JPH11233466A - 半導体素子の製造方法及びそのための装置 - Google Patents
半導体素子の製造方法及びそのための装置Info
- Publication number
- JPH11233466A JPH11233466A JP2822498A JP2822498A JPH11233466A JP H11233466 A JPH11233466 A JP H11233466A JP 2822498 A JP2822498 A JP 2822498A JP 2822498 A JP2822498 A JP 2822498A JP H11233466 A JPH11233466 A JP H11233466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- press ring
- ring
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 84
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ外周における研磨の不均一性を除去す
ることができる半導体素子の製造方法及びそのための装
置を提供する。 【解決手段】 ウエハを研磨するためにウエハを保持す
るリテナーリングを有するウエハ研磨装置を用いる半導
体素子の製造方法において、ウエハ１７の研磨面と常に
同じ高さに制御されるプレスリング１５をリテナーリン
グ１４の外周に配置し、研磨パッド１８に前記プレスリ
ング１５とウエハ１７を所定圧力で押し付け、ウエハ１
７を研磨する。
ることができる半導体素子の製造方法及びそのための装
置を提供する。 【解決手段】 ウエハを研磨するためにウエハを保持す
るリテナーリングを有するウエハ研磨装置を用いる半導
体素子の製造方法において、ウエハ１７の研磨面と常に
同じ高さに制御されるプレスリング１５をリテナーリン
グ１４の外周に配置し、研磨パッド１８に前記プレスリ
ング１５とウエハ１７を所定圧力で押し付け、ウエハ１
７を研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ：以下ＣＭＰと
称す）方法及びそのための装置に関するものである。
方法に係り、特に化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ：以下ＣＭＰと
称す）方法及びそのための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の通常の半導体素子のＣＭＰは以下
のように行われていた。図６はかかる従来の半導体素子
の製造工程におけるウエハ研磨装置を示す模式図であ
り、図６（ａ）はそのウエハ研磨装置のウエハ保持側の
平面図、図６（ｂ）はそのウエハ研磨装置を示す断面図
である。
のように行われていた。図６はかかる従来の半導体素子
の製造工程におけるウエハ研磨装置を示す模式図であ
り、図６（ａ）はそのウエハ研磨装置のウエハ保持側の
平面図、図６（ｂ）はそのウエハ研磨装置を示す断面図
である。
【０００３】これらの図に示すように、半導体素子が形
成されるウエハ６は、保持された状態で回転させられな
がら、圧力を加えて研磨パッド７に押し付けられ、その
時に研磨パッド７上には、研磨スラリー１０が供給さ
れ、ウエハ表面は研磨パッド７と研磨スラリー１０とに
化学的、機械的に作用し合い研磨されていく。まず、ウ
エハ６を保持する機構について述べる。
成されるウエハ６は、保持された状態で回転させられな
がら、圧力を加えて研磨パッド７に押し付けられ、その
時に研磨パッド７上には、研磨スラリー１０が供給さ
れ、ウエハ表面は研磨パッド７と研磨スラリー１０とに
化学的、機械的に作用し合い研磨されていく。まず、ウ
エハ６を保持する機構について述べる。
【０００４】ウエハ６を保持する機構は、ウエハ６を回
転させ圧力を加える機構の母体となるキャリア１にバッ
キングプレート２が固定され、そのバッキングプレート
２にバッキングフィルム３が貼付される。バッキングプ
レート２は、例えば、ＳＵＳやセラミックなどからなる
剛体であり、優れた平坦度をもつ表面を有している。バ
ッキングフィルム３は、例えば、発泡ポリウレタンなど
からなる弾性体であり、ウエハ６の密着性を増加させ、
かつ研磨時の衝撃を吸収分散させることにより、研磨の
均一性を向上させる機能を有する。
転させ圧力を加える機構の母体となるキャリア１にバッ
キングプレート２が固定され、そのバッキングプレート
２にバッキングフィルム３が貼付される。バッキングプ
レート２は、例えば、ＳＵＳやセラミックなどからなる
剛体であり、優れた平坦度をもつ表面を有している。バ
ッキングフィルム３は、例えば、発泡ポリウレタンなど
からなる弾性体であり、ウエハ６の密着性を増加させ、
かつ研磨時の衝撃を吸収分散させることにより、研磨の
均一性を向上させる機能を有する。
【０００５】リテナーリング４は、ウエハ周辺を覆い、
研磨中にウエハ６が外れてしまうのを防止する。クラン
プリング５は、リテナーリング４をキャリア１とクラン
プリング５との間に挟んで、固定する機能をはたす。こ
のような状態で、ウエハ６はバッキングフィルム３に吸
着させられ、回転させられながら、所定の圧力をもっ
て、定盤８に貼付された研磨パッド７に押し付けられ、
ウエハ６の表面が研磨される。
研磨中にウエハ６が外れてしまうのを防止する。クラン
プリング５は、リテナーリング４をキャリア１とクラン
プリング５との間に挟んで、固定する機能をはたす。こ
のような状態で、ウエハ６はバッキングフィルム３に吸
着させられ、回転させられながら、所定の圧力をもっ
て、定盤８に貼付された研磨パッド７に押し付けられ、
ウエハ６の表面が研磨される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＣＭＰ装置では、ウエハ６の外周部において研
磨速度の大きな不均一が発生する。ウエハ６の外周２ｍ
ｍ程は、非常に研磨速度が早く、研磨後の残りの膜厚が
ウエハ内部より極端に薄くなってしまう。また、この外
周のすぐ内側の部分は逆に、研磨速度が遅くなり、研磨
後の膜厚が厚くなり、かつ、その影響はウエハの縁から
６ｍｍ程度の領域まで達する。
た従来のＣＭＰ装置では、ウエハ６の外周部において研
磨速度の大きな不均一が発生する。ウエハ６の外周２ｍ
ｍ程は、非常に研磨速度が早く、研磨後の残りの膜厚が
ウエハ内部より極端に薄くなってしまう。また、この外
周のすぐ内側の部分は逆に、研磨速度が遅くなり、研磨
後の膜厚が厚くなり、かつ、その影響はウエハの縁から
６ｍｍ程度の領域まで達する。
【０００７】これらウエハ外周部における、研磨の不均
一性の原因はいまだ明らかにされていないが、図７
（ａ）に示すようなことが起こっているのではないかと
考えられる。すなわち、ウエハ６が研磨パッド７に押し
付けられているため、リテナーリング４から若干突出し
ているウエハ６の最外周はどうしても研磨速度が早くな
ってしまう。
一性の原因はいまだ明らかにされていないが、図７
（ａ）に示すようなことが起こっているのではないかと
考えられる。すなわち、ウエハ６が研磨パッド７に押し
付けられているため、リテナーリング４から若干突出し
ているウエハ６の最外周はどうしても研磨速度が早くな
ってしまう。
【０００８】また、そのすぐ内側は、図７（ａ）に示す
ように、その反発力で研磨パッド７がウエハ６に接触し
難いように変形しているのではないかと考えられる。こ
のようなウエハ外周における研磨の不均一性は、ウエハ
内における半導体製造の有効領域を狭める結果になり、
量産における経済性を著しく阻害し、製造コストを増加
させるものである。
ように、その反発力で研磨パッド７がウエハ６に接触し
難いように変形しているのではないかと考えられる。こ
のようなウエハ外周における研磨の不均一性は、ウエハ
内における半導体製造の有効領域を狭める結果になり、
量産における経済性を著しく阻害し、製造コストを増加
させるものである。
【０００９】更に、同時に研磨後の膜厚は、ウエハ中心
から外周へ向かって除々に薄くなる面内分布を有する。
これは、研磨パッド７が、図７（ｂ）に示すように、圧
力により変形していると考えられる。また、ウエハ６の
中心部には研磨スラリーが供給され難いことも原因と考
えられる。このような研磨後、膜厚の不均一性は、後行
程のマージンを減らし、高集積化の阻害にもつながる。
から外周へ向かって除々に薄くなる面内分布を有する。
これは、研磨パッド７が、図７（ｂ）に示すように、圧
力により変形していると考えられる。また、ウエハ６の
中心部には研磨スラリーが供給され難いことも原因と考
えられる。このような研磨後、膜厚の不均一性は、後行
程のマージンを減らし、高集積化の阻害にもつながる。
【００１０】本発明は、上記問題点を除去し、ウエハ外
周における研磨の不均一性を除去することができる半導
体素子の製造方法及びそのための装置を提供することを
目的とする。
周における研磨の不均一性を除去することができる半導
体素子の製造方法及びそのための装置を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕ウエハを研磨するためにウエハを保持するリテナ
ーリングを有するウエハ研磨装置を用いる半導体素子の
製造方法において、ウエハの研磨面と常に同じ高さに制
御されるプレスリングをリテナーリングの外周に配置
し、研磨パッドに前記プレスリングとウエハを所定圧力
で押し付け、前記ウエハを研磨するようにしたものであ
る。
成するために、 〔１〕ウエハを研磨するためにウエハを保持するリテナ
ーリングを有するウエハ研磨装置を用いる半導体素子の
製造方法において、ウエハの研磨面と常に同じ高さに制
御されるプレスリングをリテナーリングの外周に配置
し、研磨パッドに前記プレスリングとウエハを所定圧力
で押し付け、前記ウエハを研磨するようにしたものであ
る。
【００１２】〔２〕上記〔１〕記載の半導体素子の製造
方法において、前記プレスリングの研磨パッド接触面に
溝を形成し、研磨スラリーを前記ウエハへ流通させるよ
うにしたものである。 〔３〕ウエハを研磨するためにウエハを保持するリテナ
ーリングを有するウエハ研磨装置において、前記リテナ
ーリングの外周に配置され、ウエハの研磨面と常に同じ
高さに制御されるプレスリングと、このプレスリングと
前記ウエハの研磨面とが所定の圧力をもって押し付けら
れる研磨パッドとを設けるようにしたものである。
方法において、前記プレスリングの研磨パッド接触面に
溝を形成し、研磨スラリーを前記ウエハへ流通させるよ
うにしたものである。 〔３〕ウエハを研磨するためにウエハを保持するリテナ
ーリングを有するウエハ研磨装置において、前記リテナ
ーリングの外周に配置され、ウエハの研磨面と常に同じ
高さに制御されるプレスリングと、このプレスリングと
前記ウエハの研磨面とが所定の圧力をもって押し付けら
れる研磨パッドとを設けるようにしたものである。
【００１３】〔４〕上記〔３〕記載のウエハ研磨装置に
おいて、前記プレスリングの研磨パッド接触面に溝を設
けるようにしたものである。 〔５〕上記〔４〕記載のウエハ研磨装置において、前記
プレスリングの溝は、このプレスリングの回転時に研磨
スラリーを案内する方向に傾斜するようにしたものであ
る。
おいて、前記プレスリングの研磨パッド接触面に溝を設
けるようにしたものである。 〔５〕上記〔４〕記載のウエハ研磨装置において、前記
プレスリングの溝は、このプレスリングの回転時に研磨
スラリーを案内する方向に傾斜するようにしたものであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハ研磨装置の断面図、図２はウエハ研磨装置のウエハ
保持側の平面図、図３はそのウエハ研磨装置による作用
を示す模式図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハ研磨装置の断面図、図２はウエハ研磨装置のウエハ
保持側の平面図、図３はそのウエハ研磨装置による作用
を示す模式図である。
【００１５】これらの図において、１１はウエハを回転
させ圧力を加える機構の母体となるキャリア、１２はバ
ッキングプレート、１３はバッキングフィルム、１４は
リテナーリング、１５はそのリテナーリング１４の外周
に取り付けられるプレスリング、１６はクランプリン
グ、１７はウエハ、１８は研磨パッドである。なお、リ
テナーリング１４の外周面とプレスリング１５の内周面
間の距離は、例えば、１ｃｍに設定する。
させ圧力を加える機構の母体となるキャリア、１２はバ
ッキングプレート、１３はバッキングフィルム、１４は
リテナーリング、１５はそのリテナーリング１４の外周
に取り付けられるプレスリング、１６はクランプリン
グ、１７はウエハ、１８は研磨パッドである。なお、リ
テナーリング１４の外周面とプレスリング１５の内周面
間の距離は、例えば、１ｃｍに設定する。
【００１６】このように、第１実施例によれば、リテナ
ーリング１４の外周に新たにプレスリング１５を取り付
ける。このプレスリング１５は、図示しないが、気体圧
やバネによって機械的に下方に押し付け、ウエハ１７の
研磨面と同じ高さになるように制御している。また、こ
のプレスリング１５は、クランプリング１６からの突出
量を制御することもできる。
ーリング１４の外周に新たにプレスリング１５を取り付
ける。このプレスリング１５は、図示しないが、気体圧
やバネによって機械的に下方に押し付け、ウエハ１７の
研磨面と同じ高さになるように制御している。また、こ
のプレスリング１５は、クランプリング１６からの突出
量を制御することもできる。
【００１７】このウエハ保持装置の動作について説明す
る。その研磨動作は従来のウエハ保持装置と同様であ
る。リテナーリング１４の外周に取り付けられたプレス
リング１５は研磨時にウエハ１７と同時に回転する。ま
た、ウエハ１７の研磨が進むにつれて、プレスリング１
５の突出量が減少し、常にウエハ１７の表面と同じ高さ
に制御される。このウエハ１７より半径の大きいプレス
リング１５が配置されることにより、図３（ａ）に示す
ように、研磨パッド１８の変形はウエハ１７より外側の
部分１８Ａで生じる。
る。その研磨動作は従来のウエハ保持装置と同様であ
る。リテナーリング１４の外周に取り付けられたプレス
リング１５は研磨時にウエハ１７と同時に回転する。ま
た、ウエハ１７の研磨が進むにつれて、プレスリング１
５の突出量が減少し、常にウエハ１７の表面と同じ高さ
に制御される。このウエハ１７より半径の大きいプレス
リング１５が配置されることにより、図３（ａ）に示す
ように、研磨パッド１８の変形はウエハ１７より外側の
部分１８Ａで生じる。
【００１８】また、このように構成することにより、図
３（ｂ）に示すように、プレスリング１５の圧力によ
り、研磨パッド１８はウエハ直径より大きな幅で圧力に
より変形する。次に、本発明の第２実施例について説明
する。図４は本発明の第２実施例を示すウエハ研磨装置
の断面図、図５はそのウエハ研磨装置のプレスリングの
構造を示す平面図である。
３（ｂ）に示すように、プレスリング１５の圧力によ
り、研磨パッド１８はウエハ直径より大きな幅で圧力に
より変形する。次に、本発明の第２実施例について説明
する。図４は本発明の第２実施例を示すウエハ研磨装置
の断面図、図５はそのウエハ研磨装置のプレスリングの
構造を示す平面図である。
【００１９】この実施例においては、ＣＭＰのためのウ
エハ保持装置のプレスリング２１の研磨パッド接触面２
１Ａに、図５に示すように、溝２２を形成する。このよ
うに構成したので、溝２２の形成されたプレスリング２
１が、研磨時にウエハ１７と同時に回転することによ
り、研磨パッド１８上の研磨スラリー供給口３０から供
給される研磨スラリー３１を溝２２を介してプレスリン
グ２１内に引込み、保持する。
エハ保持装置のプレスリング２１の研磨パッド接触面２
１Ａに、図５に示すように、溝２２を形成する。このよ
うに構成したので、溝２２の形成されたプレスリング２
１が、研磨時にウエハ１７と同時に回転することによ
り、研磨パッド１８上の研磨スラリー供給口３０から供
給される研磨スラリー３１を溝２２を介してプレスリン
グ２１内に引込み、保持する。
【００２０】その場合に、プレスリング２１に形成され
る溝２２は、図５に示すように、プレスリング２１の回
転方向に対して、溝２２の外側口２２Ａが前方にあり、
溝２２の内側口２２Ｂが後方になるように傾斜させる。
つまり、プレスリング２１の回転とともに、溝２２の外
側から供給される研磨スラリー３１が内部へ案内され易
くなる（より引き込まれる）ような形状にするのが望ま
しい。逆に、溝２２の外側口２２Ａが後方にあり、溝２
２の内側口２２Ｂが前方になるように傾斜させると、研
磨スラリー３１が内部に案内され難くなり、好ましくな
い。
る溝２２は、図５に示すように、プレスリング２１の回
転方向に対して、溝２２の外側口２２Ａが前方にあり、
溝２２の内側口２２Ｂが後方になるように傾斜させる。
つまり、プレスリング２１の回転とともに、溝２２の外
側から供給される研磨スラリー３１が内部へ案内され易
くなる（より引き込まれる）ような形状にするのが望ま
しい。逆に、溝２２の外側口２２Ａが後方にあり、溝２
２の内側口２２Ｂが前方になるように傾斜させると、研
磨スラリー３１が内部に案内され難くなり、好ましくな
い。
【００２１】なお、プレスリング２１の溝２２は、プレ
スリング２１の中心点から放射状になるように形成する
ようにしてもよいことは言うまでもない。その場合は、
溝の形成が容易である。上記のように構成したので、 （１）図３（ａ）に示すように、研磨パッド１８の変形
はウエハ１７より外側の部分１８Ａで生じ、ウエハ１７
が接触している研磨パッド面は変形を生じないため、ウ
エハ外周部での研磨の不均一は生じなくなる。
スリング２１の中心点から放射状になるように形成する
ようにしてもよいことは言うまでもない。その場合は、
溝の形成が容易である。上記のように構成したので、 （１）図３（ａ）に示すように、研磨パッド１８の変形
はウエハ１７より外側の部分１８Ａで生じ、ウエハ１７
が接触している研磨パッド面は変形を生じないため、ウ
エハ外周部での研磨の不均一は生じなくなる。
【００２２】（２）また、研磨パッド１８が、従来の図
７（ｂ）に示すような変形を生じなくなり、ウエハ１７
が接する面が平坦になるため、研磨後にウエハ中心が厚
く残る不均一性が減少する。 （３）溝２２が形成されたプレスリング２１が回転し、
研磨スラリー３１を引き込むことにより、研磨パッド１
８上の研磨スラリー３１を効率よくウエハ１７の研磨面
に送ることができる。それにより、研磨パッド１８上に
供給する研磨スラリー３１の供給量を減少させることが
できる。また、研磨スラリー供給不足によるウエハ中心
部の研磨量の減少を軽減できるため、面内の不均一性を
軽減することができる。
７（ｂ）に示すような変形を生じなくなり、ウエハ１７
が接する面が平坦になるため、研磨後にウエハ中心が厚
く残る不均一性が減少する。 （３）溝２２が形成されたプレスリング２１が回転し、
研磨スラリー３１を引き込むことにより、研磨パッド１
８上の研磨スラリー３１を効率よくウエハ１７の研磨面
に送ることができる。それにより、研磨パッド１８上に
供給する研磨スラリー３１の供給量を減少させることが
できる。また、研磨スラリー供給不足によるウエハ中心
部の研磨量の減少を軽減できるため、面内の不均一性を
軽減することができる。
【００２３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に示したように、本発明によ
れば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１又は３記載の発明によれば、研磨パッド
の変形はウエハより外周で生じ、ウエハが接触している
研磨パッド面は変形を生じないため、ウエハ外周部での
研磨の不均一は生じなくなる。
れば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１又は３記載の発明によれば、研磨パッド
の変形はウエハより外周で生じ、ウエハが接触している
研磨パッド面は変形を生じないため、ウエハ外周部での
研磨の不均一は生じなくなる。
【００２５】また、ウエハが接する面が平坦になるた
め、研磨後にウエハ中心が厚く残る不均一性が減少す
る。 （Ｂ）請求項２又は４記載の発明によれば、溝が形成さ
れたプレスリングが回転し、研磨スラリーを引き込むこ
とにより、研磨パッド上の研磨スラリーをウエハの研磨
面に送ることができる。それにより、研磨パッド上に供
給する研磨スラリーの供給量を減少させることができ
る。また、研磨スラリー供給不足によるウエハ中心部の
研磨量減少を軽減できるため、面内の不均一性を軽減す
ることができる。
め、研磨後にウエハ中心が厚く残る不均一性が減少す
る。 （Ｂ）請求項２又は４記載の発明によれば、溝が形成さ
れたプレスリングが回転し、研磨スラリーを引き込むこ
とにより、研磨パッド上の研磨スラリーをウエハの研磨
面に送ることができる。それにより、研磨パッド上に供
給する研磨スラリーの供給量を減少させることができ
る。また、研磨スラリー供給不足によるウエハ中心部の
研磨量減少を軽減できるため、面内の不均一性を軽減す
ることができる。
【００２６】（Ｃ）請求項５記載の発明によれば、プレ
スリングの溝をそのプレスリングの回転時に研磨スラリ
ーを案内する方向に傾斜させるようにしたので、プレス
リングの回転と相まって、研磨スラリーを引き込み易く
なり、効率よくウエハの研磨面に送ることができる。
スリングの溝をそのプレスリングの回転時に研磨スラリ
ーを案内する方向に傾斜させるようにしたので、プレス
リングの回転と相まって、研磨スラリーを引き込み易く
なり、効率よくウエハの研磨面に送ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すウエハ研磨装置の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すウエハ研磨装置のウ
エハ保持側の平面図である。
エハ保持側の平面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すウエハ研磨装置によ
る作用を示す模式図である。
る作用を示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すウエハ研磨装置の断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すウエハ研磨装置のプ
レスリングの構造を示す平面図である。
レスリングの構造を示す平面図である。
【図６】従来のウエハ研磨装置を示す模式図である。
【図７】従来のウエハ研磨装置による問題点を示す模式
図である。
図である。
１１ キャリア １２ バッキングプレート １３ バッキングフィルム １４ リテナーリング １５，２１ プレスリング １６ クランプリング １７ ウエハ １８ 研磨パッド １８Ａ 外側の部分 ２１Ａ 研磨パッド接触面 ２２ 溝 ２２Ａ 溝の外側口 ２２Ｂ 内側口 ３０ 研磨スラリー供給口 ３１ 研磨スラリー
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハを研磨するためにウエハを保持す
るリテナーリングを有するウエハ研磨装置を用いる半導
体素子の製造方法において、（ａ）ウエハの研磨面と常
に同じ高さに制御されるプレスリングをリテナーリング
の外周に配置し、（ｂ）研磨パッドに前記プレスリング
とウエハを所定圧力で押し付け、前記ウエハを研磨する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記プレスリングの研磨パッド接触面に溝を形
成し、研磨スラリーを前記ウエハへ流通させることを特
徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 ウエハを研磨するためにウエハを保持す
るリテナーリングを有するウエハ研磨装置において、
（ａ）前記リテナーリングの外周に配置され、ウエハの
研磨面と常に同じ高さに制御されるプレスリングと、
（ｂ）該プレスリングと前記ウエハの研磨面とが所定の
圧力をもって押し付けられる研磨パッドとを具備するこ
とを特徴とするウエハ研磨装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のウエハ研磨装置におい
て、前記プレスリングの研磨パッド接触面に溝を具備す
ることを特徴とするウエハ研磨装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のウエハ研磨装置におい
て、前記プレスリングの溝は、該プレスリングの回転時
に研磨スラリーを案内する方向に傾斜することを特徴と
するウエハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2822498A JPH11233466A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体素子の製造方法及びそのための装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2822498A JPH11233466A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体素子の製造方法及びそのための装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233466A true JPH11233466A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12242654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2822498A Pending JPH11233466A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体素子の製造方法及びそのための装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794267B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing semiconductor device |
| KR100724659B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-06-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP2822498A patent/JPH11233466A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724659B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-06-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6794267B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6575825B2 (en) | CMP polishing pad | |
| KR100292902B1 (ko) | 반도체장치의연마장치및연마방법 | |
| US6494774B1 (en) | Carrier head with pressure transfer mechanism | |
| US6110012A (en) | Chemical-mechanical polishing apparatus and method | |
| KR20020028845A (ko) | 기판 유지 장치 | |
| JP2000354959A (ja) | 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド | |
| JP4750250B2 (ja) | 変更された可撓膜を有するキャリアヘッド | |
| JP3552845B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3164045B2 (ja) | 半導体ウエハー取付基台 | |
| US6179694B1 (en) | Extended guide rings with built-in slurry supply line | |
| US20030032378A1 (en) | Polishing surface constituting member and polishing apparatus using the polishing surface constituting member | |
| US6824456B2 (en) | Configuration for polishing disk-shaped objects | |
| EP1110668B1 (en) | Wafer holding unit for polishing machine | |
| JPH11233466A (ja) | 半導体素子の製造方法及びそのための装置 | |
| JP3725275B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP2001113457A (ja) | 化学機械研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2000094310A (ja) | 被研磨基板の保持装置、基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH11179652A (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
| JPH10113859A (ja) | 半導体ウエハの化学的機械的研磨方法 | |
| JP3820432B2 (ja) | ウエーハ研磨方法 | |
| JP3327378B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP2658955B2 (ja) | ウェハー取付基台 | |
| KR20030045269A (ko) | 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080415 |