JPH11238596A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11238596A JPH11238596A JP10039947A JP3994798A JPH11238596A JP H11238596 A JPH11238596 A JP H11238596A JP 10039947 A JP10039947 A JP 10039947A JP 3994798 A JP3994798 A JP 3994798A JP H11238596 A JPH11238596 A JP H11238596A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板５と下部電極６との間で生じる
異常放電を防止する。 【解決手段】 反応ガス吹き出し口を有する上部電極３
を通じて処理槽１内に反応ガスを導入し、絶縁膜７で覆
われた凸面形状の下部電極６と上部電極３との間でプラ
ズマを発生させる。下部電極６に設けられる伝熱ガス供
給口１０内に多孔質絶縁物１１を装着し、多孔質絶縁物
１１を介して伝熱ガスを導入し、被処理基板５を冷却さ
せる。これにより、下部電極６の表面に被覆された絶縁
膜７と多孔質絶縁物１１とによって、被処理基板５と下
部電極６の間の電気絶縁が確実になり、異常放電の発生
を防止し、プラズマ処理を安定に行える。
異常放電を防止する。 【解決手段】 反応ガス吹き出し口を有する上部電極３
を通じて処理槽１内に反応ガスを導入し、絶縁膜７で覆
われた凸面形状の下部電極６と上部電極３との間でプラ
ズマを発生させる。下部電極６に設けられる伝熱ガス供
給口１０内に多孔質絶縁物１１を装着し、多孔質絶縁物
１１を介して伝熱ガスを導入し、被処理基板５を冷却さ
せる。これにより、下部電極６の表面に被覆された絶縁
膜７と多孔質絶縁物１１とによって、被処理基板５と下
部電極６の間の電気絶縁が確実になり、異常放電の発生
を防止し、プラズマ処理を安定に行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置（ＬＣＤ）などの製造に用いられるドライエッ
チング装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置等のプラズマ処
理装置に関するものである。
表示装置（ＬＣＤ）などの製造に用いられるドライエッ
チング装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置等のプラズマ処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコン基板等の被処理基板をプ
ラズマ処理する際、基板を冷却したり、または加熱する
手段を用いて処理温度を安定化するプラズマ処理装置が
利用されるようになってきた。
ラズマ処理する際、基板を冷却したり、または加熱する
手段を用いて処理温度を安定化するプラズマ処理装置が
利用されるようになってきた。
【０００３】以下、従来のプラズマ処理装置について説
明する。図２は従来のプラズマ処理装置の断面を示すも
のである。図２において、２１は処理槽、２２は真空排
気ポンプ、２３は反応ガス吹き出し口を有する上部電極
であり、上部電極２３はアース２４で接地されている。
２５はシリコン基板やガラス基板等の被処理基板、２６
は凸面形状の下部電極であり、下部電極２６の表面は絶
縁膜２７で覆われている。下部電極２６は絶縁板２８上
に置かれ、高周波電源２９に接続されている。
明する。図２は従来のプラズマ処理装置の断面を示すも
のである。図２において、２１は処理槽、２２は真空排
気ポンプ、２３は反応ガス吹き出し口を有する上部電極
であり、上部電極２３はアース２４で接地されている。
２５はシリコン基板やガラス基板等の被処理基板、２６
は凸面形状の下部電極であり、下部電極２６の表面は絶
縁膜２７で覆われている。下部電極２６は絶縁板２８上
に置かれ、高周波電源２９に接続されている。
【０００４】下部電極２６の中心部に伝熱ガス供給口３
０が設けられ、下部電極２６の内部には冷却水の配管３
１があり、冷却水が循環している。下部電極２６の周囲
にはクランプリング３２が設けられている。
０が設けられ、下部電極２６の内部には冷却水の配管３
１があり、冷却水が循環している。下部電極２６の周囲
にはクランプリング３２が設けられている。
【０００５】以上のように構成されたプラズマ処理装置
について、以下その動作を説明する。
について、以下その動作を説明する。
【０００６】まず、被処理基板２５を下部電極２６の上
に載せ、クランプリング３２にて被処理基板２５と下部
電極２６を密着させる。次に、真空ポンプ２２で処理槽
２１内を排気してから反応ガスを処理槽２１内に導入
し、伝熱ガス供給口３０よりヘリウムガスを供給し、被
処理基板２５と下部電極２６の間に充満する。次に、高
周波電源２９により高周波電力を印加することにより下
部電極２６と上部電極２３の間にプラズマを発生させ
る。このとき、プラズマの発生によって雰囲気が高温に
なるために、被処理基板２５が加熱される。しかし、下
部電極２６は配管３１内の冷却水にて一定に温度制御さ
れており、熱伝導性の優れているヘリウムガスにより被
処理基板２５の熱を下部電極２６に伝えることによっ
て、被処理基板２５の温度を一定に保つ。
に載せ、クランプリング３２にて被処理基板２５と下部
電極２６を密着させる。次に、真空ポンプ２２で処理槽
２１内を排気してから反応ガスを処理槽２１内に導入
し、伝熱ガス供給口３０よりヘリウムガスを供給し、被
処理基板２５と下部電極２６の間に充満する。次に、高
周波電源２９により高周波電力を印加することにより下
部電極２６と上部電極２３の間にプラズマを発生させ
る。このとき、プラズマの発生によって雰囲気が高温に
なるために、被処理基板２５が加熱される。しかし、下
部電極２６は配管３１内の冷却水にて一定に温度制御さ
れており、熱伝導性の優れているヘリウムガスにより被
処理基板２５の熱を下部電極２６に伝えることによっ
て、被処理基板２５の温度を一定に保つ。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、絶縁膜２７の絶縁によって、下部電極２
６に対して絶縁されフローティングとなっている被処理
基板２５は、プラズマの発生によって電荷が蓄積され、
−３００〜−４００Ｖの電位となる。このとき、伝熱ガ
ス供給口３０内には一定圧力のヘリウムガスで満たされ
た空間が存在するので、負電位に帯電された被処理基板
２５と高周波電源２９の高周波電力が印加された下部電
極２６との間で異常放電が発生し、被処理基板２５に損
傷を与えるという欠点を有していた。
来の構成では、絶縁膜２７の絶縁によって、下部電極２
６に対して絶縁されフローティングとなっている被処理
基板２５は、プラズマの発生によって電荷が蓄積され、
−３００〜−４００Ｖの電位となる。このとき、伝熱ガ
ス供給口３０内には一定圧力のヘリウムガスで満たされ
た空間が存在するので、負電位に帯電された被処理基板
２５と高周波電源２９の高周波電力が印加された下部電
極２６との間で異常放電が発生し、被処理基板２５に損
傷を与えるという欠点を有していた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、被処理基板と電極間の異常放電を防止するプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
で、被処理基板と電極間の異常放電を防止するプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のプラズマ処理装置は、処理槽の内部に設けら
れた第１，第２の電極と、表面を絶縁膜で覆われた前記
第１の電極に被処理基板を固定する基板クランプ手段
と、前記第２の電極に設けられ反応ガスを供給する反応
ガス供給手段と、前記第１の電極に設けられ前記第１の
電極と前記被処理基板との間の空間に伝熱ガスを供給す
る伝熱ガス供給口とを有し、前記第１の電極または前記
第２の電極の何れかに高周波電力を供給してプラズマを
発生するプラズマ処理装置において、前記伝熱ガス供給
口に多孔質絶縁物を装着し、前記多孔質絶縁物を介して
伝熱ガスを供給する構成を有している。
に本発明のプラズマ処理装置は、処理槽の内部に設けら
れた第１，第２の電極と、表面を絶縁膜で覆われた前記
第１の電極に被処理基板を固定する基板クランプ手段
と、前記第２の電極に設けられ反応ガスを供給する反応
ガス供給手段と、前記第１の電極に設けられ前記第１の
電極と前記被処理基板との間の空間に伝熱ガスを供給す
る伝熱ガス供給口とを有し、前記第１の電極または前記
第２の電極の何れかに高周波電力を供給してプラズマを
発生するプラズマ処理装置において、前記伝熱ガス供給
口に多孔質絶縁物を装着し、前記多孔質絶縁物を介して
伝熱ガスを供給する構成を有している。
【００１０】この構成によって、伝熱ガス供給口の電気
絶縁が図れ、下部電極と被処理基板との間の異常放電を
防止することができる。
絶縁が図れ、下部電極と被処理基板との間の異常放電を
防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施形態におけるプラズ
マ処理装置の断面を示す図である。図１において、１は
処理槽、２は真空排気ポンプ、３は反応ガス吹き出し口
を有する上部電極であり、上部電極３はアース４で接地
されている。５は被処理基板としてのシリコン基板、６
は凸面形状の下部電極であり、下部電極６の表面は絶縁
膜７で覆われている。下部電極６は絶縁板８上に置か
れ、高周波電源９に電気的に接続されている。下部電極
６の中心部には伝熱ガス供給口１０が設けられており、
伝熱ガス供給口１０内はセラミックスなどの通気性のあ
る多孔質絶縁物１１を埋め込んである。下部電極６の内
部には冷却水の配管１２があり、冷却水が循環してい
る。下部電極６の周囲にはクランプリング１３が設けら
れ、クランプリング１３はシリコン基板５を反らせた状
態で下部電極６上に固定する。
マ処理装置の断面を示す図である。図１において、１は
処理槽、２は真空排気ポンプ、３は反応ガス吹き出し口
を有する上部電極であり、上部電極３はアース４で接地
されている。５は被処理基板としてのシリコン基板、６
は凸面形状の下部電極であり、下部電極６の表面は絶縁
膜７で覆われている。下部電極６は絶縁板８上に置か
れ、高周波電源９に電気的に接続されている。下部電極
６の中心部には伝熱ガス供給口１０が設けられており、
伝熱ガス供給口１０内はセラミックスなどの通気性のあ
る多孔質絶縁物１１を埋め込んである。下部電極６の内
部には冷却水の配管１２があり、冷却水が循環してい
る。下部電極６の周囲にはクランプリング１３が設けら
れ、クランプリング１３はシリコン基板５を反らせた状
態で下部電極６上に固定する。
【００１３】以上のように構成されたプラズマ処理装置
について、その動作を説明する。まず、シリコン基板５
と下部電極６との間に空間が生じるように、クランプリ
ング１３によってシリコン基板５を反らせて下部電極６
上に固定させる。次に、真空ポンプ２で処理槽１内を排
気してから、上部電極３の反応ガス吹き出し口から反応
ガスを処理槽１内に導入する。また、伝熱ガス供給口１
０の多孔質絶縁物１１を通してヘリウムガス（伝熱ガ
ス）を供給し、シリコン基板５と下部電極６の間にヘリ
ウムガスを充満させる。次に、高周波電源９の高周波電
力を下部電極６に印加し、下部電極６と上部電極３の間
にプラズマを発生させる。このとき、プラズマの発生に
よってシリコン基板５が加熱されるが、シリコン基板５
の熱は熱伝導性の優れているヘリウムガスによって下部
電極に伝達される。更に、その下部電極６は、配管１２
内を還流する冷却水で一定に温度制御される。従って、
プラズマ発生によって周囲温度が上昇しても、シリコン
基板５は温度を一定に保つことができる。
について、その動作を説明する。まず、シリコン基板５
と下部電極６との間に空間が生じるように、クランプリ
ング１３によってシリコン基板５を反らせて下部電極６
上に固定させる。次に、真空ポンプ２で処理槽１内を排
気してから、上部電極３の反応ガス吹き出し口から反応
ガスを処理槽１内に導入する。また、伝熱ガス供給口１
０の多孔質絶縁物１１を通してヘリウムガス（伝熱ガ
ス）を供給し、シリコン基板５と下部電極６の間にヘリ
ウムガスを充満させる。次に、高周波電源９の高周波電
力を下部電極６に印加し、下部電極６と上部電極３の間
にプラズマを発生させる。このとき、プラズマの発生に
よってシリコン基板５が加熱されるが、シリコン基板５
の熱は熱伝導性の優れているヘリウムガスによって下部
電極に伝達される。更に、その下部電極６は、配管１２
内を還流する冷却水で一定に温度制御される。従って、
プラズマ発生によって周囲温度が上昇しても、シリコン
基板５は温度を一定に保つことができる。
【００１４】この構成によれば、シリコン基板５と下部
電極６との間の電気的絶縁は、下部電極６の表面に被覆
された絶縁膜７と、伝熱ガス供給口１０内に埋め込まれ
た多孔質絶縁物１１とによってなされ、シリコン基板５
の裏面と下部電極６間での異常放電の発生を防止でき
る。
電極６との間の電気的絶縁は、下部電極６の表面に被覆
された絶縁膜７と、伝熱ガス供給口１０内に埋め込まれ
た多孔質絶縁物１１とによってなされ、シリコン基板５
の裏面と下部電極６間での異常放電の発生を防止でき
る。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマ処理装置
は、下部電極の伝熱ガス供給口内に埋め込まれた多孔質
絶縁物を介して伝熱ガスを供給するから、下部電極と被
処理基板との絶縁が良好になり、被処理基板裏面と下部
電極の間での異常放電を防止すると共に、被処理基板の
温度を一定に保って、プラズマ処理を安定に行うことが
できる。
は、下部電極の伝熱ガス供給口内に埋め込まれた多孔質
絶縁物を介して伝熱ガスを供給するから、下部電極と被
処理基板との絶縁が良好になり、被処理基板裏面と下部
電極の間での異常放電を防止すると共に、被処理基板の
温度を一定に保って、プラズマ処理を安定に行うことが
できる。
【図１】本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置
の断面構造図
の断面構造図
【図２】従来のプラズマ処理装置の縦断面図
１ 処理槽 ２ 真空排気ポンプ ３ 上部電極 ４ アース ５ シリコン基板 ６ 下部電極 ７ 絶縁膜 ８ 絶縁板 ９ 高周波電源 １０ 伝熱ガス供給口 １１ 多孔質絶縁物 １２ 冷却水の配管 １３ クランプリング
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】 処理槽の内部に設けられた第１，第２の
電極と、表面を絶縁膜で覆われた前記第１の電極に被処
理基板を固定する基板クランプ手段と、前記第２の電極
に設けられ反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前
記第１の電極に設けられ前記第１の電極と前記被処理基
板との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給口と
を有し、前記第１の電極または前記第２の電極の何れか
に高周波電力を供給してプラズマを発生するプラズマ処
理装置において、前記伝熱ガス供給口に多孔質絶縁物を
装着し、前記多孔質絶縁物を介して伝熱ガスを供給する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03994798A JP3736103B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プラズマ処理装置およびその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03994798A JP3736103B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プラズマ処理装置およびその処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238596A true JPH11238596A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3736103B2 JP3736103B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=12567164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03994798A Expired - Fee Related JP3736103B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プラズマ処理装置およびその処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3736103B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134476A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006066824A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマエッチング装置と基台並びにその駆動方法 |
| WO2008099789A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Creative Technology Corporation | 静電チャック |
| JP2009218607A (ja) * | 2001-11-30 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びガス放電抑制部材 |
| US10370757B2 (en) | 2013-02-04 | 2019-08-06 | Ulvac, Inc. | Thin substrate processing device |
| CN110197787A (zh) * | 2018-02-26 | 2019-09-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和载置台的制造方法 |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP03994798A patent/JP3736103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134476A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009218607A (ja) * | 2001-11-30 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びガス放電抑制部材 |
| JP2006066824A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマエッチング装置と基台並びにその駆動方法 |
| WO2008099789A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Creative Technology Corporation | 静電チャック |
| JP5087561B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-12-05 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック |
| US10370757B2 (en) | 2013-02-04 | 2019-08-06 | Ulvac, Inc. | Thin substrate processing device |
| CN110197787A (zh) * | 2018-02-26 | 2019-09-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和载置台的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3736103B2 (ja) | 2006-01-18 |
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