JPH11233636A - 半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法Info
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- JPH11233636A JPH11233636A JP10030744A JP3074498A JPH11233636A JP H11233636 A JPH11233636 A JP H11233636A JP 10030744 A JP10030744 A JP 10030744A JP 3074498 A JP3074498 A JP 3074498A JP H11233636 A JPH11233636 A JP H11233636A
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- chip
- cell
- integrated circuit
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、CADシステムを使用した自動レ
イアウト設計における制約を削減し、ICチップ全体の
集積密度の向上を図ることができる半導体集積回路装置
及びそのレイアウト設計方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 パッケージ20内に搭載されるICチッ
プ10は、パッケージ20の内部と外部を電気的に接続
するパッケージピン21a〜21gにボンディングワイ
ヤを介して接続されるパッド部11a〜11jと、パッ
ド部11a〜11jが設けられたチップ周辺領域を除く
ICチップ10の内部領域に設けられた機能領域13
と、機能領域13の内部の任意の位置に設けられたI/
Oセル12a、12c、12g、12hと、RAM、R
OM等のマクロセル13aと、機能セル領域13bと、
を有して構成されている。
イアウト設計における制約を削減し、ICチップ全体の
集積密度の向上を図ることができる半導体集積回路装置
及びそのレイアウト設計方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 パッケージ20内に搭載されるICチッ
プ10は、パッケージ20の内部と外部を電気的に接続
するパッケージピン21a〜21gにボンディングワイ
ヤを介して接続されるパッド部11a〜11jと、パッ
ド部11a〜11jが設けられたチップ周辺領域を除く
ICチップ10の内部領域に設けられた機能領域13
と、機能領域13の内部の任意の位置に設けられたI/
Oセル12a、12c、12g、12hと、RAM、R
OM等のマクロセル13aと、機能セル領域13bと、
を有して構成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置及びそのレイアウト設計方法に関し、特に、特定用途
向けIC、すなわちASIC(Application Specific I
C)における入出力部の配置構造及び方法に関する。
置及びそのレイアウト設計方法に関し、特に、特定用途
向けIC、すなわちASIC(Application Specific I
C)における入出力部の配置構造及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の情報通信機器等の急速な発達と普
及により、それらの機器に搭載されるLSIに対する高
集積化及び高機能化の要望は極めて強い。特に、ユーザ
ーのニーズに合わせて機能設計を行うことができるAS
ICにおいては、実現される機能に応じた種々の入出力
インターフェースを1チップ中に設定する必要がある。
及により、それらの機器に搭載されるLSIに対する高
集積化及び高機能化の要望は極めて強い。特に、ユーザ
ーのニーズに合わせて機能設計を行うことができるAS
ICにおいては、実現される機能に応じた種々の入出力
インターフェースを1チップ中に設定する必要がある。
【0003】従来のマクロ埋込み型セルアレイ方式のL
SIについて、図5、図6を参照して説明する。図5に
おいて、ICチップ10の周辺領域、すなわち四辺部分
には、ICチップ10外との信号の入出力を行う入出力
領域11が設けられ、この入出力領域11を除くICチ
ップ10内部の全域に機能領域13が設けられている。
機能領域13には、例えば、RAM、ROM、乗算器等
のマクロセル13aと、均一な基本セルが多数配列さ
れ、基本セル相互を配線接続することにより、ユーザー
のニーズに応じた所望の機能を実現する基本セル領域1
3bが設けられている。
SIについて、図5、図6を参照して説明する。図5に
おいて、ICチップ10の周辺領域、すなわち四辺部分
には、ICチップ10外との信号の入出力を行う入出力
領域11が設けられ、この入出力領域11を除くICチ
ップ10内部の全域に機能領域13が設けられている。
機能領域13には、例えば、RAM、ROM、乗算器等
のマクロセル13aと、均一な基本セルが多数配列さ
れ、基本セル相互を配線接続することにより、ユーザー
のニーズに応じた所望の機能を実現する基本セル領域1
3bが設けられている。
【0004】このように、機能領域中に、予め所定の機
能を有するように構成されたマクロセルが任意の位置に
配置されたLSIを、一般に、マクロ埋込み型セルアレ
イ方式、或いは、エンベルトアレイ方式のLSIと称
し、機能領域が基本セルのみの配列からなるゲートアレ
イ方式のLSIとは構成及びレイアウト設計方法を異に
している。
能を有するように構成されたマクロセルが任意の位置に
配置されたLSIを、一般に、マクロ埋込み型セルアレ
イ方式、或いは、エンベルトアレイ方式のLSIと称
し、機能領域が基本セルのみの配列からなるゲートアレ
イ方式のLSIとは構成及びレイアウト設計方法を異に
している。
【0005】ICチップ10の周辺領域に設けられた入
出力領域11は、具体的には、図6に示すように、IC
チップ10が搭載されるパッケージ20に設けられたパ
ッケージピン21a〜21dにボンディングワイヤを介
して接続されるパッド部11a〜11fと、これらのパ
ッド部11a〜11fに隣接して入出力バッファーセル
(以下、I/Oセルと記す)が配置されるI/Oセル配
置領域12が設けられている。
出力領域11は、具体的には、図6に示すように、IC
チップ10が搭載されるパッケージ20に設けられたパ
ッケージピン21a〜21dにボンディングワイヤを介
して接続されるパッド部11a〜11fと、これらのパ
ッド部11a〜11fに隣接して入出力バッファーセル
(以下、I/Oセルと記す)が配置されるI/Oセル配
置領域12が設けられている。
【0006】次に、上述したLSIのレイアウト設計方
法について、図7のフローチャートを参照して説明す
る。まず、ユーザーが所望する論理機能の情報に基づい
てレイアウト設計用のデータベースが作成される(S2
1、S22)。ここで、データベース作成のために使用
される論理機能情報は、パッケージピン21a〜21f
への論理機能の割り振りや配置等の情報を含んでいる。
法について、図7のフローチャートを参照して説明す
る。まず、ユーザーが所望する論理機能の情報に基づい
てレイアウト設計用のデータベースが作成される(S2
1、S22)。ここで、データベース作成のために使用
される論理機能情報は、パッケージピン21a〜21f
への論理機能の割り振りや配置等の情報を含んでいる。
【0007】次いで、ICチップに搭載される基本セル
数、RAMやROM等のマクロセルの仕様、パッケージ
の仕様に関する情報に基づいて、チップサイズをライブ
ラリーから選択し、そのチップサイズ内で全体の配置領
域及び配線領域が決定される(S23)。さらに、チッ
プ周辺領域のパッド部に隣接する領域をI/Oセル配置
領域として、配置領域及び配線領域から画定し(S2
4)、I/Oセル配置領域以外の配置領域内にマクロセ
ルや基本セル領域を配置する(S25)。
数、RAMやROM等のマクロセルの仕様、パッケージ
の仕様に関する情報に基づいて、チップサイズをライブ
ラリーから選択し、そのチップサイズ内で全体の配置領
域及び配線領域が決定される(S23)。さらに、チッ
プ周辺領域のパッド部に隣接する領域をI/Oセル配置
領域として、配置領域及び配線領域から画定し(S2
4)、I/Oセル配置領域以外の配置領域内にマクロセ
ルや基本セル領域を配置する(S25)。
【0008】そして、I/Oセル配置領域においては、
パッケージピンに割り振られた論理機能(ピン情報)に
基づいて、対応するI/Oセルの配置が決定される。こ
のとき、論理機能情報に基づいてI/Oセルの種類が認
識され、その種類に応じたレイアウトパターンがレイア
ウトライブラリーの中から選択される。すなわち、LS
Iの高機能化に伴い、機能領域において必要とされる駆
動能力は多種多様になってきているため、各機能セルに
応じたI/Oセルを設ける必要がある。
パッケージピンに割り振られた論理機能(ピン情報)に
基づいて、対応するI/Oセルの配置が決定される。こ
のとき、論理機能情報に基づいてI/Oセルの種類が認
識され、その種類に応じたレイアウトパターンがレイア
ウトライブラリーの中から選択される。すなわち、LS
Iの高機能化に伴い、機能領域において必要とされる駆
動能力は多種多様になってきているため、各機能セルに
応じたI/Oセルを設ける必要がある。
【0009】なお、機能領域へのマクロセルや基本セル
等の機能セルの配置処理は、ユーザーの所望する論理機
能を実現するように、レイアウトライブラリーからRA
M、ROM等のマクロセルを選択して配置するととも
に、基本セル相互を配線接続して行われる。以上の各処
理は、CAD(Computer Aided Design)システム上で
のレイアウト設計作業において、論理機能情報やその他
の諸条件を設定することにより自動的に設計処理が実行
される。
等の機能セルの配置処理は、ユーザーの所望する論理機
能を実現するように、レイアウトライブラリーからRA
M、ROM等のマクロセルを選択して配置するととも
に、基本セル相互を配線接続して行われる。以上の各処
理は、CAD(Computer Aided Design)システム上で
のレイアウト設計作業において、論理機能情報やその他
の諸条件を設定することにより自動的に設計処理が実行
される。
【0010】ところで、上述したようなセルアレイ型の
LSIにおいては、通常、1つのICチップで実現でき
るピン数及び論理機能に幅を持たせている。例えば、ユ
ーザーが希望するパッケージピン数が100〜300ピ
ンのように幅がある場合、パッド部の数が300のIC
チップを使用して、仮にパッケージピン数が300より
も少ない場合には、パッド部を未使用の状態にして対応
している。そのため、異なるピン数を有するパッケージ
に、同一のICチップを搭載することができる。
LSIにおいては、通常、1つのICチップで実現でき
るピン数及び論理機能に幅を持たせている。例えば、ユ
ーザーが希望するパッケージピン数が100〜300ピ
ンのように幅がある場合、パッド部の数が300のIC
チップを使用して、仮にパッケージピン数が300より
も少ない場合には、パッド部を未使用の状態にして対応
している。そのため、異なるピン数を有するパッケージ
に、同一のICチップを搭載することができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなLSI
においては、所望の論理機能を有するLSIを、少ない
種類のICチップで実現することができるが、I/Oセ
ル配置領域は、そのチップサイズにおける最大のパッケ
ージピン数(例えば、300ピン)に対応させて予め設
けられているため、実際に設定されるパッケージピン数
が小さいほど、I/Oセル配置領域における未使用領域
が広くなり、機能領域に比較して著しく集積密度の低下
を招くという問題があった。
においては、所望の論理機能を有するLSIを、少ない
種類のICチップで実現することができるが、I/Oセ
ル配置領域は、そのチップサイズにおける最大のパッケ
ージピン数(例えば、300ピン)に対応させて予め設
けられているため、実際に設定されるパッケージピン数
が小さいほど、I/Oセル配置領域における未使用領域
が広くなり、機能領域に比較して著しく集積密度の低下
を招くという問題があった。
【0012】従来、このような問題を改善するために、
次のような方法が採用されていた。 パッケージピン数に対応して、I/Oセル配置領域を
再レイアウトし、その占有面積を縮小化する方法。 具体的には、特定のチップサイズを有するICチップに
おいて、設定されるパッケージピン数を監視し、例え
ば、ピン数が最大ピン数の半分以下の場合には、図8
(a)に示すような最大ピン数を想定して設定された基
本単位領域のレイアウトパターン(縦方向L、横方向
W)12pに代えて、図8(b)に示すように、縦方向
を1/2倍、横方向を2倍にしたパターン12p´を採
用して、I/Oセル配置領域12を縮小するものであ
る。
次のような方法が採用されていた。 パッケージピン数に対応して、I/Oセル配置領域を
再レイアウトし、その占有面積を縮小化する方法。 具体的には、特定のチップサイズを有するICチップに
おいて、設定されるパッケージピン数を監視し、例え
ば、ピン数が最大ピン数の半分以下の場合には、図8
(a)に示すような最大ピン数を想定して設定された基
本単位領域のレイアウトパターン(縦方向L、横方向
W)12pに代えて、図8(b)に示すように、縦方向
を1/2倍、横方向を2倍にしたパターン12p´を採
用して、I/Oセル配置領域12を縮小するものであ
る。
【0013】これは、上述したように、所定のI/Oセ
ルが必要とする素子の数、すなわち面積は決まっている
ため、一定の面積を保つように形状の縦横寸法比を変更
することができるからである。 基本単位となるI/Oセルの仕様を標準的な駆動能力
に対応したものに設定して、各I/Oセルの占有面積を
小さくし、I/Oセル配置領域全体の占有面積を縮小化
する方法。
ルが必要とする素子の数、すなわち面積は決まっている
ため、一定の面積を保つように形状の縦横寸法比を変更
することができるからである。 基本単位となるI/Oセルの仕様を標準的な駆動能力
に対応したものに設定して、各I/Oセルの占有面積を
小さくし、I/Oセル配置領域全体の占有面積を縮小化
する方法。
【0014】一般に、I/Oセルは駆動能力に応じて種
々の仕様が用意される。その駆動能力はI/Oセルが必
要とする素子の数、すなわちI/Oセルの面積に相関す
るため、図6に示すように、最も使用頻度が高いパワー
タイプ、例えば、2mAのI/Oセル12a相当の領域
を基本単位領域12xとして、I/Oセル配置領域12
を画定することにより、I/Oセル配置領域全体を縮小
するものである。
々の仕様が用意される。その駆動能力はI/Oセルが必
要とする素子の数、すなわちI/Oセルの面積に相関す
るため、図6に示すように、最も使用頻度が高いパワー
タイプ、例えば、2mAのI/Oセル12a相当の領域
を基本単位領域12xとして、I/Oセル配置領域12
を画定することにより、I/Oセル配置領域全体を縮小
するものである。
【0015】この場合、そのチップサイズの最大ピン数
でICチップを使用する場合には、2mA以下の駆動能
力を有するI/Oセル12aが利用でき、最大ピン数よ
りも少ないピン数で使用する場合には、隣接する未使用
領域を利用して、例えば、基本単位領域12xの2倍の
面積を占有する4mAのI/Oセル12bが利用でき
る。
でICチップを使用する場合には、2mA以下の駆動能
力を有するI/Oセル12aが利用でき、最大ピン数よ
りも少ないピン数で使用する場合には、隣接する未使用
領域を利用して、例えば、基本単位領域12xの2倍の
面積を占有する4mAのI/Oセル12bが利用でき
る。
【0016】上述したの方法によれば、設定されるパ
ッケージピン数に応じて、I/Oセル配置領域を再レイ
アウトする必要があるため、一つのチップサイズに対し
て、複数のパターンバージョンを用意しなければなら
ず、ソフト、ハードの両面において負担が大きくなる問
題があった。また、の方法によれば、設定されるパッ
ケージピン数に応じて、I/Oセル配置領域内の未使用
領域を監視する必要があり、ソフト面での負担が増大す
ることに加え、実質的に使用可能なパワータイプの種類
が制限されてしまうという問題があった。
ッケージピン数に応じて、I/Oセル配置領域を再レイ
アウトする必要があるため、一つのチップサイズに対し
て、複数のパターンバージョンを用意しなければなら
ず、ソフト、ハードの両面において負担が大きくなる問
題があった。また、の方法によれば、設定されるパッ
ケージピン数に応じて、I/Oセル配置領域内の未使用
領域を監視する必要があり、ソフト面での負担が増大す
ることに加え、実質的に使用可能なパワータイプの種類
が制限されてしまうという問題があった。
【0017】本発明は、上記問題点を解決し、CADシ
ステムを使用した自動レイアウト設計における制約を削
減し、ICチップ全体の集積密度の向上を図ることがで
きる半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法を
提供することを目的とする。
ステムを使用した自動レイアウト設計における制約を削
減し、ICチップ全体の集積密度の向上を図ることがで
きる半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法を
提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項1記載の発明は、チップの周辺領域に設け
られ、該チップ外部との信号を入出力するパッド部と、
該パッド部を除く前記チップの内部全域に設けられた機
能領域と、を有し、少なくとも予め所望の機能を有する
ように構成されたマクロセルと、前記パッド部を介して
前記チップ外部から入出力される信号を前記機能領域に
伝達する入出力バッファーセルが、前記機能領域内の任
意の位置に配置されていることを特徴としている。
めに、請求項1記載の発明は、チップの周辺領域に設け
られ、該チップ外部との信号を入出力するパッド部と、
該パッド部を除く前記チップの内部全域に設けられた機
能領域と、を有し、少なくとも予め所望の機能を有する
ように構成されたマクロセルと、前記パッド部を介して
前記チップ外部から入出力される信号を前記機能領域に
伝達する入出力バッファーセルが、前記機能領域内の任
意の位置に配置されていることを特徴としている。
【0019】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の半導体集積回路装置において、前記機能領域内に、
多数の均一な基本素子が配列され、該基本素子相互を配
線接続して任意の機能を実現するように構成されている
ことを特徴としている。請求項1又は2記載の発明によ
れば、パッド部が設けられるチップ周辺領域より内側の
全域を機能領域とし、この機能領域内の任意の位置に、
RAM、ROM等のマクロセル、及び、I/Oセルが配
置されているため、従来のI/Oセル配置領域内でのみ
I/Oセルを配置する場合に比較して、未使用領域の発
生を防止してチップ全体の集積密度の向上を図ることが
できるとともに、対応する機能セルの近傍にI/Oセル
を配置することができるため、所望の論理機能を良好に
実現することができる。
載の半導体集積回路装置において、前記機能領域内に、
多数の均一な基本素子が配列され、該基本素子相互を配
線接続して任意の機能を実現するように構成されている
ことを特徴としている。請求項1又は2記載の発明によ
れば、パッド部が設けられるチップ周辺領域より内側の
全域を機能領域とし、この機能領域内の任意の位置に、
RAM、ROM等のマクロセル、及び、I/Oセルが配
置されているため、従来のI/Oセル配置領域内でのみ
I/Oセルを配置する場合に比較して、未使用領域の発
生を防止してチップ全体の集積密度の向上を図ることが
できるとともに、対応する機能セルの近傍にI/Oセル
を配置することができるため、所望の論理機能を良好に
実現することができる。
【0020】そして、請求項3記載の発明は、チップの
周辺領域に設けられ、該チップ外部との信号を入出力す
るパッド部と、該パッド部に隣接して前記チップ内部に
設けられ、該パッド部を介して前記チップ外部からの信
号が入出力される入出力バッファーセルが配置される入
出力部配置領域と、前記パッド部及び前記入出力部配置
領域を除く前記チップの内部に設けられた機能領域と、
を有する半導体集積回路装置において、前記入出力部配
置領域のうち、前記入出力バッファーセルが配置されて
いない未使用領域に、任意の機能を実現するためのマク
ロセル、又は、多数の均一な機能素子が配置されている
ことを特徴としている。
周辺領域に設けられ、該チップ外部との信号を入出力す
るパッド部と、該パッド部に隣接して前記チップ内部に
設けられ、該パッド部を介して前記チップ外部からの信
号が入出力される入出力バッファーセルが配置される入
出力部配置領域と、前記パッド部及び前記入出力部配置
領域を除く前記チップの内部に設けられた機能領域と、
を有する半導体集積回路装置において、前記入出力部配
置領域のうち、前記入出力バッファーセルが配置されて
いない未使用領域に、任意の機能を実現するためのマク
ロセル、又は、多数の均一な機能素子が配置されている
ことを特徴としている。
【0021】また、請求項4記載の発明は、請求項3記
載の半導体集積回路装置において、前記半導体集積回路
装置は、マクロ埋込み型セルアレイ方式の集積回路装置
であって、前記機能領域は、予め所望の機能を有するよ
うに構成されたマクロセルと、予め配列された多数の均
一な基本素子相互を配線接続して任意の機能を実現する
ように構成された素子領域と、を有することを特徴とし
ている。
載の半導体集積回路装置において、前記半導体集積回路
装置は、マクロ埋込み型セルアレイ方式の集積回路装置
であって、前記機能領域は、予め所望の機能を有するよ
うに構成されたマクロセルと、予め配列された多数の均
一な基本素子相互を配線接続して任意の機能を実現する
ように構成された素子領域と、を有することを特徴とし
ている。
【0022】請求項3又は4記載の発明によれば、I/
Oセル配置領域のうち、I/Oセルが配置されていない
未使用領域に、マクロセルや基本セル等の機能セルを配
置して機能領域として使用することができるため、機能
領域として使用できる面積を増大し、チップの集積密度
を向上させることができる。すなわち、上述した請求項
1又は2記載の発明と同様に、パッド部が設けられるチ
ップ周辺領域より内側の全域を機能領域として取り扱
い、パッド部に隣接して便宜的にI/Oセル配置領域を
画定してI/Oセルを配置し、I/Oセルが配置されて
いない領域(未使用領域)を機能領域として使用するこ
とにより、集積密度の向上を図るものである。
Oセル配置領域のうち、I/Oセルが配置されていない
未使用領域に、マクロセルや基本セル等の機能セルを配
置して機能領域として使用することができるため、機能
領域として使用できる面積を増大し、チップの集積密度
を向上させることができる。すなわち、上述した請求項
1又は2記載の発明と同様に、パッド部が設けられるチ
ップ周辺領域より内側の全域を機能領域として取り扱
い、パッド部に隣接して便宜的にI/Oセル配置領域を
画定してI/Oセルを配置し、I/Oセルが配置されて
いない領域(未使用領域)を機能領域として使用するこ
とにより、集積密度の向上を図るものである。
【0023】さらに、請求項5記載の発明は、所定の数
のパッド部がチップ周辺領域に予め設けられた半導体集
積回路装置のレイアウト設計方法において、前記半導体
集積回路装置に求められる所望の論理機能に基づいて、
入出力ピン数を決定するとともに、前記周辺領域を除く
前記チップ内部全域に機能領域を画定する処理と、予め
所望の機能を有するように構成された機能セルとしての
マクロセルと、前記入出力ピンの各々に設定された論理
機能に対応して、前記パッド部を介して前記チップ外部
から入出力される信号を伝達する任意の形状の入出力バ
ッファーセルと、を前記機能領域内の任意の位置に配置
する処理と、を含むことを特徴としている。
のパッド部がチップ周辺領域に予め設けられた半導体集
積回路装置のレイアウト設計方法において、前記半導体
集積回路装置に求められる所望の論理機能に基づいて、
入出力ピン数を決定するとともに、前記周辺領域を除く
前記チップ内部全域に機能領域を画定する処理と、予め
所望の機能を有するように構成された機能セルとしての
マクロセルと、前記入出力ピンの各々に設定された論理
機能に対応して、前記パッド部を介して前記チップ外部
から入出力される信号を伝達する任意の形状の入出力バ
ッファーセルと、を前記機能領域内の任意の位置に配置
する処理と、を含むことを特徴としている。
【0024】また、請求項6記載の発明は、請求項5記
載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法におい
て、前記入出力バッファーセルを、前記機能セルの一種
として取り扱い、前記機能領域内に他の機能セルと混在
させて配置することを特徴としている。請求項5又は6
記載の発明によれば、パッド部が設けられるチップ周辺
領域より内側の全域を機能領域として取り扱い、この機
能領域内の任意の位置に、RAM、ROM等のマクロセ
ル、及び、I/Oセルを配置することができるため、従
来のI/Oセル配置領域というレイアウト上の制約を受
けることなく、I/Oセルの配置位置を自由、かつ、迅
速に決定することができ、レイアウト設計上の自由度を
向上させることができる。
載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法におい
て、前記入出力バッファーセルを、前記機能セルの一種
として取り扱い、前記機能領域内に他の機能セルと混在
させて配置することを特徴としている。請求項5又は6
記載の発明によれば、パッド部が設けられるチップ周辺
領域より内側の全域を機能領域として取り扱い、この機
能領域内の任意の位置に、RAM、ROM等のマクロセ
ル、及び、I/Oセルを配置することができるため、従
来のI/Oセル配置領域というレイアウト上の制約を受
けることなく、I/Oセルの配置位置を自由、かつ、迅
速に決定することができ、レイアウト設計上の自由度を
向上させることができる。
【0025】また、I/Oセルを他の機能セルと同様に
取り扱うことにより、CADシステム上でのレイアウト
設計を容易に行うことができる。
取り扱うことにより、CADシステム上でのレイアウト
設計を容易に行うことができる。
【0026】
【本発明の実施態様】まず、本発明の基本概念につい
て、図1を参照して説明する。上述したように、本発明
に係る半導体集積回路装置(以下、LSIと記す)は、
図1に示すように、ICチップ10の周辺領域に所定の
ピッチで配列されたパッド領域11xより内側の斜線を
付した全領域を、機能領域13として取り扱い、その機
能領域13内に、RAM、ROM等のマクロセルや基本
セルとともに、I/Oセルを配置したことを特徴として
いる。
て、図1を参照して説明する。上述したように、本発明
に係る半導体集積回路装置(以下、LSIと記す)は、
図1に示すように、ICチップ10の周辺領域に所定の
ピッチで配列されたパッド領域11xより内側の斜線を
付した全領域を、機能領域13として取り扱い、その機
能領域13内に、RAM、ROM等のマクロセルや基本
セルとともに、I/Oセルを配置したことを特徴として
いる。
【0027】すなわち、従来、予め設けていたI/Oセ
ル配置領域を設けることなく、ICチップ内部のパッド
部を除く全域を機能領域とし、かつ、I/Oセルを機能
セルの一つとして取り扱い、機能領域内の任意の位置に
他の機能セル、すなわちマクロセルや基本セルとともに
混在させるように配置するものである。このような構成
によれば、ICチップ内部のパッド部を除く全域を機能
領域として、この機能領域内の任意の位置にI/Oセル
を配置することができるため、従来構成におけるI/O
セル配置領域内に未使用領域が発生することがなく、チ
ップ全体の集積密度を向上させたLSIが実現される。
ル配置領域を設けることなく、ICチップ内部のパッド
部を除く全域を機能領域とし、かつ、I/Oセルを機能
セルの一つとして取り扱い、機能領域内の任意の位置に
他の機能セル、すなわちマクロセルや基本セルとともに
混在させるように配置するものである。このような構成
によれば、ICチップ内部のパッド部を除く全域を機能
領域として、この機能領域内の任意の位置にI/Oセル
を配置することができるため、従来構成におけるI/O
セル配置領域内に未使用領域が発生することがなく、チ
ップ全体の集積密度を向上させたLSIが実現される。
【0028】また、従来技術に示したようにパッド部に
隣接して設けられたI/Oセル配置領域内に制約される
ことがなく、また、I/Oセルに求められる所定の能力
を隣接する他のI/Oセルに影響されることもないた
め、I/Oセルの配置処理における制約が削減されて、
迅速かつ自由度の高いレイアウト設計方法が実現され
る。
隣接して設けられたI/Oセル配置領域内に制約される
ことがなく、また、I/Oセルに求められる所定の能力
を隣接する他のI/Oセルに影響されることもないた
め、I/Oセルの配置処理における制約が削減されて、
迅速かつ自由度の高いレイアウト設計方法が実現され
る。
【0029】
【実施例】次に、本発明に係るLSIの第1の実施例に
ついて、図2を参照して説明する。図2において、パッ
ケージ20内に搭載されるICチップ10は、パッケー
ジ20の内部と外部を電気的に接続するパッケージピン
21a〜21gにボンディングワイヤを介して接続され
るパッド部11a〜11jと、パッド部11a〜11j
が設けられたチップ周辺領域を除くICチップ10の内
部領域に設けられた機能領域13と、機能領域13の内
部に設けられたI/Oセル12a、12c、12g、1
2hと、RAM、ROM等のマクロセル13aと、機能
セル領域13bと、を有して構成されている。なお、機
能領域13内に形成される配線については図示を省略し
た。
ついて、図2を参照して説明する。図2において、パッ
ケージ20内に搭載されるICチップ10は、パッケー
ジ20の内部と外部を電気的に接続するパッケージピン
21a〜21gにボンディングワイヤを介して接続され
るパッド部11a〜11jと、パッド部11a〜11j
が設けられたチップ周辺領域を除くICチップ10の内
部領域に設けられた機能領域13と、機能領域13の内
部に設けられたI/Oセル12a、12c、12g、1
2hと、RAM、ROM等のマクロセル13aと、機能
セル領域13bと、を有して構成されている。なお、機
能領域13内に形成される配線については図示を省略し
た。
【0030】I/Oセル12a、12c、12g、12
hは、パッケージピン21a、21b、21e、21f
に接続されたパッド部11a、11c、11g、11h
に配線接続され、機能領域13の内部に任意の形状、か
つ、任意の位置に配置される。ここで、I/Oセル12
a、12c、12g、12hの形状は、LSIに要求さ
れる論理機能に基づいて設定される駆動能力に応じた所
定の面積を有するように設定される。一方、配置位置
は、機能領域13内の任意の位置に設定されるが、例え
ば、マクロセルへの信号の伝達を行うI/Oセルの場合
には、その近傍に配置することにより良好な論理動作が
実現される。
hは、パッケージピン21a、21b、21e、21f
に接続されたパッド部11a、11c、11g、11h
に配線接続され、機能領域13の内部に任意の形状、か
つ、任意の位置に配置される。ここで、I/Oセル12
a、12c、12g、12hの形状は、LSIに要求さ
れる論理機能に基づいて設定される駆動能力に応じた所
定の面積を有するように設定される。一方、配置位置
は、機能領域13内の任意の位置に設定されるが、例え
ば、マクロセルへの信号の伝達を行うI/Oセルの場合
には、その近傍に配置することにより良好な論理動作が
実現される。
【0031】次に、上述した第1の実施例のLSIを実
現するためのレイアウト設計方法について、図3のフロ
ーチャートを参照して説明する。まず、従来技術として
図7に示した場合と同様に、ユーザーが所望する論理機
能の情報に基づいてレイアウト設計用のデータベースが
作成される(S11、S12)。
現するためのレイアウト設計方法について、図3のフロ
ーチャートを参照して説明する。まず、従来技術として
図7に示した場合と同様に、ユーザーが所望する論理機
能の情報に基づいてレイアウト設計用のデータベースが
作成される(S11、S12)。
【0032】次いで、ICチップに搭載される基本セル
数、RAMやROM等のマクロセルの仕様、パッケージ
の仕様に関する情報に基づいて、チップサイズをライブ
ラリーから選択し、そのチップサイズ内で全体の配置領
域及び配線領域が決定される(S13)。そして、配置
領域内にマクロセルや基本セル領域とともに、I/Oセ
ルを配置する(S25)。
数、RAMやROM等のマクロセルの仕様、パッケージ
の仕様に関する情報に基づいて、チップサイズをライブ
ラリーから選択し、そのチップサイズ内で全体の配置領
域及び配線領域が決定される(S13)。そして、配置
領域内にマクロセルや基本セル領域とともに、I/Oセ
ルを配置する(S25)。
【0033】このとき、I/Oセルは、パッケージピン
に割り振られた論理機能情報に基づいてI/Oセルの種
類が認識され、その種類に応じたレイアウトパターンが
レイアウトライブラリーの中から選択され、信号を伝達
する機能セルに応じた駆動能力のものが配置される。特
に、I/Oセルを機能領域に設けられるマクロセルや基
本セル等の機能セルの一つとして取り扱うことにより、
レイアウトライブラリーからRAM、ROM等のマクロ
セルを選択して配置するとともに、基本セル相互を配線
接続する場合と同様の処理でI/Oセルが配置される。
に割り振られた論理機能情報に基づいてI/Oセルの種
類が認識され、その種類に応じたレイアウトパターンが
レイアウトライブラリーの中から選択され、信号を伝達
する機能セルに応じた駆動能力のものが配置される。特
に、I/Oセルを機能領域に設けられるマクロセルや基
本セル等の機能セルの一つとして取り扱うことにより、
レイアウトライブラリーからRAM、ROM等のマクロ
セルを選択して配置するとともに、基本セル相互を配線
接続する場合と同様の処理でI/Oセルが配置される。
【0034】また、以上の各処理は、CADシステム上
でのレイアウト設計作業において、論理機能情報やその
他の諸条件を設定することにより自動的に設計処理が実
行される。次に、本発明に係るLSIの第2の実施例に
ついて、図4を参照して説明する。
でのレイアウト設計作業において、論理機能情報やその
他の諸条件を設定することにより自動的に設計処理が実
行される。次に、本発明に係るLSIの第2の実施例に
ついて、図4を参照して説明する。
【0035】図4において、パッケージ20内に搭載さ
れるICチップ10は、従来構成と同様に、パッケージ
20の内部と外部を電気的に接続するパッケージピン2
1a〜21dに接続されるパッド部11a〜11fと、
パッド部11a〜11fが設けられたチップ周辺領域を
除くICチップ10の内部領域に設けられた機能領域1
3と、機能領域13の内部に便宜的に設けられたI/O
セル配置領域12と、を有して構成されている。なお、
機能領域13内にI/Oセルとともに配置されるマクロ
セル及び基本セルについては図示を省略した。
れるICチップ10は、従来構成と同様に、パッケージ
20の内部と外部を電気的に接続するパッケージピン2
1a〜21dに接続されるパッド部11a〜11fと、
パッド部11a〜11fが設けられたチップ周辺領域を
除くICチップ10の内部領域に設けられた機能領域1
3と、機能領域13の内部に便宜的に設けられたI/O
セル配置領域12と、を有して構成されている。なお、
機能領域13内にI/Oセルとともに配置されるマクロ
セル及び基本セルについては図示を省略した。
【0036】便宜的に設けられたI/Oセル配置領域1
2には、パッケージピン21a〜21dに接続されたパ
ッド部11a、11c、11d、11eに配線接続され
たI/Oセル12a、12c、12d、12eが配置さ
れている。この場合、I/Oセル配置領域12のうち、
I/Oセル12aまたは12c、12eに隣接してI/
Oセルが配置されていない未使用領域12y、12zが
生じるが、本実施例のI/Oセル配置領域12は、機能
領域13内に便宜的に設けたものであるため、未使用領
域に基本セルまたはマクロセル等の機能セルを配置する
ことにより、未使用領域の発生を防止するとともに、搭
載される素子数を増加して、ICチップ全体の集積密度
が高められる。
2には、パッケージピン21a〜21dに接続されたパ
ッド部11a、11c、11d、11eに配線接続され
たI/Oセル12a、12c、12d、12eが配置さ
れている。この場合、I/Oセル配置領域12のうち、
I/Oセル12aまたは12c、12eに隣接してI/
Oセルが配置されていない未使用領域12y、12zが
生じるが、本実施例のI/Oセル配置領域12は、機能
領域13内に便宜的に設けたものであるため、未使用領
域に基本セルまたはマクロセル等の機能セルを配置する
ことにより、未使用領域の発生を防止するとともに、搭
載される素子数を増加して、ICチップ全体の集積密度
が高められる。
【0037】また、このようなLSIのレイアウト設計
方法は、I/Oセル配置領域を含むパッド部より内側の
ICチップ内部の全域を機能領域として取り扱うもので
あるため、図3に示したフローチャートと同様の手順を
有する。ここで、I/Oセル配置領域は便宜的に画定さ
れるものであるので、手順としてI/Oセル配置領域を
作成する必要はなく、第1の実施例として示したI/O
セルが配置される任意の位置が、機能領域13の縁辺部
である場合と同等に考えることができる。
方法は、I/Oセル配置領域を含むパッド部より内側の
ICチップ内部の全域を機能領域として取り扱うもので
あるため、図3に示したフローチャートと同様の手順を
有する。ここで、I/Oセル配置領域は便宜的に画定さ
れるものであるので、手順としてI/Oセル配置領域を
作成する必要はなく、第1の実施例として示したI/O
セルが配置される任意の位置が、機能領域13の縁辺部
である場合と同等に考えることができる。
【0038】次に、本発明に係るLSIと従来構成にお
ける集積密度について、図4及び図6を参照して説明す
る。集積密度の比較、検証を簡単にするために、図6に
おいて、I/Oセル配置領域12に画定される単位領域
12x内の基本セル1個当たりの占有面積を1とし、I
/Oセルの占有面積を概ねその50倍に相当するものと
仮定する。
ける集積密度について、図4及び図6を参照して説明す
る。集積密度の比較、検証を簡単にするために、図6に
おいて、I/Oセル配置領域12に画定される単位領域
12x内の基本セル1個当たりの占有面積を1とし、I
/Oセルの占有面積を概ねその50倍に相当するものと
仮定する。
【0039】図4に示すように、パッケージピン21a
〜21dの数が、ICチップ10に予め設けられたパッ
ド部11a〜11fの数より少ない場合には、例えば、
4本のパッケージピン21a〜21dを4個のパッド部
11a、11c、11d、11eに接続すると、パッド
部11b、11fは未使用状態となり、4本のパッケー
ジピンに対応するパッド部の数は6個となる。100本
のパッケージピンを有するLSIの場合、搭載されるI
Cチップに必要とされるパッド部の数は、 100/4 × 6 = 150 ・・・(1) となる。
〜21dの数が、ICチップ10に予め設けられたパッ
ド部11a〜11fの数より少ない場合には、例えば、
4本のパッケージピン21a〜21dを4個のパッド部
11a、11c、11d、11eに接続すると、パッド
部11b、11fは未使用状態となり、4本のパッケー
ジピンに対応するパッド部の数は6個となる。100本
のパッケージピンを有するLSIの場合、搭載されるI
Cチップに必要とされるパッド部の数は、 100/4 × 6 = 150 ・・・(1) となる。
【0040】パッド部が、I/Oセルを配置するための
単位領域と1対1で対応して設けられている場合には、
パッド部と同数の単位領域を有するI/Oセル配置領域
を必要とする。ところが、単位領域6個のうち、2個が
未使用領域となるため、150個分のI/Oセル配置領
域の内、1/3の50個分相当の領域が未使用状態とな
る。
単位領域と1対1で対応して設けられている場合には、
パッド部と同数の単位領域を有するI/Oセル配置領域
を必要とする。ところが、単位領域6個のうち、2個が
未使用領域となるため、150個分のI/Oセル配置領
域の内、1/3の50個分相当の領域が未使用状態とな
る。
【0041】これを、基本セルの数に換算すると、1個
のI/Oセルの占有面積は、基本セル50個分に相当す
るため、未使用領域を基本セルに置き換えた場合、 50 × 50 = 2500 ・・・(2) となり、未使用領域を基本セル2500個分の新たな機
能領域として使用することができる。
のI/Oセルの占有面積は、基本セル50個分に相当す
るため、未使用領域を基本セルに置き換えた場合、 50 × 50 = 2500 ・・・(2) となり、未使用領域を基本セル2500個分の新たな機
能領域として使用することができる。
【0042】本発明は、この未使用領域が機能領域に含
まれるため、レイアウト設計時に基本セルまたはマクロ
セル等の機能セルを配置することができ、従来構成に比
較して大幅な集積密度の向上を実現することができる。
なお、上述した検証においては、集積密度の比較、検証
を簡単にするため、第2の実施例として示したLSIと
従来構成とを比較したが、上述した第1の実施例のよう
に、機能領域の任意の位置にI/Oセルを配置した場合
であっても、新たに使用可能となる基本セル数、あるい
は機能領域の面積に実質的な差はない。
まれるため、レイアウト設計時に基本セルまたはマクロ
セル等の機能セルを配置することができ、従来構成に比
較して大幅な集積密度の向上を実現することができる。
なお、上述した検証においては、集積密度の比較、検証
を簡単にするため、第2の実施例として示したLSIと
従来構成とを比較したが、上述した第1の実施例のよう
に、機能領域の任意の位置にI/Oセルを配置した場合
であっても、新たに使用可能となる基本セル数、あるい
は機能領域の面積に実質的な差はない。
【0043】このように、本発明によれば、I/Oセル
配置領域を画定することなく、かつ、I/Oセルを機能
セルの一つとして機能領域内の任意の位置に配置するこ
とができるため、I/Oセルのレイアウト設計上の制約
を削減して開発期間の短縮や共有化を図ることができる
とともに、チップ全体の集積密度の向上を図ることがで
きる。
配置領域を画定することなく、かつ、I/Oセルを機能
セルの一つとして機能領域内の任意の位置に配置するこ
とができるため、I/Oセルのレイアウト設計上の制約
を削減して開発期間の短縮や共有化を図ることができる
とともに、チップ全体の集積密度の向上を図ることがで
きる。
【0044】また、レイアウト設計における言語記述、
すなわち、トランジスタレベルの記述においても、設計
対象となっているLSI中に設けられるI/Oセルを機
能セルの一つとして取り扱うことができるため、言語記
述を簡略化することができ、ユーザーによるI/Oセル
のレイアウト設計を可能とすることができる。なお、上
述したLSIのレイアウト設計方法は、フロッピィディ
スクやCD−ROM等の記憶媒体に格納して提供するこ
とができるため、CADシステムにおける統一した設計
手法として利用することができる。
すなわち、トランジスタレベルの記述においても、設計
対象となっているLSI中に設けられるI/Oセルを機
能セルの一つとして取り扱うことができるため、言語記
述を簡略化することができ、ユーザーによるI/Oセル
のレイアウト設計を可能とすることができる。なお、上
述したLSIのレイアウト設計方法は、フロッピィディ
スクやCD−ROM等の記憶媒体に格納して提供するこ
とができるため、CADシステムにおける統一した設計
手法として利用することができる。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1又は2記
載の半導体集積回路装置によれば、パッド部が設けられ
るチップ周辺領域より内側の全域を機能領域とし、この
機能領域内の任意の位置に、RAM、ROM等のマクロ
セル、及び、I/Oセルが配置されているため、従来の
I/Oセル配置領域内でのみI/Oセルを配置する場合
に比較して、未使用領域の発生を防止してチップ全体の
集積密度の向上を図ることができるとともに、対応する
機能セルの近傍にI/Oセルを配置することができるた
め、所望の論理機能を良好に実現することができる。
載の半導体集積回路装置によれば、パッド部が設けられ
るチップ周辺領域より内側の全域を機能領域とし、この
機能領域内の任意の位置に、RAM、ROM等のマクロ
セル、及び、I/Oセルが配置されているため、従来の
I/Oセル配置領域内でのみI/Oセルを配置する場合
に比較して、未使用領域の発生を防止してチップ全体の
集積密度の向上を図ることができるとともに、対応する
機能セルの近傍にI/Oセルを配置することができるた
め、所望の論理機能を良好に実現することができる。
【0046】また、請求項3又は4記載の半導体集積回
路装置によれば、I/Oセル配置領域のうち、I/Oセ
ルが配置されていない未使用領域に、マクロセルや基本
セル等の機能セルを配置して機能領域として使用するこ
とができるため、機能領域として使用できる面積を増大
し、チップの集積密度を向上させることができる。すな
わち、上述した請求項1又は2記載の発明と同様に、パ
ッド部が設けられるチップ周辺領域より内側の全域を機
能領域として取り扱い、パッド部に隣接して便宜的にI
/Oセル配置領域を画定してI/Oセルを配置し、I/
Oセルが配置されていない領域(未使用領域)を機能領
域として使用することにより、集積密度の向上を図るも
のである。
路装置によれば、I/Oセル配置領域のうち、I/Oセ
ルが配置されていない未使用領域に、マクロセルや基本
セル等の機能セルを配置して機能領域として使用するこ
とができるため、機能領域として使用できる面積を増大
し、チップの集積密度を向上させることができる。すな
わち、上述した請求項1又は2記載の発明と同様に、パ
ッド部が設けられるチップ周辺領域より内側の全域を機
能領域として取り扱い、パッド部に隣接して便宜的にI
/Oセル配置領域を画定してI/Oセルを配置し、I/
Oセルが配置されていない領域(未使用領域)を機能領
域として使用することにより、集積密度の向上を図るも
のである。
【0047】さらに、請求項5又は6記載の半導体集積
回路装置のレイアウト設計方法によれば、パッド部が設
けられるチップ周辺領域より内側の全域を機能領域とし
て取り扱い、この機能領域内の任意の位置に、RAM、
ROM等のマクロセル、及び、I/Oセルを配置するこ
とができるため、従来のI/Oセル配置領域というレイ
アウト上の制約を受けることなく、I/Oセルの配置位
置を自由、かつ、迅速に決定することができ、レイアウ
ト設計上の自由度を向上させることができる。
回路装置のレイアウト設計方法によれば、パッド部が設
けられるチップ周辺領域より内側の全域を機能領域とし
て取り扱い、この機能領域内の任意の位置に、RAM、
ROM等のマクロセル、及び、I/Oセルを配置するこ
とができるため、従来のI/Oセル配置領域というレイ
アウト上の制約を受けることなく、I/Oセルの配置位
置を自由、かつ、迅速に決定することができ、レイアウ
ト設計上の自由度を向上させることができる。
【0048】また、I/Oセルを他の機能セルと同様に
取り扱うことにより、CADシステム上でのレイアウト
設計を容易に行うことができる。
取り扱うことにより、CADシステム上でのレイアウト
設計を容易に行うことができる。
【図1】本発明に係るLSIの基本概念を示す図であ
る。
る。
【図2】本発明に係るLSIの第1の実施例を示す図で
ある。
ある。
【図3】本発明に係るLSIのレイアウト設計方法を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図4】本発明に係るLSIの第2の実施例を示す図で
ある。
ある。
【図5】従来のマクロ埋込み型セルアレイ方式のLSI
を示す図である。
を示す図である。
【図6】従来のLSIにおけるI/O領域を示す要部詳
細図である。
細図である。
【図7】従来のマクロ埋込み型セルアレイ方式のLSI
のレイアウト設計方法を示すフローチャートである。
のレイアウト設計方法を示すフローチャートである。
【図8】従来のLSIにおけるI/Oセル配置領域の再
レイアウト方法を示す図である。
レイアウト方法を示す図である。
10 ICチップ 11 入出力領域 11a〜11j パッド部 11x パッド領域 12 I/Oセル配置領域 12a〜12h I/Oセル 12p、12p´ レイアウトパターン 12x 単位領域 12y、12z 未使用領域 13 機能領域 13a マクロセル 13b 基本セル領域 20 パッケージ 21a〜21g パッケージピン
Claims (6)
- 【請求項1】チップの周辺領域に設けられ、該チップ外
部との信号を入出力するパッド部と、 該パッド部を除く前記チップの内部全域に設けられた機
能領域と、を有し、 少なくとも予め所望の機能を有するように構成されたマ
クロセルと、前記パッド部を介して前記チップ外部から
入出力される信号を前記機能領域に伝達する入出力バッ
ファーセルが、前記機能領域内の任意の位置に配置され
ていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】前記機能領域内に、多数の均一な基本素子
が配列され、該基本素子相互を配線接続して任意の機能
を実現するように構成されていることを特徴とする請求
項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】チップの周辺領域に設けられ、該チップ外
部との信号を入出力するパッド部と、該パッド部に隣接
して前記チップ内部に設けられ、該パッド部を介して前
記チップ外部からの信号が入出力される入出力バッファ
ーセルが配置される入出力部配置領域と、前記パッド部
及び前記入出力部配置領域を除く前記チップの内部に設
けられた機能領域と、を有する半導体集積回路装置にお
いて、 前記入出力部配置領域のうち、前記入出力バッファーセ
ルが配置されていない未使用領域に、任意の機能を実現
するためのマクロセル、又は、多数の均一な機能素子が
配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項4】前記半導体集積回路装置は、マクロ埋込み
型セルアレイ方式の集積回路装置であって、 前記機能領域は、予め所望の機能を有するように構成さ
れたマクロセルと、予め配列された多数の均一な基本素
子相互を配線接続して任意の機能を実現するように構成
された素子領域と、を有することを特徴とする請求項3
記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項5】所定の数のパッド部がチップ周辺領域に予
め設けられた半導体集積回路装置のレイアウト設計方法
において、 前記半導体集積回路装置に求められる所望の論理機能に
基づいて、入出力ピン数を決定するとともに、前記周辺
領域を除く前記チップ内部全域に機能領域を画定する処
理と、 予め所望の機能を有するように構成された機能セルとし
てのマクロセルと、前記入出力ピンの各々に設定された
論理機能に対応して、前記パッド部を介して前記チップ
外部から入出力される信号を伝達する任意の形状の入出
力バッファーセルと、を前記機能領域内の任意の位置に
配置する処理と、を含むことを特徴とする半導体集積回
路装置のレイアウト設計方法。 - 【請求項6】前記入出力バッファーセルを、前記機能セ
ルの一種として取り扱い、前記機能領域内に他の機能セ
ルと混在させて配置することを特徴とする請求項5記載
の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030744A JPH11233636A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030744A JPH11233636A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233636A true JPH11233636A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12312200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10030744A Withdrawn JPH11233636A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6591406B2 (en) | 1999-12-27 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor apparatus including bypass capacitor having structure for making automatic design easy, and semiconductor apparatus layout method |
| US6930380B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-08-16 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| US7714429B2 (en) * | 2006-03-27 | 2010-05-11 | Fujitsu Microelectronics Limited | Wafer structure with a plurality of functional macro chips for chip-on-chip configuration |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP10030744A patent/JPH11233636A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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