JPH11233322A - 磁石およびボンディッド磁石 - Google Patents
磁石およびボンディッド磁石Info
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- JPH11233322A JPH11233322A JP10041303A JP4130398A JPH11233322A JP H11233322 A JPH11233322 A JP H11233322A JP 10041303 A JP10041303 A JP 10041303A JP 4130398 A JP4130398 A JP 4130398A JP H11233322 A JPH11233322 A JP H11233322A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、しかも高保磁力、高角形比の磁石を
提供する。 【解決手段】 R(Rは希土類元素の1種以上であり、
R中のSm比率は50原子%以上である)、T(TはF
e、またはFeおよびCoである)、N、M(Mは、Z
rであるか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、H
f、Ta、Mo、W、Al、CおよびPから選択される
少なくとも1種の元素で置換したものである)およびG
aを含有し、各元素の含有量が、R:4〜8原子%、
N:10〜20原子%、M:2〜10原子%、Ga:
0.1〜0.9原子%、T:残部であり、硬質磁性相と
軟質磁性相とを有し、硬質磁性相が、R、TおよびNを
主体とし、TbCu7型結晶相を含み、軟質磁性相が、
bcc構造のT相を含み、軟質磁性相の平均結晶粒径が
5〜60nmであり、軟質磁性相の比率が10〜60体積
%である磁石。
提供する。 【解決手段】 R(Rは希土類元素の1種以上であり、
R中のSm比率は50原子%以上である)、T(TはF
e、またはFeおよびCoである)、N、M(Mは、Z
rであるか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、H
f、Ta、Mo、W、Al、CおよびPから選択される
少なくとも1種の元素で置換したものである)およびG
aを含有し、各元素の含有量が、R:4〜8原子%、
N:10〜20原子%、M:2〜10原子%、Ga:
0.1〜0.9原子%、T:残部であり、硬質磁性相と
軟質磁性相とを有し、硬質磁性相が、R、TおよびNを
主体とし、TbCu7型結晶相を含み、軟質磁性相が、
bcc構造のT相を含み、軟質磁性相の平均結晶粒径が
5〜60nmであり、軟質磁性相の比率が10〜60体積
%である磁石。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、希土類窒化磁石
と、この希土類窒化磁石の粉末を用いたボンディッド磁
石とに関する。
と、この希土類窒化磁石の粉末を用いたボンディッド磁
石とに関する。
【0002】
【従来の技術】高性能希土類磁石としては、Sm−Co
系磁石やNd−Fe−B系磁石が実用化されているが、
近年、新規な希土類磁石の開発が盛んに行なわれてい
る。
系磁石やNd−Fe−B系磁石が実用化されているが、
近年、新規な希土類磁石の開発が盛んに行なわれてい
る。
【0003】例えば、Sm2Fe17結晶にNが侵入型に
固溶したSm−Fe−N系の希土類窒化磁石が提案され
ており、Sm2Fe17N2.3付近の組成で、4πIs=1
5.4kG、Tc=470℃、HA=14Tの基本物性が得
られること、Znをバインダとするメタルボンディッド
磁石として10.5MGOeの(BH)maxが得られること、ま
た、Sm2Fe17金属間化合物へのNの導入により、キ
ュリー温度が大幅に向上して熱安定性が改良されたこと
が報告されている(Paper No.S1.3 at the Sixth Inter
national Symposium on Magnetic Anisotropy and Coer
civity in RareEarth-Transition Metal Alloys,Pittsb
urgh,PA,October 25,1990.(Proceedings Book:Carnegie
Mellon University,Mellon Institute,Pittsburgh,PA
15213,USA))。
固溶したSm−Fe−N系の希土類窒化磁石が提案され
ており、Sm2Fe17N2.3付近の組成で、4πIs=1
5.4kG、Tc=470℃、HA=14Tの基本物性が得
られること、Znをバインダとするメタルボンディッド
磁石として10.5MGOeの(BH)maxが得られること、ま
た、Sm2Fe17金属間化合物へのNの導入により、キ
ュリー温度が大幅に向上して熱安定性が改良されたこと
が報告されている(Paper No.S1.3 at the Sixth Inter
national Symposium on Magnetic Anisotropy and Coer
civity in RareEarth-Transition Metal Alloys,Pittsb
urgh,PA,October 25,1990.(Proceedings Book:Carnegie
Mellon University,Mellon Institute,Pittsburgh,PA
15213,USA))。
【0004】希土類窒化磁石(以下、Sm−Fe−N系
磁石)は、理論的にはNd−Fe−B系磁石を超える特
性が期待されるため、様々な提案がなされている。Sm
−Fe−N系磁石の高性能化、特に高い磁化を得るため
には、磁石中のα−Fe相の比率を高くすることが有効
である。α−Fe相を増加させるためには、磁石全体の
希土類元素量を減らせばよく、希土類元素の使用量を減
らせばコスト的にも有利である。しかし、希土類元素量
を減らしてα−Fe相を単に増加させただけでは、保磁
力の低下を招き、磁石特性はかえって低くなってしま
う。このため、以下に示すような提案がなされている。
磁石)は、理論的にはNd−Fe−B系磁石を超える特
性が期待されるため、様々な提案がなされている。Sm
−Fe−N系磁石の高性能化、特に高い磁化を得るため
には、磁石中のα−Fe相の比率を高くすることが有効
である。α−Fe相を増加させるためには、磁石全体の
希土類元素量を減らせばよく、希土類元素の使用量を減
らせばコスト的にも有利である。しかし、希土類元素量
を減らしてα−Fe相を単に増加させただけでは、保磁
力の低下を招き、磁石特性はかえって低くなってしま
う。このため、以下に示すような提案がなされている。
【0005】例えば本出願人による特開平8−3160
18号公報では、R(Smを主体とする希土類元素)を
4〜8原子%、Nを10〜20原子%、M(Zrを必須
とする添加元素)を2〜10原子%含有し、残部が実質
的にT(Fe等の遷移元素)であって、TbCu7型硬
質磁性相と、α−Fe相等のbcc構造T相からなる軟
質磁性相とを有し、軟質磁性相の平均結晶粒径が5〜6
0nmであり、軟質磁性相の割合が10〜60体積%であ
るSm−Fe−N系磁石を提案している。この磁石は、
Zrを必須とし、かつ軟質磁性相の平均結晶粒径および
磁石中における軟質磁性相の割合を限定したことを特徴
とするものである。これらの限定により、希土類元素の
比率を8原子%以下と少なくして高磁化を達成したにも
かかわらず、比較的高い保磁力が得られている。
18号公報では、R(Smを主体とする希土類元素)を
4〜8原子%、Nを10〜20原子%、M(Zrを必須
とする添加元素)を2〜10原子%含有し、残部が実質
的にT(Fe等の遷移元素)であって、TbCu7型硬
質磁性相と、α−Fe相等のbcc構造T相からなる軟
質磁性相とを有し、軟質磁性相の平均結晶粒径が5〜6
0nmであり、軟質磁性相の割合が10〜60体積%であ
るSm−Fe−N系磁石を提案している。この磁石は、
Zrを必須とし、かつ軟質磁性相の平均結晶粒径および
磁石中における軟質磁性相の割合を限定したことを特徴
とするものである。これらの限定により、希土類元素の
比率を8原子%以下と少なくして高磁化を達成したにも
かかわらず、比較的高い保磁力が得られている。
【0006】また、特開平8−81741号公報には、
R1 xR2 yT100-x-y-z-vMzNv(R1は希土類元素の1種
以上、R2はZr、HfおよびScの1種以上、TはF
eおよびCoの1種以上、MはTi、V、Nb、Ta、
Cr、Mo、W、Mn、Ni、Ru、Rh、Pd、C
u、Ag、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、G
e、SnおよびSbの1種以上。x、y、z、vは原子
%でそれぞれ2≦x≦20、0≦y≦15、2≦x+y
≦20、0≦z≦20、0.01≦v≦20を示す)で
表される組成であって、TbCu7型結晶構造を有する
相を主相とし、この主相中に前記T元素が90原子%以
上含まれる磁石材料が記載されている。同公報では、主
相中にT元素を90%以上含ませることにより、主相の
飽和磁束密度を向上させることができるとしている。そ
して、α−Fe相については、その析出を防止すること
を目的としている。
R1 xR2 yT100-x-y-z-vMzNv(R1は希土類元素の1種
以上、R2はZr、HfおよびScの1種以上、TはF
eおよびCoの1種以上、MはTi、V、Nb、Ta、
Cr、Mo、W、Mn、Ni、Ru、Rh、Pd、C
u、Ag、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、G
e、SnおよびSbの1種以上。x、y、z、vは原子
%でそれぞれ2≦x≦20、0≦y≦15、2≦x+y
≦20、0≦z≦20、0.01≦v≦20を示す)で
表される組成であって、TbCu7型結晶構造を有する
相を主相とし、この主相中に前記T元素が90原子%以
上含まれる磁石材料が記載されている。同公報では、主
相中にT元素を90%以上含ませることにより、主相の
飽和磁束密度を向上させることができるとしている。そ
して、α−Fe相については、その析出を防止すること
を目的としている。
【0007】上記特開平8−316018号公報では、
工業材料となっているNd−Fe−B系磁石より高い特
性も得られているが、保磁力および後述する角形比につ
いては、さらに高いことが望ましい。一方、上記特開平
8−81741号公報では、コンピュータのハードディ
スク駆動装置用のスピンドルモータに用いるには不十分
な特性しか得られていない。
工業材料となっているNd−Fe−B系磁石より高い特
性も得られているが、保磁力および後述する角形比につ
いては、さらに高いことが望ましい。一方、上記特開平
8−81741号公報では、コンピュータのハードディ
スク駆動装置用のスピンドルモータに用いるには不十分
な特性しか得られていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
で、しかも高保磁力、高角形比の磁石を提供することで
ある。
で、しかも高保磁力、高角形比の磁石を提供することで
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(4)のいずれかの構成により達成される。 (1) R(Rは希土類元素の1種以上であり、R中の
Sm比率は50原子%以上である)、T(TはFe、ま
たはFeおよびCoである)、N、M(Mは、Zrであ
るか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、Hf、T
a、Mo、W、Al、CおよびPから選択される少なく
とも1種の元素で置換したものである)およびGaを含
有し、各元素の含有量が、R:4〜8原子%、N:10
〜20原子%、M:2〜10原子%、Ga:0.1〜
0.9原子%、T:残部であり、硬質磁性相と軟質磁性
相とを有し、硬質磁性相が、R、TおよびNを主体と
し、TbCu7型結晶相を含み、軟質磁性相が、bcc
構造のT相を含み、軟質磁性相の平均結晶粒径が5〜6
0nmであり、軟質磁性相の比率が10〜60体積%であ
る磁石。 (2) Gaの含有量が0.8原子%以下である上記
(1)の磁石。 (3) 速度が45m/s以上である冷却基体表面に溶湯
状合金を衝突させて得た急冷合金に、熱処理を施した
後、窒化処理を施すことにより製造されたものである上
記(1)または(2)の磁石。 (4) 上記(1)〜(3)のいずれかの磁石の粉末と
バインダとを含有するボンディッド磁石。
(1)〜(4)のいずれかの構成により達成される。 (1) R(Rは希土類元素の1種以上であり、R中の
Sm比率は50原子%以上である)、T(TはFe、ま
たはFeおよびCoである)、N、M(Mは、Zrであ
るか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、Hf、T
a、Mo、W、Al、CおよびPから選択される少なく
とも1種の元素で置換したものである)およびGaを含
有し、各元素の含有量が、R:4〜8原子%、N:10
〜20原子%、M:2〜10原子%、Ga:0.1〜
0.9原子%、T:残部であり、硬質磁性相と軟質磁性
相とを有し、硬質磁性相が、R、TおよびNを主体と
し、TbCu7型結晶相を含み、軟質磁性相が、bcc
構造のT相を含み、軟質磁性相の平均結晶粒径が5〜6
0nmであり、軟質磁性相の比率が10〜60体積%であ
る磁石。 (2) Gaの含有量が0.8原子%以下である上記
(1)の磁石。 (3) 速度が45m/s以上である冷却基体表面に溶湯
状合金を衝突させて得た急冷合金に、熱処理を施した
後、窒化処理を施すことにより製造されたものである上
記(1)または(2)の磁石。 (4) 上記(1)〜(3)のいずれかの磁石の粉末と
バインダとを含有するボンディッド磁石。
【0010】
【作用および効果】本発明では、TbCu7型結晶相を
硬質磁性相として有し、bcc構造T相等の軟質磁性相
が分散されたSm−Fe−N系の交換スプリング磁石に
おいて、希土類元素Rの含有量を8原子%以下と少なく
した上で、上記元素MとGaとを複合添加し、さらに、
軟質磁性相の平均結晶粒径およびその比率が所定範囲内
となるように制御する。これにより、保磁力および角形
比が向上し、最大エネルギー積も高くなる。
硬質磁性相として有し、bcc構造T相等の軟質磁性相
が分散されたSm−Fe−N系の交換スプリング磁石に
おいて、希土類元素Rの含有量を8原子%以下と少なく
した上で、上記元素MとGaとを複合添加し、さらに、
軟質磁性相の平均結晶粒径およびその比率が所定範囲内
となるように制御する。これにより、保磁力および角形
比が向上し、最大エネルギー積も高くなる。
【0011】なお、上記した角形比とは、Hk/HcJを
意味する。HcJは保磁力であり、Hkは、磁気ヒステリ
シスループの第2象限において磁束密度が残留磁束密度
の90%になるときの外部磁界強度である。Hkが低い
と高い最大エネルギー積が得られない。Hk/HcJは、
磁石性能の指標となるものであり、磁気ヒステリシスル
ープの第2象限における角張りの度合いを表わす。HcJ
が同等であってもHk/HcJが大きいほど磁石中のミク
ロ的な保磁力の分布がシャープとなるため、着磁が容易
となり、かつ着磁ばらつきも少なくなり、また、最大エ
ネルギー積が高くなる。そして、磁石使用時の外部から
の減磁界や自己減磁界の変化に対する磁化の安定性が良
好となり、磁石を含む磁気回路の性能が安定したものと
なる。なお、ボンディッド磁石とした場合には粉体の状
態よりも磁石粒子間の距離が小さくなるので、ボンディ
ッド磁石では磁石粉末よりも高いHk/HcJを得ること
が可能である。
意味する。HcJは保磁力であり、Hkは、磁気ヒステリ
シスループの第2象限において磁束密度が残留磁束密度
の90%になるときの外部磁界強度である。Hkが低い
と高い最大エネルギー積が得られない。Hk/HcJは、
磁石性能の指標となるものであり、磁気ヒステリシスル
ープの第2象限における角張りの度合いを表わす。HcJ
が同等であってもHk/HcJが大きいほど磁石中のミク
ロ的な保磁力の分布がシャープとなるため、着磁が容易
となり、かつ着磁ばらつきも少なくなり、また、最大エ
ネルギー積が高くなる。そして、磁石使用時の外部から
の減磁界や自己減磁界の変化に対する磁化の安定性が良
好となり、磁石を含む磁気回路の性能が安定したものと
なる。なお、ボンディッド磁石とした場合には粉体の状
態よりも磁石粒子間の距離が小さくなるので、ボンディ
ッド磁石では磁石粉末よりも高いHk/HcJを得ること
が可能である。
【0012】このように本発明では、高価な希土類元素
の使用量を減らした上で高保磁力、および高角形比を得
ることができるので、低価格で高性能な磁石が実現す
る。
の使用量を減らした上で高保磁力、および高角形比を得
ることができるので、低価格で高性能な磁石が実現す
る。
【0013】また、R−T−M系合金にGaを含有させ
れば、融点が低下する。このため、合金製造時に用いる
溶解用るつぼや溶湯状合金射出用ノズルなどの耐火物が
傷みにくくなり、使用可能回数が増えるので、量産コス
トの低減が可能である。
れば、融点が低下する。このため、合金製造時に用いる
溶解用るつぼや溶湯状合金射出用ノズルなどの耐火物が
傷みにくくなり、使用可能回数が増えるので、量産コス
トの低減が可能である。
【0014】ところで、前記特開平8−81741号公
報に記載された磁石材料は、TbCu7型結晶構造を有
する主相とα−Feとを含む希土類窒化磁石であり、そ
の特許請求の範囲によれば、ZrおよびGaを同時に含
み得るものである。しかし、同公報には、ZrとGaと
の複合添加による効果は全く記載されておらず、実施例
にもこれらを複合添加した例は記載されていない。
報に記載された磁石材料は、TbCu7型結晶構造を有
する主相とα−Feとを含む希土類窒化磁石であり、そ
の特許請求の範囲によれば、ZrおよびGaを同時に含
み得るものである。しかし、同公報には、ZrとGaと
の複合添加による効果は全く記載されておらず、実施例
にもこれらを複合添加した例は記載されていない。
【0015】ただし、同公報にはGaを添加した実施例
が3例記載されている。具体的には、同公報の実施例1
1のボンディッド磁石に使用されている磁石粉末は、S
m9Fe85Cr2Ni1V1Al1Ga1合金を、液体冷却法
の1種である単ロール法において冷却ロールの周速度を
40m/sとして製造し、さらに、アンモニアガスにより
窒化処理して、Nを6〜15原子%、Hを1〜4原子%
含有させたものである。しかし、この磁石粉末にはZr
は含まれておらず、また、この磁石粉末が含有するα−
Fe粗粒子の平均粒径は0.33μmと大きい。このボ
ンディッド磁石の保磁力は485kA/m(6.1kOe)、
最大エネルギー積は49kJ/m3(6.2MGOe)にすぎ
ず、本発明のボンディッド磁石に比べ低い。また、同公
報の実施例20および実施例21のボンディッド磁石
は、メカニカルアロイング法により製造した合金を窒素
ガスを用いて窒化した磁石粉末を使用したものである。
これらの磁石粉末は、組成がそれぞれNd2Sm13Ti2
Ga1Fe61Co9N12およびSm12Zr2Mo3Ni5F
e54Co10N14である。すなわち、Ga含有量が多す
ぎ、また、Zrが含有されておらず、また、希土類元素
含有量が14〜15原子%と本発明に比べ著しく多い。
これらのボンディッド磁石の保磁力はそれぞれ540kA
/m(6.8kOe)および580kA/m(7.3kOe)、最大
エネルギー積はそれぞれ78kJ/m3(9.8MGOe)およ
び76kJ/m3(9.5MGOe)にすぎず、本発明のボンデ
ィッド磁石に比べ低い。なお、これら実施例20および
実施例22では、α−Fe粗粒子の平均粒径は記載され
ていない。
が3例記載されている。具体的には、同公報の実施例1
1のボンディッド磁石に使用されている磁石粉末は、S
m9Fe85Cr2Ni1V1Al1Ga1合金を、液体冷却法
の1種である単ロール法において冷却ロールの周速度を
40m/sとして製造し、さらに、アンモニアガスにより
窒化処理して、Nを6〜15原子%、Hを1〜4原子%
含有させたものである。しかし、この磁石粉末にはZr
は含まれておらず、また、この磁石粉末が含有するα−
Fe粗粒子の平均粒径は0.33μmと大きい。このボ
ンディッド磁石の保磁力は485kA/m(6.1kOe)、
最大エネルギー積は49kJ/m3(6.2MGOe)にすぎ
ず、本発明のボンディッド磁石に比べ低い。また、同公
報の実施例20および実施例21のボンディッド磁石
は、メカニカルアロイング法により製造した合金を窒素
ガスを用いて窒化した磁石粉末を使用したものである。
これらの磁石粉末は、組成がそれぞれNd2Sm13Ti2
Ga1Fe61Co9N12およびSm12Zr2Mo3Ni5F
e54Co10N14である。すなわち、Ga含有量が多す
ぎ、また、Zrが含有されておらず、また、希土類元素
含有量が14〜15原子%と本発明に比べ著しく多い。
これらのボンディッド磁石の保磁力はそれぞれ540kA
/m(6.8kOe)および580kA/m(7.3kOe)、最大
エネルギー積はそれぞれ78kJ/m3(9.8MGOe)およ
び76kJ/m3(9.5MGOe)にすぎず、本発明のボンデ
ィッド磁石に比べ低い。なお、これら実施例20および
実施例22では、α−Fe粗粒子の平均粒径は記載され
ていない。
【0016】同公報に記載されたGa添加ボンディッド
磁石の磁気特性が低いのは、ZrとGaとを複合添加し
ていないことや、α−Fe相の平均粒径が大きすぎるこ
となどに起因すると考えられる。
磁石の磁気特性が低いのは、ZrとGaとを複合添加し
ていないことや、α−Fe相の平均粒径が大きすぎるこ
となどに起因すると考えられる。
【0017】
【発明の実施の形態】磁石の組織構造 本発明の磁石は、R、T、N、MおよびGaを含み、主
相である硬質磁性相と微細な軟質磁性相とを含む複合組
織を有する。
相である硬質磁性相と微細な軟質磁性相とを含む複合組
織を有する。
【0018】硬質磁性相はR、TおよびNを主体とし、
六方晶系のTbCu7型結晶構造をもち、この結晶に窒
素が侵入した構造である。TbCu7型結晶構造では、
Rは主としてTbサイトに、Tは主としてCuサイトに
存在する。Mは、元素によっても異なるが、主としてT
bサイトに存在し、Cuサイトに存在する場合もある。
また、Mは、軟質磁性相であるbcc構造T相に固溶す
ることもあるが、Tと別の化合物を形成することもあ
る。Gaは、主としてCuサイトに存在すると考えられ
る。
六方晶系のTbCu7型結晶構造をもち、この結晶に窒
素が侵入した構造である。TbCu7型結晶構造では、
Rは主としてTbサイトに、Tは主としてCuサイトに
存在する。Mは、元素によっても異なるが、主としてT
bサイトに存在し、Cuサイトに存在する場合もある。
また、Mは、軟質磁性相であるbcc構造T相に固溶す
ることもあるが、Tと別の化合物を形成することもあ
る。Gaは、主としてCuサイトに存在すると考えられ
る。
【0019】軟質磁性相はbcc構造のT相および/ま
たはNを含有するT相である。bcc構造T相は、実質
的にα−Fe相であるか、α−Fe相のFeの一部がC
o、M、R等で置換されたものであるか、これらの混相
であると考えられる。また、Nを含有するT相は、窒素
の固溶体および/またはTの窒化物などから構成される
と考えられる。
たはNを含有するT相である。bcc構造T相は、実質
的にα−Fe相であるか、α−Fe相のFeの一部がC
o、M、R等で置換されたものであるか、これらの混相
であると考えられる。また、Nを含有するT相は、窒素
の固溶体および/またはTの窒化物などから構成される
と考えられる。
【0020】高保磁力を得るために、軟質磁性相の平均
結晶粒径は5〜60nmとする。磁石中には結晶磁気異方
性が高い硬質磁性相と飽和磁化が高い軟質磁性相とが存
在し、軟質磁性相が微細であるため両相の界面が多くな
って交換相互作用の効果が大きくなり、高保磁力が得ら
れると考えられる。軟質磁性相の平均結晶粒径が小さす
ぎると飽和磁化が低くなってしまい、大きすぎると保磁
力および角形性が低くなってしまう。なお、軟質磁性相
の平均結晶粒径は、好ましくは5〜40nmである。
結晶粒径は5〜60nmとする。磁石中には結晶磁気異方
性が高い硬質磁性相と飽和磁化が高い軟質磁性相とが存
在し、軟質磁性相が微細であるため両相の界面が多くな
って交換相互作用の効果が大きくなり、高保磁力が得ら
れると考えられる。軟質磁性相の平均結晶粒径が小さす
ぎると飽和磁化が低くなってしまい、大きすぎると保磁
力および角形性が低くなってしまう。なお、軟質磁性相
の平均結晶粒径は、好ましくは5〜40nmである。
【0021】軟質磁性相は一般に不定形であり、このこ
とは透過型電子顕微鏡により確認することができる。軟
質磁性相の平均結晶粒径は、磁石断面の画像解析により
算出する。まず、磁石断面の測定対象領域中に含まれて
いる軟質磁性相について、結晶粒の数nおよび各結晶粒
の断面積の合計Sを、画像解析により算出する。そし
て、軟質磁性相の結晶粒1個あたりの平均断面積S/n
を算出し、面積がS/nである円の直径Dを平均結晶粒
径とする。すなわち、平均結晶粒径Dは、 式 π(D/2)2=S/n から求める。なお、測定対象領域は、nが50以上とな
るように設定することが好ましい。
とは透過型電子顕微鏡により確認することができる。軟
質磁性相の平均結晶粒径は、磁石断面の画像解析により
算出する。まず、磁石断面の測定対象領域中に含まれて
いる軟質磁性相について、結晶粒の数nおよび各結晶粒
の断面積の合計Sを、画像解析により算出する。そし
て、軟質磁性相の結晶粒1個あたりの平均断面積S/n
を算出し、面積がS/nである円の直径Dを平均結晶粒
径とする。すなわち、平均結晶粒径Dは、 式 π(D/2)2=S/n から求める。なお、測定対象領域は、nが50以上とな
るように設定することが好ましい。
【0022】硬質磁性相の平均結晶粒径は、好ましくは
5〜500nm、より好ましくは5〜100nmである。硬
質磁性相の平均結晶粒径が小さすぎる場合には結晶性が
不十分であり、高保磁力が得られにくい。一方、硬質磁
性相の平均結晶粒径が大きすぎると、窒化処理に要する
時間が長くなる傾向がある。硬質磁性相の平均結晶粒径
は、軟質磁性相の平均結晶粒径と同様にして算出する。
5〜500nm、より好ましくは5〜100nmである。硬
質磁性相の平均結晶粒径が小さすぎる場合には結晶性が
不十分であり、高保磁力が得られにくい。一方、硬質磁
性相の平均結晶粒径が大きすぎると、窒化処理に要する
時間が長くなる傾向がある。硬質磁性相の平均結晶粒径
は、軟質磁性相の平均結晶粒径と同様にして算出する。
【0023】磁石中における軟質磁性相の割合は、10
〜60体積%、好ましくは10〜36体積%である。軟
質磁性相の割合が低すぎても高すぎても良好な磁石特性
が得られなくなり、特に最大エネルギー積が低くなる。
軟質磁性相の割合は、磁石断面の透過型電子顕微鏡写真
を用いて、いわゆる面積分析法により求める。この場
合、断面積比が体積比となる。
〜60体積%、好ましくは10〜36体積%である。軟
質磁性相の割合が低すぎても高すぎても良好な磁石特性
が得られなくなり、特に最大エネルギー積が低くなる。
軟質磁性相の割合は、磁石断面の透過型電子顕微鏡写真
を用いて、いわゆる面積分析法により求める。この場
合、断面積比が体積比となる。
【0024】なお、磁石中には、上記した硬質磁性相お
よび軟質磁性相以外の相が含まれていてもよい。Zr
は、硬質磁性相であるTbCu7型相のTbサイトに存
在するが、Fe3Zr等の別の化合物を生成することも
可能である。しかし、Fe3Zr相等の異相は永久磁石
として好ましくないので、Zrを含む異相は磁石中の5
体積%以下であることが好ましい。
よび軟質磁性相以外の相が含まれていてもよい。Zr
は、硬質磁性相であるTbCu7型相のTbサイトに存
在するが、Fe3Zr等の別の化合物を生成することも
可能である。しかし、Fe3Zr相等の異相は永久磁石
として好ましくないので、Zrを含む異相は磁石中の5
体積%以下であることが好ましい。
【0025】磁石の組成限定理由 次に、本発明における磁石の組成限定理由を説明する。
【0026】Rの含有量は4〜8原子%、好ましくは4
〜7原子%である。Nの含有量は10〜20原子%、好
ましくは12〜18原子%、より好ましくは13〜18
原子%、さらに好ましくは13.5〜18原子%であ
る。Mの含有量は2〜10原子%、好ましくは2.5〜
5原子%である。Gaの含有量は、0.1〜0.9原子
%、好ましくは0.8原子%以下、より好ましくは0.
2〜0.8原子%である。そして、残部が実質的にTで
ある。
〜7原子%である。Nの含有量は10〜20原子%、好
ましくは12〜18原子%、より好ましくは13〜18
原子%、さらに好ましくは13.5〜18原子%であ
る。Mの含有量は2〜10原子%、好ましくは2.5〜
5原子%である。Gaの含有量は、0.1〜0.9原子
%、好ましくは0.8原子%以下、より好ましくは0.
2〜0.8原子%である。そして、残部が実質的にTで
ある。
【0027】Rの含有量が少なすぎると、保磁力が低く
なる。一方、Rの含有量が多すぎると軟質磁性相の量が
少なくなって磁石特性が低くなり、また、高価なRを多
量に使用することになるため、安価な磁石が得られなく
なる。Sm以外のRとしては、Y、La、Ce、Pr、
Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Lu等の1種以上を用いることができる。ただし、
本発明の磁石の硬質磁性相では、RがSmであるときに
最も高い結晶磁気異方性を示す。Smの比率が低いと結
晶磁気異方性が低下し保磁力も低下するため、R中のS
m比率は50原子%以上、好ましくは70原子%以上と
する。
なる。一方、Rの含有量が多すぎると軟質磁性相の量が
少なくなって磁石特性が低くなり、また、高価なRを多
量に使用することになるため、安価な磁石が得られなく
なる。Sm以外のRとしては、Y、La、Ce、Pr、
Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Lu等の1種以上を用いることができる。ただし、
本発明の磁石の硬質磁性相では、RがSmであるときに
最も高い結晶磁気異方性を示す。Smの比率が低いと結
晶磁気異方性が低下し保磁力も低下するため、R中のS
m比率は50原子%以上、好ましくは70原子%以上と
する。
【0028】N含有量が少なすぎると、キュリー温度の
上昇、保磁力の向上、角形比の向上、飽和磁化の向上お
よび最大エネルギー積の向上が不十分となり、N含有量
が多すぎると、残留磁束密度が低下する傾向を示すと共
に角形比が低くなって最大エネルギー積も低くなる。N
含有量はガス分析法などにより測定することができる。
上昇、保磁力の向上、角形比の向上、飽和磁化の向上お
よび最大エネルギー積の向上が不十分となり、N含有量
が多すぎると、残留磁束密度が低下する傾向を示すと共
に角形比が低くなって最大エネルギー積も低くなる。N
含有量はガス分析法などにより測定することができる。
【0029】元素Mが含まれないと、合金製造時や結晶
化のための熱処理時に軟質磁性相の粗大な結晶粒が析出
しやすくなる。これを均質で微細な組織構造とするため
には、適当な条件で熱処理を施せばよいが、このときに
許容される条件の幅が狭いため、元素Mは必須とする。
また、元素Mを添加することにより保磁力も向上する。
Mの含有量が少なすぎると、軟質磁性相の平均結晶粒径
が小さい磁石が得られにくくなる。一方、Mの含有量が
多すぎると、飽和磁化が低くなってしまう。Mは、Zr
であるか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、Hf、
Ta、Mo、W、Al、CおよびPから選択される少な
くとも1種の元素で置換したものである。Zrを置換す
る元素としては、Al、CおよびPの少なくとも1種が
好ましく、特にAlが好ましい。本発明においてZrを
必須とするのは、組織構造制御に特に有効であり、ま
た、角形比向上に有効だからである。また、Alは、急
冷合金の窒化を容易にする効果も示すため、Al添加に
より、窒化処理に要する時間を短縮することができる。
なお、磁石中のZr含有量は、好ましくは2〜4.5原
子%、より好ましくは3〜4.5原子%である。これ
は、MとしてZrだけを用いる場合でも他の元素と併用
する場合でも同様である。Zr含有量が少ないと高保磁
力と高角形比とが共には得られず、また、Zr含有量が
多すぎると飽和磁化および残留磁束密度が低くなってし
まう。
化のための熱処理時に軟質磁性相の粗大な結晶粒が析出
しやすくなる。これを均質で微細な組織構造とするため
には、適当な条件で熱処理を施せばよいが、このときに
許容される条件の幅が狭いため、元素Mは必須とする。
また、元素Mを添加することにより保磁力も向上する。
Mの含有量が少なすぎると、軟質磁性相の平均結晶粒径
が小さい磁石が得られにくくなる。一方、Mの含有量が
多すぎると、飽和磁化が低くなってしまう。Mは、Zr
であるか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、Hf、
Ta、Mo、W、Al、CおよびPから選択される少な
くとも1種の元素で置換したものである。Zrを置換す
る元素としては、Al、CおよびPの少なくとも1種が
好ましく、特にAlが好ましい。本発明においてZrを
必須とするのは、組織構造制御に特に有効であり、ま
た、角形比向上に有効だからである。また、Alは、急
冷合金の窒化を容易にする効果も示すため、Al添加に
より、窒化処理に要する時間を短縮することができる。
なお、磁石中のZr含有量は、好ましくは2〜4.5原
子%、より好ましくは3〜4.5原子%である。これ
は、MとしてZrだけを用いる場合でも他の元素と併用
する場合でも同様である。Zr含有量が少ないと高保磁
力と高角形比とが共には得られず、また、Zr含有量が
多すぎると飽和磁化および残留磁束密度が低くなってし
まう。
【0030】Ga含有量が少なすぎると、Ga添加によ
る保磁力および角形比の向上が不十分となる。また、G
a含有量が多すぎると、磁気特性が低くなってしまう。
る保磁力および角形比の向上が不十分となる。また、G
a含有量が多すぎると、磁気特性が低くなってしまう。
【0031】上記各元素を除いた残部が実質的にTであ
る。Tは、Feであるか、あるいはFeおよびCoであ
る。Coの添加によりキュリー温度が高くなるため、熱
安定性が良好となる。また、Co添加により残留磁束密
度が向上して、最大エネルギー積が向上する。ただし、
T中のCoの比率は50原子%以下であることが好まし
い。Coの比率が50原子%を超えると残留磁束密度が
かえって低くなってしまう。
る。Tは、Feであるか、あるいはFeおよびCoであ
る。Coの添加によりキュリー温度が高くなるため、熱
安定性が良好となる。また、Co添加により残留磁束密
度が向上して、最大エネルギー積が向上する。ただし、
T中のCoの比率は50原子%以下であることが好まし
い。Coの比率が50原子%を超えると残留磁束密度が
かえって低くなってしまう。
【0032】なお、磁石中には、不可避的不純物として
酸素が含まれていてもよい。磁石は希土類−遷移金属間
化合物を基本とすることから、取り扱いの際や各工程に
おける処理の際に不可避的に酸化が生じ得る。例えば、
急冷や粉砕、後述する組織構造制御のための熱処理など
をAr雰囲気中で行った場合、雰囲気Ar中の1ppm程
度の酸素は不可避であり、その結果、磁石中には酸素が
6000ppm程度以下含まれる。また、不可避的不純物
として、有機物由来の炭素が500ppm程度以下含まれ
る。また、空気中の水分と磁石との反応により生成する
水酸化物に由来するHが100ppm程度以下含まれる。
また、坩堝材質からのAl、Si、Mgなどが5000
ppm程度以下含まれる。
酸素が含まれていてもよい。磁石は希土類−遷移金属間
化合物を基本とすることから、取り扱いの際や各工程に
おける処理の際に不可避的に酸化が生じ得る。例えば、
急冷や粉砕、後述する組織構造制御のための熱処理など
をAr雰囲気中で行った場合、雰囲気Ar中の1ppm程
度の酸素は不可避であり、その結果、磁石中には酸素が
6000ppm程度以下含まれる。また、不可避的不純物
として、有機物由来の炭素が500ppm程度以下含まれ
る。また、空気中の水分と磁石との反応により生成する
水酸化物に由来するHが100ppm程度以下含まれる。
また、坩堝材質からのAl、Si、Mgなどが5000
ppm程度以下含まれる。
【0033】製造方法 次に、本発明の磁石の好ましい製造方法を説明する。
【0034】この方法では、R、T、MおよびGaを含
む合金に、組織構造制御のための熱処理を施した後、窒
化処理を施して磁石化する。
む合金に、組織構造制御のための熱処理を施した後、窒
化処理を施して磁石化する。
【0035】熱処理は、鋳造やメカニカルアロイング等
により製造した合金インゴットに対して施してもよい
が、好ましくは液体急冷法により製造した急冷合金に対
して施す。液体急冷法は、溶湯状合金を冷却基体に衝突
させて急速に冷却する方法である。液体急冷法として
は、単ロール法を用いることが好ましい。
により製造した合金インゴットに対して施してもよい
が、好ましくは液体急冷法により製造した急冷合金に対
して施す。液体急冷法は、溶湯状合金を冷却基体に衝突
させて急速に冷却する方法である。液体急冷法として
は、単ロール法を用いることが好ましい。
【0036】単ロール法では、合金溶湯をノズルから吐
出して冷却ロール周面に衝突させることにより、合金溶
湯を急速に冷却し、薄帯状の急冷合金を得る。単ロール
法は、他の液体急冷法に比べ、量産性が高く、急冷条件
の再現性が良好である。冷却ロールの材質は特に限定さ
れないが、通常、CuまたはCu合金を用いることが好
ましい。
出して冷却ロール周面に衝突させることにより、合金溶
湯を急速に冷却し、薄帯状の急冷合金を得る。単ロール
法は、他の液体急冷法に比べ、量産性が高く、急冷条件
の再現性が良好である。冷却ロールの材質は特に限定さ
れないが、通常、CuまたはCu合金を用いることが好
ましい。
【0037】本発明では、冷却ロールの周速度を、好ま
しくは45m/s以上、より好ましくは50m/s以上、さら
に好ましくは60m/s以上とする。ロール周速をこのよ
うに高くすることにより、急冷合金がアモルファス相を
含む微結晶状態となるため、その後の熱処理により任意
の結晶粒径が実現可能となり、窒化も容易となる。ま
た、薄帯状急冷合金が薄くなるため、より均質な急冷合
金が得られる。したがって、高保磁力、高残留磁束密
度、高角形比、高最大エネルギー積の磁石が得られる。
なお、ロール周速は、通常、120m/s以下とすること
が好ましい。ロール周速が速すぎると、合金溶湯とロー
ル周面との密着性が悪くなって熱移動が効果的に行なわ
れなくなる。このため、実効冷却速度が遅くなってしま
う。
しくは45m/s以上、より好ましくは50m/s以上、さら
に好ましくは60m/s以上とする。ロール周速をこのよ
うに高くすることにより、急冷合金がアモルファス相を
含む微結晶状態となるため、その後の熱処理により任意
の結晶粒径が実現可能となり、窒化も容易となる。ま
た、薄帯状急冷合金が薄くなるため、より均質な急冷合
金が得られる。したがって、高保磁力、高残留磁束密
度、高角形比、高最大エネルギー積の磁石が得られる。
なお、ロール周速は、通常、120m/s以下とすること
が好ましい。ロール周速が速すぎると、合金溶湯とロー
ル周面との密着性が悪くなって熱移動が効果的に行なわ
れなくなる。このため、実効冷却速度が遅くなってしま
う。
【0038】急冷合金の組織構造は、TbCu7型の微
細結晶およびアモルファス相を含む複合組織であり、b
cc構造T相を含んでいてもよい。bcc構造T相は、
X線回折による同相のピークの存在や、熱分析において
α−Fe相のキュリー点に相当する温度で生じる磁化の
消滅により、その存在を確認できる。
細結晶およびアモルファス相を含む複合組織であり、b
cc構造T相を含んでいてもよい。bcc構造T相は、
X線回折による同相のピークの存在や、熱分析において
α−Fe相のキュリー点に相当する温度で生じる磁化の
消滅により、その存在を確認できる。
【0039】急冷合金には、組織構造制御のための熱処
理を施す。この熱処理は、所定の平均結晶粒径を有する
bcc構造T相を析出させるためのものである。この熱
処理における処理温度は、好ましくは600〜800
℃、より好ましくは650〜775℃であり、処理時間
は処理温度にもよるが、通常、10分間〜4時間程度と
する。この熱処理は、Ar、He等の不活性雰囲気中や
真空中で行なうことが好ましい。この熱処理により、微
細なbcc構造T相が析出し、また、TbCu7型結晶
相がさらに析出することもある。熱処理温度が低すぎる
とbcc構造T相の析出量が不十分となり、熱処理温度
が高すぎると、MとTとが例えばFe3Zrのような化
合物を生成し、特性低下の原因となる。
理を施す。この熱処理は、所定の平均結晶粒径を有する
bcc構造T相を析出させるためのものである。この熱
処理における処理温度は、好ましくは600〜800
℃、より好ましくは650〜775℃であり、処理時間
は処理温度にもよるが、通常、10分間〜4時間程度と
する。この熱処理は、Ar、He等の不活性雰囲気中や
真空中で行なうことが好ましい。この熱処理により、微
細なbcc構造T相が析出し、また、TbCu7型結晶
相がさらに析出することもある。熱処理温度が低すぎる
とbcc構造T相の析出量が不十分となり、熱処理温度
が高すぎると、MとTとが例えばFe3Zrのような化
合物を生成し、特性低下の原因となる。
【0040】組織構造制御のための熱処理後、急冷合金
に窒化処理を施す。窒化処理は、窒素ガス雰囲気中で急
冷合金に熱処理を施すことにより行う。この処理によ
り、TbCu7型結晶に窒素原子が侵入して侵入型の固
溶体が形成され、硬質磁性相となる。窒化処理の際の処
理温度は、好ましくは350〜700℃、より好ましく
は350〜600℃であり、処理時間は、好ましくは
0.1〜300時間である。窒素ガスの圧力は、0.1
気圧程度以上とすることが好ましい。なお、窒化処理に
高圧窒素ガスを用いたり、窒素ガス+水素ガスを用いた
り、アンモニアガスを用いたりすることもできる。
に窒化処理を施す。窒化処理は、窒素ガス雰囲気中で急
冷合金に熱処理を施すことにより行う。この処理によ
り、TbCu7型結晶に窒素原子が侵入して侵入型の固
溶体が形成され、硬質磁性相となる。窒化処理の際の処
理温度は、好ましくは350〜700℃、より好ましく
は350〜600℃であり、処理時間は、好ましくは
0.1〜300時間である。窒素ガスの圧力は、0.1
気圧程度以上とすることが好ましい。なお、窒化処理に
高圧窒素ガスを用いたり、窒素ガス+水素ガスを用いた
り、アンモニアガスを用いたりすることもできる。
【0041】磁石の形状に特に制限はなく、薄帯状や粒
状等のいずれであってもよい。ボンディッド磁石等の磁
石製品に適用する場合には、所定の粒径にまで粉砕して
磁石粒子とする。粉砕工程は、急冷後、組織構造制御の
ための熱処理後、窒化処理後のいずれに設けてもよく、
粉砕工程を複数段に分けて設けてもよい。
状等のいずれであってもよい。ボンディッド磁石等の磁
石製品に適用する場合には、所定の粒径にまで粉砕して
磁石粒子とする。粉砕工程は、急冷後、組織構造制御の
ための熱処理後、窒化処理後のいずれに設けてもよく、
粉砕工程を複数段に分けて設けてもよい。
【0042】ボンディッド磁石に適用する場合、磁石粒
子の平均粒径は、通常、10μm以上とすることが好ま
しいが、十分な耐酸化性を得るためには、平均粒径を好
ましくは30μm以上、より好ましくは50μm以上、さ
らに好ましくは70μm以上とすることがよい。また、
この程度の粒径とすることにより、高密度のボンディッ
ド磁石とすることができる。平均粒径の上限は特にない
が、通常、1000μm程度以下であり、好ましくは2
50μm以下である。なお、この場合の平均粒径とは、
篩別により求められた重量平均粒径D50を意味する。重
量平均粒径D50は、径の小さな粒子から重量を加算して
いって、その合計重量が全粒子の合計重量の50%とな
ったときの粒径である。
子の平均粒径は、通常、10μm以上とすることが好ま
しいが、十分な耐酸化性を得るためには、平均粒径を好
ましくは30μm以上、より好ましくは50μm以上、さ
らに好ましくは70μm以上とすることがよい。また、
この程度の粒径とすることにより、高密度のボンディッ
ド磁石とすることができる。平均粒径の上限は特にない
が、通常、1000μm程度以下であり、好ましくは2
50μm以下である。なお、この場合の平均粒径とは、
篩別により求められた重量平均粒径D50を意味する。重
量平均粒径D50は、径の小さな粒子から重量を加算して
いって、その合計重量が全粒子の合計重量の50%とな
ったときの粒径である。
【0043】ボンディッド磁石は、磁石粒子をバインダ
で結合して作製される。本発明の磁石粉末は、プレス成
形を用いるコンプレッションボンディッド磁石、あるい
は射出成形を用いるインジェクションボンディッド磁石
のいずれにも適用することができる。バインダとして
は、各種樹脂を用いることが好ましいが、金属バインダ
を用いてメタルボンディッド磁石とすることもできる。
樹脂バインダの種類は特に限定されず、エポキシ樹脂や
ナイロン等の各種熱硬化性樹脂や各種熱可塑性樹脂から
目的に応じて適宜選択すればよい。金属バインダの種類
も特に限定されない。また、磁石粒子に対するバインダ
の含有比率や成形時の圧力等の各種条件にも特に制限は
なく、通常の範囲から適当に選択すればよい。ただし、
結晶粒の粗大化を防ぐために、高温の熱処理が必要な方
法は避けることが好ましい。なお、本発明の磁石粉末
は、圧粉磁石にも適用可能である。
で結合して作製される。本発明の磁石粉末は、プレス成
形を用いるコンプレッションボンディッド磁石、あるい
は射出成形を用いるインジェクションボンディッド磁石
のいずれにも適用することができる。バインダとして
は、各種樹脂を用いることが好ましいが、金属バインダ
を用いてメタルボンディッド磁石とすることもできる。
樹脂バインダの種類は特に限定されず、エポキシ樹脂や
ナイロン等の各種熱硬化性樹脂や各種熱可塑性樹脂から
目的に応じて適宜選択すればよい。金属バインダの種類
も特に限定されない。また、磁石粒子に対するバインダ
の含有比率や成形時の圧力等の各種条件にも特に制限は
なく、通常の範囲から適当に選択すればよい。ただし、
結晶粒の粗大化を防ぐために、高温の熱処理が必要な方
法は避けることが好ましい。なお、本発明の磁石粉末
は、圧粉磁石にも適用可能である。
【0044】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0045】実施例1:組成による比較(磁石粉末) 下記表1、表2にそれぞれ示される磁石粉末を作製し
た。
た。
【0046】まず、合金インゴットを溶解により製造
し、各インゴットを小片に砕いた。得られた小片を石英
ノズルに入れて高周波誘導加熱により溶解して合金溶湯
とし、単ロール法により急冷して、厚さ約30μm、幅
約5mmの薄帯状急冷合金を得た。冷却ロールにはBe−
Cuロールを用い、冷却ロールの周速度は50m/s、合
金溶湯の吐出圧力は、0.6kgf/cm2 とした。X線回折
および透過型電子顕微鏡による観察の結果、急冷合金
は、TbCu7型結晶相とbcc構造α−Fe相とを含
む多結晶複合組織であり、さらにアモルファス相も含む
ものであることが確認された。
し、各インゴットを小片に砕いた。得られた小片を石英
ノズルに入れて高周波誘導加熱により溶解して合金溶湯
とし、単ロール法により急冷して、厚さ約30μm、幅
約5mmの薄帯状急冷合金を得た。冷却ロールにはBe−
Cuロールを用い、冷却ロールの周速度は50m/s、合
金溶湯の吐出圧力は、0.6kgf/cm2 とした。X線回折
および透過型電子顕微鏡による観察の結果、急冷合金
は、TbCu7型結晶相とbcc構造α−Fe相とを含
む多結晶複合組織であり、さらにアモルファス相も含む
ものであることが確認された。
【0047】次に、Arガス雰囲気中で、急冷合金に組
織構造制御のための熱処理を施した。熱処理は、775
℃にて1時間行なった。熱処理後にX線(Cu−Kα
線)回折および透過型電子顕微鏡による観察を行なった
ところ、TbCu7型結晶相とbcc構造α−Fe相と
を含む多結晶複合組織となっており、アモルファス相は
実質的に消失していた。
織構造制御のための熱処理を施した。熱処理は、775
℃にて1時間行なった。熱処理後にX線(Cu−Kα
線)回折および透過型電子顕微鏡による観察を行なった
ところ、TbCu7型結晶相とbcc構造α−Fe相と
を含む多結晶複合組織となっており、アモルファス相は
実質的に消失していた。
【0048】次に、結晶化した合金を粉砕し、150μ
mの開きの篩を通過したものを回収した。次いで、1気
圧の窒素ガス雰囲気中において450℃で20時間加熱
して窒化処理を施し、磁石粉末とした。
mの開きの篩を通過したものを回収した。次いで、1気
圧の窒素ガス雰囲気中において450℃で20時間加熱
して窒化処理を施し、磁石粉末とした。
【0049】これらの磁石粉末の組成、Hk、保磁力
(HcJ)、最大エネルギー積[(BH)max]を測定し、角
形比(Hk/HcJ)を求めた。なお、組成は蛍光X線分
析により求めた。ただし、N量はガス分析により求め
た。また、磁気特性は、50kOeでパルス着磁した後、
VSMにより印加磁界強度20kOeで測定した。結果を
各表に示す。
(HcJ)、最大エネルギー積[(BH)max]を測定し、角
形比(Hk/HcJ)を求めた。なお、組成は蛍光X線分
析により求めた。ただし、N量はガス分析により求め
た。また、磁気特性は、50kOeでパルス着磁した後、
VSMにより印加磁界強度20kOeで測定した。結果を
各表に示す。
【0050】
【表1】
【0051】
【表2】
【0052】上記各表に示される結果から、本発明の効
果が明らかである。すなわち、元素M(Zr)に加え、
所定量のGaを添加することにより、HcJおよびHk/
HcJが向上することがわかる。これに対し、元素M含有
量が本発明範囲を外れる磁石粉末No.107およびNo.1
08(表1参照)では、磁気特性が低い。また、Ga含
有量が本発明範囲を上回る磁石粉末No.106(表1参
照)および磁石粉末No.207(表2参照)では、Ga
を添加しない場合よりも磁気特性が低くなってしまって
いる。
果が明らかである。すなわち、元素M(Zr)に加え、
所定量のGaを添加することにより、HcJおよびHk/
HcJが向上することがわかる。これに対し、元素M含有
量が本発明範囲を外れる磁石粉末No.107およびNo.1
08(表1参照)では、磁気特性が低い。また、Ga含
有量が本発明範囲を上回る磁石粉末No.106(表1参
照)および磁石粉末No.207(表2参照)では、Ga
を添加しない場合よりも磁気特性が低くなってしまって
いる。
【0053】なお、透過型電子顕微鏡による部分組成分
析(TEM−EDX)を行った結果、No.107およびN
o.108を除く各磁石粉末の軟質磁性相(α−Fe相)
の平均結晶粒径は10〜50nm、軟質磁性相の比率は2
0〜35体積%であり、硬質磁性相の平均結晶粒径は約
10〜100nmであった。一方、磁石粉末No.107お
よびNo.108では、軟質磁性相の平均結晶粒径が60n
mを超えていた。
析(TEM−EDX)を行った結果、No.107およびN
o.108を除く各磁石粉末の軟質磁性相(α−Fe相)
の平均結晶粒径は10〜50nm、軟質磁性相の比率は2
0〜35体積%であり、硬質磁性相の平均結晶粒径は約
10〜100nmであった。一方、磁石粉末No.107お
よびNo.108では、軟質磁性相の平均結晶粒径が60n
mを超えていた。
【0054】上記各磁石粉末についてGa添加による融
点の低下を調べたところ、Ga含有量が0.2〜0.8
原子%のときに50〜100℃程度の融点低下が認めら
れた。この結果、1ロットを15kgとしたとき、Ga添
加によって、合金インゴット製造に用いたるつぼ(アル
ミナ製)の耐用回数が10ロット分から30ロット分に
増加し、また、単ロール法に用いたノズル(BN製)の
耐用回数が2ロット分から4ロット分に増加した。
点の低下を調べたところ、Ga含有量が0.2〜0.8
原子%のときに50〜100℃程度の融点低下が認めら
れた。この結果、1ロットを15kgとしたとき、Ga添
加によって、合金インゴット製造に用いたるつぼ(アル
ミナ製)の耐用回数が10ロット分から30ロット分に
増加し、また、単ロール法に用いたノズル(BN製)の
耐用回数が2ロット分から4ロット分に増加した。
【0055】なお、Smの50原子%以下をNdまたは
Ceで置換したほかは上記と同様にして製造した磁石粉
末でも、Ga添加によりHcJ、Hk/HcJおよび(BH)ma
xの向上が認められた。具体的には、原子比での組成を
(5.0Sm−1.5Nd)−(0.5Zr−2.5N
b)−0.5Ga−15N−残部Feとしたとき、Hk
/HcJは23%であり、Gaを添加しなかった場合のH
k/HcJ(20%)に対し向上が認められた。
Ceで置換したほかは上記と同様にして製造した磁石粉
末でも、Ga添加によりHcJ、Hk/HcJおよび(BH)ma
xの向上が認められた。具体的には、原子比での組成を
(5.0Sm−1.5Nd)−(0.5Zr−2.5N
b)−0.5Ga−15N−残部Feとしたとき、Hk
/HcJは23%であり、Gaを添加しなかった場合のH
k/HcJ(20%)に対し向上が認められた。
【0056】実施例2:冷却ロール周速度による比較
(磁石粉末) 冷却ロールの周速度を表3に示す値としたほかは実施例
1と同様にして、表3に示す磁石粉末を製造した。ただ
し、磁石粉末No.301は、単ロール法を用いず、合金
インゴットを粉砕したものに熱処理および窒化処理を施
したものである。また、磁石粉末No.308は、急冷
後、熱処理を施さずに窒化したものである。
(磁石粉末) 冷却ロールの周速度を表3に示す値としたほかは実施例
1と同様にして、表3に示す磁石粉末を製造した。ただ
し、磁石粉末No.301は、単ロール法を用いず、合金
インゴットを粉砕したものに熱処理および窒化処理を施
したものである。また、磁石粉末No.308は、急冷
後、熱処理を施さずに窒化したものである。
【0057】これらの磁石粉末について、実施例1と同
様に磁気特性の測定と、軟質磁性相(α−Fe相)の平
均結晶粒径およびその比率を測定した。結果を表3に示
す。
様に磁気特性の測定と、軟質磁性相(α−Fe相)の平
均結晶粒径およびその比率を測定した。結果を表3に示
す。
【0058】
【表3】
【0059】表3から、軟質磁性相の平均結晶粒径が本
発明範囲から外れる磁石粉末は、磁気特性が著しく低い
ことがわかる。
発明範囲から外れる磁石粉末は、磁気特性が著しく低い
ことがわかる。
【0060】なお、表3に示す磁石粉末において、硬質
磁性相の平均結晶粒径は約10〜100nmであった。
磁性相の平均結晶粒径は約10〜100nmであった。
【0061】実施例3(ボンディッド磁石) 実施例1で製造した磁石粉末のうち表4に示すものを用
い、磁石粉末100重量部とエポキシ樹脂3重量部とを
混合して10t/cm2の圧力でプレス成形し、さらに樹脂
硬化のために150℃で1時間熱処理を施して、コンプ
レッションボンディッド磁石とした。
い、磁石粉末100重量部とエポキシ樹脂3重量部とを
混合して10t/cm2の圧力でプレス成形し、さらに樹脂
硬化のために150℃で1時間熱処理を施して、コンプ
レッションボンディッド磁石とした。
【0062】これらのボンディッド磁石について、B−
Hトレーサーにより磁気特性を測定した。結果を表4に
示す。
Hトレーサーにより磁気特性を測定した。結果を表4に
示す。
【0063】
【表4】
【0064】表4から、ボンディッド磁石の磁気特性
は、使用した磁石粉末の磁気特性に応じたものとなって
いることがわかる。
は、使用した磁石粉末の磁気特性に応じたものとなって
いることがわかる。
【0065】以上の実施例から、本発明の効果が明らか
である。
である。
Claims (4)
- 【請求項1】 R(Rは希土類元素の1種以上であり、
R中のSm比率は50原子%以上である)、T(TはF
e、またはFeおよびCoである)、N、M(Mは、Z
rであるか、Zrの一部をTi、V、Cr、Nb、H
f、Ta、Mo、W、Al、CおよびPから選択される
少なくとも1種の元素で置換したものである)およびG
aを含有し、各元素の含有量が、 R:4〜8原子%、 N:10〜20原子%、 M:2〜10原子%、 Ga:0.1〜0.9原子%、 T:残部 であり、 硬質磁性相と軟質磁性相とを有し、硬質磁性相が、R、
TおよびNを主体とし、TbCu7型結晶相を含み、軟
質磁性相が、bcc構造のT相を含み、軟質磁性相の平
均結晶粒径が5〜60nmであり、軟質磁性相の比率が1
0〜60体積%である磁石。 - 【請求項2】 Gaの含有量が0.8原子%以下である
請求項1の磁石。 - 【請求項3】 速度が45m/s以上である冷却基体表面
に溶湯状合金を衝突させて得た急冷合金に、熱処理を施
した後、窒化処理を施すことにより製造されたものであ
る請求項1または2の磁石。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかの磁石の粉末と
バインダとを含有するボンディッド磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041303A JPH11233322A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁石およびボンディッド磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041303A JPH11233322A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁石およびボンディッド磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233322A true JPH11233322A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12604726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10041303A Withdrawn JPH11233322A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁石およびボンディッド磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001039215A1 (en) * | 1999-11-25 | 2001-05-31 | Seiko Epson Corporation | Thin strip magnet material, magnet powder and rare earth bond magnet |
| JP2002057017A (ja) * | 2000-05-29 | 2002-02-22 | Daido Steel Co Ltd | 等方性の粉末磁石材料、その製造方法およびボンド磁石 |
| US7344605B2 (en) | 2000-06-29 | 2008-03-18 | Nissan Motor Co., Ltd. | Exchange spring magnet powder and a method of producing the same |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP10041303A patent/JPH11233322A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001039215A1 (en) * | 1999-11-25 | 2001-05-31 | Seiko Epson Corporation | Thin strip magnet material, magnet powder and rare earth bond magnet |
| US6478891B1 (en) | 1999-11-25 | 2002-11-12 | Seiko Epson Corporation | Ribbon shaped magnet material magnetic powder and rare earth bonded magnet |
| KR100462694B1 (ko) * | 1999-11-25 | 2004-12-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 리본형 자석재료, 자석분말 및 희토류 본드자석 |
| JP2002057017A (ja) * | 2000-05-29 | 2002-02-22 | Daido Steel Co Ltd | 等方性の粉末磁石材料、その製造方法およびボンド磁石 |
| US7344605B2 (en) | 2000-06-29 | 2008-03-18 | Nissan Motor Co., Ltd. | Exchange spring magnet powder and a method of producing the same |
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