JPH1123651A - バーンイン試験装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多品種少量生産の半導体集積回路を並行して
試験できるバーンイン試験装置を提供する。 【解決手段】 制御部６はゾーンＡ，Ｂのデバイステス
トプログラム５Ａ，５Ｂから読み出した命令を試験装置
切替回路９により試験装置２Ａ，２Ｂへ交互に送出す
る。これら試験装置は恒温槽３に収容された半導体集積
回路１Ａ，１Ｂのバーンイン試験をそれぞれ行う。な
お、デバイステストプログラムの記述内容は半導体集積
回路の品種毎に異なる。制御部６は、ゾーンＡで発行さ
れる温度制御命令で指定された温度条件を所定のタイミ
ングで恒温槽温度制御部４へ出力して恒温槽３の温度を
変移させる。制御部６は、何れかのゾーンで温度制御命
令が発行されると、他方のゾーンで温度制御命令が発行
されるまでそのゾーンの試験を一時停止し、両ゾーンで
温度制御命令が発行されてから温度条件を恒温槽温度制
御部４へ送出し、一時停止していたゾーンの試験を再開
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路な
どの被測定デバイス（以下、単に「デバイス」と称す
る）に温度ストレス及び電気的ストレスを加えて故障メ
カニズムに即した試験を行って、欠陥のあるデバイスを
発見，除去するためのバーンイン試験装置に関する。さ
らに詳しくは、試験条件や試験手順を記述するデバイス
テストプログラムを用いて、多量の半導体集積回路のバ
ーンイン試験を同時並行的に行うバーンイン試験装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】バーンイン試験装置では、半導体集積回
路の初期不良を検出するために、高温の熱負荷と規格値
を越えた電源電圧の電気的負荷を半導体集積回路に与え
た状態で長時間動作させることで、強制的に初期不良を
発生させて良品，不良品の判定を行っている。こうした
バーンイン試験は、半導体集積回路のバーンイン試験の
ために開発された言語で記述したデバイステストプログ
ラムに従って実行されるもので、一度に多量の半導体集
積回路を試験するのが一般的である。デバイステストプ
ログラムには、半導体集積回路恒温槽内の温度を制御す
る温度制御装置への温度命令、半導体集積回路に与える
電気的条件，信号データ，タイミングデータなどの試験
条件、試験の流れを定義した試験手順などが記述されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のバー
ンイン試験装置では、１回のバーンイン試験で実行でき
るデバイステストプログラムは１種類に限定されてい
た。つまり、同時に試験できる半導体集積回路の種類は
１種類だけであった。しかしながら、最近の半導体集積
回路は多品種少量生産になってきているために、以下の
ような問題が生じてきている。

【０００４】すなわち、同種多量の半導体集積回路を試
験可能なバーンイン試験装置を用いる場合に、１回のバ
ーンイン試験で１種類のデバイステストプログラムしか
実行できないとすれば、少量の半導体集積回路だけが同
時に試験されることになる。それゆえに、バーンイン装
置の大部分を空き状態で長時間占有してしまうことにな
る。これに加え、多品種の試験を行うために半導体集積
回路の品種毎にデバイステストプログラムを順次実行さ
せることになるため、試験回数，試験時間が増大してし
まう。その点、半導体集積回路の品種の数に応じてバー
ンイン試験装置の台数を増やすことも考えられなくはな
いが、装置自体のコストや設置場所等の観点からしても
現実的な解決策とは言えない。

【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、多品種少量生産の半導体集積回路を
同時並列的に試験できるバーンイン試験装置を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明は、試験条件や試験手順を規
定する命令が記述されたデバイスプログラムをゾーン毎
に記憶する記憶手段と、前記デバイスプログラムに記述
されている命令に従って、試験対象であるデバイスのバ
ーンイン試験を前記ゾーン毎に実施する試験手段と、前
記デバイスプログラムから読み出した命令を前記試験手
段へ所定数送出する度に前記ゾーンの切り替えを行っ
て、切り替えられたゾーンに対応する試験手段に対して
新たな命令の送出を行う切替手段とを具備することを特
徴としている。

【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記デバイスプログラムから前記命
令が読み出されるのに伴って、デバイスプログラム間の
同期待ちを指示するための同期待ち命令を検出する検出
手段と、前記同期待ち命令が検出される度に、該同期待
ち命令が記述されているデバイスプログラムに対応した
ゾーンのバーンイン試験を一時停止するとともに、前記
同期待ち命令が前記ゾーン全てにおいて検出された時点
で、全てのゾーンのバーンイン試験を再開させる制御手
段とを具備することを特徴としている。

【０００８】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の発明において、前記同期待ち命令は、前記各デバイ
スが収容された同一恒温槽内の温度を制御する温度制御
命令であって、前記制御手段は、前記バーンイン試験を
再開させる時点において、予め決められた前記何れかの
デバイスプログラムに記述されている前記温度制御命令
に基づいて、前記恒温槽内の温度制御を開始させること
を特徴としている。また、請求項４記載の発明は、請求
項１〜３の何れかの項記載の発明において、前記試験手
段による前記バーンイン試験の実行状況を前記ゾーン毎
に出力する状況出力手段を有することを特徴としてい
る。また、請求項５記載の発明は、請求項１〜４の何れ
かの項記載の発明において、前記試験手段の各々が前記
バーンイン試験の試験結果を作成することを特徴として
いる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態について説明する。図１は、同実施形態による
バーンイン試験装置の構成を示すブロック図である。本
実施形態ではバーンイン試験装置内のゾーンとしてゾー
ンＡ及びゾーンＢの２つを想定しており、以下の説明で
はゾーン数を「２」として説明する。なお「ゾーン」と
は、多品種の半導体集積回路を異なる試験パターンで同
時にバーンインできるように、同一恒温槽内で電気的に
区分けされた領域のことである。

【００１０】さて、図１に示す半導体集積回路１Ａ，１
Ｂは何れもバーンイン試験の試験対象であって、半導体
集積回路１ＡはゾーンＡに属し、半導体集積回路１Ｂは
ゾーンＢに属している。なお、半導体集積回路１Ａ，１
Ｂはそれぞれが同品種から成る多数のデバイスで構成さ
れている。試験装置２Ａ，２Ｂはそれぞれ半導体集積回
路１Ａ，１Ｂのバーンイン試験を行うための装置であ
る。これらの試験装置は、バーンイン試験で得られた試
験結果を内部に設けられたメモリ等にそれぞれ蓄積させ
るようにしている。このように、試験装置毎に試験結果
を保存しておくことにより、何れかの試験装置が故障し
た場合や、試験対象の半導体集積回路の不良によってバ
ーンイン試験装置に異常が発生した場合にも、異常が発
生したゾーンのバーンイン試験を中止し、正常なゾーン
のバーンイン試験を継続させて次工程に進めることがで
きる。

【００１１】恒温槽３は半導体集積回路１Ａ，１Ｂを収
容しており、恒温槽温度制御部４は後述する制御部６か
らの温度制御命令に従って恒温槽３内部の温度制御を行
う。デバイステストプログラム５Ａ，５Ｂにはそれぞれ
半導体集積回路１Ａ，半導体集積回路１Ｂの試験内容が
記述されている。デバイステストプログラムは半導体集
積回路の品種毎に用意されており、デバイステストプロ
グラムが異なればそこに記述されている命令も違ってく
る。しかし、温度制御命令による恒温槽３内の温度変移
は、原則として全てのデバイステストプログラムで同じ
であることが前提になっている。もっとも、後述するよ
うに、ゾーンＢ側のバーンイン試験が先に終了してしま
えば、その後のゾーンＡ側の温度変移が如何なるもので
あれゾーンＢ側のバーンイン試験の結果には影響しない
ので、こうした場合は例外となる。なお、デバイステス
トプログラム５Ａ，５Ｂは何れもハードディスク等の媒
体に記憶されているが、図１ではその図示を省略してあ
る。

【００１２】制御部６は、ホストコンピュータ７の内部
に格納されたファイルの記述や、オペレータが入力装置
８を操作して行う指令（以下、「オペレータ等の指令」
と称する）に従って、デバイステストプログラム５Ａ，
５Ｂを取り込む。また制御部６は、取り込んだデバイス
テストプログラムに記述されている試験の流れを命令単
位で解析すると共に、内部に設けられた試験装置切替回
路９を制御して、解析された命令を試験装置２Ａ，２Ｂ
へ交互に出力する。

【００１３】ここで、前述した温度制御命令は、デバイ
ステストプログラム５Ａに記述されたものだけが有効と
して扱われ、当該命令で指定された温度条件が制御部６
から恒温槽温度制御部４に出力される。したがって、デ
バイステストプログラム５Ｂに温度制御命令を記述して
も、当該命令で指定された温度条件は恒温槽温度制御部
４に送られない。

【００１４】また制御部６では、デバイステストプログ
ラム間で同期待ち処理が必要な命令が予め「同期待ち命
令」として登録されており、同期待ちのトリガとして使
用される。前述した温度制御命令は同期待ち命令の一種
であり、温度制御命令によってデバイステストプログラ
ム５Ａ，５Ｂ間の同期をとることで、それぞれのデバイ
ステストプログラムが期待した通りの温度変移でバーン
イン試験が行われることになる。

【００１５】さらに制御部６は、ゾーンＡ，ゾーンＢの
各々についてデバイステストプログラムの実行状態を保
持している。具体的な実行状態としては、デバイステス
トプログラムが実行される「実行可能状態」，先行する
同期待ち命令の実行により他のデバイステストプログラ
ムとの間で同期の待ち合わせをしている「同期待ち状
態」，デバイステストプログラムの実行が終了している
「終了待ち状態」がある。但し、終了待ち状態にある場
合は、同時に同期待ち状態にもあるものとして扱われ
る。なお、制御部６のその他の機能については動作の説
明で明らかにする。

【００１６】表示装置１０，出力装置１１は、制御部６
から出力されるバーンイン試験の実行状況等をゾーン毎
に随時表示し或いは出力する。この実行状況には、デバ
イステストプログラムの実行を開始した時点からの経過
時間，実行中のデバイステストプログラムの行番号，各
テスト項目のテスト番号やその走行時間，電源電圧の値
などがある。以上に加え、表示装置１０，出力装置１１
には、試験装置２Ａ，２Ｂに格納されている試験結果を
表示，出力させることもできる。なお、表示装置１０，
出力装置１１の何れが選択されるのか或いはこれら双方
が選択されるのかは、オペレータ等の指令によって決定
される。

【００１７】次に、図２〜図５を参照して上記構成によ
るバーンイン試験装置の動作を説明する。ここで、図２
はバーンイン試験装置の全体動作を示すフローチャー
ト，図３及び図４は図２に示す命令解析処理の詳細を示
したフローチャートである。また、図５はデバイステス
トプログラム５Ａの記述に従った温度変移と、デバイス
テストプログラム５Ａ，５Ｂの実行状態を併記した図で
ある。

【００１８】まず、バーンイン試験装置の電源を立ち上
げると、バーンイン試験を制御する制御プログラムが起
動される。これにより、制御部６は初期化処理として両
ゾーンの状態を実行可能状態に初期設定し、オペレータ
等からの指令待ちの状態になる。その後、図２のステッ
プＳ１において、オペレータ等の指令でデバイステスト
プログラムの読み込みが指示されると、制御部６はデバ
イステストプログラム５Ａ，５Ｂを順次内部のメモリに
取り込む。

【００１９】次に、ステップＳ２で、オペレータ等の指
令によりバーンイン試験開始が指示されると、ステップ
Ｓ３で制御部６は試験命令の出力先となる試験装置をゾ
ーンＡ側に初期設定する。なお、この時点における時刻
を図５の時刻ｔ０とする。次に、制御部６はその処理を
ステップＳ４に進めてデバイステストプログラムの命令
解析処理を行う。以下詳述するように、この命令解析処
理においてはデバイステストプログラム５Ａ，５Ｂを命
令単位で解析すると共に、試験装置２Ａ，２Ｂを制御し
てバーンイン試験を同時並行的に行わせる。

【００２０】さて、制御部６の処理がステップＳ４に進
むと図３〜図４に示す処理が呼び出される。まず制御部
６は、ステップＳ２１で試験装置の設定がゾーンＡ側で
あるかどうか判定する。この時点では、前述したステッ
プＳ３でゾーンＡが初期設定されていることから、制御
部６は処理をステップＳ２２に進めて試験装置切替回路
９を試験装置２Ａ側に切り替える。次に、制御部６はス
テップＳ２３でデバイステストプログラム５Ａに記述さ
れた命令を一つ読み出して、読み出された命令がプログ
ラム終了命令かどうかをステップＳ２４で判断する。

【００２１】この時点ではデバイステストプログラム５
Ａは終了していないので、制御部６はステップＳ２６
で、読み出された命令が試験条件設定命令であるかどう
か判定し、そうであればステップＳ２７で、試験装置と
して設定されている試験装置２Ａに対して試験条件を出
力する。次に、制御部６は図４のステップＳ２８で、読
み出された命令が同期待ち命令であるか判別するが、こ
の場合は試験条件設定命令であるので処理をステップＳ
２９に進める。ステップＳ２９で制御部６は、試験装置
の設定がゾーンＡ側であるか判定するが、この場合の判
定結果は「Ｙｅｓ」であることから、その処理をステッ
プＳ４２に進め、試験装置の設定をゾーンＢ側に切り替
える。

【００２２】次に、制御部６はステップＳ３１でゾーン
Ａ及びゾーンＢの双方が同期待ち状態であるかを判定す
るが、この場合は何れのゾーンも実行可能状態であるの
で命令解析処理を終了させる。次いで、制御部６は処理
をステップＳ５（図２）に進めてゾーンＡ側が終了待ち
状態かどうかを判定する。この場合は何れのゾーンも終
了待ち状態ではないので、制御部６は処理をさらにステ
ップＳ６に進めてゾーンＢ側も終了待ち状態でないこと
を認識する。次いで、制御部６は処理をステップＳ７に
進めて、両ゾーンのデバイステストプログラムが終了し
たかどうか判定するが、この場合は何れもその処理を終
了していないので、処理はステップＳ４に戻る。

【００２３】そうすると、前述したのと同様にして図３
〜図４の処理が呼ばれるが、この場合は試験装置の設定
がステップＳ４２でゾーンＢ側に切り替えられており、
ステップＳ２１の判定結果は「Ｎｏ」となる。そこで、
前述したステップＳ２２〜Ｓ２４と同様に、制御部６は
ステップＳ３４〜Ｓ３６を順次処理することで、試験装
置切替回路９を試験装置２Ｂ側に切り替え、デバイステ
ストプログラム５Ｂから命令を一つ読み出してそれがプ
ログラム終了命令かどうか判定する。この場合の判定結
果も「Ｎｏ」であるから、制御部６は処理をステップＳ
２６に進める。

【００２４】そして、読み出された命令が試験条件設定
命令であれば、前述したのと同様に処理をステップＳ２
７（図３），ステップＳ２８，Ｓ２９（図４）と進め
て、命令で指定された試験条件を試験装置２Ｂへ出力す
ると共に、試験装置の設定がゾーンＡ側であるかどうか
判定する。この場合は試験装置の設定がゾーンＢ側であ
るので、ステップＳ３０で制御部６は試験装置の設定を
ゾーンＡ側に切り替えたのち、ステップＳ３１を経て図
２のステップＳ５に処理を進める。この場合にあっても
両ゾーンは終了待ち状態でないことから、制御部６は処
理をステップＳ５，Ｓ６，Ｓ７と進めてステップＳ４に
戻す。

【００２５】これ以後も、デバイステストプログラム５
Ａ又は５Ｂから読み出される命令が、温度制御命令，同
期待ち命令，プログラム終了命令の何れでもなければ、
デバイステストプログラム５Ａ，５Ｂから命令が一つず
つ交互に読み出され、図５の時刻ｔ０〜ｔ１に示すよう
に、試験装置２Ａ，２Ｂで室温におけるバーンイン試験
が並行して行われる。但し、命令が試験条件設定命令で
ない場合は、図３のステップＳ２６の判定結果が「Ｎ
ｏ」となるので、制御部６は処理をステップＳ３７に進
めて命令が温度制御命令でないことを確認したのち、処
理をステップＳ４５に進めて、読み出された命令に応じ
た個別の処理（各テスト項目の実行指示，試験結果の収
集，試験結果の正常／異常の判定など）を行ってから、
図４のステップＳ２８に処理を進める。このステップＳ
２８以降の処理は前述したのと同じである。

【００２６】その後、図５の時刻ｔ１でデバイステスト
プログラム５Ａから８０゜Ｃの温度制御命令が読み出さ
れると、図３のステップＳ３７の判定結果が「Ｙｅｓ」
となる。そこで制御部６は、ステップＳ３８で試験装置
の設定がゾーンＡ側であるかどうか判定する。この判定
結果は「Ｙｅｓ」となるので、ステップＳ３９で制御部
６は後述するステップＳ３３で恒温槽温度制御部４に温
度条件を出力するために、この温度条件を内部のメモリ
に記憶する。つまりこの時点では、制御部６は恒温槽温
度制御部４に温度条件を出力しない。

【００２７】次いで、図４のステップＳ４０で制御部６
は試験装置の設定がゾーンＡ側かどうか判定すると、こ
の判定結果は「Ｙｅｓ」となるので、ステップＳ４１で
ゾーンＡ側の実行状態を同期待ち状態に設定したのち、
ステップＳ４２で試験装置の設定をゾーンＢ側に切り替
えて、ステップＳ３１を経て命令解析処理を終了させ
る。これ以後は、図５の時刻ｔ２に至るまでゾーンＢ側
の試験装置２Ｂでのみバーンイン試験が行われる。その
ために、制御部６はステップＳ３０の処理の中でゾーン
Ａ側が同期待ち状態であることを検出して、試験装置の
設定がゾーンＡ側に切り替えられないようにする。な
お、時刻ｔ２までデバイステストプログラム５Ｂには温
度制御命令，同期待ち命令，プログラム終了命令は記述
されていないものとする。

【００２８】そして、時刻ｔ２においてデバイステスト
プログラム５Ｂから８０゜Ｃの温度制御命令が読み出さ
れると、ステップＳ３７の判定結果が「Ｙｅｓ」とな
る。そこで制御部６は上記同様にステップＳ３８を実行
するが、この場合は判定結果が「Ｎｏ」となるのでその
処理を図４のステップＳ２８に進める。ここで、前述し
たように温度制御命令は同期待ち命令の一種であること
から、制御部６は処理を順次ステップＳ４０，Ｓ４６
（図４）と進め、このステップＳ４６でゾーンＢ側の実
行状態を同期待ち状態に設定し、ステップＳ４７で試験
装置の設定をゾーンＡ側に切り替える。

【００２９】次に、ステップＳ３１で制御部６はゾーン
Ａ，ゾーンＢの双方が同期待ち状態であるかどうか判定
し、その判定結果が「Ｙｅｓ」となると、制御部６はス
テップＳ３２で両ゾーンの実行状態を実行可能状態に変
更して同期待ちを解除する。次いで、ステップＳ３３で
制御部６は試験装置の設定をゾーンＡ側に設定すると共
に、ステップＳ３９で内部メモリに記憶しておいた温度
条件を恒温槽温度制御部４に出力したのち、命令解析処
理を終了させる。これにより、恒温槽３内部の温度が室
温から８０゜Ｃへと上昇してゆく。このときの両ゾーン
の実行状態は何れも実行可能状態であり、試験装置の設
定はゾーンＡ側に切り替わっているので、これ以後の動
作は時刻ｔ０〜ｔ１の場合と同様になる。

【００３０】なお、図５に示すように恒温槽３内の温度
は設定値である８０゜Ｃに向かって漸増してゆくことか
ら、デバイステストプログラム５Ａ，５Ｂでは温度が設
定値に達したことを確認した時点でバーンイン試験を再
開するような記述がされている。

【００３１】以上のように、ゾーンＡ側で最初に温度制
御命令が検出されると、ゾーンＢ側で温度制御命令が検
出されるまでゾーンＡ側が同期待ち状態となり、両ゾー
ンで温度制御命令が実行されてから、ゾーンＡ側の温度
制御命令で指定された温度設定値で温度制御が開始され
る。なお、同期待ち状態のゾーンの半導体集積回路には
温度ストレスが加えられたままとなるが、この場合は電
気的ストレスは加えられないので、同期待ち状態が継続
しても試験結果等に影響する等の問題は発生しない。

【００３２】その後、図５の時刻ｔ３でデバイステスト
プログラム５Ｂから２５゜Ｃの温度制御命令が読み出さ
れると、図３のステップＳ３７の判定結果が「Ｙｅｓ」
となったのち、制御部６は処理をステップＳ３８（図
３），ステップＳ２８，Ｓ４０，Ｓ４６，Ｓ４７，Ｓ３
１（図４）と進めて、ゾーンＢ側の実行状態を同期待ち
状態に設定すると共に、試験装置の設定をゾーンＡ側に
切り替える。したがって、これ以後はデバイステストプ
ログラム５Ａに従ってゾーンＡ側だけでバーンイン試験
が行われ、時刻ｔ４までゾーンＢ側は同期待ち状態とな
る。なお、時刻ｔ１〜ｔ２の間と同様に、ステップＳ４
２の処理で制御部６はゾーンＢ側が同期待ち状態である
ことを検出して、試験装置の設定がゾーンＢ側に切り替
えられないようにしている。

【００３３】そして、時刻ｔ４でデバイステストプログ
ラム５Ａから２５゜Ｃの温度制御命令が読み出される
と、図３のステップＳ３７の判定結果が「Ｙｅｓ」とな
る。そこで制御部６はその処理をステップＳ３８，Ｓ３
９（図３），Ｓ４０，Ｓ４１，Ｓ４２，Ｓ３１（図４）
と進めて、命令で指定された温度条件を内部メモリに記
憶するとともにゾーンＡ側の実行状態を同期待ち状態に
設定する。次いで、制御部６は処理をさらにステップＳ
３２，Ｓ３３と進めて、両ゾーンの同期待ち状態を解除
したのち、ステップＳ４２で切り替えられてしまったゾ
ーンをゾーンＡ側に再設定すると共に、温度条件を恒温
槽温度制御部４に送出する。これにより、２５゜Ｃの下
でのバーンイン試験が両ゾーンで再開される。

【００３４】以上のように、ゾーンＢ側で最初に温度制
御命令が検出された場合も、ゾーンＡ側で温度制御命令
が検出されるまでゾーンＢ側が同期待ち状態となり、両
ゾーンで温度制御命令が実行されてから温度遷移が発生
される。但し、この場合は時刻ｔ３におけるゾーンＢ側
の温度制御命令は無視され、時刻ｔ４で読み出されたゾ
ーンＡ側の温度制御命令の温度値が有効と見なされて恒
温槽３内部の温度が制御される。

【００３５】その後、図５の時刻ｔ５でデバイステスト
プログラム５Ｂからプログラム終了命令が読み出され
て、ゾーンＢ側のバーンイン試験の終了が指示される
と、図３のステップＳ３６の判定結果が「Ｙｅｓ」とな
る。そこで制御部６は、ステップＳ４３でゾーンＢの実
行状態を終了待ち状態に変更して命令解析処理を終了さ
せる。これにより、図２のステップＳ５の判定結果が
「Ｎｏ」となったのち、ステップＳ６の判定結果が「Ｙ
ｅｓ」となるので、制御部６はステップＳ１０で試験装
置の設定を実行可能状態にあるゾーンＡ側に切り替え、
ステップＳ１１でゾーンＡ側の実行状態を実行可能状態
に変更する。これによって、ゾーンＡの実行状態が同期
待ち状態であればその状態が解除される。

【００３６】次に、制御部６の処理はステップＳ７を経
てステップＳ４に戻り、引き続きデバイステストプログ
ラム５Ａを読み出して、ゾーンＡ側だけでバーンイン試
験を行う。その後、図５の時刻ｔ６において、デバイス
テストプログラム５Ａから３０゜Ｃの温度制御命令が読
み出されると、図３のステップ３７の判定結果が「Ｙｅ
ｓ」となり、制御部６はステップＳ３８〜Ｓ４２を順次
処理したのち、ステップＳ３１で両ゾーンが同期待ち状
態かどうか判定する。この場合、ゾーンＡは同期待ち状
態でゾーンＢは終了待ち状態であることから、制御部６
は前述した通りゾーンＢも同期待ち状態であると見なし
て、ステップＳ３２，Ｓ３３を順次処理する。これによ
り、ステップＳ３９で記憶してあった温度条件が恒温槽
温度制御部４に出力されて恒温槽３の温度設定が３０゜
Ｃとなると共に、制御部６は引き続きゾーンＡ側のバー
ンイン試験を行う。

【００３７】そして、図５の時刻ｔ７でデバイステスト
プログラム５Ａからプログラム終了命令が読み出される
と、ステップＳ２４の判定結果が「Ｙｅｓ」となる。そ
こで制御部６は、ステップＳ２５でゾーンＡ側の実行状
態も終了待ち状態に設定して命令解析処理を終了させ
る。これにより、両ゾーンの実行状態が終了待ち状態と
なるので、制御部６は図２のステップＳ５，Ｓ８，Ｓ
９，Ｓ６，Ｓ１０，Ｓ１１を順次実行したのち、ステッ
プＳ７で両ゾーンが終了待ち状態であることを認識す
る。したがって、この時点で両ゾーンにおけるバーンイ
ン試験が完結したことになる。

【００３８】以上のように、バーンイン試験が先に終了
したゾーンでは、他のゾーンのバーンイン試験が終了す
るまで終了待ち状態に置かれることになり、バーンイン
試験の終了していないゾーンでは、デバイステストプロ
グラムから温度制御命令や同期待ち命令が読み出されて
も、バーンイン試験が終了するまで同期待ちはいっさい
行われない。

【００３９】ちなみに、ゾーンＡ側のバーンイン試験が
先に終了した場合は、図３のステップＳ３９が実行され
ないので、デバイステストプログラム５Ｂから温度制御
命令が読み出されたとしても、これによる温度変移が生
じることはない。つまり、この場合はデバイステストプ
ログラム５Ｂが期待するような温度変移が行われないの
で、こうしたデバイステストプログラムを作成しないよ
うにしている。

【００４０】なお、上記実施形態ではゾーン数を２とし
て説明したが、ゾーン数が３以上の場合であっても本発
明を問題なく適用できる。こうした場合、ゾーン数を増
やすにつれて上述したゾーンＢに関する処理が増えてゆ
くことになる。また、上記実施形態では同期待ち命令と
して温度制御命令を取り上げたが、温度制御命令以外の
同期待ち命令を使用した場合にも、その動作は上述した
説明に準じて行われる。また、上記実施形態では、読み
出し対象となるデバイステストプログラムを１命令単位
で切り替えるようにしているが、２命令以上を単位とし
て切り替えるようにしても良い。また、上記実施形態で
は、半導体集積回路の品種毎にデバイステストプログラ
ムを用意することとしたが、同品種の半導体集積回路を
複数のゾーンに区分し、それぞれ異なるデバイステスト
プログラムを用いてバーンイン試験を行うようにしても
良い。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
デバイスプログラムをゾーン毎に用意しておき、デバイ
スプログラムから命令を読み出して試験手段へ送出する
ことでデバイスのバーンイン試験を実施するとともに、
所定数の命令を試験手段に送出する度にゾーンの切り替
えを行って、異なる試験手段でバーンイン試験を行わせ
ている。これにより、複数種類のデバイステストプログ
ラムを並行して走行できるため、多品種のデバイスのバ
ーンイン試験を同時に行える。したがって、多品種少量
生産のデバイスの試験に際し、従来に比して試験時間を
短縮でき、省エネルギー化と試験コストの削減が可能と
なる。また、一度に試験するデバイスの個数が増えるこ
とから稼動効率を向上させられる。さらに、必要となる
バーンイン試験装置の数を削減できるので、設備コスト
の削減や省スペース化が図れる。

【００４２】また、請求項２記載の発明によれば、デバ
イスプログラムからの命令読み出しに伴って同期待ち命
令を検出して対応するゾーンのバーンイン試験を一時停
止させ、全てのゾーンで同期待ち命令が検出された時点
でバーンイン試験を再開させるようにしている。これに
より、必要に応じてゾーン間で同期をとりつつバーンイ
ン試験を行うことができる。また、請求項３記載の発明
によれば、各デバイスを収容する同一恒温槽の温度制御
を行う温度制御命令を同期待ち命令として定義し、全て
のゾーンで温度制御命令が検出されてバーンイン試験を
再開できる時点で、恒温槽内の温度制御を開始させてい
る。これにより、恒温槽の温度制御装置を一台設置する
だけで、各デバイスプログラム側が期待する温度変移を
させつつ、これらデバイステストプログラムの同時走行
が可能となる。

【００４３】また、請求項４記載の発明によれば、バー
ンイン試験の実行状況をゾーン毎に出力するので、オペ
レータがバーンイン試験の進捗状況をゾーン別に適宜確
認でき、装置内で異常が発生した場合にも早期の対応が
可能になる。また、請求項５記載の発明によれば、各試
験手段においてバーンイン試験の試験結果を作成してい
るので、何れかの試験手段が故障した場合や、試験対象
のデバイス不良によって装置に異常が発生した場合に
も、正常なゾーンのバーンイン試験を次工程に進めるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態によるバーンイン試験装
置の構成を示すブロック図である。

【図２】 同装置の全体動作を示すフローチャートであ
る。

【図３】 同装置の命令解析処理の詳細を示すフローチ
ャートである。

【図４】 同装置の命令解析処理の詳細を示すフローチ
ャートである。

【図５】 同実施形態において、デバイステストプログ
ラム５Ａの記述に従った温度変移の様子と、ゾーンＡ及
びゾーンＢの各ゾーンにおけるデバイステストプログラ
ムの実行状態を示した図である。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ…半導体集積回路、２Ａ，２Ｂ…試験装置、
３…恒温槽、４…恒温槽温度制御部、５Ａ，５Ｂ…デバ
イステストプログラム、６…制御部、７…ホストコンピ
ュータ、８…入力装置、９…試験装置切替回路、１０…
表示装置、１１…出力装置

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試験条件や試験手順を規定する命令が記
   述されたデバイスプログラムをゾーン毎に記憶する記憶
   手段と、 前記デバイスプログラムに記述されている命令に従っ
   て、試験対象であるデバイスのバーンイン試験を前記ゾ
   ーン毎に実施する試験手段と、 前記デバイスプログラムから読み出した命令を前記試験
   手段へ所定数送出する度に前記ゾーンの切り替えを行っ
   て、切り替えられたゾーンに対応する試験手段に対して
   新たな命令の送出を行う切替手段とを具備することを特
   徴とするバーンイン試験装置。
2. 【請求項２】 前記デバイスプログラムから前記命令が
   読み出されるのに伴って、デバイスプログラム間の同期
   待ちを指示するための同期待ち命令を検出する検出手段
   と、 前記同期待ち命令が検出される度に、該同期待ち命令が
   記述されているデバイスプログラムに対応したゾーンの
   バーンイン試験を一時停止するとともに、前記同期待ち
   命令が前記ゾーン全てにおいて検出された時点で、全て
   のゾーンのバーンイン試験を再開させる制御手段とを具
   備することを特徴とする請求項１記載のバーンイン試験
   装置。
3. 【請求項３】 前記同期待ち命令は、前記各デバイスが
   収容された同一恒温槽内の温度を制御する温度制御命令
   であって、 前記制御手段は、前記バーンイン試験を再開させる時点
   において、予め決められた前記何れかのデバイスプログ
   ラムに記述されている前記温度制御命令に基づいて、前
   記恒温槽内の温度制御を開始させることを特徴とする請
   求項２記載のバーンイン装置。
4. 【請求項４】 前記試験手段による前記バーンイン試験
   の実行状況を前記ゾーン毎に出力する状況出力手段を有
   することを特徴とする請求項１〜３の何れかの項記載の
   バーンイン試験装置。
5. 【請求項５】 前記試験手段の各々が前記バーンイン試
   験の試験結果を作成することを特徴とする請求項１〜４
   の何れかの項記載のバーンイン試験装置。