JPH11233024A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPH11233024A JPH11233024A JP10037546A JP3754698A JPH11233024A JP H11233024 A JPH11233024 A JP H11233024A JP 10037546 A JP10037546 A JP 10037546A JP 3754698 A JP3754698 A JP 3754698A JP H11233024 A JPH11233024 A JP H11233024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- electrode group
- electrodes
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/14—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided only on one side of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
- H01J11/32—Disposition of the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/22—Electrodes
- H01J2211/32—Disposition of the electrodes
- H01J2211/323—Mutual disposition of electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ放電を利用した表示装置において、
画素の高精細化を図り、且つ電極構造の簡単化及び電極
形成工程の簡略化を図る。 【解決手段】 プラズマ放電を利用した交流駆動型の表
示装置において、一方の基板２２に、複数の放電維持電
極Ｉからなる放電維持電極群と、複数のアドレス電極Ｊ
からなるアドレス電極群とが形成され、放電維持電極群
に絶縁体層２７を介して交差する上記アドレス電極群
と、このアドレス電極群の一部を構成する複数の放電開
始アドレス電極Ｋからの放電開始アドレス電極群とが互
に連続して同時形成され、且つ放電維持電極群と放電開
始アドレス電極群が同一面上に形成され、放電維持電極
群、アドレス電極群及び放電開始アドレス電極群上に誘
電体層を有して成る。
画素の高精細化を図り、且つ電極構造の簡単化及び電極
形成工程の簡略化を図る。 【解決手段】 プラズマ放電を利用した交流駆動型の表
示装置において、一方の基板２２に、複数の放電維持電
極Ｉからなる放電維持電極群と、複数のアドレス電極Ｊ
からなるアドレス電極群とが形成され、放電維持電極群
に絶縁体層２７を介して交差する上記アドレス電極群
と、このアドレス電極群の一部を構成する複数の放電開
始アドレス電極Ｋからの放電開始アドレス電極群とが互
に連続して同時形成され、且つ放電維持電極群と放電開
始アドレス電極群が同一面上に形成され、放電維持電極
群、アドレス電極群及び放電開始アドレス電極群上に誘
電体層を有して成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ放電を利
用した交流駆動型の表示装置に関する。
用した交流駆動型の表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ放電を利用した交流駆動
型の表示装置、いわゆるＡＣ（交流）型プラズマ表示パ
ネル（Plasma display panel：ＰＤＰ）が知られてい
る。このＡＣ型ＰＤＰには、放電ガスの発光色を見るも
のと、放電によって発生する紫外線で蛍光体を励起発光
させるものとがある。
型の表示装置、いわゆるＡＣ（交流）型プラズマ表示パ
ネル（Plasma display panel：ＰＤＰ）が知られてい
る。このＡＣ型ＰＤＰには、放電ガスの発光色を見るも
のと、放電によって発生する紫外線で蛍光体を励起発光
させるものとがある。
【０００３】従来のカラーＡＣ型ＰＤＰでは、２相の電
極で駆動するものと、３相の電極で駆動するものとが知
られている。
極で駆動するものと、３相の電極で駆動するものとが知
られている。
【０００４】図１６に３相電極によるカラーＡＣ型のＰ
ＤＰの構成を示す。図１６は１画素に対応する部分を含
む斜視図であり、図１７は図１６のアドレス電極の延長
方向と平行なＡ−Ａ線上の断面図であり、図１８は図１
６の表示電極の延長方向と平行なＢ−Ｂ線上の断面図で
ある。このカラーＡＣ型ＰＤＰ１は、マトリックス表示
の単位発光領域に一対の表示電極２，２とアドレス電極
３とが相対向する３電極構造を有し、アドレス電極３側
に蛍光体４〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕を形成して構成され
る。
ＤＰの構成を示す。図１６は１画素に対応する部分を含
む斜視図であり、図１７は図１６のアドレス電極の延長
方向と平行なＡ−Ａ線上の断面図であり、図１８は図１
６の表示電極の延長方向と平行なＢ−Ｂ線上の断面図で
ある。このカラーＡＣ型ＰＤＰ１は、マトリックス表示
の単位発光領域に一対の表示電極２，２とアドレス電極
３とが相対向する３電極構造を有し、アドレス電極３側
に蛍光体４〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕を形成して構成され
る。
【０００５】即ち、第１の基板、例えば表示面側の前面
ガラス基板５上に一対の表示電極２，２が複数組（図は
１組のみ示す）配列形成され、この表示電極２，２上を
被覆するように誘電体層６が形成され、さらに誘電体層
６の表面に保護層７として数千オングストローム程度の
厚さのＭｇＯ膜が形成される。８は、表示電極２，２に
形成された低抵抗のバス電極である。
ガラス基板５上に一対の表示電極２，２が複数組（図は
１組のみ示す）配列形成され、この表示電極２，２上を
被覆するように誘電体層６が形成され、さらに誘電体層
６の表面に保護層７として数千オングストローム程度の
厚さのＭｇＯ膜が形成される。８は、表示電極２，２に
形成された低抵抗のバス電極である。
【０００６】一方、前面ガラス基板５に対向する第２の
基板、例えば背面ガラス基板１０上に単位発光領域を選
択的に発光させるためのアドレス電極３が表示電極２，
２と直交するように、例えば２００ミクロン程度のピッ
チで配列形成され、さらにアドレス電極３を被覆するよ
うに、誘電体層１２が形成される。各隣り合うアドレス
電極３間には、放電空間の間隔寸法を規定する１００ミ
クロン程度の幅を有したストライプ状の隔壁１１が設け
られ、これによって放電空間はライン方向（表示電極
２，２の延長方向）に単位発光領域毎に区画される。ま
た、各隣り合う隔壁１１間に赤，緑，青の３色の蛍光体
４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが夫々塗布形成されている。なお、放
電空間には、蛍光体４〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕に対する紫
外線励起のための放電ガスとして、例えばネオンにキセ
ノンを混合したペニングガスが封入されている。
基板、例えば背面ガラス基板１０上に単位発光領域を選
択的に発光させるためのアドレス電極３が表示電極２，
２と直交するように、例えば２００ミクロン程度のピッ
チで配列形成され、さらにアドレス電極３を被覆するよ
うに、誘電体層１２が形成される。各隣り合うアドレス
電極３間には、放電空間の間隔寸法を規定する１００ミ
クロン程度の幅を有したストライプ状の隔壁１１が設け
られ、これによって放電空間はライン方向（表示電極
２，２の延長方向）に単位発光領域毎に区画される。ま
た、各隣り合う隔壁１１間に赤，緑，青の３色の蛍光体
４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが夫々塗布形成されている。なお、放
電空間には、蛍光体４〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕に対する紫
外線励起のための放電ガスとして、例えばネオンにキセ
ノンを混合したペニングガスが封入されている。
【０００７】表示画面を構成する各１ピクセル（画素）
は、ライン方向に並ぶ同一面積の赤（Ｒ），緑（Ｇ），
青（Ｂ）の３つの単位発光領域で構成される。
は、ライン方向に並ぶ同一面積の赤（Ｒ），緑（Ｇ），
青（Ｂ）の３つの単位発光領域で構成される。
【０００８】このカラーＡＣ型ＰＤＰ１では、選択され
た一対の表示電極２，２のうちの一方の表示電極２と選
択されたアドレス電極３との間で放電が開始した後、一
対の表示電極２及び２間に放電が維持され、このときの
プラズマ放電によって発生した紫外線によって蛍光体４
〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕が励起発光する。従って、各単位
発光領域を選択的に発光させることにより、赤（Ｒ），
緑（Ｇ），青（Ｂ）の組み合わせによるフルカラー表示
が可能になる。
た一対の表示電極２，２のうちの一方の表示電極２と選
択されたアドレス電極３との間で放電が開始した後、一
対の表示電極２及び２間に放電が維持され、このときの
プラズマ放電によって発生した紫外線によって蛍光体４
〔４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ〕が励起発光する。従って、各単位
発光領域を選択的に発光させることにより、赤（Ｒ），
緑（Ｇ），青（Ｂ）の組み合わせによるフルカラー表示
が可能になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
カラーＡＣ型ＰＤＰ１において、表示画素を高精細にす
るためには、表示電極２，２間距離を小さくする必要が
ある。また、これに関連して、アドレス電極３と表示電
極２間距離も表示電極２，２間距離と等しくする必要が
ある。
カラーＡＣ型ＰＤＰ１において、表示画素を高精細にす
るためには、表示電極２，２間距離を小さくする必要が
ある。また、これに関連して、アドレス電極３と表示電
極２間距離も表示電極２，２間距離と等しくする必要が
ある。
【００１０】しかし、表示電極２，２間距離を小さくす
ることに限界があり、高精細化が困難である。例えば電
極２，２間距離が２０ミクロン以下の場合、２０〜４０
ミクロン厚の蛍光体４を形成したとき、図１８に示すプ
ラズマ放電空間１４がなくなってしまい、電極間で放電
破壊が生じる恐れがある。また、プラズマ放電空間１４
を確保した構成を考えても、蛍光体４を形成すべき部所
は限られており、蛍光体４が少なくなれば低輝度にもな
るし、さらに、イオン衝撃によって蛍光体４の劣化が生
じるという不都合があった。
ることに限界があり、高精細化が困難である。例えば電
極２，２間距離が２０ミクロン以下の場合、２０〜４０
ミクロン厚の蛍光体４を形成したとき、図１８に示すプ
ラズマ放電空間１４がなくなってしまい、電極間で放電
破壊が生じる恐れがある。また、プラズマ放電空間１４
を確保した構成を考えても、蛍光体４を形成すべき部所
は限られており、蛍光体４が少なくなれば低輝度にもな
るし、さらに、イオン衝撃によって蛍光体４の劣化が生
じるという不都合があった。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、高精細の表示
装置を提供するものである。本発明は、更に構造の簡素
化、製造の容易化を可能にした表示装置を提供するもの
である。
装置を提供するものである。本発明は、更に構造の簡素
化、製造の容易化を可能にした表示装置を提供するもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表示装置
は、プラズマ放電を利用した交流駆動型の表示装置にお
いて、放電維持電極群、アドレス電極群及びアドレス電
極群の一部を構成する放電開始アドレス電極群が同一の
基板上に形成され、放電維持電極群と放電開始アドレス
電極群とが同一面上に形成されると共に、放電開始アド
レス電極とアドレス電極とが互に連続して同時形成され
て成る。
は、プラズマ放電を利用した交流駆動型の表示装置にお
いて、放電維持電極群、アドレス電極群及びアドレス電
極群の一部を構成する放電開始アドレス電極群が同一の
基板上に形成され、放電維持電極群と放電開始アドレス
電極群とが同一面上に形成されると共に、放電開始アド
レス電極とアドレス電極とが互に連続して同時形成され
て成る。
【００１３】本発明の表示装置においては、放電維持電
極群、アドレス電極群及び放電開始アドレス電極群が同
一の基板に形成されるので、アドレス電極と放電維持電
極との電極間距離がいくら小さくなっても、隔壁によっ
てプラズマ放電空間が十分確保される。従って、表示画
素の高精細化が可能になる。
極群、アドレス電極群及び放電開始アドレス電極群が同
一の基板に形成されるので、アドレス電極と放電維持電
極との電極間距離がいくら小さくなっても、隔壁によっ
てプラズマ放電空間が十分確保される。従って、表示画
素の高精細化が可能になる。
【００１４】プラズマにより発生した紫外線によって対
向する基板側の蛍光体層を励起発光させる構成としたと
きは、プラズマによる紫外線が十分確保され、蛍光体層
の高輝度発光が可能になる。蛍光体層はプラズマの外に
設けることができ、プラズマに蛍光体層が晒されること
がないため、プラズマのイオン衝撃による蛍光体の劣化
も防ぐことができる。
向する基板側の蛍光体層を励起発光させる構成としたと
きは、プラズマによる紫外線が十分確保され、蛍光体層
の高輝度発光が可能になる。蛍光体層はプラズマの外に
設けることができ、プラズマに蛍光体層が晒されること
がないため、プラズマのイオン衝撃による蛍光体の劣化
も防ぐことができる。
【００１５】放電維持電極群、アドレス電極群及び放電
開始アドレス電極群を同一の基板上に形成することによ
り、電極形成のプロセスにおいて、各電極間の正確な位
置出しができ、電極側の基板と、之に対向する基板との
封止プロセスにおいて、位置合わせ、スペース間隔の許
容範囲が大きくなり余裕ができる。放電維持電極群と放
電開始アドレス電極群とを同一面上に形成することによ
り、一対の放電維持電極間距離と、一方の放電維持電極
と放電開始アドレス電極間距離を精度よく設定すること
ができる。
開始アドレス電極群を同一の基板上に形成することによ
り、電極形成のプロセスにおいて、各電極間の正確な位
置出しができ、電極側の基板と、之に対向する基板との
封止プロセスにおいて、位置合わせ、スペース間隔の許
容範囲が大きくなり余裕ができる。放電維持電極群と放
電開始アドレス電極群とを同一面上に形成することによ
り、一対の放電維持電極間距離と、一方の放電維持電極
と放電開始アドレス電極間距離を精度よく設定すること
ができる。
【００１６】そして、アドレス電極と放電開始アドレス
電極とを互に連続して同時形成することにより、アドレ
ス電極と放電開始アドレス電極とを個別に形成した後、
両者を接続する構成に比べて電極構造が簡素化され、且
つ両者の導通が確実となる。さらに電極の製造でプロセ
スが簡素化される。従って、表示装置の歩留まりが向上
し、コストダウンが図れる。
電極とを互に連続して同時形成することにより、アドレ
ス電極と放電開始アドレス電極とを個別に形成した後、
両者を接続する構成に比べて電極構造が簡素化され、且
つ両者の導通が確実となる。さらに電極の製造でプロセ
スが簡素化される。従って、表示装置の歩留まりが向上
し、コストダウンが図れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係る表示装置は、プラズ
マ放電を利用した交流駆動型の表示装置において、一方
の基板に、複数の放電維持電極からなる放電維持電極群
と、複数のアドレス電極からなるアドレス電極群とが形
成され、放電維持電極群に絶縁体層を介して交差するア
ドレス電極群と、このアドレス電極群の一部を構成する
複数の放電開始アドレス電極からなる放電開始アドレス
電極群とが互に連続して同時形成され、且つ放電維持電
極群と放電開始アドレス電極群とが同一面上に形成さ
れ、放電維持電極群、アドレス電極群及び放電開始アド
レス電極群上に誘電体層を有した構成とする。
マ放電を利用した交流駆動型の表示装置において、一方
の基板に、複数の放電維持電極からなる放電維持電極群
と、複数のアドレス電極からなるアドレス電極群とが形
成され、放電維持電極群に絶縁体層を介して交差するア
ドレス電極群と、このアドレス電極群の一部を構成する
複数の放電開始アドレス電極からなる放電開始アドレス
電極群とが互に連続して同時形成され、且つ放電維持電
極群と放電開始アドレス電極群とが同一面上に形成さ
れ、放電維持電極群、アドレス電極群及び放電開始アド
レス電極群上に誘電体層を有した構成とする。
【００１８】この一方の基板に対向する他方の基板に
は、プラズマ放電による紫外線で発光する蛍光体層を形
成することができる。放電維持電極群としては、例えば
透明導電膜、或いはＡｌ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇ、さらには
ＣｒとＡｌの積層膜、例えばＡｌ／Ｃｒ２層膜構造、Ｃ
ｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造等で形成することができる。
は、プラズマ放電による紫外線で発光する蛍光体層を形
成することができる。放電維持電極群としては、例えば
透明導電膜、或いはＡｌ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇ、さらには
ＣｒとＡｌの積層膜、例えばＡｌ／Ｃｒ２層膜構造、Ｃ
ｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造等で形成することができる。
【００１９】放電維持電極群をＣｒとＡｌの積層膜で形
成するときは、その端子部の表面酸化膜を除去した構成
とすることができる。
成するときは、その端子部の表面酸化膜を除去した構成
とすることができる。
【００２０】アドレス電極群及び放電開始アドレス電極
群は例えばＡｌ，Ａｇ等の金属材料で形成することがで
きる。
群は例えばＡｌ，Ａｇ等の金属材料で形成することがで
きる。
【００２１】誘電体層の表面には、誘電体層の保護と仕
事関数を小さくするＭｇＯ膜を形成することができる。
事関数を小さくするＭｇＯ膜を形成することができる。
【００２２】一方の基板側の放電開始アドレス電極を単
位放電領域毎に形成し、他方の基板に隔壁を形成して各
隣り合う隔壁間内に蛍光体層を形成し、各隔壁と各アド
レス電極とが互に対応するように一方の基板と他方の基
板とを封止して構成することができる。
位放電領域毎に形成し、他方の基板に隔壁を形成して各
隣り合う隔壁間内に蛍光体層を形成し、各隔壁と各アド
レス電極とが互に対応するように一方の基板と他方の基
板とを封止して構成することができる。
【００２３】放電維持電極においては、その対をなす第
１及び第２の放電維持電極間の距離を５０μｍ以下、例
えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ以下、１μｍ以
下に設定することができる。
１及び第２の放電維持電極間の距離を５０μｍ以下、例
えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ以下、１μｍ以
下に設定することができる。
【００２４】放電維持電極群の対をなす第１及び第２の
放電維持電極間の距離と、放電開始アドレス電極と放電
維持電極（即ち、対をなす一方の放電維持電極）との間
の距離とは、互にほぼ等距離、即ち、互に等距離、ある
いは、互に近似した距離に設定することができる。
放電維持電極間の距離と、放電開始アドレス電極と放電
維持電極（即ち、対をなす一方の放電維持電極）との間
の距離とは、互にほぼ等距離、即ち、互に等距離、ある
いは、互に近似した距離に設定することができる。
【００２５】放電維持電極、即ち対をなす一方の放電維
持電極と放電開始アドレス電極との間の距離は、放電維
持電極群の対をなす第１及び第２の放電維持電極間の距
離の±３０％以内の範囲に設定することができる。
持電極と放電開始アドレス電極との間の距離は、放電維
持電極群の対をなす第１及び第２の放電維持電極間の距
離の±３０％以内の範囲に設定することができる。
【００２６】また、放電維持電極群の対をなす第１及び
第２の放電維持電極間の距離と、一方の放電維持電極及
び放電開始アドレス電極間の距離は、共に最適値の±３
０％以内に設定することができる。
第２の放電維持電極間の距離と、一方の放電維持電極及
び放電開始アドレス電極間の距離は、共に最適値の±３
０％以内に設定することができる。
【００２７】一方の基板と他方の基板を封止して形成さ
れる気密容器内、即ち、その放電空間には、封入ガス圧
が０．８〜３．０気圧となるようにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを封入することがで
きる。
れる気密容器内、即ち、その放電空間には、封入ガス圧
が０．８〜３．０気圧となるようにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを封入することがで
きる。
【００２８】放電維持電極及び放電開始アドレス電極上
の誘電体層の厚さは、電極間距離、即ち、対をなす第１
及び第２の放電維持電極間距離及び対をなす放電維持電
極の一方と放電開始アドレス電極との間の距離、よりも
薄く形成するのが好ましい。
の誘電体層の厚さは、電極間距離、即ち、対をなす第１
及び第２の放電維持電極間距離及び対をなす放電維持電
極の一方と放電開始アドレス電極との間の距離、よりも
薄く形成するのが好ましい。
【００２９】本発明の表示装置は、カラー表示、モノク
ロ表示装置のいずれにも適用できる。
ロ表示装置のいずれにも適用できる。
【００３０】カラー表示装置の場合には、例えば、赤，
緑，青の各単位放電領域（いわゆるドット）の組で１ピ
クセル（画素）が構成され、モノクロ表示装置の場合
は、１つの単位放電領域（いわゆるドット）で１ピクセ
ル（画素）が構成される。
緑，青の各単位放電領域（いわゆるドット）の組で１ピ
クセル（画素）が構成され、モノクロ表示装置の場合
は、１つの単位放電領域（いわゆるドット）で１ピクセ
ル（画素）が構成される。
【００３１】図１〜図３は、本発明の表示装置の一実施
の形態を示す。本実施の形態は、カラーＡＣ型表示装置
に適用した場合である。この表示装置２１は、一方の基
板となる第１の絶縁基板（例えばガラス基板）２２に、
ストライプ状をなす複数の放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，
Ｉ2 ，‥‥Ｉm 〕からなる放電維持電極群と、ストライ
プ状をなす複数のアドレス電極Ｊ〔Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊ
n 〕からなるアドレス電極群と、各アドレス電極の一部
を構成する複数の放電開始アドレス電極Ｋ〔Ｋ11，
Ｋ21，‥‥Ｋn1，Ｋ12，‥‥Ｋn2，‥‥Ｋ1m，‥‥
Ｋnm〕からなる放電開始アドレス電極群が形成されてな
る、いわゆる電極基板２３を形成し、この電極基板２３
に対向して他方の基板となる第２の絶縁基板（例えばガ
ラス基板）２４に蛍光体層２５が形成されてなる、いわ
ゆる蛍光体基板２６を形成し、之等、電極基板２３と蛍
光体基板２６を気密封止して構成される。
の形態を示す。本実施の形態は、カラーＡＣ型表示装置
に適用した場合である。この表示装置２１は、一方の基
板となる第１の絶縁基板（例えばガラス基板）２２に、
ストライプ状をなす複数の放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，
Ｉ2 ，‥‥Ｉm 〕からなる放電維持電極群と、ストライ
プ状をなす複数のアドレス電極Ｊ〔Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊ
n 〕からなるアドレス電極群と、各アドレス電極の一部
を構成する複数の放電開始アドレス電極Ｋ〔Ｋ11，
Ｋ21，‥‥Ｋn1，Ｋ12，‥‥Ｋn2，‥‥Ｋ1m，‥‥
Ｋnm〕からなる放電開始アドレス電極群が形成されてな
る、いわゆる電極基板２３を形成し、この電極基板２３
に対向して他方の基板となる第２の絶縁基板（例えばガ
ラス基板）２４に蛍光体層２５が形成されてなる、いわ
ゆる蛍光体基板２６を形成し、之等、電極基板２３と蛍
光体基板２６を気密封止して構成される。
【００３２】放電維持電極群は、図３に示すように、放
電が開始された後に放電を維持するための夫々一対をな
す放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥，Ｉ
m-1及びＩm を形成するように、基板２２面上に配列さ
れる。
電が開始された後に放電を維持するための夫々一対をな
す放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥，Ｉ
m-1及びＩm を形成するように、基板２２面上に配列さ
れる。
【００３３】アドレス電極群の各アドレス電極Ｊ1 ，‥
‥Ｊn は、表示アドレスを指定するための電極であり、
放電維持電極群と交差し、例えば放電維持電極Ｉ
〔Ｉ1 ，Ｉ2 ，‥‥Ｉm 〕の長手方向に沿って所定間隔
を置いて配列される。
‥Ｊn は、表示アドレスを指定するための電極であり、
放電維持電極群と交差し、例えば放電維持電極Ｉ
〔Ｉ1 ，Ｉ2 ，‥‥Ｉm 〕の長手方向に沿って所定間隔
を置いて配列される。
【００３４】放電開始アドレス電極群の各放電開始アド
レス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、対をなす放電維持電
極（Ｉ1 ，Ｉ2 ），（Ｉ3 ，Ｉ4 ），‥‥（Ｉm-1 ，Ｉ
m ）の一方の電極、例えば放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥
‥Ｉm との間で放電を開始させるための電極であり、各
単位発光領域に対応して配列される。この放電開始アド
レス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、夫々対応するアドレ
ス電極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕より連続して一体に形成さ
れる。
レス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、対をなす放電維持電
極（Ｉ1 ，Ｉ2 ），（Ｉ3 ，Ｉ4 ），‥‥（Ｉm-1 ，Ｉ
m ）の一方の電極、例えば放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥
‥Ｉm との間で放電を開始させるための電極であり、各
単位発光領域に対応して配列される。この放電開始アド
レス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、夫々対応するアドレ
ス電極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕より連続して一体に形成さ
れる。
【００３５】即ち、アドレス電極Ｊ1 と放電開始アドレ
ス電極Ｋ11，Ｋ12，‥‥Ｋ1mとが一体に形成され、アド
レス電極Ｊ2 と放電開始アドレス電極Ｋ21，Ｋ22，‥‥
Ｋ2mとが一体に形成され、‥‥、アドレス電極Ｊn と放
電開始アドレス電極Ｋn1，Ｋn2，‥‥Ｋnmとが一体に形
成される。
ス電極Ｋ11，Ｋ12，‥‥Ｋ1mとが一体に形成され、アド
レス電極Ｊ2 と放電開始アドレス電極Ｋ21，Ｋ22，‥‥
Ｋ2mとが一体に形成され、‥‥、アドレス電極Ｊn と放
電開始アドレス電極Ｋn1，Ｋn2，‥‥Ｋnmとが一体に形
成される。
【００３６】図３及び図４に示すように、アドレス電極
Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕は、放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕と電気的に絶縁するように、ストライプ状の絶縁
体層２７を介して放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥，Ｉm 〕
と交差、例えば直交するように形成される。アドレス電
極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥，Ｊn 〕と一体の放電開始アドレス電
極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、絶縁体層２７の側面に沿っ
て各対応する放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥Ｉm に対応
するように、基板２２面上に延長して形成される。
Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕は、放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕と電気的に絶縁するように、ストライプ状の絶縁
体層２７を介して放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥，Ｉm 〕
と交差、例えば直交するように形成される。アドレス電
極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥，Ｊn 〕と一体の放電開始アドレス電
極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕は、絶縁体層２７の側面に沿っ
て各対応する放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥Ｉm に対応
するように、基板２２面上に延長して形成される。
【００３７】従って、放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕と放電開始アドレス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と
は基板２２の同一面上に形成される。
Ｉm 〕と放電開始アドレス電極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と
は基板２２の同一面上に形成される。
【００３８】放電維持電極Ｉ〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕、アド
レス電極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕及び放電開始アドレス電
極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を含む前面上には、所要の厚さ
の誘電体層２８が形成され、この誘電体層２８の表面に
保護膜として、また仕事関数の低減を図り放電開始電圧
を下げる役割をする酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜２９
が形成される。この場合、アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn
への放電を起こさせないために、ＭｇＯ膜２８はストラ
イプ状のアドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn の上を除いて形成
することもできる。
レス電極Ｊ〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕及び放電開始アドレス電
極Ｋ〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を含む前面上には、所要の厚さ
の誘電体層２８が形成され、この誘電体層２８の表面に
保護膜として、また仕事関数の低減を図り放電開始電圧
を下げる役割をする酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜２９
が形成される。この場合、アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn
への放電を起こさせないために、ＭｇＯ膜２８はストラ
イプ状のアドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn の上を除いて形成
することもできる。
【００３９】そして、図６に示すように、各対をなす放
電維持電極間の距離ｄ1 と、その一方の放電維持電極と
これに対向する放電開始アドレス電極との間の距離ｄ2
とを互にほぼ等しい距離（即ち、互に等距離、あるい
は、互に近似した距離）に設定する。
電維持電極間の距離ｄ1 と、その一方の放電維持電極と
これに対向する放電開始アドレス電極との間の距離ｄ2
とを互にほぼ等しい距離（即ち、互に等距離、あるい
は、互に近似した距離）に設定する。
【００４０】ここで、放電維持電極の一方と放電開始ア
ドレス電極との間の距離ｄ2 は、対をなす放電維持電極
間の距離ｄ1 の±３０％以内の範囲に設定することがで
きる。
ドレス電極との間の距離ｄ2 は、対をなす放電維持電極
間の距離ｄ1 の±３０％以内の範囲に設定することがで
きる。
【００４１】数１に示すように、パッシェンの法則によ
り封入ガスの圧力Ｐと放電電極間距離ｄとの積が一定と
なるように後述の封入ガスの圧力を設定する必要があ
る。
り封入ガスの圧力Ｐと放電電極間距離ｄとの積が一定と
なるように後述の封入ガスの圧力を設定する必要があ
る。
【００４２】
【数１】Ｐｄ＝一定
【００４３】距離ｄ2 は、封入ガス圧を一定にし、放電
開始電圧をパッシェン最小値とするとき、その距離の±
３０％以内に設定することができる。
開始電圧をパッシェン最小値とするとき、その距離の±
３０％以内に設定することができる。
【００４４】また、電極間距離ｄ1 及びｄ2 は、共に最
適値（上記放電開始電圧をパッシェン最小値としたとき
の距離に相当）の±３０％以内の許容範囲に設定するこ
とができる。
適値（上記放電開始電圧をパッシェン最小値としたとき
の距離に相当）の±３０％以内の許容範囲に設定するこ
とができる。
【００４５】対をなす放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 ，Ｉ3
及びＩ4 ，‥‥，Ｉm-1 及びＩm 間の距離ｄ1 は、５０
μｍ以下、例えば５μｍ〜２０μｍ、さらに５μｍ以
下、１μｍ以下に設定することができる。距離ｄ2 は、
この距離ｄ1 の値によって決められる。
及びＩ4 ，‥‥，Ｉm-1 及びＩm 間の距離ｄ1 は、５０
μｍ以下、例えば５μｍ〜２０μｍ、さらに５μｍ以
下、１μｍ以下に設定することができる。距離ｄ2 は、
この距離ｄ1 の値によって決められる。
【００４６】誘電体層として機能する膜、即ち、ＭｇＯ
膜２９の膜厚は極めて薄いので無視すると、誘電体層２
８の膜厚ｔ1 は、同一面上に放電開始アドレス電極と一
方の放電維持電極との間の距離ｄ2 、及び、対の放電維
持電極間の距離ｄ1 より薄くするを可とする。
膜２９の膜厚は極めて薄いので無視すると、誘電体層２
８の膜厚ｔ1 は、同一面上に放電開始アドレス電極と一
方の放電維持電極との間の距離ｄ2 、及び、対の放電維
持電極間の距離ｄ1 より薄くするを可とする。
【００４７】即ち、図７Ａに示すように、基板４１上に
１対の放電電極４２及び４３を形成し、この放電電極４
２及び４３上に誘電体層４４を形成したとき、放電電極
４２及び４３間の距離をｄ、夫々の放電電極４２及び４
３上の誘電体層４４の厚さをｔとするとき、２ｔ＜ｄで
あれば、両電極４２及び４３間の放電は誘電体層４４上
で起こる。
１対の放電電極４２及び４３を形成し、この放電電極４
２及び４３上に誘電体層４４を形成したとき、放電電極
４２及び４３間の距離をｄ、夫々の放電電極４２及び４
３上の誘電体層４４の厚さをｔとするとき、２ｔ＜ｄで
あれば、両電極４２及び４３間の放電は誘電体層４４上
で起こる。
【００４８】これに対して、図７Ｂに示すように、誘電
体層４４の厚さｔが大きく、２ｔ＞ｄであれば、両電極
４２及び４３間の放電は、誘電体層４４内で起こり、両
電極４２及び４３間での絶縁破壊が生ずる。従って、本
実施の形態では、誘電体層２８の膜厚ｔ1 は距離ｄ2 及
び距離ｄ1 よりも薄く、即ち、２ｔ1 ＜ｄ2 ，２ｔ1＜
ｄ1 となるように設定する。
体層４４の厚さｔが大きく、２ｔ＞ｄであれば、両電極
４２及び４３間の放電は、誘電体層４４内で起こり、両
電極４２及び４３間での絶縁破壊が生ずる。従って、本
実施の形態では、誘電体層２８の膜厚ｔ1 は距離ｄ2 及
び距離ｄ1 よりも薄く、即ち、２ｔ1 ＜ｄ2 ，２ｔ1＜
ｄ1 となるように設定する。
【００４９】一方、第２の絶縁基板２４においては、図
２及び図８に示すように、各隣り合う単位放電領域の列
を区画するように、複数のストライプ状の隔壁３０を一
体に形成し、各隣り合う隔壁３０間内に蛍光体層２５が
被着形成される。即ち、赤（Ｒ）の蛍光体層２５Ｒ、緑
（Ｇ）の蛍光体層２５Ｇ、及び青（Ｂ）の蛍光体層２５
Ｂが順次繰り返して形成される。隔壁３０の幅は図２に
示すように、アドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕の幅より
大きく形成される。
２及び図８に示すように、各隣り合う単位放電領域の列
を区画するように、複数のストライプ状の隔壁３０を一
体に形成し、各隣り合う隔壁３０間内に蛍光体層２５が
被着形成される。即ち、赤（Ｒ）の蛍光体層２５Ｒ、緑
（Ｇ）の蛍光体層２５Ｇ、及び青（Ｂ）の蛍光体層２５
Ｂが順次繰り返して形成される。隔壁３０の幅は図２に
示すように、アドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕の幅より
大きく形成される。
【００５０】そして、この第２の絶縁基板２４に蛍光体
層２５を形成した、いわゆる蛍光体基板２６と、第１の
絶縁基板２２に放電維持電極群、アドレス電極群及び放
電開始アドレス電極群を形成した、いわゆる電極基板２
３とが、その各隔壁３０を各アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊ
n 上に位置するようにして封止され、両基板２６及び２
３で構成される気密容器内、即ち内部の放電空間に所要
のガスが封入される。
層２５を形成した、いわゆる蛍光体基板２６と、第１の
絶縁基板２２に放電維持電極群、アドレス電極群及び放
電開始アドレス電極群を形成した、いわゆる電極基板２
３とが、その各隔壁３０を各アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊ
n 上に位置するようにして封止され、両基板２６及び２
３で構成される気密容器内、即ち内部の放電空間に所要
のガスが封入される。
【００５１】封入ガスとしては、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘ
ｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを用いることができ、
例えばネオン（Ｎｅ）／キセノン（Ｘｅ），アルゴン
（Ａｒ）／キセノン（Ｘｅ）、等の混合ガスからなるペ
ニングガスが主として用いられる。
ｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを用いることができ、
例えばネオン（Ｎｅ）／キセノン（Ｘｅ），アルゴン
（Ａｒ）／キセノン（Ｘｅ）、等の混合ガスからなるペ
ニングガスが主として用いられる。
【００５２】隔壁３０は、表示の際のコントラストを向
上するために、表面を黒色にすることができる。
上するために、表面を黒色にすることができる。
【００５３】次に、かかる表示装置の動作を説明する。
例えば一対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 間に放電を維持
させるための放電維持電圧が印加され、アドレス電極Ｊ
1 を通じて放電開始アドレス電極Ｋ11と一方の放電維持
電極Ｉ2 間に放電を開始するための放電維持電圧より高
い放電開始電圧が印加されると、一旦一方の放電維持電
極Ｉ2 と放電開始アドレス電極Ｋ11間で放電が開始した
後、１対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 間での放電によっ
てプラズマが発生し、このプラズマで発生した紫外線に
よって対応する部分の蛍光体層２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，
２５Ｂ〕が励起発光する。従って、各アドレス電極
Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn を選択して順次に放電開始電圧を
印加し、また各行の対をなす放電維持電極Ｉ1 及び
Ｉ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥Ｉm-1 及びＩm に順次放電維
持電圧を印加することにより、所要のカラー表示が得ら
れる。
例えば一対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 間に放電を維持
させるための放電維持電圧が印加され、アドレス電極Ｊ
1 を通じて放電開始アドレス電極Ｋ11と一方の放電維持
電極Ｉ2 間に放電を開始するための放電維持電圧より高
い放電開始電圧が印加されると、一旦一方の放電維持電
極Ｉ2 と放電開始アドレス電極Ｋ11間で放電が開始した
後、１対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 間での放電によっ
てプラズマが発生し、このプラズマで発生した紫外線に
よって対応する部分の蛍光体層２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，
２５Ｂ〕が励起発光する。従って、各アドレス電極
Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn を選択して順次に放電開始電圧を
印加し、また各行の対をなす放電維持電極Ｉ1 及び
Ｉ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥Ｉm-1 及びＩm に順次放電維
持電圧を印加することにより、所要のカラー表示が得ら
れる。
【００５４】即ち、１ピクセルの放電領域において、隔
壁３０間に設けられた赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）
の３色の蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ及び２５Ｂに、プラズ
マ放電に基づいて発生した紫外線が照射されて各色に発
光し、カラー表示がなされる。
壁３０間に設けられた赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）
の３色の蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ及び２５Ｂに、プラズ
マ放電に基づいて発生した紫外線が照射されて各色に発
光し、カラー表示がなされる。
【００５５】ここで、アドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕
には所定アドレス位置の画素を放電し発光させるため、
例えばパルスを印加することにより、この位置の画素の
放電開始アドレス電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と一方の放電
維持電極〔Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥Ｉm 〕との間で放電を開始
する。
には所定アドレス位置の画素を放電し発光させるため、
例えばパルスを印加することにより、この位置の画素の
放電開始アドレス電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と一方の放電
維持電極〔Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥Ｉm 〕との間で放電を開始
する。
【００５６】表示装置２１において、電極基板２３側か
ら表示を見るときは、放電維持電極Ｉ1 ，Ｉ2 ，‥‥Ｉ
m を透明導電膜で形成するのが望ましい。また、蛍光体
基板２６側から表示を見るときは、放電維持電極Ｉ1 ，
Ｉ2 ，‥‥Ｉm を低抵抗で光を反射するような金属等で
構成することもできる。
ら表示を見るときは、放電維持電極Ｉ1 ，Ｉ2 ，‥‥Ｉ
m を透明導電膜で形成するのが望ましい。また、蛍光体
基板２６側から表示を見るときは、放電維持電極Ｉ1 ，
Ｉ2 ，‥‥Ｉm を低抵抗で光を反射するような金属等で
構成することもできる。
【００５７】表示装置２１においては、基板２３上に放
電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕を形成した後に、例えば
ガラスペーストの焼成によるストライプ状の絶縁体層２
７を形成するとき、その焼成温度（６００℃程度）で放
電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm〕が酸化される懼れがあ
る。
電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕を形成した後に、例えば
ガラスペーストの焼成によるストライプ状の絶縁体層２
７を形成するとき、その焼成温度（６００℃程度）で放
電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm〕が酸化される懼れがあ
る。
【００５８】そこで、このような点を考慮して本発明の
他の実施の形態では、特に、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕をＣｒとＡｌの積層膜、例えば図５Ａに示すよう
に下層をＡｌ膜４７、上層をＣｒ膜４８とするＡｌ／Ｃ
ｒ２層膜構造、或いは図５Ｂに示すように、Ａｌ膜４７
を挟んで上下にＣｒ膜４８を形成してなるＣｒ／Ａｌ／
Ｃｒ３層膜構造で形成するのが望ましい。
他の実施の形態では、特に、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕をＣｒとＡｌの積層膜、例えば図５Ａに示すよう
に下層をＡｌ膜４７、上層をＣｒ膜４８とするＡｌ／Ｃ
ｒ２層膜構造、或いは図５Ｂに示すように、Ａｌ膜４７
を挟んで上下にＣｒ膜４８を形成してなるＣｒ／Ａｌ／
Ｃｒ３層膜構造で形成するのが望ましい。
【００５９】次に、放電維持電極Ｉ1 ，‥‥Ｉm をＣｒ
とＡｌの積層膜で形成した表示装置２１の製法例を説明
する。
とＡｌの積層膜で形成した表示装置２１の製法例を説明
する。
【００６０】図９〜図１２は電極基板２３の製造工程を
示す。先ず、図９Ａ及びＢに示すように、第１の基板と
なる例えばガラス基板２２の一面上に例えばＡｌ／Ｃｒ
２層膜構造又はＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造の放電維持
電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕を形成する。
示す。先ず、図９Ａ及びＢに示すように、第１の基板と
なる例えばガラス基板２２の一面上に例えばＡｌ／Ｃｒ
２層膜構造又はＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造の放電維持
電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕を形成する。
【００６１】次に、図１０Ａ及びＢに示すように、放電
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕と交差するように、アドレ
ス電極を形成する位置にストライプ状の絶縁体層２７を
形成する。
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕と交差するように、アドレ
ス電極を形成する位置にストライプ状の絶縁体層２７を
形成する。
【００６２】この絶縁体層２７は、例えば全面に感光性
ガラスペーストを塗布し〔８０℃，２０分〕、露光、現
像し、６００℃程度で焼成して形成する。この絶縁体層
２７の焼成工程で、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕は
その上層のＣｒ膜２８の表面が酸化するのみで、放電維
持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の全体が酸化して不良導体に
なるという不都合は生じない。
ガラスペーストを塗布し〔８０℃，２０分〕、露光、現
像し、６００℃程度で焼成して形成する。この絶縁体層
２７の焼成工程で、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕は
その上層のＣｒ膜２８の表面が酸化するのみで、放電維
持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の全体が酸化して不良導体に
なるという不都合は生じない。
【００６３】次に、図１１Ａ及びＢに示すように、この
絶縁体層２７上及び一部ガラス基板２２の面上にわたっ
て、同一工程で例えばＡｌ膜によりアドレス電極
〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕とこれに連続する放電開始アドレス
電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を同時に形成する。即ち、スト
ライプ状の絶縁体層２７上にストライプ状のアドレス電
極Ｊ1 ，‥‥Ｊn を形成されると共に、アドレス電極Ｊ
1 ，‥‥Ｊn より絶縁体層の側面に沿ってガラス基板の
面上に、その放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥と対向する
位置まで延長する放電開始アドレス電極Ｊ11，‥‥Ｊnm
が形成される。
絶縁体層２７上及び一部ガラス基板２２の面上にわたっ
て、同一工程で例えばＡｌ膜によりアドレス電極
〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕とこれに連続する放電開始アドレス
電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を同時に形成する。即ち、スト
ライプ状の絶縁体層２７上にストライプ状のアドレス電
極Ｊ1 ，‥‥Ｊn を形成されると共に、アドレス電極Ｊ
1 ，‥‥Ｊn より絶縁体層の側面に沿ってガラス基板の
面上に、その放電維持電極Ｉ2 ，Ｉ4 ，‥‥と対向する
位置まで延長する放電開始アドレス電極Ｊ11，‥‥Ｊnm
が形成される。
【００６４】次に、図１２Ａ及びＢに示すように、少な
くとも放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の端子部（図示
せず）及びアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊm 〕の端子部
（図示せず）を除く表示領域上の全面に誘電体層２８を
形成し、さらに、その上に保護膜となるＭｇＯ膜２９を
形成し、電極基板２３を形成する。
くとも放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の端子部（図示
せず）及びアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊm 〕の端子部
（図示せず）を除く表示領域上の全面に誘電体層２８を
形成し、さらに、その上に保護膜となるＭｇＯ膜２９を
形成し、電極基板２３を形成する。
【００６５】一方、図示せざるも、第２の基板となる例
えばガラス基板２４に隔壁３０を形成し、各隔壁３０間
内に蛍光体層２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ〕を形成し
てなる蛍光体基板２６を形成する。
えばガラス基板２４に隔壁３０を形成し、各隔壁３０間
内に蛍光体層２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ〕を形成し
てなる蛍光体基板２６を形成する。
【００６６】そして、図１３Ａ及びＢに示すように、こ
の電極基板２３と蛍光体基板２６を、その各隔壁３０が
各アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn の位置に一致するように
位置合わせして、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の端
子部５１及びアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕の端子部
５２が外部に臨むように周囲をガラスフリットで気密封
止する。そして、この気密容器内部の放電空間を真空に
した後、前述の放電用ガスを封入してチップオフする。
の電極基板２３と蛍光体基板２６を、その各隔壁３０が
各アドレス電極Ｊ1 ，‥‥Ｊn の位置に一致するように
位置合わせして、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕の端
子部５１及びアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕の端子部
５２が外部に臨むように周囲をガラスフリットで気密封
止する。そして、この気密容器内部の放電空間を真空に
した後、前述の放電用ガスを封入してチップオフする。
【００６７】ガラスフリットで封止した後、図１４に示
すように、外部に臨む放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕
の端子部５１の表面の酸化膜５３を除去する。このよう
にして、図１５Ａ及びＢに示すように、放電維持電極
〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕がＣｒとＡｌの積層膜で形成され、
封止後、その端子部５１の表面の酸化膜５３が除去され
て成る目的の表示装置２１を得る。
すように、外部に臨む放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕
の端子部５１の表面の酸化膜５３を除去する。このよう
にして、図１５Ａ及びＢに示すように、放電維持電極
〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕がＣｒとＡｌの積層膜で形成され、
封止後、その端子部５１の表面の酸化膜５３が除去され
て成る目的の表示装置２１を得る。
【００６８】尚、図１５の表示装置２１において、表示
を見る方向は蛍光体基板２６側である。この場合、電極
基板２３側にＡｌ膜等による反射膜を形成することによ
り、例えばガラス基板２２の内面全面にＡｌ膜（反射
膜）を被着形成し、このＡｌ膜上に絶縁膜を介して放電
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕等を形成することにより、
発光した光のうち、電極基板２３側に向った光は反射膜
で反射されて蛍光体基板２６側に向かうので、蛍光体基
板２６側から、より輝度が向上した表示画像を見ること
ができる。
を見る方向は蛍光体基板２６側である。この場合、電極
基板２３側にＡｌ膜等による反射膜を形成することによ
り、例えばガラス基板２２の内面全面にＡｌ膜（反射
膜）を被着形成し、このＡｌ膜上に絶縁膜を介して放電
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕等を形成することにより、
発光した光のうち、電極基板２３側に向った光は反射膜
で反射されて蛍光体基板２６側に向かうので、蛍光体基
板２６側から、より輝度が向上した表示画像を見ること
ができる。
【００６９】上述の表示装置２１によれば、同一基板、
即ち第１の基板２２上に放電維持電極群〔Ｉ1 ，Ｉ2 ，
‥‥Ｉm 〕、放電開始アドレス電極群〔Ｋ11，‥‥
Ｋnm〕及びアドレス電極群〔Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn 〕を
形成し、この第１の基板２２に対向する第２の基板２４
に蛍光体層２５を形成した構成とすることにより、各一
対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥Ｉ
m-1 及びＩm の電極間距離ｄ1 ，及び放電開始アドレス
電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と一方の放電維持電極〔Ｉ2 ，
Ｉ4 ，‥‥Ｉm 〕との間の電極間距離ｄ2 がいくら小さ
くなっても、第２の基板２４側の隔壁３０でプラズマ放
電空間を確保することができる。即ち、蛍光体層２５を
プラズマから離れた位置に形成できるので、放電によっ
て発生したプラズマが蛍光体層２５に接することはな
く、従って、プラズマ中の電荷粒子によって蛍光体層２
５が叩かれることはなく、蛍光体層２５の劣化も生じな
い。従って、超薄型で且つ高精細のプラズマ表示装置が
得られる。
即ち第１の基板２２上に放電維持電極群〔Ｉ1 ，Ｉ2 ，
‥‥Ｉm 〕、放電開始アドレス電極群〔Ｋ11，‥‥
Ｋnm〕及びアドレス電極群〔Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn 〕を
形成し、この第１の基板２２に対向する第２の基板２４
に蛍光体層２５を形成した構成とすることにより、各一
対の放電維持電極Ｉ1 及びＩ2 ，Ｉ3 及びＩ4 ，‥‥Ｉ
m-1 及びＩm の電極間距離ｄ1 ，及び放電開始アドレス
電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕と一方の放電維持電極〔Ｉ2 ，
Ｉ4 ，‥‥Ｉm 〕との間の電極間距離ｄ2 がいくら小さ
くなっても、第２の基板２４側の隔壁３０でプラズマ放
電空間を確保することができる。即ち、蛍光体層２５を
プラズマから離れた位置に形成できるので、放電によっ
て発生したプラズマが蛍光体層２５に接することはな
く、従って、プラズマ中の電荷粒子によって蛍光体層２
５が叩かれることはなく、蛍光体層２５の劣化も生じな
い。従って、超薄型で且つ高精細のプラズマ表示装置が
得られる。
【００７０】放電維持電極群〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕、アド
レス電極群〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕及び放電開始アドレス電
極群〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を同一基板、即ち第１の基板２
２上に形成し、第２の基板２４側に隔壁３０及び蛍光体
層２５を形成して、両基板２２及び２４を封止して表示
装置２１を構成することにより、電極間の正確な位置出
しができ、また両基板２２及び２４の封止の際の位置合
わせ、スペース間隔の許容範囲が大きくとれ、電極形成
のプロセス、封止プロセス等に余裕ができる。従って、
表示装置２１の歩留まりが向上し、コストダウンが図れ
る。
レス電極群〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕及び放電開始アドレス電
極群〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を同一基板、即ち第１の基板２
２上に形成し、第２の基板２４側に隔壁３０及び蛍光体
層２５を形成して、両基板２２及び２４を封止して表示
装置２１を構成することにより、電極間の正確な位置出
しができ、また両基板２２及び２４の封止の際の位置合
わせ、スペース間隔の許容範囲が大きくとれ、電極形成
のプロセス、封止プロセス等に余裕ができる。従って、
表示装置２１の歩留まりが向上し、コストダウンが図れ
る。
【００７１】放電維持電極群〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕と放電
開始アドレス電極群〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕とを第１の基板
２２の同一面上に形成することにより、一対の放電維持
電極間距離ｄ1 と、一方の放電維持電極Ｉ及び放電開始
アドレス電極Ｋ間の距離ｄ2を精度よく設定することが
できる。
開始アドレス電極群〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕とを第１の基板
２２の同一面上に形成することにより、一対の放電維持
電極間距離ｄ1 と、一方の放電維持電極Ｉ及び放電開始
アドレス電極Ｋ間の距離ｄ2を精度よく設定することが
できる。
【００７２】アドレス電極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋ
とを互に連続して同時形成することにより、アドレス電
極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋとを個別に形成した後、
両者を接続する構成に比べて、電極構造が簡素化され、
かつ、アドレス電極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋ間の導
通が確実になり、さらに電極の製造プロセスも簡素化さ
れる。
とを互に連続して同時形成することにより、アドレス電
極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋとを個別に形成した後、
両者を接続する構成に比べて、電極構造が簡素化され、
かつ、アドレス電極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋ間の導
通が確実になり、さらに電極の製造プロセスも簡素化さ
れる。
【００７３】そして、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕
をＣｒとＡｌの積層膜、例えばＡｌ／Ｃｒ２層膜構造又
はＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造で形成するときは、アド
レス電極Ｊを形成する前のストライプ状の絶縁体層２７
の形成の際の焼成工程で上層のＣｒ膜２８の表面のみが
酸化して、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕自体の酸
化、昇華を防止することができる。
をＣｒとＡｌの積層膜、例えばＡｌ／Ｃｒ２層膜構造又
はＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造で形成するときは、アド
レス電極Ｊを形成する前のストライプ状の絶縁体層２７
の形成の際の焼成工程で上層のＣｒ膜２８の表面のみが
酸化して、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕自体の酸
化、昇華を防止することができる。
【００７４】因みに、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕
を例えばＡｌ単体膜で形成したとき、絶縁体層２７の６
００℃程度の焼成工程で放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕が酸化して導通不良を起こすのを未然に防ぐため
に、放電維持電極Ｉ及び放電開始アドレス電極Ｋを形成
した後、全面にＳｉＯ2 等による酸化防止用の絶縁膜を
形成し、その後、絶縁体層２７を形成し、さらにアドレ
ス電極Ｊを形成する構成が考えられる。この場合、アド
レス電極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋの導通をとるため
に、絶縁膜にコンタクト用の窓開け工程が必要となる。
しかし、放電維持電極ＩをＣｒとＡｌの積層膜で形成す
る本実施の形態では、このような絶縁膜の形成が不要と
なると共に、絶縁膜に対するコンタクト用の窓明け工程
が不要となり、工程の簡略化が図れる。
を例えばＡｌ単体膜で形成したとき、絶縁体層２７の６
００℃程度の焼成工程で放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥
Ｉm 〕が酸化して導通不良を起こすのを未然に防ぐため
に、放電維持電極Ｉ及び放電開始アドレス電極Ｋを形成
した後、全面にＳｉＯ2 等による酸化防止用の絶縁膜を
形成し、その後、絶縁体層２７を形成し、さらにアドレ
ス電極Ｊを形成する構成が考えられる。この場合、アド
レス電極Ｊと放電開始アドレス電極Ｋの導通をとるため
に、絶縁膜にコンタクト用の窓開け工程が必要となる。
しかし、放電維持電極ＩをＣｒとＡｌの積層膜で形成す
る本実施の形態では、このような絶縁膜の形成が不要と
なると共に、絶縁膜に対するコンタクト用の窓明け工程
が不要となり、工程の簡略化が図れる。
【００７５】さらに、放電維持電極ＩをＣｒとＡｌの積
層膜で形成したときは、電極基板２３及び蛍光体基板２
６を封止した後、その放電維持電極Ｉの端子部５１の表
面酸化膜５３を除去することにより、その後の端子部５
１と外部配線との接続、即ち導通をより確実とすること
ができる。
層膜で形成したときは、電極基板２３及び蛍光体基板２
６を封止した後、その放電維持電極Ｉの端子部５１の表
面酸化膜５３を除去することにより、その後の端子部５
１と外部配線との接続、即ち導通をより確実とすること
ができる。
【００７６】従って、高精細で且つ信頼性の高い表示装
置を提供できる。
置を提供できる。
【００７７】各対の放電維持電極Ｉ及び放電開始アドレ
ス電極Ｋの電極相互間の距離ｄ1 ，ｄ2 が精度よく設定
されるので、電極基板２３と蛍光体基板２６の組み立て
誤差による放電発光のバラツキが生じない。即ち、仮
に、電極基板２３に対して蛍光体基板２６が傾いて組み
立てられ、単位放電領域において、電極と蛍光体層間の
間隔にバラツキが生じたとしても、各単位放電領域で
は、電極間距離ｄ1 ，ｄ2 が同じで、放電条件が同一に
維持され、しかも封入ガス中での紫外光の透過率が良い
ため、発光の明るさにむらが生じることはなく、表示領
域の全体を均一の明るさで発光させることができる。従
って、この表示装置３１は、作り易いという実用上の利
点がある。
ス電極Ｋの電極相互間の距離ｄ1 ，ｄ2 が精度よく設定
されるので、電極基板２３と蛍光体基板２６の組み立て
誤差による放電発光のバラツキが生じない。即ち、仮
に、電極基板２３に対して蛍光体基板２６が傾いて組み
立てられ、単位放電領域において、電極と蛍光体層間の
間隔にバラツキが生じたとしても、各単位放電領域で
は、電極間距離ｄ1 ，ｄ2 が同じで、放電条件が同一に
維持され、しかも封入ガス中での紫外光の透過率が良い
ため、発光の明るさにむらが生じることはなく、表示領
域の全体を均一の明るさで発光させることができる。従
って、この表示装置３１は、作り易いという実用上の利
点がある。
【００７８】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜２９は、仕
事関数を下げる働きがあり、誘電体層２８の表面に形成
することにより、放電をし易くすることができる。
事関数を下げる働きがあり、誘電体層２８の表面に形成
することにより、放電をし易くすることができる。
【００７９】電極間距離ｄ1 ，ｄ2 を５０μｍ以下、例
えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ以下、１μｍ以
下と小さくできるので、より高精細の表示装置が得られ
る。
えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ以下、１μｍ以
下と小さくできるので、より高精細の表示装置が得られ
る。
【００８０】電極間距離ｄ1 ，ｄ2 を５０μｍ以下、例
えば５μｍ〜２０μｍ、さらに５μｍ以下、１μｍ以下
と小さくし、封入ガス圧を０．８〜３．０気圧と大きく
することによって、結果的に紫外線が多量に発生し、蛍
光体層３５を明るく発光させることができる。
えば５μｍ〜２０μｍ、さらに５μｍ以下、１μｍ以下
と小さくし、封入ガス圧を０．８〜３．０気圧と大きく
することによって、結果的に紫外線が多量に発生し、蛍
光体層３５を明るく発光させることができる。
【００８１】放電維持電極と放電開始アドレス電極間の
距離ｄ2 が、一対の放電維持電極間の距離ｄ1 に対して
±３０％以内であれば、距離ｄ2 に応じて放電開始電圧
をなだらかに可変させることができ、駆動条件の設定の
自由度が上がる。
距離ｄ2 が、一対の放電維持電極間の距離ｄ1 に対して
±３０％以内であれば、距離ｄ2 に応じて放電開始電圧
をなだらかに可変させることができ、駆動条件の設定の
自由度が上がる。
【００８２】また、電極間距離ｄ1 及び電極間距離ｄ2
が、共に最適値の±３０％以内であれば、放電電圧のバ
ラツキを小さく抑えることができるので、製造時、余裕
をもって、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕及び放電開
始アドレス電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を形成することがで
きる。
が、共に最適値の±３０％以内であれば、放電電圧のバ
ラツキを小さく抑えることができるので、製造時、余裕
をもって、放電維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕及び放電開
始アドレス電極〔Ｋ11，‥‥Ｋnm〕を形成することがで
きる。
【００８３】アドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕は、放電
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕上に誘電体層３７による絶
縁体層を介して形成されるので、放電維持電極〔Ｉ1 ，
‥‥Ｉm 〕と、之に交差するアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥
Ｊn 〕とは、確実に絶縁され、短絡することがない。
維持電極〔Ｉ1 ，‥‥Ｉm 〕上に誘電体層３７による絶
縁体層を介して形成されるので、放電維持電極〔Ｉ1 ，
‥‥Ｉm 〕と、之に交差するアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥
Ｊn 〕とは、確実に絶縁され、短絡することがない。
【００８４】誘電体層２８の厚さｔ1 を電極間距離ｄ1
及びｄ2 よりも薄く形成するので、誘電体層上で放電を
起こすことができる。即ち、誘電体層２８内の電極間で
の放電は起こらず、従って、一対の放電維持電極間、ま
たは一方の放電維持電極と放電開始アドレス電極間で絶
縁破壊を起こすことなく誘電体層上で放電を起こすこと
ができる。
及びｄ2 よりも薄く形成するので、誘電体層上で放電を
起こすことができる。即ち、誘電体層２８内の電極間で
の放電は起こらず、従って、一対の放電維持電極間、ま
たは一方の放電維持電極と放電開始アドレス電極間で絶
縁破壊を起こすことなく誘電体層上で放電を起こすこと
ができる。
【００８５】第２の基板２４側の隔壁３０が第１の基板
２２側のアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕に対応する位
置に設けられ、しかも、隔壁３０の幅がアドレス電極
〔Ｊ1，‥‥Ｊn 〕の幅より広く形成されているので、
単位放電領域の開口を大きくとれ、且つ直接アドレス電
極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕への放電が起こりにくくなり、ク
ロストークを防ぐことができる。また、隔壁３０によっ
て、放電空間を十分確保することができる。
２２側のアドレス電極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕に対応する位
置に設けられ、しかも、隔壁３０の幅がアドレス電極
〔Ｊ1，‥‥Ｊn 〕の幅より広く形成されているので、
単位放電領域の開口を大きくとれ、且つ直接アドレス電
極〔Ｊ1 ，‥‥Ｊn 〕への放電が起こりにくくなり、ク
ロストークを防ぐことができる。また、隔壁３０によっ
て、放電空間を十分確保することができる。
【００８６】電極基板２３と、之に対向する形で隔壁３
０と蛍光体層２５を形成した蛍光体基板２６とにより、
プラズマ放電空間を確保することができるので、十分な
紫外線が照射され、且つ隣り合う隔壁３０間内の全体に
蛍光体層２５が形成できるので、蛍光体層２５の面積が
広くとれることと相俟って高輝度の表示が得られる。
０と蛍光体層２５を形成した蛍光体基板２６とにより、
プラズマ放電空間を確保することができるので、十分な
紫外線が照射され、且つ隣り合う隔壁３０間内の全体に
蛍光体層２５が形成できるので、蛍光体層２５の面積が
広くとれることと相俟って高輝度の表示が得られる。
【００８７】上述の実施の形態では、カラーＡＣ型ＰＤ
Ｐに適用した場合であるが、モノクロＡＣ型ＰＤＰにも
適用できる。また、上述の実施の形態では、蛍光体層を
励起発光して表示する表示装置に適用したが、その他、
蛍光体層を形成せずに、プラズマ放電による発光で表示
する表示装置にも適用できる。
Ｐに適用した場合であるが、モノクロＡＣ型ＰＤＰにも
適用できる。また、上述の実施の形態では、蛍光体層を
励起発光して表示する表示装置に適用したが、その他、
蛍光体層を形成せずに、プラズマ放電による発光で表示
する表示装置にも適用できる。
【００８８】
【発明の効果】本発明の表示装置によれば、プラズマ放
電を利用した交流駆動型の表示装置において、放電維持
電極群とアドレス電極群を一方の同一基板上に形成する
ことにより、アドレス電極と放電維持電極との電極間距
離がいくら小さくなっても、プラズマ放電空間を確保す
ることができる。従って、表示装置の超薄型化、画素の
高精細化が可能になる。
電を利用した交流駆動型の表示装置において、放電維持
電極群とアドレス電極群を一方の同一基板上に形成する
ことにより、アドレス電極と放電維持電極との電極間距
離がいくら小さくなっても、プラズマ放電空間を確保す
ることができる。従って、表示装置の超薄型化、画素の
高精細化が可能になる。
【００８９】放電維持電極群に対して絶縁体層を介して
交差するアドレス電極群と、放電開始アドレス電極群と
を互に連続して同時形成することにより、電極構成を簡
単化すると共に、電極形成工程を簡略化することができ
る。そして、一方の基板の同一面上に放電維持電極群及
び放電開始アドレス電極群を形成するので、各対の放電
維持電極間距離、及び一方の放電維持電極と放電開始ア
ドレス電極との間の距離を精度よく設定することができ
る。
交差するアドレス電極群と、放電開始アドレス電極群と
を互に連続して同時形成することにより、電極構成を簡
単化すると共に、電極形成工程を簡略化することができ
る。そして、一方の基板の同一面上に放電維持電極群及
び放電開始アドレス電極群を形成するので、各対の放電
維持電極間距離、及び一方の放電維持電極と放電開始ア
ドレス電極との間の距離を精度よく設定することができ
る。
【００９０】従って、電極形成のプロセス、一方の基板
と之に対向する他方の基板との封止プロセス等に余裕が
できる。従って、プラズマ放電を利用した表示装置の歩
留りが向上し、コストダウンを図ることができる。
と之に対向する他方の基板との封止プロセス等に余裕が
できる。従って、プラズマ放電を利用した表示装置の歩
留りが向上し、コストダウンを図ることができる。
【００９１】放電維持電極群と、アドレス電極群とが互
に交差し、放電維持電極群とアドレス電極群の間に絶縁
体層が形成されるので、放電維持電極群とアドレス電極
群が互に短絡することがない。
に交差し、放電維持電極群とアドレス電極群の間に絶縁
体層が形成されるので、放電維持電極群とアドレス電極
群が互に短絡することがない。
【００９２】放電維持電極群、放電開始アドレス電極群
及びアドレス電極群を一方の基板上に形成し、之に対向
する他方の基板に蛍光体層を形成することにより、電極
間距離がいくら小さくなってもプラズマ放電空間が確保
され、蛍光体層をプラズマからの紫外線で励起発光する
ことができる。そして、放電によって発生したプラズマ
に蛍光体層が接することがないので、蛍光体層を劣化さ
せることがない、従って、蛍光体発光による表示装置の
超薄型化、画素の高精細化を可能にする。
及びアドレス電極群を一方の基板上に形成し、之に対向
する他方の基板に蛍光体層を形成することにより、電極
間距離がいくら小さくなってもプラズマ放電空間が確保
され、蛍光体層をプラズマからの紫外線で励起発光する
ことができる。そして、放電によって発生したプラズマ
に蛍光体層が接することがないので、蛍光体層を劣化さ
せることがない、従って、蛍光体発光による表示装置の
超薄型化、画素の高精細化を可能にする。
【００９３】放電維持電極群がＣｒとＡｌの積層膜で形
成するときは、絶縁体層の形成の際の焼成工程で、積層
膜表面のみが酸化されることにより、放電維持電極の全
体が酸化防止される。同時に、放電維持電極群の端子部
の全体が酸化防止される。従って、信頼性の高い表示装
置を提供できる。
成するときは、絶縁体層の形成の際の焼成工程で、積層
膜表面のみが酸化されることにより、放電維持電極の全
体が酸化防止される。同時に、放電維持電極群の端子部
の全体が酸化防止される。従って、信頼性の高い表示装
置を提供できる。
【００９４】放電維持電極群がＣｒとＡｌの積層膜で形
成し、その端子部の表面酸化膜を除去するときは、放電
維持電極群の端子部と外部配線との導通を確実にするこ
とができる。
成し、その端子部の表面酸化膜を除去するときは、放電
維持電極群の端子部と外部配線との導通を確実にするこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成図
である。
である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る表示装置の断面図
である。
である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る表示装置の電極構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図４】図３の電極構造の要部の斜視図である。
【図５】Ａ 本発明の他の実施の形態に係る表示装置に
適用されるＡｌ／Ｃｒ２層膜構造の放電維持電極を示す
断面図Ｂ 本発明の他の実施の形態に係る表示装置に適
用されるＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造の放電維持電極を
示す断面図
適用されるＡｌ／Ｃｒ２層膜構造の放電維持電極を示す
断面図Ｂ 本発明の他の実施の形態に係る表示装置に適
用されるＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造の放電維持電極を
示す断面図
【図６】放電維持電極及び放電開始アドレス電極におけ
る電極間距離の説明に供する平面図である。
る電極間距離の説明に供する平面図である。
【図７】Ａ，Ｂ 放電電極の電極間距離と誘電体層の厚
さとの関係を示す説明図である。
さとの関係を示す説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る蛍光面の構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の表示装置の電極基板
の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図９Ａの
Ｃ−Ｃ線上の断面図である。
の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図９Ａの
Ｃ−Ｃ線上の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態の表示装置の電極基
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１０
ＡのＣ−Ｃ線上の断面図である。
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１０
ＡのＣ−Ｃ線上の断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の表示装置の電極基
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１１
ＡのＤ−Ｄ線上の断面図である。
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１１
ＡのＤ−Ｄ線上の断面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態の表示装置の電極基
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１２
ＡのＤ−Ｄ線上の断面図である。
板の製造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 図１２
ＡのＤ−Ｄ線上の断面図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の製
造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 要部の側面図
である。
造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 要部の側面図
である。
【図１４】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の製
造工程図（要部の側面図）である。
造工程図（要部の側面図）である。
【図１５】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の製
造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 要部の側面図
である。
造工程図である。Ａ 平面図である。Ｂ 要部の側面図
である。
【図１６】従来のＡＣ型３相電極ＰＤＰを示す構成図で
ある。
ある。
【図１７】図４０のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図１８】図４０のＢ−Ｂ線上の断面図である。
Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 ，Ｉ4 ，‥‥，Ｉm ・・・放電維持電
極、Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn ・・・アドレス電極、Ｋ11，
Ｋ21，‥‥Ｋn1，‥‥Ｋnm・・・放電開始アドレス電
極、２１・・・表示装置、２２，２４・・・基板、２３
・・・電極基板、２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ〕・・
・蛍光体層、２６・・・蛍光体基板、２７・・・絶縁体
層、２８・・・誘電体層、２７・・・ＭｇＯ膜、３０・
・・隔壁、４７・・・Ａｌ膜、４８・・・Ｃｒ膜
極、Ｊ1 ，Ｊ2 ，‥‥Ｊn ・・・アドレス電極、Ｋ11，
Ｋ21，‥‥Ｋn1，‥‥Ｋnm・・・放電開始アドレス電
極、２１・・・表示装置、２２，２４・・・基板、２３
・・・電極基板、２５〔２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ〕・・
・蛍光体層、２６・・・蛍光体基板、２７・・・絶縁体
層、２８・・・誘電体層、２７・・・ＭｇＯ膜、３０・
・・隔壁、４７・・・Ａｌ膜、４８・・・Ｃｒ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 末広 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ放電を利用した交流駆動型の表
示装置において、 一方の基板に、複数の放電維持電極からなる放電維持電
極群と、複数のアドレス電極からなるアドレス電極群と
が形成され、 前記放電維持電極群に絶縁体層を介して交差する前記ア
ドレス電極群と、該アドレス電極群の一部を構成する複
数の放電開始アドレス電極からなる放電開始アドレス電
極群とが互に連続して同時形成され、 且つ前記放電維持電極群と前記放電開始アドレス電極群
が同一面上に形成され、 前記放電維持電極群、前記アドレス電極群及び前記放電
開始アドレス電極群上に誘電体層を有して成ることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記一方の基板に対向する他方の基板に
蛍光体層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に
記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記放電維持電極群がＣｒとＡｌの積層
膜で形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の
表示装置。 - 【請求項４】 前記放電維持電極群がＣｒとＡｌの積層
膜で形成されて成ることを特徴とする請求項２に記載の
表示装置。 - 【請求項５】 前記ＣｒとＡｌの積層膜からなる放電維
持電極群の端子部の表面酸化膜が除去されて成ることを
特徴とする請求項３に記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記ＣｒとＡｌの積層膜からなる放電維
持電極群の端子部の表面酸化膜が除去されて成ることを
特徴とする請求項４に記載の表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037546A JPH11233024A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 表示装置 |
| CN99102222A CN1124633C (zh) | 1998-02-19 | 1999-02-15 | 显示装置 |
| US09/252,065 US6184620B1 (en) | 1998-02-19 | 1999-02-18 | Display device |
| DE1999616353 DE69916353T2 (de) | 1998-02-19 | 1999-02-19 | Anzeigevorrichtung |
| EP99400411A EP0938123B1 (en) | 1998-02-19 | 1999-02-19 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037546A JPH11233024A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233024A true JPH11233024A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12500535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10037546A Abandoned JPH11233024A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6184620B1 (ja) |
| EP (1) | EP0938123B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11233024A (ja) |
| CN (1) | CN1124633C (ja) |
| DE (1) | DE69916353T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411033B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-06-25 | Sony Corporation | Flat type plasma discharge display device with discharge start parts |
| WO2003025968A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Sony Corporation | Plasma display apparatus and itd driving method |
| WO2006100728A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Hitachi Plasma Patent Licensing Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 |
| KR100684850B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100696635B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법 |
| KR100759408B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| WO2009031185A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 |
| WO2009037728A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507150B1 (en) * | 1998-12-18 | 2003-01-14 | Acer Display Technology, Inc. | Plasma display panel |
| US6657396B2 (en) | 2000-01-11 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof |
| KR20040087905A (ko) * | 2003-04-09 | 2004-10-15 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| CN100353395C (zh) * | 2003-09-03 | 2007-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 交流等离子显示面板 |
| KR100627364B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100667931B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP6670508B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2020-03-25 | 株式会社紫光技研 | ガス放電を利用した光源デバイスの駆動方法及び駆動回路と紫外線照射装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538188B2 (ja) | 1972-03-15 | 1978-03-25 | ||
| EP0157248B1 (en) | 1984-03-19 | 1992-06-03 | Fujitsu Limited | Method for driving a gas discharge panel |
| KR930001176B1 (ko) | 1990-11-02 | 1993-02-20 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 표시소자 |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP10037546A patent/JPH11233024A/ja not_active Abandoned
-
1999
- 1999-02-15 CN CN99102222A patent/CN1124633C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-18 US US09/252,065 patent/US6184620B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-19 EP EP99400411A patent/EP0938123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-19 DE DE1999616353 patent/DE69916353T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411033B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-06-25 | Sony Corporation | Flat type plasma discharge display device with discharge start parts |
| US6798144B2 (en) | 1998-10-23 | 2004-09-28 | Sony Corporation | Driving method of a flat type plasma discharge display device |
| WO2003025968A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Sony Corporation | Plasma display apparatus and itd driving method |
| WO2006100728A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Hitachi Plasma Patent Licensing Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 |
| KR100684850B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100759408B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100696635B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법 |
| WO2009031185A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 |
| WO2009037728A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0938123A3 (en) | 1999-09-15 |
| EP0938123B1 (en) | 2004-04-14 |
| CN1124633C (zh) | 2003-10-15 |
| DE69916353D1 (de) | 2004-05-19 |
| US6184620B1 (en) | 2001-02-06 |
| CN1226739A (zh) | 1999-08-25 |
| DE69916353T2 (de) | 2005-01-13 |
| EP0938123A2 (en) | 1999-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100658643B1 (ko) | 평면형 플라즈마 방전 표시 장치와 구동 방법 | |
| US6169363B1 (en) | Display apparatus | |
| JPH11233024A (ja) | 表示装置 | |
| JPH08250029A (ja) | 面放電型プラズマディスプレイパネル | |
| JP2002270100A (ja) | プラズマ放電表示装置 | |
| JPH10321142A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH11233026A (ja) | 互いに異なる厚さの誘電体層を有するプラズマディスプレイパネル | |
| JPH11273578A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| US6879104B2 (en) | Structure of sustain electrodes for the front tile of a plasma display panel | |
| JPH11306994A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US6459201B1 (en) | Flat-panel display with controlled sustaining electrodes | |
| US6603266B1 (en) | Flat-panel display | |
| US6159066A (en) | Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel | |
| JP3438641B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP2000100338A (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル | |
| JP3499360B2 (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル | |
| JP2944367B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| KR100525791B1 (ko) | 표시장치 | |
| JP3580461B2 (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル | |
| JP2964717B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP2000123741A (ja) | 表示用放電管 | |
| JP2005353418A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP3200042B2 (ja) | 面放電型プラズマディスプレイパネル | |
| KR100885581B1 (ko) | 컬러 표시 장치 | |
| JP3200043B2 (ja) | 面放電型プラズマディスプレイパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060922 |