子と、
前記焦電素子を実装する固定部より構成され、前記封止
体は低熱伝導ガスと酸素を混合する雰囲気からなるもの
で、入射赤外線により蓄熱した焦電素子から雰囲気中へ
の熱伝導が抑制されるためセンサ出力の高感度化が実現
でき、さらに酸素が添加されていることにより、封止体
内部の構成体の表面に強固な酸化物が形成でき、特に焦
電素子部分からの脱ガスを抑えることができるので動作
雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現することがで
きるという作用を有する。
【0011】本発明の請求項2に記載の発明は、焦電素
子が、基板と、前記基板上に設けられた第一の電極と、
前記第一の電極上に設けられた配向性薄膜焦電体と、前
記配向性薄膜焦電体上に設けられた第二の電極を具備
し、前記配向性薄膜焦電体上と対向する前記基板表層部
の一部に空洞を備えたもので、同一基板上に複数個の焦
電素子を同時形成することが可能であり、さらに一次ア
レイ化または二次元化素子を容易に形成でき、高速応答
性、高分解能かつ高機能化が得られるとともに、低コス
ト化が図れるという作用を有する。
子が、基板と、前記基板上に設けられた第一の電極と、
前記第一の電極上に設けられた配向性薄膜焦電体と、前
記配向性薄膜焦電体上に設けられた第二の電極を具備
し、前記配向性薄膜焦電体上と対向する前記基板表層部
の一部に空洞を備えたもので、同一基板上に複数個の焦
電素子を同時形成することが可能であり、さらに一次ア
レイ化または二次元化素子を容易に形成でき、高速応答
性、高分解能かつ高機能化が得られるとともに、低コス
ト化が図れるという作用を有する。
【0012】本発明の請求項3に記載の発明は、基板と
して酸化マグネシウムを用いるもので、酸化マグネシウ
ムは、焦電素子の赤外線受光部を構成する配向性薄膜焦
電体との格子整合性が非常に高いとともに熱膨張係数が
大きいため、結晶性に優れた良好な配向性薄膜焦電体を
形成できるという作用を有する。特に請求項1の構成に
おいて、焦電素子の空洞を、例えば燐酸を主成分とする
溶液で形成する過程で生成される燐酸マグネシウム化合
物、水酸化マグネシウム化合物等の分解または安定化を
促進し、焦電素子部分からの脱ガスを抑えることができ
るので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現す
ることができる。
して酸化マグネシウムを用いるもので、酸化マグネシウ
ムは、焦電素子の赤外線受光部を構成する配向性薄膜焦
電体との格子整合性が非常に高いとともに熱膨張係数が
大きいため、結晶性に優れた良好な配向性薄膜焦電体を
形成できるという作用を有する。特に請求項1の構成に
おいて、焦電素子の空洞を、例えば燐酸を主成分とする
溶液で形成する過程で生成される燐酸マグネシウム化合
物、水酸化マグネシウム化合物等の分解または安定化を
促進し、焦電素子部分からの脱ガスを抑えることができ
るので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現す
ることができる。
【0013】本発明の請求項4に記載の発明は、配向性
薄膜焦電体は、PbTiO3を主成分とするもので、焦
電材料中でも焦電特性の高い材料であり、センサ出力の
高感度、高出力化が実現できるという作用を有する。
薄膜焦電体は、PbTiO3を主成分とするもので、焦
電材料中でも焦電特性の高い材料であり、センサ出力の
高感度、高出力化が実現できるという作用を有する。
【0014】本発明の請求項5に記載の発明は、配向性
薄膜焦電体が、La,MgあるいはMnの単体、もしく
はこれら混合物を添加するPbTiO3を主成分とする
もので、請求項4に記載の発明で示した効果をさらに向
上させることができるという作用を有する。
薄膜焦電体が、La,MgあるいはMnの単体、もしく
はこれら混合物を添加するPbTiO3を主成分とする
もので、請求項4に記載の発明で示した効果をさらに向
上させることができるという作用を有する。
【0015】本発明の請求項6に記載の発明は、封止体
の雰囲気が、Xe,Krまたはフロンそれぞれ単体、も
しくはこれら混合体を主成分とするガスと酸素との混合
体からなるもので、Xe,Krまたはフロンの分子量は
大きく、熱伝導率が小さいので、入射赤外線により蓄熱
した焦電素子の熱エネルギの雰囲気中への熱伝導を抑え
ることができるため、センサ出力の高感度化が実現で
き、同時に酸素が添加されていることにより、封止体内
部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、封止体内部
での脱ガスを抑えることができるので動作雰囲気での安
定したセンサ検知動作を実現するることができるという
作用を有する。
の雰囲気が、Xe,Krまたはフロンそれぞれ単体、も
しくはこれら混合体を主成分とするガスと酸素との混合
体からなるもので、Xe,Krまたはフロンの分子量は
大きく、熱伝導率が小さいので、入射赤外線により蓄熱
した焦電素子の熱エネルギの雰囲気中への熱伝導を抑え
ることができるため、センサ出力の高感度化が実現で
き、同時に酸素が添加されていることにより、封止体内
部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、封止体内部
での脱ガスを抑えることができるので動作雰囲気での安
定したセンサ検知動作を実現するることができるという
作用を有する。
【0016】本発明の請求項7に記載の発明は、フロン
ガスとしてHCFC系を主成分とするもので、フロン系
ガスの中でも低熱伝導率ガスであり、センサ出力の高感
度化が実現できるという作用を有する。
ガスとしてHCFC系を主成分とするもので、フロン系
ガスの中でも低熱伝導率ガスであり、センサ出力の高感
度化が実現できるという作用を有する。
【0017】本発明の請求項8に記載の発明は、フロン
ガスとしてCF3I系を主成分とするもので、フロン系
ガスの中で最も低熱伝導率ガスでありセンサ出力の高感
度化が実現できるという作用を有する。
ガスとしてCF3I系を主成分とするもので、フロン系
ガスの中で最も低熱伝導率ガスでありセンサ出力の高感
度化が実現できるという作用を有する。
【0018】本発明の請求項9に記載の発明は、雰囲気
中の酸素が、2体積%以上の濃度からなるもので、特に
プラズマあるいは高温といった強力なエネルギを利用し
たくても効率的に活性化酸素を生成できる酸素濃度の下
限値であり、封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物
を形成し、封止体内部での脱ガスを抑えることができる
ので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現する
ことができるという作用を有する。
中の酸素が、2体積%以上の濃度からなるもので、特に
プラズマあるいは高温といった強力なエネルギを利用し
たくても効率的に活性化酸素を生成できる酸素濃度の下
限値であり、封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物
を形成し、封止体内部での脱ガスを抑えることができる
ので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現する
ことができるという作用を有する。
【0019】本発明の請求項10に記載の発明は、大気
圧以下で前記ガスが封入されているもので、大気圧以下
の状態ではガス分子が焦電体表面に衝突する絶対数が減
少するため、雰囲気ガスへの熱伝導が抑制され、焦電素
子の蓄熱が維持できるためセンサ出力の高出力化が実現
でき、また大気圧以下での封入はガスの必要量も減少し
低コスト化が可能となるという作用を有する。
圧以下で前記ガスが封入されているもので、大気圧以下
の状態ではガス分子が焦電体表面に衝突する絶対数が減
少するため、雰囲気ガスへの熱伝導が抑制され、焦電素
子の蓄熱が維持できるためセンサ出力の高出力化が実現
でき、また大気圧以下での封入はガスの必要量も減少し
低コスト化が可能となるという作用を有する。
【0020】本発明の請求項11に記載の発明は、封止
体内部で放出される脱ガスを吸着するための吸着剤を設
けているもので、封止体内の脱ガスを抑えることによ
り、安定したセンサ検知動作を実現することができる。
さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上昇も
抑えることができるため大気圧以下の状態を維持するこ
とができるという作用を有する。
体内部で放出される脱ガスを吸着するための吸着剤を設
けているもので、封止体内の脱ガスを抑えることによ
り、安定したセンサ検知動作を実現することができる。
さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上昇も
抑えることができるため大気圧以下の状態を維持するこ
とができるという作用を有する。
【0021】本発明の請求項12に記載の発明は、焦電
素子と前記固定部が、金属もしくは酸化物の単体、ある
いはこれら混合物を含有した熱硬化型樹脂を介して実
装、固定される製造方法であり、ここで用いる熱硬化型
樹脂が熱処理後、硬化後主成分が金属もしくは酸化物と
なり、動作雰囲気での脱ガスが抑制できるため、安定し
たセンサ検知動作を実現することができる。さらに大気
圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上昇も抑えること
ができるため大気圧以下の状態が維持でき、加えてこの
方法は非常に簡便であるため低コスト化も実現できると
いう作用を有する。
素子と前記固定部が、金属もしくは酸化物の単体、ある
いはこれら混合物を含有した熱硬化型樹脂を介して実
装、固定される製造方法であり、ここで用いる熱硬化型
樹脂が熱処理後、硬化後主成分が金属もしくは酸化物と
なり、動作雰囲気での脱ガスが抑制できるため、安定し
たセンサ検知動作を実現することができる。さらに大気
圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上昇も抑えること
ができるため大気圧以下の状態が維持でき、加えてこの
方法は非常に簡便であるため低コスト化も実現できると
いう作用を有する。
【0022】本発明の請求項13に記載の発明は、熱硬
化型樹脂が、100℃以上180℃以下の大気雰囲気で
加熱硬化する製造方法であり、動作雰囲気での封止体内
部での脱ガスを抑えることができるため、安定したセン
サ検知動作を実現することができる。さらに大気圧以下
でのガス封止状態の場合、圧力上昇も抑えることができ
るため大気圧以下の状態が維持でき、加えてこの方法は
非常に簡便であるため低コスト化も実現できるという作
用を有する。
化型樹脂が、100℃以上180℃以下の大気雰囲気で
加熱硬化する製造方法であり、動作雰囲気での封止体内
部での脱ガスを抑えることができるため、安定したセン
サ検知動作を実現することができる。さらに大気圧以下
でのガス封止状態の場合、圧力上昇も抑えることができ
るため大気圧以下の状態が維持でき、加えてこの方法は
非常に簡便であるため低コスト化も実現できるという作
用を有する。
【0023】本発明の請求項14に記載の発明は、熱硬
化型樹脂が、100℃以上180℃以下の真空雰囲気で
加熱硬化する製造方法であり、請求項13に記載の発明
で示した効果をさらに促進することができるという作用
を有する。
化型樹脂が、100℃以上180℃以下の真空雰囲気で
加熱硬化する製造方法であり、請求項13に記載の発明
で示した効果をさらに促進することができるという作用
を有する。
【0024】本発明の請求項15に記載の発明は、前記
封止体と前記固定部とが接着され気密状態を保持した
後、150℃以上で熱処理する焦電型赤外線センサの製
造方法であり、封止体内部に存在する酸素を活性化する
ことが容易にできるため、封止体内部の構成体、特に焦
電素子および焦電素子部に空洞部分の表面の酸化を促進
し、動作雰囲気での封止体内部での脱ガスを抑えること
ができるため、安定したセンサ検知動作を実現すること
ができる。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、
圧力上昇も抑えることができるため大気圧以下の状態が
維持でき、加えてこの方法は非常に簡便であるため低コ
スト化も実現できるという作用を有する。
封止体と前記固定部とが接着され気密状態を保持した
後、150℃以上で熱処理する焦電型赤外線センサの製
造方法であり、封止体内部に存在する酸素を活性化する
ことが容易にできるため、封止体内部の構成体、特に焦
電素子および焦電素子部に空洞部分の表面の酸化を促進
し、動作雰囲気での封止体内部での脱ガスを抑えること
ができるため、安定したセンサ検知動作を実現すること
ができる。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、
圧力上昇も抑えることができるため大気圧以下の状態が
維持でき、加えてこの方法は非常に簡便であるため低コ
スト化も実現できるという作用を有する。
【0025】以下本発明の実施の形態について図1から
図4を用いて説明する。 (実施の形態1)以下本発明の第1の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1
の実施の形態における焦電型赤外線センサの概略を示す
ものである。図1において封止体1は外乱光や電磁ノイ
ズを遮断するものであり、例えばFeまたはコバールま
たはSiにより構成される。上記封止体1には開口部2
を有し、赤外線を上記封止体1に導く入り口となる。赤
外線入射窓3は上記開口部2に取り付けられており、赤
外線を透過し上記封止体1内に導くものであり、例えば
Siまたは表面にGeおよびZnSで作成されたフィル
タが設けられたSiにより構成されている。固定台4は
上記封止体1と接合することにより気密封止を実現する
ものであり、例えばFeまたはコバールまたはガラスに
より構成される。焦電素子5は上記固定台4上に実装さ
れ、焦電効果を利用し入射赤外線の量に応じたセンサ出
力を発する。
図4を用いて説明する。 (実施の形態1)以下本発明の第1の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1
の実施の形態における焦電型赤外線センサの概略を示す
ものである。図1において封止体1は外乱光や電磁ノイ
ズを遮断するものであり、例えばFeまたはコバールま
たはSiにより構成される。上記封止体1には開口部2
を有し、赤外線を上記封止体1に導く入り口となる。赤
外線入射窓3は上記開口部2に取り付けられており、赤
外線を透過し上記封止体1内に導くものであり、例えば
Siまたは表面にGeおよびZnSで作成されたフィル
タが設けられたSiにより構成されている。固定台4は
上記封止体1と接合することにより気密封止を実現する
ものであり、例えばFeまたはコバールまたはガラスに
より構成される。焦電素子5は上記固定台4上に実装さ
れ、焦電効果を利用し入射赤外線の量に応じたセンサ出
力を発する。
【0026】すなわち焦電体は自発分極を有しており常
に表面電荷が発生しているが、大気中における定常状態
では大気中の電荷と結びついて電気的に中性を保ってい
る。これに赤外線が入射すると焦電体の温度が変化し、
これに伴い表面の電荷状態も中性状態が壊れて変化す
る。この時表面に発生する電荷を検出し、赤外線入射量
を測定するものである。焦電素子5の赤外線受光部を構
成する薄膜焦電体として、例えば焦電材料であるPb
1-xLaxTi1-x/4O3やLiTaO3が用いられる。
に表面電荷が発生しているが、大気中における定常状態
では大気中の電荷と結びついて電気的に中性を保ってい
る。これに赤外線が入射すると焦電体の温度が変化し、
これに伴い表面の電荷状態も中性状態が壊れて変化す
る。この時表面に発生する電荷を検出し、赤外線入射量
を測定するものである。焦電素子5の赤外線受光部を構
成する薄膜焦電体として、例えば焦電材料であるPb
1-xLaxTi1-x/4O3やLiTaO3が用いられる。
【0027】高抵抗6は上記固定台4上に実装され、焦
電素子5の電荷の放電を安定化することによりセンサ出
力を安定化する。FET7は上記固定台4上に実装さ
れ、外部回路とのインピーダンスを整合させる。リード
ピン8は上記固定台4に挿入され、上記焦電素子5、高
抵抗6およびFET7との電気的接合を行う。空間9に
は低熱伝導ガス10が封入されており、上記焦電素子5
から封入体内部の空間9への熱伝導を抑制することによ
りセンサ出力の高感度化を実現することができ、同時に
封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、封
止体内部の構造物からの脱ガスを抑えることができるの
で動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現するこ
とができる。低熱伝導ガス10として、例えばKrと5
体積%酸素の混合ガスからなる。
電素子5の電荷の放電を安定化することによりセンサ出
力を安定化する。FET7は上記固定台4上に実装さ
れ、外部回路とのインピーダンスを整合させる。リード
ピン8は上記固定台4に挿入され、上記焦電素子5、高
抵抗6およびFET7との電気的接合を行う。空間9に
は低熱伝導ガス10が封入されており、上記焦電素子5
から封入体内部の空間9への熱伝導を抑制することによ
りセンサ出力の高感度化を実現することができ、同時に
封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、封
止体内部の構造物からの脱ガスを抑えることができるの
で動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現するこ
とができる。低熱伝導ガス10として、例えばKrと5
体積%酸素の混合ガスからなる。
【0028】なお、本発明の実施の形態では、空間9に
は低熱伝導ガス10の主成分として、Krを用いている
が、これはXe単体もしくはXeとKrの混合ガスであ
っても同様の効果が得られる。また、混合ガスの酸素濃
度として5体積%のものを用いているが、2体積%以上
であれば同様の効果が得られる。特に上限値については
限定はしないものの、Kr,Xeとの混合ガスの熱伝導
率が窒素の熱伝導率の約1/2程度になる濃度までがセ
ンサ出力の高感度化が実現できる点で好ましい。
は低熱伝導ガス10の主成分として、Krを用いている
が、これはXe単体もしくはXeとKrの混合ガスであ
っても同様の効果が得られる。また、混合ガスの酸素濃
度として5体積%のものを用いているが、2体積%以上
であれば同様の効果が得られる。特に上限値については
限定はしないものの、Kr,Xeとの混合ガスの熱伝導
率が窒素の熱伝導率の約1/2程度になる濃度までがセ
ンサ出力の高感度化が実現できる点で好ましい。
【0029】なお、本発明の実施の形態では焦電素子の
赤外線受光部を構成する焦電体として、薄膜を用いてい
るが、数十μm程度の厚さのものであってもほぼ同様の
効果が得られる。
赤外線受光部を構成する焦電体として、薄膜を用いてい
るが、数十μm程度の厚さのものであってもほぼ同様の
効果が得られる。
【0030】(実施の形態2)以下本発明の第2の実施
の形態について、図面を参照しながら説明する。図2は
本発明の第2の実施の形態における焦電型赤外線センサ
の概略を示すものである。
の形態について、図面を参照しながら説明する。図2は
本発明の第2の実施の形態における焦電型赤外線センサ
の概略を示すものである。
【0031】図2に示す本発明の実施の形態は、基本的
には図1に示した実施の形態1と同じ構成であるので、
同一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省略す
る。実施の形態1と違う点は、封止体1の空間9には低
熱伝導ガス11が封入されていることであり、実施の形
態1と同様の効果が実現できる。低熱伝導ガス11の主
成分として、例えば代替フロンからなる。
には図1に示した実施の形態1と同じ構成であるので、
同一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省略す
る。実施の形態1と違う点は、封止体1の空間9には低
熱伝導ガス11が封入されていることであり、実施の形
態1と同様の効果が実現できる。低熱伝導ガス11の主
成分として、例えば代替フロンからなる。
【0032】なお、本発明の実施の形態では空間9には
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、これはフロンを主成分とするガスと、Xeも
しくはKrの単体、あるいはこれらの混合物を主成分と
するガスの混合ガスであっても同様の効果が得られる。
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、これはフロンを主成分とするガスと、Xeも
しくはKrの単体、あるいはこれらの混合物を主成分と
するガスの混合ガスであっても同様の効果が得られる。
【0033】なお、本発明の実施の形態では空間9には
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、特にHCFC系を主成分とするガス、例え
ば、CHClF2,CHCl2CF3,CH3CCl2F,
CH3CClF3,C3HCl3F3としてもよい。上記ガ
スはそれぞれ熱伝導率が0.012W/mK以下とフロ
ン系ガスの中でも低熱伝導率ガスでありセンサ出力の高
感度化が実現できる。
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、特にHCFC系を主成分とするガス、例え
ば、CHClF2,CHCl2CF3,CH3CCl2F,
CH3CClF3,C3HCl3F3としてもよい。上記ガ
スはそれぞれ熱伝導率が0.012W/mK以下とフロ
ン系ガスの中でも低熱伝導率ガスでありセンサ出力の高
感度化が実現できる。
【0034】なお、本発明の実施の形態では空間9には
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、特にCF3Iを主成分とするガスとしてもよ
い。上記CF3Iの熱伝導率が約0.0069W/mK
とフロン系ガスの中で最も低熱伝導率ガスでありセンサ
出力の高感度化が実現できる。
低熱伝導ガス11の主成分ガスとしてフロンが封入され
ているが、特にCF3Iを主成分とするガスとしてもよ
い。上記CF3Iの熱伝導率が約0.0069W/mK
とフロン系ガスの中で最も低熱伝導率ガスでありセンサ
出力の高感度化が実現できる。
【0035】(実施の形態3)以下本発明の第3の実施
の形態について、説明する。
の形態について、説明する。
【0036】本発明の実施の形態は、基本的には図1お
よび図2に示した実施の形態1および実施の形態2と同
じ構成であるが、実施の形態1および実施の形態2と違
う点は、封止体1の空間9には大気圧以下の状態でガス
が封入されていることである。
よび図2に示した実施の形態1および実施の形態2と同
じ構成であるが、実施の形態1および実施の形態2と違
う点は、封止体1の空間9には大気圧以下の状態でガス
が封入されていることである。
【0037】大気圧以下の状態ではガス分子が焦電体表
面に衝突する絶対数が減少するため、雰囲気ガスへの熱
伝導が抑制されるためセンサ出力の高出力化が実現で
き、また例えば1/10に減圧することによりガスの使
用量が1/10となり、結果1/10の低コスト化が可
能となる。
面に衝突する絶対数が減少するため、雰囲気ガスへの熱
伝導が抑制されるためセンサ出力の高出力化が実現で
き、また例えば1/10に減圧することによりガスの使
用量が1/10となり、結果1/10の低コスト化が可
能となる。
【0038】図3に封入ガス圧とセンサ出力の関係を示
す。図より、例えば窒素の場合、大気圧(760Tor
r)を基準として、1Torrに減圧すると、感度が約
2倍向上できる。
す。図より、例えば窒素の場合、大気圧(760Tor
r)を基準として、1Torrに減圧すると、感度が約
2倍向上できる。
【0039】(実施の形態4)以下本発明の第4の実施
の形態について、図面を参照しながら説明する。図4は
本発明の第4の実施の形態における焦電形赤外線センサ
の概略を示すものである。図4に示す本発明の実施の形
態は、基本的には図1に示した実施の形態1と同じ構成
であるので、同一構成部分には同一番号を付して詳細な
説明を省略する。実施の形態1と違う点は、封止体1内
部に吸着剤12を設けていることである。吸着剤12に
より焦電体素子等の封止体内部の構造体から放出される
脱ガスを吸着するため、封止体内の脱ガスを抑えること
により、安定したセンサ検知動作を実現することができ
る。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上
昇も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持す
ることができる。
の形態について、図面を参照しながら説明する。図4は
本発明の第4の実施の形態における焦電形赤外線センサ
の概略を示すものである。図4に示す本発明の実施の形
態は、基本的には図1に示した実施の形態1と同じ構成
であるので、同一構成部分には同一番号を付して詳細な
説明を省略する。実施の形態1と違う点は、封止体1内
部に吸着剤12を設けていることである。吸着剤12に
より焦電体素子等の封止体内部の構造体から放出される
脱ガスを吸着するため、封止体内の脱ガスを抑えること
により、安定したセンサ検知動作を実現することができ
る。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上
昇も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持す
ることができる。
【0040】
【実施例】以下、本発明の具体例を説明する。
【0041】(実施例1)図1は本発明の焦電型赤外線
センサの概略を示すものである。すでに実施の形態1に
おいて構成の詳細な説明を行っているので、ここでは同
一構成部分には同一番号を付けることにより説明を省略
する。また図5は本発明の焦電型赤外線センサを構成す
る焦電素子5の詳細部分図の概略を示す。図5の焦電素
子は、基板51、第一の電極52、薄膜焦電体53、第
二の電極54、層間絶縁膜55、空洞56から構成され
ている。
センサの概略を示すものである。すでに実施の形態1に
おいて構成の詳細な説明を行っているので、ここでは同
一構成部分には同一番号を付けることにより説明を省略
する。また図5は本発明の焦電型赤外線センサを構成す
る焦電素子5の詳細部分図の概略を示す。図5の焦電素
子は、基板51、第一の電極52、薄膜焦電体53、第
二の電極54、層間絶縁膜55、空洞56から構成され
ている。
【0042】以上のように構成された焦電型赤外線セン
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図6に示す。以下、図6に従ってその製造方法
について説明する。まず基板51として(100)酸化
マグネシウム(以下、(100)MgOと略す)を用
い、前記(100)MgO基板51上に第一の電極52
として200nm程度の膜厚を有する白金(以下、Pt
と略す)薄膜をマグネトロンスパッタ法により、基板温
度:600℃、入射電力密度:0.16W/cm2、スパ
ッタガス雰囲気:Ar/O2=2/1、ガス圧:1.0
6Paの成膜条件のもとエピタキシャル成長させる。
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図6に示す。以下、図6に従ってその製造方法
について説明する。まず基板51として(100)酸化
マグネシウム(以下、(100)MgOと略す)を用
い、前記(100)MgO基板51上に第一の電極52
として200nm程度の膜厚を有する白金(以下、Pt
と略す)薄膜をマグネトロンスパッタ法により、基板温
度:600℃、入射電力密度:0.16W/cm2、スパ
ッタガス雰囲気:Ar/O2=2/1、ガス圧:1.0
6Paの成膜条件のもとエピタキシャル成長させる。
【0043】次にその上層に、薄膜焦電体53として2
ないし3μm程度の膜厚を有するPbTiO3あるいは
Pb1-xLaxTi1-x/4O3等の焦電材料からなる薄膜を
高周波マグネトロンスパッタ法により、基板温度:60
0℃、入射電力密度:1.6W/cm2、スパッタガス雰
囲気:Ar/O2=9/1、ガス圧:1Paの成膜条件
のもとエピタキシャル成長させる。このとき(100)
MgO基板51と薄膜焦電体53の熱膨張係数の差によ
り、薄膜焦電体53の結晶格子がキューリ点を境に歪
み、基板面に対して垂直方向にC軸が伸びることにより
一方向の自発分極が現れる。
ないし3μm程度の膜厚を有するPbTiO3あるいは
Pb1-xLaxTi1-x/4O3等の焦電材料からなる薄膜を
高周波マグネトロンスパッタ法により、基板温度:60
0℃、入射電力密度:1.6W/cm2、スパッタガス雰
囲気:Ar/O2=9/1、ガス圧:1Paの成膜条件
のもとエピタキシャル成長させる。このとき(100)
MgO基板51と薄膜焦電体53の熱膨張係数の差によ
り、薄膜焦電体53の結晶格子がキューリ点を境に歪
み、基板面に対して垂直方向にC軸が伸びることにより
一方向の自発分極が現れる。
【0044】次に薄膜焦電体53をフォトリソグラフィ
および湿式エッチングで所定の形状にパターニング形成
し、続いて第一の電極52もフォトリソグラフィおよび
乾式エッチングで所定の形状にパターニング形成する。
および湿式エッチングで所定の形状にパターニング形成
し、続いて第一の電極52もフォトリソグラフィおよび
乾式エッチングで所定の形状にパターニング形成する。
【0045】次に層間絶縁膜55として感光性を有する
ポリイミド系樹脂を用いて、その前駆体をフォトリソグ
ラフィで所定の形状にパターニングし、300℃程度の
温度雰囲気でイミド化を促進し、熱硬化させる。
ポリイミド系樹脂を用いて、その前駆体をフォトリソグ
ラフィで所定の形状にパターニングし、300℃程度の
温度雰囲気でイミド化を促進し、熱硬化させる。
【0046】次にそれら上層に第二の電極54として2
0nm程度の膜厚を有するNi−Cr合金薄膜をスパッ
タ法により、基板温度:100℃、入射電力密度:0.
55W/cm2、スパッタガス雰囲気:Ar、ガス圧:1
Paの成膜条件のもとで形成する。その後、フォトリソ
グラフィおよび湿式エッチングにより、所定の形状にパ
ターニング形成する。
0nm程度の膜厚を有するNi−Cr合金薄膜をスパッ
タ法により、基板温度:100℃、入射電力密度:0.
55W/cm2、スパッタガス雰囲気:Ar、ガス圧:1
Paの成膜条件のもとで形成する。その後、フォトリソ
グラフィおよび湿式エッチングにより、所定の形状にパ
ターニング形成する。
【0047】最後に、赤外線受光部と同一表面上から
(100)MgO基板51の特定領域にフォトリソグラ
フィで作製したエッチング用保護マスクを介して空洞5
6を湿式エッチング除去により形成する。このときのエ
ッチング液として、濃度10%、液温:80℃の燐酸を
用いる。その結果、エッチング時間70分の時、空洞の
大きさは水平方向:700μm、垂直方向:100μm
であることを確認している。
(100)MgO基板51の特定領域にフォトリソグラ
フィで作製したエッチング用保護マスクを介して空洞5
6を湿式エッチング除去により形成する。このときのエ
ッチング液として、濃度10%、液温:80℃の燐酸を
用いる。その結果、エッチング時間70分の時、空洞の
大きさは水平方向:700μm、垂直方向:100μm
であることを確認している。
【0048】以上のように、一枚の基板上に複数個の焦
電素子5を形成することができ、次にダイシングソーを
使って、焦電素子を切断分割する。
電素子5を形成することができ、次にダイシングソーを
使って、焦電素子を切断分割する。
【0049】切断分割された焦電素子5は、固定台4上
に熱硬化型樹脂(以下、ペーストとする)を介して実
装、固定される。続いて高抵抗6およびFET7がそれ
ぞれ固定台4上にペーストを介して実装、固定し、15
0℃の大気中で1時間ペーストを加熱硬化する。このと
き使用するペーストには導電性のものを用いる。次に固
定台4に実装されている焦電素子5、高抵抗6、FET
7およびリードピン8をそれぞれ電気的に接続する。本
実施例では、半導体あるいは一般電子部品の電気的接続
に用いられているワイヤーボンディングを採用した。
に熱硬化型樹脂(以下、ペーストとする)を介して実
装、固定される。続いて高抵抗6およびFET7がそれ
ぞれ固定台4上にペーストを介して実装、固定し、15
0℃の大気中で1時間ペーストを加熱硬化する。このと
き使用するペーストには導電性のものを用いる。次に固
定台4に実装されている焦電素子5、高抵抗6、FET
7およびリードピン8をそれぞれ電気的に接続する。本
実施例では、半導体あるいは一般電子部品の電気的接続
に用いられているワイヤーボンディングを採用した。
【0050】次に、封止体1と赤外線入射窓3とを共晶
半田を介して接着固定する。接着固定には一般的に樹脂
が用いられているが、封止体内部の雰囲気の安定性を考
慮すると、半田等の金属類を介しての接着固定が好まし
い。
半田を介して接着固定する。接着固定には一般的に樹脂
が用いられているが、封止体内部の雰囲気の安定性を考
慮すると、半田等の金属類を介しての接着固定が好まし
い。
【0051】最後に、低熱伝導ガスであるKrと5体積
%酸素の混合ガスが充填された容器内で赤外線入射窓3
を接着固定した封止体1と焦電素子5、高抵抗6および
FET7を実装された固定台4とを溶接し、気密封止を
施す。次に150℃で1時間熱処理を行い、封止体内部
に存在する酸素を活性化させ、封止体内部の構成体、特
に焦電素子および焦電素子部に空洞部分の表面の酸化を
促進しておく。
%酸素の混合ガスが充填された容器内で赤外線入射窓3
を接着固定した封止体1と焦電素子5、高抵抗6および
FET7を実装された固定台4とを溶接し、気密封止を
施す。次に150℃で1時間熱処理を行い、封止体内部
に存在する酸素を活性化させ、封止体内部の構成体、特
に焦電素子および焦電素子部に空洞部分の表面の酸化を
促進しておく。
【0052】上記のように本実施例によれば、空間9に
低熱伝導ガス10が封入されることにより、焦電素子5
から封止体内部の空間9への熱伝導を抑制することがで
きるためセンサ出力の高感度化を実現することができ
る。また、気密封止後、熱処理を施すことにより、積極
的に封止体内部に存在する酸素を活性化させることがで
きるので封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物を形
成し、同時にペーストを十分に加熱硬化していること
で、封止体内部の構造物からの脱ガスを抑えることがで
きるので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現
することができる。
低熱伝導ガス10が封入されることにより、焦電素子5
から封止体内部の空間9への熱伝導を抑制することがで
きるためセンサ出力の高感度化を実現することができ
る。また、気密封止後、熱処理を施すことにより、積極
的に封止体内部に存在する酸素を活性化させることがで
きるので封止体内部の構成体の表面に強固な酸化物を形
成し、同時にペーストを十分に加熱硬化していること
で、封止体内部の構造物からの脱ガスを抑えることがで
きるので動作雰囲気での安定したセンサ検知動作を実現
することができる。
【0053】なお、本実施例では、ペーストを150℃
の大気中で加熱硬化しているが、真空中で加熱硬化すれ
ば著しい効果が期待できる。
の大気中で加熱硬化しているが、真空中で加熱硬化すれ
ば著しい効果が期待できる。
【0054】また、本実施例では、空間9には低熱伝導
ガス10の主成分として、Krを用いているが、これは
Xe単体もしくはXeとKrの混合ガス、または実施の
形態2で記載したフロンガスの単体もしくはXe,Kr
等との混合ガスであっても同様の効果が得られる。ま
た、混合ガスの酸素濃度として5体積%のものを用いて
いるが、請求項9記載の条件であれば同様の効果が得ら
れる。特に上限値については限定はしないものの、K
r,Xeとの混合ガスの熱伝導率が窒素の熱伝導率の約
1/2程度になる濃度までがセンサ出力の高感度化が実
現できる点で好ましい。
ガス10の主成分として、Krを用いているが、これは
Xe単体もしくはXeとKrの混合ガス、または実施の
形態2で記載したフロンガスの単体もしくはXe,Kr
等との混合ガスであっても同様の効果が得られる。ま
た、混合ガスの酸素濃度として5体積%のものを用いて
いるが、請求項9記載の条件であれば同様の効果が得ら
れる。特に上限値については限定はしないものの、K
r,Xeとの混合ガスの熱伝導率が窒素の熱伝導率の約
1/2程度になる濃度までがセンサ出力の高感度化が実
現できる点で好ましい。
【0055】さらに、本実施例では焦電素子5の薄膜焦
電体53として、PbTiO3あるいはPb1-xLaxT
i1-x/4O3等を用いているが、前記焦電材料にMg,M
nを添加した材料であっても同様の効果が得られる。
電体53として、PbTiO3あるいはPb1-xLaxT
i1-x/4O3等を用いているが、前記焦電材料にMg,M
nを添加した材料であっても同様の効果が得られる。
【0056】(実施例2)本発明の第二の実施例におけ
る焦電型赤外線センサの構成およびその基本的な構造方
法は本発明の第一の実施例で示したものと同様である。
本発明の第一の実施例と異なる点は、封止体1の空間9
には大気圧以下の状態でガスが封入されていることであ
る。
る焦電型赤外線センサの構成およびその基本的な構造方
法は本発明の第一の実施例で示したものと同様である。
本発明の第一の実施例と異なる点は、封止体1の空間9
には大気圧以下の状態でガスが封入されていることであ
る。
【0057】以上のように構成された焦電型赤外線セン
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図7に示す。以下、図7に従って本発明の第一
の実施例と異なる製造方法について説明する。本実施例
の製造方法では、赤外線入射窓3を接着固定した封止体
1と焦電素子5、高抵抗6およびFET7を実装された
固定台4とを挿入した容器内を0.05Torr以下の
真空状態に保ち、それから容器内が一定の圧力になるよ
うに低熱伝導ガスであるKrと5体積%酸素の混合ガス
を充填し、封止体1と固定台4を溶接し、気密封止を施
す。
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図7に示す。以下、図7に従って本発明の第一
の実施例と異なる製造方法について説明する。本実施例
の製造方法では、赤外線入射窓3を接着固定した封止体
1と焦電素子5、高抵抗6およびFET7を実装された
固定台4とを挿入した容器内を0.05Torr以下の
真空状態に保ち、それから容器内が一定の圧力になるよ
うに低熱伝導ガスであるKrと5体積%酸素の混合ガス
を充填し、封止体1と固定台4を溶接し、気密封止を施
す。
【0058】上記のように本実施例によれば、大気圧以
下の状態ではガス分子が焦電体表面に衝突する絶対数が
減少するため、雰囲気ガスへの熱伝導が抑制されるため
センサ出力の高出力化が実現でき、また例えば1/10
に減圧することによりガスの使用量が1/10となり、
結果1/10の低コスト化が可能となる。さらに、気密
封止後、熱処理を施すことにより、積極的に封止体内部
に存在する酸素を活性化させることができるので封止体
内部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、同時にペ
ーストを十分に加熱硬化していることで、封止体内部の
構造物からの脱ガスを抑えることができるので圧力上昇
も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持する
ことが可能である。
下の状態ではガス分子が焦電体表面に衝突する絶対数が
減少するため、雰囲気ガスへの熱伝導が抑制されるため
センサ出力の高出力化が実現でき、また例えば1/10
に減圧することによりガスの使用量が1/10となり、
結果1/10の低コスト化が可能となる。さらに、気密
封止後、熱処理を施すことにより、積極的に封止体内部
に存在する酸素を活性化させることができるので封止体
内部の構成体の表面に強固な酸化物を形成し、同時にペ
ーストを十分に加熱硬化していることで、封止体内部の
構造物からの脱ガスを抑えることができるので圧力上昇
も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持する
ことが可能である。
【0059】(実施例3)本発明の第三の実施例におけ
る焦電型赤外線センサの構成およびその基本的な製造方
法は本発明の第一および第二の実施例で示したものと同
様である。本発明の第一および第二の実施例と異なる点
は、封止体1内部に吸着剤12を設けていることであ
る。
る焦電型赤外線センサの構成およびその基本的な製造方
法は本発明の第一および第二の実施例で示したものと同
様である。本発明の第一および第二の実施例と異なる点
は、封止体1内部に吸着剤12を設けていることであ
る。
【0060】以上のように構成された焦電型赤外線セン
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図8に示す。以下、図8に従って本発明の第一
および第二の実施例と異なる製造方法について説明す
る。本実施例の製造方法では、ペースト状の吸着剤12
を封止体1の側壁に塗布し、150℃の窒素もしくは真
空雰囲気で熱処理を施したものである。
サについて、本実施例における焦電型赤外線センサの製
造方法を図8に示す。以下、図8に従って本発明の第一
および第二の実施例と異なる製造方法について説明す
る。本実施例の製造方法では、ペースト状の吸着剤12
を封止体1の側壁に塗布し、150℃の窒素もしくは真
空雰囲気で熱処理を施したものである。
【0061】上記のように本実施例によれば、吸着剤に
より焦電体素子等の封止体内部の構造体から放出される
脱ガスを吸着するため、封止体内の脱ガスを抑えること
により、安定したセンサ検知動作を実現することができ
る。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上
昇も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持す
ることができる。
より焦電体素子等の封止体内部の構造体から放出される
脱ガスを吸着するため、封止体内の脱ガスを抑えること
により、安定したセンサ検知動作を実現することができ
る。さらに大気圧以下でのガス封止状態の場合、圧力上
昇も抑えることができるため大気圧以下の状態を維持す
ることができる。
【0062】なお、本実施例では吸着剤12として塗布
可能なペースト状のものを用いたが、固形状の吸着剤で
あっても同様の効果が十分得られる。また、吸着剤の位
置として封止体1の側壁としたが、固定台4もしくは封
止体内部のいずれの箇所であっても同様の効果が得られ
る。
可能なペースト状のものを用いたが、固形状の吸着剤で
あっても同様の効果が十分得られる。また、吸着剤の位
置として封止体1の側壁としたが、固定台4もしくは封
止体内部のいずれの箇所であっても同様の効果が得られ
る。
【0063】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、封止体に
低熱伝導ガスを主成分とするガスと酸素を混合したガス
を封入することにより、焦電素子から封止体雰囲気中へ
の熱拡散を抑制することによりセンサ出力の高感度化が
実現できると同時に、封止体内の脱ガスを抑えることに
より、安定したセンサ検知動作を実現することができる
という効果を得ることができる。
低熱伝導ガスを主成分とするガスと酸素を混合したガス
を封入することにより、焦電素子から封止体雰囲気中へ
の熱拡散を抑制することによりセンサ出力の高感度化が
実現できると同時に、封止体内の脱ガスを抑えることに
より、安定したセンサ検知動作を実現することができる
という効果を得ることができる。
【図1】本発明の実施の形態1による焦電型赤外線セン
サを示す概略図
サを示す概略図
【図2】本発明の実施の形態2による焦電型赤外線セン
サを示す概略図
サを示す概略図
【図3】本発明の実施の形態3による封入ガス圧とセン
サ出力の関係を示す特性図
サ出力の関係を示す特性図
【図4】本発明の実施の形態4による焦電型赤外線セン
サを示す概略図
サを示す概略図
【図5】本発明の焦電型赤外線センサを構成する焦電素
子5の詳細部分を示す概略図
子5の詳細部分を示す概略図
【図6】本発明の実施例1における焦電型赤外線センサ
の製造方法を示した工程図
の製造方法を示した工程図
【図7】本発明の実施例2における焦電型赤外線センサ
の製造方法を示した工程図
の製造方法を示した工程図
【図8】本発明の実施例3における焦電型赤外線センサ
の製造方法を示した工程図
の製造方法を示した工程図
【図9】従来の焦電型赤外線センサを示す概略図
1 封止体 2 開口部 3 赤外線入射窓 4 固定台 5 焦電素子 6 高抵抗 7 FET 8 リードピン 9 空間 10 低熱伝導ガス(Kr,Xe+酸素) 11 低熱伝導ガス(フロン+酸素) 12 吸着剤 13 窒素 51 基板 52 第一の電極 53 薄膜焦電体 54 第二の電極 55 層間絶縁膜 56 空洞
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小牧 一樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 増谷 武 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 野村 幸治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項1】 開口部を有する封止体と、前記開口部に
封着された赤外線入射窓と、前記封止体に内蔵された焦
電素子と、前記焦電素子を実装する固定部より構成さ
れ、前記封止体は低熱伝導ガスと酸素を混合する雰囲気
からなる焦電型赤外線センサ。 - 【請求項2】 焦電素子は、基板と、前記基板上に設け
られた第一の電極と前記第一の電極上に設けられた配向
性薄膜焦電体と、前記配向性薄膜焦電体上に設けられた
第二の電極を具備し、前記配向性薄膜焦電体と対向する
前記基板表層部の一部に空洞を備えた請求項1記載の焦
電型赤外線センサ。 - 【請求項3】 基板が、酸化マグネシウムからなる請求
項2記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項4】 配向性薄膜焦電体は、PbTiO3を主
成分とする請求項2記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項5】 配向性薄膜焦電体は、La,Mgあるい
はMnの単体、もしくはこれら混合物を添加するPbT
iO3を主成分とする請求項2記載の焦電型赤外線セン
サ。 - 【請求項6】 封止体の雰囲気は、Xe,Krまたはフ
ロンそれぞれ単体、もしくはこれら混合体を主成分とす
るガスと酸素との混合体からなる請求項1記載の焦電型
赤外線センサ。 - 【請求項7】 フロンガスとしてHCFC系を主成分と
する請求項6記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項8】 フロンガスとしてCF3I系を主成分と
する請求項6記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項9】 雰囲気中の酸素は、2体積%以上の濃度
からなる請求項1記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項10】 封止体には、大気圧以下でガスが封入
されている請求項1記載の焦電型赤外線センサ。 - 【請求項11】 封止体内部で放出される脱ガスを吸着
するための吸着剤を設けている請求項1記載の焦電型赤
外線センサ。 - 【請求項12】 焦電素子と固定部は、金属もしくは酸
化物の単体、あるいはこれら混合物を含有した熱硬化型
樹脂を介して実装、固定される請求項1記載の焦電型赤
外線センサの製造方法。 - 【請求項13】 熱硬化型樹脂は、100℃以上180
℃以下の大気雰囲気で加熱硬化する請求項12記載の焦
電型赤外線センサの製造方法。 - 【請求項14】 熱硬化型樹脂は、100℃以上180
℃以下の真空雰囲気で加熱硬化する請求項12記載の焦
電型赤外線センサの製造方法。 - 【請求項15】 封止体と固定部とが接着され気密状態
を保持した後、150℃以上で熱処理する請求項1記載
の焦電型赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030966A JPH11230825A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 焦電型赤外線センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030966A JPH11230825A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 焦電型赤外線センサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11230825A true JPH11230825A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12318422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10030966A Pending JPH11230825A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 焦電型赤外線センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11230825A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073721A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 真空パッケージおよびその製造方法 |
| JP2010169520A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Nippon Ceramic Co Ltd | 焦電型赤外線検出器 |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP10030966A patent/JPH11230825A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073721A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 真空パッケージおよびその製造方法 |
| JP2010169520A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Nippon Ceramic Co Ltd | 焦電型赤外線検出器 |
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