JPH11232664A - 光記録再生装置 - Google Patents
光記録再生装置Info
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- JPH11232664A JPH11232664A JP3160798A JP3160798A JPH11232664A JP H11232664 A JPH11232664 A JP H11232664A JP 3160798 A JP3160798 A JP 3160798A JP 3160798 A JP3160798 A JP 3160798A JP H11232664 A JPH11232664 A JP H11232664A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定のデフォーカスマージンを有して、使用
環境温度の変化等に対する信頼性が大である光記録再生
装置を提供することである。 【解決手段】 フォーカスエラー信号の最大振幅電圧を
検出する最大振幅電圧検出手段６と、この最大振幅電圧
に対して一定割合のバイアス電圧を生成するバイアス電
圧生成手段７とを有し、光記録再生装置毎にばらつく最
大振幅電圧に対して一定割合のバイアス電圧を生成する
ことを特徴とする。また、バイアス電圧生成手段７が、
最大振幅電圧のばらつき範囲を予め想定し、ばらつき範
囲に対応する複数のバイアス電圧を段階的に設定してこ
れらを予め記憶しておく記憶手段と、この記憶手段に記
憶された複数のバイアス電圧値のなかから、最大振幅電
圧値に対してＮｅａｒ側及びＦａｒ側にほぼ一定のデフ
ォーカス量が与えられるように一つのバイアス電圧を選
択する選択手段とを有することを特徴とする。
環境温度の変化等に対する信頼性が大である光記録再生
装置を提供することである。 【解決手段】 フォーカスエラー信号の最大振幅電圧を
検出する最大振幅電圧検出手段６と、この最大振幅電圧
に対して一定割合のバイアス電圧を生成するバイアス電
圧生成手段７とを有し、光記録再生装置毎にばらつく最
大振幅電圧に対して一定割合のバイアス電圧を生成する
ことを特徴とする。また、バイアス電圧生成手段７が、
最大振幅電圧のばらつき範囲を予め想定し、ばらつき範
囲に対応する複数のバイアス電圧を段階的に設定してこ
れらを予め記憶しておく記憶手段と、この記憶手段に記
憶された複数のバイアス電圧値のなかから、最大振幅電
圧値に対してＮｅａｒ側及びＦａｒ側にほぼ一定のデフ
ォーカス量が与えられるように一つのバイアス電圧を選
択する選択手段とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録再生装置に関
し、さらに詳しくは、フォーカスエラー信号にバイアス
電圧を加えてフォーカスサーボを行う光記録再生装置に
関する。
し、さらに詳しくは、フォーカスエラー信号にバイアス
電圧を加えてフォーカスサーボを行う光記録再生装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体に記録された情報を読み出
す、あるいは光記録媒体に情報を記録する光学ピックア
ップ装置を具備した光記録再生装置では、光学ピックア
ップ装置を構成する光源、例えば半導体レーザから出射
されて対物レンズを介して集光される光束の焦点位置が
光記録媒体の情報記録面に一致するように制御するフォ
ーカスサーボが行われている。このフォーカスサーボを
行うためのフォーカスエラー信号は、光学ピックアップ
装置を構成して光記録媒体の情報記録面で反射あるいは
回折されて戻る、戻り光情報に基づいて得られるが、こ
のフォーカスエラー信号には、ＲＦ信号のジッタ量やビ
ットエラーレート等が最小となるように調整して得られ
たバイアス電圧が印加されている。
す、あるいは光記録媒体に情報を記録する光学ピックア
ップ装置を具備した光記録再生装置では、光学ピックア
ップ装置を構成する光源、例えば半導体レーザから出射
されて対物レンズを介して集光される光束の焦点位置が
光記録媒体の情報記録面に一致するように制御するフォ
ーカスサーボが行われている。このフォーカスサーボを
行うためのフォーカスエラー信号は、光学ピックアップ
装置を構成して光記録媒体の情報記録面で反射あるいは
回折されて戻る、戻り光情報に基づいて得られるが、こ
のフォーカスエラー信号には、ＲＦ信号のジッタ量やビ
ットエラーレート等が最小となるように調整して得られ
たバイアス電圧が印加されている。
【０００３】図３は、従来の光記録再生装置に構成され
るフォーカスサーボ装置の概略ブロック図である。光記
録媒体１に記録された情報を読み出す、あるいは光記録
媒体１に情報を記録する光学ピックアップ装置２から
は、フォーカスエラー信号生成回路３に対してフォーカ
スサーボ系の信号が供給される。フォーカスエラー信号
生成回路３では、例えば非点収差法等によりフォーカス
エラー信号が生成される。このフォーカスエラー信号に
は、加算器４において、例えばＲＦ信号のジッタ量やビ
ットエラーレート等が最小となるように半固定抵抗Ｒを
調整して得られるバイアス電圧が印加され、位相補償ド
ライブアンプ５に供給される。位相補償ドライブアンプ
５において位相補償され増幅されたフォーカスエラー信
号は、光学ピックアップ装置２に構成された対物レンズ
制御駆動装置に供給され、対物レンズを介して集光され
る光束の焦点位置を光記録媒体１の情報記録面に一致さ
せるように制御するフォーカスサーボが行われる。
るフォーカスサーボ装置の概略ブロック図である。光記
録媒体１に記録された情報を読み出す、あるいは光記録
媒体１に情報を記録する光学ピックアップ装置２から
は、フォーカスエラー信号生成回路３に対してフォーカ
スサーボ系の信号が供給される。フォーカスエラー信号
生成回路３では、例えば非点収差法等によりフォーカス
エラー信号が生成される。このフォーカスエラー信号に
は、加算器４において、例えばＲＦ信号のジッタ量やビ
ットエラーレート等が最小となるように半固定抵抗Ｒを
調整して得られるバイアス電圧が印加され、位相補償ド
ライブアンプ５に供給される。位相補償ドライブアンプ
５において位相補償され増幅されたフォーカスエラー信
号は、光学ピックアップ装置２に構成された対物レンズ
制御駆動装置に供給され、対物レンズを介して集光され
る光束の焦点位置を光記録媒体１の情報記録面に一致さ
せるように制御するフォーカスサーボが行われる。
【０００４】フォーカスエラー信号に印加されるバイア
ス電圧は、ＣＤ（コンパクトディスク）に代表されるＲ
ＯＭ型の光記録媒体１を再生する再生装置の場合、上記
したＲＦ信号のジッタ量が最小となるバイアス電圧ある
いはビットエラーレートが最小となるバイアス電圧に固
定され、光磁気ディスクや相変化ディスク等に代表され
るＲＡＭ型の光記録媒体１用の装置ではＡＴＥＲ（Ａｄ
ｄｒｅｓｓ ＴｉｍｅＥｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）が最小と
なるバイアス電圧に固定されるのが一般的である。例え
ば、バイアス電圧の調整をビットエラーレートに基づい
て調整し固定する場合では、図４に示したように、対物
レンズが光記録媒体１に接近する方向側（Ｎｅａｒ側）
及び対物レンズが光記録媒体１から離れる方向側（Ｆａ
ｒ側）での読み取り限界エラーレートとなる２つのバイ
アス電圧の間のほぼ中央の電圧値が最良バイアス電圧と
して固定される。
ス電圧は、ＣＤ（コンパクトディスク）に代表されるＲ
ＯＭ型の光記録媒体１を再生する再生装置の場合、上記
したＲＦ信号のジッタ量が最小となるバイアス電圧ある
いはビットエラーレートが最小となるバイアス電圧に固
定され、光磁気ディスクや相変化ディスク等に代表され
るＲＡＭ型の光記録媒体１用の装置ではＡＴＥＲ（Ａｄ
ｄｒｅｓｓ ＴｉｍｅＥｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）が最小と
なるバイアス電圧に固定されるのが一般的である。例え
ば、バイアス電圧の調整をビットエラーレートに基づい
て調整し固定する場合では、図４に示したように、対物
レンズが光記録媒体１に接近する方向側（Ｎｅａｒ側）
及び対物レンズが光記録媒体１から離れる方向側（Ｆａ
ｒ側）での読み取り限界エラーレートとなる２つのバイ
アス電圧の間のほぼ中央の電圧値が最良バイアス電圧と
して固定される。
【０００５】ところで、使用環境温度の変化等により、
対物レンズを介して集光される光束の焦点位置が光記録
媒体１の情報記録面とずれる、いわゆるデフォーカスが
生じても光記録媒体１に記録された情報の高品質な再生
あるいは光記録媒体１への高品質な情報の記録が可能で
あることが、信頼性の観点から光記録再生装置には求め
られている。この信頼性確認のため、光記録再生装置の
製造時において、最良バイアス電圧を基準にしてＮｅａ
ｒ側及びＦａｒ側の両側均等にオフセットさせたバイア
ス電圧を印加させるとともに、印加されたバイアス電圧
に対応するデフォーカス量を与えた状態でのビットエラ
ーレートが読み取り限界内にあるか否かの確認が行わ
れ、限界ビットエラーレート以下である光記録再生装置
が良品と判定されていた。そして、このオフセットさせ
るバイアス電圧は、個々の光記録再生装置毎に変えるこ
となく、固定されたバイアス電圧においてビットエラー
レートが読み取り限界ビットエラーレート以下であるか
否かの確認が行われていた。
対物レンズを介して集光される光束の焦点位置が光記録
媒体１の情報記録面とずれる、いわゆるデフォーカスが
生じても光記録媒体１に記録された情報の高品質な再生
あるいは光記録媒体１への高品質な情報の記録が可能で
あることが、信頼性の観点から光記録再生装置には求め
られている。この信頼性確認のため、光記録再生装置の
製造時において、最良バイアス電圧を基準にしてＮｅａ
ｒ側及びＦａｒ側の両側均等にオフセットさせたバイア
ス電圧を印加させるとともに、印加されたバイアス電圧
に対応するデフォーカス量を与えた状態でのビットエラ
ーレートが読み取り限界内にあるか否かの確認が行わ
れ、限界ビットエラーレート以下である光記録再生装置
が良品と判定されていた。そして、このオフセットさせ
るバイアス電圧は、個々の光記録再生装置毎に変えるこ
となく、固定されたバイアス電圧においてビットエラー
レートが読み取り限界ビットエラーレート以下であるか
否かの確認が行われていた。
【０００６】しかしながら、フォーカスエラー信号の最
大振幅電圧は、フォーカスエラー信号を検出する受光素
子の特性のばらつき等により光記録再生装置毎に異なる
のが一般的である。図５（ａ）〜（ｃ）は、フォーカス
エラー信号とＮｅａｒ側及びＦａｒ側にオフセットさせ
たバイアス電圧との関係を示した概略関係図であり、同
図（ａ）に示したフォーカスエラー信号の最大振幅電圧
ＶFE1 を基準として、同図（ｂ）はフォーカスエラー信
号の最大振幅電圧ＶFE2 が最大振幅電圧ＶFE1 よりも小
である場合を示し、同図（ｃ）はフォーカスエラー信号
の最大振幅電圧ＶFE3 が最大振幅電圧ＶFE1 よりも大で
ある場合を示している。なお、最良バイアス電圧を基準
にしてＮｅａｒ側にオフセットしたバイアス電圧が＋Ｖ
FBであり、Ｆａｒ側にオフセットしたバイアス電圧が−
ＶFB であり、これらは固定された値となっている。デ
フォーカス量はＮｅａｒ側及びＦａｒ側にオフセットさ
せたバイアス電圧のフォーカスエラー信号の最大振幅電
圧に対する比率で表され、同図（ａ）に示したデフォー
カス量は（Ｋ×±ＶFB ／ＶFE1 ）となり、同図（ｂ）
に示したデフォーカス量は（Ｋ×±ＶFB ／ＶFE2 ）と
なり、同図（ｃ）に示したデフォーカス量は（Ｋ×±Ｖ
FB ／ＶFE3 ）となり、フォーカスエラー信号の最大振
幅電圧の大小によりデフォーカス量が異なる値を示すこ
ととなる（但し、Ｋは定数）。
大振幅電圧は、フォーカスエラー信号を検出する受光素
子の特性のばらつき等により光記録再生装置毎に異なる
のが一般的である。図５（ａ）〜（ｃ）は、フォーカス
エラー信号とＮｅａｒ側及びＦａｒ側にオフセットさせ
たバイアス電圧との関係を示した概略関係図であり、同
図（ａ）に示したフォーカスエラー信号の最大振幅電圧
ＶFE1 を基準として、同図（ｂ）はフォーカスエラー信
号の最大振幅電圧ＶFE2 が最大振幅電圧ＶFE1 よりも小
である場合を示し、同図（ｃ）はフォーカスエラー信号
の最大振幅電圧ＶFE3 が最大振幅電圧ＶFE1 よりも大で
ある場合を示している。なお、最良バイアス電圧を基準
にしてＮｅａｒ側にオフセットしたバイアス電圧が＋Ｖ
FBであり、Ｆａｒ側にオフセットしたバイアス電圧が−
ＶFB であり、これらは固定された値となっている。デ
フォーカス量はＮｅａｒ側及びＦａｒ側にオフセットさ
せたバイアス電圧のフォーカスエラー信号の最大振幅電
圧に対する比率で表され、同図（ａ）に示したデフォー
カス量は（Ｋ×±ＶFB ／ＶFE1 ）となり、同図（ｂ）
に示したデフォーカス量は（Ｋ×±ＶFB ／ＶFE2 ）と
なり、同図（ｃ）に示したデフォーカス量は（Ｋ×±Ｖ
FB ／ＶFE3 ）となり、フォーカスエラー信号の最大振
幅電圧の大小によりデフォーカス量が異なる値を示すこ
ととなる（但し、Ｋは定数）。
【０００７】即ち、図５（ａ）〜（ｃ）に示したフォー
カスエラー信号の最大振幅電圧に大小の差はあるが、こ
れらの最大振幅電圧に相当するデフォーカス量は一定で
ある。従って、同図（ａ）に示した事例を基準として固
定されたバイアス電圧＋ＶFB，−ＶFB に相当するデフ
ォーカス量を例えば±０．５μｍとした場合、同図
（ｂ）に示した事例のように、フォーカスエラー信号の
最大振幅電圧が同図（ａ）に示した事例よりも小である
場合には、バイアス電圧＋ＶFB ，−ＶFB に相当するデ
フォーカス量は±０．５μｍよりも大となり、同図
（ｃ）に示した事例のように、フォーカスエラー信号の
最大振幅電圧が同図（ａ）に示した事例よりも大である
場合には、バイアス電圧＋ＶFB ，−ＶFB に相当するデ
フォーカス量は±０．５μｍよりも小となる。このこと
は、例えばビットエラーレートが同一量デフォーカスさ
せた状態での読み取り限界ビットエラーレート以下であ
るか否かの確認が行われていないこととなり、使用環境
温度の変化等に対する光記録再生装置の信頼性が損なわ
れる虞があった。
カスエラー信号の最大振幅電圧に大小の差はあるが、こ
れらの最大振幅電圧に相当するデフォーカス量は一定で
ある。従って、同図（ａ）に示した事例を基準として固
定されたバイアス電圧＋ＶFB，−ＶFB に相当するデフ
ォーカス量を例えば±０．５μｍとした場合、同図
（ｂ）に示した事例のように、フォーカスエラー信号の
最大振幅電圧が同図（ａ）に示した事例よりも小である
場合には、バイアス電圧＋ＶFB ，−ＶFB に相当するデ
フォーカス量は±０．５μｍよりも大となり、同図
（ｃ）に示した事例のように、フォーカスエラー信号の
最大振幅電圧が同図（ａ）に示した事例よりも大である
場合には、バイアス電圧＋ＶFB ，−ＶFB に相当するデ
フォーカス量は±０．５μｍよりも小となる。このこと
は、例えばビットエラーレートが同一量デフォーカスさ
せた状態での読み取り限界ビットエラーレート以下であ
るか否かの確認が行われていないこととなり、使用環境
温度の変化等に対する光記録再生装置の信頼性が損なわ
れる虞があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、所定
のデフォーカスマージンを有して、使用環境温度の変化
等に対する信頼性が大である光記録再生装置を提供する
ことである。
のデフォーカスマージンを有して、使用環境温度の変化
等に対する信頼性が大である光記録再生装置を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光記録再生装置では、フォーカスエラー信
号の最大振幅電圧を検出する最大振幅電圧検出手段と、
フォーカスエラー信号の最大振幅電圧に対する割合が一
定であるバイアス電圧を生成するバイアス電圧生成手段
とを有することを特徴とする。即ち、光記録再生装置毎
にばらつくフォーカスエラー信号の最大振幅電圧に対し
て一定の割合のバイアス電圧を生成するバイアス電圧生
成手段を有する光記録再生装置を特徴とするものであ
る。なお、ここで言う光記録再生装置は、再生のみを行
う再生専用装置、記録のみを行う記録専用装置、記録と
再生の両方を行える装置を含むものである。
に、本発明の光記録再生装置では、フォーカスエラー信
号の最大振幅電圧を検出する最大振幅電圧検出手段と、
フォーカスエラー信号の最大振幅電圧に対する割合が一
定であるバイアス電圧を生成するバイアス電圧生成手段
とを有することを特徴とする。即ち、光記録再生装置毎
にばらつくフォーカスエラー信号の最大振幅電圧に対し
て一定の割合のバイアス電圧を生成するバイアス電圧生
成手段を有する光記録再生装置を特徴とするものであ
る。なお、ここで言う光記録再生装置は、再生のみを行
う再生専用装置、記録のみを行う記録専用装置、記録と
再生の両方を行える装置を含むものである。
【００１０】また、バイアス電圧生成手段が、フォーカ
スエラー信号の最大振幅電圧のばらつき範囲を予め想定
し、このばらつき範囲に対応する複数のバイアス電圧を
段階的に設定し、これらを例えばＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓ
ａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎ
ｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等に予め記憶しておく記憶手段
と、この記憶手段に記憶された複数のバイアス電圧値の
なかから、最大振幅電圧に対してＮｅａｒ側及びＦａｒ
側にほぼ一定のデフォーカス量が与えられるように一つ
のバイアス電圧を選択する選択手段とを有するものでも
良い。
スエラー信号の最大振幅電圧のばらつき範囲を予め想定
し、このばらつき範囲に対応する複数のバイアス電圧を
段階的に設定し、これらを例えばＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓ
ａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎ
ｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等に予め記憶しておく記憶手段
と、この記憶手段に記憶された複数のバイアス電圧値の
なかから、最大振幅電圧に対してＮｅａｒ側及びＦａｒ
側にほぼ一定のデフォーカス量が与えられるように一つ
のバイアス電圧を選択する選択手段とを有するものでも
良い。
【００１１】上述した手段による作用としては、フォー
カスエラー信号の最大振幅電圧が光記録再生装置毎に異
なる値であっても、Ｎｅａｒ側及びＦａｒ側にほぼ同量
のデフォーカス量を与えた状態での、例えば限界ビット
エラーレート以下であるか否かの確認を行うことがで
き、使用環境温度の変化等に対する光記録再生装置の信
頼性の向上を図ることができることである。
カスエラー信号の最大振幅電圧が光記録再生装置毎に異
なる値であっても、Ｎｅａｒ側及びＦａｒ側にほぼ同量
のデフォーカス量を与えた状態での、例えば限界ビット
エラーレート以下であるか否かの確認を行うことがで
き、使用環境温度の変化等に対する光記録再生装置の信
頼性の向上を図ることができることである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の光記録再生装置は、フォ
ーカスエラー信号にバイアス電圧を印加してフォーカス
サーボを行う光記録再生装置に適用することができる。
以下、本発明を適用した実施例について、図１及び図２
を参照して説明する。なお、図中の構成要素で従来の技
術と同様の構造を成しているものについては、同一の参
照符号を付すものとする。
ーカスエラー信号にバイアス電圧を印加してフォーカス
サーボを行う光記録再生装置に適用することができる。
以下、本発明を適用した実施例について、図１及び図２
を参照して説明する。なお、図中の構成要素で従来の技
術と同様の構造を成しているものについては、同一の参
照符号を付すものとする。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の光記録再生装置に構成され
るフォーカスサーボ装置の概略ブロック図である。フォ
ーカスエラー信号生成回路３で生成されたフォーカスエ
ラー信号は、加算器４及びアナログデジタル変換器を内
蔵する最大振幅電圧検出手段６に供給される。この最大
振幅電圧検出手段６において、アナログ信号であるフォ
ーカスエラー信号がデジタル信号に変換されるとともに
最大振幅電圧が検出され、デジタル信号に変換された最
大振幅電圧がバイアス電圧生成手段７に供給される。こ
のバイアス電圧生成手段７では、デジタル信号に変換さ
れた最大振幅電圧に対して一定割合となるバイアス電圧
が演算され、演算結果はバイアス電圧生成手段７に内蔵
されたデジタルアナログ変換器によりアナログ信号に変
換されて加算器４に供給される。
るフォーカスサーボ装置の概略ブロック図である。フォ
ーカスエラー信号生成回路３で生成されたフォーカスエ
ラー信号は、加算器４及びアナログデジタル変換器を内
蔵する最大振幅電圧検出手段６に供給される。この最大
振幅電圧検出手段６において、アナログ信号であるフォ
ーカスエラー信号がデジタル信号に変換されるとともに
最大振幅電圧が検出され、デジタル信号に変換された最
大振幅電圧がバイアス電圧生成手段７に供給される。こ
のバイアス電圧生成手段７では、デジタル信号に変換さ
れた最大振幅電圧に対して一定割合となるバイアス電圧
が演算され、演算結果はバイアス電圧生成手段７に内蔵
されたデジタルアナログ変換器によりアナログ信号に変
換されて加算器４に供給される。
【００１４】図２（ａ）〜（ｃ）は、加算器４におい
て、フォーカスエラー信号とＮｅａｒ側及びＦａｒ側に
オフセットさせたバイアス電圧との関係を示した概略関
係図である。同図（ａ）〜（ｃ）に示したように、フォ
ーカスエラー信号の最大振幅電圧ＶFE1 ，ＶFE2 ，Ｖ
FE3 に大小の差があっても、フォーカスエラー信号の最
大振幅電圧ＶFE1 ，ＶFE2 ，ＶFE3 に対するバイアス電
圧の割合は一定となる。即ち、同図（ａ）に示したデフ
ォーカス量（Ｋ×±ＶFB1 ／ＶFE1 ）と、同図（ｂ）に
示したデフォーカス量（Ｋ×±ＶFB2 ／ＶFE2 ）と、同
図（ｃ）に示したデフォーカス量（Ｋ×±ＶFB3 ／Ｖ
FE3 ）とは何れも同じ値となり（但し、Ｋは定数）、フ
ォーカスエラー信号の最大振幅電圧の大小の差に関係な
く、Ｎｅａｒ側及びＦａｒ側に一定のデフォーカス量を
与えた状態でのＲＦ信号のジッタ量やビットエラーレー
トが読み取り限界ビットエラーレート以下であるか否か
の確認を行うことができる。
て、フォーカスエラー信号とＮｅａｒ側及びＦａｒ側に
オフセットさせたバイアス電圧との関係を示した概略関
係図である。同図（ａ）〜（ｃ）に示したように、フォ
ーカスエラー信号の最大振幅電圧ＶFE1 ，ＶFE2 ，Ｖ
FE3 に大小の差があっても、フォーカスエラー信号の最
大振幅電圧ＶFE1 ，ＶFE2 ，ＶFE3 に対するバイアス電
圧の割合は一定となる。即ち、同図（ａ）に示したデフ
ォーカス量（Ｋ×±ＶFB1 ／ＶFE1 ）と、同図（ｂ）に
示したデフォーカス量（Ｋ×±ＶFB2 ／ＶFE2 ）と、同
図（ｃ）に示したデフォーカス量（Ｋ×±ＶFB3 ／Ｖ
FE3 ）とは何れも同じ値となり（但し、Ｋは定数）、フ
ォーカスエラー信号の最大振幅電圧の大小の差に関係な
く、Ｎｅａｒ側及びＦａｒ側に一定のデフォーカス量を
与えた状態でのＲＦ信号のジッタ量やビットエラーレー
トが読み取り限界ビットエラーレート以下であるか否か
の確認を行うことができる。
【００１５】本実施例では、バイアス電圧生成手段７
が、段階的に設定された複数のバイアス電圧を記憶する
記憶手段と、この記憶手段に記憶された複数のバイアス
電圧のなかから、最大振幅電圧に対して一定割合で近似
する一つのバイアス電圧を選択する選択手段とを有する
ものでも良い。この場合、例えばＥＰＲＯＭ等で構成さ
れた記憶手段には、フォーカスエラー信号の最大振幅電
圧のばらつき範囲を予め想定し、このばらつき範囲に対
応する複数のバイアス電圧を段階的に設定し、これら段
階的に設定された複数のバイアス電圧が記憶される。例
えば、フォーカスエラー信号の最大振幅電圧１０Ｖに対
するバイアス電圧は±０．５Ｖ、フォーカスエラー信号
の最大振幅電圧９．６Ｖに対するバイアス電圧は±０．
４８Ｖ、フォーカスエラー信号の最大振幅電圧９．２Ｖ
に対するバイアス電圧は±０．４６Ｖのように、最大振
幅電圧に対してバイアス電圧が一定割合の±５％となる
ように設定しておく。そして、例えば最大振幅電圧が
９．５Ｖであった場合には、バイアス電圧生成手段７内
に構成された選択手段により、９．５Ｖに近似する最大
振幅電圧９．６Ｖが選択されるとともにバイアス電圧±
０．４８Ｖが選択され、このバイアス電圧±０．４８Ｖ
が加算器４に供給される。バイアス電圧生成手段７にこ
のような記憶手段及び選択手段を構成すれば、例えば光
記録再生装置の光学系の変更に伴い、新たなデフォーカ
ス量を与えてＲＦ信号のジッタ量やビットエラーレート
が読み取り限界ビットエラーレート以下であるか否かの
確認を行わなければならない場合においても、記憶手段
に記憶させる設定値の更新により、容易に対応すること
ができる。
が、段階的に設定された複数のバイアス電圧を記憶する
記憶手段と、この記憶手段に記憶された複数のバイアス
電圧のなかから、最大振幅電圧に対して一定割合で近似
する一つのバイアス電圧を選択する選択手段とを有する
ものでも良い。この場合、例えばＥＰＲＯＭ等で構成さ
れた記憶手段には、フォーカスエラー信号の最大振幅電
圧のばらつき範囲を予め想定し、このばらつき範囲に対
応する複数のバイアス電圧を段階的に設定し、これら段
階的に設定された複数のバイアス電圧が記憶される。例
えば、フォーカスエラー信号の最大振幅電圧１０Ｖに対
するバイアス電圧は±０．５Ｖ、フォーカスエラー信号
の最大振幅電圧９．６Ｖに対するバイアス電圧は±０．
４８Ｖ、フォーカスエラー信号の最大振幅電圧９．２Ｖ
に対するバイアス電圧は±０．４６Ｖのように、最大振
幅電圧に対してバイアス電圧が一定割合の±５％となる
ように設定しておく。そして、例えば最大振幅電圧が
９．５Ｖであった場合には、バイアス電圧生成手段７内
に構成された選択手段により、９．５Ｖに近似する最大
振幅電圧９．６Ｖが選択されるとともにバイアス電圧±
０．４８Ｖが選択され、このバイアス電圧±０．４８Ｖ
が加算器４に供給される。バイアス電圧生成手段７にこ
のような記憶手段及び選択手段を構成すれば、例えば光
記録再生装置の光学系の変更に伴い、新たなデフォーカ
ス量を与えてＲＦ信号のジッタ量やビットエラーレート
が読み取り限界ビットエラーレート以下であるか否かの
確認を行わなければならない場合においても、記憶手段
に記憶させる設定値の更新により、容易に対応すること
ができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の光記録再生装置によれば、所定
のデフォーカスマージンを有して、使用環境温度の変化
等に対しても高品質な情報の再生や記録が可能である光
記録再生装置を提供することができる。
のデフォーカスマージンを有して、使用環境温度の変化
等に対しても高品質な情報の再生や記録が可能である光
記録再生装置を提供することができる。
【図１】 本発明の光記録再生装置を構成するフォーカ
スサーボ装置の概略ブロック図である。
スサーボ装置の概略ブロック図である。
【図２】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明のフォーカスエラ
ー信号とバイアス電圧との関係を示した概略関係図であ
る。
ー信号とバイアス電圧との関係を示した概略関係図であ
る。
【図３】 従来の光記録再生装置を構成するフォーカス
サーボ装置の概略ブロック図である。
サーボ装置の概略ブロック図である。
【図４】 従来のビットエラーレートとバイアス電圧と
の関係を示す概略関係図である。
の関係を示す概略関係図である。
【図５】 （ａ）〜（ｃ）は、従来のフォーカスエラー
信号とバイアス電圧との関係を示した概略関係図であ
る。
信号とバイアス電圧との関係を示した概略関係図であ
る。
１…光記録媒体、２…光学ピックアップ装置、３…フォ
ーカスエラー信号生成回路、４…加算器、５…位相補償
ドライブアンプ、６…最大振幅電圧検出手段、７…バイ
アス電圧生成手段、Ｒ…半固定抵抗
ーカスエラー信号生成回路、４…加算器、５…位相補償
ドライブアンプ、６…最大振幅電圧検出手段、７…バイ
アス電圧生成手段、Ｒ…半固定抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 フォーカスエラー信号にバイアス電圧を
印加してフォーカスサーボを行う光記録再生装置におい
て、 前記フォーカスエラー信号の最大振幅電圧を検出する最
大振幅電圧検出手段と、 前記最大振幅電圧に対して一定割合の前記バイアス電圧
を生成するバイアス電圧生成手段とを有することを特徴
とする光記録再生装置。 - 【請求項２】 前記バイアス電圧生成手段が、 段階的な複数の前記バイアス電圧を記憶する記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶された複数の前記バイアス電圧のな
かから、前記一定割合に近似する一つを選択する選択手
段とを有することを特徴とする請求項１に記載の光記録
再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160798A JPH11232664A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160798A JPH11232664A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232664A true JPH11232664A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12335898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3160798A Pending JPH11232664A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11232664A (ja) |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP3160798A patent/JPH11232664A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041222 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060901 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070522 |