JPH11233712A - 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器 - Google Patents

半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器

Info

Publication number
JPH11233712A
JPH11233712A JP2949198A JP2949198A JPH11233712A JP H11233712 A JPH11233712 A JP H11233712A JP 2949198 A JP2949198 A JP 2949198A JP 2949198 A JP2949198 A JP 2949198A JP H11233712 A JPH11233712 A JP H11233712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
control circuit
control
resin
resin mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2949198A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Ogawa
敏夫 小川
Masaaki Takahashi
正昭 高橋
Masahiro Aida
正広 合田
Noritaka Kamimura
典孝 神村
Kazuhiro Suzuki
和弘 鈴木
Junichi Saeki
準一 佐伯
Kazuji Yamada
一二 山田
Makoto Ishii
誠 石井
Akihiro Tanba
昭浩 丹波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2949198A priority Critical patent/JPH11233712A/ja
Priority to US09/248,000 priority patent/US6291880B1/en
Priority to DE1999607537 priority patent/DE69907537T2/de
Priority to EP19990101733 priority patent/EP0936671B1/en
Priority to KR1019990004915A priority patent/KR19990072605A/ko
Publication of JPH11233712A publication Critical patent/JPH11233712A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
    • H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体装置の高信頼性を確保し、かつ装置の熱
抵抗を低減する。 【解決手段】リードフレーム１３上に形成した半導体素
子１１を含む主回路部と、保護機能を含む制御回路部２
２とを具備し、樹脂モールド３０によって一体封止構造
とする。 【効果】小型，高信頼性の半導体装置を低価格で提供す
るという効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング用半
導体素子を含むチップ部品がリードフレーム上に搭載さ
れ、かつ該半導体素子を駆動する制御回路が、前記プリ
ント基板上に載置され、全体が樹脂モールドによって封
止された構造を有する半導体装置に関し、特に発熱性の
半導体素子を固着するリードフレーム部の裏面に層厚の
薄い樹脂絶縁層を挟持してヒートシンクを配置し、かつ
該ヒートシンクの裏面が外装樹脂モールドの外面に露出
した構造をとることにより、半導体からの熱放散性を向
上させた混成集積回路系パワー半導体装置に関する。従
って、本発明による半導体装置は汎用及び産業用機器等
の出力制御用インバータとして有効利用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種パワー半導体装置として特
公平3−63822号公報及び特公平6−80748 号公報に開示
される構成がある。すなわち、金属のヒートシンク上
に、予め所定間隔の隙間を設けてスイッチング用半導体
素子を載置したリードフレームをセットし、この隙間を
含む外装部全体を、一体のモールドとして樹脂を充填し
て半導体装置を構成するものである。この構造によれ
ば、半導体素子を固着した導体層とヒートシンクとの間
に樹脂層が介在するので、複数の半導体素子の搭載が容
易に可能であり、部品点数も少ないことから高い信頼性
が得られる。しかしながら、次の２つの問題点を有して
いる。
【０００３】前述したように予め素子をセットした空間
に樹脂を充填する方法であり、成型時にボイドの巻き込
みの恐れがあると共に樹脂層の厚さが不安定になりやす
い。通常、この種樹脂層の熱伝導率は極めて低く、若干
の層厚の誤差が熱抵抗として大きなばらつきとなり、量
産工場での安定した品質を得るのが難しい。同様の理由
から、絶縁層の層厚を極端に薄く（例えば０.１mm 以
下）して、熱抵抗を下げることも難しい。
【０００４】他の１つの問題点は、導体配線がリードフ
レームによって構成されるため、微細化に難がある。例
えばドライバＩＣを制御するマイクロコンピュータを搭
載するための複雑微細形状配線の形成は難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来法の
それぞれの問題点を解決し、低熱抵抗性で、高機能性を
有し、かつ小型のパワー半導体装置を実現するものであ
る。すなわち、リードフレーム及びヒートシンクすなわ
ちベース基板との間に、外装樹脂モールド材料とは別
の、予め成形されたシート状樹脂絶縁層を適用すること
によって、パワー半導体素子の下部に薄く、かつ均質で
安定した層厚を有する絶縁層が形成でき、結果的に低熱
抵抗性かつ小型のパワー半導体装置を提供する。本発明
の他の目的は、微細配線可能なプリント基板を内蔵する
ことによって、例えば、スイッチング用半導体素子を駆
動するドライバＩＣ、それを制御するマイクロコンピュ
ータ及び各種保護回路及び通信用回路など高機能性を付
加できる構造を高信頼性、かつ低価格で提供するもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では次の手段をとる。
【０００７】主回路部，制御回路部及び外装樹脂モール
ドとを有し、該樹脂モールドの表面に導出された主回路
端子及び制御回路端子とを有する半導体装置において、
該主回路部はスイッチング用半導体素子がリードフレー
ム上に固着され、該リードフレームは電気絶縁層として
の樹脂層を挟持してベース基板が配置された構造を有
し、該制御回路部はプリント基板上に、少なくとも１つ
の制御用集積回路素子を具備し、該素子とプリント基板
とが導電性ワイヤによって電気的に直接接続され、該主
回路部及び該制御回路部とが電気的に接続され、該ベー
ス基板の少なくとも一部が、実質的に該樹脂モールドの
外面に露出した形で、その他の部分が該樹脂モールドに
よって一体的に封止された構造の半導体装置とする。
【０００８】主回路部及び制御回路部とを有し、外装モ
ールドの表面に導出された主回路端子及び制御回路端子
とを有する半導体装置の製法において、該主回路部とし
てスイッチング用半導体素子がリードフレーム上に固着
される工程、該制御回路部としてプリント基板上に、少
なくとも１つの制御用半導体素子を搭載する工程、該素
子と該プリント基板とを導電性ワイヤによって電気的に
直接接続する工程、該主回路部及び該制御回路部とを電
気的に接続する工程、該制御回路部選別のための検査工
程、樹脂モールドによって一体的に封止する工程とを有
する半導体装置の製法とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によってさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されな
い。
【００１０】実施例１ 図１に本発明の一実施例による断面構成図を示し、図２
に斜視模式図をそれぞれ示す。例えばＩＧＢＴ（Insula
ted Gate Bipolar Transistor)などのスイッチング用半
導体素子１１が半田層１２を介してリードフレーム１３
上に固着される。素子の直下に位置する、リードフレー
ム１３の他の面には、樹脂絶縁層１８を介してベース基
板１５に接着される。該素子１１はアルミニウムのワイ
ヤボンデイング部１６によりリードフレーム１３と電気
的に接合され、該リードフレーム１３の一部が主端子１
７として樹脂モールド３０の表面に導出され、主回路部
を構成する。一方、プリント基板２１及び制御用集積回
路素子２２及び受動部品などの実装部品２３が載置さ
れ、該制御用集積回路素子２２はＡｕなどの細線による
ワイヤボンデイング部２４により、プリント基板２１に
電気的に接続される。樹脂モールド３０の外部に導出さ
れる制御端子２５が該プリント基板２１の一部に接続さ
れて、制御回路部を構成する。該制御回路部及び該主回
路部とがワイヤボンデイング部１６により、電気的に接
合され、系全体が外装樹脂モールド３０により一体成型
された構造である。本構造のパワー半導体装置は次の工
程によって作成される。プリント基板２１の両面に所望
形状の導体パターンを形成する。本実施例では該基板２
１の裏面のほぼ全面を、グランド層に接続するための導
体層とした。反対側面の表面には、制御用集積回路素子
２２として、３mm×４mmのベアチップドライバＩＣ１個
をエポキシ系樹脂によって接着，硬化する。次いで、線
径２０μｍのＡｕ線により、プリント基板２１と接続
し、後工程との関連で必要に応じて該素子２２及び該ワ
イヤボンデイング部２４をポッテイング樹脂によって局
部的に被覆する。チップコンデンサ，抵抗などの実装部
品２３を半田接続して、制御回路部を構成する。この状
態で電気的特性を検査し、良品を選別する。次いで、制
御端子２５を形成するためのリードフレームを、該プリ
ント基板に半田接合する。一方、ベース基板１５の片面
に、樹脂絶縁層１８を形成するための未硬化性樹脂シー
トを温度１２０℃でまず仮圧着する。この樹脂シート上
面にリードフレーム１３を載置して、１５０℃で圧着
後、１８０℃１５分の硬化処理を施す。次いで、リード
フレーム１３上の所定位置に、７mm×７mmのスイッチン
グ用半導体素子１１としてのＩＧＢＴチップを半田接合
する。この素子１１とリードフレーム１３とをワイヤボ
ンデイング部１６により、電気的に接合する。この半田
接合時に、予め準備した上述の選別された、制御端子２
５が取り付けられたプリント基板２１の裏面導体と、リ
ードフレーム１３のグランド層とを同時に半田接合して
一体化する。
【００１１】上記工程で準備された一連の回路を、金型
中にセットし、所定温度及び圧力で、型内に樹脂を充填
することによって樹脂モールド３０を成形し、本発明に
よるパワー半導体装置を得る。本実施例では、該樹脂モ
ールド３０用材料として表１に示す材料を用いた。表１
の配合割合は重量比を示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】本材料は、フィラーとして酸化珪素を多く
含むので、ヤング率が１８００kgｆ／mm2 と高く、内部
を保護するために必要な剛性を具備している。また、線
膨張率は１２ppm ／℃ないし１５ppm ／℃と低いので、
成形，硬化後のベース基板１５の反りは約４０μｍと小
さく、実用上問題のない水準にある。
【００１４】モールド成形後、必要に応じてアフターキ
ュアを施して該モールド樹脂の硬化を促進する。次い
で、樹脂モールド３０の外部に導出された部分のリード
フレーム１３を切断及びもしくは成形して、所定形状の
主端子１７及び制御端子２５を有する半導体装置を得
る。
【００１５】本実施例ではスイッチング用半導体素子１
１として、ＩＧＢＴ素子の例について示したが、例えば
ＭＯＳ系トランジスタなど他の発熱性素子であって良
い。
【００１６】また、本実施例では樹脂モールド３０に含
まれるフィラーとして、表１の酸化珪素を示したが、他
の材料例えばベリリヤ，ジルコニヤ，窒化珪素，窒化ア
ルミニウム，炭化珪素などであってよい。
【００１７】出発材料として、シート状に成形した未硬
化性樹脂材料による樹脂絶縁層１８を有する本実施例の
特徴は、熱抵抗が低く、比較的電流容量の大きい素子へ
の適用が可能である。
【００１８】実施例２ 実施例１とほぼ同様の構造を有する本発明の他の実施例
を図３に示す。実施例１との相違点は次のようである。
すなわち、制御端子２５についても一体のリードフレー
ム１３を適用し、ワイヤボンデイング部１６により、プ
リント基板２１とを電気的に接合した構造である。ま
た、主端子１７及び制御端子２５が、樹脂モールド３０
の上面から導出された構造を有している。
【００１９】図４に本実施例による平面構成図を示す。
制御回路部にマイクロコンピュータ２２ｂを配置し、樹
脂モールド３０の本体を固定するための取り付け穴３１
が設けられている。本実施例の構造では、一体のリード
フレーム１３を用いて制御端子２５を一括形成するの
で、実施例１のように制御端子２５を半田接合する工程
が不要となる。また、樹脂モールドの上面に主端子１７
及び制御端子２５が導出されるので、グランド層との絶
縁空間距離及び絶縁沿面距離を充分に確保することがで
きる。
【００２０】実施例３ 実施例２とほぼ同様の構造を有する本発明の他の実施例
を図５に示す。実施例２との相違点は次のようである。
プリント基板２１の両面に所望の導体パターンを形成
し、スルーホール３２などの手段によって両面を電気的
に接続した構造であり、プリント基板２１の裏面は絶縁
性の樹脂接着剤を用いて強固に接着される。
【００２１】両面に所望形状の導体パターンが形成され
たプリント基板２１を適用した本実施例の構造では、よ
り複雑で微細な回路形成が可能で、ベアチップのドライ
バＩＣ２２ａ及びマイクロコンピュータ２２ｂなどの制
御用集積回路素子２２及び各種保護回路などを搭載する
ことができ、高機能化を実現しやすいという特徴があ
る。
【００２２】実施例４ 本実施例による試作品の断面構造を図６に示す。実施例
１ないし実施例３との主な相違点として次がある。すな
わち、ベース基板１５として樹脂絶縁金属基板１９を適
用し、制御回路部を直接、該金属基板１９上に形成した
構造を有する。本実施例による構造は次の工程によって
作製される。Ａｌなどの金属基板の片面に樹脂絶縁層を
形成し、該表面に所望の導体パターンを形成して、構成
部品としての樹脂絶縁金属基板１９を得る。この基板１
９の表面に制御用集積回路素子２２及び実装部品２３な
どを、実施例１と同様の工程により載置する。リードフ
レーム１３，主端子１７及び制御端子２５についても、
これら実装部品２３と同時に、もしくは別工程によっ
て、金属基板１９上に半田接合する。この状態で、制御
回路部としての選別を行う。
【００２３】次いで、Ａｌワイヤボンデイング部１６に
よりスイッチング用半導体素子１１，プリント基板２１
及びリードフレーム１３などを電気的に接続する。上記
工程で準備された一連の回路を、実施例１と同様の工程
に従って、樹脂モールドを一体成形して、所望の半導体
装置を得る。
【００２４】絶縁金属基板１９を適用した本実施例の特
徴は、許容電流の大きいリードフレーム１３を併用した
ことにある。すなわち、絶縁金属基板上には微細導体配
線が形成可能で、制御用集積回路素子の搭載が容易であ
る。一方、主回路には厚い層のリードフレーム１３によ
って大電流を流すことができ、同時にスイッチング用半
導体素子１１から発生する熱を、水平方向に拡散する効
果を発揮し、装置全体として低熱抵抗化を実現できる。
【００２５】実施例５ 実施例１と同様の手順によって作製したパワー半導体装
置を用いたインバータ装置を三相インダクションモータ
に直接取り付けて両者を一体化した。電気回路的には図
７に示すブロック図と同様である。本発明による半導体
装置は熱抵抗が低く、かつスイッチング用半導体素子１
１に近接して配置された制御回路部を有して信頼性が高
いので、厳しい環境で使用されるモータ、例えばルーム
エアコン用コンプレッサなど、各種モータ及び搬送用な
どのモータとの一体化が可能となる。このようにインバ
ータとモータとを一体化することにより、それぞれの装
置全体としての小型化，高信頼性化を実現出来る。
【００２６】実施例６ 例えば、実施例１による半導体装置を適用した家庭用空
調機の回路ブロック図を図８に示す。本図は、圧縮機駆
動用モータとして実施例１による半導体装置を用いて構
成した。図９にスイッチング回路部及びモータ部の詳細
を示す。図中、Ｐ及びＮの端子が電源回路部に接続され
る。本構成の空調機とすることにより、スイッチング回
路部を小形で、かつ低熱抵抗にできる。従って、熱効率
の高いモータ駆動が可能であり、省エネルギー型の空調
機を提供できる。
【００２７】本実施例の構成を、家庭用及びもしくは産
業用などモータを具備する他の電気機器、例えば冷蔵
庫，冷凍庫，ポンプ，搬送機などに適用することによ
り、同様に省エネルギー型の電気機器を実現できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
の効果がある。
【００２９】１．リードフレーム上に、スイッチング用
半導体素子を固着し、樹脂絶縁層を介してベース基板を
配置して主回路部を構成する一方、微細配線の形成が可
能で、例えば過温度，過電流及び電圧低下などの各種保
護回路及びマイクロコンピュータなどを、制御回路部に
搭載できるプリント基板上に制御回路を配置して、制御
回路部を構成し、かつ両者を近接配置して電気的に接続
し、全体を樹脂モールドで補強する構造を有するため、
低い熱抵抗と、高い信頼性とを同時に実現する効果があ
る。
【００３０】２．スイッチング素子に近接して、制御用
集積回路素子としてのドライバＩＣ及びマイクロコンピ
ュータなどが配置されるので、制御動作の応答速度が高
く、高信頼性を確保しやすいという効果がある。
【００３１】３．選別された制御回路部を適用すること
により、製品の良品歩留まりを向上し、装置全体として
の高信頼性を実現する効果がある。
【００３２】４．樹脂絶縁層の形成に際して、予め成形
された未硬化性樹脂シートが適用されるので、より薄く
かつ安定した層厚さを有する樹脂絶縁層を提供できると
いう効果がある。
【００３３】５．主端子及び制御端子が樹脂モールドの
上面に導出された構造を有するので、グランド層との絶
縁空間距離及び絶縁沿面距離を充分に確保しやすいとい
う効果がある。
【００３４】６．本発明による熱抵抗の低い半導体装置
によってモータを駆動するので、省エネルギー型の電気
機器を低価格で実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１によるパワー半導体装置の断
面構成図。
【図２】本発明の実施例１によるパワー半導体装置の斜
視模式図。
【図３】本発明の実施例２によるパワー半導体装置の断
面構成図。
【図４】本発明の実施例２によるパワー半導体装置の上
面構成図。
【図５】本発明の実施例３によるパワー半導体装置の断
面構成図。
【図６】本発明の実施例４によるパワー半導体装置の断
面構成図。
【図７】本発明の一実施例によるインバータモジュール
の回路ブロック図。
【図８】本発明の一実施例による空調機の回路ブロック
図。
【図９】本発明の一実施例による空調機スイッチング部
の回路ブロック図。
【符号の説明】
１１…スイッチング用半導体素子、１１ａ…整流ダイオ
ード、１１ｂ…IGBT、１２…半田層、１３…リードフレ
ーム、１５…ベース基板、１６…ワイヤボンデイング
部、１７…主端子、１８…樹脂絶縁層、１９…樹脂絶縁
金属基板、２１…プリント基板、２２…制御用集積回路
素子、２２ａ…ドライバＩＣ、２２ｂ…マイクロコンピ
ュータ、２３…実装部品、２４…細線ワイヤボンデイン
グ部、２５…制御端子、３０…樹脂モールド、３１…取
り付け穴、３２…スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神村 典孝 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 和弘 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐伯 準一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山田 一二 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 石井 誠 栃木県下都賀郡大平町大字富田800番地 株式会社日立製作所冷熱事業部栃木本部内 (72)発明者 丹波 昭浩 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】主回路部，制御回路部及び外装樹脂モール
    ドとを有し、該樹脂モールドの表面に導出された主回路
    端子及び制御回路端子とを有する半導体装置において、
    該主回路部はスイッチング用半導体素子がリードフレー
    ム上に固着され、該リードフレームは電気絶縁層として
    の樹脂層を挟持してベース基板が配置された構造を有
    し、該制御回路部はプリント基板上に、少なくとも１つ
    の制御用集積回路素子を具備し、該素子とプリント基板
    とが導電性ワイヤによって電気的に直接接続され、該主
    回路部及び該制御回路部とが電気的に接続され、該ベー
    ス基板の少なくとも一部が、実質的に該樹脂モールドの
    外面に露出した形で、その他の部分が該樹脂モールドに
    よって一体的に封止された構造を有することを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、前記制御用集積回路素
    子として、前期スイッチング用半導体素子を駆動するた
    めの少なくとも１つのドライバＩＣ、及び該ドライバＩ
    Ｃを制御するためのマイクロコンピュータとを含み構成
    されたことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】主回路部及び制御回路部とを有し、外装モ
    ールドの表面に導出された主回路端子及び制御回路端子
    とを有する半導体装置の製法において、該主回路部とし
    てスイッチング用半導体素子がリードフレーム上に固着
    される工程、該制御回路部としてプリント基板上に、少
    なくとも１つの制御用集積回路素子を搭載する工程、該
    素子と該プリント基板とを導電性ワイヤによって電気的
    に直接接続する工程、該主回路部及び該制御回路部とを
    電気的に接続する工程、該制御回路部を選別するための
    検査工程、樹脂モールドによって一体的に封止する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製法。
  4. 【請求項４】請求項３の製法において、前記リードフレ
    ーム及び前期ベース基板とで、予め成形された未硬化性
    樹脂シートを挾持して前記樹脂絶縁層を形成することを
    特徴とする半導体装置の製法。
  5. 【請求項５】請求項１ないし請求項２において、前記主
    端子及びもしくは制御端子が前記樹脂モールドの上面に
    導出，配置されて構成されたことを特徴とする半導体装
    置。
  6. 【請求項６】少なくとも１つのモータと、該モータを駆
    動する半導体装置とを具備する電気機器において、前記
    請求項１ないし請求項２及び請求項５の少なくともいず
    れか１つによる半導体装置を用いて構成されたことを特
    徴とする電気機器。
JP2949198A 1998-02-12 1998-02-12 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器 Pending JPH11233712A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2949198A JPH11233712A (ja) 1998-02-12 1998-02-12 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器
US09/248,000 US6291880B1 (en) 1998-02-12 1999-02-10 Semiconductor device including an integrally molded lead frame
DE1999607537 DE69907537T2 (de) 1998-02-12 1999-02-11 Hybrid-Halbleitermodul aus vergossenem Kunstharz und Verfahren zuseiner Herstellung
EP19990101733 EP0936671B1 (en) 1998-02-12 1999-02-11 Resin-moulded semiconductor hybrid module and manufacturing method thereof
KR1019990004915A KR19990072605A (ko) 1998-02-12 1999-02-11 반도체장치및그제법과그것을사용한전기기기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2949198A JPH11233712A (ja) 1998-02-12 1998-02-12 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11233712A true JPH11233712A (ja) 1999-08-27

Family

ID=12277552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2949198A Pending JPH11233712A (ja) 1998-02-12 1998-02-12 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6291880B1 (ja)
EP (1) EP0936671B1 (ja)
JP (1) JPH11233712A (ja)
KR (1) KR19990072605A (ja)
DE (1) DE69907537T2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250911A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形電力用半導体装置
KR20010107556A (ko) * 2000-05-23 2001-12-07 가나이 쓰토무 반도체 장치와 그 제조방법
JP2002164492A (ja) * 2000-11-10 2002-06-07 Fairchild Korea Semiconductor Kk インテリジェントパワーモジュールパッケージ
JP2002203940A (ja) * 2001-01-04 2002-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール
JP2002353404A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Taiheiyo Seiko Kk インテリジェントパワースイッチ装置
WO2007026944A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Sanyo Electric Co., Ltd. 回路装置およびその製造方法
KR100962525B1 (ko) * 2006-10-30 2010-06-14 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력 반도체 장치
JP2011108924A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nec Access Technica Ltd 熱伝導基板及びその電子部品実装方法
JP2011119489A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Denso Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2012069764A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 On Semiconductor Trading Ltd 回路装置およびその製造方法
WO2012053205A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN102473700A (zh) * 2010-06-11 2012-05-23 松下电器产业株式会社 树脂封装型半导体装置及其制造方法
JP2012151163A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール
JP2013026627A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd パワー素子パッケージモジュール及びその製造方法
JP2013258321A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US8643026B2 (en) 2011-02-14 2014-02-04 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
JP2015173299A (ja) * 2015-07-06 2015-10-01 三菱電機株式会社 半導体モジュール
US9190397B2 (en) 2012-02-14 2015-11-17 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
US9443784B2 (en) 2012-03-09 2016-09-13 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module including plate-shaped insulating members having different thickness
US9906165B2 (en) 2015-07-31 2018-02-27 Renesas Electronics Corporation Semiconductor module
WO2019244372A1 (ja) * 2018-06-20 2019-12-26 ローム株式会社 半導体装置
CN113508461A (zh) * 2019-03-11 2021-10-15 株式会社电装 半导体装置

Families Citing this family (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828600B2 (en) * 1997-05-09 2004-12-07 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh Power semiconductor module with ceramic substrate
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
US6911124B2 (en) * 1998-09-24 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method of depositing a TaN seed layer
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
WO2000049656A1 (fr) * 1999-02-17 2000-08-24 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication associe
JP3547333B2 (ja) * 1999-02-22 2004-07-28 株式会社日立産機システム 電力変換装置
KR100335481B1 (ko) * 1999-09-13 2002-05-04 김덕중 멀티 칩 패키지 구조의 전력소자
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR100403142B1 (ko) 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6639308B1 (en) 1999-12-16 2003-10-28 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
KR100421774B1 (ko) 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
JP3864029B2 (ja) * 2000-03-24 2006-12-27 松下電器産業株式会社 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
KR100559664B1 (ko) * 2000-03-25 2006-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100583494B1 (ko) 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
EP1895584B1 (en) * 2000-06-01 2010-12-22 Panasonic Corporation Method of manufacturing a thermally conductive substrate with leadframe and heat radiation plate
KR20020058209A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR100393448B1 (ko) 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6597059B1 (en) 2001-04-04 2003-07-22 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package
KR100723454B1 (ko) * 2004-08-21 2007-05-30 페어차일드코리아반도체 주식회사 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법
US7061080B2 (en) * 2001-06-11 2006-06-13 Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Power module package having improved heat dissipating capability
JP4540884B2 (ja) * 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
TW585015B (en) * 2001-06-28 2004-04-21 Sanyo Electric Co Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing same
JP3676268B2 (ja) * 2001-08-01 2005-07-27 株式会社日立製作所 伝熱構造体及び半導体装置
DE10144324A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Delphi Tech Inc Elektrisches Modul
DE10144323A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Delphi Tech Inc Elektrische Schaltungseinheit, insbesondere Leistungsmodul, und Verfahren zur deren Herstellung
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
KR100843734B1 (ko) * 2001-09-27 2008-07-04 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법
JP2003124437A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
TW523894B (en) * 2001-12-24 2003-03-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2003264265A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
EP1424728A1 (de) * 2002-11-27 2004-06-02 Abb Research Ltd. Leistungshalbleitermodul
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
JP3734807B2 (ja) * 2003-05-19 2006-01-11 Ｔｄｋ株式会社 電子部品モジュール
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US6919625B2 (en) * 2003-07-10 2005-07-19 General Semiconductor, Inc. Surface mount multichip devices
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
JP2005191148A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置およびその製造方法
JP4488733B2 (ja) * 2003-12-24 2010-06-23 三洋電機株式会社 回路基板の製造方法および混成集積回路装置の製造方法。
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
JP3809168B2 (ja) * 2004-02-03 2006-08-16 株式会社東芝 半導体モジュール
JP2005286057A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
DE102005016830A1 (de) * 2004-04-14 2005-11-03 Denso Corp., Kariya Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7382056B2 (en) * 2004-04-29 2008-06-03 Sychip Inc. Integrated passive devices
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7473853B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device
TWI257164B (en) * 2005-04-01 2006-06-21 Cyntec Co Ltd Package structure having mixed circuit and complex substrate
CN100420017C (zh) * 2005-05-18 2008-09-17 乾坤科技股份有限公司 具有混合线路与复合基板的封装结构
US7221055B2 (en) * 2005-05-23 2007-05-22 Texas Instruments Incorporated System and method for die attach using a backside heat spreader
TW200642550A (en) * 2005-05-25 2006-12-01 Cyntec Co Ltd Power module package structure
CN101283449B (zh) * 2005-07-01 2014-08-20 维税-希力康克斯公司 以单个贴装封装实现的完整功率管理系统
CN100456473C (zh) * 2005-07-08 2009-01-28 乾坤科技股份有限公司 功率电源模块的封装结构
KR20080031449A (ko) * 2005-08-31 2008-04-08 산요덴키가부시키가이샤 회로 장치 및 그 제조 방법
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
CN100539121C (zh) * 2006-03-01 2009-09-09 乾坤科技股份有限公司 降低电磁波干扰的封装元件
US20070257343A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Hauenstein Henning M Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2034519A4 (en) * 2006-05-30 2012-01-04 Kokusan Denki Co RESIN SEMICONDUCTED SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND ELECTRONIC ARRANGEMENT WITH SUCH A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
DE102006033175A1 (de) * 2006-07-18 2008-01-24 Robert Bosch Gmbh Elektronikanordnung
DE102006049949B3 (de) * 2006-10-19 2008-05-15 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Halbleiterchips auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und Verfahren zur Herstelllung desselben
US7957158B2 (en) * 2006-10-31 2011-06-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
KR101221807B1 (ko) * 2006-12-29 2013-01-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
EP1968188B1 (de) * 2007-03-09 2012-08-08 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Klasse-D Verstärkeranordnung
DE102007013186B4 (de) * 2007-03-15 2020-07-02 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
JP5252819B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-31 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
CN101414565B (zh) 2007-10-16 2012-07-04 飞思卡尔半导体（中国）有限公司 形成预成型引线框的方法
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8227908B2 (en) 2008-07-07 2012-07-24 Infineon Technologies Ag Electronic device having contact elements with a specified cross section and manufacturing thereof
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
TWI394258B (zh) * 2008-11-11 2013-04-21 乾坤科技股份有限公司 晶片封裝結構及其製作方法
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
JP4634498B2 (ja) * 2008-11-28 2011-02-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8339799B2 (en) * 2009-08-31 2012-12-25 Infinera Corporation Integrated circuit with pins at multiple edges of a chip
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
JP5099243B2 (ja) * 2010-04-14 2012-12-19 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP5201171B2 (ja) * 2010-05-21 2013-06-05 株式会社デンソー 半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
KR101333798B1 (ko) * 2011-06-21 2013-11-29 주식회사 아모텍 차량용 모터 구동장치 및 이를 이용한 차량용 워터펌프
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9318473B2 (en) * 2012-04-20 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a polymer disposed on a carrier
FR2990795B1 (fr) * 2012-05-16 2015-12-11 Sagem Defense Securite Agencement de module electronique de puissance
EP2680305A3 (en) * 2012-06-29 2014-02-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Semiconductor package
KR101366889B1 (ko) * 2012-10-18 2014-02-24 삼성전기주식회사 반도체 패키지
KR101449271B1 (ko) * 2013-04-19 2014-10-08 현대오트론 주식회사 오버몰딩을 이용한 차량의 전자 제어 장치 및 그 제조 방법
WO2015001648A1 (ja) 2013-07-04 2015-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置
KR101428933B1 (ko) * 2013-07-05 2014-08-08 현대오트론 주식회사 방열판을 이용한 차량의 전자 제어 장치 및 그 제조 방법
US20150075849A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-19 Jia Lin Yap Semiconductor device and lead frame with interposer
CN104465603A (zh) * 2013-09-23 2015-03-25 台达电子企业管理（上海）有限公司 功率模块
US9667106B2 (en) 2013-09-25 2017-05-30 Regal Beloit Australia Pty Ltd Motor housing and methods of assembling the same
KR20150060036A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 삼성전기주식회사 전력 반도체 모듈 및 그 제조 방법
US9627302B2 (en) * 2014-01-10 2017-04-18 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
JP2015156423A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 ローム株式会社 半導体装置
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
JP6345583B2 (ja) * 2014-12-03 2018-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN106684076B (zh) * 2015-11-05 2019-09-06 台达电子企业管理（上海）有限公司 封装结构及其制造方法
US9960127B2 (en) 2016-05-18 2018-05-01 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High-power amplifier package
US10134658B2 (en) 2016-08-10 2018-11-20 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High power transistors
JP6770452B2 (ja) * 2017-01-27 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN112216686A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 上海华为技术有限公司 一种封装结构以及功率放大器
JP7729024B2 (ja) * 2020-03-12 2025-08-26 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
DE102022212608B4 (de) * 2022-11-25 2025-07-17 Zf Friedrichshafen Ag Verfahren zum bilden eines leistungsmoduls
DE102024207008A1 (de) * 2024-07-25 2026-01-29 Volkswagen Aktiengesellschaft Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160154A (ja) * 1984-01-30 1985-08-21 Nec Kansai Ltd Ｈｉｃ
JPH05226575A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH09102580A (ja) * 1995-08-02 1997-04-15 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH09129822A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH09186269A (ja) * 1996-01-05 1997-07-15 Hitachi Ltd 半導体装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0363822A (ja) 1989-08-02 1991-03-19 Nec Corp 計算機制御方式
US5077595A (en) 1990-01-25 1991-12-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JPH0680748A (ja) 1992-09-03 1994-03-22 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 軟質ポリウレタンモールドフォームの製造方法
JPH07263621A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Toshiba Corp 半導体装置
US5699609A (en) 1995-04-12 1997-12-23 Allen-Bradley Company, Inc. Method of making power substrate assembly
JPH08298299A (ja) 1995-04-27 1996-11-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2914242B2 (ja) * 1995-09-18 1999-06-28 日本電気株式会社 マルチチップモジュール及びその製造方法
JP3516789B2 (ja) 1995-11-15 2004-04-05 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP3206717B2 (ja) * 1996-04-02 2001-09-10 富士電機株式会社 電力用半導体モジュール
JPH1022435A (ja) 1996-07-02 1998-01-23 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3201277B2 (ja) 1996-09-11 2001-08-20 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH10125826A (ja) 1996-10-24 1998-05-15 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製法
JPH10135380A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Hitachi Ltd 半導体装置
US6018463A (en) * 1997-08-22 2000-01-25 Raytheon Company Large non-hermetic multichip module package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160154A (ja) * 1984-01-30 1985-08-21 Nec Kansai Ltd Ｈｉｃ
JPH05226575A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH09102580A (ja) * 1995-08-02 1997-04-15 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH09129822A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH09186269A (ja) * 1996-01-05 1997-07-15 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250911A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形電力用半導体装置
KR20010107556A (ko) * 2000-05-23 2001-12-07 가나이 쓰토무 반도체 장치와 그 제조방법
JP2002164492A (ja) * 2000-11-10 2002-06-07 Fairchild Korea Semiconductor Kk インテリジェントパワーモジュールパッケージ
JP2002203940A (ja) * 2001-01-04 2002-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール
JP2002353404A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Taiheiyo Seiko Kk インテリジェントパワースイッチ装置
US8203848B2 (en) 2005-08-31 2012-06-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device and method of manufacturing the same
WO2007026944A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Sanyo Electric Co., Ltd. 回路装置およびその製造方法
JPWO2007026944A1 (ja) * 2005-08-31 2009-03-12 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
KR100962525B1 (ko) * 2006-10-30 2010-06-14 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력 반도체 장치
US7910949B2 (en) 2006-10-30 2011-03-22 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
JP2011108924A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nec Access Technica Ltd 熱伝導基板及びその電子部品実装方法
US8278750B2 (en) 2009-11-19 2012-10-02 Nec Access Technica, Ltd Heat conduction board and mounting method of electronic components
JP2011119489A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Denso Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
CN102473700A (zh) * 2010-06-11 2012-05-23 松下电器产业株式会社 树脂封装型半导体装置及其制造方法
US9998032B2 (en) 2010-09-24 2018-06-12 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a circuit device
CN107301955A (zh) * 2010-09-24 2017-10-27 半导体元件工业有限责任公司 电路装置及其制造方法
JP2012069764A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 On Semiconductor Trading Ltd 回路装置およびその製造方法
US9793826B2 (en) 2010-09-24 2017-10-17 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a circuit device
US9722509B2 (en) 2010-09-24 2017-08-01 Semiconductor Components Industries, Llc Hybrid circuit device
US9275930B2 (en) 2010-09-24 2016-03-01 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device and method of manufacturing the same
JPWO2012053205A1 (ja) * 2010-10-21 2014-02-24 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP2631942A4 (en) * 2010-10-21 2014-11-12 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
US8987877B2 (en) 2010-10-21 2015-03-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012053205A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012151163A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール
US8643026B2 (en) 2011-02-14 2014-02-04 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
JP2013026627A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd パワー素子パッケージモジュール及びその製造方法
US9190397B2 (en) 2012-02-14 2015-11-17 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
US9443784B2 (en) 2012-03-09 2016-09-13 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module including plate-shaped insulating members having different thickness
JP2013258321A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2015173299A (ja) * 2015-07-06 2015-10-01 三菱電機株式会社 半導体モジュール
US9906165B2 (en) 2015-07-31 2018-02-27 Renesas Electronics Corporation Semiconductor module
WO2019244372A1 (ja) * 2018-06-20 2019-12-26 ローム株式会社 半導体装置
JPWO2019244372A1 (ja) * 2018-06-20 2021-03-25 ローム株式会社 半導体装置
JP2022105164A (ja) * 2018-06-20 2022-07-12 ローム株式会社 半導体装置
US11437354B2 (en) 2018-06-20 2022-09-06 Rohm Co, Ltd. Semiconductor device
US11804478B2 (en) 2018-06-20 2023-10-31 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US12191289B2 (en) 2018-06-20 2025-01-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
CN113508461A (zh) * 2019-03-11 2021-10-15 株式会社电装 半导体装置
CN113508461B (zh) * 2019-03-11 2023-08-11 株式会社电装 半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69907537T2 (de) 2004-04-01
KR19990072605A (ko) 1999-09-27
EP0936671A1 (en) 1999-08-18
DE69907537D1 (de) 2003-06-12
US6291880B1 (en) 2001-09-18
EP0936671B1 (en) 2003-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11233712A (ja) 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器
JP3201277B2 (ja) 半導体装置
US7612434B2 (en) Electronic device having wiring substrate and lead frame
US20210057372A1 (en) Double-sided cooling type power module and manufacturing method therefor
US7061080B2 (en) Power module package having improved heat dissipating capability
US6584681B2 (en) Method for producing a microelectronic component of sandwich construction
JP3674333B2 (ja) パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム
CN104285294B (zh) 半导体装置及该半导体装置的制造方法
JP3846699B2 (ja) 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
US10763244B2 (en) Power module having power device connected between heat sink and drive unit
JP4385324B2 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
CN202662593U (zh) 半导体器件
JPH10135380A (ja) 半導体装置
US20180040562A1 (en) Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung
JPH08298299A (ja) 半導体装置
JP2003068978A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000183281A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007067084A (ja) 電力用半導体素子及び半導体電力変換装置
JP2000196011A (ja) 電子装置及びその製造方法
JPS6050354B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2000031338A (ja) 半導体装置及びその製法
JP4961314B2 (ja) パワー半導体装置
JP4527292B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JPH09213877A (ja) マルチチップモジュール半導体装置
JP2002033433A (ja) 半導体装置およびその製法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040120

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040525