JPH11237334A - センサ取付構造体 - Google Patents

センサ取付構造体

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JPH11237334A
JPH11237334A JP5441498A JP5441498A JPH11237334A JP H11237334 A JPH11237334 A JP H11237334A JP 5441498 A JP5441498 A JP 5441498A JP 5441498 A JP5441498 A JP 5441498A JP H11237334 A JPH11237334 A JP H11237334A
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出部へのプリント基板側からの外乱影響を
も低減化できるセンサ取付構造体を提供する。 【解決手段】 リード線3,4を介してプリント基板5
との間に所定の間隔をおいて設けられるセンサ1の受光
面2側を開放してその周囲を取り囲むように設けられる
中空状の包囲部3と、前記センサ1とプリント基板5と
の間に間装される台座部8とを具備して熱容量の大きい
素材で形成されるブロック体6を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば微量炭素・硫
黄分析装置等の各種分析装置に用いられるセンサ取付構
造体に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば非分散型赤外線検出器では、図示
は省略するが、光源から照射される赤外線は、一定周期
で光を断続する回転チョッパーを通過し、両端を窓板で
封じられたガスセルを経た後光学フィルタを通って赤外
線センサに到達し、赤外線センサは光の到達量に応じた
アナログ信号を出力し、プリアンプで増幅され、A/D
変換されてCPUに送られ演算処理される。
【0003】上述の赤外線センサは、通常、リード線を
介してプリント基板に取り付けられているが、熱的な外
乱の影響を少なくするために、例えば、熱容量の大きい
金属材よりなるブロック体で、赤外線センサの検出部の
まわりを包囲するような構成が採られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
構成では、プリント基板からリード線を経由する経路で
熱的外乱が赤外線センサに影響し、検出出力信号に雑音
を発生させることがあった。つまり、赤外線センサの検
出部のまわりからの外乱にはブロック体で対処できる
が、外気温の影響を受けやすいプリント基板側からの外
乱には対処し難いという難点があった。
【0005】本発明はこのような実情に鑑みてなされ、
検出部へのプリント基板側からの外乱影響をも低減化で
きるセンサ取付構造体を提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するための手段を以下のように構成している。すなわ
ち、請求項1に記載の発明では、リード線を介してプリ
ント基板との間に所定の間隔をおいて設けられるセンサ
の受光面側を開放してその周囲を取り囲むように設けら
れる中空状の包囲部と、前記センサとプリント基板との
間に間装される台座部とを具備して熱容量の大きい素材
で形成されるブロック体を設けてなることを特徴として
いる。
【0007】ブロック体の包囲部によってセンサのまわ
りからの熱的外乱の影響を低減抑制することができ、か
つ、台座部によってプリント基板側からの熱的外乱の影
響を低減抑制することができる。
【0008】請求項2に記載の発明では、請求項1に記
載の発明における前記センサと台座部との間にOリング
を介装してなることを特徴としている。
【0009】センサと台座部との間にOリングを施すこ
とにより、センサとブロック体間の間隙が密封されるた
め、センサ後背部の雰囲気を含めた伝熱媒体が安定化
し、プリント基板側からの熱的外乱の影響をより一層効
果的に阻止することができる。また、センサとブロック
体間等にサンプルガス等が溜まるのが防がれると共に、
プリント基板側からセンサへ大気やガスが流入するのも
阻止される。
【0010】請求項3に記載の発明では、請求項1また
は請求項2に記載の発明における前記センサの受光面周
縁を押圧固定するための中空状に形成された固定部材
を、前記ブロック体の包囲部の中空部内に嵌着させてな
ることを特徴としている。
【0011】固定部材によりセンサの取付状態が安定化
し、かつ、その中空部によって受光面への赤外線の光路
を絞り込みやすくなり、受光面よりも前方の迷光等によ
る光学的な外乱影響を効果的に低減することができ、か
つ、製作が容易となり、組付性も向上する。
【0012】請求項4に記載の発明では、請求項3に記
載の発明における前記固定部材の中空部が、光源側から
前記センサの受光面側に向けて内径が小さくなるような
テーパ状に形成されてなることを特徴としている。
【0013】中空部をテーパ状に形成したことによっ
て、受光面への赤外線の光路をより一層絞り込みやすく
なり、光学的な外乱影響をさらに低減することができ
る。
【0014】請求項5に記載の発明では、請求項1ない
し請求項4のいずれかに記載の発明における前記包囲部
と台座部とが、それぞれ別体に形成され、前記包囲部と
台座部とを、締結具によって前記プリント基板に一体的
に組み付けてなることを特徴としている。
【0015】包囲部と台座部とを別体に形成したことに
より、ブロック体の設計の自由度が向上し、かつ、その
製作も容易となる。
【0016】請求項6に記載の発明では、請求項1ない
し請求項5のいずれかに記載の発明における前記ブロッ
ク体に温調手段を設け、前記ブロック体を所定の温度に
加温できるようにしたことを特徴としている。
【0017】ブロック体を恒温化することによって、よ
り一層効果的に熱的外乱の影響を低減することができ
る。
【0018】請求項7に記載の発明では、請求項1ない
し請求項5のいずれかに記載の発明における前記包囲部
と台座部とにそれぞれ検温手段を内設すると共に、前記
包囲部または台座部に加熱手段を設け、前記包囲部と台
座部とを所定の均一な温度に加温できるようにしたこと
を特徴としている。
【0019】
【発明の実施の形態】以下に本発明のセンサ取付構造体
の実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は
センサ取付構造体の断面を示し、符号1は赤外線センサ
(以下センサという)、2は受光面、3,4はリード
線、5はリード線3,4の端部がはんだ付けにより固定
されるプリント基板、6は熱容量の大きな素材、例えば
SUS材等の金属材料よりなる熱緩衝ブロック(以下ブ
ロック体という)で、そのブロック体6は、センサ1の
受光面2の側を開設してその周囲を取り囲むような中空
部71を有する包囲部7とセンサ1とプリント基板5と
の間に間装される台座部8とが一体的に形成されてな
り、その台座部8の底部に穿設したネジ孔81にプリン
ト基板5に貫挿させたボルト9を螺合締結させることに
よってプリント基板5に固定される。
【0020】上述のブロック体6の中空部71は丸孔状
にくり抜き形成されるが、その包囲部7と台座部8の外
形は円柱状もしくは角柱状とされ、その台座部8にはセ
ンサ1のリード線3,4を挿通させるための貫通孔8
3,84が形成され、そのリード線3,4の長さは例え
ば17mm程度、台座部8の厚さは例えば15mm程度に設
定してプリント基板5の側からの熱的外乱がセンサ1に
伝達されるのをその台座部8によって効果的に阻止する
ことができ、センサ1への外気温の影響(外乱雑音)を
大幅に減少することが可能となる。なお、ブロック体6
の台座部8に形成される貫通孔(83,84等)はセン
サ1個に対して1孔形成してもよく、センサ1に必要な
リード線の数だけ形成してもよく、共通線(例えば接地
線)を除いた孔数を形成してもよい。また、その貫通孔
83,84には、ブロック体6とリード線3,4との間
における熱抵抗を低下させるためにシリコングリスを充
填してもよく、ブロック体6がSUS材等の導電性素材
よりなる場合には、リード線3,4にビニール材等より
なる絶縁チューブを被覆させてもよい。
【0021】図2は、非分散型赤外線検出器の構成を示
し、11は光源、12はチョッパー、13は両端を窓1
4,15で封止されたガスセル、16はサンプルガスの
導入口、17はその排出口、18は光学フィルタであ
る。このような検出器では、光源11から照射された赤
外線は回転チョッパー12によって一定周期で断続され
た後、ガスセル13内を通過し、光学フィルタ18を通
りセンサ1の受光面2で検出され、光の到達量に応じた
アナログ信号がセンサ1から出力され増幅された後A/
D変換されてCPU(図示省略)に送られ演算処理され
る。
【0022】このような計測過程にあって、センサ1の
受光面2のまわりは包囲部7によって包囲されているた
め、その周囲からの熱的外乱の影響はその包囲部7に
よって効果的に阻止される。一方、前述したように、プ
リント基板5の側からの熱的外乱の影響はその台座部
8によって効果的に阻止される。また、センサ1の受光
面2に至る赤外線の光路が、包囲部7に形成された中空
部71によって受光面2の近傍で絞り込まれるため、迷
光等による光学的な外乱影響が低減される。よって、セ
ンサ1から出力される検出信号が安定化し、常に、安定
した信頼性の高い計測値を得ることができる。
【0023】図3に示す実施形態では、センサ1の底部
と台座部8の平坦部との間にOリング20を介装するこ
とにより、センサ1とブロック体6との間の間隙を密封
し、センサ1の後背部の雰囲気を含めた伝熱媒体の安定
化を図り、プリント基板5の側からの熱的外乱の侵入を
より一層効果的に阻止できるようにすると共に、センサ
1の側からサンプルガス等がブロック体6との間に溜ま
るのが防がれ、また、プリント基板5の側から大気やガ
スがセンサ1の側に流入するのが防がれる。なお、その
Oリング20の断面の形状は円形であってもよく、楕円
形であってもよく、また、適宜に選択されてよい。
【0024】図4(A)に示す実施形態では、ブロック
体6の包囲部7の中空部71の内周に刻設した雌螺子7
2に、中空部75を有する固定部材73の外周に刻設し
た雄螺子74を螺合させることによって固定部材73を
中空部71に嵌着し、センサ1の受光面2の周縁をその
固定部材73で押圧固定するように構成している。この
ような構成により、センサ1の取付状態が安定化し、振
動等の外乱の影響を受け難くなる。また、その固定部材
73に形成した中空部75によってセンサ1の受光面2
への赤外線光路の絞り込みが容易となり、受光面2より
も前方で発生する迷光等による光学的な外乱影響を効果
的に低減することができる。
【0025】図4(B)に示す実施形態では、固定部材
73の内部に設ける中空部76を、光源11の側から受
光面2の側へ向けて径が小さくなるようなテーパ状に形
成している。このような中空部76によって受光面2へ
の赤外線の光路をより一層効果的に絞り込むことがで
き、光学的な外乱影響をさらに低減することが可能とな
る。
【0026】図5に示す実施形態では、それぞれ別体に
形成した筒状の包囲部7と柱状の台座部8とをプリント
基板5に貫挿させたボルト9によって一体化しており、
これにより、ブロック体6の設計の自由度が向上し、か
つ、その製作も容易となる。例えば、台座部8を共通と
して、適宜、異なるサイズの包囲部7と組み合わせるこ
とができるような生産体制を採ることも可能である。な
お、その台座部8にはボルト9を挿通させるための挿通
孔85を形成し、包囲部7に螺子孔77を形成してい
る。
【0027】図6に示す実施形態では、ブロック体1と
同じ素材で、裏当部材18を形成し、その裏当部材18
とブロック体6との間にプリント基板5を介装挟持させ
るように構成し、これにより、その裏当部材18によっ
てプリント基板5そのものを周囲の熱的外乱のみなら
ず、電磁波等による電気的な外乱からも保護することが
できるようにし、かつ、台座部8によって、プリント基
板5の側からのセンサ1の外乱を阻止させることができ
る。この場合、その裏当部材18にボルト9を挿通させ
るための挿通孔181を穿設し、かつ、台座部8と裏当
部材18とに組付用の凹部85,86と凸部を形成して
いる。なお、図示は省略するが、ブロック体6は図5に
示すような筒状の包囲部7のみとしてもよい。
【0028】図7(A),(B)に示す実施形態では、
ブロック体6を恒温化することによって、緩衝効果を高
め、小型軽量化を図ったものであり、そのブロック体6
には、基本的には、例えばサーミスタよりなる2つの検
温手段31,32とトランジスタよりなる加熱手段33
とが設けられる。この場合、一方のサーミスタ31はセ
ンサ1の近傍のブロック体6の温度を検出し、他方のサ
ーミスタ32はプリント基板5の近傍のブロック体6の
温度を検出し、その両方の温度が等しくなるまでトラン
ジスタ33によって、ブロック体6が加熱される。な
お、上述の検温手段31,32と加熱手段33とで請求
項6でいう温調手段を構成している。
【0029】センサ1は光源11から赤外線を受光する
ため、一般的に、センサ1の近傍はプリント基板4の近
傍よりも高温となっている。従って、サーミスタ31の
温度は、サーミスタ32よりも高くなっている。このよ
うな前提条件下で、図7(B)に示すように、オペアン
プ34はトアランジスタ(NPN型)33と共に電圧フ
ォロア回路を形成し、トランジスタ33のエミッタ電位
は、オペアンプ34の+入力電位と等しくなる。従っ
て、トランジスタ33および抵抗35には、その電位を
抵抗35の抵抗値で除した電流が流れ、トランジスタ3
3の電力ロスはその電流とVccの積となる(正確には抵
抗35の電位分だけ少ない。)
【0030】そのトランジスタ33の電力ロス(発熱)
はブロック体6に熱伝導し、ブロック体6が加熱され
る。その加熱温度はサーミスタ32によって検出され、
サーミスタ31と32とが同抵抗値になるところで平衡
する。すなわち、ブロック体6のセンサ1の近傍位置と
プリント基板5の近傍位置の温度が等しくなるまでブロ
ック体6が加熱される。
【0031】今、熱的な外乱によってプリント基板5の
側が平衡点よりも低温になった時には、サーミスタ32
の抵抗値が大きくなり、オペアンプ10の+入力端子の
電位は上がり、トランジスタ33の電流は増加して電力
ロスが増し、ブロック体6が加熱されるようフィードバ
ックがかかる。すなわち、ブロック体6は、センサ1の
近傍位置とプリント基板5の近傍位置の温度差が一定と
なるように温度調整される。
【0032】従って、ブロック体6は、そのインピーダ
ンスが全体として非常に大きくなり、プリント基板5の
側およびセンサ1の周囲からの熱的外乱,(図2参
照)に対して大きな熱容量を具備した熱緩衝ブロックと
して機能する。よって、例えば25mφ×30mmH程度
の小型軽量のブロック体6で、リード線3,4側からの
熱的外乱を1/10程度に低減することができ、大幅
なコンパクト化が可能となる。なお、上述の平衡点に達
した時の温度は、例えば45〜55°C程度に設定され
るのが好ましい。
【0033】また、センサ1の側の温度がプリント基板
5の側よりも低い場合には、図8(A),(B)に示す
ような構成とすればよい。なお、図示は省略するが、図
7(A),(B)および図8(A),(B)にて、サー
ミスタ32,33の位置を入れ替えて、PNP型のトラ
ンジスタ33を用いるようにしてもよい。また、トラン
ジスタ33は必ずしもブロック体6の外壁面に取り付け
なくてもよく、ブロック体6内に設けた凹部や穴等に取
り付けてもよい。そのトランジスタ33やサーミスタ3
1、32とブロック体6との間には、シリコングリス等
の熱伝導性のグリスを介在させるのが好ましい。なお、
本発明は、ブロック体6を加熱する加熱手段や、ブロッ
ク体6の温度を検知する検温手段を特定するものではな
く、これらは適宜に選択されてよいのはいうまでもな
い。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、センサのまわりを取り囲むように設けた
包囲部によってセンサのまわりからの熱的外乱の影響を
低減することができ、かつ、センサとプリント基板との
間に間装させる台座部によってプリント基板側からの熱
的外乱の影響を低減抑制することができ、検出信号の雑
音が低減され、検出再現性が向上し、低濃度成分の検出
が可能となる。
【0035】請求項2に記載の発明によれば、Oリング
によってセンサとブロック体間の間隙が密封されるた
め、センサ後背部の雰囲気を含めた伝熱媒体が安定化し
プリント基板側からの熱的外乱の影響をより一層効果的
に阻止することができ、また、センサとブロック体間等
にサンプルガス等が溜まるのが防がれると共に、プリン
ト基板側からセンサへの大気やガスの流入も阻止され、
検出値の信頼性が向上する。
【0036】請求項3に記載の発明によれば、ブロック
体の中空部に嵌着させた固定部材によりセンサの取付状
態が安定化し、かつ、その中空部によって受光面への赤
外線の光路を絞り込みやすくなり、受光面よりも前方の
迷光等による光学的な外乱影響を効果的に低減すること
ができ、かつ、製作が容易となり、組付性も向上する。
【0037】請求項4に記載の発明によれば、中空部を
テーパ状に形成したことによって、受光面への赤外線の
光路をより一層絞り込みやすくなり、光学的な外乱影響
をより一層効果的に低減することができる。
【0038】請求項5に記載の発明によれば、包囲部と
台座部とを別体に形成したことにより、ブロック体の設
計の自由度が向上し、かつ、その製作も容易となり、部
材の共通化によって歩留を向上させることもできる。
【0039】請求項6および請求項7に記載の発明によ
れば、ブロック体を恒温化することによって、より一層
効果的に熱的外乱の影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセンサ取付構造体の一実施形態を示す
要部構成図である。
【図2】同センサ取付構造体を非分散型赤外線検出器に
適用した例を示す構成図である。
【図3】同センサ取付構造体の異なる実施形態を示す要
部断面図である。
【図4】(A)は別の実施形態を示す要部断面図、
(B)はその固定部材の異なる例を示す断面図である。
【図5】同センサ取付構造体の別の実施形態を示す要部
構成図である。
【図6】さらに別のセンサ取付構造体の実施形態を示す
要部構成図である。
【図7】(A)はさらに異なる別の実施形態を示す要部
断面図で、(B)はその回路図である。
【図8】(A)はさらに別の異なる実施形態を示す要部
断面図で、(B)はその回路図である。
【符号の説明】
1…センサ、2…受光面、3,4…リード線、5…プリ
ント基板、6…ブロック体、7…包囲部、71,75,
76…中空部、73…固定部材、8…台座部、9…締結
具(ボルト)、11…光源、20…Oリング、31,3
2…検温手段、33…加熱手段。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リード線を介してプリント基板との間に
    所定の間隔をおいて設けられるセンサの受光面側を開放
    してその周囲を取り囲むように設けられる中空状の包囲
    部と、前記センサとプリント基板との間に間装される台
    座部とを具備して熱容量の大きい素材で形成されるブロ
    ック体を設けてなることを特徴とするセンサ取付構造
    体。
  2. 【請求項2】 前記センサと台座部との間にOリングを
    介装してなることを特徴とする請求項1に記載のセンサ
    取付構造体。
  3. 【請求項3】 前記センサの受光面周縁を押圧固定する
    ための中空状に形成された固定部材を、前記ブロック体
    の包囲部の中空部内に嵌着させてなることを特徴とする
    請求項1または請求項2に記載のセンサ取付構造体。
  4. 【請求項4】 前記固定部材の中空部が、光源側から前
    記センサの受光面側に向けて内径が小さくなるようなテ
    ーパ状に形成されてなることを特徴とする請求項3に記
    載のセンサ取付構造体。
  5. 【請求項5】 前記包囲部と台座部とが、それぞれ別体
    に形成され、前記包囲部と台座部とを、締結具によって
    前記プリント基板に一体的に組み付けてなることを特徴
    とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のセン
    サ取付構造体。
  6. 【請求項6】 前記ブロック体に温調手段を設け、前記
    ブロック体を所定の温度に加温できるようにしたことを
    特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の
    センサ取付構造体。
  7. 【請求項7】 前記包囲部と台座部とにそれぞれ検温手
    段を内設すると共に、前記包囲部または台座部に加熱手
    段を設け、前記包囲部と台座部とを所定の均一な温度に
    加温できるようにしたことを特徴とする請求項1ないし
    請求項5のいずれかに記載のセンサ取付構造体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024203688A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 ミツミ電機株式会社 光学式ガスセンサ装置

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WO2024203688A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 ミツミ電機株式会社 光学式ガスセンサ装置

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