JPH11233401A - 電子線描画方法及び電子線描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接効果補正処理に要する無駄時間を低減
し、高スループットで高品位の描画を可能とする。 【解決手段】 露光領域をメッシュ分割した各メッシュ
内に対応する露光面積密度を演算すると同時に適正露光
量の最低値以下の一定露光量で予備露光し、演算された
露光面積密度の分布を用いて近接効果を補正した露光量
から前記一定露光量を差し引いた露光量で第２の露光を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子線描画装置に係
り、特に描画されるパターンの露光面積密度に依存した
露光量補正、いわゆる近接効果補正の高速高精度化に係
わる。

【０００２】

【従来の技術】電子線描画装置（ＥＢ装置）は、パター
ンジェネレーション機能により、光露光用のマスク描画
や、ウエハへの直接描画に応用されている。描画パター
ンを精度良く露光する上で問題となるのが近接効果、す
なわち電子線照射時の基板内の散乱電子によるかぶり露
光の影響である。特に問題となるのが描画レジストを貫
通した電子による下層基板からの後方散乱電子で、後方
散乱の範囲（飛程）と露光パターンの面積密度に依存し
た露光量変化をもたらす。

【０００３】近年、この近接効果補正を高速に行う方法
として、Ｆ．Ｍｕｒａｉ等による報告：J. Vac. Sci. T
echnol. B, Vol.10, No.6, Nov/Dec 1992に提案されて
いる面積密度のマップを電子線描画装置の図形処理回路
で直接計算する方法がある。この方法は、露光面積密度
を電子線描画装置の図形処理部で計算し、スムージング
処理して後方散乱電子の蓄積エネルギー分布を近似して
露光量補正を実施する方法である。複雑な処理を要する
露光面積密度の計算は、実際に描画装置の描画パターン
を個々のショットデータに分解する図形分解回路を用い
ることにより高速処理が可能である。すなわち、露光領
域をメッシュ分割し、各メッシュ内に対応する露光面積
密度を評価するため、図形分解回路により計算したショ
ット寸法から直接に各描画座標の露光面積分布を求め
る。

【０００４】各描画座標の露光面積分布をメッシュ毎に
加算し、更に加算値をメッシュ間で平滑化して露光面積
密度を求める。このメッシュサイズが電子線散乱半径よ
り小さければ、平滑化した露光面積密度は電子線散乱分
布の良い近似となる。このように、メッシュ座標（ｘ，
ｙ）に対応した露光面積密度α（ｘ，ｙ）を求め、記憶
媒体に保存する。描画時には、高速に露光面積密度αを
読み出し、近接効果を補正した補正照射時間Ｔｃを、下
記〔数１〕のように反射係数η、基準照射時間Ｔ、比例
係数Ｃから計算する。この方法は、補正条件を予備描画
処理により簡単に求められるため、直接描画等の多品種
生産に好適である。

【０００５】

【数１】Ｔｃ＝｛Ｃ／（１＋２αη）｝Ｔ

【０００６】しかしながら、特にデータ量の多い描画、
例えば光露光用のマスク描画では、前記方法は高速とは
いえ近接効果補正計算のための予備描画時間が無駄時間
となり、処理速度を低下させてしまうという問題があ
る。また、電子ビームは大電流になると電子間の斥力に
よりビームぼけが増大し、特に大面積パターン間に微小
スペースがある場合、ぼけにより寸法マージンが劣化す
るいわゆるクーロン効果が発生する。更に、描画図形を
通常の可変矩形ビームで接続描画する場合、図形周辺部
にショット変形等による段差、すなわちつなぎ誤差が発
生する。これらのパターン周辺の図形形状の変形につい
てはこれまで改善が困難であった。

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、近接効果補正演算による無駄時
間を最小限にし、図形周辺部の描画精度を向上すること
のできる電子線描画方法及び電子線描画装置を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明においては、近接
効果補正を２段階の露光で実施することにより前記目的
を達成する。すなわち、補正最小露光量以下で予備露光
（１回目の露光）しながら近接効果補正計算を実施し、
予備露光量の不足分と実際の近接効果補正分を補正描画
（２回目の露光）で行い、合計２回露光することで全パ
ターンの露光量を適正値とする。

【０００９】ショット寸法に比例するショットつなぎ誤
差やクーロン効果を低減するため、２重露光の２回目の
各露光時に図形分解寸法を最適化する。原理的に、高密
度パターン内は適正露光量が少なくなる。一方、低密度
パターン部や高密度パターン周辺では露光量を大きくす
る。この場合、近接効果補正露光をする２回目露光時の
ショット分解寸法を小さくすることにより、ショットつ
なぎ誤差、クーロンぼけの影響を軽減できる。特に、微
小スペース部の寸法マージンが重要な場合には、１回目
露光時クーロンぼけを低減するために図形分解寸法を縮
小することにより高品位な描画が可能となる。このよう
に、２重露光近接補正描画時のショット分解条件を最適
化することにより、図形周辺部すなわち図形そのものの
高品位な描画が可能となる。

【００１０】すなわち、本発明は、可変成形された電子
線によって試料上にパターンを描画する電子線描画方法
において、露光領域をメッシュ分割した各メッシュ内に
対応する露光面積密度を演算すると同時に適正露光量の
最低値以下の一定露光量で予備露光する第１の工程と、
演算された露光面積密度の分布を用いて近接効果を補正
した露光量から前記一定露光量を差し引いた露光量で露
光する第２の工程とを含むことを特徴とする。

【００１１】第１の工程における予備露光の露光量を露
光面積密度から計算される最小露光量と一致させると、
第２の工程における露光時に近接効果を補正した露光量
が最小露光量と等しい領域の露光を省略することができ
る。第１の工程における予備露光時に下地よりの反射電
子強度を測定し、反射電子強度と照射電流値から反射係
数を求め、第２の工程における露光時の露光量を反射係
数に基づいて修正するのが好ましい。反射電子強度は下
地よりの反射電子強度を露光パターンの繰り返し周期で
平均加算したものとすることができる。

【００１２】第２の工程における露光時に図形データの
最大ショット分割寸法あるいはビーム寸法を第１の工程
より小さくしてもよい。可変成形された電子線のフォー
カスを第２の工程における露光時のビーム最大寸法での
最適フォーカスにあわせることも好ましい。第１の工程
及び第２の工程における露光時の焦点補正器の出力は焦
点深度内で可変することが好ましい。

【００１３】また、本発明の電子線露光装置は、電子線
を可変成形する可変成形手段と、可変成形された電子線
を縮小する縮小手段と、試料面に成形された電子線を結
像させる結像手段と、可変成形された電子線を試料面の
所望の位置に偏向させる偏向手段と、試料面への電子線
照射時間を制御する照射時間制御手段と、予め記憶され
た情報に従い描画座標、図形データ及び照射時間からな
る描画パターンデータ群の個々の描画図形データを一定
の最大ショット寸法以下に分割し更に個々の描画座標と
照射ビーム寸法に変換する図形分解手段と、図形分解手
段の描画ショット寸法出力データより各描画座標の露光
面積から露光面積密度分布データを演算する演算手段
と、面積密度分布を一定の分割座標メッシュに平滑処理
して逐次記憶するマップメモリ手段と、描画ショット時
にマップメモリ手段から逐次面積密度分布を読み出し、
一定の換算式で補正露光量を演算する近接効果補正手段
とを備えた電子線露光装置において、演算手段による露
光面積密度分布の演算と同時に適正露光量の最低値以下
の一定露光量で試料を予備露光を実施する機能と、近接
効果補正手段により求められた補正露光量から予備露光
による一定露光量を減算して得られる露光量で試料を露
光する機能とを有することを特徴とする。

【００１４】予備露光の露光量は、露光面積密度から計
算される最小露光量と一致させることができる。また、
予備露光時に下地よりの反射電子強度と照射電流値から
反射係数を求め、その係数に基づいて２回目の露光量を
修正する機能を有することができる。反射電子強度は下
地よりの反射電子強度をパターンの繰り返し周期で平均
加算したものとすることができる。

【００１５】２回目の露光時に、図形分解手段の図形デ
ータの最大ショット分割寸法あるいはビーム寸法を１回
目の露光時より小さくすることができる。結像手段の収
束作用を可変し成形ビームのぼけを制御する焦点補正手
段を備え、焦点補正手段の出力を２回目露光時のビーム
最大寸法での最適フォーカス値に制御することができ
る。焦点補正手段の出力は、焦点深度内で可変すること
ができる。

【００１６】なお、逐次移動方式の電子線描画に露光を
２回実施する本方式を適用するとスループットを低下さ
せる可能性があるが、近年の主流である試料ステージを
連続移動して描画する連続移動描画方式の場合には、ス
テージ移動に伴う無駄時間が少なく、描画時間は総照射
時間で律速されるため、本発明の方式の適用によってス
ループットを落とすことなく高精度描画が可能である。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１に、本発明による可変成形型
電子線描画装置の一例の概略図を示す。電子源１より照
射された電子線は第１矩形絞り２を透過し、成形レンズ
４を通過して第２矩形絞り５に結像する。制御計算機２
０より成形偏向制御回路１５に成形寸法が指定され、成
形偏向制御回路１５より成形偏向器３に電圧が印加さ
れ、半導体ウエハ等の試料１２上で指定寸法となるよう
な矩形ビーム１０が第２矩形絞り５を透過する。

【００１８】第２矩形絞り５を透過した成形ビーム１０
は、縮小レンズ７にて縮小され、対物レンズ７ａにより
試料台１３上の試料１２に結像される。位置決め偏向制
御回路１７には、制御用計算機２０にて指定された偏向
位置データが設定され、位置決め偏向制御回路１７によ
って位置決め偏向器９が駆動されて、成形ビーム１０は
指定の位置に偏向される。対物レンズ７ａ内には、制御
計算機２０の制御下に焦点合わせ回路３１によって駆動
される焦点補正器３０が配置されている。焦点補正器３
０は、試料高さ、成型ビーム１０の偏向位置、ビーム寸
法などに応じて対物レンズ７ａの収束磁場に対する逆磁
場を発生し、ビーム焦点補正を行う。試料高さは、例え
ば試料１２の表面に光源３３からの光を斜め入射させ、
試料表面からの反射光が光検出器３４へ入射する位置を
検出することによって知ることができ、光検出器３４か
らの検出信号は試料高さ検出回路３５で試料高さ位置に
変換されて制御用計算機２０に供給される。

【００１９】試料台１３の移動は、試料台位置決め機構
１４と試料台位置制御回路１９を用いて、制御計算機２
０からの指定により実施される。照射時間すなわち露光
量は、制御計算器２０により指定された時間だけ偏向電
圧を発生する照射時間制御回路１６がブランカ６を駆動
することにより制御される。照射時間制御回路１６から
ブランカ６へ印加される偏向電圧を制御することによ
り、成形ビーム１０は、ブランキング絞り８を通過して
試料１２に照射されたり、ブランキング絞り８を通過す
ることができなかったりする。すなわち、ブランカ６と
ブランキング絞り８によってシャッタを構成する。

【００２０】なお、電子線照射によって試料１２から発
生された反射電子は反射電子検出器１１によって検出さ
れる。反射電子検出器１１からの信号は、反射電子検出
回路１８で処理されて、制御計算機２０に供給される。
この反射電子検出系は、主に半導体ウエハ等の試料１２
に形成された位置決めマークを検出するために用いられ
るが、後述するように反射電子量を検出して近接効果補
正用のデータを得るためにも用いられる。

【００２１】この電子線露光装置で問題となるのが、い
わゆる近接効果と呼ばれる後方散乱電子によるかぶり露
光である。図３は、この近接効果が顕著に現れる孤立ス
ペース・孤立ラインの描画パターン例である。図３に枠
で示した設計パターンに対して、実際の露光パターンは
図に塗りつぶして示したようになる。すなわち、孤立ス
ペース部は孤立ラインに比べて後方散乱電子による露光
の影響が大きく、両パターンで最適露光量が大きく異な
る。

【００２２】図２は、近接効果補正を高速に実行するた
めの本発明による処理回路の一例を示すブロック図であ
る。制御計算機から指定された描画データはショット分
解回路２１に入力される。ショット分解回路２１から
は、描画座標（ｘ，ｙ）、ショット寸法（Ｗ，Ｈ）、標
準露光量Ｔが出力され、これらはそれぞれ最終的に位置
決め偏向制御回路１７、成形偏向制御回路１５、照射時
間制御回路１６を駆動する。面積密度計算回路２２は、
ショット寸法面積ＷＨから描画座標に対応した露光面積
密度を計算し、マップメモリ回路２４に書き加える。ま
た面積密度計算回路２２はマップメモリ回路２４の記憶
数値を読み出し、近接要素間の平滑化を実施する。近接
要素間の平滑化は、周囲の重み付け平均をとることで行
うことができる。露光量演算回路２３は、描画時、描画
座標に対応したマップメモリ回路の面積密度αを高速に
読みだし、前記〔数１〕で表される近接効果を補正した
補正照射時間Ｔｃを計算し、照射時間制御回路１６を駆
動する。従って、描画データが変わる毎に一回描画処理
を実施する必要がある。マスク描画のように描画データ
量が膨大な場合は、この近接効果を補正した補正照射時
間Ｔｃを計算するための描画処理は大きな無駄時間とな
ってしまう。

【００２３】本発明では、この問題を解決するために、
まず面積密度補正計算のための描画処理を、補正露光量
の最低値以下の一定照射時間Ｔ１で一度予備露光を実施
している間に行う。ここで補正露光量の最低値に相当す
る照射時間Ｔｍｉｎは、前記〔数１〕にα＝１（全面露
光）を代入して得られる次の〔数２〕とする。

【００２４】

【数２】Ｔｍｉｎ＝｛Ｃ／（１＋２η）｝Ｔ

【００２５】従って、Ｔ１≦Ｔｍｉｎである。Ｔ１をＴ
ｍｉｎ以下とするのは、計算誤差を考慮してマージンを
もたせるためである。次に、求めた面積密度分布に従い
再度照射時間Ｔ２（Ｔ２＝Ｔｃ−Ｔ１）により補正描画
し、可変照射時間Ｔ２と前回の一定照射時間Ｔ１との和
が近接効果を補正した適正な露光量Ｔｃとなるように描
画する。通常はＴ１＝Ｔｍｉｎであり、２回目の補正露
光時、Ｔ１＝Ｔｍｉｎとなる該当パターン描画を省略す
れば偏向待ち時間等が省略でき、更に効率的な描画が可
能である。Ｔ１＜Ｔｍｉｎは、補正計算と実プロセスの
不一致、誤差を考慮し余裕を持たせたい場合に、そのよ
うな条件でＴ１を設定する。また、２回目露光時にショ
ット分解条件を細かくした場合の効果をより顕著にした
い場合にも、Ｔ１＜Ｔｍｉｎと設定すればよい。

【００２６】次に、図４及び図５を用いて、近接効果を
補正した本発明による露光方法について説明する。図４
は、図３に示したパターンでの１回目露光と２回目露光
の露光量を濃淡で表わした説明図である。また、図５
は、本発明による近接効果補正描画のフローチャートで
ある。まず、図５のステップ１１において、前記〔数
２〕に従って最低照射時間Ｔｍｉｎを計算する。次に、
ステップ１２に進み、第１回目の露光量Ｔ１を照射時間
最小値ＴｍｉｎからＴ１≦Ｔｍｉｎとして設定し、実露
光する。あわせて面積密度回路２２（図２参照）により
近接効果補正用面積密度を計算し、マップメモリ２４に
書き込んでおく。

【００２７】図４において、個々の小さな矩形はマップ
メモリ要素に対応する画素を表し、濃淡の濃い画素ほど
露光量が大きい。図５のステップ１２における１回目露
光時に、近接効果補正量を算定しつつ、すなわち露光面
積密度マップを作成しつつ、図４の左に示すように一定
量の露光量（照射時間Ｔ１）でパターンを露光する。次
に、図５のステップ１３に進み、１回目露光時に求めた
面積密度分布α（ｘ，ｙ）を用いて計算した近接効果補
正照射時間ＴｃよりＴ１を減算して第２回目照射時間Ｔ
２を求め、２回目に図４の右に示す補正露光量でパター
ン描画を実施する。このとき、第１回目の露光量（照射
時間Ｔ１）を近接効果補正時の最低露光量（照射時間Ｔ
ｍｉｎ）に一致させれば、２回目露光時に図４の右に示
す白色表示部の露光が不要となる。そのためショット数
を低減することができ、更に効率的に近接効果補正を実
施できる。

【００２８】２枚め以降の試料に対する同一パターンの
描画は、１枚目の試料に対するのと同様に２回の露光で
行ってもよいが、先に計算した計算結果を利用すれば１
回の露光で近接効果を補正した露光を行うことも可能で
ある。また、近接効果は下地にタングステン等の重金属
がパターン化されている場合に更に補正が必要となる。
この場合には、予備露光時に下地よりの反射電子強度と
照射電流値から反射係数を求め、一定の換算式で２回目
の補正露光量を修正することが可能である。先のＭｕｒ
ａｉ等によれば下地パターンの面積密度、反射係数をそ
れぞれαｓ，ηｓとすると、近接効果を補正した補正照
射時間Ｔｃは次の〔数３〕となる。

【００２９】

【数３】 Ｔｃ＝[Ｃ／(１＋２α(η＋αｓ(ηｓ−η)))]Ｔ

【００３０】この式でαｓ（ηｓ−η）は下地パターン
と基板との反射電子量の差に相当する。従って、図１に
示した電子線露光装置で反射電子検出器１１の出力信号
を反射電子検出回路１８でデジタル変換して反射電子強
度分布マップメモリ等に記憶しておく。２回目露光時に
面積密度マップメモリを同時に読み出し、前記〔数３〕
に従い補正を実行すればよい。

【００３１】電子線描画装置は高速に動作し、微細パタ
ーンの場合は一回のショットにより充分なＳ／Ｎ比で反
射電子信号が得られない恐れがある。その場合は露光チ
ップの繰り返しを利用することにより高精度化が可能と
なる。すなわち、ウエハ上に通常数百個程度は周期的に
露光される描画パターンの各ショット毎の反射電子信号
をショットサイズで割り算し求めた反射電子強度を加算
平均すればよい。

【００３２】近接効果補正は、おおよそ図形内部に対し
て周辺部の露光量を上げ、描画寸法と形状精度を改善す
るものである。一般に、描画図形周辺部には露光精度を
阻害するショット接続及びクーロン効果がある。前者は
パターンエッジラフネス、後者は微小スペース図形寸法
マージンに悪影響を与える。これらの精度阻害要因はい
ずれもショット寸法に比例し、２重描画でのショット分
解条件を最適化すれば改善が可能である。特に、１回目
露光時の照射時間をＴ１＝Ｔｍｉｎと設定したとき、２
回目露光時に露光する部位は原理的に図形周辺部であり
ショット分解を小さくすると効率的に高精度の露光が可
能である。このように２重描画で近接効果補正に加えシ
ョット分解、焦点補正等可変すれば、誤差の平均化、描
画マージン改善が可能である。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、近接効果補正演算の無
駄時間を最小限にでき、図形周辺部の精度向上が可能と
なり高スループットで高精度の露光が可能な電子線描画
装置を提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電子線描画装置の一例を示す概念
図。

【図２】本発明による補正処理回路の一例を示すブロッ
ク図。

【図３】近接効果を説明する図。

【図４】図３に示したパターンでの１回目露光と２回目
露光の露光量を濃淡で表わした説明図。

【図５】本発明による近接効果補正描画のフローチャー
ト。

【符号の説明】

１…電子源、２…矩形成形絞り、３…成形偏向器、４…
成形レンズ、５…可変成形絞り、６…ブランカ、７…対
物レンズ、７ａ…対物レンズ、８…ブランキング絞り、
９…位置決め偏向器、１０…成形ビーム、１１…反射電
子検出器、１２…描画試料、１３…試料台、１４…試料
台位置決め機構、１５…成形偏向制御回路、１６…照射
時間制御回路、１７…位置決め偏向制御回路、１８…反
射電子検出回路、１９…試料台位置制御回路、２０…制
御計算機、２１…ショット分解回路、２２…面積密度計
算回路、２３…露光量計算回路、２４…面積密度マップ
メモリ回路、３０…焦点補正器、３１…焦点合わせ回
路、３３…光源、３４…光検出器、３５…試料高さ検出
回路

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可変成形された電子線によって試料上に
   パターンを描画する電子線描画方法において、 露光領域をメッシュ分割した各メッシュ内に対応する露
   光面積密度を演算すると同時に適正露光量の最低値以下
   の一定露光量で予備露光する第１の工程と、前記演算さ
   れた露光面積密度の分布を用いて近接効果を補正した露
   光量から前記一定露光量を差し引いた露光量で露光する
   第２の工程とを含むことを特徴とする電子線描画方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電子線描画方法におい
   て、前記第１の工程における予備露光の露光量を露光面
   積密度から計算される最小露光量と一致させ、前記第２
   の工程における露光時に近接効果を補正した露光量が前
   記最小露光量と等しい領域の露光を省略することを特徴
   とする電子線描画方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の電子線描画方法におい
   て、前記第１の工程における予備露光時に下地よりの反
   射電子強度を測定し、前記反射電子強度と照射電流値か
   ら反射係数を求め、前記第２の工程における露光時の露
   光量を前記反射係数に基づいて修正することを特徴とす
   る電子線描画方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の電子線描画方法におい
   て、前記反射電子強度は下地よりの反射電子強度を露光
   パターンの繰り返し周期で平均加算したものであること
   を特徴とする電子線描画方法。
5. 【請求項５】 請求項２記載の電子線描画方法におい
   て、前記第２の工程における露光時に図形データの最大
   ショット分割寸法あるいはビーム寸法を第１の工程より
   小さくすることを特徴とする電子線描画方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の電子線描画方法におい
   て、可変成形された電子線のフォーカスを前記第２の工
   程における露光時のビーム最大寸法での最適フォーカス
   にあわせることを特徴とする電子線描画方法。
7. 【請求項７】 請求項１記載の電子線描画方法におい
   て、前記第１の工程及び第２の工程における露光時の焦
   点補正器の出力を焦点深度内で可変することを特徴とす
   る電子線描画方法。
8. 【請求項８】 電子線を可変成形する可変成形手段と、
   可変成形された電子線を縮小する縮小手段と、試料面に
   前記成形された電子線を結像させる結像手段と、可変成
   形された電子線を試料面の所望の位置に偏向させる偏向
   手段と、試料面への電子線照射時間を制御する照射時間
   制御手段と、予め記憶された情報に従い描画座標、図形
   データ及び照射時間からなる描画パターンデータ群の個
   々の描画図形データを一定の最大ショット寸法以下に分
   割し更に個々の描画座標と照射ビーム寸法に変換する図
   形分解手段と、前記図形分解手段の描画ショット寸法出
   力データより各描画座標の露光面積から露光面積密度分
   布データを演算する演算手段と、前記面積密度分布を一
   定の分割座標メッシュに平滑処理して逐次記憶するマッ
   プメモリ手段と、描画ショット時に前記マップメモリ手
   段から逐次面積密度分布を読み出し、一定の換算式で補
   正露光量を演算する近接効果補正手段とを備えた電子線
   露光装置において、 前記演算手段による露光面積密度分布の演算と同時に適
   正露光量の最低値以下の一定露光量で試料を予備露光を
   実施する機能と、前記近接効果補正手段により求められ
   た補正露光量から前記予備露光による一定露光量を減算
   して得られる露光量で試料を露光する機能とを有するこ
   とを特徴とする電子線描画装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の電子線描画装置におい
   て、前記予備露光の露光量を前記露光面積密度から計算
   される最小露光量と一致させることを特徴とする電子線
   描画装置。
10. 【請求項１０】 請求項８記載の電子線描画装置におい
    て、予備露光時に下地よりの反射電子強度と照射電流値
    から反射係数を求め、前記係数に基づいて２回目の露光
    量を修正する機能を有することを特徴とする電子線描画
    装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の電子線描画装置にお
    いて、前記反射電子強度は下地よりの反射電子強度をパ
    ターンの繰り返し周期で平均加算したものであることを
    特徴とする電子線描画装置。
12. 【請求項１２】 請求項９記載の電子線描画装置におい
    て、２回目の露光時に前記図形分解手段の図形データの
    最大ショット分割寸法あるいはビーム寸法を１回目の露
    光時より小さくすることを特徴とする電子線描画装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の電子線描画装置にお
    いて、前記結像手段の収束作用を可変し成形ビームのぼ
    けを制御する焦点補正手段を備え、前記焦点補正手段の
    出力を２回目露光時のビーム最大寸法での最適フォーカ
    ス値に制御することを特徴とする電子線描画装置。
14. 【請求項１４】 請求項８記載の電子線描画装置におい
    て、前記結像手段の収束作用を可変し成形ビームのぼけ
    を制御する焦点補正手段を備え、前記焦点補正手段の出
    力を焦点深度内で可変することを特徴とする電子線描画
    装置。