JPH11231060A - コンピュータ断層撮影装置用シンチレータ及びその製造方法 - Google Patents

コンピュータ断層撮影装置用シンチレータ及びその製造方法

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JPH11231060A
JPH11231060A JP32481398A JP32481398A JPH11231060A JP H11231060 A JPH11231060 A JP H11231060A JP 32481398 A JP32481398 A JP 32481398A JP 32481398 A JP32481398 A JP 32481398A JP H11231060 A JPH11231060 A JP H11231060A
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bar
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cutting
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ロバート・ジョセフ・リードナー
Erdogan D Gurmer
アードガン・ディー・ガーマー
David Michael Hoffman
デイヴィッド・マイケル・ホフマン
August Otto Englert
オーガスト・オットー・エングラート
Timothy J Sporer
ティモシィ・ジェイ・スポーラー
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    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 分解能の高いCT装置用シンチレータを提供
する。 【解決手段】 互いに隣接したシンチレータ素子(2
4)がギャップ(28、32)によって分離され、ギャ
ップは白色の拡散反射材、光吸収剤及び注型可能な重合
体から成る組成物で充填される。組成物は、シンチレー
タ素子から失われる光の量を低減させることによってホ
トダイオードに供給される信号の強度を増大させる。ま
た、光吸収剤は互いに隣接したシンチレータ素子間にお
いて移行する光の量を低減させて漏話を制限する。更に
また、外周から失われる光を補償するためにより少ない
量の光吸収剤をシンチレータの外縁に配置することもで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ断層撮
影(CT)技術に関するものであって、更に詳しく言え
ば、CT装置に関連して使用される検出器に関する。
【0002】
【発明の背景】少なくとも一部のコンピュータ断層撮影
(CT)装置構成においては、X線源から投射された扇
形ビームは(一般に「撮影平面」と呼ばれる)直交座標
系のX−Y平面内に位置するように平行化される。この
X線ビームは撮影すべき対象物(たとえば患者)を通過
する。対象物によって減衰させられた後、X線ビームは
放射線検出器アレイに入射する。検出器アレイによって
受光されるX線ビームの強度は、対象物によるX線ビー
ムの減衰度に依存する。アレイ中の各々の検出器素子は
独立の電気信号を生じるが、この電気信号はその検出器
位置におけるX線ビーム減衰度の測定値である。全ての
検出器素子からの減衰度測定値を独立に収集することに
よって透過率分布が求められる。
【0003】公知の第三世代CT装置においては、X線
源及び検出器アレイは撮影平面内かつ撮影すべき対象物
の周囲でガントリーと共に回転する。その結果、X線ビ
ームが対象物を横切る角度は絶えず変化する。通例、X
線源はX線管を含んでいて、それは焦点からX線ビーム
を放射する。また、X線検出器は受光されたX線ビーム
を平行化するためのコリメータ、コリメータに隣接した
シンチレータ、及びシンチレータに隣接したホトダイオ
ードを通例含んでいる。
【0004】1回の走査に際してより多数の断面に関す
るデータを得るためにはマルチスライスCT装置が使用
される。公知のマルチスライスCT装置は、通例、一般
に三次元(3D)検出器として知られる検出器を含んで
いる。かかる三次元検出器においては、多数の検出器セ
ルが複数の行及び列を成して配列された独立のチャネル
を形成している。
【0005】三次元検出器用のシンチレータは、約1×
2×3mmの寸法を持ったシンチレータ素子を含むこと
がある。その場合、互いに隣接する素子間のギャップは
僅か数ミル(たとえば、約0.004インチ)という小
さい値を有する。かかる素子が小さい寸法を有すると共
に互いに近接している結果、それらの製造は困難であ
る。また、使用に際しては、1個のシンチレータ素子に
入射する信号が上方に反射したり、あるいは隣接する素
子に入射したりする結果、漏話や分解能の低下のごとき
不都合を生じることもある。更にまた、かかる小さなシ
ンチレータ素子の場合、発生する光学的信号の強度も小
さいことがあり、かつ生じる損失が信号の品質を顕著に
低下させることもある。
【0006】このようなわけで、素子から失われる光の
量を低減させることによってホトダイオードに供給され
る光学的信号の強度を増大させるようなシンチレータ素
子を提供することは望ましいものである。また、空間分
解能の増大したシンチレータ素子を提供することも望ま
しいものである。更にまた、互いに隣接する素子間にお
いて移行する光の量を低減させるために光吸収剤を含ん
だシンチレータ素子を提供することも望ましいものであ
る。
【0007】
【発明の概要】上記及びその他の目的は、互いに隣接す
る素子間にギャップを有するアレイを成して配列された
複数のシンチレータ素子を含むシンチレータによって達
成することができる。上記のギャップは、反射材、光吸
収剤及び注型可能な重合体から成る組成物で充填され
る。実施の一態様に従えば、上記のギャップは白色の高
度拡散反射材である二酸化チタンと注型可能なエポキシ
樹脂とから成る組成物で充填される。かかる組成物は素
子の外部に反射される光の量を低減させ、そしてシンチ
レータ素子に隣接して配置されたホトダイオードに伝達
される信号の強度を増大させる。
【0008】実施の一態様に従ってシンチレータを製造
するためには、複数のシンチレータから成る堆積物が一
時的に結合され、次いでかかる前記堆積物を切断するこ
とによって第1の棒材堆積物が得られる。第1の棒材堆
積物を個々の棒材に分離した後、棒材間にギャップを設
けながら取付具上に棒材が配置される。かかるギャップ
を反射材で充填することによって二次元アレイが形成さ
れる。反射材を硬化させた後、複数のアレイを堆積して
切断することによって複数の第2の棒材堆積物が得られ
る。第2の棒材堆積物が個々の第2の棒材に分離され、
そして第2の棒材間にギャップを設けながら取付具上に
配置される。かかるギャップを反射材で充填することに
より、実施の一態様に従えば256個のシンチレータ素
子を含む三次元シンチレータアレイが形成される。
【0009】上記のシンチレータは、シンチレータ素子
から失われる光の量を低減させることによってホトダイ
オードにより高い強度の信号を供給する。更にまた、上
記のシンチレータは、互いに隣接するシンチレータ素子
間において移行する光の量を低減させるために光吸収剤
をも含む。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、第1のギャップ28及び
第2のギャップ32を有するアレイを成すように配列さ
れた複数のシンチレータ素子24を含むシンチレータ2
0の斜視図である。シンチレータ素子24は、たとえ
ば、多結晶質セラミックシンチレータ材料又は単結晶シ
ンチレータ材料から形成される。空間分解能を高めると
共に、各々のシンチレータ素子24に隣接して配置され
たホトダイオードに供給される信号の強度を高めるた
め、ギャップ28及び32は反射材36で充填されてい
る。ギャップ28及び32の幅は約0.5〜6ミルの範
囲内にある。シンチレータ素子24の互いに隣接した表
面上に反射材36が注型されている結果、シンチレータ
素子24によって生じた光信号の不適正な反射は減少す
る。実施の一態様に従えば、光に対して高い反射率及び
低い吸収率を有する反射体を得るため、反射材36は
銀、アルミニウム及び金の中から選ばれる。別の実施の
態様に従えば、反射材36はたとえば二酸化チタン(T
iO2 )と注型可能な重合体とから成る組成物をはじめ
とする白色の高度拡散反射材である。反射材36を構成
する組成物は、約20〜70重量%のTiO2 と注型可
能なエポキシ樹脂とから成る。更に別の実施の態様に従
えば、シンチレータ素子24間の漏話を低減させるた
め、たとえば酸化クロム(Cr2 3 )のごとき光吸収
剤を組成物に添加することもできる。
【0011】感光性シンチレータ20を製造するために
は、図2及び3について述べれば、所定の厚さT(たと
えば3mm)に達するまで薄いシンチレータ・ウェーハ
100に研削又はラップ仕上が施される。次いで、低融
点の接着剤又はその他の一時接着剤を用いてウェーハ1
00同士を一時的に結合することによって堆積物104
が形成される。内径(ID)のこ又はワイヤソー(図示
せず)を用いてかかる堆積物104を切断することによ
り、第1の棒材堆積物108が得られる。実施の一態様
に従えば、第1の棒材堆積物108は内径のこ(図示せ
ず)を用いて切出される。内径のこは内周切刃を持った
のこ刃を具備するものであって、幅約1mmの第1の棒
材堆積物108を正確に切出すために使用される。第1
の棒材堆積物108を切出した後、一時接着剤による結
合を破壊することにより、第1の棒材堆積物108が個
々の棒材112に分離される。
【0012】次に図4及び5について述べれば、個々の
棒材112が取付具(図示せず)上に配置され、そして
アレイ114を成すようにして固定される。その際に
は、棒材112を互いに離隔させることによってギャッ
プ28が設けられる。実施の一態様に従えば、幅約4ミ
ルのギャップ28を有するようにして16本の棒材が取
付具上に配置される。ギャップ28を反射材36で充填
し、そして棒材112の互いに隣接する表面上で反射材
36を硬化させた後、アレイ114が取付具から除去さ
れる。次いで、複数(たとえば10個)の結合されたア
レイ114を堆積することによって第2の堆積物116
が形成される。第1の棒材堆積物108と同様にして、
しかし棒材112の長手方向に対して垂直な方向に第2
の堆積物116を切断することにより、第2の棒材堆積
物120が得られる。実施の一態様に従えば、第2の棒
材堆積物120は2mmの幅を有する。第2の棒材堆積
物120を個々の第2の棒材122に分離した後、第2
の棒材122が取付具(図示せず)上に配置される。そ
の際には、第2の棒材122を互いに離隔させることに
よってギャップ32が設けられる。図6に示されるよう
な実施の一態様に従えば、ギャップ28と同じ幅のギャ
ップ32を有するようにして16本の第2の棒材が取付
具上に配置される。アレイを成すように固定した後、ギ
ャップ28と同様にしてギャップ32が注型反射材36
で充填される。反射材36を硬化させ、かつ外周にも反
射材36を注型した後、シンチレータ素子24を含む完
成したシンチレータ20が取付具から除去される。
【0013】実施の一態様に従えば、ウェーハ100は
50mm平方の大きさ及び少なくとも3mmの厚さを有
し、そして完成後のシンチレータ素子24は3mmの高
さ、2mmの長さ、及び1mmの幅を有する。勿論、様
々な実施の態様が可能である。たとえば、厚さ1mmの
ウェーハ100から幅3mmの棒材112を切出し、次
いで第2の切断工程によって幅2mmの第2の棒材12
2を得ることもできる。こうして得られたシンチレータ
素子24も上記と同じ寸法を有するはずである。
【0014】図7に示された別の実施の態様に従えば、
シンチレータ150に含まれるシンチレータ素子のう
ち、周囲に8個の隣接素子を有するシンチレータ素子は
内部素子154と呼ばれ、またそれ以外の全てのシンチ
レータ素子は縁端素子158と呼ばれる。縁端素子15
8の外周に隣接して第2の反射材200が注型される点
を除けば、シンチレータ150はシンチレータ20と全
く同様にして製造される。第2の反射材200の組成
は、反射材36よりも少ない量の光吸収剤(たとえば、
酸化クロム)を含有するものである。第2の反射材20
0中における光吸収剤の含量が少ない結果、縁端素子1
58は内部素子154よりも高い強度の信号を生じる。
かかる高い強度の信号は、シンチレータ150の縁端に
おいて失われる光を補償することによって一様性を向上
させる。
【0015】上記のごとき装置及び方法に従えば、ホト
ダイオードに向かって反射される光の量を増加させるこ
とにより、外周においてホトダイオードに供給される信
号を増大させるようなシンチレータが製造される。ま
た、互いに隣接したシンチレータ素子間において移行す
る光の量を低減させるため、本発明のシンチレータは光
吸収剤を含有する。更にまた、本発明のシンチレータは
外側の素子の利得変動を補償し、それによってシンチレ
ータからの光出力の一様性を向上させる。
【0016】本発明の若干の実施の態様に関する上記の
説明によれば、本発明の目的が達成されることは明らか
である。上記に本発明が詳しく記載されているとは言
え、その説明は本発明の例示を目的としたものに過ぎな
いのであって、本発明の範囲を制限するものと解すべき
でない。従って、本発明の範囲はもっぱら前記特許請求
の範囲によって制限されることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】複数のシンチレータ素子を含むシンチレータの
斜視図である。
【図2】シンチレータ・ウェーハの堆積物の斜視図であ
る。
【図3】図2に示された堆積物から切出された第1の棒
材堆積物の斜視図である。
【図4】図3に示された第1の棒材堆積物を第1の棒材
に分離してからギャップを反射材で充填することによっ
て得られたアレイの斜視図である。
【図5】図4に示されたアレイの堆積物から切出された
第2の棒材堆積物の斜視図である。
【図6】第2の注型工程後におけるアレイの斜視図であ
る。
【図7】図1に示されたシンチレータの別の具体例を示
す斜視図であって、外側の反射材が異なる組成を有する
場合を示している。
【符号の説明】
20 シンチレータ 24 シンチレータ素子 28 第1のギャップ 32 第2のギャップ 36 反射材 100 シンチレータ・ウェーハ 104 堆積物 108 第1の棒材堆積物 112 棒材 114 アレイ 116 第2の堆積物 120 第2の棒材堆積物 122 第2の棒材 150 シンチレータ 154 シンチレータ素子 158 縁端素子 200 第2の反射材
フロントページの続き (72)発明者 アードガン・ディー・ガーマー アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、ノース・メリーランド・アヴ ェニュー、4304番 (72)発明者 デイヴィッド・マイケル・ホフマン アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ニュ ー・バーリン、サニービュー・ドライブ、 13311番 (72)発明者 オーガスト・オットー・エングラート アメリカ合衆国、フロリダ州、ケイプ・コ ーラル、サウス・イースト・36ティーエイ チ・テラス、1901番 (72)発明者 ティモシィ・ジェイ・スポーラー アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、マス ケーゴ、ヘイブン・ドライブ、エス80・ダ ブリュ17433

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アレイを成して配列された複数のシンチ
    レータ素子と、互いに隣接する素子間に配置された反射
    材とを含むことを特徴とするコンピュータ断層撮影装置
    用シンチレータ。
  2. 【請求項2】 前記反射材が銀、アルミニウム及び金の
    うちの少なくとも1つから成る請求項1記載のシンチレ
    ータ。
  3. 【請求項3】 前記反射材が低い吸収率を有する請求項
    1記載のシンチレータ。
  4. 【請求項4】 前記反射材が白色の拡散反射材である請
    求項1記載のシンチレータ。
  5. 【請求項5】 前記白色の拡散反射材がTiO2 と注型
    可能な重合体とから成る組成物である請求項4記載のシ
    ンチレータ。
  6. 【請求項6】 前記組成物が約20〜70重量%のTi
    2 を含有する請求項5記載のシンチレータ。
  7. 【請求項7】 前記注型可能な重合体が光吸収剤を含有
    する請求項5記載のシンチレータ。
  8. 【請求項8】 前記光吸収剤が酸化クロムから成る請求
    項7記載のシンチレータ。
  9. 【請求項9】 前記注型可能な重合体がエポキシ樹脂で
    ある請求項5記載のシンチレータ。
  10. 【請求項10】 前記反射材が約0.5〜6ミルの範囲
    内の厚さを有する請求項1記載のシンチレータ。
  11. 【請求項11】 複数のシンチレータを結合して堆積物
    を形成する工程と、前記堆積物を切断して複数の第1の
    棒材堆積物を得る工程と、を含むことを特徴とするコン
    ピュータ断層撮影装置用シンチレータの製造方法。
  12. 【請求項12】 各々のシンチレータが所定の厚さを有
    する請求項11記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記所定の厚さが約3mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約1mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記所定の厚さが約1mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約3mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記所定の厚さが約1mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約2mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記所定の厚さが約2mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約1mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記所定の厚さが約3mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約2mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記所定の厚さが約2mmであり、か
    つ前記堆積物を切断して複数の第1の棒材堆積物を得る
    前記工程が前記堆積物を約3mm間隔で切断することか
    ら成る請求項11記載の方法。
  19. 【請求項19】 更に、前記第1の棒材堆積物を個々の
    棒材に分離する工程、前記棒材間にギャップを設けなが
    ら前記棒材を取付具上に配置する工程、及び前記ギャッ
    プ中に反射材を注型して棒材アレイを形成する工程を含
    んでいる請求項11記載の方法。
  20. 【請求項20】 更に、複数の棒材アレイを結合して第
    2の堆積物を形成する工程、前記第2の堆積物を切断し
    て約2mmの第2の棒材を得る工程、前記第2の棒材間
    にギャップを設けながら前記第2の棒材を取付具上に配
    置する工程、並びに前記ギャップ中及び前記第2の棒材
    の外周上に反射材を注型する工程を含んでいる請求項1
    9記載の方法。
  21. 【請求項21】 更に、複数の棒材アレイを結合して第
    2の堆積物を形成する工程、前記第2の堆積物を切断し
    て約3mmの第2の棒材を得る工程、前記第2の棒材間
    にギャップを設けながら前記第2の棒材を取付具上に配
    置する工程、並びに前記ギャップ中及び前記第2の棒材
    の外周上に反射材を注型する工程を含んでいる請求項1
    9記載の方法。
  22. 【請求項22】 更に、複数の棒材アレイを結合して第
    2の堆積物を形成する工程、前記第2の堆積物を切断し
    て約1mmの第2の棒材を得る工程、前記第2の棒材間
    にギャップを設けながら前記第2の棒材を取付具上に配
    置する工程、並びに前記ギャップ中及び前記第2の棒材
    の外周上に反射材を注型する工程を含んでいる請求項1
    9記載の方法。
  23. 【請求項23】 アレイを成して配列された複数のシン
    チレータ素子と、前記アレイの縁端素子の外周に隣接し
    て配置された反射材とを含むことを特徴とするコンピュ
    ータ断層撮影装置用シンチレータ。
  24. 【請求項24】 更に、互いに隣接する素子間に配置さ
    れた反射材を含んでいる請求項23記載のシンチレー
    タ。
  25. 【請求項25】 縁端素子の外周に隣接して配置された
    前記反射材及び互いに隣接する素子間に配置された前記
    反射材が、TiO2 、光吸収剤としての酸化クロム、及
    び注型可能な重合体から成る組成物である請求項24記
    載のシンチレータ。
  26. 【請求項26】 縁端素子の外周に隣接して配置された
    前記反射材中の酸化クロムが、互いに隣接する素子間に
    配置された前記反射材中の酸化クロムより少ない請求項
    25記載のシンチレータ。
JP32481398A 1997-11-26 1998-11-16 コンピュータ断層撮影装置用シンチレータの製造方法 Expired - Fee Related JP4215318B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011501118A (ja) * 2007-10-10 2011-01-06 コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ 撮像装置用シンチレータ、シンチレータモジュール、該シンチレータ付き撮像装置およびシンチレータ製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19934768A1 (de) 1999-07-23 2001-01-25 Philips Corp Intellectual Pty Detektor zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung
US6749761B1 (en) * 2000-10-10 2004-06-15 Cti Pet Systems, Inc. Method for producing a high resolution detector array
US6479824B1 (en) 2000-11-08 2002-11-12 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Scintillator arrays for CT imaging and other applications
DE10121018A1 (de) * 2001-04-28 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Hybride zweidimensionale Szintillatoranordnung
US6519313B2 (en) * 2001-05-30 2003-02-11 General Electric Company High-Z cast reflector compositions and method of manufacture
US6654443B1 (en) 2002-02-25 2003-11-25 Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc Thermal sensing detector cell for a computed tomography system and method of manufacturing same
US6775348B2 (en) * 2002-02-27 2004-08-10 General Electric Company Fiber optic scintillator with optical gain for a computed tomography system and method of manufacturing same
DE10211948A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-09 Siemens Ag Detektor für Röntgen-Computertomographen
US6979826B2 (en) * 2002-07-29 2005-12-27 Ge Medical Systems Global Technology Company Llc Scintillator geometry for enhanced radiation detection and reduced error sensitivity
US6947517B2 (en) * 2003-03-03 2005-09-20 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Scintillator array having a reflector with integrated air gaps
US6933504B2 (en) * 2003-03-12 2005-08-23 General Electric Company CT detector having a segmented optical coupler and method of manufacturing same
US6859514B2 (en) * 2003-03-14 2005-02-22 Ge Medical Systems Global Technology Company Llc CT detector array with uniform cross-talk
US7054408B2 (en) * 2003-04-30 2006-05-30 General Electric Company CT detector array having non pixelated scintillator array
US7408164B2 (en) * 2003-05-20 2008-08-05 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Detector array utilizing air gaps as a reflector between array elements
US7019297B2 (en) * 2003-05-20 2006-03-28 Cti Pet Systems, Inc. Detector array using internalized light sharing and air coupling
US20050229838A1 (en) * 2003-07-07 2005-10-20 Lyons Robert J Aircraft secondary electric load controlling system
US7099429B2 (en) * 2003-10-06 2006-08-29 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Scintillator arrays for radiation detectors and methods of manufacture
US7166849B2 (en) * 2004-08-09 2007-01-23 General Electric Company Scintillator array for use in a CT imaging system and method for making the scintillator array
DE102009004120A1 (de) * 2009-01-08 2010-07-15 Siemens Aktiengesellschaft Herstellungsverfahren für eine Sensoreinheit eines Röntgendetektors
DE102009004119A1 (de) * 2009-01-08 2010-07-15 Siemens Aktiengesellschaft Sensoreinheit für einen Röntgendetektor und zugehöriges Fertigungsverfahren
US8373132B2 (en) * 2009-02-06 2013-02-12 Koninklijke Philips Electronics N. V. Radiation detector with a stack of scintillator elements and photodiode arrays
CN105676258B (zh) * 2009-10-07 2019-03-22 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 检测目标辐射的系统和方法
CN102985845B (zh) * 2010-07-06 2015-11-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于产生具有银(Ag)基间隙的闪烁体阵列的方法
US8598529B2 (en) 2010-08-30 2013-12-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detection system including an array of scintillator elements and processes of forming the same
WO2012030737A2 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detection system including an array of scintillator elements and processes of forming the same
JP6145248B2 (ja) * 2011-12-28 2017-06-07 学校法人早稲田大学 放射線検出器
JP5854128B2 (ja) * 2012-03-30 2016-02-09 日立金属株式会社 シンチレータデュアルアレイの製造方法
CN104903745B (zh) 2013-01-08 2018-07-24 斯基恩特-X公司 包含多层涂层的x射线闪烁体
US20150216490A1 (en) * 2014-01-31 2015-08-06 Ascension Technology Corporation Radiolucent Transmitters for Magnetic Position Measurement Systems
JP2016177009A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 東芝メディカルシステムズ株式会社 反射材、シンチレータアレイ、シンチレータアレイの製造方法、および放射線検出器
WO2017111681A1 (en) 2015-12-22 2017-06-29 Scint-X Ab A scintillator, scintillator assembly, x-ray detector and x-ray imaging system and a method for manufacturing a scintillator
CN114966813A (zh) * 2022-05-26 2022-08-30 西安交通大学 一种可用于快中子束流大面积成像的阵列型结构探测器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041228A (en) * 1956-11-26 1962-06-26 I J Mccullough Method of making luminescent screens
JPS59154407A (ja) * 1983-02-22 1984-09-03 Sumitomo Electric Ind Ltd イメ−ジフアイバ
US4533489A (en) * 1983-12-07 1985-08-06 Harshaw/Filtrol Partnership Formable light reflective compositions
JP2918003B2 (ja) 1991-03-20 1999-07-12 信越化学工業株式会社 放射線検出器用シンチレータブロック
US5059800A (en) * 1991-04-19 1991-10-22 General Electric Company Two dimensional mosaic scintillation detector
US5378894A (en) * 1991-12-11 1995-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray detector including scintillator channel separator capable of improving sensitivity of X-ray detector
JP2565278B2 (ja) * 1992-03-31 1996-12-18 株式会社島津製作所 放射線検出器
DE4433132C2 (de) * 1994-09-16 1999-02-11 Siemens Ag Szintillator eines Strahlungswandlers der eine Nadelstruktur aufweist
JP3332200B2 (ja) 1995-11-29 2002-10-07 日立金属株式会社 X線ct用放射線検出器
US5866908A (en) * 1996-02-20 1999-02-02 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Reflector compensation for scintillator array with low temperature expansion

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011501118A (ja) * 2007-10-10 2011-01-06 コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ 撮像装置用シンチレータ、シンチレータモジュール、該シンチレータ付き撮像装置およびシンチレータ製造方法

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