JPH11231507A - マスクの検査方法及びマスクの検査装置 - Google Patents
マスクの検査方法及びマスクの検査装置Info
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- JPH11231507A JPH11231507A JP3736498A JP3736498A JPH11231507A JP H11231507 A JPH11231507 A JP H11231507A JP 3736498 A JP3736498 A JP 3736498A JP 3736498 A JP3736498 A JP 3736498A JP H11231507 A JPH11231507 A JP H11231507A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 84
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 328
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 94
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 92
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 87
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接効果補正したマスクパターン検査におい
て、修正した微細パターン以外のパターン部分の検査感
度を落とさずに検査可能なマスクの検査方法を提供す
る。 【解決手段】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データ１００と、マスクパターン設計データに
より作成されたマスクのパターンデータ２００とを比較
して当該マスクパターンを検査するに際し、マスクパタ
ーン設計データ１００とマスクのパターンデータ２００
との差分値を演算するに際し、当該パターンデータ２０
０に対して、予め定められた所定の幅だけ拡大した第１
の検査領域Ｂ１とマスクのパターンデータ２００の全検
査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域
Ｂ２とを設定し第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ
２で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの
検査方法。
て、修正した微細パターン以外のパターン部分の検査感
度を落とさずに検査可能なマスクの検査方法を提供す
る。 【解決手段】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データ１００と、マスクパターン設計データに
より作成されたマスクのパターンデータ２００とを比較
して当該マスクパターンを検査するに際し、マスクパタ
ーン設計データ１００とマスクのパターンデータ２００
との差分値を演算するに際し、当該パターンデータ２０
０に対して、予め定められた所定の幅だけ拡大した第１
の検査領域Ｂ１とマスクのパターンデータ２００の全検
査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域
Ｂ２とを設定し第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ
２で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの
検査方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクの検査方法及
びマスクの検査装置に関するものであり、特に詳しく
は、近接効果補正方法により作成されたマスクに於ける
マスクパターンに付いて正確な検査を行う事が出来るマ
スクの検査方法及びその装置に関するものである。
びマスクの検査装置に関するものであり、特に詳しく
は、近接効果補正方法により作成されたマスクに於ける
マスクパターンに付いて正確な検査を行う事が出来るマ
スクの検査方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、近接効果補正方法を使用して
微細なパターンを有するマスクを製造する方法が採用さ
れており、又係る方法によって作成されたマスクのパタ
ーンを検査する方法も多くの方法が提案されてきてい
る。処で、半導体装置製造プロセスの露光工程ではパタ
ーン寸法が微細になるにつれてパターン間の近接効果に
よりパターン寸法の誤差が増大しており、この対策とし
てマスクパターンの角部分を微細パターンで修正した近
接効果補正マスクの使用が検討されている。
微細なパターンを有するマスクを製造する方法が採用さ
れており、又係る方法によって作成されたマスクのパタ
ーンを検査する方法も多くの方法が提案されてきてい
る。処で、半導体装置製造プロセスの露光工程ではパタ
ーン寸法が微細になるにつれてパターン間の近接効果に
よりパターン寸法の誤差が増大しており、この対策とし
てマスクパターンの角部分を微細パターンで修正した近
接効果補正マスクの使用が検討されている。
【０００３】このような近接効果補正マスクは、修正し
た部分に微細な凹凸が出来る。マスク製造プロセスの解
像度限界ために、修正した部分の出来上がりパターンの
形状と設計パターンの形状との差が大きくなる。その
為、出来上がりのマスクに於けるパターン形状と設計パ
ターン形状の差を検査するマスクパターン検査において
は、近接効果補正をした部分での差が大きいために、正
常部分が欠陥として検出されやすくなるため、近接効果
補正が施されていないマスクに比べて検査感度を落とす
必要があった。
た部分に微細な凹凸が出来る。マスク製造プロセスの解
像度限界ために、修正した部分の出来上がりパターンの
形状と設計パターンの形状との差が大きくなる。その
為、出来上がりのマスクに於けるパターン形状と設計パ
ターン形状の差を検査するマスクパターン検査において
は、近接効果補正をした部分での差が大きいために、正
常部分が欠陥として検出されやすくなるため、近接効果
補正が施されていないマスクに比べて検査感度を落とす
必要があった。
【０００４】またマスク上に同一パターンが複数存在す
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合では、微細パターンで
修正した部分の出来上がりは両パターンで同じ様な形状
となるが、微細な凹凸パターンでは製造ばらつきが大き
くなるため、両パターン間で出来上がりパターンの形状
差が大きくなり易く、検査感度を落とす必要があった。
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合では、微細パターンで
修正した部分の出来上がりは両パターンで同じ様な形状
となるが、微細な凹凸パターンでは製造ばらつきが大き
くなるため、両パターン間で出来上がりパターンの形状
差が大きくなり易く、検査感度を落とす必要があった。
【０００５】一方、特開平８−１６０５９８号公報に
は、マスクパターンの検査方法が開示されているが、当
該公報のマスクパターン検査方法に於いては、予め光近
接効果補正前のマスクパターン設計データより異常補正
検出用検査データを作成しておき、当該マスクのマスク
パターンと当該検査データとを照合して異常補正部分を
検出する事を示しているに過ぎず、マスクのマスクパタ
ーンの特定の部分とそれ以外の部分に於ける検査感度を
変化させる技術に関しては全く開示がない。
は、マスクパターンの検査方法が開示されているが、当
該公報のマスクパターン検査方法に於いては、予め光近
接効果補正前のマスクパターン設計データより異常補正
検出用検査データを作成しておき、当該マスクのマスク
パターンと当該検査データとを照合して異常補正部分を
検出する事を示しているに過ぎず、マスクのマスクパタ
ーンの特定の部分とそれ以外の部分に於ける検査感度を
変化させる技術に関しては全く開示がない。
【０００６】又特開昭６０−１１７６２２号公報には、
露光条件及びパターンの大きさに応じて各パターンの中
心線上でのエネルギー強度が所定のしきい値となる時点
のパターン幅と描画パターン幅との差を求め、当該差分
値を拡大したパターンデータの間隔から検査をする方法
が示されているに過ぎず、検査感度を調整する方法に関
しては開示がない。
露光条件及びパターンの大きさに応じて各パターンの中
心線上でのエネルギー強度が所定のしきい値となる時点
のパターン幅と描画パターン幅との差を求め、当該差分
値を拡大したパターンデータの間隔から検査をする方法
が示されているに過ぎず、検査感度を調整する方法に関
しては開示がない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、近接効果補正したマスク
のパターン検査において、修正したパターン部分とそれ
以外のパターン部分を別々に検査することで、修正した
微細パターン以外のパターン部分の検査感度を落とさず
に検査可能とする事が可能なマスクの検査方法及びその
装置を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、近接効果補正したマスク
のパターン検査において、修正したパターン部分とそれ
以外のパターン部分を別々に検査することで、修正した
微細パターン以外のパターン部分の検査感度を落とさず
に検査可能とする事が可能なマスクの検査方法及びその
装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、予め定められ
た所定の幅だけ拡大した第１の検査領域と当該マスクの
パターンデータの全検査領域から当該第１の検査領域を
除いた第２の検査領域とを設定し、当該第１の検査領域
と第２の検査領域で互いに異なる検査感度を適用して検
査するマスクの検査方法であり、又第２の態様として
は、当該近接効果補正したマスクパターン設計データ
は、近接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当
該マスクパターン部分の一部から減算された１乃至複数
個の微細パターンのパターンデータとで構成されている
マスクの検査方法である。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、予め定められ
た所定の幅だけ拡大した第１の検査領域と当該マスクの
パターンデータの全検査領域から当該第１の検査領域を
除いた第２の検査領域とを設定し、当該第１の検査領域
と第２の検査領域で互いに異なる検査感度を適用して検
査するマスクの検査方法であり、又第２の態様として
は、当該近接効果補正したマスクパターン設計データ
は、近接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当
該マスクパターン部分の一部から減算された１乃至複数
個の微細パターンのパターンデータとで構成されている
マスクの検査方法である。
【０００９】又、本発明に係る第３の態様としては、近
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化したパタ
ーンデータを作成する二値化パターンデータ形成手段、
当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設けると共に、当該被検査マスクのパターンデー
タに於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検
査領域を設ける検査領域設定手段、当該第１の検査領域
に於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度よ
り低い感度に設定する感度調整手段、当該マスクパター
ン設計データと当該被検査マスクのパターンデータとの
差分値を求める演算手段、当該差分値をそれぞの検査領
域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを
判断する判定手段、とから構成されているマスクの検査
装置である。
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化したパタ
ーンデータを作成する二値化パターンデータ形成手段、
当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設けると共に、当該被検査マスクのパターンデー
タに於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検
査領域を設ける検査領域設定手段、当該第１の検査領域
に於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度よ
り低い感度に設定する感度調整手段、当該マスクパター
ン設計データと当該被検査マスクのパターンデータとの
差分値を求める演算手段、当該差分値をそれぞの検査領
域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを
判断する判定手段、とから構成されているマスクの検査
装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】即ち、本発明に係る当該マスクの
検査方法に於いては、上記した様な技術構成を採用する
ものであって、微細パターンで修正した部分では低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、
修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正
した部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたま
ま検査可能となる。
検査方法に於いては、上記した様な技術構成を採用する
ものであって、微細パターンで修正した部分では低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、
修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正
した部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたま
ま検査可能となる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明に係るマスクの検査方法及び
マスクの検査装置の一具体例の構成を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。即ち、図１は、本発明に係るマスク
の検査装置の一具体例の構成を示すブロックダイアグラ
ムであり、図２は、本発明に係るマスクの検査方法の一
具体例の操作手順を説明するフローチャートである。
マスクの検査装置の一具体例の構成を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。即ち、図１は、本発明に係るマスク
の検査装置の一具体例の構成を示すブロックダイアグラ
ムであり、図２は、本発明に係るマスクの検査方法の一
具体例の操作手順を説明するフローチャートである。
【００１２】本発明に係るマスクの検査方法は、上記し
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
予め定められた所定の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ
１と当該マスクのパターンデータ２００の全検査領域か
ら当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを
設定し、当該第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２
で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検
査方法である。
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
予め定められた所定の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ
１と当該マスクのパターンデータ２００の全検査領域か
ら当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを
設定し、当該第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２
で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検
査方法である。
【００１３】本発明に於いては、当該近接効果補正した
マスクパターン設計データ１００は、図３に示す様に、
近接効果補正を行う前の所望のパターンＡ１を有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分Ａ１の一部に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンＡ２或いはＡ３のパターン
データとで構成されている事が望ましい。
マスクパターン設計データ１００は、図３に示す様に、
近接効果補正を行う前の所望のパターンＡ１を有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分Ａ１の一部に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンＡ２或いはＡ３のパターン
データとで構成されている事が望ましい。
【００１４】更に、本発明に於いては、図４に示される
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの周縁
部を二値化したデータで構成されている事が望ましい。
本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ２０
０に於ける、当該マスクパターン設計データ１００に於
ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加算
されるか、当該マスクパターン部分から減算される微細
パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化パタ
ーンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターン
データ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共
に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの周縁
部を二値化したデータで構成されている事が望ましい。
本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ２０
０に於ける、当該マスクパターン設計データ１００に於
ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加算
されるか、当該マスクパターン部分から減算される微細
パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化パタ
ーンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターン
データ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共
に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
【００１５】又、本発明に於いては、当該第１の検査領
域Ｂ１は、当該二値化パターンデータを構成する領域３
００を予め定められた所定の割合で、好ましくは全方向
に均一に拡大する事が望ましい。次に、本発明に於いて
は、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感度を、当該
第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度に設定する
事が望ましい。
域Ｂ１は、当該二値化パターンデータを構成する領域３
００を予め定められた所定の割合で、好ましくは全方向
に均一に拡大する事が望ましい。次に、本発明に於いて
は、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感度を、当該
第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度に設定する
事が望ましい。
【００１６】つまり、本発明に係るマスクの検査方法に
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて凹凸が大きくなっているの
で、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を使用して
いると、係る部分は全て不良パターンと認識されてしま
い、正常で有っても欠陥部分と判断されてしまう事が多
い。一方、当該微細マクスによって補正された部分に検
査感度を合わせると今度は、基のパターン部分Ａ１に於
てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見逃してし
まう危険が大きくなる。
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて凹凸が大きくなっているの
で、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を使用して
いると、係る部分は全て不良パターンと認識されてしま
い、正常で有っても欠陥部分と判断されてしまう事が多
い。一方、当該微細マクスによって補正された部分に検
査感度を合わせると今度は、基のパターン部分Ａ１に於
てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見逃してし
まう危険が大きくなる。
【００１７】従って、本発明に於ける基本的な技術思想
としては、単一のマスクパターンに於いても、場所によ
って検査条件を変更する様にし、予め定められた所望の
マスクパターン部分Ａ１と近接効果補正によって加算若
しくは演算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３
とを別々の検査領域に区分し、それぞれの検査領域に於
て異なる検査感度を設定する様にしたものである。
としては、単一のマスクパターンに於いても、場所によ
って検査条件を変更する様にし、予め定められた所望の
マスクパターン部分Ａ１と近接効果補正によって加算若
しくは演算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３
とを別々の検査領域に区分し、それぞれの検査領域に於
て異なる検査感度を設定する様にしたものである。
【００１８】より具体的には、予め定められた所望のマ
スクパターン部分Ａ１を検査する検査領域Ｂ２では、検
査感度を高くし、近接効果補正によって加算若しくは演
算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３を検査す
る検査領域Ｂ１では検査感度を低くする様にして正確な
検査判定操作を実行する様にしたものである。例えば、
当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素の画素数によっ
て調整する事が可能である。
スクパターン部分Ａ１を検査する検査領域Ｂ２では、検
査感度を高くし、近接効果補正によって加算若しくは演
算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３を検査す
る検査領域Ｂ１では検査感度を低くする様にして正確な
検査判定操作を実行する様にしたものである。例えば、
当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素の画素数によっ
て調整する事が可能である。
【００１９】次に、本発明に係る当該マスクの検査方法
のより詳細な具体例を以下に説明する。図３は近接効果
補正して得られたマスクパターンデータ１００である。
本特許の検査方法では、近接効果補正前のマスクパター
ンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマスクパ
ターンデータＡ２とで構成された近接効果補正後マスク
パターンデータであるマスクパターン設計データＡ４を
使用してマスクを作成し、当該マスクから得られた図４
に示す様なマスクパターンデータを検査に用いる。
のより詳細な具体例を以下に説明する。図３は近接効果
補正して得られたマスクパターンデータ１００である。
本特許の検査方法では、近接効果補正前のマスクパター
ンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマスクパ
ターンデータＡ２とで構成された近接効果補正後マスク
パターンデータであるマスクパターン設計データＡ４を
使用してマスクを作成し、当該マスクから得られた図４
に示す様なマスクパターンデータを検査に用いる。
【００２０】具体的には、複数個のマスクパターンを記
憶する第１の記憶手段から所望のパターンデータＡ１を
読み出し、又複数個の微細パターンデータを記憶してい
る第２の記憶手段から必要な微細パターンを読み出し
て、それらのパターンを図３に示す様に加算若しくは減
算してマスクパターン設計データＡ４を作成する。本具
体例に於いては、近接効果補正前マスクパターンデータ
Ａ１は例えば最小寸法１．２５μm で作られており、近
接効果補正により生ずる微細凹凸の最小幅は、０．２５
μm である。
憶する第１の記憶手段から所望のパターンデータＡ１を
読み出し、又複数個の微細パターンデータを記憶してい
る第２の記憶手段から必要な微細パターンを読み出し
て、それらのパターンを図３に示す様に加算若しくは減
算してマスクパターン設計データＡ４を作成する。本具
体例に於いては、近接効果補正前マスクパターンデータ
Ａ１は例えば最小寸法１．２５μm で作られており、近
接効果補正により生ずる微細凹凸の最小幅は、０．２５
μm である。
【００２１】当該マスクパターン設計データ１００を使
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化し
たパターンデータ２００を作成する。その後、当該二値
化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に於
ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化し
たパターンデータ２００を作成する。その後、当該二値
化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に於
ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
【００２２】本具体例に於いては、画像処理装置により
パターンデータＡ２を例えば０．５μm だけ拡大したパ
ターンを発生し、適宜の記憶手段に再格納する。これを
検査領域Ｂ１として使用する。又所望のマスク検査領域
全体から検査領域Ｂ１を除いた領域を検査領域Ｂ２とす
る。図４は所定の被検査用マスク上にある図１のマスク
の検査装置２０に於けるマスク２のパターンによる顕微
鏡３によって得られた像顕微鏡像をＣＣＤカメラ４で撮
影し、得られた明暗画像を画像処理装置５により閾値を
用いて二値化処理した画像である。
パターンデータＡ２を例えば０．５μm だけ拡大したパ
ターンを発生し、適宜の記憶手段に再格納する。これを
検査領域Ｂ１として使用する。又所望のマスク検査領域
全体から検査領域Ｂ１を除いた領域を検査領域Ｂ２とす
る。図４は所定の被検査用マスク上にある図１のマスク
の検査装置２０に於けるマスク２のパターンによる顕微
鏡３によって得られた像顕微鏡像をＣＣＤカメラ４で撮
影し、得られた明暗画像を画像処理装置５により閾値を
用いて二値化処理した画像である。
【００２３】当該画像処理装置５により図４のマスク画
像データとマスクパターンデータＡ４の差を中央演算手
段６に於て演算する。本発明に於いては、パターン欠陥
かどうかを判定する欠陥サイズ（画素数）の基準、つま
り感度を、当該第１と第２の検査領域のそれぞれに対し
て予め定められた値に設定しておき、これ以上の差があ
る部分をパターン欠陥とする。
像データとマスクパターンデータＡ４の差を中央演算手
段６に於て演算する。本発明に於いては、パターン欠陥
かどうかを判定する欠陥サイズ（画素数）の基準、つま
り感度を、当該第１と第２の検査領域のそれぞれに対し
て予め定められた値に設定しておき、これ以上の差があ
る部分をパターン欠陥とする。
【００２４】欠陥判定基準の欠陥サイズは最小欠陥検出
サイズ（検査感度）になるが、検査領域Ｂ１は検査領域
Ｂ２よりも低感度に設定する。例えば画素寸法０．２５
μmで検査領域Ｂ２は６画素数、検査領域Ｂ１は１２画
素数とする。パターン検査においては、検査領域Ｂ１の
画像の検査中は検査領域Ｂ１の検査感度で欠陥検査し、
検査領域Ｂ２の検査中は検査領域Ｂ２の検査感度で欠陥
検査する。
サイズ（検査感度）になるが、検査領域Ｂ１は検査領域
Ｂ２よりも低感度に設定する。例えば画素寸法０．２５
μmで検査領域Ｂ２は６画素数、検査領域Ｂ１は１２画
素数とする。パターン検査においては、検査領域Ｂ１の
画像の検査中は検査領域Ｂ１の検査感度で欠陥検査し、
検査領域Ｂ２の検査中は検査領域Ｂ２の検査感度で欠陥
検査する。
【００２５】上記した本発明に係るマスクの検査方法の
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部
を二値化したパターンデータを作成する工程（ステップ
（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパター
ンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに於
ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加算
されるか、当該マスクパターン部分から減算された微細
パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部の
周辺領域に、当該二値化パターンデータ部を包含する第
１の検査領域を設ける工程（ステップ（４））、当該被
検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査
領域を除く領域を第２の検査領域とする工程（ステップ
（５））、当該第１の検査領域に於ける検査感度を、当
該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定する工
程（ステップ（６））、当該マスクパターン設計データ
と当該被検査マスクのパターンデータとの差分値を求め
る工程（ステップ（７））、当該差分値をそれぞの検査
領域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常か
を判断する工程（ステップ（８））とから構成されてい
るものである。
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部
を二値化したパターンデータを作成する工程（ステップ
（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパター
ンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに於
ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加算
されるか、当該マスクパターン部分から減算された微細
パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部の
周辺領域に、当該二値化パターンデータ部を包含する第
１の検査領域を設ける工程（ステップ（４））、当該被
検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査
領域を除く領域を第２の検査領域とする工程（ステップ
（５））、当該第１の検査領域に於ける検査感度を、当
該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定する工
程（ステップ（６））、当該マスクパターン設計データ
と当該被検査マスクのパターンデータとの差分値を求め
る工程（ステップ（７））、当該差分値をそれぞの検査
領域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常か
を判断する工程（ステップ（８））とから構成されてい
るものである。
【００２６】上記本発明に係るマスクの検査方法に於い
ては、当該差分値を画素数で表すと共に、当該第１の検
査領域に於ける感度を予め定められた第１の画素数を第
１のしきい値として設定すると共に、当該第２の検査領
域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多い数の画素
数を第２のしきい値とする事も望ましい。本発明に係る
マスクの検査方法の別の具体例としては、図３（Ｂ）に
示す様なマスクパターン設計データ１００を使用するも
のであり、前記実施例では、近接効果補正パターンは１
種類のみであったが、例えば近接効果補正前のマスクパ
ターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマス
クパターンデータＡ２と、減算したマスクパターンデー
タＡ３というように２種類又は２種以上あっても良い。
この場合は、画像処理装置によりパターンデータＡ２と
パターンデータＡ３を加算した後に、パターンを例えば
０．５μm だけ拡大したパターンを検査領域Ｂ１として
使用する。この場合パターン処理にかかる時間が増える
が、マスクパターンデータのハンドリングが便利にな
る。
ては、当該差分値を画素数で表すと共に、当該第１の検
査領域に於ける感度を予め定められた第１の画素数を第
１のしきい値として設定すると共に、当該第２の検査領
域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多い数の画素
数を第２のしきい値とする事も望ましい。本発明に係る
マスクの検査方法の別の具体例としては、図３（Ｂ）に
示す様なマスクパターン設計データ１００を使用するも
のであり、前記実施例では、近接効果補正パターンは１
種類のみであったが、例えば近接効果補正前のマスクパ
ターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマス
クパターンデータＡ２と、減算したマスクパターンデー
タＡ３というように２種類又は２種以上あっても良い。
この場合は、画像処理装置によりパターンデータＡ２と
パターンデータＡ３を加算した後に、パターンを例えば
０．５μm だけ拡大したパターンを検査領域Ｂ１として
使用する。この場合パターン処理にかかる時間が増える
が、マスクパターンデータのハンドリングが便利にな
る。
【００２７】またマスク上に同一パターンが複数存在す
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合においても、前記実施
例と同様にして微細パターンで修正した部分は低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するように
設定して検査する。次に、本発明に係るマスクの検査装
置の具体例を図１を参照しながら、より詳細に説明す
る。
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合においても、前記実施
例と同様にして微細パターンで修正した部分は低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するように
設定して検査する。次に、本発明に係るマスクの検査装
置の具体例を図１を参照しながら、より詳細に説明す
る。
【００２８】図１に於て、本発明に係るマスクの検査装
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データ作成手段１０により形成さ
れた被検査マスク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等か
ら構成された光学的に読み取る被検査マスクパターンデ
ータ検出手段１１、当該被検査マスクパターンデータ検
出手段１１から得られた画像データを処理する画像処理
手段５は、例えば、被検査マスクパターンデータ検出手
段１１から出力された当該被検査マスクに於けるマスク
パターンの周縁部を二値化したパターンデータ２００を
作成する二値化パターンデータ形成手段１２、当該二値
化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に於
ける、当該マスクパターン設計データ１００に於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算さ
れるか、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微
細パターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パター
ンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデ
ータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、
当該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１
の検査領域Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設け
る検査領域設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於
ける検査感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度よ
り低い感度に設定する感度調整手段１４、当該マスクパ
ターン設計データと当該被検査マスクのパターンデータ
との差分値を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞ
の検査領域に於て個別に設定された感度に従って正常か
異常かを判断する判定手段１６、及び上記した各手段を
総合的に制御する中央制御手段６とから構成されている
ものである。
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データ作成手段１０により形成さ
れた被検査マスク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等か
ら構成された光学的に読み取る被検査マスクパターンデ
ータ検出手段１１、当該被検査マスクパターンデータ検
出手段１１から得られた画像データを処理する画像処理
手段５は、例えば、被検査マスクパターンデータ検出手
段１１から出力された当該被検査マスクに於けるマスク
パターンの周縁部を二値化したパターンデータ２００を
作成する二値化パターンデータ形成手段１２、当該二値
化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に於
ける、当該マスクパターン設計データ１００に於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算さ
れるか、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微
細パターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パター
ンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデ
ータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、
当該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１
の検査領域Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設け
る検査領域設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於
ける検査感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度よ
り低い感度に設定する感度調整手段１４、当該マスクパ
ターン設計データと当該被検査マスクのパターンデータ
との差分値を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞ
の検査領域に於て個別に設定された感度に従って正常か
異常かを判断する判定手段１６、及び上記した各手段を
総合的に制御する中央制御手段６とから構成されている
ものである。
【００２９】尚、本発明に於ける別の態様としては、近
接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマスクパ
ターン部分のパターンデータと、近接効果補正により当
該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当該マス
クパターン部分の一部から減算された１乃至複数個の微
細パターンのパターンデータとそれぞれ選択して、それ
等を互いに結合し近接効果補正したマスクパターン設計
データを作成する工程、当該マスクパターン設計データ
を使用して、マスクを形成する工程、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化し
たパターンデータを作成する工程、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータに於ける、当該マスク
パターン設計データに於ける所望のパターンを有するマ
スクパターン部分に加算されるか、当該マスクパターン
部分から減算された微細パターン部分に相当する当該二
値化パターンデータ部の周辺領域に、当該二値化パター
ンデータ部を包含する第１の検査領域を設ける工程、当
該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１の
検査領域を除く領域を第２の検査領域とする工程、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する工程、当該マスク
パターン設計データと当該被検査マスクのパターンデー
タとの差分値を求める工程、当該差分値をそれぞの検査
領域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常か
を判断する工程、とから構成されているマスクの検査方
法をコンピュータに実行させる為のプログラムを記録し
た記録媒体である。
接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマスクパ
ターン部分のパターンデータと、近接効果補正により当
該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当該マス
クパターン部分の一部から減算された１乃至複数個の微
細パターンのパターンデータとそれぞれ選択して、それ
等を互いに結合し近接効果補正したマスクパターン設計
データを作成する工程、当該マスクパターン設計データ
を使用して、マスクを形成する工程、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部を二値化し
たパターンデータを作成する工程、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータに於ける、当該マスク
パターン設計データに於ける所望のパターンを有するマ
スクパターン部分に加算されるか、当該マスクパターン
部分から減算された微細パターン部分に相当する当該二
値化パターンデータ部の周辺領域に、当該二値化パター
ンデータ部を包含する第１の検査領域を設ける工程、当
該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１の
検査領域を除く領域を第２の検査領域とする工程、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する工程、当該マスク
パターン設計データと当該被検査マスクのパターンデー
タとの差分値を求める工程、当該差分値をそれぞの検査
領域に於て個別に設定された感度に従って正常か異常か
を判断する工程、とから構成されているマスクの検査方
法をコンピュータに実行させる為のプログラムを記録し
た記録媒体である。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係る当該マスクの検査方法及び
マスクの検査装置は、上記した様な技術構成を採用して
いるので、微細パターンで修正した部分では低感度で、
それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、修正
した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正した
部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたまま検
査可能となる。
マスクの検査装置は、上記した様な技術構成を採用して
いるので、微細パターンで修正した部分では低感度で、
それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、修正
した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正した
部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたまま検
査可能となる。
【図１】図１は、本発明に係るマスクの検査装置の一具
体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
【図２】図２は、本発明のマスクの検査方法の一具体例
に於ける操作手順を示すフローチャートである。
に於ける操作手順を示すフローチャートである。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明に於ける
マスクの検査方法に於て使用されるマスクパターン設計
データの例を示す図である。
マスクの検査方法に於て使用されるマスクパターン設計
データの例を示す図である。
【図４】図４は、本発明のマスクの検査方法の一具体例
に於ける被検査マスクの二値化データを示す図である。
に於ける被検査マスクの二値化データを示す図である。
１…マスクの検査装置 ２…被検査マスク ３…顕微鏡 ４…ＣＣＤカメラ ５…画像処理手段 ６…中央制御手段 ７…ステージ制御手段 ８…第１の記憶手段 ９…第２の記憶手段 １０…マスクパターン設計データ作成手段 １１…被検査マスクパターンデータ検出手段 １２…二値化パターンデータ形成手段 １３…検査領域設定手段 １４…感度調整手段 １５…演算手段 １６…判定手段 ２０…マスク検査装置 １００…マスクパターン設計データ ２００…パターンデータ ３００…二値化パターンデータ部の周辺領域
【手続補正書】
【提出日】平成１０年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、近接効果補正
により修正した部分を予め定められた所定の幅だけ拡大
した第１の検査領域と当該マスクのパターンデータの全
検査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領
域とを設定し、当該第１の検査領域と第２の検査領域で
互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検査
方法であり、又第２の態様としては、当該近接効果補正
したマスクパターン設計データは、近接効果補正を行う
前の所望のパターンを有するマスクパターン部分のパタ
ーンデータと、近接効果補正により当該マスクパターン
部分の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の
一部から減算された１乃至複数個の微細パターンのパタ
ーンデータとで構成されているマスクの検査方法であ
る。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、近接効果補正
により修正した部分を予め定められた所定の幅だけ拡大
した第１の検査領域と当該マスクのパターンデータの全
検査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領
域とを設定し、当該第１の検査領域と第２の検査領域で
互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検査
方法であり、又第２の態様としては、当該近接効果補正
したマスクパターン設計データは、近接効果補正を行う
前の所望のパターンを有するマスクパターン部分のパタ
ーンデータと、近接効果補正により当該マスクパターン
部分の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の
一部から減算された１乃至複数個の微細パターンのパタ
ーンデータとで構成されているマスクの検査方法であ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】又、本発明に係る第３の態様としては、近
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化したパ
ターンデータを作成する二値化パターンデータ形成手
段、当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデー
タに於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算された微細パター
ン部分に相当する二値化パターンデータ部を包含する領
域に第１の検査領域を設けると共に、当該被検査マスク
のパターンデータに於ける、当該第１の検査領域を除く
領域を第２の検査領域を設ける検査領域設定手段、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する感度調整手段、当
該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパタ
ーンデータとの差分値を求める演算手段、当該差分値を
それぞの検査領域に於て個別に設定された感度に従って
正常か異常かを判断する判定手段、とから構成されてい
るマスクの検査装置である。
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化したパ
ターンデータを作成する二値化パターンデータ形成手
段、当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデー
タに於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算された微細パター
ン部分に相当する二値化パターンデータ部を包含する領
域に第１の検査領域を設けると共に、当該被検査マスク
のパターンデータに於ける、当該第１の検査領域を除く
領域を第２の検査領域を設ける検査領域設定手段、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する感度調整手段、当
該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパタ
ーンデータとの差分値を求める演算手段、当該差分値を
それぞの検査領域に於て個別に設定された感度に従って
正常か異常かを判断する判定手段、とから構成されてい
るマスクの検査装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明に係るマスクの検査方法は、上記し
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
近接効果補正により修正した部分を予め定められた所定
の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ１と当該マスクのパ
ターンデータ２００の全検査領域から当該第１の検査領
域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを設定し、当該第１の
検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２で互いに異なる検査
感度を適用して検査するマスクの検査方法である。
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
近接効果補正により修正した部分を予め定められた所定
の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ１と当該マスクのパ
ターンデータ２００の全検査領域から当該第１の検査領
域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを設定し、当該第１の
検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２で互いに異なる検査
感度を適用して検査するマスクの検査方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】更に、本発明に於いては、図４に示される
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの顕微
鏡像を二値化したデータで構成されている事が望まし
い。本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ
２００に於ける、当該マスクパターン設計データ１００
に於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に
加算されるか、当該マスクパターン部分から減算される
微細パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化
パターンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パタ
ーンデータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると
共に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの顕微
鏡像を二値化したデータで構成されている事が望まし
い。本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ
２００に於ける、当該マスクパターン設計データ１００
に於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に
加算されるか、当該マスクパターン部分から減算される
微細パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化
パターンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パタ
ーンデータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると
共に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】又、本発明に於いては、当該第１の検査領
域Ｂ１は、当該マスクパターン設計データに於ける所望
のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算されるパターン部
分Ａ２或いはＡ３を予め定められた所定の割合で、好ま
しくは全方向に均一に拡大する事が望ましい。次に、本
発明に於いては、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査
感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感
度に設定する事が望ましい。
域Ｂ１は、当該マスクパターン設計データに於ける所望
のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算されるパターン部
分Ａ２或いはＡ３を予め定められた所定の割合で、好ま
しくは全方向に均一に拡大する事が望ましい。次に、本
発明に於いては、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査
感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感
度に設定する事が望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】つまり、本発明に係るマスクの検査方法に
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて設計形状との差が大きくなっ
ているので、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を
使用していると、係る部分は全て不良パターンと認識さ
れてしまい、正常で有っても欠陥部分と判断されてしま
う事が多い。一方、当該微細マクスによって補正された
部分に検査感度を合わせると今度は、基のパターン部分
Ａ１に於てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見
逃してしまう危険が大きくなる。
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて設計形状との差が大きくなっ
ているので、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を
使用していると、係る部分は全て不良パターンと認識さ
れてしまい、正常で有っても欠陥部分と判断されてしま
う事が多い。一方、当該微細マクスによって補正された
部分に検査感度を合わせると今度は、基のパターン部分
Ａ１に於てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見
逃してしまう危険が大きくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】当該マスクパターン設計データ１００を使
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータ２００を作成する。その後、当該二
値化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータ２００を作成する。その後、当該二
値化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】上記した本発明に係るマスクの検査方法の
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡
像を二値化したパターンデータを作成する工程（ステッ
プ（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパタ
ーンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに
於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加
算されるか、当該マスクパターン部分から減算された微
細パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部
を包含する領域に、第１の検査領域を設ける工程（ステ
ップ（４））、当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする工程（ステップ（５））、当該第１の検査領域に
於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度より
低い感度に設定する工程（ステップ（６））、当該マス
クパターン設計データと当該被検査マスクのパターンデ
ータとの差分値を求める工程（ステップ（７））、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程（ステップ
（８））とから構成されているものである。
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡
像を二値化したパターンデータを作成する工程（ステッ
プ（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパタ
ーンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに
於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加
算されるか、当該マスクパターン部分から減算された微
細パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部
を包含する領域に、第１の検査領域を設ける工程（ステ
ップ（４））、当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする工程（ステップ（５））、当該第１の検査領域に
於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度より
低い感度に設定する工程（ステップ（６））、当該マス
クパターン設計データと当該被検査マスクのパターンデ
ータとの差分値を求める工程（ステップ（７））、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程（ステップ
（８））とから構成されているものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】図１に於て、本発明に係るマスクの検査装
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データにより形成された被検査マ
スク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等から構成された
光学的に読み取る被検査マスクパターンデータ検出手段
１１、当該被検査マスクパターンデータ検出手段１１か
ら得られた画像データを処理する画像処理手段５は、例
えば、被検査マスクパターンデータ検出手段１１から出
力された当該被検査マスクに於けるマスクパターンの顕
微鏡像を二値化したパターンデータ２００を作成する二
値化パターンデータ形成手段１２、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータ２００に於ける、当該
マスクパターン設計データ１００に於ける所望のパター
ンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算されるか、当
該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パターン
部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデータ部
の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ部を包
含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該被検査
マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査領域
Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設ける検査領域
設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感
度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度
に設定する感度調整手段１４、当該マスクパターン設計
データと当該被検査マスクのパターンデータとの差分値
を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞの検査領域
に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを判
断する判定手段１６、及び上記した各手段を総合的に制
御する中央制御手段６とから構成されているものであ
る。
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データにより形成された被検査マ
スク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等から構成された
光学的に読み取る被検査マスクパターンデータ検出手段
１１、当該被検査マスクパターンデータ検出手段１１か
ら得られた画像データを処理する画像処理手段５は、例
えば、被検査マスクパターンデータ検出手段１１から出
力された当該被検査マスクに於けるマスクパターンの顕
微鏡像を二値化したパターンデータ２００を作成する二
値化パターンデータ形成手段１２、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータ２００に於ける、当該
マスクパターン設計データ１００に於ける所望のパター
ンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算されるか、当
該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パターン
部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデータ部
の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ部を包
含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該被検査
マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査領域
Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設ける検査領域
設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感
度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度
に設定する感度調整手段１４、当該マスクパターン設計
データと当該被検査マスクのパターンデータとの差分値
を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞの検査領域
に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを判
断する判定手段１６、及び上記した各手段を総合的に制
御する中央制御手段６とから構成されているものであ
る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】尚、本発明に於ける別の態様としては、近
接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマスクパ
ターン部分のパターンデータと、近接効果補正により当
該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当該マス
クパターン部分の一部から減算された１乃至複数個の微
細パターンのパターンデータとそれぞれ選択して、それ
等を互いに結合し近接効果補正したマスクパターン設計
データを作成する工程、当該マスクパターン設計データ
を使用して、マスクを形成する工程、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータを作成する工程、当該二値化した被
検査マスクのマスクパターンデータに於ける、当該マス
クパターン設計データに於ける所望のパターンを有する
マスクパターン部分に加算されるか、当該マスクパター
ン部分から減算された微細パターン部分に相当する当該
二値化パターンデータ部を包含する領域に第１の検査領
域を設ける工程、当該被検査マスクのパターンデータに
於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領
域とする工程、当該第１の検査領域に於ける検査感度
を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定
する工程、当該マスクパターン設計データと当該被検査
マスクのパターンデータとの差分値を求める工程、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程、とから構成され
ているマスクの検査方法をコンピュータに実行させる為
のプログラムを記録した記録媒体である。
接効果補正を行う前の所望のパターンを有するマスクパ
ターン部分のパターンデータと、近接効果補正により当
該マスクパターン部分の一部に加算されるか、当該マス
クパターン部分の一部から減算された１乃至複数個の微
細パターンのパターンデータとそれぞれ選択して、それ
等を互いに結合し近接効果補正したマスクパターン設計
データを作成する工程、当該マスクパターン設計データ
を使用して、マスクを形成する工程、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータを作成する工程、当該二値化した被
検査マスクのマスクパターンデータに於ける、当該マス
クパターン設計データに於ける所望のパターンを有する
マスクパターン部分に加算されるか、当該マスクパター
ン部分から減算された微細パターン部分に相当する当該
二値化パターンデータ部を包含する領域に第１の検査領
域を設ける工程、当該被検査マスクのパターンデータに
於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領
域とする工程、当該第１の検査領域に於ける検査感度
を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定
する工程、当該マスクパターン設計データと当該被検査
マスクのパターンデータとの差分値を求める工程、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程、とから構成され
ているマスクの検査方法をコンピュータに実行させる為
のプログラムを記録した記録媒体である。
Claims (12)
- 【請求項１】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データと、当該マスクパターン設計データによ
り作成されたマスクのパターンデータとを比較して当該
マスクパターンを検査する方法に於て、当該マスクパタ
ーン設計データと当該マスクのパターンデータとの差分
値を演算するに際し、当該パターンデータに対して、予
め定められた所定の幅だけ拡大した第１の検査領域と当
該マスクのパターンデータの全検査領域から当該第１の
検査領域を除いた第２の検査領域とを設定し、当該第１
の検査領域と第２の検査領域で互いに異なる検査感度を
適用して検査する事を特徴とするマスクの検査方法。 - 【請求項２】 当該近接効果補正したマスクパターン設
計データは、近接効果補正を行う前の所望のパターンを
有するマスクパターン部分のパターンデータと、近接効
果補正により当該マスクパターン部分の一部に加算され
るか、当該マスクパターン部分の一部から減算された１
乃至複数個の微細パターンのパターンデータとで構成さ
れている事を特徴とする請求項１記載のマスクの検査方
法。 - 【請求項３】 当該被検査マスクのパターンデータは、
当該近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータに基づいて形成されたマスクに於けるパターンの周
縁部を二値化したデータで構成されている事を特徴とす
る請求項１又は２に記載のマスクの検査方法。 - 【請求項４】 当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、当
該マスクパターン部分から減算される微細パターン部分
に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域に、
当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査領域
を設ける事を特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載
のマスクの検査方法。 - 【請求項５】 当該第１の検査領域は、当該二値化パタ
ーンデータ部構成する領域を予め定められた所定の割合
で拡大する事を特徴とする請求項４記載のマスクの検査
方法。 - 【請求項６】 当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする事を特徴とする請求項４又は５に記載のマスクの
検査方法。 - 【請求項７】 当該第１の検査領域に於ける検査感度
を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定
する事を特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のマ
スクの検査方法。 - 【請求項８】 当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素
の画素数によって調整する事を特徴とする請求項７記載
のマスクの検査方法。 - 【請求項９】 近接効果補正を行う前の所望のパターン
を有するマスクパターン部分のパターンデータと、近接
効果補正により当該マスクパターン部分の一部に加算さ
れるか、当該マスクパターン部分の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンのパターンデータとそれぞ
れ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補正したマ
スクパターン設計データを作成する工程、 当該マスクパターン設計データを使用して、マスクを形
成する工程、 当該形成された被検査マスクに於けるマスクパターンの
周縁部を二値化したパターンデータを作成する工程、 当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設ける工程、 当該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１
の検査領域を除く領域を第２の検査領域とする工程、 当該第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検
査領域の検査感度より低い感度に設定する工程、 当該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパ
ターンデータとの差分値を求める工程、 当該差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された
感度に従って正常か異常かを判断する工程、 とから構成されている事を特徴とするマスクの検査方
法。 - 【請求項１０】 当該差分値を画素数で表すと共に、当
該第１の検査領域に於ける感度を予め定められた第１の
画素数を第１のしきい値として設定すると共に、当該第
２の検査領域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多
い数の画素数を第２のしきい値とする事を特徴とする請
求項９記載のマスクの検査方法。 - 【請求項１１】 近接効果補正を行う前の所望のパター
ンを有するマスクパターン部分のパターンデータと、近
接効果補正により当該マスクパターン部分の一部に加算
されるか、当該マスクパターン部分の一部から減算され
た１乃至複数個の微細パターンのパターンデータとそれ
ぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補正した
マスクパターン設計データを作成する工程、 当該マスクパターン設計データを使用して、マスクを形
成する工程、 当該形成された被検査マスクに於けるマスクパターンの
周縁部を二値化したパターンデータを作成する工程、 当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設ける工程、 当該被検査マスクのパターンデータに於ける、当該第１
の検査領域を除く領域を第２の検査領域とする工程、 当該第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検
査領域の検査感度より低い感度に設定する工程、 当該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパ
ターンデータとの差分値を求める工程、 当該差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された
感度に従って正常か異常かを判断する工程、 とから構成されているマスクの検査方法をコンピュータ
に実行させる為のプログラムを記録した記録媒体。 - 【請求項１２】 近接効果補正を行う前の複数個の所望
のパターンを有するマスクパターン部分のパターンデー
タを記憶する第１の記憶手段、 近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部に加
算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減算さ
れるべき微細パターンのパターンデータを複数個記憶す
る第２の記憶手段、 当該マスクパターン部分のパターンデータと微細パター
ンのパターンデータとをそれぞれ当該第１及び第２の記
憶手段から選択して結合するマスクパターン設計データ
を形成するマスクパターン設計データ作成手段、 当該マスクパターン設計データ作成手段により形成され
た被検査マスクを光学的に読み取る被検査マスクパター
ンデータ検出手段、 被検査マスクパターンデータ検出手段から出力された当
該被検査マスクに於けるマスクパターンの周縁部を二値
化したパターンデータを作成する二値化パターンデータ
形成手段、 当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設けると共に、当該被検査マスクのパターンデー
タに於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検
査領域を設ける検査領域設定手段、 当該第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検
査領域の検査感度より低い感度に設定する感度調整手
段、 当該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパ
ターンデータとの差分値を求める演算手段、 当該差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された
感度に従って正常か異常かを判断する判定手段、とから
構成されているマスクの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3736498A JPH11231507A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3736498A JPH11231507A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092245A Division JP2001330941A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231507A true JPH11231507A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12495489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3736498A Pending JPH11231507A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11231507A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002081914A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Toshiba Corp | 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法 |
| JP2003307501A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
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