JPH11233501A - プラズマ成膜方法 - Google Patents
プラズマ成膜方法Info
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- JPH11233501A JPH11233501A JP4287298A JP4287298A JPH11233501A JP H11233501 A JPH11233501 A JP H11233501A JP 4287298 A JP4287298 A JP 4287298A JP 4287298 A JP4287298 A JP 4287298A JP H11233501 A JPH11233501 A JP H11233501A
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- JP
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- gas
- film
- plasma
- flow rate
- sccm
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＦ膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として
用いようとすると、タングステンの配線を形成するとき
に例えば４００℃〜４５０℃付近にまでＣＦ膜が加熱さ
れ、このときにＦ系のガスがＣＦ膜から抜け、配線の腐
食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑
えるために熱安定性を高めること。 【解決手段】 成膜ガスとして、ＣとＦの化合物ガスで
あるＣ4 Ｆ8 ガスと、炭化水素ガスであるＣ2 Ｈ2 ガス
とを用いると共に、これらガスの流量比を、４／７≦Ｃ
4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１とし、これらのガスをプ
ラズマ化してその活性種により半導体ウエハ１０上にＣ
Ｆ膜を成膜する。このようにするとＣ2 Ｈ2 ガスは３重
結合を有するので立体構造を持つＣ−Ｆ結合が形成され
やすく、この結果Ｃ−Ｆ結合が強固となり、高温下でも
結合が切断されにくくなって熱安定性が向上する。
用いようとすると、タングステンの配線を形成するとき
に例えば４００℃〜４５０℃付近にまでＣＦ膜が加熱さ
れ、このときにＦ系のガスがＣＦ膜から抜け、配線の腐
食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑
えるために熱安定性を高めること。 【解決手段】 成膜ガスとして、ＣとＦの化合物ガスで
あるＣ4 Ｆ8 ガスと、炭化水素ガスであるＣ2 Ｈ2 ガス
とを用いると共に、これらガスの流量比を、４／７≦Ｃ
4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１とし、これらのガスをプ
ラズマ化してその活性種により半導体ウエハ１０上にＣ
Ｆ膜を成膜する。このようにするとＣ2 Ｈ2 ガスは３重
結合を有するので立体構造を持つＣ−Ｆ結合が形成され
やすく、この結果Ｃ−Ｆ結合が強固となり、高温下でも
結合が切断されにくくなって熱安定性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスの層間絶縁膜に用いることのできる熱安定性の高い
フッ素添加カーボン膜を成膜する方法に関する。
イスの層間絶縁膜に用いることのできる熱安定性の高い
フッ素添加カーボン膜を成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化を図るため
に、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進
められており、そのうちの一つとして配線を多層化する
技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配
線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続する
と共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜
が形成される。
に、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進
められており、そのうちの一つとして配線を多層化する
技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配
線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続する
と共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜
が形成される。
【０００３】この層間絶縁膜の代表的なものとしてＳｉ
Ｏ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層
の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くする
ことが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検
討がなされている。即ちＳｉＯ2 膜は比誘電率がおよそ
４であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれて
いる。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳ
ｉＯＦ膜の実現化が進められているが、本発明者は比誘
電率が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ
膜」という）に注目している。このＣＦ膜の成膜に際し
ては、例えば熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）あるいはプラズマＣＶＤが用
いられている。
Ｏ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層
の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くする
ことが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検
討がなされている。即ちＳｉＯ2 膜は比誘電率がおよそ
４であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれて
いる。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳ
ｉＯＦ膜の実現化が進められているが、本発明者は比誘
電率が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ
膜」という）に注目している。このＣＦ膜の成膜に際し
ては、例えば熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）あるいはプラズマＣＶＤが用
いられている。
【０００４】そこで本発明者は、電子サイクロトロン共
鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例
えば炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水
素ガスとを含むガスを成膜ガスとし、種々のプロセス条
件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実
現化を図った。
鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例
えば炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水
素ガスとを含むガスを成膜ガスとし、種々のプロセス条
件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実
現化を図った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＣＦ膜に
はまだ以下のような課題がある。図６はウエハに形成さ
れた回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１
３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５は
Ａｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、Ｂ
をドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域であ
る。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は
４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２は
そのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜
は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が
切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系
ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
はまだ以下のような課題がある。図６はウエハに形成さ
れた回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１
３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５は
Ａｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、Ｂ
をドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域であ
る。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は
４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２は
そのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜
は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が
切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系
ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
【０００６】このようにＦ系ガスが脱離すると、次のよ
うな問題が起こる。 ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食
する。 ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウ
ムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスに
より絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニ
ウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ば
れる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。 ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くな
るし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成する
ことができなくなる。 ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
うな問題が起こる。 ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食
する。 ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウ
ムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスに
より絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニ
ウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ば
れる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。 ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くな
るし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成する
ことができなくなる。 ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
【０００７】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は強固な結合を有し、熱安定性の高
いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの層間
絶縁膜を形成することのできる方法を提供することにあ
る。
のであり、その目的は強固な結合を有し、熱安定性の高
いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの層間
絶縁膜を形成することのできる方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため本発明のプラズ
マ成膜方法は、Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとを含む
成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基
板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜することを特徴とす
る。この際Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとの流量比
は、４／７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／アセチレンガス≦１とする
ことが好ましい。
マ成膜方法は、Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとを含む
成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基
板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜することを特徴とす
る。この際Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとの流量比
は、４／７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／アセチレンガス≦１とする
ことが好ましい。
【０００９】また本発明は、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガ
スとアセチレンガスと水素ガスとを用い、Ｃ4 Ｆ8 ガス
とアセチレンガスとの流量比を、０．７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス
／アセチレンガス≦４／３とし、かつＣ4 Ｆ8 ガスとア
セチレンガスとの混合ガスと水素ガスとの流量比を、１
≦前記混合ガス／水素ガス≦３としてもよい。
スとアセチレンガスと水素ガスとを用い、Ｃ4 Ｆ8 ガス
とアセチレンガスとの流量比を、０．７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス
／アセチレンガス≦４／３とし、かつＣ4 Ｆ8 ガスとア
セチレンガスとの混合ガスと水素ガスとの流量比を、１
≦前記混合ガス／水素ガス≦３としてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】先ず本発明の実施の形態に用いら
れるプラズマ処理装置の一例を図１に示す。この装置は
例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有
しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを
発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通
させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい
筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器
２は接地されてゼロ電位になっている。
れるプラズマ処理装置の一例を図１に示す。この装置は
例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有
しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを
発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通
させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい
筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器
２は接地されてゼロ電位になっている。
【００１１】この真空容器２の上端は開口されて、この
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容
器２内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５
が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイ
クロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内し
て、またはＴＥモ−ドにより案内されたマイクロ波を導
波管２５でＴＭモ−ドに変換して、透過窓２３から第１
の真空室２１内へ導入し得るようになっている。
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容
器２内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５
が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイ
クロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内し
て、またはＴＥモ−ドにより案内されたマイクロ波を導
波管２５でＴＭモ−ドに変換して、透過窓２３から第１
の真空室２１内へ導入し得るようになっている。
【００１２】第１の真空室２１を区画する側壁には例え
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が
設けられると共に、このガスノズル３１には図示しない
プラズマ生成用ガス源例えばＡｒガス源が接続されてお
り、第１の真空室２１内の上部にＡｒガスをムラなく均
等に供給し得るようになっている。
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が
設けられると共に、このガスノズル３１には図示しない
プラズマ生成用ガス源例えばＡｒガス源が接続されてお
り、第１の真空室２１内の上部にＡｒガスをムラなく均
等に供給し得るようになっている。
【００１３】前記第２の真空室２２内には、前記第１の
真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエ
ハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載
置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この
静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電
源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むための
バイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続
されている。
真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエ
ハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載
置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この
静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電
源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むための
バイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続
されている。
【００１４】一方前記第２の真空室２２の上部即ち第１
の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガ
ス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５
は、例えばガス供給管５１、５２から例えば２種類の成
膜ガスが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５３
から真空容器２内に供給するように構成されている。
の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガ
ス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５
は、例えばガス供給管５１、５２から例えば２種類の成
膜ガスが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５３
から真空容器２内に供給するように構成されている。
【００１５】前記第１の真空室２１を区画する側壁の外
周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の
真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７
が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例
えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排
気管２８が接続されている。
周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の
真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７
が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例
えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排
気管２８が接続されている。
【００１６】次に上述の装置を用いて被処理基板である
ウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方
法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図
示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームに
より、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエ
ハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台
４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静
電吸着する。続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉し
た後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空
度まで真空引きし、ガスノズル３１から第１の真空室２
１内へＡｒガスを所定の流量で導入すると共に、成膜ガ
ス供給部５から第２の真空室２２内へ成膜ガスを所定の
流量で導入する。
ウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方
法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図
示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームに
より、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエ
ハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台
４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静
電吸着する。続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉し
た後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空
度まで真空引きし、ガスノズル３１から第１の真空室２
１内へＡｒガスを所定の流量で導入すると共に、成膜ガ
ス供給部５から第２の真空室２２内へ成膜ガスを所定の
流量で導入する。
【００１７】ここで本実施の形態では成膜ガスに特徴が
あり、成膜ガスとしては、ＣとＦとを含むガスとしてＣ
4 Ｆ8 ガス、炭化水素ガスとしてアセチレンガス（Ｃ2
Ｈ2ガス）が用いられ、これらのガスは夫々ガス導入管
５１、５２から成膜ガス供給部５を通じて真空容器内に
供給される。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に
維持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．
５６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加する。
あり、成膜ガスとしては、ＣとＦとを含むガスとしてＣ
4 Ｆ8 ガス、炭化水素ガスとしてアセチレンガス（Ｃ2
Ｈ2ガス）が用いられ、これらのガスは夫々ガス導入管
５１、５２から成膜ガス供給部５を通じて真空容器内に
供給される。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に
維持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．
５６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加する。
【００１８】一方高周波電源部２４からの２．４５ＧＨ
ｚ、２０００Ｗの高周波（マイクロ波）は、導波管２５
を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３
を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空
容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７
により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の
下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１
の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。
ｚ、２０００Ｗの高周波（マイクロ波）は、導波管２５
を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３
を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空
容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７
により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の
下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１
の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。
【００１９】こうして磁場とマイクロ波との相互作用に
より電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、且つ高密度化される。発生し
たプラズマ流は、第１の真空室２１より第２の真空室２
２内に流れ込んで行き、ここに供給されているＣ4 Ｆ8
ガス、Ｃ2 Ｈ2 ガスを活性化（プラズマ化）して活性種
（プラズマ）を形成し、ウエハ１０上にＣＦ膜を成膜す
る。なお実際のデバイスを製造する場合には、その後こ
のＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行い、
溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成される。
より電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、且つ高密度化される。発生し
たプラズマ流は、第１の真空室２１より第２の真空室２
２内に流れ込んで行き、ここに供給されているＣ4 Ｆ8
ガス、Ｃ2 Ｈ2 ガスを活性化（プラズマ化）して活性種
（プラズマ）を形成し、ウエハ１０上にＣＦ膜を成膜す
る。なお実際のデバイスを製造する場合には、その後こ
のＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行い、
溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成される。
【００２０】このような方法で形成されたＣＦ膜は強固
な結合を有し、熱安定性が大きい。つまり高温になって
もＦ系ガスの抜けが少ない。ここで上述の方法により形
成されたＣＦ膜の熱安定性を調べるために行った実験例
について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用
い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃ
ｃｍ、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍの流量で導入してウ
エハ１０上にＣＦ膜を成膜し、形成されたＣＦ膜につい
て高温下例えば４２５℃における重量変化をＮ2ガス雰
囲気中で４２５℃の温度に２時間維持して電子天秤によ
り調べた。この重量変化は薄膜の熱安定性の指標であ
り、重量変化の値が小さい程、Ｆ系ガスの抜けが少な
く、熱安定性が高いことを示している。なおマイクロ波
電力及びバイアス電力は夫々２０００Ｗ、１５００Ｗと
した。
な結合を有し、熱安定性が大きい。つまり高温になって
もＦ系ガスの抜けが少ない。ここで上述の方法により形
成されたＣＦ膜の熱安定性を調べるために行った実験例
について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用
い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃ
ｃｍ、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍの流量で導入してウ
エハ１０上にＣＦ膜を成膜し、形成されたＣＦ膜につい
て高温下例えば４２５℃における重量変化をＮ2ガス雰
囲気中で４２５℃の温度に２時間維持して電子天秤によ
り調べた。この重量変化は薄膜の熱安定性の指標であ
り、重量変化の値が小さい程、Ｆ系ガスの抜けが少な
く、熱安定性が高いことを示している。なおマイクロ波
電力及びバイアス電力は夫々２０００Ｗ、１５００Ｗと
した。
【００２１】また比較例として、Ｃ2 Ｈ2 ガスの代わり
に炭化水素ガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍの流
量で導入してＣＦ膜を成膜した場合についても同様に重
量変化を測定した。この際ＣＦ膜を成膜するときの条件
は全て上述の実施例と同様とした。
に炭化水素ガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍの流
量で導入してＣＦ膜を成膜した場合についても同様に重
量変化を測定した。この際ＣＦ膜を成膜するときの条件
は全て上述の実施例と同様とした。
【００２２】この結果、ＣＦ膜の重量変化は、Ｃ2 Ｈ2
ガスを用いた場合は２．６８％であるのに対し、Ｃ2 Ｈ
4 ガスを用いた場合は４．３％であることから、Ｃ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとの組み合わせによりＣＦ膜の重
量変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱
安定性が大きくなることが認められた。
ガスを用いた場合は２．６８％であるのに対し、Ｃ2 Ｈ
4 ガスを用いた場合は４．３％であることから、Ｃ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとの組み合わせによりＣＦ膜の重
量変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱
安定性が大きくなることが認められた。
【００２３】この理由については次のように推察され
る。つまりＣ2 Ｈ2 ガスは炭素−炭素間に３重結合を有
しており、プラズマ化されると図２に示すように３重結
合、２重結合、単結合等の分解生成物が生じ、これらが
Ｃ4 Ｆ8 の分解生成物と結合して３重結合、２重結合を
有する立体構造物を作る。一方Ｃ2 Ｈ4 ガスは２重結合
を有するガスであるため、Ｃ2 Ｈ4 とＣ4 Ｆ8 の分解生
成物が結合し、２重結合を有する立体構造物を作る。結
合力は単結合、２重結合、３重結合と多重結合になるほ
ど強くなり、熱による切断も起こりにくくＣＦ膜から脱
ガスしにくい。したがって、２重結合、３重結合を有す
るＣ2 Ｈ2 ガスを用いて生成されたＣＦ膜は熱安定性が
良いと推定される。またＣ2 Ｈ2 ガスから分離したＨは
膜中で弱く結合しているＦと結合してＨＦガスが生成さ
れ、ＣＦ膜から脱離する。膜中で弱く結合したＦは熱に
より脱離しやすいため、このようなＦが取り除かれるこ
とによっても熱安定性が向上するものと推定される。
る。つまりＣ2 Ｈ2 ガスは炭素−炭素間に３重結合を有
しており、プラズマ化されると図２に示すように３重結
合、２重結合、単結合等の分解生成物が生じ、これらが
Ｃ4 Ｆ8 の分解生成物と結合して３重結合、２重結合を
有する立体構造物を作る。一方Ｃ2 Ｈ4 ガスは２重結合
を有するガスであるため、Ｃ2 Ｈ4 とＣ4 Ｆ8 の分解生
成物が結合し、２重結合を有する立体構造物を作る。結
合力は単結合、２重結合、３重結合と多重結合になるほ
ど強くなり、熱による切断も起こりにくくＣＦ膜から脱
ガスしにくい。したがって、２重結合、３重結合を有す
るＣ2 Ｈ2 ガスを用いて生成されたＣＦ膜は熱安定性が
良いと推定される。またＣ2 Ｈ2 ガスから分離したＨは
膜中で弱く結合しているＦと結合してＨＦガスが生成さ
れ、ＣＦ膜から脱離する。膜中で弱く結合したＦは熱に
より脱離しやすいため、このようなＦが取り除かれるこ
とによっても熱安定性が向上するものと推定される。
【００２４】続いて本発明者らはＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ
2 ガスとの流量比の最適化を図るために次のような実験
を行った。図１に示すプラズマ処理装置を用い、Ａｒガ
スを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍの流量
で導入し、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍから７０ｓｃｃ
ｍの範囲で流量を変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜
を成膜し、形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量
変化を調べた。この際マイクロ波電力及びバイアス電力
は夫々２０００Ｗ、１５００Ｗとした。
2 ガスとの流量比の最適化を図るために次のような実験
を行った。図１に示すプラズマ処理装置を用い、Ａｒガ
スを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍの流量
で導入し、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍから７０ｓｃｃ
ｍの範囲で流量を変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜
を成膜し、形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量
変化を調べた。この際マイクロ波電力及びバイアス電力
は夫々２０００Ｗ、１５００Ｗとした。
【００２５】この結果を図３に示すが、これによりＣ2
Ｈ2 ガスの流量が３５ｓｃｃｍ以下のときにはＣＦ膜の
重量変化が２．７％付近であるのに対し、Ｃ2 Ｈ2 ガス
の流量が４０ｓｃｃｍ以上になると重量変化が１．７％
付近であって小さくなることが認められた。ただしＣ2
Ｈ2 ガスの流量が７５ｓｃｃｍを越えると膜剥がれが起
こる。
Ｈ2 ガスの流量が３５ｓｃｃｍ以下のときにはＣＦ膜の
重量変化が２．７％付近であるのに対し、Ｃ2 Ｈ2 ガス
の流量が４０ｓｃｃｍ以上になると重量変化が１．７％
付近であって小さくなることが認められた。ただしＣ2
Ｈ2 ガスの流量が７５ｓｃｃｍを越えると膜剥がれが起
こる。
【００２６】これによりＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスの
流量比には最適な条件が存在し、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量が
４０ｓｃｃｍのときには、Ｃ2 Ｈ2 ガスの流量は４０ｓ
ｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍであることが好ましいこと、つま
り４０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ
2 ガス≦４０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ（４／７≦Ｃ4Ｆ
8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１）にすれば、ＣＦ膜の重量変
化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱安定
性が大きくなることが確認された。
流量比には最適な条件が存在し、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量が
４０ｓｃｃｍのときには、Ｃ2 Ｈ2 ガスの流量は４０ｓ
ｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍであることが好ましいこと、つま
り４０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ
2 ガス≦４０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ（４／７≦Ｃ4Ｆ
8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１）にすれば、ＣＦ膜の重量変
化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱安定
性が大きくなることが確認された。
【００２７】この理由については、流量比がＣ4 Ｆ8 ガ
ス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≧１となると、成膜ガス中のＣ2 Ｈ2
ガスの量が少なくなってしまうので前記立体構造が作り
にくくなり、これによってＣＦ膜中の強固なＣ−Ｆ結合
の割合が小さくなるためと考えられる。
ス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≧１となると、成膜ガス中のＣ2 Ｈ2
ガスの量が少なくなってしまうので前記立体構造が作り
にくくなり、これによってＣＦ膜中の強固なＣ−Ｆ結合
の割合が小さくなるためと考えられる。
【００２８】続いて本発明の他の例について説明する
が、この例は成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8ガスとＣ2 Ｈ2 ガ
スとＨ2 ガスとを用いることを特徴としており、このよ
うな組み合わせの成膜ガスを用いてもＣＦ膜の熱安定性
を高めることができる。またこれら成膜ガスは上述のプ
ラズマ処理装置において成膜ガス供給部５を介して導入
される。
が、この例は成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8ガスとＣ2 Ｈ2 ガ
スとＨ2 ガスとを用いることを特徴としており、このよ
うな組み合わせの成膜ガスを用いてもＣＦ膜の熱安定性
を高めることができる。またこれら成膜ガスは上述のプ
ラズマ処理装置において成膜ガス供給部５を介して導入
される。
【００２９】ここでこの方法の効果を確認するために実
験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を
用い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓ
ｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを２５
ｓｃｃｍの流量で導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜
し、形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を
調べた。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々
２０００Ｗ、１５００Ｗとした。
験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を
用い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガスを４０ｓ
ｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを２５
ｓｃｃｍの流量で導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜
し、形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を
調べた。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々
２０００Ｗ、１５００Ｗとした。
【００３０】この結果ＣＦ膜の重量変化は１．８９％で
あり、上述の比較例のようにＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガ
スとの組み合わせでＣＦ膜を形成した場合の重量変化
（４．３％）よりも小さいことから、Ｃ4 Ｆ8 ガス、Ｃ
2 Ｈ2 ガスとＨ2 ガスの組み合わせによりＣＦ膜の重量
変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱安
定性が大きくなることが認められた。
あり、上述の比較例のようにＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガ
スとの組み合わせでＣＦ膜を形成した場合の重量変化
（４．３％）よりも小さいことから、Ｃ4 Ｆ8 ガス、Ｃ
2 Ｈ2 ガスとＨ2 ガスの組み合わせによりＣＦ膜の重量
変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なくなって熱安
定性が大きくなることが認められた。
【００３１】続いて本発明者らは以下の方法で、Ｃ4 Ｆ
8 ガス、Ｃ2 Ｈ2 ガス、Ｈ2 ガスの流量比の最適化を試
みた。先ずＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとの混合ガス
（以下「混合ガス」という）とＨ2 ガスとの流量比の最
適化を図るために次のような実験を行った。
8 ガス、Ｃ2 Ｈ2 ガス、Ｈ2 ガスの流量比の最適化を試
みた。先ずＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとの混合ガス
（以下「混合ガス」という）とＨ2 ガスとの流量比の最
適化を図るために次のような実験を行った。
【００３２】図１に示すプラズマ処理装置を用い、Ａｒ
ガスを３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、混合ガス
の流量比をＣ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス＝４／６に設定
し、かつ混合ガスとＨ2 ガスの総量を１００ｓｃｃｍと
して、Ｈ2 ガスを１０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍの範囲で
流量を変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜し、
形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を調べ
た。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２０
００Ｗ、１５００Ｗとした。
ガスを３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、混合ガス
の流量比をＣ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス＝４／６に設定
し、かつ混合ガスとＨ2 ガスの総量を１００ｓｃｃｍと
して、Ｈ2 ガスを１０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍの範囲で
流量を変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜し、
形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を調べ
た。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２０
００Ｗ、１５００Ｗとした。
【００３３】この結果を図４に示すが、ＣＦ膜の重量変
化は、Ｈ2 ガスの流量が２０ｓｃｃｍ以下のときには
２．８％付近であるのに対し、Ｈ2 ガスの流量が２５ｓ
ｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍのときには１．７％付近であって
小さくなることが認められた。なおＨ2 ガスの流量が５
５ｓｃｃｍ以上になると膜剥がれが起こる。
化は、Ｈ2 ガスの流量が２０ｓｃｃｍ以下のときには
２．８％付近であるのに対し、Ｈ2 ガスの流量が２５ｓ
ｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍのときには１．７％付近であって
小さくなることが認められた。なおＨ2 ガスの流量が５
５ｓｃｃｍ以上になると膜剥がれが起こる。
【００３４】これにより混合ガスとＨ2 ガスとの流量比
には最適な条件が存在し、最適な流量比を混合ガス／Ｈ
2 ガスで示すとすると、混合ガス／Ｈ2 ガスの下限値は
５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍであり、混合ガス／Ｈ2 ガ
スの上限値は７５ｓｃｃｍ／２５ｓｃｃｍであること、
つまり１≦混合ガス／Ｈ2 ガス≦３であることが確認さ
れた。
には最適な条件が存在し、最適な流量比を混合ガス／Ｈ
2 ガスで示すとすると、混合ガス／Ｈ2 ガスの下限値は
５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍであり、混合ガス／Ｈ2 ガ
スの上限値は７５ｓｃｃｍ／２５ｓｃｃｍであること、
つまり１≦混合ガス／Ｈ2 ガス≦３であることが確認さ
れた。
【００３５】次いで前記混合ガスの混合比の最適化を図
るために次のような実験を行った。図１に示すプラズマ
処理装置を用い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを
３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、混合ガスを、混
合比を０．６≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１．６の
範囲で変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜し、
形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を調べ
た。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２０
００Ｗ、１５００Ｗとした。
るために次のような実験を行った。図１に示すプラズマ
処理装置を用い、Ａｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを
３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、混合ガスを、混
合比を０．６≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１．６の
範囲で変えて導入してウエハ１０上にＣＦ膜を成膜し、
形成されたＣＦ膜について上述の方法で重量変化を調べ
た。この際マイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２０
００Ｗ、１５００Ｗとした。
【００３６】この結果を図５に示すが、ＣＦ膜の重量変
化は、混合比が１．４より大きいときには２．９％以上
であるのに対し、混合比が０．７〜４／３の場合には
１．７％〜２％程度であって小さくなることが認められ
た。なお混合比が０．６５よりも小さいと膜剥がれが起
こる。これにより混合ガスの混合比には最適な条件が存
在し、混合比の最適値は０．７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ
2 ガス≦４／３であることが確認された。
化は、混合比が１．４より大きいときには２．９％以上
であるのに対し、混合比が０．７〜４／３の場合には
１．７％〜２％程度であって小さくなることが認められ
た。なお混合比が０．６５よりも小さいと膜剥がれが起
こる。これにより混合ガスの混合比には最適な条件が存
在し、混合比の最適値は０．７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ
2 ガス≦４／３であることが確認された。
【００３７】これらの実験により、成膜ガスとしてＣ4
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとＨ2 ガスとを用いた場合に
は、これらのガスの最適な流量比は、０．７≦Ｃ4 Ｆ8
ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦４／３であって、かつ１≦混合ガ
ス／Ｈ2 ガス≦３であることが認められ、このような流
量比にすればＣＦ膜の重量変化が小さくなり、Ｆ系ガス
の抜けが少なくなって熱安定性が大きくなることが確認
された。
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとＨ2 ガスとを用いた場合に
は、これらのガスの最適な流量比は、０．７≦Ｃ4 Ｆ8
ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦４／３であって、かつ１≦混合ガ
ス／Ｈ2 ガス≦３であることが認められ、このような流
量比にすればＣＦ膜の重量変化が小さくなり、Ｆ系ガス
の抜けが少なくなって熱安定性が大きくなることが確認
された。
【００３８】また成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ
2 ガスとを用いた場合には、最適な流量比は４／７≦Ｃ
4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１であるのに対して、これ
らのガスにＨ2 ガスを添加した場合には、最適な流量比
の上限が４／３となって上限値が高くなることつまりＣ
2 Ｈ2 ガスの下限流量が小さくなることが確認された。
2 ガスとを用いた場合には、最適な流量比は４／７≦Ｃ
4 Ｆ8 ガス／Ｃ2 Ｈ2 ガス≦１であるのに対して、これ
らのガスにＨ2 ガスを添加した場合には、最適な流量比
の上限が４／３となって上限値が高くなることつまりＣ
2 Ｈ2 ガスの下限流量が小さくなることが確認された。
【００３９】この理由については、Ｈ2 ガスを混入する
とＨ2 ガスのプラズマ化により生成されたＨが、膜中で
弱く結合しているＦと結合してＨＦガスが生成され、Ｃ
Ｆ膜から脱離する。膜中で弱く結合したＦは熱により脱
離しやすいため、このようなＦを取り除くことにより熱
安定性が向上するものと推定される。よってＨ2 を混入
した時にＣ2 Ｈ2 の下限流量が小さくなる。
とＨ2 ガスのプラズマ化により生成されたＨが、膜中で
弱く結合しているＦと結合してＨＦガスが生成され、Ｃ
Ｆ膜から脱離する。膜中で弱く結合したＦは熱により脱
離しやすいため、このようなＦを取り除くことにより熱
安定性が向上するものと推定される。よってＨ2 を混入
した時にＣ2 Ｈ2 の下限流量が小さくなる。
【００４０】以上において本発明ではプラズマはＥＣＲ
によりプラズマを生成することに限られず、例えばＩＣ
Ｐ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｕ
ｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容器に巻かれた
コイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方法などに
よりプラズマを生成する場合にも適用できる。さらにヘ
リコン波プラズマなどと呼ばれている例えば１３．５６
ＭＨｚのヘリコン波と磁気コイルにより印加された磁場
との相互作用によりプラズマを生成する場合や、マグネ
トロンプラズマなどと呼ばれている２枚の平行なカソ−
ドにほぼ平行をなすように磁界を印加することによって
プラズマを生成する場合、平行平板などと呼ばれている
互いに対向する電極間に高周波電力を印加してプラズマ
を生成する場合にも適用することができる。
によりプラズマを生成することに限られず、例えばＩＣ
Ｐ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｕ
ｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容器に巻かれた
コイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方法などに
よりプラズマを生成する場合にも適用できる。さらにヘ
リコン波プラズマなどと呼ばれている例えば１３．５６
ＭＨｚのヘリコン波と磁気コイルにより印加された磁場
との相互作用によりプラズマを生成する場合や、マグネ
トロンプラズマなどと呼ばれている２枚の平行なカソ−
ドにほぼ平行をなすように磁界を印加することによって
プラズマを生成する場合、平行平板などと呼ばれている
互いに対向する電極間に高周波電力を印加してプラズマ
を生成する場合にも適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、熱的安定
性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を得るこ
とができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバイス
の層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するおそれ
がなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発生も
防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要請さ
れている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶縁膜
として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の絶縁
膜としての実用化を図る上で有効な方法である。
性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を得るこ
とができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバイス
の層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するおそれ
がなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発生も
防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要請さ
れている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶縁膜
として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の絶縁
膜としての実用化を図る上で有効な方法である。
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置
の一例を示す縦断側面図である。
の一例を示す縦断側面図である。
【図２】本発明方法の作用を説明するための模式図であ
る。
る。
【図３】Ｃ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスの流量比と重量変
化との関係を示す特性図である。
化との関係を示す特性図である。
【図４】Ｃ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ2 ガスとの混合ガスとＨ
2 ガスの流量比と重量変化との関係を示す特性図であ
る。
2 ガスの流量比と重量変化との関係を示す特性図であ
る。
【図５】Ｈ2 ガスの流量を一定とした場合の、Ｃ4 Ｆ8
ガスとＣ2 Ｈ2 ガスの流量比と重量変化との関係を示す
特性図である。
ガスとＣ2 Ｈ2 ガスの流量比と重量変化との関係を示す
特性図である。
【図６】半導体デバイスの構造の一例を示す構造図であ
る。
る。
１０ 半導体ウエハ ２ 真空容器 ２１ 第１の真空室 ２２ 第２の真空室 ２４ 高周波電源部 ２５ 導波管 ２６、２７ 電磁コイル ２８ 排気管 ３１ ガスノズル ４ 載置台 ５ 成膜ガス供給部
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとを含む
成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基
板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜することを特徴とす
るプラズマ成膜方法。 - 【請求項２】 Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスとの流量
比が、４／７≦Ｃ4Ｆ8 ガス／アセチレンガス≦１であ
ることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。 - 【請求項３】 Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスと水素ガ
スとを含む成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマによ
り被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜するプラ
ズマ成膜方法において、Ｃ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガス
との流量比が、０．７≦Ｃ4 Ｆ8 ガス／アセチレンガス
≦４／３であり、かつＣ4 Ｆ8 ガスとアセチレンガスと
の混合ガスと水素ガスとの流量比が、１≦前記混合ガス
／水素ガス≦３であることを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287298A JPH11233501A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | プラズマ成膜方法 |
| EP98954753A EP1033746A4 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | PLASMA DEPOSITION OF A FILM |
| TW087119197A TW430882B (en) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | Plasma film forming method |
| PCT/JP1998/005218 WO1999027575A1 (fr) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | Procede de formation d'un film par plasma |
| KR10-2000-7005355A KR100477402B1 (ko) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | 플라즈마 박막 증착 방법 |
| US09/573,412 US6770332B2 (en) | 1997-11-20 | 2000-05-18 | Method for forming film by plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287298A JPH11233501A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | プラズマ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233501A true JPH11233501A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12648139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4287298A Pending JPH11233501A (ja) | 1997-11-20 | 1998-02-09 | プラズマ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012531741A (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1998
- 1998-02-09 JP JP4287298A patent/JPH11233501A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012531741A (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
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