JPH1123224A - Pattern coordinate measuring method and apparatus - Google Patents

Pattern coordinate measuring method and apparatus

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JPH1123224A
JPH1123224A JP9182774A JP18277497A JPH1123224A JP H1123224 A JPH1123224 A JP H1123224A JP 9182774 A JP9182774 A JP 9182774A JP 18277497 A JP18277497 A JP 18277497A JP H1123224 A JPH1123224 A JP H1123224A
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JP
Japan
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pattern
stage
detection unit
reticle
substrate
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JP9182774A
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Tatsumi Sato
立美 佐藤
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Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板のパターン座標を測定する方法および装
置において、基板のたわみの影響を除去してパターン座
標を正確に測定する。 【解決手段】 レチクル1をホルダ30を介して水平線
に対して略垂直に載置するためのXYステージ11と、
XYステージ11の側方に配置された検出系23とを備
える。検出系23は、対物レンズ21と、パターンの直
接反射光を検出する受光素子を内蔵した検出光学系22
と、対物レンズ21とステージとの間にX軸Y軸方向に
設置された検出器20a〜20dとを備える。レチクル
1は、XYステージ11上にパターン面1aを側方に向
けて載置される。レーザビームをXYステージ11の側
方からパターン面1a上に集光し、パターンエッジから
の散乱光を検出器20a〜20dによって検出すること
によりレチクル1のパターンを検出する。パターンが検
出されたときのXYステージ11の位置をX軸用干渉計
12aおよびY軸用干渉計12bにより読み取る。
(57) Abstract: A method and an apparatus for measuring a pattern coordinate of a substrate, in which the influence of the deflection of the substrate is removed to accurately measure the pattern coordinate. An XY stage (11) for mounting a reticle (1) substantially vertically to a horizontal line via a holder (30),
A detection system 23 arranged on the side of the XY stage 11. The detection system 23 includes an objective lens 21 and a detection optical system 22 having a built-in light receiving element for detecting light directly reflected from the pattern.
And detectors 20a to 20d installed between the objective lens 21 and the stage in the X-axis and Y-axis directions. The reticle 1 is placed on the XY stage 11 with the pattern surface 1a facing sideways. The laser beam is focused on the pattern surface 1a from the side of the XY stage 11, and the pattern of the reticle 1 is detected by detecting the scattered light from the pattern edge by the detectors 20a to 20d. The position of the XY stage 11 when the pattern is detected is read by the X-axis interferometer 12a and the Y-axis interferometer 12b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレチクル等の基板表
面に形成されたパターンの座標位置を測定するパターン
座標測定方法および装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for measuring the coordinate position of a pattern formed on the surface of a substrate such as a reticle.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来のパターン座標測定装置を示
す図である。図8に示すように従来のパターン座標測定
装置は、レチクル1を載置するためのXYステージ11
と、レチクル1のパターンを検出する検出系23と、X
Yステージ11の位置を検出するためのX軸用干渉計1
2aおよびY軸用干渉計12bとを備える。検出系23
は、XYステージ11の上方に配置され、対物レンズ2
1と、レチクル1のパターンからの直接反射光を検出す
る受光素子を備える検出光学系22と、対物レンズ21
とレチクル1との間の空間にXおよびY軸方向に配設さ
れ、レチクル1のパターンからの散乱光を受光する検出
器20a〜20dとを備える。XYステージ11は不図
示の定盤上に固定され、検出系23および検出器20a
〜20dは定盤上に固定された不図示のフレームに対し
て固定される。このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、XYステージ11上にパターン面1
aを上側に向けて載置される。そして、レーザビームを
パターン面1a上に集光して走査し、パターンエッジか
らの散乱光を検出器20a〜20dにより検出するか、
あるいは、直接反射光を検出光学系22の受光素子で受
光することにより、レチクルのパターンを検出する。あ
るいは、検出光学系22内にCCDカメラを設け、パタ
ーン像をCCDカメラ撮像面上に結像させてパターン像
を表す画像信号を得、この画像信号に対して画像処理を
施すことにより検出する方法も挙げられる。
FIG. 8 is a view showing a conventional pattern coordinate measuring apparatus. As shown in FIG. 8, a conventional pattern coordinate measuring apparatus includes an XY stage 11 on which a reticle 1 is mounted.
A detection system 23 for detecting the pattern of the reticle 1;
X-axis interferometer 1 for detecting the position of Y stage 11
2a and a Y-axis interferometer 12b. Detection system 23
Is located above the XY stage 11 and the objective lens 2
1, a detection optical system 22 having a light receiving element for detecting light directly reflected from the pattern of the reticle 1, and an objective lens 21
And detectors 20a to 20d disposed in the space between the reticle 1 and the X and Y axes and receiving scattered light from the pattern of the reticle 1. The XY stage 11 is fixed on a surface plate (not shown), and has a detection system 23 and a detector 20a.
To 20d are fixed to a frame (not shown) fixed on the surface plate. In such a pattern coordinate measuring apparatus, the reticle 1 is
a is placed with its a facing upward. Then, the laser beam is focused on the pattern surface 1a and scanned, and the scattered light from the pattern edge is detected by the detectors 20a to 20d.
Alternatively, the reticle pattern is detected by receiving the directly reflected light by the light receiving element of the detection optical system 22. Alternatively, a method of providing a CCD camera in the detection optical system 22, forming a pattern image on the imaging surface of the CCD camera, obtaining an image signal representing the pattern image, and performing image processing on the image signal to perform detection. Are also mentioned.

【0003】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定する。
[0003] Then, when this pattern is detected, X
The position of the Y stage 11 is read by the X-axis interferometer 12a and the Y-axis interferometer 12b. In this way,
The pattern information detected by the detection system 23 and the interferometer 1
A plurality of pattern coordinates on the reticle 1 are measured from the information on the position of the XY stage 11 read by 2a and 12b.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たパターン座標測定装置において、レチクルをXYステ
ージ上に載置する際、レチクルは自重によりたわむた
め、このたわみの影響によりパターン面が伸縮し、これ
によりパターン座標測定の際に誤差が生じることとな
る。
However, in the above-described pattern coordinate measuring apparatus, when the reticle is placed on the XY stage, the reticle bends by its own weight, and the pattern surface expands and contracts due to the influence of the bend. An error will occur when measuring the pattern coordinates.

【0005】したがって、たわみの影響が除去されたパ
ターン座標を得るためには、レチクルの自重によるたわ
み量を構造解析などにより算出し、この算出結果を用い
て測定されたパターン座標を補正する必要がある。しか
しながら、レチクルのたわみ量は、レチクルの大きさ、
厚さ、材質などにより異なるため、測定するレチクルに
対応した種々の補正値を用意する必要があり、装置のシ
ステムが複雑になるという問題がある。
Therefore, in order to obtain pattern coordinates from which the influence of deflection has been removed, it is necessary to calculate the amount of deflection due to the weight of the reticle by structural analysis or the like, and to correct the measured pattern coordinates using the calculation results. is there. However, the amount of deflection of the reticle depends on the size of the reticle,
Since it differs depending on the thickness, the material, and the like, it is necessary to prepare various correction values corresponding to the reticle to be measured, and there is a problem that the system of the apparatus becomes complicated.

【0006】本発明の目的は、レチクルなどの基板のパ
ターン座標を測定する際に、レチクルのたわみの影響を
除去してパターン座標の測定誤差を最小限に抑制するこ
とができるパターン座標測定方法および装置を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method and a method for measuring the pattern coordinates of a substrate such as a reticle, which can remove the influence of the deflection of the reticle and minimize the measurement errors of the pattern coordinates. It is to provide a device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図1
を参照して説明すると、請求項1の発明は、表面にパタ
ーンが形成された基板1を載置台11に載置し、載置さ
れた基板1のパターンをパターン検出部23によって検
出することによりパターンの座標を測定する方法に適用
され、基板1のパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置台11に基板1を載置してパターン検
出部23によりパターンを検出することにより上記目的
を達成する。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
According to the first aspect of the present invention, the substrate 1 having a pattern formed on its surface is placed on the mounting table 11, and the pattern of the placed substrate 1 is detected by the pattern detection unit 23. The method is applied to a method of measuring the coordinates of a pattern. The substrate 1 is mounted on the mounting table 11 so that the pattern surface 1a of the substrate 1 is substantially perpendicular to the horizontal line, and the pattern is detected by the pattern detection unit 23. Achieve the above objectives.

【0008】請求項2の発明は、載置台がXYステージ
11であり、XYステージ11の側方に配置されたパタ
ーン検出部23によりパターンを検出し、そのパターン
検出時にXYステージ11の位置を検出することにより
パターンの座標を測定するものである。
According to a second aspect of the present invention, the mounting table is an XY stage 11, and a pattern is detected by a pattern detection unit 23 arranged on the side of the XY stage 11, and the position of the XY stage 11 is detected when the pattern is detected. By doing so, the coordinates of the pattern are measured.

【0009】図4を参照して説明すると、請求項3の発
明は、載置台の側方に配設されたXYステージ11にパ
ターン検出部23が載置され、パターン検出部23によ
りパターンを検出し、そのパターン検出時にXYステー
ジ11の位置を検出することによりパターンの座標を測
定するものである。
Referring to FIG. 4, according to a third aspect of the present invention, a pattern detecting section 23 is mounted on an XY stage 11 disposed on a side of a mounting table, and a pattern is detected by the pattern detecting section 23. Then, the coordinates of the pattern are measured by detecting the position of the XY stage 11 when the pattern is detected.

【0010】図7を参照して説明すると、請求項4の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をXステージ
11aにおいてパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置し、Xステージ11aの側方に配設さ
れたYステージ11bに設置されたパターン検出部23
によりパターンを検出し、パターン検出部23によるパ
ターン検出時にXステージ11aおよびYステージ11
bの位置を検出することによりパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
Referring to FIG. 7, according to a fourth aspect of the present invention, a substrate 1 having a pattern formed on its surface is placed on an X stage 11a such that a pattern surface 1a is substantially perpendicular to a horizontal line. , A pattern detection unit 23 installed on a Y stage 11b arranged on the side of the X stage 11a
And the X stage 11a and the Y stage 11 when the pattern detection unit 23 detects the pattern.
The above object is achieved by measuring the coordinates of the pattern by detecting the position b.

【0011】図1を参照して説明すると、請求項5の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
XYステージ11と、XYステージ11の側方に設置さ
れてパターンを検出するパターン検出部23と、XYス
テージ11の位置を検出する位置検出部12a,12b
とを具備し、パターン検出部23によるパターンの検出
時に位置検出部12a,12bによりXYステージ11
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
Referring to FIG. 1, an XY stage 11 for mounting a substrate 1 having a pattern formed on its surface such that its pattern surface 1a is substantially perpendicular to a horizontal line. A pattern detection unit 23 installed on the side of the XY stage 11 for detecting a pattern; and position detection units 12a and 12b for detecting the position of the XY stage 11.
When the pattern detection unit 23 detects a pattern, the position detection units 12a and 12b
The above object is achieved by measuring the coordinates of the pattern by detecting the position of.

【0012】図4を参照して説明すると、請求項6の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
載置台と、載置台の側方に設けられたXYステージ11
と、XYステージ11に設置されてパターンを検出する
パターン検出部23と、XYステージ11の位置を検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXYステージ11の位置を検出することに
よってパターンの座標を測定することにより上記目的を
達成する。
Referring to FIG. 4, the invention according to claim 6 comprises a mounting table for mounting a substrate 1 having a pattern formed on its surface such that its pattern surface 1a is substantially perpendicular to a horizontal line. XY stage 11 provided on the side of the mounting table
And a pattern detection unit 23 installed on the XY stage 11 for detecting a pattern, and position detection units 12a and 12b for detecting the position of the XY stage 11, and a position detection unit when the pattern detection unit 23 detects the pattern. 12a,
The above object is achieved by measuring the coordinates of the pattern by detecting the position of the XY stage 11 using 12b.

【0013】図7を参照して説明すると、請求項7の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
Xステージ11aと、Xステージ11aの側方に設けら
れたYステージ11bと、Yステージ11bに載置され
てパターンを検出するパターン検出部23と、Xステー
ジ11aおよびYステージ11bの位置をそれぞれ検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXステージ11aおよびYステージ11b
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
Referring to FIG. 7, the invention according to claim 7 is an X stage 11a for mounting a substrate 1 having a pattern formed on its surface such that its pattern surface 1a is substantially perpendicular to a horizontal line. A Y stage 11b provided on the side of the X stage 11a, a pattern detector 23 mounted on the Y stage 11b to detect a pattern, and a position detector for detecting the positions of the X stage 11a and the Y stage 11b, respectively. Units 12a and 12b, and when the pattern detection unit 23 detects a pattern, the position detection units 12a and 12b
X stage 11a and Y stage 11b
The above object is achieved by measuring the coordinates of the pattern by detecting the position of.

【0014】請求項8の発明は、請求項5〜7のいずれ
か1項に記載の測定装置において、基板1の重力方向下
の水平辺とその水平辺に隣接する垂直辺がそれぞれ押圧
される位置決め部材3A,3Bと、位置決め部材3A,
3Bに基板1を押圧部材3C,3Dを介して押圧する付
勢部材4A,4Bとを備え、位置決め部材3A,3Bと
押圧部材3C,3Dに、基板1の表面側のエッジと当接
してその基板1をステージ側に押圧する傾斜面SPを形
成したものである。
According to an eighth aspect of the present invention, in the measuring apparatus according to any one of the fifth to seventh aspects, a horizontal side of the substrate 1 in the direction of gravity and a vertical side adjacent to the horizontal side are respectively pressed. The positioning members 3A, 3B and the positioning members 3A,
3B is provided with biasing members 4A and 4B for pressing the substrate 1 via the pressing members 3C and 3D, and the positioning members 3A and 3B and the pressing members 3C and 3D are brought into contact with the edge on the front side of the substrate 1 and An inclined surface SP for pressing the substrate 1 toward the stage is formed.

【0015】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
In the section of the means for solving the above-mentioned problems, which explains the configuration of the present invention, the drawings of the embodiments of the present invention are used to make the present invention easy to understand. However, the present invention is not limited to the embodiment.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図1は本発明によるパターン
座標測定方法の第1の実施の形態によるパターン座標測
定装置を示す斜視図である。なお、図1では図2
(a),(b)に詳細を示すホルダの図示を省略してい
る。図1に示すように本発明の第1の実施の形態による
パターン座標測定装置は、レチクル1を水平線に対して
垂直となるようにホルダ30(図2(a),(b))を
介して載置するためのXYステージ11と、XYステー
ジ11の側方に配置され、レチクル1のパターンを検出
するための検出系23と、XYステージ11の位置を検
出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計1
2bとを備える。検出系23は、対物レンズ21と、レ
チクル1のパターンからの直接反射光を受光する受光素
子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21とXYス
テージ11との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。干渉計12
a,12bは、レーザビームをステージ11上のミラー
14X,14Yに向けて照射し、その反射光を受光して
位置を検出するものである。検出系23と検出器20a
〜20dは不図示の定盤上に固定され、XYステージ1
1の非可動部は定盤上に固定された不図示のフレームに
対して固定される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a pattern coordinate measuring device according to a first embodiment of the pattern coordinate measuring method according to the present invention. In FIG. 1, FIG.
(A) and (b) do not show the holder shown in detail. As shown in FIG. 1, the pattern coordinate measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention uses a holder 30 (FIGS. 2A and 2B) so that a reticle 1 is perpendicular to a horizontal line. An XY stage 11 for mounting, a detection system 23 arranged beside the XY stage 11 for detecting the pattern of the reticle 1, and an X-axis interferometer 12a for detecting the position of the XY stage 11 And Y-axis interferometer 1
2b. The detection system 23 includes an objective lens 21, a detection optical system 22 including a light receiving element that receives light directly reflected from the pattern of the reticle 1, and an X and Y axis in a space between the objective lens 21 and the XY stage 11. And detectors 20a to 20d provided in the respective directions and detecting scattered light from the pattern of the reticle 1. Interferometer 12
a and 12b irradiate a laser beam toward the mirrors 14X and 14Y on the stage 11, receive the reflected light, and detect the position. Detection system 23 and detector 20a
XY stage 1 is fixed on a surface plate (not shown).
The non-movable portion 1 is fixed to a frame (not shown) fixed on the surface plate.

【0017】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、XYステージ11においてパターン
面1aを検出系23に向けて水平線に対して垂直となる
ように、図2(a),(b)に示すようにホルダ30を
介して載置される。ホルダ30は図示しない締結装置に
よりXYステージ11に設置される。ホルダ30にはレ
チクル保持装置が設けられ、この保持装置は、レチクル
1の底辺と一方の側辺の位置決めを行うための位置決め
部材3A,3Bと、レチクル1の上辺を位置決め部材3
Aに向けて押圧部材3Cを介して押圧するためのばね4
Aと、他方の側辺を位置決め部材3Bに向けて押圧部材
3Dを介して押圧するためのばね4Bとを備える。ホル
ダ30は、ばね4A,4Bによりレチクル1を位置決め
部材3A,3Bに押圧して位置決めを行いつつ、測定中
に位置ずれが生じないようにレチクル1を保持する。な
お、押圧部材3C,3Dはレチクル1を垂直に押動する
ようにホルダ30に設けられたガイド孔にそれぞれガイ
ドされる。
In such a pattern coordinate measuring apparatus, the reticle 1 is arranged such that the pattern surface 1a on the XY stage 11 faces the detection system 23 and is perpendicular to a horizontal line, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). It is placed via a holder 30 as shown. The holder 30 is installed on the XY stage 11 by a fastening device (not shown). The holder 30 is provided with a reticle holding device. The holding device includes positioning members 3A and 3B for positioning the bottom side and one side of the reticle 1, and a positioning member 3 for positioning the upper side of the reticle 1.
A spring 4 for pressing toward A through the pressing member 3C
A and a spring 4B for pressing the other side toward the positioning member 3B via the pressing member 3D. The holder 30 holds the reticle 1 by pressing the reticle 1 against the positioning members 3A and 3B by the springs 4A and 4B so that the reticle 1 does not shift during measurement. The pressing members 3C and 3D are respectively guided by guide holes provided in the holder 30 so as to vertically move the reticle 1.

【0018】位置決め部材3Aおよび3Bと押圧部材3
Cと3Dは、図2(b)に示すとおり傾斜面SPをそれ
ぞれ有し、その傾斜面SPでレチクル1の表面のエッジ
を押圧してレチクル1をXYステージ11に押圧する。
なお、図3(a),(b)に示すように、XYステージ
11上に固定されるホルダ30に真空吸着パッドを設
け、測定中にレチクル1が垂直方向に対して倒れないよ
うに、レチクル1をホルダ40に真空吸着してもよい。
この場合、位置決め部材3A,3Bと押圧部材3C,3
Dには図2(a),(b)のような傾斜部SPを設ける
必要はない。
Positioning members 3A and 3B and pressing member 3
Each of C and 3D has an inclined surface SP as shown in FIG. 2B, and presses the edge of the surface of the reticle 1 with the inclined surface SP to press the reticle 1 against the XY stage 11.
As shown in FIGS. 3A and 3B, a vacuum suction pad is provided on a holder 30 fixed on the XY stage 11 so that the reticle 1 does not fall down in the vertical direction during measurement. 1 may be vacuum-adsorbed to the holder 40.
In this case, the positioning members 3A, 3B and the pressing members 3C, 3
It is not necessary to provide the inclined portion SP in D as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).

【0019】そして、水平方向に投影されるレーザビー
ムをXYステージ11の側方からパターン面1a上に集
光しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上
をレーザビームにより走査し、パターンエッジからの散
乱光を検出器20a〜20dで検出したり、もしくは反
射光を検出系23の受光素子で検出することによりレチ
クル1のパターンを検出する。
Then, the laser beam projected in the horizontal direction is converged on the pattern surface 1a from the side of the XY stage 11, and the XY stage 11 is moved to scan the pattern surface 1a with the laser beam, and the pattern edge is scanned. The scattered light from the reticle 1 is detected by the detectors 20a to 20d, or the reflected light is detected by the light receiving element of the detection system 23 to detect the pattern of the reticle 1.

【0020】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
X when this pattern is detected
The position of the Y stage 11 is read by the X-axis interferometer 12a and the Y-axis interferometer 12b. In this way,
The pattern information detected by the detection system 23 and the interferometer 1
A plurality of pattern coordinates on the reticle 1 can be measured from the information on the position of the XY stage 11 read by 2a and 12b.

【0021】このように、本発明によるパターン座標測
定方法は、レチクル1を水平線に対して垂直となるよう
に載置したため、レチクル1には重力によるたわみは生
じることがなくなる。したがって、本発明によるパター
ン座標測定方法により、レチクル1のたわみの影響によ
る誤差をなくして、パターン座標を正確に測定すること
ができる。
As described above, in the pattern coordinate measuring method according to the present invention, since the reticle 1 is mounted so as to be perpendicular to the horizontal line, the reticle 1 does not bend due to gravity. Therefore, by the pattern coordinate measuring method according to the present invention, it is possible to eliminate the error due to the influence of the deflection of the reticle 1 and accurately measure the pattern coordinates.

【0022】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第2の実施の形態について説明する。図4は本発明
によるパターン座標測定方法の第2の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。なお、図4
では図5(a),(b)に詳細を示すレチクル保持装置
の図示を省略している。図4に示すように本発明の第2
の実施の形態によるパターン座標測定装置は、レチクル
1を水平線に対して垂直となるように保持するためのホ
ルダ30と、ホルダ30の側方に配置され、レチクル1
のパターンを検出するための検出系23と、検出系23
が固定されたXYステージ11と、XYステージ11の
位置を検出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用
干渉計12bとを備える。検出系23はXYステージ1
1と一体に移動するように設置され、対物レンズ21
と、レチクル1のパターンからの直接反射光を受光する
受光素子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21と
ホルダ30との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。XYステー
ジ11は不図示の定盤上に水平線に対して垂直となるよ
うにその非可動部が固定され、ホルダ30は定盤上に固
定された不図示のフレームに対して水平線に対して垂直
となるように固定される。そして、図5(a),(b)
に示すように、レチクル1は図2(a),(b)に示し
たと同様の位置決め部材3A,3Bと、押圧部材3C,
3Dと、ばね4A,4Bと同様な押さえ機構によってホ
ルダ30上に保持される。図6(a),(b)のように
ホルダ30に真空吸着パッドを設けて真空吸着してもよ
い。
Next, a description will be given of a second embodiment of the pattern coordinate measuring method according to the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing a pattern coordinate measuring device according to a second embodiment of the pattern coordinate measuring method according to the present invention. FIG.
In FIG. 5, illustration of the reticle holding device, which is shown in detail in FIGS. 5A and 5B, is omitted. As shown in FIG.
In the pattern coordinate measuring apparatus according to the embodiment, a holder 30 for holding the reticle 1 so as to be perpendicular to a horizontal line, and a reticle 1
Detection system 23 for detecting the pattern of
And an X-axis interferometer 12a and a Y-axis interferometer 12b for detecting the position of the XY stage 11. Detection system 23 is XY stage 1
The objective lens 21 is installed so as to move integrally with
A detection optical system 22 having a light receiving element for receiving light directly reflected from the pattern of the reticle 1; and a space between the objective lens 21 and the holder 30 in the X and Y axis directions. And detectors 20a to 20d for detecting scattered light from the pattern. The non-movable portion of the XY stage 11 is fixed on a platen (not shown) so as to be perpendicular to the horizontal line, and the holder 30 is perpendicular to the horizontal line with respect to a frame (not shown) fixed on the platen. It is fixed so that Then, FIGS. 5 (a) and 5 (b)
As shown in FIG. 2, a reticle 1 has positioning members 3A and 3B and pressing members 3C and 3C similar to those shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).
It is held on the holder 30 by 3D and a pressing mechanism similar to the springs 4A and 4B. As shown in FIGS. 6A and 6B, a vacuum suction pad may be provided on the holder 30 to perform vacuum suction.

【0023】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、ホルダ30においてパターン面1a
を検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に載
置される。そして、光源から水平方向に投射したレーザ
ビームをホルダ30の側方からパターン面1a上に集光
しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20dで検出するか、あるいは、パ
ターンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で
検出することによりレチクル1のパターンを検出する。
In such a pattern coordinate measuring apparatus, the reticle 1 has a pattern surface 1a on the holder 30.
To the detection system 23 in the same manner as in the first embodiment. The XY stage 11 is moved while the laser beam projected from the light source in the horizontal direction is focused on the pattern surface 1a from the side of the holder 30 to scan the pattern surface 1a with the laser beam, and scattering from the pattern edge is performed. The pattern of the reticle 1 is detected by detecting light with the detectors 20a to 20d or detecting light directly reflected from the pattern with the light receiving element of the detection optical system 22.

【0024】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
X when this pattern is detected
The position of the Y stage 11 is read by the X-axis interferometer 12a and the Y-axis interferometer 12b. In this way,
The pattern information detected by the detection system 23 and the interferometer 1
A plurality of pattern coordinates on the reticle 1 can be measured from the information on the position of the XY stage 11 read by 2a and 12b.

【0025】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第3の実施の形態について説明する。図7は本発明
によるパターン座標測定方法の第3の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。図7に示す
測定装置においても図2(a),(b)に示したホルダ
30でレチクル1がステージ上に保持されるが、図7で
はホルダ30の図示を省略している。図7に示すように
本発明の第3の実施の形態によるパターン座標測定装置
は、レチクル1をホルダ30を介して水平線に対して垂
直に載置するためのXステージ11aと、Xステージ1
1aの側方に配置され、レチクル1のパターンを検出す
るための検出系23と、検出系23が固定されたYステ
ージ11bと、Xステージ11aの位置を検出するため
のX軸用干渉計12aと、Yステージ11bの位置を検
出するためのY軸用干渉計12bとを備える。検出系2
3はYステージ11bと一体に移動するように設置さ
れ、対物レンズ21と、レチクル1のパターンからの直
接反射光を受光する受光素子を備えた検出光学系22
と、対物レンズ21とXステージ11aとの間の空間に
おいてXおよびY軸方向にそれぞれ設けられ、レチクル
1のパターンからの散乱光を検出する検出器20a〜2
0dとを備える。Yステージ11bの非可動部は不図示
の定盤上において水平線に対して垂直に固定され、Xス
テージ11aの非可動部は定盤上に固定された不図示の
フレームに対して水平線に対して垂直に固定される。
Next, a description will be given of a third embodiment of the pattern coordinate measuring method according to the present invention. FIG. 7 is a perspective view showing a pattern coordinate measuring device according to a third embodiment of the pattern coordinate measuring method according to the present invention. In the measuring apparatus shown in FIG. 7, the reticle 1 is held on the stage by the holder 30 shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), but the illustration of the holder 30 is omitted in FIG. As shown in FIG. 7, the pattern coordinate measuring apparatus according to the third embodiment of the present invention includes an X stage 11a for placing a reticle 1 vertically on a horizontal line via a holder 30, and an X stage 1a.
1a, a detection system 23 for detecting the pattern of the reticle 1, a Y stage 11b to which the detection system 23 is fixed, and an X-axis interferometer 12a for detecting the position of the X stage 11a. And a Y-axis interferometer 12b for detecting the position of the Y stage 11b. Detection system 2
Reference numeral 3 denotes a detection optical system 22 that is installed so as to move integrally with the Y stage 11b, and includes an objective lens 21 and a light receiving element that receives light directly reflected from the pattern of the reticle 1.
And detectors 20a to 20a provided in the X and Y axis directions in a space between the objective lens 21 and the X stage 11a to detect scattered light from the pattern of the reticle 1.
0d. The non-movable portion of the Y stage 11b is fixed vertically to a horizontal line on a platen (not shown), and the non-movable portion of the X stage 11a is fixed to a horizontal line with a frame (not shown) fixed on the platen. Fixed vertically.

【0026】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、Xステージ11a上にパターン面1
aを検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に
ホルダ30を介して載置される。そして、光源から水平
方向に投射されるレーザビームをXステージ11aの側
方からパターン面1a上に集光しつつXステージ11a
およびYステージ11bを移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20で検出するか、あるいは、パタ
ーンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で検
出することによりレチクル1のパターンを検出する。
In such a pattern coordinate measuring apparatus, the reticle 1 is provided on the X stage 11a.
a is placed via the holder 30 toward the detection system 23 in the same manner as in the first embodiment. The laser beam projected in the horizontal direction from the light source is focused on the pattern surface 1a from the side of the X stage 11a while the X stage 11a
And the Y stage 11b is moved to scan the pattern surface 1a with a laser beam, and the scattered light from the pattern edge is detected by the detectors 20a to 20 or the light reflected directly from the pattern is detected by the detection optical system 22. The pattern of the reticle 1 is detected by detecting with the light receiving element.

【0027】そしてこのパターンが検出されたときのX
ステージ11aの位置はX軸用干渉計12aにより、Y
ステージ11bの位置はY軸用干渉計12bにより読み
取られる。このようにして、検出系23により検出され
たパターン情報と、干渉計12a,12bにより読み取
られたXステージ11aおよびYステージ11bの位置
の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を測
定することが可能である。
X when this pattern is detected
The position of the stage 11a is determined by the X-axis interferometer 12a.
The position of the stage 11b is read by the Y-axis interferometer 12b. Thus, a plurality of pattern coordinates on the reticle 1 are measured from the pattern information detected by the detection system 23 and the position information of the X stage 11a and the Y stage 11b read by the interferometers 12a and 12b. It is possible.

【0028】なお、本発明の第3の実施の形態において
は、Xステージ11aにホルダ30を介してレチクル1
を載置し、検出系23をYステージ11bに固定するよ
うにしているが、Xステージ11aおよびYステージ1
1bの位置関係を逆、すなわちXステージ11aに検出
系23を固定し、Yステージ11bにホルダ30を介し
てレチクル1を載置するようにしてもよい。
In the third embodiment of the present invention, the reticle 1 is mounted on the X stage 11a via the holder 30.
And the detection system 23 is fixed to the Y stage 11b, but the X stage 11a and the Y stage 1
The positional relationship of 1b may be reversed, that is, the detection system 23 may be fixed to the X stage 11a, and the reticle 1 may be placed on the Y stage 11b via the holder 30.

【0029】なお、上記各実施の形態においては、レー
ザビームをパターン面1a上に集光し、パターンエッジ
からの散乱光を検出器20a〜20で検出したり、ある
いはパターンからの直接反射光を検出光学系22の受光
素子で検出することによりレチクル1のパターンを検出
するようにしているが、検出光学系22にCCDカメラ
を設け、パターン像をCCDカメラ撮像面上に結像させ
てパターン像を表す画像信号を得、この画像信号に対し
て画像処理を施すことにより検出する方法によりパター
ンを検出するようにしてもよい。さらに、その他の任意
のパターン検出方法を用いてもよい。
In each of the above embodiments, a laser beam is focused on the pattern surface 1a, and scattered light from a pattern edge is detected by the detectors 20a to 20 or light reflected directly from the pattern is detected. The pattern of the reticle 1 is detected by detecting the light with the light receiving element of the detection optical system 22. A CCD camera is provided in the detection optical system 22, and the pattern image is formed on the imaging surface of the CCD camera. The pattern may be detected by a method of detecting the image signal by obtaining an image signal representing the image signal and performing image processing on the image signal. Further, any other pattern detection method may be used.

【0030】以上実施の形態と請求項との対応におい
て、レチクル1が基板を、XYステージ11およびXス
テージ11aが載置台を、検出系23がパターン検出部
を、X軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計12bが位
置検出部をそれぞれ構成する。
In the correspondence between the above embodiment and the claims, the reticle 1 is a substrate, the XY stage 11 and the X stage 11a are a mounting table, the detection system 23 is a pattern detection section, the X-axis interferometers 12a and Y The axis interferometer 12b constitutes a position detecting unit.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
るパターン座標測定方法および装置は、レチクルなどの
基板のパターン面を水平線に対して略垂直となるように
載置してパターン座標を測定するようにしたため、基板
が重力でたわむことがなくなる。したがって、測定され
たパターンの座標値は、基板の重力によるたわみの影響
が除去されたものとなり、これによりパターンの座標値
を正確に測定することができる。
As described above in detail, the method and apparatus for measuring pattern coordinates according to the present invention measure the pattern coordinates by placing the pattern surface of a substrate such as a reticle so as to be substantially perpendicular to the horizontal line. As a result, the substrate does not bend due to gravity. Therefore, the measured coordinate values of the pattern are those in which the influence of the bending of the substrate due to gravity is removed, and thus the coordinate values of the pattern can be accurately measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
FIG. 1 is a perspective view of a pattern coordinate measuring device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】レチクルをステージ上に載置するホルダを示す
図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
FIGS. 2A and 2B are views showing a holder for mounting a reticle on a stage, wherein FIG. 2A is a top view and FIG.

【図3】レチクルをステージ上に載置するホルダの他の
例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
3A and 3B are diagrams illustrating another example of a holder for placing a reticle on a stage, wherein FIG. 3A is a top view and FIG. 3B is a side view.

【図4】本発明の第2の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
FIG. 4 is a perspective view of a pattern coordinate measuring device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】レチクルを保持するホルダを示す図であり、
(a)は上面図、(b)は側面図
FIG. 5 is a view showing a holder for holding a reticle;
(A) is a top view, (b) is a side view

【図6】レチクルを保持するホルダの他の例を示す図で
あり、(a)は上面図、(b)は側面図
6A and 6B are diagrams showing another example of a holder for holding a reticle, wherein FIG. 6A is a top view, and FIG. 6B is a side view.

【図7】本発明の第3の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
FIG. 7 is a perspective view of a pattern coordinate measuring device according to a third embodiment of the present invention.

【図8】従来のパターン座標測定装置の斜視図FIG. 8 is a perspective view of a conventional pattern coordinate measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レチクル(基板) 1a パターン面 3A,3B 位置決め部材 3C,3D 押圧部材 4A,4B ばね 11 XYステージ 11a Xステージ 11b Yステージ 12a,12b 干渉計 14X,14Y ミラー 20a〜20d 検出器 21 対物レンズ 22 検出光学系 23 検出系 30 ホルダ Reference Signs List 1 reticle (substrate) 1a pattern surface 3A, 3B positioning member 3C, 3D pressing member 4A, 4B spring 11 XY stage 11a X stage 11b Y stage 12a, 12b interferometer 14X, 14Y mirror 20a-20d detector 21 objective lens 22 detection Optical system 23 Detection system 30 Holder

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面にパターンが形成された基板を載置
台に載置し、前記載置された基板のパターンをパターン
検出器によって検出することにより前記パターンの座標
を測定する方法において、 前記基板のパターン面が水平線に対して略垂直となるよ
うに前記基板を前記載置台に載置して前記パターン検出
部により前記パターンを検出することを特徴とするパタ
ーン座標測定方法。
1. A method for measuring a coordinate of a pattern having a pattern formed on a surface thereof by mounting the substrate on a mounting table and detecting a pattern of the mounted substrate by a pattern detector. A pattern coordinate measuring method, wherein the substrate is mounted on the mounting table so that the pattern surface is substantially perpendicular to a horizontal line, and the pattern is detected by the pattern detection unit.
【請求項2】 前記載置台がXYステージであり、前記
XYステージの側方に配置された前記パターン検出部に
より前記パターンを検出し、そのパターン検出時に前記
XYステージの位置を検出することにより前記パターン
の座標を測定することを特徴とする請求項1記載のパタ
ーン座標測定方法。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the mounting table is an XY stage, wherein the pattern is detected by the pattern detection unit arranged on a side of the XY stage, and the position of the XY stage is detected when the pattern is detected. 2. The pattern coordinate measuring method according to claim 1, wherein the coordinates of the pattern are measured.
【請求項3】 前記載置台の側方に配設されたXYステ
ージに前記パターン検出部が載置され、前記パターン検
出部により前記パターンを検出し、そのパターン検出時
に前記XYステージの位置を検出することにより前記パ
ターンの座標を測定することを特徴とする請求項1記載
のパターン座標測定方法。
3. The XY stage disposed on the side of the mounting table, wherein the pattern detection unit is mounted, the pattern detection unit detects the pattern, and detects the position of the XY stage when the pattern is detected. 2. The pattern coordinate measuring method according to claim 1, wherein the coordinate of the pattern is measured by performing the following.
【請求項4】 表面にパターンが形成された基板をXス
テージにおいて前記パターン面が水平線に対して略垂直
となるように載置し、前記Xステージの側方に配設され
たYステージに設置されたパターン検出部により前記パ
ターンを検出し、前記パターン検出部によるパターン検
出時に前記Xステージおよび前記Yステージの位置を検
出することにより前記パターンの座標を測定することを
特徴とするパターン座標測定方法。
4. A substrate having a pattern formed on its surface is placed on an X stage such that the pattern surface is substantially perpendicular to a horizontal line, and is placed on a Y stage disposed on a side of the X stage. Detecting the pattern by a detected pattern detecting unit, and detecting the position of the X stage and the Y stage at the time of detecting the pattern by the pattern detecting unit, thereby measuring the coordinates of the pattern. .
【請求項5】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
るXYステージと、 前記XYステージの側方に設置されて前記パターンを検
出するパターン検出部と、 前記XYステージの位置を検出する位置検出部とを具備
し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記XYステージの位置を検出するこ
とによって前記パターンの座標を測定することを特徴と
するパターン座標測定装置。
5. An XY stage for mounting a substrate having a pattern formed on its surface such that the pattern surface is substantially perpendicular to a horizontal line, and an XY stage installed on a side of the XY stage to detect the pattern. A pattern detection unit; and a position detection unit that detects the position of the XY stage. The position of the XY stage is detected by the position detection unit when the pattern is detected by the pattern detection unit. A pattern coordinate measuring device characterized by measuring the following.
【請求項6】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
る載置台と、 該載置台の側方に設けられたXYステージと、 該XYステージに設置されて前記パターンを検出するパ
ターン検出部と、 前記XYステージの位置を検出する位置検出部とを具備
し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記XYステージの位置を検出するこ
とによって前記パターンの座標を測定することを特徴と
するパターン座標測定装置。
6. A mounting table for mounting a substrate having a pattern formed on its surface such that the pattern surface is substantially perpendicular to a horizontal line; an XY stage provided on a side of the mounting table; A pattern detection unit that is installed on an XY stage and detects the pattern; and a position detection unit that detects the position of the XY stage. The position detection unit detects the XY stage when the pattern detection unit detects the pattern. A pattern coordinate measuring device for measuring coordinates of the pattern by detecting a position of the pattern.
【請求項7】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
るXステージと、 該Xステージの側方に設けられたYステージと、 該Yステージに載置されて前記パターンを検出するパタ
ーン検出部と、 前記Xステージおよび前記Yステージの位置をそれぞれ
検出する位置検出部とを具備し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記Xステージおよび前記Yステージ
の位置を検出することによって前記パターンの座標を測
定することを特徴とするパターン座標測定装置。
7. An X stage for mounting a substrate having a pattern formed on its surface such that the pattern surface is substantially perpendicular to a horizontal line; a Y stage provided on a side of the X stage; A pattern detection unit that is mounted on a Y stage and detects the pattern; and a position detection unit that detects the positions of the X stage and the Y stage. The position detection unit detects the pattern when the pattern detection unit detects the pattern. A pattern coordinate measuring device, wherein a coordinate of the pattern is measured by detecting a position of the X stage and a position of the Y stage by a detection unit.
【請求項8】 前記基板の重力方向下の水平辺とその水
平辺に隣接する垂直辺とがそれぞれ押圧される位置決め
部材と、前記位置決め部材に前記基板を押圧部材を介し
て押圧する付勢部材とを備え、前記位置決め部材と押圧
部材には、前記基板の表面側のエッジと当接してその基
板をステージ側に押圧する傾斜面が形成されていること
を特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載のパタ
ーン座標測定装置。
8. A positioning member for pressing a horizontal side of the substrate in the direction of gravity and a vertical side adjacent to the horizontal side, and a biasing member for pressing the substrate against the positioning member via a pressing member. The positioning member and the pressing member are provided with an inclined surface which comes into contact with an edge on the front side of the substrate and presses the substrate toward the stage. A pattern coordinate measuring device according to any one of the preceding claims.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008071269A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Carl-Zeiss Sms Gmbh Apparatus and method for mask metrology

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