JPH11233713A

JPH11233713A - 半導体装置及びその製造方法並びに製造装置

Info

Publication number: JPH11233713A
Application number: JP10036042A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Takeoka; 嘉昭竹岡; Yasuyuki Sakashita; 靖之阪下; Tetsuhiro Yamamoto; 哲浩山本
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-02-18
Filing date: 1998-02-18
Publication date: 1999-08-27
Anticipated expiration: 2018-02-18
Also published as: JP3631605B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体素子の電極ピッチに対応した導電性接
着剤の量を供給し、搭載歩留まりを低下させることなく
ＭＣＭの実装を行うことができる。【解決手段】上面に複数の電極と底面に外部電極とを
有した絶縁性基体からなる半導体キャリア４と、この半
導体キャリア４の上面の複数の電極６と導電性接着剤８
により周辺電極５が接合された複数の半導体素子１…
と、半導体素子１と半導体キャリア４との間に形成され
た隙間と半導体素子１の周辺端部を充填被覆している封
止樹脂９とを備えた半導体装置であって、搭載する半導
体素子１の電極ピッチによって導電性接着剤８の量が異
なっている。これにより、粗いピッチの半導体素子に対
しては半導体キャリア４の反り等吸収させるのに十分な
量の導電性接着剤８を確保することができ、搭載歩留り
を向上させることができ、その結果としてＭＣＭ全体の
搭載歩留りを向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子の集
積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的
接続を安定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可
能とした半導体装置マルチチップモジュール（以降ＭＣ
Ｍと称する）の構造及び製造法に関するもので、特に半
導体素子とキャリアとの接続にＡｕバンプと導電性接着
剤を用いた半導体装置及びその製造方法並びに製造装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスを高密度に実装す
る手段の一つとして、複数の半導体素子を一つのキャリ
アに搭載し、一つのデバイスとする（ＭＣＭ）の検討が
なされている。以下、従来のＡｕバンプと導電性接着剤
を用いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら
説明する。図８は従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用
いたＭＣＭの半導体素子電極とキャリア電極の接続を示
す断面図、図９はその平面図である。

【０００３】図示するように、複数の異なる半導体素子
２７，２８，２９を同じキャリア３０に搭載している
が、搭載する半導体素子２７，２８，２９の電極ピッチ
に因らず同じ量の導電性接着剤３１でＡｕバンプ３２と
キャリア電極３３が接続されている。また、半導体素子
２７，２８，２９とキャリア３０の隙間及び半導体素子
２７，２８，２９の周囲には封止樹脂３４が存在してい
る。この場合、隣接間ショートを防ぐため、搭載される
すべての半導体素子２７，２８，２９の導電性接着剤３
１の量が、搭載される半導体素子２７，２８，２９の中
で一番電極ピッチの狭い半導体素子によって決まること
になる。また、導電性接着剤を用いるフリップチップ工
法では、一般的に導電性接着剤の量が少なくなるほどキ
ャリアの反りやうねりを吸収しずらくなるので、搭載歩
留まりが低くなる傾向にある。

【０００４】次に従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用
いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明
する。図１０および図１１は従来のＭＣＭの製造方法を
工程別に示した断面図である。まず図１０に示すよう
に、半導体素子２７の電極上３５にＡｕバンプ３２を形
成する（図１０（ａ））。次に平坦かつ平滑な面を有す
る転写皿３６上に、一定厚さの平滑な面を有する導電性
接着剤の膜３７を形成する（図１０（ｂ））。半導体素
子２７のＡｕバンプ３２をフェイスダウンで導電性接着
剤の膜３７に浸漬させ、導電性接着剤３８をＡｕバンプ
３２に転写させる（図１０（ｃ），（ｄ））。次に、Ａ
ｕバンプ３２に導電性接着剤３８を転写させた半導体素
子２７を、搭載させるキャリア３０に位置合わせして搭
載する（図１０（ｅ））。さらに、図１１に示すように
残りの複数の半導体素子２８，２９について図１０
（ａ）〜（ｅ）を繰り返し、一つのキャリア３０に対し
て複数の半導体素子２７，２８，２９を搭載し、オーブ
ン等で導電性接着剤３８を硬化させる（図１１
（ｆ））。この時搭載される複数の半導体素子２７，２
８，２９すべては、一台の転写部を有する１台の搭載機
を用いて実装されるため、転写される導電性接着剤３８
の量は全ての半導体素子２７，２８，２９について同じ
になる。次に、半導体素子２７，２８，２９とキャリア
３０との隙間及び半導体素子２７，２８，２９の周辺部
に絶縁性樹脂３４を流し込み、熱硬化させる（図１１
（ｇ））。

【０００５】また次に従来の転写を行うための導電性接
着剤膜の形成について説明する。図１２は従来の転写ユ
ニットを説明するための簡単な模式図である。（ａ）は
平面図で、（ｂ）は（ａ）をＧ−Ｈで切ったときの断面
図である。平坦かつ平滑な面を有する転写皿３９と膜厚
を調整するためのブレード４０、一旦膜面の平滑性を破
壊する掻き取りブレード４１、及び周囲に追いやられた
導電性接着剤を集めるかき寄せブレード４２を有する回
転ユニット４３からなり、ブレード４０の高さを制御す
ることにより、必要な厚さの導電性接着剤の膜４４を形
成する。この場合、回転毎にブレード４０の高さを変え
ない限り、異なる厚さの導電性接着剤の膜４４を形成す
ることはできない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、搭載する全ての半導体素子に対する導電性接着剤の
転写に関して、同じ転写ユニットを用いるものであり、
さらに転写ユニットについては高さを固定した１枚のブ
レードのみで転写膜（導電性接着剤の膜）を形成してい
るものであるので、搭載するすべての半導体素子に対し
て同じ膜厚で導電性接着剤の転写を行うことになる。こ
の場合、転写される導電性接着剤の量は搭載する全ての
半導体素子について同じになり、その量は最も狭い電極
ピッチを有する半導体素子に合わせざるおえない。そし
て狭ピッチな半導体素子を含む場合には転写させる導電
性接着剤を制限する必要があるので、その他のピッチの
大きい半導体素子についてもその少ない転写量で生産す
ることになり、前述のように導電性接着剤の量が少なく
なるほどキャリアの反りやうねりを吸収しずらくなるの
で、搭載歩留まりが低下してしまうという課題を有して
いた。

【０００７】したがって、この発明の目的は、前記従来
の課題を解決するものであって、半導体素子の電極ピッ
チに対応した導電性接着剤の量を供給し、搭載歩留まり
を低下させることなくＭＣＭの実装を行うことができる
半導体装置及びその製造方法並びに製造装置を提供する
ことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】従来の課題を解決するた
めこの発明の請求項１記載の半導体装置は、上面に複数
の電極と底面に外部電極とを有した絶縁性基体からなる
半導体キャリアと、この半導体キャリアの上面の複数の
電極と導電性接着剤により周辺電極が接続された複数の
半導体素子と、半導体素子と半導体キャリアとの間に形
成された隙間と半導体素子の周辺端部を充填被覆してい
る封止樹脂とを備えた半導体装置であって、搭載する半
導体素子の電極ピッチによって導電性接着剤の量が異な
っていることを特徴とする。

【０００９】このように、搭載する半導体素子の電極ピ
ッチによって導電性接着剤の量が異なっているので、粗
いピッチの半導体素子に対しては半導体キャリアの反り
等吸収させるのに十分な量の導電性接着剤を確保するこ
とができ、搭載歩留りを向上させることができ、その結
果としてＭＣＭ全体の搭載歩留りを向上させることがで
きる。

【００１０】請求項２記載の半導体装置は、請求項１に
おいて、導電性接着剤の量が搭載する半導体素子の素子
電極の最小ピッチに対応して供給されている。このよう
に、導電性接着剤の量が搭載する半導体素子の素子電極
の最小ピッチに対応して供給されているので、半導体素
子の実装において最適な量の導電性接着剤を確保するこ
とができる。

【００１１】請求項３記載の半導体装置は、請求項１に
おいて、導電性接着剤の量が搭載する半導体素子の電極
ピッチが狭いほど少ない。このように、導電性接着剤の
量が搭載する半導体素子の電極ピッチが狭いほど少ない
ので、隣接間ショートを防ぐことができる。請求項４記
載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上
にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供
給する工程と、半導体素子上の導電性接着剤が供給され
たバンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置
合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程
と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形
成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂
を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であっ
て、バンプに導電性接着剤を供給する際、複数の異なる
厚さの導電性接着剤の膜を形成し、バンプの一部を導電
性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写さ
せることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによ
って異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とす
る。

【００１２】このように、バンプに導電性接着剤を供給
する際、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成
し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプ
に導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導
体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を
供給するので、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させる
ことができる。このため、設備的にもプロセスフロー的
にも従来と同じものを利用して、搭載する半導体素子の
電極ピッチによって供給する導電性接着剤の量を調整す
ることができ、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大
きく向上させることができる。

【００１３】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
請求項４において、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤
を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成される
ように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整するこ
とにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に
形成する。これにより、ブレードの枚数に対応した複数
の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成する
ことができる。

【００１４】請求項６記載の半導体装置の製造方法は、
請求項４において、表面が平坦な複数の段部を有する転
写皿に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を
調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を
転写皿上に形成する。これにより、転写皿の段部の段数
に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写
皿上に形成することができる。

【００１５】請求項７記載の半導体装置の製造方法、請
求項４において、表面が平坦な複数の段部を有する転写
皿に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を
調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を
転写皿上に形成する。これにより、転写皿の段部の段数
に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写
皿上に形成することができるとともに、各々のブレード
のレベルを変えることによっても異なる厚さの導電性接
着剤の膜を形成することができる。

【００１６】請求項８記載の半導体装置の製造装置は、
半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニッ
トにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャ
リア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造
装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層す
る転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成
されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する
複数枚のブレードとを備えた。このように、転写ユニッ
トが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の
表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導
電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備え
ているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形
成することができる。このため、バンプの一部を導電性
接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させ
ることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによっ
て異なる量の導電性接着剤を供給することができる。

【００１７】請求項９記載の半導体装置の製造装置は、
半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニッ
トにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャ
リア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造
装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層す
る複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を
調整する一枚のブレードとを備えた。このように、転写
ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有す
る転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレ
ードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接
着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの
一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着
剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極
ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給すること
ができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１〜図
７に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態の
半導体装置における３素子が搭載されたＭＣＭの構造を
示した断面図、図２はその平面図である。同図におい
て、図２をＡ−Ｂで切ったときの接続部（Ａｕバンプ）
構成を含む断面図が図１である。

【００１９】図示するように、キャリア基板（半導体キ
ャリア）４は上面に複数の配線電極６と底面に格子状に
配列された外部電極（図示せず）とを有する絶縁性基体
からなる。第一の半導体素子１、第二の半導体素子２、
及び第三半導体素子３の３つの半導体素子が１枚のキャ
リア基板４にフェイスダウンで搭載されており、この時
それぞれの半導体素子の周辺電極であるＡｌ電極５とキ
ャリア基板４の配線電極６とはＡｕバンプ７と導電性接
着剤８を介して電気的に接続されている。さらに半導体
素子１の導電性接着剤の量は、半導体素子３の導電性接
着剤の量より少なくなっている。また、全ての半導体素
子１，２，３とキャリア基板４の隙間及び半導体素子
１，２，３の周辺には封止樹脂９が注入硬化され、半導
体素子１，２，３を保護している。

【００２０】次にこの実施の形態の３個の半導体素子が
搭載されたＭＣＭの製造方法について図面を参照しなが
ら説明する。図３と図４はこの実施の形態のＭＣＭの製
造方法を示した工程図である。まず図３（ａ）に示すよ
うに、第一の半導体素子１のＡｌ電極５にＡｕバンプ７
を形成する。次に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１
を形成する（図３（ｂ））。次に第一の半導体素子１を
フェイスダウンで、導電性接着剤膜１１にＡｕバンプ７
の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第一の半導体素子
１の素子電極の最小ピッチの実装に対応した最適な量の
導電性接着剤１２を転写させる（図３（ｃ），
（ｄ））。次に第一の半導体素子１上の導電性接着剤１
２が供給されたＡｕバンプ７と、キャリア基板４上面の
対応する配線電極６とを位置合わせし、キャリア基板４
上の適正位置に第一の半導体素子１を搭載する（図３
（ｅ））。

【００２１】次に図４（ｆ）に示すように、第二の半導
体素子２のＡｌ電極５にＡｕバンプ７を形成する。次
に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１よりも厚い導電
性接着剤膜１３を形成する（図４（ｇ））。次に第二の
半導体素子２をフェイスダウンで、導電性接着剤膜１３
にＡｕバンプ７の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第
二の半導体素子２の素子電極の最小ピッチの実装に対応
した最適な量の導電性接着剤１４を転写させる（図４
（ｈ），（ｉ））。

【００２２】次に図５に示すように、第二の半導体素子
２上の導電性接着剤１４が供給されたＡｕバンプ７と、
キャリア基板４上面の対応する配線電極６とを位置合わ
せし、キャリア基板４上の適正位置に、第二の半導体素
子２を搭載する（図５（ｊ））。第一の半導体素子１及
び第二の半導体素子２の搭載と同様なプロセスで第三の
半導体素子３をキャリア基板４に搭載後、熱硬化し、さ
らに搭載した３個の半導体素子に対し封止樹脂９を注
入、硬化させる。このとき、封止樹脂９を半導体素子と
キャリア基板４との間に形成された隙間とその周辺部に
注入する。以上の工程により３個の半導体素子１，２，
３を搭載したＭＣＭ１５が完成する（図５（ｋ））。

【００２３】次に上記導電性接着剤を転写させる工程に
おいて、搭載する半導体素子の電極ピッチによって導電
性接着剤の量を異ならせるために、転写皿上に形成する
導電性接着剤膜の厚さを変化させる方法について説明す
る。図６はこの実施の形態における３種類の膜厚を形成
する転写ユニットについて示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）をＣ−Ｄで切ったときの断面図である。
転写ユニットは、ドーナツ状で表面が平滑及び平坦な転
写皿１６、この転写皿１６上の中央部に設置された回転
モータ１７により転写を行うための膜面を形成する第一
のブレード１８、第二のブレード１９、第三のブレード
２０、導電性接着剤２３を常にかき混ぜて一旦膜面の平
滑性を破壊する掻き取りブレード２１及び周囲に追いや
られた導電性接着剤２３を集める掻き寄せブレード２２
を備えている。第一のブレード１８，第二のブレード１
９，第三のブレード２０は、転写皿１６の表面に対し異
なる隙間ｈ₁，ｈ₂，ｈ₃が形成されるように配置され
ている。そして、転写皿１６上に導電性接着剤を積層
し、第一のブレード１８、第二のブレード１９、第三の
ブレード２０、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレ
ード２２を回転させ膜厚を形成及び調整する。この場
合、ブレードを３枚付けることにより、３種類の異なる
厚さの導電性接着剤の膜２３を１枚の転写皿１６上に形
成することができる。なお、ブレードの枚数は２枚また
は３枚以上でもよい。

【００２４】図７はこの実施の形態における３種類の膜
厚を形成する転写ユニットの別の例について示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）をＥ−Ｆで切ったとき
の断面図である。転写ユニットは、図６と同様に回転モ
ータ１７、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード
２２を備えているが、１枚のブレード２５で構成され、
転写皿２４の形状が異なる。転写皿２４は表面が平坦な
複数の段部２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有する。そして、
転写皿２４上に導電性接着剤を積層し、ブレード２５、
掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を回転
させ膜厚を形成及び調整する。この場合、凹凸を形成し
た転写皿２４を用いることにより、１枚のブレード２５
で異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を形成することが
できる。なお、図６の転写ユニットにおいて図６のよう
に複数枚のブレードを取付けてもよい。

【００２５】以上、この実施の形態に示したように、搭
載する半導体素子１の電極ピッチによって導電性接着剤
８の量が異なっているので、粗いピッチの半導体素子に
対してはキャリア基板４の反り等吸収させるのに十分な
量の導電性接着剤８を確保することができる。また、導
電性接着剤８の量が搭載する半導体素子１の素子電極の
最小ピッチに対応して供給されているので、半導体素子
１の実装において最適な量の導電性接着剤８を確保する
ことができる。また、半導体素子１の電極ピッチが狭い
ほど導電性接着剤８の量が少なくすることにより、隣接
間ショートを防ぐことができる。

【００２６】また、Ａｕバンプ７に導電性接着剤１２，
１４を供給する工程に際し、複数の異なる厚さの導電性
接着剤の膜２３を形成し、Ａｕバンプ７の一部を導電性
接着剤の膜２３に浸漬してＡｕバンプ７に導電性接着剤
１２，１４を転写させることにより、搭載する半導体素
子１，２の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤
１２，１４を供給するので、同じ転写ユニット内の一枚
の転写皿上で膜厚を変化させることができる。このた
め、Ａｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造に
おいて、従来の設備、プロセス、及びシステムを用いて
歩留まりのより高い生産を行うことができる。

【００２７】

【発明の効果】この発明の請求項１記載の半導体装置に
よれば、搭載する半導体素子の電極ピッチによって導電
性接着剤の量が異なっているので、粗いピッチの半導体
素子に対しては半導体キャリアの反り等吸収させるのに
十分な量の導電性接着剤を確保することができ、搭載歩
留りを向上させることができ、その結果としてＭＣＭ全
体の搭載歩留りを向上させることができる。

【００２８】請求項２では、導電性接着剤の量が搭載す
る半導体素子の素子電極の最小ピッチに対応して供給さ
れているので、半導体素子の実装において最適な量の導
電性接着剤を確保することができる。請求項３では、導
電性接着剤の量が搭載する半導体素子の電極ピッチが狭
いほど少ないので、隣接間ショートを防ぐことができ
る。

【００２９】この発明の請求項４記載の半導体装置の製
造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する際、
複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成し、バンプ
の一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接
着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電
極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するの
で、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させることができ
る。このため、設備的にもプロセスフロー的にも従来と
同じものを利用して、搭載する半導体素子の電極ピッチ
によって供給する導電性接着剤の量を調整することがで
き、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大きく向上さ
せることができる。

【００３０】請求項５では、ブレードの枚数に対応した
複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成
することができる。請求項６では、転写皿の段部の段数
に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写
皿上に形成することができる。請求項７では、転写皿の
段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を
１枚の転写皿上に形成することができるとともに、各々
のブレードのレベルを変えることによっても異なる厚さ
の導電性接着剤の膜を形成することができる。

【００３１】この発明の請求項８記載の半導体装置の製
造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層
する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形
成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整す
る複数枚のブレードとを備えているので、複数の異なる
厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。この
ため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバン
プに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半
導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤
を供給することができる。

【００３２】この発明の請求項９記載の半導体装置の製
造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層
する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚
を調整する一枚のブレードとを備えているので、複数の
異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができ
る。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬
してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭
載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電
性接着剤を供給することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態の半導体装置の接続構造
を示す断面図である。

【図２】図１の平面図である。

【図３】この発明の実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程フロー断面図である。

【図４】図３の後の工程フロー断面図である。

【図５】図４の後の工程フロー断面図である。

【図６】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調
整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｄ断
面図である。

【図７】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調
整行う転写ユニットの別の例の平面図、（ｂ）はそのＥ
−Ｆ断面図である。

【図８】従来のＭＣＭの構造を示す断面図である。

【図９】図８の平面図である。

【図１０】従来のＭＣＭの製造プロセスを示す工程フロ
ー断面図である。

【図１１】図１０の後の工程フロー断面図である。

【図１２】（ａ）は従来のＭＣＭの製造プロセスにおけ
る膜厚調整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はその
断面図である。

【符号の説明】

１第一の半導体素子２第二の半導体素子３第三の半導体素子４キャリア基板５Ａｌ電極６キャリア基板の配線電極７Ａｕバンプ８導電性接着剤９封止樹脂１０転写皿１１導電性接着剤膜１２導電性接着剤１３導電性接着剤膜１４導電性接着剤１５ＭＣＭ１６転写皿１７回転ユニット１８第一のブレード１９第二のブレード２０第三のブレード２１掻き取りブレード２２掻き寄せブレード２３導電性接着剤膜２４転写皿２５ブレード２７半導体素子２８半導体素子２９半導体素子３０キャリア３１導電性接着剤３２Ａｕバンプ３３キャリア電極３４封止樹脂３５素子電極３６転写膜３７導電性接着剤膜３８導電性接着剤３９転写皿４０ブレード４１掻き取りブレード４２掻き寄せブレード４３回転ユニット４４導電性接着剤膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に複数の電極と底面に外部電極とを
有した絶縁性基体からなる半導体キャリアと、この半導
体キャリアの上面の複数の電極と導電性接着剤により周
辺電極が接続された複数の半導体素子と、前記半導体素
子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間と前記
半導体素子の周辺端部を充填被覆している封止樹脂とを
備えた半導体装置であって、搭載する半導体素子の電極
ピッチによって導電性接着剤の量が異なっていることを
特徴とする半導体装置。
【請求項２】導電性接着剤の量が搭載する半導体素子
の素子電極の最小ピッチに対応して供給されている請求
項１記載の半導体装置。
【請求項３】導電性接着剤の量が半導体素子の電極ピ
ッチが狭いほど少ない請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】半導体素子の周辺電極上にバンプを形成
する工程と、前記バンプに導電性接着剤を供給する工程
と、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給された
前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位
置合わせし搭載する工程と、前記導電性接着剤を硬化す
る工程と、前記封止樹脂を前記半導体素子と前記半導体
キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入す
る工程と、前記封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体
装置の製造方法であって、前記バンプに導電性接着剤を
供給する際、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形
成し、前記バンプの一部を前記導電性接着剤の膜に浸漬
して前記バンプに前記導電性接着剤を転写させることに
より、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる
量の前記導電性接着剤を供給することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項５】表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積
層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるよう
に配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することに
より、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成
する請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】表面が平坦な複数の段部を有する転写皿
に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整
することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写
皿上に形成する請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】表面が平坦な複数の段部を有する転写皿
に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調
整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転
写皿上に形成する請求項４記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項８】半導体素子の周辺電極上に形成したバン
プに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、前記
バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続す
る半導体装置の製造装置であって、前記転写ユニット
が、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表
面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて前記
導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備
えた半導体装置の製造装置。
【請求項９】半導体素子の周辺電極上に形成したバン
プに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、前記
バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続す
る半導体装置の製造装置であって、前記転写ユニット
が、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿
と、前記導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレード
とを備えた半導体装置の製造装置。