JPH11238469A - プラズマディスプレイパネル、その製造方法、およびガスカプセル - Google Patents
プラズマディスプレイパネル、その製造方法、およびガスカプセルInfo
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- JPH11238469A JPH11238469A JP10057374A JP5737498A JPH11238469A JP H11238469 A JPH11238469 A JP H11238469A JP 10057374 A JP10057374 A JP 10057374A JP 5737498 A JP5737498 A JP 5737498A JP H11238469 A JPH11238469 A JP H11238469A
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- plasma display
- gas capsule
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】封着工程と排気工程とを１つの工程で済ますプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法と、チップ管が不
要な構成を有するプラズマディスプレイパネルと、それ
を実現するために用いられるガスカプセルとを提供す
る。 【解決手段】放電空間に封入するガスを充填したガスカ
プセルを内蔵するガスカプセル内蔵部を有するプラズマ
ディスプレイパネル。放電空間に封入するガスを充填し
たガスカプセルを、封着する前のプラズマディスプレイ
パネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、前面板と背
面板を真空加熱により封着する真空加熱封着過程と、内
蔵されているガスカプセルを破壊して放電空間にガスを
充たすカプセル破壊過程と、を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。レーザ光線を吸収して破壊する
破壊部分が形成されているガスカプセル。
ラズマディスプレイパネルの製造方法と、チップ管が不
要な構成を有するプラズマディスプレイパネルと、それ
を実現するために用いられるガスカプセルとを提供す
る。 【解決手段】放電空間に封入するガスを充填したガスカ
プセルを内蔵するガスカプセル内蔵部を有するプラズマ
ディスプレイパネル。放電空間に封入するガスを充填し
たガスカプセルを、封着する前のプラズマディスプレイ
パネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、前面板と背
面板を真空加熱により封着する真空加熱封着過程と、内
蔵されているガスカプセルを破壊して放電空間にガスを
充たすカプセル破壊過程と、を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。レーザ光線を吸収して破壊する
破壊部分が形成されているガスカプセル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルの技術分野に属する。特に、放電発光のための
ガスを封入する技術に関する。
イパネルの技術分野に属する。特に、放電発光のための
ガスを封入する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、プラズマディスプレ
イパネルの製造工程の内には、別々の工程で製造した前
面板と背面板とを貼り合わせる封着工程、封着後に放電
空間の排気を行って放電空間を真空にする排気工程、排
気後に放電空間に放電により紫外線を発生するキセノン
（Ｘｅ）と主放電ガスのネオン（Ｎｅ）を混合したガス
を封入するガス封入工程がある。また、封着工程の前工
程として、背面板の表示領域の外側にシール材を塗布し
乾燥する工程、前面板と背面板とを位置合わせする整合
工程、前面板と背面板とを仮固定する仮固定工程、前面
板（または背面板）の表示領域から外れた辺近くにチッ
プ管を取りつけるチップ管取付工程がある。チップ管は
放電空間の排気とガス封入において気体（ガス）を導く
管である。
イパネルの製造工程の内には、別々の工程で製造した前
面板と背面板とを貼り合わせる封着工程、封着後に放電
空間の排気を行って放電空間を真空にする排気工程、排
気後に放電空間に放電により紫外線を発生するキセノン
（Ｘｅ）と主放電ガスのネオン（Ｎｅ）を混合したガス
を封入するガス封入工程がある。また、封着工程の前工
程として、背面板の表示領域の外側にシール材を塗布し
乾燥する工程、前面板と背面板とを位置合わせする整合
工程、前面板と背面板とを仮固定する仮固定工程、前面
板（または背面板）の表示領域から外れた辺近くにチッ
プ管を取りつけるチップ管取付工程がある。チップ管は
放電空間の排気とガス封入において気体（ガス）を導く
管である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、放電発光
のためのガスを封入するための一連の工程はやや複雑で
あり、しかも封着工程においてパネルの加熱を行い、排
気工程においても再びパネルの加熱を行うというよう
に、類似する工程が繰り返される。また、排気と封入と
において気体の通路となるチップ管を必要とする（図５
参照）。このチップ管は、パネル面から突出しており、
パネルを積み重ねたときの空間の利用効率が悪く生産性
を向上する上での制約となるだけでなく、強度が小さい
ため製造過程での取り扱いにおいて破壊され易い。
のためのガスを封入するための一連の工程はやや複雑で
あり、しかも封着工程においてパネルの加熱を行い、排
気工程においても再びパネルの加熱を行うというよう
に、類似する工程が繰り返される。また、排気と封入と
において気体の通路となるチップ管を必要とする（図５
参照）。このチップ管は、パネル面から突出しており、
パネルを積み重ねたときの空間の利用効率が悪く生産性
を向上する上での制約となるだけでなく、強度が小さい
ため製造過程での取り扱いにおいて破壊され易い。
【０００４】そこで、本発明の目的は、封着工程と排気
工程とを１つの工程で済ますプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法と、チップ管が不要な構成を有するプラズ
マディスプレイパネルと、それを実現するために用いら
れるガスカプセルとを提供することにある。
工程とを１つの工程で済ますプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法と、チップ管が不要な構成を有するプラズ
マディスプレイパネルと、それを実現するために用いら
れるガスカプセルとを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は下記の本発
明によって達成される。すなわち、本発明は「放電空間
に封入するガスを充填したガスカプセルを内蔵するガス
カプセル内蔵部を有するプラズマディスプレイパネル」
である。本発明によれば、ガスカプセル内蔵部におい
て、放電空間に封入するガスを充填したガスカプセルを
内蔵する。したがって、チップ管が不要な構成を有する
プラズマディスプレイパネルが提供される。
明によって達成される。すなわち、本発明は「放電空間
に封入するガスを充填したガスカプセルを内蔵するガス
カプセル内蔵部を有するプラズマディスプレイパネル」
である。本発明によれば、ガスカプセル内蔵部におい
て、放電空間に封入するガスを充填したガスカプセルを
内蔵する。したがって、チップ管が不要な構成を有する
プラズマディスプレイパネルが提供される。
【０００６】また本発明は「放電空間に封入するガスを
充填したガスカプセルを、封着する前のプラズマディス
プレイパネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、プラ
ズマディスプレイパネルの前面板と背面板を真空加熱に
より封着する真空加熱封着過程と、封着したプラズマデ
ィスプレイパネルに内蔵されているガスカプセルを破壊
して放電空間にガスを充たすカプセル破壊過程と、を有
するプラズマディスプレイパネルの製造方法」である。
本発明によれば、ガスカプセル内蔵過程により放電空間
に封入するガスを充填したガスカプセルが封着する前の
プラズマディスプレイパネルに内蔵され、真空加熱封着
過程によりプラズマディスプレイパネルの前面板と背面
板が真空加熱により封着され、カプセル破壊過程により
封着したプラズマディスプレイパネルに内蔵されている
ガスカプセルが破壊され放電空間にガスが充される。し
たがって、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ます
プラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
充填したガスカプセルを、封着する前のプラズマディス
プレイパネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、プラ
ズマディスプレイパネルの前面板と背面板を真空加熱に
より封着する真空加熱封着過程と、封着したプラズマデ
ィスプレイパネルに内蔵されているガスカプセルを破壊
して放電空間にガスを充たすカプセル破壊過程と、を有
するプラズマディスプレイパネルの製造方法」である。
本発明によれば、ガスカプセル内蔵過程により放電空間
に封入するガスを充填したガスカプセルが封着する前の
プラズマディスプレイパネルに内蔵され、真空加熱封着
過程によりプラズマディスプレイパネルの前面板と背面
板が真空加熱により封着され、カプセル破壊過程により
封着したプラズマディスプレイパネルに内蔵されている
ガスカプセルが破壊され放電空間にガスが充される。し
たがって、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ます
プラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【０００７】また本発明は「前記破壊はガスカプセルに
レーザ光線を照射して行われるプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法」である。本発明によれば、ガスカプセ
ルにレーザ光線が照射されてガスカプセルが破壊され
る。すなわち、プラズマディスプレイパネルの外側から
照射したレーザ光線は、背面板または前面板のレーザ光
線を透過する部分を透過して内蔵されたガスカプセルに
達し、ガスカプセルに吸収されてガスカプセルを破壊す
る。したがって、プラズマディスプレイパネルの背面板
や前面板等に悪い影響を与えることなくガスカプセルだ
けが破壊される。
レーザ光線を照射して行われるプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法」である。本発明によれば、ガスカプセ
ルにレーザ光線が照射されてガスカプセルが破壊され
る。すなわち、プラズマディスプレイパネルの外側から
照射したレーザ光線は、背面板または前面板のレーザ光
線を透過する部分を透過して内蔵されたガスカプセルに
達し、ガスカプセルに吸収されてガスカプセルを破壊す
る。したがって、プラズマディスプレイパネルの背面板
や前面板等に悪い影響を与えることなくガスカプセルだ
けが破壊される。
【０００８】また本発明は「プラズマディスプレイパネ
ルの放電空間に封入するガスを充填したガスカプセルで
あって、レーザ光線を吸収して破壊する破壊部分が形成
されているガスカプセル」である。本発明によれば、ガ
スカプセルに形成されたレーザ光線を吸収して破壊する
破壊部分にレーザ光線を照射することにより、ガスカプ
セルは破壊する。したがって、このガスカプセルを用い
ることで、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ま
し、チップ管が不要な構成を有するプラズマディスプレ
イパネルが提供される。
ルの放電空間に封入するガスを充填したガスカプセルで
あって、レーザ光線を吸収して破壊する破壊部分が形成
されているガスカプセル」である。本発明によれば、ガ
スカプセルに形成されたレーザ光線を吸収して破壊する
破壊部分にレーザ光線を照射することにより、ガスカプ
セルは破壊する。したがって、このガスカプセルを用い
ることで、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ま
し、チップ管が不要な構成を有するプラズマディスプレ
イパネルが提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明について実施の形態
により説明する。図１は本発明のプラズマディスプレイ
パネルの構成を示す模式図である。図１において、１は
前面板、２は背面板、３はガスカプセル内蔵部、４はガ
スカプセル、５は隔壁、６は封着材である。図１は模式
図であるから、各部の寸法の整合性は考慮されていな
い。また、隔壁５の個数数等に特別な意味はない。単
に、構成要素とそれらの配置または結合関係を示してい
る。図１に示すプラズマディスプレイは、隔壁５が配置
されている部分が表示領域でありその表示領域の外側の
部分にガスカプセル内蔵部３が形成される。図１に示す
一例においては、前面板１と背面板２は封着材６によっ
て封着されるとともに、一部はガスカプセル内蔵部３
（の外壁部分）によって封着されている。そのガスカプ
セル内蔵部３の内部にはガスカプセル４が内蔵される。
により説明する。図１は本発明のプラズマディスプレイ
パネルの構成を示す模式図である。図１において、１は
前面板、２は背面板、３はガスカプセル内蔵部、４はガ
スカプセル、５は隔壁、６は封着材である。図１は模式
図であるから、各部の寸法の整合性は考慮されていな
い。また、隔壁５の個数数等に特別な意味はない。単
に、構成要素とそれらの配置または結合関係を示してい
る。図１に示すプラズマディスプレイは、隔壁５が配置
されている部分が表示領域でありその表示領域の外側の
部分にガスカプセル内蔵部３が形成される。図１に示す
一例においては、前面板１と背面板２は封着材６によっ
て封着されるとともに、一部はガスカプセル内蔵部３
（の外壁部分）によって封着されている。そのガスカプ
セル内蔵部３の内部にはガスカプセル４が内蔵される。
【００１０】図１に示すように、ガスカプセル内蔵部３
は、その外壁部分は断面がＵ字型の樋（とい）のような
形状を有する。その外壁部分は、熱膨張率等の物性が整
合するように前面板１や背面板２と同様のガラス材料に
よって造られている。前面板１の辺は背面板２の辺より
も外側に張り出しており、前面板１の辺と背面板２の辺
の位置は離れている。これら前面板１の辺と背面板２の
辺の間にガスカプセル内蔵部３が形成される。すなわ
ち、Ｕ字型の２つの端部の内の一方は前面板１の辺に、
また他方は背面板２の辺に封着材６と同様の材料で気密
が得られるように接着される。
は、その外壁部分は断面がＵ字型の樋（とい）のような
形状を有する。その外壁部分は、熱膨張率等の物性が整
合するように前面板１や背面板２と同様のガラス材料に
よって造られている。前面板１の辺は背面板２の辺より
も外側に張り出しており、前面板１の辺と背面板２の辺
の位置は離れている。これら前面板１の辺と背面板２の
辺の間にガスカプセル内蔵部３が形成される。すなわ
ち、Ｕ字型の２つの端部の内の一方は前面板１の辺に、
また他方は背面板２の辺に封着材６と同様の材料で気密
が得られるように接着される。
【００１１】図１に示すガスカプセル４は断面形状を示
すものであり、実際のガスカプセル４は円筒形状の容器
である。図２にはガスカプセル４の長手方向（円筒軸方
向）が示されている。図２（Ａ）に示すガスカプセル４
ａは、円筒状の容器の全体がレーザ光線を吸収して破壊
するガラスを主成分とする材料で構成される。図２
（Ｂ）に示すガスカプセル４ｂは、円筒状の容器の一部
にレーザ光線を照射すると破壊する破壊部２１が形成さ
れている。ガスカプセル内蔵部３の外壁部を通して外部
からレーザ光線を照射し、ガスカプセル４，４ａ，４ｂ
を破壊することにより、充填されているガスが放電空間
に放出される。
すものであり、実際のガスカプセル４は円筒形状の容器
である。図２にはガスカプセル４の長手方向（円筒軸方
向）が示されている。図２（Ａ）に示すガスカプセル４
ａは、円筒状の容器の全体がレーザ光線を吸収して破壊
するガラスを主成分とする材料で構成される。図２
（Ｂ）に示すガスカプセル４ｂは、円筒状の容器の一部
にレーザ光線を照射すると破壊する破壊部２１が形成さ
れている。ガスカプセル内蔵部３の外壁部を通して外部
からレーザ光線を照射し、ガスカプセル４，４ａ，４ｂ
を破壊することにより、充填されているガスが放電空間
に放出される。
【００１２】放電空間を充たす所定量のガスをガスカプ
セル４に充填した場合のガス圧を高くすると、ガスカプ
セル４の寸法を小さくすることができ、ガスカプセル内
蔵部３の寸法も小さくすることができる。ただし、製造
工程において（たとえば、３５０〜４００℃に）加熱し
た場合にガスカプセル４が内部のガス圧（室温の２倍程
度のガス圧となる）によって破壊されないことが制約条
件となる。
セル４に充填した場合のガス圧を高くすると、ガスカプ
セル４の寸法を小さくすることができ、ガスカプセル内
蔵部３の寸法も小さくすることができる。ただし、製造
工程において（たとえば、３５０〜４００℃に）加熱し
た場合にガスカプセル４が内部のガス圧（室温の２倍程
度のガス圧となる）によって破壊されないことが制約条
件となる。
【００１３】ガスカプセル４，４ａ，４ｂを破壊するた
め、利用するレーザには破壊するパワーが必要である。
本発明においてはレーザの種類に特に限定はないが、炭
酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、等を利用することができ
る。レーザ光線の照射によりガスカプセル４，４ａ，４
ｂが破壊する原理は、レーザ光線を吸収し部分的にガス
カプセル４，４ａ，４ｂが加熱され、その結果、ガラス
が溶融破壊や蒸発破壊するか、または、熱歪みにより応
力破壊する（多くはこれらの破壊が同時進行する）。Ｙ
ＡＧレーザはレーザ光線の波長が１０６４ｎｍと可視光
に近く、一般の透明なガラスに対しては吸収率が低いの
であるが、ＹＡＧレーザの照射によってソーダガラスは
勿論のこと、赤外線の吸収率が低い石英ガラスも破壊す
ることができる。
め、利用するレーザには破壊するパワーが必要である。
本発明においてはレーザの種類に特に限定はないが、炭
酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、等を利用することができ
る。レーザ光線の照射によりガスカプセル４，４ａ，４
ｂが破壊する原理は、レーザ光線を吸収し部分的にガス
カプセル４，４ａ，４ｂが加熱され、その結果、ガラス
が溶融破壊や蒸発破壊するか、または、熱歪みにより応
力破壊する（多くはこれらの破壊が同時進行する）。Ｙ
ＡＧレーザはレーザ光線の波長が１０６４ｎｍと可視光
に近く、一般の透明なガラスに対しては吸収率が低いの
であるが、ＹＡＧレーザの照射によってソーダガラスは
勿論のこと、赤外線の吸収率が低い石英ガラスも破壊す
ることができる。
【００１４】ガスカプセル内蔵部３の外壁部もガラスで
あるから、ガスカプセル４，４ａ，４ｂにレーザ光線を
集光するようにし外壁部においてはより広い面積をレー
ザ光線が通過するようにし、外壁部には破壊が起きない
ようにする。前述のように、図２（Ａ）に示すガスカプ
セル４ａは、円筒状の容器の全体がレーザ光線を吸収し
て破壊するガラスを主成分とする材料で構成される。ガ
スカプセル４ａにはレーザー光線を吸収する成分（セラ
ミックス，等）が含まれておりレーザ光線の吸収率を高
めたガラスが用いられる。また、図２（Ｂ）に示すガス
カプセル４ｂは、円筒状の容器の一部にレーザ光線を照
射すると破壊する破壊部２１が形成されている。破壊部
２１はレーザ光線の吸収率のより高い材料（セラミック
ス，金属等）をガラスに埋め込んで、または、貼り付け
て形成される。このようなガスカプセル４ａ，４ｂを用
いることにより、レーザ光線のパワーを小さくすること
ができ、ガスカプセル内蔵部３の外壁部が受ける損傷を
なくすことができる。
あるから、ガスカプセル４，４ａ，４ｂにレーザ光線を
集光するようにし外壁部においてはより広い面積をレー
ザ光線が通過するようにし、外壁部には破壊が起きない
ようにする。前述のように、図２（Ａ）に示すガスカプ
セル４ａは、円筒状の容器の全体がレーザ光線を吸収し
て破壊するガラスを主成分とする材料で構成される。ガ
スカプセル４ａにはレーザー光線を吸収する成分（セラ
ミックス，等）が含まれておりレーザ光線の吸収率を高
めたガラスが用いられる。また、図２（Ｂ）に示すガス
カプセル４ｂは、円筒状の容器の一部にレーザ光線を照
射すると破壊する破壊部２１が形成されている。破壊部
２１はレーザ光線の吸収率のより高い材料（セラミック
ス，金属等）をガラスに埋め込んで、または、貼り付け
て形成される。このようなガスカプセル４ａ，４ｂを用
いることにより、レーザ光線のパワーを小さくすること
ができ、ガスカプセル内蔵部３の外壁部が受ける損傷を
なくすことができる。
【００１５】次に、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造工程について説明する。図３は、本発明のプラ
ズマディスプレイパネルの製造工程を示すフロー図であ
る。図３に示すように、まず、別々の工程で製造した前
面板と背面板が準備される。背面板の表示領域の外側に
はシール材（封着材６）が塗布され乾燥が行われる。ガ
スカプセル内蔵部は、図１に示すように、Ｕ字型の外壁
部によって構成される。Ｕ字型の外壁部が前面板と背面
板に結合する前面板と背面板の部分にも、封着材６と同
様にシール材が塗布され乾燥が行われる。前面板と背面
板と外壁部とが合わされ、ガスカプセル内蔵部にはガス
カプセルが内蔵される。
ルの製造工程について説明する。図３は、本発明のプラ
ズマディスプレイパネルの製造工程を示すフロー図であ
る。図３に示すように、まず、別々の工程で製造した前
面板と背面板が準備される。背面板の表示領域の外側に
はシール材（封着材６）が塗布され乾燥が行われる。ガ
スカプセル内蔵部は、図１に示すように、Ｕ字型の外壁
部によって構成される。Ｕ字型の外壁部が前面板と背面
板に結合する前面板と背面板の部分にも、封着材６と同
様にシール材が塗布され乾燥が行われる。前面板と背面
板と外壁部とが合わされ、ガスカプセル内蔵部にはガス
カプセルが内蔵される。
【００１６】整合工程において、前面板と背面板と外壁
部との位置合わせを行い、仮固定工程において、以降の
工程で位置ずれが起きないようにそれらを仮固定する。
仮固定の段階では、前面板と背面板との間隔は隔壁の高
さよりも大きい。次の、真空加熱封着工程においてシー
ル材が溶融し前面板と背面板との間隔は隔壁の高さに一
致する。外壁部と、前面板と背面板とにおけるシール材
の部分も同様である。シール材が溶融したとき、それら
が移動して所定の位置となるような力を発生するよう
に、仮固定は弾性部材（たとえば、クリップ）を使用し
て行われる。
部との位置合わせを行い、仮固定工程において、以降の
工程で位置ずれが起きないようにそれらを仮固定する。
仮固定の段階では、前面板と背面板との間隔は隔壁の高
さよりも大きい。次の、真空加熱封着工程においてシー
ル材が溶融し前面板と背面板との間隔は隔壁の高さに一
致する。外壁部と、前面板と背面板とにおけるシール材
の部分も同様である。シール材が溶融したとき、それら
が移動して所定の位置となるような力を発生するよう
に、仮固定は弾性部材（たとえば、クリップ）を使用し
て行われる。
【００１７】仮固定が行われた製造途中のプラズマディ
スプレイパネルを真空加熱容器に収容する。真空加熱容
器において、ある程度まで真空引きを行った後、真空引
きと加熱とを同時に行う。加熱によりそのプラズマディ
スプレイパネルに吸着している物質の離脱が促進されよ
り高真空が得られる。加熱により所定の温度に達すると
シール材が溶融する。真空引きは継続し加熱を停止し、
冷却が進むとシール材が固化し、前面板と背面板と外壁
部との接合が完了する。真空引きを停止し、真空加熱容
器から取り出すが、接合部分により気密が保たれプラズ
マディスプレイパネルの放電空間は真空のままとなって
いる。
スプレイパネルを真空加熱容器に収容する。真空加熱容
器において、ある程度まで真空引きを行った後、真空引
きと加熱とを同時に行う。加熱によりそのプラズマディ
スプレイパネルに吸着している物質の離脱が促進されよ
り高真空が得られる。加熱により所定の温度に達すると
シール材が溶融する。真空引きは継続し加熱を停止し、
冷却が進むとシール材が固化し、前面板と背面板と外壁
部との接合が完了する。真空引きを停止し、真空加熱容
器から取り出すが、接合部分により気密が保たれプラズ
マディスプレイパネルの放電空間は真空のままとなって
いる。
【００１８】この真空となっている放電空間に、キセノ
ン（Ｘｅ）と主放電ガスのネオン（Ｎｅ）を混合したガ
スを封入する。前述のように、外部からガスを供給する
のではなく、内蔵されているガスカプセルを破壊するこ
とによって、ガスカプセルに充填されているガスを放電
空間に放出することで封入が行われる。完成したプラズ
マディスプレイパネルは、エージング過程において、安
定するまでエージングが行われる。
ン（Ｘｅ）と主放電ガスのネオン（Ｎｅ）を混合したガ
スを封入する。前述のように、外部からガスを供給する
のではなく、内蔵されているガスカプセルを破壊するこ
とによって、ガスカプセルに充填されているガスを放電
空間に放出することで封入が行われる。完成したプラズ
マディスプレイパネルは、エージング過程において、安
定するまでエージングが行われる。
【００１９】以上、本発明について実施の形態により説
明を行ったが、本発明はこの実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想に基づいて様々な形態で
実施することができ、それらも本発明に含まれるもので
ある。たとえば、ガスカプセル内蔵部を前面板や背面板
とは別の部材であるＵ字型の外壁部によって構成した
が、前面板や背面板を変形してガスカプセル内蔵部を構
成することができる。また、たとえば、レーザ光線によ
ってガスカプセルを外部から破壊することを説明した
が、レーザ光線に限らない。誘導加熱、誘電加熱等によ
り加熱する部分をガスカプセルに設けておき、誘導加
熱、誘電加熱等によりガスカプセルを外部から破壊する
ように構成することができる。
明を行ったが、本発明はこの実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想に基づいて様々な形態で
実施することができ、それらも本発明に含まれるもので
ある。たとえば、ガスカプセル内蔵部を前面板や背面板
とは別の部材であるＵ字型の外壁部によって構成した
が、前面板や背面板を変形してガスカプセル内蔵部を構
成することができる。また、たとえば、レーザ光線によ
ってガスカプセルを外部から破壊することを説明した
が、レーザ光線に限らない。誘導加熱、誘電加熱等によ
り加熱する部分をガスカプセルに設けておき、誘導加
熱、誘電加熱等によりガスカプセルを外部から破壊する
ように構成することができる。
【００２０】
【発明の効果】放電空間に封入するガスを充填したガス
カプセルを内蔵するガスカプセル内蔵部を有する本発明
のプラズマディスプレイパネルによれば、チップ管が不
要な構成を有するプラズマディスプレイパネルを提供す
ることができる。また、放電空間に封入するガスを充填
したガスカプセルを、封着する前のプラズマディスプレ
イパネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、プラズマ
ディスプレイパネルの前面板と背面板を真空加熱により
封着する真空加熱封着過程と、封着したプラズマディス
プレイパネルに内蔵されているガスカプセルを破壊して
放電空間にガスを充たすカプセル破壊過程と、を有する
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれ
ば、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ますプラズ
マディスプレイパネルの製造方法を提供することができ
る。また、破壊はガスカプセルにレーザ光線を照射して
行われる本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法によれば、プラズマディスプレイパネルの背面板や前
面板等に悪い影響を与えることなくガスカプセルだけを
破壊することができる。また、プラズマディスプレイパ
ネルの放電空間に封入するガスを充填したガスカプセル
であって、レーザ光線を吸収して破壊する破壊部分が形
成されている本発明のガスカプセルによれば、このガス
カプセルを用いることで、封着工程と排気工程とを１つ
の工程で済ますプラズマディスプレイパネルの製造方法
と、チップ管が不要な構成を有するプラズマディスプレ
イパネルを提供することができる。
カプセルを内蔵するガスカプセル内蔵部を有する本発明
のプラズマディスプレイパネルによれば、チップ管が不
要な構成を有するプラズマディスプレイパネルを提供す
ることができる。また、放電空間に封入するガスを充填
したガスカプセルを、封着する前のプラズマディスプレ
イパネルに内蔵するガスカプセル内蔵過程と、プラズマ
ディスプレイパネルの前面板と背面板を真空加熱により
封着する真空加熱封着過程と、封着したプラズマディス
プレイパネルに内蔵されているガスカプセルを破壊して
放電空間にガスを充たすカプセル破壊過程と、を有する
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれ
ば、封着工程と排気工程とを１つの工程で済ますプラズ
マディスプレイパネルの製造方法を提供することができ
る。また、破壊はガスカプセルにレーザ光線を照射して
行われる本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法によれば、プラズマディスプレイパネルの背面板や前
面板等に悪い影響を与えることなくガスカプセルだけを
破壊することができる。また、プラズマディスプレイパ
ネルの放電空間に封入するガスを充填したガスカプセル
であって、レーザ光線を吸収して破壊する破壊部分が形
成されている本発明のガスカプセルによれば、このガス
カプセルを用いることで、封着工程と排気工程とを１つ
の工程で済ますプラズマディスプレイパネルの製造方法
と、チップ管が不要な構成を有するプラズマディスプレ
イパネルを提供することができる。
【図１】本発明のプラズマディスプレイパネルの構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】ガスカプセルを長手方向（円筒軸方向）から見
た形状を示す図である。
た形状を示す図である。
【図３】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造工
程を示すフロー図である。
程を示すフロー図である。
【図４】従来のプラズマディスプレイパネルの製造工程
を示すフロー図である。
を示すフロー図である。
【図５】従来のプラズマディスプレイパネルにおけるチ
ップ管の部分を示す図である。
ップ管の部分を示す図である。
１ 前面板 ２ 背面板 ３ ガスカプセル内蔵部 ４，４ａ，４ｂ ガスカプセル ５ 隔壁 ６ 封着材 ２１ 破壊部 １０１ 前面板 １０２ 背面板 １０３ チップ管 １０４ 隔壁 １０５ 排気空間 １０６ 封着材 １０７ 排気穴
Claims (4)
- 【請求項１】放電空間に封入するガスを充填したガスカ
プセルを内蔵するガスカプセル内蔵部を有することを特
長とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】放電空間に封入するガスを充填したガスカ
プセルを、封着する前のプラズマディスプレイパネルに
内蔵するガスカプセル内蔵過程と、 プラズマディスプレイパネルの前面板と背面板を真空加
熱により封着する真空加熱封着過程と、 封着したプラズマディスプレイパネルに内蔵されている
ガスカプセルを破壊して放電空間にガスを充たすカプセ
ル破壊過程と、 を有することを特長とするプラズマディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項３】前記破壊はガスカプセルにレーザ光線を照
射して行われることを特徴とする請求項２記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】プラズマディスプレイパネルの放電空間に
封入するガスを充填したガスカプセルであって、レーザ
光線を吸収して破壊する破壊部分が形成されていること
を特徴とするガスカプセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057374A JPH11238469A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | プラズマディスプレイパネル、その製造方法、およびガスカプセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057374A JPH11238469A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | プラズマディスプレイパネル、その製造方法、およびガスカプセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238469A true JPH11238469A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=13053830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10057374A Withdrawn JPH11238469A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | プラズマディスプレイパネル、その製造方法、およびガスカプセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238469A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999064923A3 (en) * | 1998-06-05 | 2000-04-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Plasma adressed liquid crystal display |
| US6864631B1 (en) | 2000-01-12 | 2005-03-08 | Imaging Systems Technology | Gas discharge display device |
| JP2010534918A (ja) * | 2007-08-01 | 2010-11-11 | オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放電ランプの製造方法 |
| US9151808B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-10-06 | Seiko Epson Corporation | Production method of gas cell, and gas cell |
| JP2015222272A (ja) * | 2011-02-16 | 2015-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | ガスセルの製造方法、ガスセル、磁気測定装置の製造方法、および磁気測定装置 |
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| JP2016080613A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 磁気計測装置、ガスセル、磁気計測装置の製造方法、およびガスセルの製造方法 |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP10057374A patent/JPH11238469A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
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| US9684041B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-06-20 | Seiko Epson Corporation | Production method of gas cell, and gas cell |
| JP2018028550A (ja) * | 2011-02-16 | 2018-02-22 | セイコーエプソン株式会社 | ガスセルの製造方法、磁気測定装置の製造方法、ガスセル、および磁気測定装置 |
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| JP2016080613A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 磁気計測装置、ガスセル、磁気計測装置の製造方法、およびガスセルの製造方法 |
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