JPH11233839A - 低温恒温装置 - Google Patents
低温恒温装置Info
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- JPH11233839A JPH11233839A JP10032880A JP3288098A JPH11233839A JP H11233839 A JPH11233839 A JP H11233839A JP 10032880 A JP10032880 A JP 10032880A JP 3288098 A JP3288098 A JP 3288098A JP H11233839 A JPH11233839 A JP H11233839A
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】液体冷媒への侵入熱量の低減化を図る。
【解決手段】内槽1と外槽2との間に断熱真空層を形成
して、その内部にメッシュ材4と金属箔5とを何層にも
交互に重ねた断熱材6を挿入することに加えて、インサ
ート9の上部の断熱材製断熱体14に真空容器13を設
ける。
して、その内部にメッシュ材4と金属箔5とを何層にも
交互に重ねた断熱材6を挿入することに加えて、インサ
ート9の上部の断熱材製断熱体14に真空容器13を設
ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は低温恒温装置、特に
超伝導量子干渉素子(SQUID)回路を使って磁気計測を行
うのに適した低温恒温装置に関する。
超伝導量子干渉素子(SQUID)回路を使って磁気計測を行
うのに適した低温恒温装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来は、特開平6−331717にある
ように液体容器側面及び底面が二重構造の真空断熱層の
壁を有した液体容器であり、インサートの上部は小林俊
一、大塚洋一著(1987)「低温技術」東京大学出版会p.
77の図7.1にあるように発泡スチレン等の断熱材を使用
して、熱の侵入を防ぐ構造であった。
ように液体容器側面及び底面が二重構造の真空断熱層の
壁を有した液体容器であり、インサートの上部は小林俊
一、大塚洋一著(1987)「低温技術」東京大学出版会p.
77の図7.1にあるように発泡スチレン等の断熱材を使用
して、熱の侵入を防ぐ構造であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では、液体容器液体容器上面からは断熱材の熱伝導で熱
が侵入し、側面及び底面からの熱侵入と同程度の熱侵入
量に抑えることはできなかった。従って、液体冷媒の蒸
発量(消費量)も多く、液体容器内部の内容物を低温に保
つために頻繁に液体冷媒を補充しなければならず維持の
手間と費用は相当なものであった。
では、液体容器液体容器上面からは断熱材の熱伝導で熱
が侵入し、側面及び底面からの熱侵入と同程度の熱侵入
量に抑えることはできなかった。従って、液体冷媒の蒸
発量(消費量)も多く、液体容器内部の内容物を低温に保
つために頻繁に液体冷媒を補充しなければならず維持の
手間と費用は相当なものであった。
【0004】また、従来の構造の液体容器では冷媒が蒸
発した気体(以下、「蒸発冷媒」)が充分な熱置換がなされ
ずに(低温のままで)外部に放出されるため、排気ポート
周辺が排気によって冷やされ、結露、或は、凍結といっ
た現象が見られた。
発した気体(以下、「蒸発冷媒」)が充分な熱置換がなされ
ずに(低温のままで)外部に放出されるため、排気ポート
周辺が排気によって冷やされ、結露、或は、凍結といっ
た現象が見られた。
【0005】更に、二重構造の液体容器の真空断熱層に
は、長い使用期間中には液体容器の内槽壁を通して蒸発
冷媒が真空部分に拡散し、真空度が低下して断熱効果が
低下し液体冷媒の蒸発量が多くなるため、数ヶ月に1回
の割合で真空の引き直しが必要とされた。
は、長い使用期間中には液体容器の内槽壁を通して蒸発
冷媒が真空部分に拡散し、真空度が低下して断熱効果が
低下し液体冷媒の蒸発量が多くなるため、数ヶ月に1回
の割合で真空の引き直しが必要とされた。
【0006】本発明の目的は浸入熱量の低減化を図るの
に適した低温恒温装置を提供することにある。
に適した低温恒温装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、一つの観点に
よれば、第1の槽及び第2の槽を有し、その間に真空断
熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体冷媒容器
と、インサ−トとを備え、前記液体冷媒容器はその上部
に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは前記液体
冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維持体と、
前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容器に結合
された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との間に設け
られた断熱材製の断熱体及び真空容器とを備え、前記蓋
は前記液体冷媒から蒸発する気体を前記液体容器外に放
出する排気ポートを有することを特徴とする。
よれば、第1の槽及び第2の槽を有し、その間に真空断
熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体冷媒容器
と、インサ−トとを備え、前記液体冷媒容器はその上部
に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは前記液体
冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維持体と、
前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容器に結合
された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との間に設け
られた断熱材製の断熱体及び真空容器とを備え、前記蓋
は前記液体冷媒から蒸発する気体を前記液体容器外に放
出する排気ポートを有することを特徴とする。
【0008】本発明は、もう一つの観点によれば、第1
の槽及び第2の槽を有し、その間に真空断熱層が形成さ
れた、液体冷媒を収容する液体冷媒容器と、前記真空断
熱層内に設けられた気体滞留部と、前記液体冷媒容器か
ら前記気体滞留部に前記液体冷媒から蒸発する気体を導
く導管と、インサ−トとを備え、前記液体冷媒容器はそ
の上部に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは前
記液体冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維持
体と、前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容器
に結合された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との間
に介在された断熱材製の断熱体とを備え、前記蓋は前記
滞留部から前記液体冷媒容器外に前記気体を放出する排
気ポートを有することを特徴とする。
の槽及び第2の槽を有し、その間に真空断熱層が形成さ
れた、液体冷媒を収容する液体冷媒容器と、前記真空断
熱層内に設けられた気体滞留部と、前記液体冷媒容器か
ら前記気体滞留部に前記液体冷媒から蒸発する気体を導
く導管と、インサ−トとを備え、前記液体冷媒容器はそ
の上部に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは前
記液体冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維持
体と、前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容器
に結合された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との間
に介在された断熱材製の断熱体とを備え、前記蓋は前記
滞留部から前記液体冷媒容器外に前記気体を放出する排
気ポートを有することを特徴とする。
【0009】本発明の更にもう一つの観点によれば、第
1の槽及びその外側に配置された第2の槽を有し、その
間に真空断熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体
冷媒容器と、インサ−トと、前記真空断熱層内において
前記第1の槽の、前記液体冷媒に対応する部分を覆よう
に更なる真空断熱層を形成する真空隔離壁とを備え、前
記液体冷媒容器はその上部に設けられた開口部を有し、
前記インサ−トは前記液体冷媒に浸すように保持されて
いる被低温恒温維持体と、前記開口部を開閉し得るよう
に前記液体冷媒容器に結合された蓋と、該蓋と前記被低
温恒温維持体との間に介在された断熱材製の断熱体とを
備え、前記蓋は前記液体冷媒から蒸発する気体を前記液
体冷媒容器外に放出する排気ポートを有することを特徴
とする。
1の槽及びその外側に配置された第2の槽を有し、その
間に真空断熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体
冷媒容器と、インサ−トと、前記真空断熱層内において
前記第1の槽の、前記液体冷媒に対応する部分を覆よう
に更なる真空断熱層を形成する真空隔離壁とを備え、前
記液体冷媒容器はその上部に設けられた開口部を有し、
前記インサ−トは前記液体冷媒に浸すように保持されて
いる被低温恒温維持体と、前記開口部を開閉し得るよう
に前記液体冷媒容器に結合された蓋と、該蓋と前記被低
温恒温維持体との間に介在された断熱材製の断熱体とを
備え、前記蓋は前記液体冷媒から蒸発する気体を前記液
体冷媒容器外に放出する排気ポートを有することを特徴
とする。
【0010】
【発明の実施の形態】液体冷媒容器上面側からの熱の侵
入量を側面側や底面側からのそれと同程度に抑えるに
は、上面側の断熱の手段を側面側や底面側と同じ構成と
すればよい。即ち、インサート上部の断熱材製の断熱体
に側面側や底面側にあるような真空容器を設けて熱伝導
による熱侵入を抑えると同時に、当該真空容器に後述す
るメッシュ材と金属箔とを何層にも交互に重ねた断熱材
を挿入することで真空容器内の熱輻射を抑える構成とす
ればよい。
入量を側面側や底面側からのそれと同程度に抑えるに
は、上面側の断熱の手段を側面側や底面側と同じ構成と
すればよい。即ち、インサート上部の断熱材製の断熱体
に側面側や底面側にあるような真空容器を設けて熱伝導
による熱侵入を抑えると同時に、当該真空容器に後述す
るメッシュ材と金属箔とを何層にも交互に重ねた断熱材
を挿入することで真空容器内の熱輻射を抑える構成とす
ればよい。
【0011】また、蒸発冷媒の熱置換を促進するために
は、真空断熱層の側面部分と底面部分とに気体滞留部を
設けるとともに、液体冷媒容器から気体滞留部に蒸発冷
媒を導く導管を設け、側面と底面からの熱輻射による侵
入熱を気体滞留部分で蒸発冷媒に吸収させる構成とすれ
ばよい。
は、真空断熱層の側面部分と底面部分とに気体滞留部を
設けるとともに、液体冷媒容器から気体滞留部に蒸発冷
媒を導く導管を設け、側面と底面からの熱輻射による侵
入熱を気体滞留部分で蒸発冷媒に吸収させる構成とすれ
ばよい。
【0012】更に、長期間の使用中に真空度が低下して
断熱効果が低下することについては、二重構造の液体容
器の内槽の液体冷媒の液面の高さから下の部分にその内
槽を覆うようにして更なる真空断熱槽が形成されるよう
にした真空隔離壁を設け、この更なる真空断熱層内にも
メッシュ材と金属箔とを何層にも交互に重ねた断熱材を
挿入する構成とすればよい。
断熱効果が低下することについては、二重構造の液体容
器の内槽の液体冷媒の液面の高さから下の部分にその内
槽を覆うようにして更なる真空断熱槽が形成されるよう
にした真空隔離壁を設け、この更なる真空断熱層内にも
メッシュ材と金属箔とを何層にも交互に重ねた断熱材を
挿入する構成とすればよい。
【0013】以上の構成としたとき、インサート上部か
らの熱侵入は、真空容器側面の壁を伝わって真空容器上
面側からの熱伝導による侵入熱と真空容器内部を通過す
る熱輻射によるそれとなり、後者は前者に比して無視し
得るほど侵入熱は少ないので、結局、真空容器側面の壁
の断面積に相当する部分からの熱伝導による熱侵入とな
り、侵入熱量を格段に低下させることができる。加え
て、この熱侵入の経路が専ら真空容器側面に限定される
ため、すぐ横を下(液面)から上(排気ポート)へと通過す
る蒸発冷媒(カウンターフロー)によって側面が冷やされ
るため、更に侵入熱量の低下を図ることができる。
らの熱侵入は、真空容器側面の壁を伝わって真空容器上
面側からの熱伝導による侵入熱と真空容器内部を通過す
る熱輻射によるそれとなり、後者は前者に比して無視し
得るほど侵入熱は少ないので、結局、真空容器側面の壁
の断面積に相当する部分からの熱伝導による熱侵入とな
り、侵入熱量を格段に低下させることができる。加え
て、この熱侵入の経路が専ら真空容器側面に限定される
ため、すぐ横を下(液面)から上(排気ポート)へと通過す
る蒸発冷媒(カウンターフロー)によって側面が冷やされ
るため、更に侵入熱量の低下を図ることができる。
【0014】また、蒸発冷媒は気体滞留部で液体容器側
面及び底面の真空断熱層からの熱を受け取るので、外部
へ放出されるときの蒸発冷媒の温度を高くすることがで
き、排気ポート付近の結露、凍結の状態は緩和される。
また、外部から液体冷媒への侵入熱も減少するので、液
体冷媒の蒸発量も抑えられる。
面及び底面の真空断熱層からの熱を受け取るので、外部
へ放出されるときの蒸発冷媒の温度を高くすることがで
き、排気ポート付近の結露、凍結の状態は緩和される。
また、外部から液体冷媒への侵入熱も減少するので、液
体冷媒の蒸発量も抑えられる。
【0015】更に、蒸発冷媒が液体冷媒容器の内槽壁を
通過するのは、温度が高い容器上部付近であり、液体冷
媒付近の温度の低いところでは起きない。従って、真空
断熱層内では上部で壁を通過して侵入してきた蒸発冷媒
が拡散して真空度の低下の原因となり、外槽と内槽との
間で対流熱伝達による熱侵入が生じる。これに対して
は、二重構造の液体冷媒容器の内槽の液体冷媒の液面高
さから下の部分に該内槽を覆うようにして更なる真空断
熱層が形成されるようにした真空隔離壁を設け、この更
なる真空断熱層内にもメッシュ材と金属箔とを何層にも
交互に重ねた断熱材を挿入する構成とすることで、液体
容器内槽と繋がっている真空隔離壁は低温に保たれるの
で蒸発冷媒は真空隔離壁を通過せず、更なる真空断熱層
内の真空度は維持され侵入熱を抑えることができるの
で、液体冷媒の蒸発量を少なく抑えることができる。
通過するのは、温度が高い容器上部付近であり、液体冷
媒付近の温度の低いところでは起きない。従って、真空
断熱層内では上部で壁を通過して侵入してきた蒸発冷媒
が拡散して真空度の低下の原因となり、外槽と内槽との
間で対流熱伝達による熱侵入が生じる。これに対して
は、二重構造の液体冷媒容器の内槽の液体冷媒の液面高
さから下の部分に該内槽を覆うようにして更なる真空断
熱層が形成されるようにした真空隔離壁を設け、この更
なる真空断熱層内にもメッシュ材と金属箔とを何層にも
交互に重ねた断熱材を挿入する構成とすることで、液体
容器内槽と繋がっている真空隔離壁は低温に保たれるの
で蒸発冷媒は真空隔離壁を通過せず、更なる真空断熱層
内の真空度は維持され侵入熱を抑えることができるの
で、液体冷媒の蒸発量を少なく抑えることができる。
【0016】図1は本発明にもとづく低温恒温装置の一
実施例を示す。ガラス繊維強化プラスチック(GFRP)な
どの非導電性材料で製作された内槽1と外槽2とはOリ
ング等のシール材3を挟みこんだ二重構造の液体冷媒容
器を構成する。内槽1及び外槽2に非導電性材料を用い
るのは、本発明の低温恒温装置が磁気計測用として用い
られた場合、内槽1及び外槽2が導電性材料(例えば、
金属)で作られると、その材料中に渦電流が生じて磁気
ノイズが発生し、正確な磁気計測ができなくなるからで
ある。
実施例を示す。ガラス繊維強化プラスチック(GFRP)な
どの非導電性材料で製作された内槽1と外槽2とはOリ
ング等のシール材3を挟みこんだ二重構造の液体冷媒容
器を構成する。内槽1及び外槽2に非導電性材料を用い
るのは、本発明の低温恒温装置が磁気計測用として用い
られた場合、内槽1及び外槽2が導電性材料(例えば、
金属)で作られると、その材料中に渦電流が生じて磁気
ノイズが発生し、正確な磁気計測ができなくなるからで
ある。
【0017】内槽1及び外槽2間の空間は真空状態に保
たれており、この中には塩化ビニルの線材で網目状に織
り上げたメッシュ材4と銅箔やアルミ箔等の金属箔5を
何層(例えば30層)にも交互に重ねた断熱材6が入って
いる。金属箔として銅箔やアルミ箔が適している理由
は、これらは低温での射出率εが小さいからである(「超
伝導・低温工学ハンドブック」第1版第1刷(1993)(株)
オーム社のp.1092の表3.4参照)。金属箔のうちの何枚か
は内槽1の外面に貼られた銅板7と繋がっている。この
ようにすると、外部から熱輻射によって侵入してきた熱
は金属箔5によって捕捉され、この熱は熱伝導によって
銅板7を経由して内槽1の内壁へと伝えられ、蒸発冷媒
がその内壁へ伝えられた熱を奪うからである。真空断熱
層の下部においては、互いに絶縁した銅線を何本も貼り
あわせてシート状にしたコイルフォイル8が金属箔5に
代わって用いられている。金属箔5を用いると、箔上に
渦電流が生じてこれが磁気計測のノイズとなるからであ
る。
たれており、この中には塩化ビニルの線材で網目状に織
り上げたメッシュ材4と銅箔やアルミ箔等の金属箔5を
何層(例えば30層)にも交互に重ねた断熱材6が入って
いる。金属箔として銅箔やアルミ箔が適している理由
は、これらは低温での射出率εが小さいからである(「超
伝導・低温工学ハンドブック」第1版第1刷(1993)(株)
オーム社のp.1092の表3.4参照)。金属箔のうちの何枚か
は内槽1の外面に貼られた銅板7と繋がっている。この
ようにすると、外部から熱輻射によって侵入してきた熱
は金属箔5によって捕捉され、この熱は熱伝導によって
銅板7を経由して内槽1の内壁へと伝えられ、蒸発冷媒
がその内壁へ伝えられた熱を奪うからである。真空断熱
層の下部においては、互いに絶縁した銅線を何本も貼り
あわせてシート状にしたコイルフォイル8が金属箔5に
代わって用いられている。金属箔5を用いると、箔上に
渦電流が生じてこれが磁気計測のノイズとなるからであ
る。
【0018】液体冷媒容器内にはインサート9がある。
インサート9の径は冷媒容器内径とほぼ等しく、内槽1
を塞ぐ程度に大きい。インサート9と内槽1との間に隙
間があると、冷媒が蒸発した気体がその隙間で対流を起
こし、冷媒容器内上部空間の熱を下方へ運び液体冷媒へ
侵入する熱量が多くなり、冷媒の消費量(蒸発量)が多く
なるからである。インサート9は、下から順に配置され
た、磁気を捕捉するマンガニン線でできた超伝導検出コ
イルとSQUID(超伝導量子干渉素子)回路とからなる被低
温恒温保持体であるセンサ部10、センサ部10を固定
するベース板11、それを支える支持棒12、その上部
に熱伝導による熱侵入を防ぐ真空容器13、この真空容
器と結合する発泡ポリウレタン等の断熱材製断熱体1
4、排気ポート15を有する液体容器の蓋16で構成さ
れる。ここで、真空容器13の内部にはメッシュ材4と
金属箔5が交互に積み重なっており、冷媒容器内部を熱
輻射で下方へ伝わる熱量を少なくしている。そして、冷
媒容器には、インサートの下部並びに超伝導コイル及び
SQUID回路からなるセンサ部が浸る深さにまで液体ヘリ
ウム等の液体冷媒17が入っている。
インサート9の径は冷媒容器内径とほぼ等しく、内槽1
を塞ぐ程度に大きい。インサート9と内槽1との間に隙
間があると、冷媒が蒸発した気体がその隙間で対流を起
こし、冷媒容器内上部空間の熱を下方へ運び液体冷媒へ
侵入する熱量が多くなり、冷媒の消費量(蒸発量)が多く
なるからである。インサート9は、下から順に配置され
た、磁気を捕捉するマンガニン線でできた超伝導検出コ
イルとSQUID(超伝導量子干渉素子)回路とからなる被低
温恒温保持体であるセンサ部10、センサ部10を固定
するベース板11、それを支える支持棒12、その上部
に熱伝導による熱侵入を防ぐ真空容器13、この真空容
器と結合する発泡ポリウレタン等の断熱材製断熱体1
4、排気ポート15を有する液体容器の蓋16で構成さ
れる。ここで、真空容器13の内部にはメッシュ材4と
金属箔5が交互に積み重なっており、冷媒容器内部を熱
輻射で下方へ伝わる熱量を少なくしている。そして、冷
媒容器には、インサートの下部並びに超伝導コイル及び
SQUID回路からなるセンサ部が浸る深さにまで液体ヘリ
ウム等の液体冷媒17が入っている。
【0019】以上の構成を有する低温恒温装置におい
て、熱の侵入を以下に説明する。まず、冷媒容器の側面
側及び底面側からの熱侵入を説明する。冷媒容器の側面
側及び底面側は真空断熱層を有する二重構造の槽で構成
されているため、この真空断熱層空間では熱は熱輻射に
よって侵入するのみである。しかし、真空断熱層空間内
には上述のようにメッシュ材4と金属箔5が何層にも交
互に重ねられているため熱輻射は小さい。例えば、外槽
2の内壁、内槽1の外壁、金属箔5の射出率が同じ値ε
であれば、メッシュ材4と金属箔5を30層重ねたときの
熱輻射は、真空層に何も入れないときに比して、1/31=
約3.2%と小さい。
て、熱の侵入を以下に説明する。まず、冷媒容器の側面
側及び底面側からの熱侵入を説明する。冷媒容器の側面
側及び底面側は真空断熱層を有する二重構造の槽で構成
されているため、この真空断熱層空間では熱は熱輻射に
よって侵入するのみである。しかし、真空断熱層空間内
には上述のようにメッシュ材4と金属箔5が何層にも交
互に重ねられているため熱輻射は小さい。例えば、外槽
2の内壁、内槽1の外壁、金属箔5の射出率が同じ値ε
であれば、メッシュ材4と金属箔5を30層重ねたときの
熱輻射は、真空層に何も入れないときに比して、1/31=
約3.2%と小さい。
【0020】また、金属箔5が繋がっている銅板7の貼
られた位置(高さ)には液体冷媒ではなく蒸発冷媒があ
り、金属箔5からの熱を銅板7を通じてこの蒸発冷媒に
受け取らせて冷媒容器外部へ放出するため、真空断熱層
内の金属箔5を低温に保つことができ、熱輻射による熱
侵入を減らすことができると同時に、銅板7から冷媒容
器の内槽1に侵入してきた熱による液体冷媒の消費量
(蒸発量)の増大は防止される。
られた位置(高さ)には液体冷媒ではなく蒸発冷媒があ
り、金属箔5からの熱を銅板7を通じてこの蒸発冷媒に
受け取らせて冷媒容器外部へ放出するため、真空断熱層
内の金属箔5を低温に保つことができ、熱輻射による熱
侵入を減らすことができると同時に、銅板7から冷媒容
器の内槽1に侵入してきた熱による液体冷媒の消費量
(蒸発量)の増大は防止される。
【0021】次に、液体冷媒容器上面側からの侵入熱に
ついて説明する。冷媒容器上面側からの侵入熱は主に断
熱材14を熱伝導によって侵入してくるが、侵入熱は真
空容器13の側壁を熱伝導によって下方へと侵入する。
上述の通り、真空容器13の内部にはメッシュ材4と金
属箔5とが何層にも交互に重ねて入っているので、冷媒
容器内部を熱輻射で下方へと侵入する熱量は、後述する
真空容器13の側壁を熱伝導によって下方へと侵入する
熱量に比して無視し得るほどに小さいからである。
ついて説明する。冷媒容器上面側からの侵入熱は主に断
熱材14を熱伝導によって侵入してくるが、侵入熱は真
空容器13の側壁を熱伝導によって下方へと侵入する。
上述の通り、真空容器13の内部にはメッシュ材4と金
属箔5とが何層にも交互に重ねて入っているので、冷媒
容器内部を熱輻射で下方へと侵入する熱量は、後述する
真空容器13の側壁を熱伝導によって下方へと侵入する
熱量に比して無視し得るほどに小さいからである。
【0022】一方、真空容器13の側壁を熱伝導によっ
て下方に侵入する熱量の多寡は、その側壁の断面積に支
配される(比例する)。従って、侵入熱量を減らすには、
その側壁の壁厚を薄くすればよいが、側壁には内部が真
空で、外部からの圧力に抗し得るだけの強度と真空の維
持を確保するに足りるだけの強度を有する必要があるの
で、壁厚は、例えばGFRPで冷媒容器を製作した場合は3m
m程度必要であり、ステンレスで製作した場合は0.2mm程
度必要である。
て下方に侵入する熱量の多寡は、その側壁の断面積に支
配される(比例する)。従って、侵入熱量を減らすには、
その側壁の壁厚を薄くすればよいが、側壁には内部が真
空で、外部からの圧力に抗し得るだけの強度と真空の維
持を確保するに足りるだけの強度を有する必要があるの
で、壁厚は、例えばGFRPで冷媒容器を製作した場合は3m
m程度必要であり、ステンレスで製作した場合は0.2mm程
度必要である。
【0023】GFRPを採用する理由は、低温領域では熱伝
導率がステンレスに比して極端に小さくなるためである
(例えば、「超伝導・低温工学ハンドブック」第1版第1
刷(1993)(株)オーム社のp.1090の図3.28によると、高強
度のCFRPは20Kで0.09W/(m・K)、10Kで0.07W/(m・K)以下、
GFRPは20〜10Kで0.18W/(m・K)であるのに対して、ステン
レスは同p.1091図3.28によると2〜1W/(m・K))。
導率がステンレスに比して極端に小さくなるためである
(例えば、「超伝導・低温工学ハンドブック」第1版第1
刷(1993)(株)オーム社のp.1090の図3.28によると、高強
度のCFRPは20Kで0.09W/(m・K)、10Kで0.07W/(m・K)以下、
GFRPは20〜10Kで0.18W/(m・K)であるのに対して、ステン
レスは同p.1091図3.28によると2〜1W/(m・K))。
【0024】また、磁気計測部から離れているため磁気
ノイズの点ではステンレスも使用することが可能である
が、この部分は液体ヘリウムに浸らないことから比較的
温度が高い(例えば、30〜90K)ので、より熱伝導率の低
いGFRPが、真空容器の材質には適している。
ノイズの点ではステンレスも使用することが可能である
が、この部分は液体ヘリウムに浸らないことから比較的
温度が高い(例えば、30〜90K)ので、より熱伝導率の低
いGFRPが、真空容器の材質には適している。
【0025】例えば、外径200mm、高さ100mmの円筒形状
の真空容器を考えたとき、GFRPでは強度の関係で肉厚を
3mmとすると、(200-3)×π(円周率:3.14)×3(肉厚)=約
1855.74mm2の断面積を有し、熱伝導率は0.4〜0.8W/(m・
K)(100〜130K)であるから、侵入熱量は、0.6W/(m・K)×1
855.74×10-6/(100×10-3)×(130-100)=0.334Wとなるの
に対して、ステンレスで肉厚を0.2mmとしたときは、熱
伝導率15W/(m・K)(100〜130K)であるから、侵入熱量は、 10W/(m・K)×((200-0.2)×π×0.2)×10-6/(100×10-3)
×(130-100)=0.3764W となる。従って、ステンレスに比してGFRPの板厚を大き
くしても(例えば、3mm)、侵入熱量との関係から大差は
ない。
の真空容器を考えたとき、GFRPでは強度の関係で肉厚を
3mmとすると、(200-3)×π(円周率:3.14)×3(肉厚)=約
1855.74mm2の断面積を有し、熱伝導率は0.4〜0.8W/(m・
K)(100〜130K)であるから、侵入熱量は、0.6W/(m・K)×1
855.74×10-6/(100×10-3)×(130-100)=0.334Wとなるの
に対して、ステンレスで肉厚を0.2mmとしたときは、熱
伝導率15W/(m・K)(100〜130K)であるから、侵入熱量は、 10W/(m・K)×((200-0.2)×π×0.2)×10-6/(100×10-3)
×(130-100)=0.3764W となる。従って、ステンレスに比してGFRPの板厚を大き
くしても(例えば、3mm)、侵入熱量との関係から大差は
ない。
【0026】また、真空容器13を断熱材の下に配置し
たのは、GFRPの熱伝導率は低温でのみ低いからであり、
高温では高いので(前出の資料によると、GFRPの熱伝導
率は20〜10Kで0.18W/(m・K)、200〜250Kでは0.7〜0.8W/
(m・K))、インサートの上部(即ち、高温の領域)にGFRP製
の真空容器13を配置すると侵入熱量が多くなるからで
ある。
たのは、GFRPの熱伝導率は低温でのみ低いからであり、
高温では高いので(前出の資料によると、GFRPの熱伝導
率は20〜10Kで0.18W/(m・K)、200〜250Kでは0.7〜0.8W/
(m・K))、インサートの上部(即ち、高温の領域)にGFRP製
の真空容器13を配置すると侵入熱量が多くなるからで
ある。
【0027】ちなみに、 0.75W/(m・K)×1855.74×10-6/(100×10-3)×(250-200)=
0.6959W 程度の熱侵入も許容できるのであれば、真空容器13を
インサート上部に配置することも可能ではある(図示省
略)。
0.6959W 程度の熱侵入も許容できるのであれば、真空容器13を
インサート上部に配置することも可能ではある(図示省
略)。
【0028】図2は本発明にもとづく低温恒温装置のも
う一つの実施例を示す。同図においては特徴的な部分だ
けが示され、その他(図1にあるような、シ−ルや断熱
材、インサ−ト等)は簡略化のため省略されている。
う一つの実施例を示す。同図においては特徴的な部分だ
けが示され、その他(図1にあるような、シ−ルや断熱
材、インサ−ト等)は簡略化のため省略されている。
【0029】真空断熱層内には気体滞留部18が設けら
れている。気体滞留部18の少なくとも一部は真空断熱
層内において液体冷媒17の液面よりも下方に設けられ
ている。これは、冷媒容器の下方に液体冷媒があり、こ
の液体冷媒に侵入する熱量を減少させるためである。冷
媒容器の内槽1から気体滞留部18に蒸発冷媒を導く導
管19は、冷媒容器の上部にあるのではなく、液体冷媒
の液面よりも僅かに高い位置(冷媒容器の中程の高さ)に
ある。これは、冷媒容器の上部の蒸発冷媒は高温(200〜
250K程度)であり、気体滞留部18に導いても外部から
の熱輻射による熱を吸収する効果が期待できないのに対
して、液面付近の蒸発冷媒は低温(冷媒が液体ヘリウム
のときは20〜70K)だからである。そして、気体滞留部1
8から冷媒容器外部に蒸発冷媒を放出する排気ポート2
0が設けられている。導管19が気体滞留部18の底面
付近にまで延びているのは、導管19から出る低温の蒸
発冷媒は熱を受け取って膨張し上昇するが、気体滞留部
18において熱交換を効率良く行い、気体滞留部18を
低温に保つことができるからである。これに対して、排
気ポート20が気体滞留部18の上部から出ているの
は、熱を受け取って高温となった蒸発冷媒は上部に溜ま
るからである。
れている。気体滞留部18の少なくとも一部は真空断熱
層内において液体冷媒17の液面よりも下方に設けられ
ている。これは、冷媒容器の下方に液体冷媒があり、こ
の液体冷媒に侵入する熱量を減少させるためである。冷
媒容器の内槽1から気体滞留部18に蒸発冷媒を導く導
管19は、冷媒容器の上部にあるのではなく、液体冷媒
の液面よりも僅かに高い位置(冷媒容器の中程の高さ)に
ある。これは、冷媒容器の上部の蒸発冷媒は高温(200〜
250K程度)であり、気体滞留部18に導いても外部から
の熱輻射による熱を吸収する効果が期待できないのに対
して、液面付近の蒸発冷媒は低温(冷媒が液体ヘリウム
のときは20〜70K)だからである。そして、気体滞留部1
8から冷媒容器外部に蒸発冷媒を放出する排気ポート2
0が設けられている。導管19が気体滞留部18の底面
付近にまで延びているのは、導管19から出る低温の蒸
発冷媒は熱を受け取って膨張し上昇するが、気体滞留部
18において熱交換を効率良く行い、気体滞留部18を
低温に保つことができるからである。これに対して、排
気ポート20が気体滞留部18の上部から出ているの
は、熱を受け取って高温となった蒸発冷媒は上部に溜ま
るからである。
【0030】以上の構成を有する低温恒温装置におい
て、蒸発冷媒の流れと熱の侵入を以下に説明する。
て、蒸発冷媒の流れと熱の侵入を以下に説明する。
【0031】蒸発冷媒は導管19を通って真空断熱層内
に設けられた気体滞留部18へと移動する。上述のよう
に、導管19は気体滞留部18の底面付近にまで延びて
いるので、低温の蒸発冷媒は底面付近に溜まる。そし
て、気体滞留部18において冷媒容器外槽から熱輻射に
よって真空断熱層を通過して侵入してきた熱を受け取る
ことで膨張し、気体滞留部18内を対流によって上昇す
る。気体滞留部18内で十分に熱を受け取り高温になっ
た蒸発冷媒は、上部にある排気ポート20から外部へと
排出される。
に設けられた気体滞留部18へと移動する。上述のよう
に、導管19は気体滞留部18の底面付近にまで延びて
いるので、低温の蒸発冷媒は底面付近に溜まる。そし
て、気体滞留部18において冷媒容器外槽から熱輻射に
よって真空断熱層を通過して侵入してきた熱を受け取る
ことで膨張し、気体滞留部18内を対流によって上昇す
る。気体滞留部18内で十分に熱を受け取り高温になっ
た蒸発冷媒は、上部にある排気ポート20から外部へと
排出される。
【0032】今仮に、冷媒がヘリウムであり、冷媒容器
が室温(300K)下に置かれているとする。冷媒容器の真空
断熱層内に遮蔽板がないとき、冷媒容器の外槽壁から内
槽壁への熱輻射による熱流束q0は、ステファン・ボルツ
マンの式から、 q0=σ×(Th 4-Tc 4)/[(1/εh)+(1/εc)-1] σ:ステファン・ボルツマン定数(5.67×10-8[J/K4m2
s]) εh,εc:各々外槽壁、内槽壁の射出率 Th,Tc:各々外槽壁、内槽壁の壁温 で与えられるから、気体滞留部に蒸発気体を導くように
して、冷媒容器内槽の側面及び底面に面している気体滞
留部の壁温を150Kに保つときの熱流束は気体滞留部を設
けないときと比べて、 (3004-4.24)/(1504-4.24)=6.25×10-2=6.25% に減じることができる。
が室温(300K)下に置かれているとする。冷媒容器の真空
断熱層内に遮蔽板がないとき、冷媒容器の外槽壁から内
槽壁への熱輻射による熱流束q0は、ステファン・ボルツ
マンの式から、 q0=σ×(Th 4-Tc 4)/[(1/εh)+(1/εc)-1] σ:ステファン・ボルツマン定数(5.67×10-8[J/K4m2
s]) εh,εc:各々外槽壁、内槽壁の射出率 Th,Tc:各々外槽壁、内槽壁の壁温 で与えられるから、気体滞留部に蒸発気体を導くように
して、冷媒容器内槽の側面及び底面に面している気体滞
留部の壁温を150Kに保つときの熱流束は気体滞留部を設
けないときと比べて、 (3004-4.24)/(1504-4.24)=6.25×10-2=6.25% に減じることができる。
【0033】ヘリウムの沸点(4.22K)における蒸発潜熱
は20.8J/gであり、窒素の沸点(77.41K)における蒸発潜
熱は199J/gよりも小さい。このことは、僅かな熱でも液
体ヘリウムは蒸発し易いことを示している。一方、蒸発
した気体の定圧比熱は1atm,0℃で、ヘリウムガスでは5.
193J/g・K、窒素ガスでは1.040J/g・Kである。沸点ガスに
蒸発潜熱を与えたときの温度上昇は、ヘリウムガスでは
3.2Kであるのに対して、窒素ガスでは190Kである。この
ことは、ヘリウムガスを温度上昇させるのに要する熱量
は、同質量の窒素ガスを同じ温度だけ上昇させる熱量よ
りも大きい(ヘリウムガスは温度上昇しにくい)ことを示
している。従って、熱浸入を減らすために真空断熱層内
の気体滞留部18を設けることは冷媒がヘリウムのとき
に特に有効である。
は20.8J/gであり、窒素の沸点(77.41K)における蒸発潜
熱は199J/gよりも小さい。このことは、僅かな熱でも液
体ヘリウムは蒸発し易いことを示している。一方、蒸発
した気体の定圧比熱は1atm,0℃で、ヘリウムガスでは5.
193J/g・K、窒素ガスでは1.040J/g・Kである。沸点ガスに
蒸発潜熱を与えたときの温度上昇は、ヘリウムガスでは
3.2Kであるのに対して、窒素ガスでは190Kである。この
ことは、ヘリウムガスを温度上昇させるのに要する熱量
は、同質量の窒素ガスを同じ温度だけ上昇させる熱量よ
りも大きい(ヘリウムガスは温度上昇しにくい)ことを示
している。従って、熱浸入を減らすために真空断熱層内
の気体滞留部18を設けることは冷媒がヘリウムのとき
に特に有効である。
【0034】図3は図2に示される気体滞留部18の展
開断面図である。気体滞留部18にラビリンス21を設
けて、蒸発冷媒の上昇速度を押さえて、熱交換を促進す
るものである。
開断面図である。気体滞留部18にラビリンス21を設
けて、蒸発冷媒の上昇速度を押さえて、熱交換を促進す
るものである。
【0035】図4は本発明にもとづく低温恒温装置の更
にもう一つの実施例を示す。同図においては特徴的な部
分だけが示され、その他(シ−ル材やインサ−ト等)は
簡略化のため省略されている。この実施例の特徴は、二
重構造の冷媒容器の内槽中の液体冷媒の液面の高さから
下の部分にその内槽を覆うようにして更なる真空断熱槽
が形成されるようにした真空隔離壁22を設け、この真
空断熱層内にもメッシュ材と金属箔とを何層にも交互に
重ねた断熱材(図示省略)を挿入する構成とすることで、
真空断熱層を二つに隔絶し、液体冷媒の入っている内槽
下部は二重の真空断熱層に囲われる構造としている点に
ある。
にもう一つの実施例を示す。同図においては特徴的な部
分だけが示され、その他(シ−ル材やインサ−ト等)は
簡略化のため省略されている。この実施例の特徴は、二
重構造の冷媒容器の内槽中の液体冷媒の液面の高さから
下の部分にその内槽を覆うようにして更なる真空断熱槽
が形成されるようにした真空隔離壁22を設け、この真
空断熱層内にもメッシュ材と金属箔とを何層にも交互に
重ねた断熱材(図示省略)を挿入する構成とすることで、
真空断熱層を二つに隔絶し、液体冷媒の入っている内槽
下部は二重の真空断熱層に囲われる構造としている点に
ある。
【0036】この実施例の効果を説明するに、冷媒にヘ
リウムを採用しているとき、長い使用期間中に真空断熱
層内の真空度が低下するのは、冷媒容器内の蒸発冷媒
(ヘリウムガス)が内槽壁を通過して真空断熱層内に侵入
するからである。これは、仮に外部から真空断熱層内に
空気が侵入してきたとしても、その量は微小であり、し
かも、その空気分子は液体冷媒(液体ヘリウム、4.2K)1
7の入った内槽1の壁(真空断熱層側の壁温は10K前後)
で捕捉され、凝結してしまうからである。即ち、侵入す
る空気の量が微小である理由は、空気(主成分は、窒
素、酸素、二酸化炭素、アルゴン)は分子量が大きいの
で、外槽2壁を通過して侵入することはないからであ
り、従って、内外槽の接触シール面からリークによって
のみ侵入するからである。これに対して、内槽1の壁を
通過する蒸発冷媒(ヘリウムガス)は10K前後では凝結す
ることは無いので、いったん、蒸発冷媒が真空断熱層内
に侵入すると、真空度低下の原因となるからである。
リウムを採用しているとき、長い使用期間中に真空断熱
層内の真空度が低下するのは、冷媒容器内の蒸発冷媒
(ヘリウムガス)が内槽壁を通過して真空断熱層内に侵入
するからである。これは、仮に外部から真空断熱層内に
空気が侵入してきたとしても、その量は微小であり、し
かも、その空気分子は液体冷媒(液体ヘリウム、4.2K)1
7の入った内槽1の壁(真空断熱層側の壁温は10K前後)
で捕捉され、凝結してしまうからである。即ち、侵入す
る空気の量が微小である理由は、空気(主成分は、窒
素、酸素、二酸化炭素、アルゴン)は分子量が大きいの
で、外槽2壁を通過して侵入することはないからであ
り、従って、内外槽の接触シール面からリークによって
のみ侵入するからである。これに対して、内槽1の壁を
通過する蒸発冷媒(ヘリウムガス)は10K前後では凝結す
ることは無いので、いったん、蒸発冷媒が真空断熱層内
に侵入すると、真空度低下の原因となるからである。
【0037】ところで、蒸発冷媒(ヘリウムガス)は低温
(液面付近)では内槽1の壁を通過せず、内槽1の上部の
高温部(150K以上)で壁を通過する性質を有する。そこ
で、真空隔離壁22は、冷媒容器内槽1の上部で通過し
真空断熱層に侵入してきた蒸発冷媒(ヘリウムガス)が真
空断熱層下部まで拡散するのを防ぐ働きをする。また、
真空隔離壁22は内槽1の液面付近に繋がっているの
で、真空隔離壁22全体が低温(100K以下)に維持され、
真空隔離壁22を通過するヘリウムガスはほとんどな
い。これによって、液体冷媒(液体ヘリウム)17が入っ
ている容器内槽1下部の真空断熱層内の真空度を維持し
気体の対流熱伝達による熱侵入を防ぎ液体冷媒(液体ヘ
リウム)17の蒸発量を少なく維持することができる。
(液面付近)では内槽1の壁を通過せず、内槽1の上部の
高温部(150K以上)で壁を通過する性質を有する。そこ
で、真空隔離壁22は、冷媒容器内槽1の上部で通過し
真空断熱層に侵入してきた蒸発冷媒(ヘリウムガス)が真
空断熱層下部まで拡散するのを防ぐ働きをする。また、
真空隔離壁22は内槽1の液面付近に繋がっているの
で、真空隔離壁22全体が低温(100K以下)に維持され、
真空隔離壁22を通過するヘリウムガスはほとんどな
い。これによって、液体冷媒(液体ヘリウム)17が入っ
ている容器内槽1下部の真空断熱層内の真空度を維持し
気体の対流熱伝達による熱侵入を防ぎ液体冷媒(液体ヘ
リウム)17の蒸発量を少なく維持することができる。
【0038】以上に説明したように、外部からの侵入空
気を液体ヘリウム付近で捕捉するという性質から、本発
明の実施例は冷媒としてヘリウムを使用しているときに
特に有効であるが、冷媒として窒素を使用したときには
その分子量の大きさゆえに壁を通過することはないが、
外部から侵入する空気によって真空度が低下することも
あるので、その場合にも本発明の実施例は有効である。
気を液体ヘリウム付近で捕捉するという性質から、本発
明の実施例は冷媒としてヘリウムを使用しているときに
特に有効であるが、冷媒として窒素を使用したときには
その分子量の大きさゆえに壁を通過することはないが、
外部から侵入する空気によって真空度が低下することも
あるので、その場合にも本発明の実施例は有効である。
【0039】図5にあるように、内槽1を覆うようにし
て更なる真空断熱槽が形成されるようにするのではな
く、真空断熱層を上部と下部とに分ける構成とすること
は妥当ではない。それは、真空断熱層を分ける壁23を
伝って熱伝導による侵入熱が大きいからである。
て更なる真空断熱槽が形成されるようにするのではな
く、真空断熱層を上部と下部とに分ける構成とすること
は妥当ではない。それは、真空断熱層を分ける壁23を
伝って熱伝導による侵入熱が大きいからである。
【0040】以上から理解されるように、図1の実施例
では、真空容器側面の壁の断面積に相当する部分からの
熱伝導による熱侵入となり、侵入熱量を格段に低下させ
ることができる。加えて、この熱侵入の経路が専ら真空
容器側面に限定されるため、すぐ横を下(液面)から上
(排気ポート)へと通過する蒸発冷媒(カウンターフロー)
によって側面が冷やされるため、更に侵入熱量の低下を
図ることができる。
では、真空容器側面の壁の断面積に相当する部分からの
熱伝導による熱侵入となり、侵入熱量を格段に低下させ
ることができる。加えて、この熱侵入の経路が専ら真空
容器側面に限定されるため、すぐ横を下(液面)から上
(排気ポート)へと通過する蒸発冷媒(カウンターフロー)
によって側面が冷やされるため、更に侵入熱量の低下を
図ることができる。
【0041】図2や図3の実施例においては、外部へ放
出されるときの蒸発冷媒の温度を高くすることができ、
排気ポート付近の結露、凍結の状態は緩和される。ま
た、外部から液体冷媒への侵入熱も減少するので、液体
冷媒の蒸発量も抑えられる。
出されるときの蒸発冷媒の温度を高くすることができ、
排気ポート付近の結露、凍結の状態は緩和される。ま
た、外部から液体冷媒への侵入熱も減少するので、液体
冷媒の蒸発量も抑えられる。
【0042】図4の実施例においては、真空断熱層内の
真空度は維持され、侵入熱を抑えることができるので、
液体冷媒の蒸発量を少なく抑えることができる。
真空度は維持され、侵入熱を抑えることができるので、
液体冷媒の蒸発量を少なく抑えることができる。
【0043】
【発明の効果】本発明によれば、浸入熱量の低減化を図
るのに適した低温恒温装置が提供される。
るのに適した低温恒温装置が提供される。
【図1】本発明にもとづく低温恒温装置の一実施例の縦
断面図。
断面図。
【図2】本発明にもとづく低温恒温装置のもう一つの実
施例の縦断面図。
施例の縦断面図。
【図3】図2に示される気体滞留部の一部の展開断面
図。
図。
【図4】本発明にもとづく低温恒温装置の更にもう一つ
の実施例の縦断面図。
の実施例の縦断面図。
【図5】図4に示される実施例の効果を説明するための
低温恒温装置の参考縦断面図。
低温恒温装置の参考縦断面図。
1:内槽、2:外槽、3:シール材、4:メッシュ材、
5:金属箔、6:断熱材、7:銅板、8:コイルフォイ
ル、9:インサート、10:センサ部、11:ベース
板、12:支持棒、13:真空容器、14:断熱材、1
5:排気ポート、16:蓋、17:液体冷媒、18:気
体滞留部、19:導管、20:排気ポート、21:ラビ
リンス、22:真空隔離壁、23:壁。
5:金属箔、6:断熱材、7:銅板、8:コイルフォイ
ル、9:インサート、10:センサ部、11:ベース
板、12:支持棒、13:真空容器、14:断熱材、1
5:排気ポート、16:蓋、17:液体冷媒、18:気
体滞留部、19:導管、20:排気ポート、21:ラビ
リンス、22:真空隔離壁、23:壁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 啓二 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 神鳥 明彦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (12)
- 【請求項1】第1の槽及び第2の槽を有し、その間に真
空断熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体冷媒容
器と、インサ−トとを備え、前記液体冷媒容器はその上
部に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは前記液
体冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維持体
と、前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容器に
結合された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との間に
設けられた断熱材製の断熱体及び真空容器とを備え、前
記蓋は前記液体冷媒から蒸発する気体を前記液体容器外
に放出する排気ポートを有する低温恒温装置。 - 【請求項2】前記真空容器は前記断熱体よりも前記液体
冷媒側にあることを特徴とする請求項1に記載された低
温恒温装置。 - 【請求項3】第1の槽及び第2の槽を有し、その間に真
空断熱層が形成された、液体冷媒を収容する液体冷媒容
器と、前記真空断熱層内に設けられた気体滞留部と、前
記液体冷媒容器から前記気体滞留部に前記液体冷媒から
蒸発する気体を導く導管と、インサ−トとを備え、前記
液体冷媒容器はその上部に設けられた開口部を有し、前
記インサ−トは前記液体冷媒に浸すように保持されてい
る被低温恒温維持体と、前記開口部を開閉し得るように
前記液体冷媒容器に結合された蓋と、該蓋と前記被低温
恒温維持体との間に介在された断熱材製の断熱体とを備
え、前記蓋は前記滞留部から前記液体冷媒容器外に前記
気体を放出する排気ポートを有する低温恒温装置。 - 【請求項4】前記気体滞留部は少なくともその一部が前
記真空断熱層内において前記液体冷媒の液面よりも下方
に設けられていることを特徴とする請求項3に記載され
た低温恒温装置。 - 【請求項5】前記導管は前記気体滞留部の底面付近まで
伸びていることを特徴とする請求項4に記載された低温
恒温装置。 - 【請求項6】前記導管は前記気体を前記液体冷媒の液面
よりは上であってかつその液面付近から取り入れるよう
に位置づけられていることを特徴とする請求項3、4又
は5に記載された低温恒温装置。 - 【請求項7】第1の槽及びその外側に配置された第2の
槽を有し、その間に真空断熱層が形成された、液体冷媒
を収容する液体冷媒容器と、インサ−トと、前記真空断
熱層内において前記第1の槽の、前記液体冷媒に対応す
る部分を覆ように更なる真空断熱層を形成する真空隔離
壁とを備え、前記液体冷媒容器はその上部に設けられた
開口部を有し、前記インサ−トは前記液体冷媒に浸すよ
うに保持されている被低温恒温維持体と、前記開口部を
開閉し得るように前記液体冷媒容器に結合された蓋と、
該蓋と前記被低温恒温維持体との間に介在された断熱材
製の断熱体とを備え、前記蓋は前記液体冷媒から蒸発す
る気体を前記液体冷媒容器外に放出する排気ポートを有
する低温恒温装置。 - 【請求項8】第1の槽及びその外側に配置された第2の
槽を有し、その間に真空断熱層が形成された、液体冷媒
を収容する液体冷媒容器と、前記真空断熱層内に設けら
れた気体滞留部と、前記液体冷媒容器から前記気体滞留
部に前記液体冷媒から蒸発する気体を導く導管と、イン
サ−トと、前記真空断熱層内において前記第1の槽の、
前記液体冷媒に対応する部分を覆ように更なる真空断熱
層を形成する真空隔離壁とを備え、前記液体冷媒容器は
その上部に設けられた開口部を有し、前記インサ−トは
前記液体冷媒に浸すように保持されている被低温恒温維
持体と、前記開口部を開閉し得るように前記液体冷媒容
器に結合された蓋と、該蓋と前記被低温恒温維持体との
間に介在された断熱材製の断熱体及び真空容器とを備
え、前記蓋は前記液体冷媒容器に収容された液体冷媒か
ら蒸発する気体を前記液体容器外に放出する排気ポート
と前記滞留部からの気体を前記液体冷媒容器外に放出す
る排気ポートとを有する低温恒温装置。 - 【請求項9】前記真空容器は前記断熱体よりも前記液体
冷媒側にあることを特徴とする請求項8に記載された低
温恒温装置。 - 【請求項10】前記気体滞留部は少なくともその一部が
前記真空断熱層内において前記液体冷媒の液面よりも下
方に設けられていることを特徴とする請求項8又は9に
記載された低温恒温装置。 - 【請求項11】前記導管は前記気体滞留部の底面付近ま
で伸びていることを特徴とする請求項10に記載された
低温恒温装置。 - 【請求項12】前記導管は前記気体を前記液体冷媒の液
面よりは上であってかつその液面付近から取り入れるよ
うに位置づけられていることを特徴とする請求項8、
9、10又は11に記載された低温恒温装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032880A JPH11233839A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 低温恒温装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032880A JPH11233839A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 低温恒温装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233839A true JPH11233839A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12371200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10032880A Pending JPH11233839A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 低温恒温装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233839A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512368B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Dewar and biological magnetism measurement apparatus using the dewar |
| JP2008261575A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 真空断熱容器 |
| JP2009076682A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導機器の冷却容器 |
| WO2010001910A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 株式会社日立製作所 | 極低温格納容器及び極低温装置 |
| JP2015046558A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 住友電気工業株式会社 | 超電導機器 |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP10032880A patent/JPH11233839A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512368B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Dewar and biological magnetism measurement apparatus using the dewar |
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| JP2009076682A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導機器の冷却容器 |
| WO2010001910A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 株式会社日立製作所 | 極低温格納容器及び極低温装置 |
| JP2010016081A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Hitachi Ltd | 極低温格納容器及び極低温装置 |
| JP2015046558A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 住友電気工業株式会社 | 超電導機器 |
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