JPH11236244A - 電極被覆用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents
電極被覆用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置Info
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- JPH11236244A JPH11236244A JP4066698A JP4066698A JPH11236244A JP H11236244 A JPH11236244 A JP H11236244A JP 4066698 A JP4066698 A JP 4066698A JP 4066698 A JP4066698 A JP 4066698A JP H11236244 A JPH11236244 A JP H11236244A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極または金属
電極を保護するために形成される透明性の高いガラス被
覆層を提供する。 【解決手段】積算ふるい下１０％径が１．５μｍ以下、
５０％径が０．５〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、軟化点が４８
０℃以下である低融点ガラスの粉末を含有する、電極被
覆用低融点ガラス組成物。
電極を保護するために形成される透明性の高いガラス被
覆層を提供する。 【解決手段】積算ふるい下１０％径が１．５μｍ以下、
５０％径が０．５〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、軟化点が４８
０℃以下である低融点ガラスの粉末を含有する、電極被
覆用低融点ガラス組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ（スズがド
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ（フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む）等の透
明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス組成物、
およびプラズマディスプレイ装置に関する。
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ（フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む）等の透
明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス組成物、
およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなくてはならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、板ガラス表面上に形成され
たＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられる。
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなくてはならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、板ガラス表面上に形成され
たＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられる。
【０００３】このような透明電極は、特に前記表示装置
においては、精細な画像を実現するために細い線状に加
工される。そして各画素を独自に制御するためには、こ
のような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保
する必要がある。ところが、板ガラスの表面に水分や板
ガラス中のアルカリ成分が存在する場合、この板ガラス
表面を介して若干の電流が流れる場合がある。このよう
な電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成する
ことが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁
層による画像の質の低下を防ぐためには、絶縁層が透明
であることが好ましい。
においては、精細な画像を実現するために細い線状に加
工される。そして各画素を独自に制御するためには、こ
のような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保
する必要がある。ところが、板ガラスの表面に水分や板
ガラス中のアルカリ成分が存在する場合、この板ガラス
表面を介して若干の電流が流れる場合がある。このよう
な電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成する
ことが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁
層による画像の質の低下を防ぐためには、絶縁層が透明
であることが好ましい。
【０００４】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。ガラス材料を用いて被覆する方法としては、
スパッタ法等真空下で被膜を形成する方法もあるが、低
融点ガラス粉末を含む低融点ガラス組成物を塗布し焼成
する方法が経済的に好ましい。
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。ガラス材料を用いて被覆する方法としては、
スパッタ法等真空下で被膜を形成する方法もあるが、低
融点ガラス粉末を含む低融点ガラス組成物を塗布し焼成
する方法が経済的に好ましい。
【０００５】特に、最近大型平面カラーディスプレイと
して期待されているプラズマディスプレイ表示装置（前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ており、セル中でプラズマ放電を発生させることにより
画像を形成する表示装置）の前面基板においては、前記
透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久性に優れ
たガラス被覆層が必須である。そのようなガラス被覆層
は、従来より、ガラス粉末を含有するガラス組成物をガ
ラス基板上に塗布し、焼成することにより形成されてい
る。
して期待されているプラズマディスプレイ表示装置（前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ており、セル中でプラズマ放電を発生させることにより
画像を形成する表示装置）の前面基板においては、前記
透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久性に優れ
たガラス被覆層が必須である。そのようなガラス被覆層
は、従来より、ガラス粉末を含有するガラス組成物をガ
ラス基板上に塗布し、焼成することにより形成されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のガラス組成物を
ガラス基板上に塗布し、焼成することにより形成される
ガラス被覆層には、透明性が低い、という課題があっ
た。本発明は、以上のような課題を解決する、電極被覆
用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置
の提供を目的とする。
ガラス基板上に塗布し、焼成することにより形成される
ガラス被覆層には、透明性が低い、という課題があっ
た。本発明は、以上のような課題を解決する、電極被覆
用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置
の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、積算ふるい下
１０％径が１．５μｍ以下、５０％径が０．５〜５．０
μｍ、積算ふるい下９０％径が１０．０μｍ以下、であ
る粒度を有し、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラス
の粉末を含有する、電極被覆用低融点ガラス組成物、お
よび、前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されているプラズマディスプレイ装置において、軟
化点が４８０℃より低い低融点ガラスからなるガラス層
であって、該ガラス層に存在する直径１０μｍ以上の泡
の数が該ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５０個以下である
ガラス層により、前面基板のガラス基板上に設けられた
電極を被覆したプラズマディスプレイ装置、および、前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ているプラズマディスプレイ装置において、軟化点が４
８０℃より低い低融点ガラスにより前面基板のガラス基
板上に設けられた電極が被覆され、波長５５０ｎｍの光
の透過率が７０％以上である前面基板を用いるプラズマ
ディスプレイ装置、を提供する。
１０％径が１．５μｍ以下、５０％径が０．５〜５．０
μｍ、積算ふるい下９０％径が１０．０μｍ以下、であ
る粒度を有し、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラス
の粉末を含有する、電極被覆用低融点ガラス組成物、お
よび、前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されているプラズマディスプレイ装置において、軟
化点が４８０℃より低い低融点ガラスからなるガラス層
であって、該ガラス層に存在する直径１０μｍ以上の泡
の数が該ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５０個以下である
ガラス層により、前面基板のガラス基板上に設けられた
電極を被覆したプラズマディスプレイ装置、および、前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ているプラズマディスプレイ装置において、軟化点が４
８０℃より低い低融点ガラスにより前面基板のガラス基
板上に設けられた電極が被覆され、波長５５０ｎｍの光
の透過率が７０％以上である前面基板を用いるプラズマ
ディスプレイ装置、を提供する。
【０００８】本発明者らは、透明電極を絶縁被覆するガ
ラス被覆層について鋭意研究を重ねた結果、ガラス被覆
層の透明性がガラス被覆層中の泡に大きく左右されるこ
とを見出した。さらに、ガラス被覆層中の泡が、ガラス
組成物焼成時にガラスから発生するものではなく、焼成
前のガラス粉末の塗布層中に存在するガラス粒子間の空
隙が、焼成時のガラス粒子の軟化流動にともない球形に
なったものであることを見出し、本発明に至った。
ラス被覆層について鋭意研究を重ねた結果、ガラス被覆
層の透明性がガラス被覆層中の泡に大きく左右されるこ
とを見出した。さらに、ガラス被覆層中の泡が、ガラス
組成物焼成時にガラスから発生するものではなく、焼成
前のガラス粉末の塗布層中に存在するガラス粒子間の空
隙が、焼成時のガラス粒子の軟化流動にともない球形に
なったものであることを見出し、本発明に至った。
【０００９】
【発明の実施の形態】本明細書でいう積算ふるい下１０
％径Ｄ10は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線
の１０％に相当する粒子径である。また、５０％径Ｄ50
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の５０％
に相当する粒子径である。また、積算ふるい下９０％径
Ｄ90は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の９
０％に相当する粒子径である。
％径Ｄ10は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線
の１０％に相当する粒子径である。また、５０％径Ｄ50
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の５０％
に相当する粒子径である。また、積算ふるい下９０％径
Ｄ90は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の９
０％に相当する粒子径である。
【００１０】本明細書でいう低融点ガラスは、軟化点が
６２０℃以下のガラスであり、低融点ガラス粉末は、こ
のような低融点ガラスの粉末である。本明細書でいう低
融点ガラス組成物は、低融点ガラス粉末、印刷性を付与
するための有機ビヒクル、等からなる。
６２０℃以下のガラスであり、低融点ガラス粉末は、こ
のような低融点ガラスの粉末である。本明細書でいう低
融点ガラス組成物は、低融点ガラス粉末、印刷性を付与
するための有機ビヒクル、等からなる。
【００１１】本発明の、電極被覆用低融点ガラス組成物
は、Ｄ10が１．５μｍ以下、Ｄ50が０．５〜５．０μ
ｍ、Ｄ90が１０．０μｍ以下、である粒度の低融点ガラ
ス粉末を含有する。Ｄ10が１．５μｍより大、またはＤ
50が５．０μｍより大、またはＤ90が１０．０μｍより
大、である場合、低融点ガラス組成物を塗布して形成し
た塗布層中の低融点ガラス粉末のガラス粒子間の空隙が
増加し、その結果焼成によって形成されたガラス被覆層
中の泡が増加する。なお、低融点ガラス粉末の塗布層の
ガラス粒子間の空隙が増加する原因は、ガラス粒子径の
増大およびガラス粒子の充填率の低下である。また、Ｄ
50が０．５μｍより小である場合、低融点ガラスの粉砕
に要する時間が過大となり、コストが増加する。
は、Ｄ10が１．５μｍ以下、Ｄ50が０．５〜５．０μ
ｍ、Ｄ90が１０．０μｍ以下、である粒度の低融点ガラ
ス粉末を含有する。Ｄ10が１．５μｍより大、またはＤ
50が５．０μｍより大、またはＤ90が１０．０μｍより
大、である場合、低融点ガラス組成物を塗布して形成し
た塗布層中の低融点ガラス粉末のガラス粒子間の空隙が
増加し、その結果焼成によって形成されたガラス被覆層
中の泡が増加する。なお、低融点ガラス粉末の塗布層の
ガラス粒子間の空隙が増加する原因は、ガラス粒子径の
増大およびガラス粒子の充填率の低下である。また、Ｄ
50が０．５μｍより小である場合、低融点ガラスの粉砕
に要する時間が過大となり、コストが増加する。
【００１２】電極を形成するガラス基板としては、５０
〜３５０℃の平均線膨張係数（以下、熱膨張係数とい
う。）αが８０×１０-7〜９０×１０-7／℃であるガラ
ス基板が広く用いられている。このような場合、ガラス
基板との膨張特性をマッチングさせガラス基板のそりや
強度の低下を防止するために、低融点ガラス組成物の低
融点ガラス粉末としては、αが７０×１０-7〜９０×１
０-7／℃のものを用いることが好ましい。
〜３５０℃の平均線膨張係数（以下、熱膨張係数とい
う。）αが８０×１０-7〜９０×１０-7／℃であるガラ
ス基板が広く用いられている。このような場合、ガラス
基板との膨張特性をマッチングさせガラス基板のそりや
強度の低下を防止するために、低融点ガラス組成物の低
融点ガラス粉末としては、αが７０×１０-7〜９０×１
０-7／℃のものを用いることが好ましい。
【００１３】本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物
は、これをガラス基板上に塗布し、焼成することにより
ガラス被覆層を形成するものであるが、焼成は６２０℃
以下の焼成温度でおこなうことが好ましい。
は、これをガラス基板上に塗布し、焼成することにより
ガラス被覆層を形成するものであるが、焼成は６２０℃
以下の焼成温度でおこなうことが好ましい。
【００１４】本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物と
しては、酸化物基準の重量％表示で、 ＰｂＯ ：５２〜６８％、 Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、 ＺｎＯ ： ５〜２３％、 ＳｉＯ2 ： ０〜 ５％、 Ａｌ2 Ｏ3 ： ０〜 ８％、 ＳｎＯ2 ： ０〜 ５％、 から実質的になる低融点ガラスの粉末を用いることが好
ましい。
しては、酸化物基準の重量％表示で、 ＰｂＯ ：５２〜６８％、 Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、 ＺｎＯ ： ５〜２３％、 ＳｉＯ2 ： ０〜 ５％、 Ａｌ2 Ｏ3 ： ０〜 ８％、 ＳｎＯ2 ： ０〜 ５％、 から実質的になる低融点ガラスの粉末を用いることが好
ましい。
【００１５】ＰｂＯはガラスを低融点化するために必須
な成分であり、５２〜６８％含有することが好ましい。
含有量が５２％未満では、ガラスの軟化点が高くなり、
６２０℃以下での焼成では充分透明な層の形成が困難と
なる。好ましくは５３％以上である。一方、含有量が６
８％超では、低融点ガラスの熱膨張係数が大きくなりす
ぎ、またガラス層が黄色に着色する傾向が生じる場合が
ある。好ましくは６４％以下である。
な成分であり、５２〜６８％含有することが好ましい。
含有量が５２％未満では、ガラスの軟化点が高くなり、
６２０℃以下での焼成では充分透明な層の形成が困難と
なる。好ましくは５３％以上である。一方、含有量が６
８％超では、低融点ガラスの熱膨張係数が大きくなりす
ぎ、またガラス層が黄色に着色する傾向が生じる場合が
ある。好ましくは６４％以下である。
【００１６】Ｂ2 Ｏ3 はＰｂＯ系低融点ガラスを安定な
ガラスとする成分であり、１４〜２８％含有することが
好ましい。含有量が１４％未満では、低融点ガラスが焼
成中に結晶化して透明性を損ねるおそれがある。また、
相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点ガラス
の熱膨張係数が大きくなるおそれがある。含有量が２８
％超では、相対的に含有されるＰｂＯ量が少なくなり低
融点ガラスの軟化点が高くなるおそれがある。
ガラスとする成分であり、１４〜２８％含有することが
好ましい。含有量が１４％未満では、低融点ガラスが焼
成中に結晶化して透明性を損ねるおそれがある。また、
相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点ガラス
の熱膨張係数が大きくなるおそれがある。含有量が２８
％超では、相対的に含有されるＰｂＯ量が少なくなり低
融点ガラスの軟化点が高くなるおそれがある。
【００１７】ＺｎＯは低融点ガラスの熱膨張係数を小さ
くするための成分であり、５〜２３％含有することが好
ましい。含有量が５％未満では低融点ガラスの熱膨張係
数が大きくなるおそれがある。好ましくは９％以上であ
る。含有量が２３％超では低融点ガラスが焼成中に結晶
化して透明性を損ねるおそれがある。好ましくは２１％
以下である。
くするための成分であり、５〜２３％含有することが好
ましい。含有量が５％未満では低融点ガラスの熱膨張係
数が大きくなるおそれがある。好ましくは９％以上であ
る。含有量が２３％超では低融点ガラスが焼成中に結晶
化して透明性を損ねるおそれがある。好ましくは２１％
以下である。
【００１８】ＳｉＯ2 は必須成分ではないが、ＰｂＯ系
低融点ガラスを安定なガラスとするために加えうる。５
％超ではガラスの軟化点が高くなり、低融点ガラスの焼
成中の結晶化を促進し、透明性を損ねるおそれがある。
また、相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点
ガラスの熱膨張係数が大きくなるおそれがある。
低融点ガラスを安定なガラスとするために加えうる。５
％超ではガラスの軟化点が高くなり、低融点ガラスの焼
成中の結晶化を促進し、透明性を損ねるおそれがある。
また、相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点
ガラスの熱膨張係数が大きくなるおそれがある。
【００１９】Ａｌ2 Ｏ3 は必須成分ではないが、ＰｂＯ
系低融点ガラスを安定なガラスとするために加えること
ができる。８％超では低融点ガラスの焼成中の結晶化を
促進し、透明性を損ねるおそれがある。
系低融点ガラスを安定なガラスとするために加えること
ができる。８％超では低融点ガラスの焼成中の結晶化を
促進し、透明性を損ねるおそれがある。
【００２０】ＳｎＯ2 は必須成分ではないが、ガラス中
に残留したカーボンを酸化しガラスの着色を防止するた
めに加えることができる。５％超では低融点ガラスの粘
度が増大して気泡の浮上が困難となり、透明性を損ねる
おそれがある。
に残留したカーボンを酸化しガラスの着色を防止するた
めに加えることができる。５％超では低融点ガラスの粘
度が増大して気泡の浮上が困難となり、透明性を損ねる
おそれがある。
【００２１】上記のガラス組成においては、これらの成
分の他にも、低融点ガラスの熱膨張係数や化学的耐久
性、軟化点、透明性、ガラスの安定性を調整するため
に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 等を本発明の効果を損しな
い範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の１０
％以下）で適宜含有させうる。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2
Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成
分もガラスの軟化点を低下させる成分として、電気的特
性等を阻害しない範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラ
ス組成中の１０％以下）で加えてもよい。
分の他にも、低融点ガラスの熱膨張係数や化学的耐久
性、軟化点、透明性、ガラスの安定性を調整するため
に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 等を本発明の効果を損しな
い範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の１０
％以下）で適宜含有させうる。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2
Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成
分もガラスの軟化点を低下させる成分として、電気的特
性等を阻害しない範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラ
ス組成中の１０％以下）で加えてもよい。
【００２２】本発明のプラズマディスプレイ装置におい
ては、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラスからな
り、該低融点ガラスに存在する直径１０μｍ以上の泡が
該低融点ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５０個以下である
低融点ガラス層によって、前面基板のガラス基板上の電
極を被覆する。
ては、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラスからな
り、該低融点ガラスに存在する直径１０μｍ以上の泡が
該低融点ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５０個以下である
低融点ガラス層によって、前面基板のガラス基板上の電
極を被覆する。
【００２３】該低融点ガラス層に存在する直径１０μｍ
以上の泡の数が該低融点ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５
０個以下である理由は、次のとおりである。すなわち、
直径が１０μｍ以上の泡の数が該低融点ガラス層表面１
ｍｍ2 あたり５０個より大きくなるとガラス層の光透過
率が低下し、プラズマディスプレイ装置の画質が低下す
る。また、ガラス中に存在する泡は絶縁破壊の大きな要
因であり、ガラス層の耐電圧特性が低下する。
以上の泡の数が該低融点ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５
０個以下である理由は、次のとおりである。すなわち、
直径が１０μｍ以上の泡の数が該低融点ガラス層表面１
ｍｍ2 あたり５０個より大きくなるとガラス層の光透過
率が低下し、プラズマディスプレイ装置の画質が低下す
る。また、ガラス中に存在する泡は絶縁破壊の大きな要
因であり、ガラス層の耐電圧特性が低下する。
【００２４】本発明の他のプラズマディスプレイ装置に
おいては、前面基板のガラス基板上に設けられた電極
が、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラスにより被覆
され、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である
前面基板を用いる。このような前面基板を用いることに
より、プラズマディスプレイ装置の画質の低下を防止で
きる。
おいては、前面基板のガラス基板上に設けられた電極
が、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラスにより被覆
され、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である
前面基板を用いる。このような前面基板を用いることに
より、プラズマディスプレイ装置の画質の低下を防止で
きる。
【００２５】本発明のプラズマディスプレイ装置におい
ては、前面基板のガラス基板上に設けられた透明電極等
の電極上に本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物を塗
布後、焼成することにより、透明性が高いガラス被覆層
を形成できる。
ては、前面基板のガラス基板上に設けられた透明電極等
の電極上に本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物を塗
布後、焼成することにより、透明性が高いガラス被覆層
を形成できる。
【００２６】
【実施例】表１に示すような組成（重量％）となるよう
に、酸化鉛、無水ホウ酸、酸化亜鉛、ケイ砂、酸化アル
ミニウム、酸化第二スズを混合し、１３００℃の白金ル
ツボ中で１時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボ
ールミルで粉砕し、低融点ガラス粉末を得た。低融点ガ
ラス粉末の粒度Ｄ10、Ｄ50、Ｄ90、および示差熱分析計
で測定した軟化点（℃）を表１に示す。また、低融点ガ
ラス粉末を成形後、５００℃で１０分間焼成して得た焼
成体を直径５ｍｍ、長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨
張計で５０〜３５０℃の熱膨張係数α（単位：×１０-7
／℃）を測定した（表１のα）。
に、酸化鉛、無水ホウ酸、酸化亜鉛、ケイ砂、酸化アル
ミニウム、酸化第二スズを混合し、１３００℃の白金ル
ツボ中で１時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボ
ールミルで粉砕し、低融点ガラス粉末を得た。低融点ガ
ラス粉末の粒度Ｄ10、Ｄ50、Ｄ90、および示差熱分析計
で測定した軟化点（℃）を表１に示す。また、低融点ガ
ラス粉末を成形後、５００℃で１０分間焼成して得た焼
成体を直径５ｍｍ、長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨
張計で５０〜３５０℃の熱膨張係数α（単位：×１０-7
／℃）を測定した（表１のα）。
【００２７】前記低融点ガラス粉末１００ｇを、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテルアセテートにエチル
セルロースを７重量％溶解した有機ビヒクル２５ｇと混
練し、ペースト状インクを作製した。
レングリコールモノブチルエーテルアセテートにエチル
セルロースを７重量％溶解した有機ビヒクル２５ｇと混
練し、ペースト状インクを作製した。
【００２８】次に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍ
のＩＴＯ透明電極を形成した大きさ７５ｍｍ×５０ｍ
ｍ、厚み２．８ｍｍのソーダライムガラスのガラス基板
を用意し、透明電極上の４８ｍｍ×２４ｍｍの部分に該
ペースト状インクを均一にスクリーン印刷後、１２０℃
で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃
／分で表１に示す焼成温度（℃）に加熱し、さらにその
温度に１０分間維持することにより、焼成した。焼成後
の低融点ガラス層の膜厚（μｍ）を測定した（表１の低
融点ガラス層膜厚）。焼成後のガラス基板の光透過率お
よび泡数を次の方法により測定した。結果を表１に示
す。
のＩＴＯ透明電極を形成した大きさ７５ｍｍ×５０ｍ
ｍ、厚み２．８ｍｍのソーダライムガラスのガラス基板
を用意し、透明電極上の４８ｍｍ×２４ｍｍの部分に該
ペースト状インクを均一にスクリーン印刷後、１２０℃
で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃
／分で表１に示す焼成温度（℃）に加熱し、さらにその
温度に１０分間維持することにより、焼成した。焼成後
の低融点ガラス層の膜厚（μｍ）を測定した（表１の低
融点ガラス層膜厚）。焼成後のガラス基板の光透過率お
よび泡数を次の方法により測定した。結果を表１に示
す。
【００２９】光透過率：（株）日立製作所製の自記録分
光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０
ｎｍの光の透過率を測定。サンプルのない状態を１００
％とし、ガラス基板上に低融点ガラス粉末を焼成したサ
ンプルの透過率（％）を測定した。７０％以上あれば合
格である。 泡数：低融点ガラス層を光学顕微鏡（透過光）を用いて
倍率５００で写真撮影をおこない、得られた写真中の泡
をカウントし、ガラス層の表面１ｍｍ×１ｍｍあたりの
泡数（個／ｍｍ2 ）を求める。
光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０
ｎｍの光の透過率を測定。サンプルのない状態を１００
％とし、ガラス基板上に低融点ガラス粉末を焼成したサ
ンプルの透過率（％）を測定した。７０％以上あれば合
格である。 泡数：低融点ガラス層を光学顕微鏡（透過光）を用いて
倍率５００で写真撮影をおこない、得られた写真中の泡
をカウントし、ガラス層の表面１ｍｍ×１ｍｍあたりの
泡数（個／ｍｍ2 ）を求める。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明の低融点ガラス組成
物は、ＩＴＯ等の透明電極等各種電極の特性を低下させ
ることなく透明な絶縁層であるガラス被覆層を形成でき
るため、平面ディスプレイ用途に好適である。また、本
発明のプラズマディスプレイ装置においては、前面基板
のガラス基板上に設けられた透明電極等の各種電極を被
覆する、ガラス被覆層による画質の低下はない。
物は、ＩＴＯ等の透明電極等各種電極の特性を低下させ
ることなく透明な絶縁層であるガラス被覆層を形成でき
るため、平面ディスプレイ用途に好適である。また、本
発明のプラズマディスプレイ装置においては、前面基板
のガラス基板上に設けられた透明電極等の各種電極を被
覆する、ガラス被覆層による画質の低下はない。
Claims (5)
- 【請求項１】積算ふるい下１０％径が１．５μｍ以下、
５０％径が０．５〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、軟化点が４８
０℃より低い低融点ガラスの粉末を含有する、電極被覆
用低融点ガラス組成物。 - 【請求項２】低融点ガラスの組成が酸化物基準の重量％
表示で、 ＰｂＯ ：５２〜６８％、 Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、 ＺｎＯ ： ５〜２３％、 ＳｉＯ2 ： ０〜 ５％、 Ａｌ2 Ｏ3 ： ０〜 ８％、 ＳｎＯ2 ： ０〜 ５％、 から実質的になる請求項１記載の電極被覆用低融点ガラ
ス組成物。 - 【請求項３】前面基板、背面基板および隔壁によりセル
が区画形成されているプラズマディスプレイ装置におい
て、軟化点が４８０℃より低い低融点ガラスからなるガ
ラス層であって、該ガラス層に存在する直径１０μｍ以
上の泡の数が該ガラス層表面１ｍｍ2 あたり５０個以下
であるガラス層により、前面基板のガラス基板上に設け
られた電極を被覆しているプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項４】前面基板、背面基板および隔壁によりセル
が区画形成されているプラズマディスプレイ装置におい
て、前面基板のガラス基板上に設けられた電極が、軟化
点が４８０℃より低い低融点ガラスにより被覆され、波
長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である前面基板
を用いるプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項５】請求項１または２記載の電極被覆用低融点
ガラス組成物を焼成して得られる低融点ガラスにより前
面基板のガラス基板上に設けられた電極が被覆され、波
長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である前面基板
を用いるプラズマディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066698A JPH11236244A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 電極被覆用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066698A JPH11236244A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 電極被覆用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236244A true JPH11236244A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12586865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4066698A Withdrawn JPH11236244A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 電極被覆用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236244A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1321899C (zh) * | 2005-12-07 | 2007-06-20 | 浙江大学 | 在SiO2表面制备纳米氧化锌的方法 |
| CN100369841C (zh) * | 2005-05-06 | 2008-02-20 | 湖南省天博瓷业有限公司 | 中温陶瓷大红釉 |
| JP2008303075A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Central Glass Co Ltd | 絶縁性被膜材料 |
| JP2017222542A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 |
| JP2021147311A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 半導体部品のパッシベーション用ガラス |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP4066698A patent/JPH11236244A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100369841C (zh) * | 2005-05-06 | 2008-02-20 | 湖南省天博瓷业有限公司 | 中温陶瓷大红釉 |
| CN1321899C (zh) * | 2005-12-07 | 2007-06-20 | 浙江大学 | 在SiO2表面制备纳米氧化锌的方法 |
| JP2008303075A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Central Glass Co Ltd | 絶縁性被膜材料 |
| JP2017222542A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 |
| JP2021147311A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 半導体部品のパッシベーション用ガラス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060801 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061025 |