JPH11233285A - 調光制御装置 - Google Patents

調光制御装置

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JPH11233285A
JPH11233285A JP10036421A JP3642198A JPH11233285A JP H11233285 A JPH11233285 A JP H11233285A JP 10036421 A JP10036421 A JP 10036421A JP 3642198 A JP3642198 A JP 3642198A JP H11233285 A JPH11233285 A JP H11233285A
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circuit
discharge tube
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JP10036421A
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Morimasa Kaneko
守昌 兼古
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AIBIS KK
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/36Controlling
    • H05B41/38Controlling the intensity of light
    • H05B41/39Controlling the intensity of light continuously
    • H05B41/392Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
    • H05B41/3921Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
    • H05B41/3927Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations by pulse width modulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/36Controlling
    • H05B41/38Controlling the intensity of light
    • H05B41/39Controlling the intensity of light continuously
    • H05B41/392Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
    • H05B41/3921Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
    • H05B41/3925Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations by frequency variation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 長さや太さが異なる種々の放電管に適用可能
で、しかも高効率の調光制御装置を提供する。 【解決手段】 一方の端子(ノードN2 )に電源VDD1
を接続し、他方の端子(ノードN2 )に出力素子3を接
続した1次コイルを有する高周波トランス2と、ノード
2 の電圧波形を増幅する増幅回路6と、ノードN1
おける出力電圧および増幅回路6の出力により、最適な
オン時間を設定し、その後この最適なオン時間のもとで
オフ時間を調節するオン時間/オフ時間制御回路5とを
少なくとも有して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はネオン管や蛍光灯等
の放電管の調光制御装置に係り、特に省エネルギー型の
放電管の駆動が可能で、かつ連続調光可能な放電管調光
制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光源の入力を調節して光束を変化させる
操作を調光という。白熱電球は、入力電圧を変えること
により、100%(定格光束)から0%まで、連続調光
できる。最近は、電球と直列に接続したサイリスタを用
いてパルス駆動を行い、そのオン時間を制御して平均電
流を変化させ、調光する例が多い。一方、ネオン管や蛍
光灯等の放電管の場合は安定な放電のできる電圧範囲が
狭いため入力電圧の制御では不可能であり、通常は入力
電流を変化させることによる。この際電極を別途加熱し
た状態で熱電子の放出を確保する必要があり、一般には
一定値以上の電圧をパルスで入力し、そのオン時間を変
えることにより、平均電流を制御する。この調光は、一
定の繰り返し周波数のもとで、そのオン時間とオフ時間
の比率を変えることに行われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】周知のように放電管は
放電開始前と、放電開始後では大きくインピーダンスが
変化する。又、放電管は長さ、太さ、入力電圧、外的要
因によってインピーダンスが異なるため、放電管を駆動
するための条件は区々としており、汎用性の高い連続調
光制御装置は知られていない。また放電管の入力電圧を
パルス駆動する場合であっても、安定に放電できる範囲
が限られているために、現実には広いダイナミックレン
ジで連続調光することは不可能である。特に高電圧放電
灯の連続調光は困難で、通常は2段階、3段階等の段階
的な調光しかできない。また、パルス駆動している場合
において、放電管の過渡応答を詳細に調べると、放電管
に入力電圧が印加されても、放電管に加えられた電圧が
すべてのタイミングにおいて放電に起与しているわけで
はなく、無駄な熱として失われる成分(タイミング)が
かなりの比重を占める場合がある。
【0004】放電管の内でも、とりわけネオン管は種々
の長さや太さのものがあり、インピーダンスはまちまち
である。このようなインピーダンスのまちまちの放電管
を、特定の点灯装置で点灯しようとしてもインピーダン
スやその他の放電条件(発光条件)が合わず点灯出来な
いという事態が発生していた。また、点灯が可能であっ
ても放電管、高周波トランス、発振コンデンサからなる
回路のインピーダンスや、この回路の持つ固有なエネル
ギー変動の周波数に適合しない条件で放電管を点灯して
いたため、一般には、その効率は低いものであった。
【0005】また従来の調光は繰り返し周波数一定のも
とで行うために、オン時間とオフ時間とが互いに関連し
ており、調光できる範囲が狭いという問題があった。し
かもこの場合は、オン時間とオフ時間とが共に変化する
ので、一定のオン時間を維持することは出来ず、ますま
す最適なオン時間からずれることとなり、調光時の効率
が低いという欠点を有していた。
【0006】上記問題点に鑑み、本発明は放電管の長さ
や太さが異なる場合であっても、種々の放電管を最適な
条件で、効率よく発光させることができる調光制御装置
を提供することである。
【0007】本発明の他の目的は、効率良く、所望の明
るさを得ることができる放電管用の調光制御装置を提供
することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明による調光制御装置は電源に一方の端子
(ノードN2 )を接続された1次コイルと、放電管に接
続された2次コイルとを含む高周波トランスと、この1
次コイルの他方の端子(ノードN1 )に出力電極を接続
された出力素子と、この出力素子の制御電極に接続され
たゲート回路と、このゲート回路に接続されたオン時間
/オフ時間制御回路と、このオン時間/オフ時間制御回
路と1次コイルの一方の端子の(ノードN2 )の間に接
続された電源ライン電圧波形増幅回路とから少なくとも
構成され、高周波トランスの1次コイルの一方の端子
(ノードN2 )における電圧波形と、他方の端子(ノー
ドN1 )における電圧波形とを検出することにより、出
力素子の制御電極に入力する駆動パルスのオン時間とオ
フ時間を互いに独立に制御して、放電管の明るさを調整
することを特徴とする。
【0009】ここで「放電管」とはネオン管や蛍光灯等
の高周波点灯可能な種々の放電管を対象とする。コンピ
ュータの表示装置で用いられている液晶のバックライト
用の放電管でもよい。
【0010】本発明の「出力素子」としては種々の半導
体スイッチング素子を用いることができる。たとえば、
接合型FET,MOSFET,バイポーラトランジス
タ,IGBT,静電誘導型トランジスタ(SIT),静
電誘導型サイリスタ(SIサイリスタ)等のパワーデバ
イスを用いることが可能である。さらにHEMTやHB
T等の化合物半導体スイッチング素子であっても良い。
【0011】そして、電源ライン電圧波形増幅回路によ
り、ノードN2 における電圧波形の歪を検出し、駆動パ
ルスのオン時間の最適値を決定すればよい。より具体的
には、当初、短めにオン時間を仮設定し、その後電源ラ
イン電圧波形増幅回路により増幅された電源ライン電圧
波形中に電圧波形の歪に対応したスパイクピークが検出
されないように注意しながらオン時間を長くし、最適な
オン時間に設定すればよい。電源ライン電圧波形中に歪
が検出される場合はオン時間が長すぎるのであって、出
力素子から出力された電圧が放電に寄与せず、余分な熱
エネルギーとして放散されることになるので、かかる場
合はオン時間を短くして無駄なエネルギーを無くすので
ある。
【0012】冒頭で述べたように、放電管のインピーダ
ンスは発光時と非発光時では大きく変動する。したがっ
て高周波トランスの1次コイルと発振コンデンサからな
るLC共振回路と、これに電磁結合した放電管側の回路
との全体からなる系のインピーダンスは極めて複雑なL
C共振回路として周期的な変化をする。放電管を効率よ
く発光させるにはこの複雑なLC共振回路におけるエネ
ルギー変動の周期にマッチしたパルス特性により出力素
子を動作させ、放電管を駆動する必要がある。すなわ
ち、それぞれの放電管にはその放電管、高周波トラン
ス、発振コンデンサからなる系特有のエネルギー変動の
周期があり、これを駆動するためのオン時間の最適値が
あるのである。このオン時間の最適値と放電管の光強度
の時間変化との関係を図17に示す。図17(a)は、
オフ時間が比較的短い場合、図17(b)は、図17
(a)よりオフ時間が長い場合の放電管の過渡応答を示
す図である。光強度のデータは、放電管の光を受光した
フォトトランジスタの出力を示している。ここで放電管
の入力電圧とは、放電管に接続される高周波トランスの
1次コイル側の電圧である。図17において、放電管の
入力電圧は下向きのパルスとして示している。すなわち
図17に示したのは、高周波トランスの1次コイルの出
力素子に接続される側の端子(ノードN1 )における電
圧変化であり、出力素子がターンオンするとノードN1
の電位は電源電圧(VDD1 )から接地電位(グランド)
に低下することを示している。また、図17において、
この放電管の放電による光強度は下向きに正として示し
ている。出力素子がターンオンすると、2次コイルに高
圧が発生し、放電管が放電し、徐々に放電管の発光強度
が増大し、ある時間で放電管の発光強度が最大となり、
その後漸減している。しかし、放電管の発光強度が最大
になる時刻と放電管の入力電圧の立ち下がりエッジと
は、一般に一致せず、この間にはΔt0なる時間差が存
在する。そして、オフ時間が長い場合(図17(b))
は、オフ時間が短い場合(図17(a))に比して時間
差Δt0は、大きくなる傾向である。また、同一の入力
電圧を印加しているにもかかわらず、オフ時間が長い場
合は、オフ時間が短い場合に比して発光強度は弱くなっ
ている。オン時間を変えた場合も同様で、時間差Δt0
は、オン時間に依存して変化する。オン時間が長すぎる
と時間差Δt0は、負の値を取ることとなる。すなわ
ち、放電管に入力電圧が印加されているにもかかわらず
発光強度は、勝手に先に減少を開始し始める事態とな
る。このように、放電管の発光の過渡特性は、放電管の
入力パルス波形に一対一に対応するのではなく、入力パ
ルスの特性(オン時間/オフ時間)に依存した時間遅れ
と時定数を有した複雑な変化をする。
【0013】図17に示すように、放電管の発光は、あ
る時間で最大発光強度になり、それ以降は発光強度は低
下して来るという過渡特性を有する。発光強度が低下し
つつあるタイミングで入力電圧を印加し続けるのは、発
光効率を低下させる。したがって、放電管の高周波点灯
における調光の高効率化のためには、オン時間は所定の
時間内に納める必要があるという結論に到達する。つま
り、放電管駆動電圧のオン時間は長ければ長いほど良い
のではなく、あまりオン時間が長すぎると放電管の発光
効率が低下し、エネルギーの無駄な消費が発生すること
とが分かる。図18は出力素子のオン時間と放電管によ
る照度の関係を示す図であるが、ある一定のオン時間以
上で放電管を駆動した場合の照度は、オン時間の増大と
共に低下することがわかる。必要以上のオン時間は出力
素子の出力インピーダンスと高周波トランス、放電管お
よび発振コイルからなる回路のインピーダンスとのミス
マッチングを生じ、出力素子の出力電圧に歪を発生させ
る。したがってこの歪がないようにオン時間を設定する
ことにより発光効率の高い放電管の駆動や調光が可能と
なるのである。
【0014】オン時間は短ければ短いほど良いわけでは
ない。高周波トランスの1次コイルと、この1次コイル
に並列接続される発振コンデンサとからなるLC共振回
路の固有の振動数や、このLC共振回路のインピーダン
スにマッチしたオン時間に設定することが好ましいので
ある。このためには出力素子の出力電極(ノードN1
における出力電圧パルスの立ち下がりエッジと、出力素
子の制御電極におけるゲート駆動パルスの立ち下がりエ
ッジの時間差Δtを所定の範囲内に設定すれば良い。
「出力素子の制御電極」とは、接合型FET,MOSF
ET,IGBT,SIT,SIサイリスタ等において
は、ゲート電極を意味し、バイポーラトランジスタにお
いてはベース電極を意味することは勿論である。たとえ
ば時間差Δtは3μs以下になるようにオン時間を設定
すればよい。従って、出力素子の固有のターンオフ時間
は3μsより十分短いことが好ましい。時間差Δtを一
定の範囲内におさまるようにすることにより、放電管の
インピーダンスを含めたLC共振回路におけるエネルギ
ー変動の周期およびそのインピーダンスと出力素子の出
力電圧の時間変化およびそのインピーダンスとがマッチ
ングし、最も有効にエネルギーの出し入れがなされるこ
ととなる。したがって、最大効率で放電管を発光させる
ことが可能となる。
【0015】このようにしてオン時間の最適値を決定
後、このオン時間に固定した状態で、オフ時間を決定
し、所望の明るさを得るようにすれば、最大効率で放電
管の調光が可能となる。
【0016】また、電源ライン電圧波形増幅回路の出力
によりオフ時間の最小値を決定して、明るさの上限を決
定することも可能である。すなわち、LC共振回路の有
する固有のエネルギー変動の周波数と出力素子の出力電
圧の周波数がマッチしなくなって来ると効率が低下する
ので、あるオフ時間よりはオフ時間を短くしない方がよ
い。つまり、オフ時間の最小値があるわけで、このオフ
時間の最小値を決定できるようにしておけば、高い効率
を維持したままで調光できるのである。これは電源ライ
ン電流増幅回路の出力中に固有なスパイクピークがある
か否かを検出することにより、簡単に判断できる。
【0017】より好ましくはオン時間/オフ時間制御回
路はスイッチング波形検出回路と、オン時間比較回路
と、オン時間基準回路と、オン時間調整回路と、オフ時
間基準回路と、明るさ調整回路とを少なくとも具備して
構成すれば良い。
【0018】スイッチング波形検出回路にはノードN1
における出力素子の出力電圧が入力されるようにし、こ
のスイッチング波形検出回路の出力をオン時間比較回路
に入力することにより、出力素子の出力電極側のパルス
の立ち下がりエッジと、出力素子の制御電極側のパルス
の立ち下がりエッジとの時間差Δtを比較し、この比較
結果をオン時間調整回路に入力するようにすればよい。
オン時間調整回路はオン時間基準回路に接続され、オン
時間の最適値が設定できる。
【0019】オフ時間基準回路はオン時間調整回路と明
るさ調整回路に接続されている。そしてオン時間を所定
の時間に設定後、明るさ調整回路によりオフ時間を調整
すれば、最大効率のもとで、放電管の明るさが調節でき
る。そして、オフ時間基準回路は、ゲート回路を介し
て、出力素子の制御電極に所定の駆動パルスを入力す
る。
【0020】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきで
ある。
【0021】図1に本発明の実施の形態に係る放電管の
調光制御装置を示すブロック図である。図1に示すよう
にこの調光制御装置は放電管1と、高周波トランス2
と、半導体スイッチング素子等の出力素子3と、出力素
子3の制御電極に所定のゲート電流もしくはゲート電圧
を印加するためのゲート回路4と、ゲート回路に所定の
オン時間・オフ時間を有したパルスを入力させるオン時
間/オフ時間制御回路5とから少なくとも構成されてい
る。高周波トランス2の2次コイルLS に放電管1が接
続され、1次コイルLP の一方の端子に出力素子3の出
力端子が接続されている。1次コイルLP の他方の端子
は直流電源(第1の直流電源)VDD1に接続されてい
る。たとえば直流電源は商用電源をダイオードブリッジ
等で整流したものでよく、直流電源VDD1 と1次コイル
P との接続点であるノードN2 には平滑コンデンサC
2 が接続されている。高周波トランス2の1次コイルL
P には発振コンデンサC1 が並列接続され、1次コイル
P と発振コンデンサC1 とでLC共振回路を構成して
いる。出力素子3には還流用ダイオードD1 が並列に接
続されている。本発明の実施の形態に係る調光制御装置
で重要な点は1次コイルLP と出力素子3との接続点と
なるノードN1 および直流電圧VDD1 と1次コイルLP
との接続点となるノードN2 における信号がオン時間/
オフ時間制御回路5にフィードバックされている点であ
る。このノードN1 における出力素子3の出力電圧波形
およびノードN2 における電源ラインにおける電圧波形
を監視することで最適なオン時間の設定を行ない、この
オン時間を一定値に維持しながら、オフ時間を変え所望
の放電管の明るさを得ることができる。
【0022】具体的には、(イ)最初オン時間を短めの
値、たとえば15〜20μs程度に設定しておき、ノー
ドN2 における電源ラインN2 の電圧波形を監視しなが
らオン時間を長くして、最適なオン時間に設定する、
(ロ)次に、この設定したオン時間の最適値を維持し
て、所望の明るさになるようにオフ時間を調整する、と
いう手順で放電管の調光を行う。オフ時間は、例えば、
オン時間の30乃至40倍に設定する。また、本発明の
ゲート回路4に入力するパルスのオン時間およびオフ時
間は、互いに独立に所望の値に(任意に)設定されるの
で、調光にしたがいパルスの繰り返し周波数は変化す
る。
【0023】本発明の実施の形態に用いる出力素子3と
しては種々の半導体スイッチング素子を用いることがで
きる。たとえば、接合型FET,MOSFET,バイポ
ーラトランジスタ,IGBT,SIT,SIサイリス
タ、あるいはHEMT等を用いることが可能である。図
2は出力素子3として接合型FETQ1 を用いた場合の
ゲート回路4を示す回路図である。このゲート回路4は
抵抗R11,バッファアンプB1 ,抵抗R12,ダイオード
2 ,抵抗R13,キャパシタC3 を介して接合型FET
1 にオン時間/オフ時間制御回路5からのゲートパル
スが印加される。
【0024】またこのゲート回路はnpnバイポーラト
ランジスタQ2 を有し、ターンオフ時に接合型FETQ
1 のゲートから電流を引き抜き、高速に接合型FETQ
1 をターンオフできるようになっている。npnバイポ
ーラトランジスタQ2 のベースには抵抗R14,バッファ
アンプB2 ,抵抗R15,R16を介してオン時間/オフ時
間制御回路5からの駆動パルスが印加され、駆動パルス
が“ロウ(Low)”になったとき、npnバイポーラ
トランジスタQ1 が導通し、接合型FETQ1のゲート
に蓄積されたキャリアを引き抜く。駆動パルスが“ハイ
(High)”のときはnpnバイポーラトランジスタ
1 はオフ状態であるので、オン時間/オフ時間制御回
路5からの駆動パルスは有効に接合型FETQ1 に印加
されることとなる。ゲート回路4は出力素子3の性能、
特性等に合わせて設計すれば良く、図2に例示する場合
に限られるものではないことはもちろんである。
【0025】図3は接合型FETQ1 のゲート電極(制
御電極)とゲート抵抗R13との接続点であるノードN3
における入力電圧の時間変化と、接合型FETQ2 の出
力電極側のノードN1 における出力電圧の時間変化との
関係を示す図である。ゲート電極に“ハイ(Hig
h)”の電圧が印加されることにより、接合型FETQ
2がターンオンし、ノードN1の電位は接地電位になる。
接合型FETQ2 のターンオンと共に、発振コンデンサ
1 が充電され、充電後一定時間経過して接合型FET
2 がターンオフすると、極性が反転し、発振コンデン
サC1 が放電を開始することがわかる。
【0026】図4はノードN2 の「電源ラインの電圧波
形」を監視するための電源ライン電圧波形増幅回路6の
一例であり、npnバイポーラトランジスタQ3とオペ
アンプA1とを有している。npnバイポーラトランジ
スタQ3のコレクタ電極は抵抗R42を介して電源(第2
の電源)VDD2に接続されている。第2の電源VDD2の電
圧は、例えば、8Vである。一方、第1の電源VDD1
電圧は、例えば、12Vである。コンデンサC41を介し
て容量結合で与えられるノードN2 における電圧は、抵
抗R41によりnpnバイポーラトランジスタQ3のベー
ス電流に変換される。こうして、ノードN2 における電
圧をnpnバイポーラトランジスタQ3 で交流増幅し、
さらにオペアンプA1で100倍に増幅するように構成
されている。
【0027】図5(b)はノードN2 の電源ラインの電
圧波形をnpnバイポーラトランジスタQ3 で交流増幅
した後の波形で、図5(a)は対応するノードN1 にお
ける出力素子3の出力電圧波形を示す。出力素子3(n
pnバイポーラトランジスタQ3 )が導通して、放電管
が放電を開始するとインピーダンスが変化するので、電
源ラインの電圧波形が影響を受ける様子が示されてい
る。
【0028】図5(b)に示したようなnpnバイポー
ラトランジスタQ3 で交流増幅した波形信号を、オペア
ンプA1でさらに100倍に増幅した後のノードN2
おける電圧波形を示したのが、図6(b)および図7
(b)である。また、図6(a)および図7(a)はノ
ードN1 における出力素子3の出力電圧波形である。図
6(b)ではトランジスタQ1 のターンオン時間の最後
に1個のスパイクピークP1 が見られるが、図7(b)
では2個のスパイクピークP1 ,P2 が見られる。すな
わち図7(b)ではオン時間tONが長すぎるためノード
2 における電圧波形に歪が生じ、スパイクピークP2
が出現したことが示されている。したがってこのスパイ
クピークP2 が出ないようなオン時間に設定すればよ
い。実際には15〜20μs程度の若干短めの値にオン
時間tONをまず仮に設定し、徐々にオン時間tONを長く
していき、図7(b)に示すような歪が出る直前のオン
時間tONにすれば最適なオン時間(オン時間の最適値)
ONに設定されたことになる。すなわち、図3に示す出
力素子3の入力電圧の立ち下がりエッジと出力素子3の
出力電圧の立ち下がりエッジとの差Δtが所定の範囲、
たとえば0〜3μs以内になるようにオン時間tONを調
整すれば、最適なオン時間tONが設定できる。
【0029】最適なオン時間tONは電源電圧VDD1 にも
依存する。VDD1 =10VにおいてtON=28〜30μ
s、VDD1 =14VにおいてtON=23〜24μsが、
本発明の実施の形態における代表的な値として例示でき
る。
【0030】図8はノードN4 における出力素子3の入
力電圧の立ち下がりエッジと、ノードN1 における出力
素子3の出力電圧の立ち下がりエッジとを比較するオン
時間比較回路52の一例を示す回路図である。図8にお
いて、インバータI21で反転されたノードN1 の信号と
インバータI22で反転されたノードN4 の信号の論理積
がアンド(AND)回路72で取られ、アンド回路73
でアンド回路72の出力とインバータI23で反転された
ノードN4 の信号の論理積が取られる。さらにアンド回
路74によりアンド回路73の出力とインバータI24
さらに反転されたノードN4 の信号との論理積が取られ
る。この結果立ち下がりエッジの差Δtが3μs以上と
判定されれば、発光ダイオードD72を点灯し、オン時間
ONが短いことを表示する。図8(b)に示すように、
オン時間比較回路52は、オン時間調整回路54に接続
されている。
【0031】図9は本発明の実施の形態に係る調光制御
装置に用いるオン時間/オフ時間制御回路5の詳細を示
すブロック図である。図9に示すようにこのオン時間/
オフ時間制御回路5はスイッチング波形検出回路51
と、このスイッチング波形検出回路51に接続されたオ
ン時間比較回路52と、オン時間比較回路52に接続さ
れたオン時間調整回路54と、オン時間調整回路に接続
されたオフ時間基準回路55とを少なくとも具備してい
る。また、このオン時間/オフ時間制御回路5はオン時
間基準回路55に接続された明るさ調整回路56と明る
さ調整回路56に接続された電源電圧検出回路57を具
備している。さらにこのオン時間/オフ時間制御回路5
は、オフ時間基準回路に接続されたオン時間基準回路5
3を有し、オン時間基準回路53はオン時間比較回路5
2とオン時間調整回路54に接続されている。
【0032】図10はオン時間/オフ時間制御回路5を
より具体的に示す回路図である。このオン時間/オフ時
間制御回路5は、直列接続された3つのフリップフロッ
プ78,79,80と各フリップフロップのトリガ端子
に接続された抵抗R53、54、55、56、57、58、60
とを少なくとも有している。フリップフロップ78はオ
ン時間基準回路53として機能し、フリップフロップ7
9はオフ時間基準回路55として機能する。フリップフ
ロップ78のトリガ端子T2に接続された抵抗R54の値
を変えることにより、あるいは抵抗R53と抵抗R54との
接続点に入力されるオン時間調整回路54の出力により
オン時間を調整することができる。
【0033】又、フリップフロップ79のトリガ端子T
2に接続された抵抗R57の値を変えることによりオフ時
間を変更し、明るさを調整することができる。抵抗R57
には、ツェナーダイオードD52および抵抗R57からなる
電源電圧検出回路57が並列接続されている。このよう
に、本発明の実施の形態に係るオン時間/オフ時間制御
回路5においては、直列接続された3つのフリップフロ
ップ78,79,80によりオン時間およびオフ時間を
それぞれ独立に制御して、放電管を駆動するのに最適な
パルスを発生させている。この際、最終段のフリップフ
ロップ80の出力がオア(OR)回路77を介して初段
のフリップフロップ78に入力するようにして、所定の
繰り返し周波数を決定し、その繰り返し周波数のパルス
を安定に発生させるようになっている。
【0034】本発明の実施の形態においては、オン時間
の最適値を維持して、所望の明るさになるようにオフ時
間を調整するのであるが、代表的な値を例示すれば、V
DD1=10VにおいてtOFF=250〜450μs、V
DD1 =14VにおいてtOFF=450〜850μsであ
る。
【0035】本発明の実施の形態において、オフ時間t
OFFはある一定の時間より短くしないことが好ましい。
すなわち発振コンデンサC1 と1次コイルLP とで構成
される共振回路の時定数よりもオフ時間が短くなってく
ると共振回路としてのエネルギーの出し入れが不十分に
なって来て、発光効率が低下し始める。この発光効率が
低下し始める限界値(オフ時間の下限)よりもオフ時間
OFFを短くしない方がよい。このオフ時間tOFFの下限
はノードN1 における電源ラインの電圧波形を監視する
ことにより判断できる。
【0036】図11はオフ時間tOFFの下限に近づいた
場合に特徴的な波形を示す図である。図11(a)はノ
ードN1 における出力素子3の出力電圧の波形で、図1
1(b)はノードN2 における電圧波形を100倍に増
幅した波形である。 図6(b)と比較すると明らかな
ように、図6(b)で見られた立ち下がりエッジ近傍の
スパイクピークP1 が小さくなり消減しかけている。こ
れは、発振コンデンサC1 と1次コイルLP とで構成さ
れる共振回路の時定数よりもオフ時間tOFFが短くなっ
てきて共振回路のエネルギーの出し入れが不十分になっ
て来ていることを示している。
【0037】図12はオフ時間tOFFの下限を検出し
て、明るさの上限を表示する明るさ上限表示部7の構成
を示す回路図である。明るさ上限表示部7は明るさ上限
検出回路172と表示灯174とから構成されている。
明るさ上限検出回路172はアンド回路83を有し、こ
のアンド回路83にオン時間/オフ時間制御回路5の出
力をインバータI22で反転した信号と、電源ライン電圧
波形増幅回路6の信号との論理積を取る。立ち下がりエ
ッジ近傍のスパイクピークP1 が無ければ、アンド回路
83の出力は“ロウ(Low)”となるため、バイポー
ラトランジスタQ7 はオフ状態となる。したがって表示
灯174としての発光ダイオードD75が消えるので明る
さ上限であることが表示される。なお、明るさ上限検出
回路172には、オフ時間波形監視回路161が接続さ
れ、オフ時間の波形に異常な振動等が発生した場合にも
表示出来るようになっている。
【0038】放電管は種々の長さや太さのものがあり、
そのインピーダンスは区々としている。負荷インピーダ
ンスが高くなれば、電源電圧を高くする必要がある。図
13は本発明の実施の形態において放電管の長さが長く
なった場合のノードN1 における出力電圧の波形を示
す。図13に示すように負荷インピーダンスが高くなる
とオフ時の波形に電源電圧VDD1 より低くなる振動が出
現する。
【0039】図14はこの負荷インピーダンスの異常を
表示する負荷インピーダンス表示部8を示す回路図であ
る。負荷インピーダンス表示部8は、負荷インピーダン
ス表示回路162と表示灯163とから構成されてい
る。負荷インピーダンス表示回路162は、npnバイ
ポーラトランジスタQ8を具備し、npnバイポーラト
ランジスタQ8のベース電極に抵抗R69およびコンデン
サC33を介して、オフ時間波形監視回路161から信号
が入力出来るようになっている。オフ時間波形監視回路
161 は、アンド回路82によりノードN1における出
力電圧とノードN4における出力電圧をインバータI25
で反転した信号の論理積を取り、オフ時間の波形に異常
な振動があるか否か調べる。
【0040】図15は図12に示した明るさ上限表示部
7と図14に示した負荷インピーダンス表示部8をまと
めて示すブロック図である。
【0041】図16は本発明の実施の形態に係る調光制
御装置による照度とオフ時間との関係を電源電圧VDD1
=13V,12V,11Vの場合について示す図であ
る。オフ時間tOFFを長くすることにより照度が低くな
り、明るさが調節できることがわかる。
【0042】上記の本発明の実施の形態の記載の一部を
なす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理
解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替
実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例
えば、本発明は太陽電池システムと組み合わせて、太陽
電池でネオン管表示システムを駆動するようにすれば、
省エネルギー型であるので太陽電池に対する負担が軽減
される。その結果、炭酸ガス(CO2)放出のない表示
システムを完成できる。また、赤(R)、緑(G)、青
(B)の三色のネオン管を用意し、これら赤(R)、緑
(G)、青(B)の三色のネオン管のそれぞれの発光強
度調整すれば色調整も可能となる。このように、本発明
はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含す
るということを理解すべきである。したがって、本発明
はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事
項によってのみ限定されるものである。
【0043】
【発明の効果】本発明によれば、負荷となる放電管の長
さや太さ等が異なっても、最適なオン時間を決定するの
が容易であり、高い発光効率での放電管の点灯が可能で
ある。本発明によれば、上記最適なオン時間にオン時間
を固定しておいて所望の明るさとなるようにオフ時間を
変更できるので、効率の高い調光が可能である。
【0044】本発明によれば、最初短めのオン時間で仮
設定し、その後オン時間を長くして最適なオン時間を決
定するようにしているので、無駄なエネルギーの消費が
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る調光制御装置の概略
を示すブロック図である。
【図2】出力素子として接合型FETを用いた場合のゲ
ート回路の一例を示す図である。
【図3】出力素子の入力電圧と出力電圧の関係を示す図
である。
【図4】本発明の実施の形態に係る調光制御装置の電源
ライン電圧波形増幅回路の一例を示す回路図である。
【図5】ノードN1 における出力素子の出力電圧(a)
とノードN2 における電源ライン電圧波形(b)との関
係を示す図である。
【図6】ノードN1 における出力素子の出力電圧(a)
に歪がない場合の、ノードN2における電源ライン電圧
波形を増幅した後の波形(b)を示す図である。
【図7】オン時間が長すぎる場合の、増幅後の電源ライ
ン電圧波形を示す図である。
【図8】オン時間比較回路の一例を示す回路図である。
【図9】オン時間/オフ時間制御回路の詳細を示すブロ
ック図である。
【図10】オン時間/オフ時間制御回路の具体的な回路
構成例を示す図である。
【図11】オフ時間が短くなり過ぎた場合の電源ライン
電圧波形を示す図である。
【図12】明るさ上限検出回路の一例を示す図である。
【図13】負荷インピーダンスが大きすぎる場合のノー
ドN1 における出力素子の出力電圧を示す図である。
【図14】負荷インピーダンス表示部の一例を示す回路
図である。
【図15】明るさ上限表示部と負荷インピーダンス表示
部を示すブロック図である。
【図16】オフ時間と照度との関係を示す図である。
【図17】放電管入力電圧(ノードN1 における出力素
子の出力電圧)と放電管の光強度との関係を示す図であ
る。
【図18】オン時間と照度との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 放電管 2 高周波トランス 3 出力素子 4 ゲート回路 5 オン時間/オフ時間制御回路 6 電源ライン電圧波形増幅回路 51 スイッチング波形検出回路 52 オン時間比較回路 53 オン時間基準回路 54 オン時間調整回路 55 オフ時間基準回路 56 明るさ調整回路 57 電源電圧検出回路 71,75,76,77,81,84,85 オア回路 72,73,74,82,83 アンド回路 78,79,80 フリップフロップ回路 161 オフ時波形監視回路 162 負荷インピーダンス表示回路 163,174 表示灯 172 明るさ上限検出回路 C1 発振コンデンサ C2 平滑コンデンサ D1 還流用ダイオード LP 1次コイル LS 2次コイル Q1 接合型FET Q2 ,Q3 ,Q4 ,Q5 ,Q6 ,Q7 ,Q8 バイポー
ラトランジスタ A1 オペアンプ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源に一方の端子を接続された1次コイ
    ルと、放電管に接続された2次コイルとを含む高周波ト
    ランスと、 前記1次コイルの他方の端子に出力電極を接続された出
    力素子と、 該出力素子の制御電極に接続されたゲート回路と、 該ゲート回路に接続されたオン時間/オフ時間制御回路
    と、 該オン時間/オフ時間制御回路と前記1次コイルの一方
    の端子の間に接続された電源ライン電圧波形増幅回路と
    から少なくとも構成され、 前記一方の端子における電圧波形と、前記他方の端子に
    おける電圧波形とを検出することにより、前記制御電極
    に入力する駆動パルスのオン時間とオフ時間を互いに独
    立に制御して、前記放電管の明るさを調整することを特
    徴とする調光制御装置。
  2. 【請求項2】 前記電源ライン電圧波形増幅回路によ
    り、前記一方の端子における電圧波形の歪を検出し、駆
    動パルスのオン時間の最適値を決定することを特徴とす
    る請求項1記載の調光制御装置。
  3. 【請求項3】 前記出力電極におけるパルスと前記制御
    電極におけるパルスの立ち下がりエッジの時間差を所定
    の範囲内に設定することにより、前記オン時間の最適値
    を決定することを特徴とする請求項1又は2記載の調光
    制御装置。
  4. 【請求項4】 前記オン時間の最適値を決定後、前記オ
    フ時間を決定し、所望の明るさを得ることを特徴とする
    請求項2又は3記載の調光制御装置。
  5. 【請求項5】 前記電源ライン電圧波形増幅回路の出力
    により前記オフ時間の最小値を決定することを特徴とす
    る請求項4記載の調光制御装置。
  6. 【請求項6】 前記オン時間/オフ時間制御回路は、ス
    イッチング波形検出回路と、オン時間比較回路と、オン
    時間基準回路と、オン時間調整回路と、オフ時間基準回
    路と、明るさ調整回路とを少なくとも具備し、 前記オン時間調整回路により前記オン時間の最適値を決
    定し、前記明るさ調整回路によりオフ時間を決定するこ
    とを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の調光制
    御装置。
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