JPH11238685A - 化合物半導体の結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体の結晶成長方法Info
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N trimethylarsine Chemical compound C[As](C)C HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OHCFIQBNVPRBOO-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsane Chemical compound CC(C)(C)[AsH2] OHCFIQBNVPRBOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N tetraethylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)CC VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶特性の優れたＧａＩｎＮＡｓ系化合物半
導体結晶を、安全に成長することができるとともに、量
産することができる方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用いて、気
相成長法により、Ｇａ1- X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ
＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶を
成長する方法であって、Ｖ族原料として窒素含有Ｖ族原
料とヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を行ない、
ヒ素含有Ｖ族原料は有機Ｖ族化合物ガスである。
導体結晶を、安全に成長することができるとともに、量
産することができる方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用いて、気
相成長法により、Ｇａ1- X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ
＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶を
成長する方法であって、Ｖ族原料として窒素含有Ｖ族原
料とヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を行ない、
ヒ素含有Ｖ族原料は有機Ｖ族化合物ガスである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体の結
晶成長方法に関するものであり、特に、気相成長法によ
るＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶成長方法に関す
るものである。
晶成長方法に関するものであり、特に、気相成長法によ
るＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶成長方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の結晶を成長する際には、ＩＩＩ族元素を供給する
ＩＩＩ族原料と、Ｖ族元素を供給するＶ族原料とが用い
られる。
導体の結晶を成長する際には、ＩＩＩ族元素を供給する
ＩＩＩ族原料と、Ｖ族元素を供給するＶ族原料とが用い
られる。
【０００３】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の一例として、
たとえば、３元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体の結晶を
成長する際には、Ｖ族原料として、Ｎ元素を供給する窒
素含有Ｖ族原料と、Ａｓ元素を供給するヒ素含有Ｖ族原
料とが併用されている。従来、窒素含有Ｖ族原料として
は、窒素（Ｎ2 ）ガスや、文献１（Journal of Crystal
Growth 145 （1994）p.99-103）に開示されているよう
に、アンモニア（ＮＨ 3 ）をＲＦプラズマにより活性化
した窒素源が用いられていた。また、ヒ素含有Ｖ族原料
としては、アルシン（ＡｓＨ3 ）が一般的に用いられて
いた。
たとえば、３元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体の結晶を
成長する際には、Ｖ族原料として、Ｎ元素を供給する窒
素含有Ｖ族原料と、Ａｓ元素を供給するヒ素含有Ｖ族原
料とが併用されている。従来、窒素含有Ｖ族原料として
は、窒素（Ｎ2 ）ガスや、文献１（Journal of Crystal
Growth 145 （1994）p.99-103）に開示されているよう
に、アンモニア（ＮＨ 3 ）をＲＦプラズマにより活性化
した窒素源が用いられていた。また、ヒ素含有Ｖ族原料
としては、アルシン（ＡｓＨ3 ）が一般的に用いられて
いた。
【０００４】一方、文献２（Appl. Phys. Lett. 70（2
1）,26 May 1997，p.2861-2863 ）には、窒素含有Ｖ族
原料として、アンモニアの代わりに、ジメチルヒドラジ
ン（ＤＭＨｙ）を用いることが提案されている。ジメチ
ルヒドラジンは、アンモニアよりも分解効率が高いた
め、窒化物混晶半導体を作製する際に窒素原子を効率的
に結晶内に取込むことができる。さらに、文献２には、
ヒ素含有Ｖ族原料として、アルシンの代わりにｔ−ブチ
ルアルシン（ＴＢＡｓ）を用いることが提案されてい
る。ｔ−ブチルアルシンは、アルシンよりも分解効率が
高いため、ヒ素含有Ｖ族原料の消費量を削減することが
できるという効果がある。
1）,26 May 1997，p.2861-2863 ）には、窒素含有Ｖ族
原料として、アンモニアの代わりに、ジメチルヒドラジ
ン（ＤＭＨｙ）を用いることが提案されている。ジメチ
ルヒドラジンは、アンモニアよりも分解効率が高いた
め、窒化物混晶半導体を作製する際に窒素原子を効率的
に結晶内に取込むことができる。さらに、文献２には、
ヒ素含有Ｖ族原料として、アルシンの代わりにｔ−ブチ
ルアルシン（ＴＢＡｓ）を用いることが提案されてい
る。ｔ−ブチルアルシンは、アルシンよりも分解効率が
高いため、ヒ素含有Ｖ族原料の消費量を削減することが
できるという効果がある。
【０００５】また、文献３（特開平９−２８３８５７号
公報）には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の他の例とし
て、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶を成
長する方法が開示されている。この文献３においては、
窒素含有Ｖ族原料として、ジメチルヒドラジン等の有機
系窒素化合物が用いられ、ヒ素含有Ｖ族原料としては、
アルシンが用いられている。
公報）には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の他の例とし
て、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶を成
長する方法が開示されている。この文献３においては、
窒素含有Ｖ族原料として、ジメチルヒドラジン等の有機
系窒素化合物が用いられ、ヒ素含有Ｖ族原料としては、
アルシンが用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ヒ素含有Ｖ族原料とし
てアルシンを用いた場合、アルシンは６００℃で５０％
しか分解しない。そのため、良質の化合物半導体結晶を
得るためには、文献４（Journal of Crystal Growth 11
5 （1991）p.1-11）に開示されるように、高温で結晶成
長を行なうか、もしくはアルシンの供給量を増加する必
要がある。
てアルシンを用いた場合、アルシンは６００℃で５０％
しか分解しない。そのため、良質の化合物半導体結晶を
得るためには、文献４（Journal of Crystal Growth 11
5 （1991）p.1-11）に開示されるように、高温で結晶成
長を行なうか、もしくはアルシンの供給量を増加する必
要がある。
【０００７】しかしながら、ＧａＡｓＮ系およびＧａＩ
ｎＮＡｓ系等の化合物半導体結晶の成長の際、成長温度
が高くなると、Ｎ元素の結晶内への取込が抑制されてし
まう。そのため、Ｎ元素の結晶成長表面からの離脱を抑
制するため、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加する必要
がある。
ｎＮＡｓ系等の化合物半導体結晶の成長の際、成長温度
が高くなると、Ｎ元素の結晶内への取込が抑制されてし
まう。そのため、Ｎ元素の結晶成長表面からの離脱を抑
制するため、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加する必要
がある。
【０００８】また、アルシンの供給量を増加した場合に
は、ジメチルヒドラジン等の窒素含有Ｖ族原料との気相
中での反応による結晶性への影響が危惧される。
は、ジメチルヒドラジン等の窒素含有Ｖ族原料との気相
中での反応による結晶性への影響が危惧される。
【０００９】さらに、成長温度を上げた場合、またはア
ルシンの供給量を増加した場合のいずれにおいても、原
料ガスの供給量が増加するため、排ガス処理の負担や、
環境汚染を考慮する必要が生じる。
ルシンの供給量を増加した場合のいずれにおいても、原
料ガスの供給量が増加するため、排ガス処理の負担や、
環境汚染を考慮する必要が生じる。
【００１０】さらに、発明者らは、化合物半導体結晶の
中でも、特に４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体に
注目している。このＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶
は、ＧａＡｓ基板と格子整合するため、Ｇａ元素、Ｉｎ
元素、Ｎ元素、Ａｓ元素の組成をそれぞれ制御すること
により、長波長発光素子の作製が可能となるからであ
る。
中でも、特に４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体に
注目している。このＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶
は、ＧａＡｓ基板と格子整合するため、Ｇａ元素、Ｉｎ
元素、Ｎ元素、Ａｓ元素の組成をそれぞれ制御すること
により、長波長発光素子の作製が可能となるからであ
る。
【００１１】しかしながら、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系
化合物半導体結晶の成長に際しては、以下のように、３
元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体では見られない特有の
問題がある。
化合物半導体結晶の成長に際しては、以下のように、３
元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体では見られない特有の
問題がある。
【００１２】すなわち、発明者らは、ＧａＩｎＮＡｓ系
化合物半導体結晶の成長につき実験を繰返した結果、結
晶中のＩｎ元素の組成比が高くなるにつれて、Ｎ元素が
結晶中に入りにくくなるという事実を見出した。なお、
従来より青色レーザ素子の材料として利用が期待されて
いる３元系のＧａＩｎＮ系化合物半導体結晶において
も、同様の問題があったが、この場合には、結晶を構成
しているＶ族元素がＮ元素のみであるためにＩｎ元素が
結晶中に入りにくくなるという結果が観察されており、
４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶における問
題とは全く異なるものである。
化合物半導体結晶の成長につき実験を繰返した結果、結
晶中のＩｎ元素の組成比が高くなるにつれて、Ｎ元素が
結晶中に入りにくくなるという事実を見出した。なお、
従来より青色レーザ素子の材料として利用が期待されて
いる３元系のＧａＩｎＮ系化合物半導体結晶において
も、同様の問題があったが、この場合には、結晶を構成
しているＶ族元素がＮ元素のみであるためにＩｎ元素が
結晶中に入りにくくなるという結果が観察されており、
４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶における問
題とは全く異なるものである。
【００１３】４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結
晶の成長において、Ｉｎ元素の組成比が高くなった場合
にもＮ元素を結晶中に効果的に取込ませるためには、ヒ
素含有Ｖ族原料に対する窒素含有Ｖ族原料の供給比を増
加するか、もしくは結晶の成長温度を下げてＮ元素の結
晶成長表面からの離脱を抑制する必要がある。
晶の成長において、Ｉｎ元素の組成比が高くなった場合
にもＮ元素を結晶中に効果的に取込ませるためには、ヒ
素含有Ｖ族原料に対する窒素含有Ｖ族原料の供給比を増
加するか、もしくは結晶の成長温度を下げてＮ元素の結
晶成長表面からの離脱を抑制する必要がある。
【００１４】窒素含有Ｖ族原料の供給比を増加するため
には、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加するか、もしく
はヒ素含有Ｖ族原料の供給量を減少することが考えられ
るが、コスト面や環境面を考慮すると、ヒ素含有Ｖ族原
料の供給量を減少することが好ましい。しかしながら、
前述のように、ヒ素含有Ｖ族原料としてのアルシンは分
解効率が悪いため、アルシンの供給量を減少すると、結
晶特性の劣化を引き起こすおそれがある。
には、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加するか、もしく
はヒ素含有Ｖ族原料の供給量を減少することが考えられ
るが、コスト面や環境面を考慮すると、ヒ素含有Ｖ族原
料の供給量を減少することが好ましい。しかしながら、
前述のように、ヒ素含有Ｖ族原料としてのアルシンは分
解効率が悪いため、アルシンの供給量を減少すると、結
晶特性の劣化を引き起こすおそれがある。
【００１５】一方、結晶の成長温度を下げた場合にも、
同様にアルシンの分解が妨げられ、結晶特性の劣化が問
題となる。
同様にアルシンの分解が妨げられ、結晶特性の劣化が問
題となる。
【００１６】この発明の目的は、上述の問題点を解決
し、結晶特性の優れたＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結
晶を、安全に成長することができるとともに、量産する
ことができる方法を、提供することにある。
し、結晶特性の優れたＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結
晶を、安全に成長することができるとともに、量産する
ことができる方法を、提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願発明による化合物半
導体の結晶成長方法は、ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用
いて、気相成長法により、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y
（０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体
の結晶を成長する方法であって、Ｖ族原料として窒素含
有Ｖ族原料とヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を
行ない、ヒ素含有Ｖ族原料は有機Ｖ族化合物ガスであ
る。
導体の結晶成長方法は、ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用
いて、気相成長法により、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y
（０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体
の結晶を成長する方法であって、Ｖ族原料として窒素含
有Ｖ族原料とヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を
行ない、ヒ素含有Ｖ族原料は有機Ｖ族化合物ガスであ
る。
【００１８】この明細書において、「有機Ｖ族化合物ガ
ス」とは、Ａｓ元素を含むＶ族化合物のうち、特にメチ
ル基またはエチル基等の有機基を有する化合物をいう。
ス」とは、Ａｓ元素を含むＶ族化合物のうち、特にメチ
ル基またはエチル基等の有機基を有する化合物をいう。
【００１９】この発明によれば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合
物半導体の結晶成長の際、ヒ素含有Ｖ族原料として、分
解効率に優れた有機Ｖ族化合物ガスが用いられる。その
ため、従来多用されていたアルシン使用の場合と比較し
て、少ない原料供給量で良好な特性を有する結晶を成長
することができる。
物半導体の結晶成長の際、ヒ素含有Ｖ族原料として、分
解効率に優れた有機Ｖ族化合物ガスが用いられる。その
ため、従来多用されていたアルシン使用の場合と比較し
て、少ない原料供給量で良好な特性を有する結晶を成長
することができる。
【００２０】有機Ｖ族化合物ガスとして、具体的には、
ｔ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）またはトリメチルヒ素
（ＴＭＡｓ）等が挙げられる。これらｔ−ブチルアルシ
ンおよびトリメチルヒ素は、いずれも室温で液体の物質
であり、通常はステンレス（ＳＵＳ）製容器内に貯蔵さ
れるが、水素（Ｈ2 ）ガス等のいわゆるキャリアガスで
バブリングすることにより、半導体結晶の成長の原料ガ
スとして搬送が可能となる。
ｔ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）またはトリメチルヒ素
（ＴＭＡｓ）等が挙げられる。これらｔ−ブチルアルシ
ンおよびトリメチルヒ素は、いずれも室温で液体の物質
であり、通常はステンレス（ＳＵＳ）製容器内に貯蔵さ
れるが、水素（Ｈ2 ）ガス等のいわゆるキャリアガスで
バブリングすることにより、半導体結晶の成長の原料ガ
スとして搬送が可能となる。
【００２１】また、本願発明において、窒素含有Ｖ族原
料としては、たとえば、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨ
ｙ）またはジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）等が挙げら
れる。これらは分解効率に優れているため、少ない原料
供給量で良好な特性を有する結晶を成長することができ
る。
料としては、たとえば、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨ
ｙ）またはジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）等が挙げら
れる。これらは分解効率に優れているため、少ない原料
供給量で良好な特性を有する結晶を成長することができ
る。
【００２２】また、本願発明において、好ましくは、ヒ
素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比は、１＜
［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］であるとよ
い。
素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比は、１＜
［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］であるとよ
い。
【００２３】［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］
で表わされる原料モル供給比が１以下になると、結晶の
特性が悪化してしまうからである。
で表わされる原料モル供給比が１以下になると、結晶の
特性が悪化してしまうからである。
【００２４】一方、原料モル供給比が１より大きい場合
には、いずれも良好な特性の結晶を成長することができ
る。従来、アルシンを用いた場合には原料モル供給比を
約１６程度まで上げる必要があったが、本願発明によれ
ば、有機Ｖ族化合物ガスを用いることにより、ヒ素含有
Ｖ族原料の供給量を減少させることが可能となる。ただ
し、原料モル供給比が１０より大きくなると窒素含有Ｖ
族原料を多量に供給する必要があることから、結晶の特
性が悪化する可能性もある。したがって、本願発明にお
いて、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比
は、１より大きく、かつ、１０以下であることがより好
ましい。
には、いずれも良好な特性の結晶を成長することができ
る。従来、アルシンを用いた場合には原料モル供給比を
約１６程度まで上げる必要があったが、本願発明によれ
ば、有機Ｖ族化合物ガスを用いることにより、ヒ素含有
Ｖ族原料の供給量を減少させることが可能となる。ただ
し、原料モル供給比が１０より大きくなると窒素含有Ｖ
族原料を多量に供給する必要があることから、結晶の特
性が悪化する可能性もある。したがって、本願発明にお
いて、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比
は、１より大きく、かつ、１０以下であることがより好
ましい。
【００２５】さらに、本願発明において、化合物半導体
結晶の気相成長の際には、成長温度を５００℃〜６００
℃とすることが好ましい。
結晶の気相成長の際には、成長温度を５００℃〜６００
℃とすることが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１は、本願発明による化合物半
導体の結晶成長方法を実施するための気相成長装置の一
例の構成を示す断面図である。
導体の結晶成長方法を実施するための気相成長装置の一
例の構成を示す断面図である。
【００２７】なお、この例では横型反応炉を示している
が、本願発明は縦型反応炉を用いても実施できる。
が、本願発明は縦型反応炉を用いても実施できる。
【００２８】図１を参照して、この気相成長装置は、気
相成長を行なうステンレス（ＳＵＳ）製チャンバ１と、
原料ガスを供給する石英製フローチャネル２と、排気管
３とを備えている。ステンレス製チャンバ１内には、基
板４を加熱するためのＳｉＣコートされたカーボンサセ
プタ５が設置されている。カーボンサセプタ５の下部に
は、気相成長の際に基板４を回転させるための回転装置
５１が取付けられている。回転装置５１の中心には、基
板４の温度を測定するための熱電対６が取付けられてい
る。
相成長を行なうステンレス（ＳＵＳ）製チャンバ１と、
原料ガスを供給する石英製フローチャネル２と、排気管
３とを備えている。ステンレス製チャンバ１内には、基
板４を加熱するためのＳｉＣコートされたカーボンサセ
プタ５が設置されている。カーボンサセプタ５の下部に
は、気相成長の際に基板４を回転させるための回転装置
５１が取付けられている。回転装置５１の中心には、基
板４の温度を測定するための熱電対６が取付けられてい
る。
【００２９】このように構成される気相成長装置を用い
て、本願発明に従い、以下のようにＧａＩｎＮＡｓ系化
合物半導体の結晶成長を行なう。
て、本願発明に従い、以下のようにＧａＩｎＮＡｓ系化
合物半導体の結晶成長を行なう。
【００３０】まず、ステンレス製チャンバ１内に設けら
れたカーボンサセプタ５上に、基板４を載置する。基板
４としては、エピタキシャル成長を促進するためにはＧ
ａＡｓ基板が好ましいが、この他Ｇｅ基板、Ｓｉ基板等
も用いることができる。
れたカーボンサセプタ５上に、基板４を載置する。基板
４としては、エピタキシャル成長を促進するためにはＧ
ａＡｓ基板が好ましいが、この他Ｇｅ基板、Ｓｉ基板等
も用いることができる。
【００３１】次に、カーボンサセプタ５を通電、加熱す
ることにより、基板４を所定の温度まで加熱する。
ることにより、基板４を所定の温度まで加熱する。
【００３２】続いて、石英製フローチャネル２より、キ
ャリアガスと原料ガスとをステンレス製チャンバ１内に
導入する。
ャリアガスと原料ガスとをステンレス製チャンバ１内に
導入する。
【００３３】キャリアガスとしては、水素純化装置によ
り高純度化された水素（Ｈ2 ）ガスの他、純化装置によ
り高純度化された窒素（Ｎ2 ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）
ガス等が用いられる。キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）
ガスを用いた場合、結晶中のＮ元素の取込効率が向上す
る。
り高純度化された水素（Ｈ2 ）ガスの他、純化装置によ
り高純度化された窒素（Ｎ2 ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）
ガス等が用いられる。キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）
ガスを用いた場合、結晶中のＮ元素の取込効率が向上す
る。
【００３４】また、原料ガスとしては、ＩＩＩ族原料お
よびＶ族原料の他、必要に応じてｐ型またはｎ型ドーパ
ント原料ガスが用いられる。Ｖ族原料としては、ｔ−ブ
チルアルシン（ＴＢＡｓ）、トリメチルヒ素（ＴＭＡ
ｓ）等の有機Ｖ族化合物ガスからなるヒ素含有Ｖ族原料
と、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨｙ）、ジメチルヒド
ラジン（ＤＭＨｙ）等の窒素含有Ｖ族原料とが用いられ
る。ＩＩＩ族原料としては、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等が用いられ
る。
よびＶ族原料の他、必要に応じてｐ型またはｎ型ドーパ
ント原料ガスが用いられる。Ｖ族原料としては、ｔ−ブ
チルアルシン（ＴＢＡｓ）、トリメチルヒ素（ＴＭＡ
ｓ）等の有機Ｖ族化合物ガスからなるヒ素含有Ｖ族原料
と、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨｙ）、ジメチルヒド
ラジン（ＤＭＨｙ）等の窒素含有Ｖ族原料とが用いられ
る。ＩＩＩ族原料としては、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等が用いられ
る。
【００３５】気相成長の際のステンレス製チャンバ１内
の圧力は、減圧でもよいし、常圧でもよい。また、反応
後の排気ガスは、排気管３によりステンレス製チャンバ
１外部へ排気される。
の圧力は、減圧でもよいし、常圧でもよい。また、反応
後の排気ガスは、排気管３によりステンレス製チャンバ
１外部へ排気される。
【００３６】
【実施例】（実施例１）図１に示す気相成長装置を用い
て、以下のように、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1- Y （０＜
Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶
の成長を行なった。
て、以下のように、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1- Y （０＜
Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶
の成長を行なった。
【００３７】基板としてはＧａＡｓを用い、ステンレス
製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧の減圧下とし
た。ここで、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度が
Ｘ＝０．１となるように、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供
給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を用い
た。
製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧の減圧下とし
た。ここで、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度が
Ｘ＝０．１となるように、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供
給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を用い
た。
【００３８】［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭ
Ｉ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料と
のモル供給比を１としたところ、結晶性の劣化を示す半
値幅が２５０ａｒｃｓｅｃというブロードなＸ線回折ピ
ークが観測された。しかし、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥ
Ｇ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩ
ＩＩ族原料とのモル供給比を１より大きくしたところ、
半値幅が急激に改善されることが判明した。
Ｉ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料と
のモル供給比を１としたところ、結晶性の劣化を示す半
値幅が２５０ａｒｃｓｅｃというブロードなＸ線回折ピ
ークが観測された。しかし、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥ
Ｇ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩ
ＩＩ族原料とのモル供給比を１より大きくしたところ、
半値幅が急激に改善されることが判明した。
【００３９】次に、成長温度を５５０℃とし、［ＴＢＡ
ｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含
有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１．８と
し、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で
表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモ
ル供給比を０．９８として、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半
導体結晶を０．５μｍ成長した。
ｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含
有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１．８と
し、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で
表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモ
ル供給比を０．９８として、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半
導体結晶を０．５μｍ成長した。
【００４０】図２は、このようにして得られたＧａＩｎ
ＮＡｓ系化合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキ
ングカーブを示す図である。図２において、横軸はΔ２
θ（ｄｅｇ．）を示し、縦軸はＸ線回折強度（ａ．
ｕ．）を示している。
ＮＡｓ系化合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキ
ングカーブを示す図である。図２において、横軸はΔ２
θ（ｄｅｇ．）を示し、縦軸はＸ線回折強度（ａ．
ｕ．）を示している。
【００４１】図２を参照して、Ｇａ0.9 Ｉｎ0.1 ＮＡｓ
化合物半導体結晶のピーク半値幅は３０ａｒｃｓｅｃと
なり、良好な結晶性が得られていることが判明した。
化合物半導体結晶のピーク半値幅は３０ａｒｃｓｅｃと
なり、良好な結晶性が得られていることが判明した。
【００４２】また、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［Ｔ
ＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料
とのモル供給比を変化させて結晶の光学特性を観察した
ところ、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給
比が１より大きくなるに従い、フォトルミネッセンス
（ＰＬ）スペクトルの半値幅が小さくなることがわかっ
た。しかしながら、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［Ｔ
ＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料
とのモル供給比を１０より大きくした場合、光学特性に
変化が見られなくなった。
ＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料
とのモル供給比を変化させて結晶の光学特性を観察した
ところ、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給
比が１より大きくなるに従い、フォトルミネッセンス
（ＰＬ）スペクトルの半値幅が小さくなることがわかっ
た。しかしながら、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［Ｔ
ＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料
とのモル供給比を１０より大きくした場合、光学特性に
変化が見られなくなった。
【００４３】次に、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋
［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素
含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させて、得られた結晶
内の窒素（Ｎ2 ）濃度の変化を観察した。
［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素
含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させて、得られた結晶
内の窒素（Ｎ2 ）濃度の変化を観察した。
【００４４】図３は、その結果を示す図である。図３に
おいて、横軸はＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料
のモル供給比を示し、縦軸は窒素濃度（％）を示してい
る。なお、窒素濃度（％）は、ＳＩＭＳ（Secondary Io
n Mass Spectroscopy ：２次イオン質量分析）によって
見積もった。
おいて、横軸はＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料
のモル供給比を示し、縦軸は窒素濃度（％）を示してい
る。なお、窒素濃度（％）は、ＳＩＭＳ（Secondary Io
n Mass Spectroscopy ：２次イオン質量分析）によって
見積もった。
【００４５】図３を参照して、Ｖ族原料全体に対する窒
素含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させることにより、
窒素濃度を自由に制御しながらＧａＩｎＮＡｓ系化合物
半導体結晶の成長が可能であることがわかる。
素含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させることにより、
窒素濃度を自由に制御しながらＧａＩｎＮＡｓ系化合物
半導体結晶の成長が可能であることがわかる。
【００４６】（実施例２）基板としてはＧａＡｓを用
い、ステンレス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧
の減圧下として、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ
＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体結晶を成
長した。
い、ステンレス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧
の減圧下として、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ
＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体結晶を成
長した。
【００４７】ここで、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素
の濃度がＸ＝０．１５となるように、トリエチルガリウ
ム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を
一定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）
を用いた。成長温度を５３０℃とし、［ＴＢＡｓ］／
（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族
原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨ
ｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ
族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を
０．９６５として、ＧａＡｓ基板にほぼ格子整合したＧ
ａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0. 05Ａｓ0.95で表わされる化合物半導
体結晶を成長した。
の濃度がＸ＝０．１５となるように、トリエチルガリウ
ム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を
一定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）
を用いた。成長温度を５３０℃とし、［ＴＢＡｓ］／
（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族
原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨ
ｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ
族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を
０．９６５として、ＧａＡｓ基板にほぼ格子整合したＧ
ａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0. 05Ａｓ0.95で表わされる化合物半導
体結晶を成長した。
【００４８】図４は、得られた結晶の室温でのフォトル
ミネッセンス（ＰＬ）測定の結果を示す図である。図４
において、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸はＰＬ発光
強度（ａ．ｕ．）を示している。
ミネッセンス（ＰＬ）測定の結果を示す図である。図４
において、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸はＰＬ発光
強度（ａ．ｕ．）を示している。
【００４９】図４を参照して、ほぼ１．３μｍの波長で
の発光が確認できた。次に、キャリアガスとして窒素
（Ｎ2 ）を用いた場合に結晶内へのＮ元素の取込効率が
向上することを利用して、成長温度を６００℃に上げ、
キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）を用いて成長を行なっ
た。その結果、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭ
Ｉ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料と
のモル供給比を２とした場合に、ＧａＡｓ基板に格子整
合したＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0.05Ａｓ 0.95化合物半導体結
晶を成長することができた。この場合の［ＤＭＨｙ］／
（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料
全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比は、０．９
８であった。
の発光が確認できた。次に、キャリアガスとして窒素
（Ｎ2 ）を用いた場合に結晶内へのＮ元素の取込効率が
向上することを利用して、成長温度を６００℃に上げ、
キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）を用いて成長を行なっ
た。その結果、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭ
Ｉ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料と
のモル供給比を２とした場合に、ＧａＡｓ基板に格子整
合したＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0.05Ａｓ 0.95化合物半導体結
晶を成長することができた。この場合の［ＤＭＨｙ］／
（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料
全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比は、０．９
８であった。
【００５０】（実施例３）次に、ヒ素含有Ｖ族原料とし
てトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）を用いて、Ｇａ1- X Ｉｎ
X ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされ
る化合物半導体結晶を成長した。
てトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）を用いて、Ｇａ1- X Ｉｎ
X ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされ
る化合物半導体結晶を成長した。
【００５１】まず、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の
濃度がＸ＝０．１となるように、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一
定量供給した。また、［ＴＭＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋
［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族
原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭ
Ｈｙ］＋［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対
する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を０．９８とし、成
長温度を５５０℃とした。ステンレス製チャンバ１内の
圧力は、１０分の１気圧の減圧下とした。
濃度がＸ＝０．１となるように、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一
定量供給した。また、［ＴＭＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋
［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族
原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭ
Ｈｙ］＋［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対
する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を０．９８とし、成
長温度を５５０℃とした。ステンレス製チャンバ１内の
圧力は、１０分の１気圧の減圧下とした。
【００５２】このようにして得られた結晶の混晶比は、
Ｇａ0.9 Ｉｎ0.1 Ｎ0.03Ａｓ0.97となり、１．２μｍで
の発光が確認された。
Ｇａ0.9 Ｉｎ0.1 Ｎ0.03Ａｓ0.97となり、１．２μｍで
の発光が確認された。
【００５３】（実施例４）一般に、ＧａＩｎＮＡｓ系化
合物半導体結晶においては、結晶内のＮ元素の濃度が低
い方が、光学特性の優れた結晶が得やすい。そこで、Ｎ
元素の濃度を低くする代わりにＩｎ元素の濃度を高くし
て、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶を成長すること
により、長波長発光素子を作製した。
合物半導体結晶においては、結晶内のＮ元素の濃度が低
い方が、光学特性の優れた結晶が得やすい。そこで、Ｎ
元素の濃度を低くする代わりにＩｎ元素の濃度を高くし
て、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶を成長すること
により、長波長発光素子を作製した。
【００５４】まず、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の
濃度がＸ＝０．３となるように、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一
定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を
用いた。結晶中のインジウム（Ｉｎ）混晶比が大きい場
合、Ｎ元素が取込まれにくいことから、Ｎ元素の結晶成
長表面での吸着率を上げるために、成長温度を５００℃
とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）
で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料の
モル供給比を、０．９８５とした。また、［ＴＢＡｓ］
／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ
族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、ステン
レス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧とした。
濃度がＸ＝０．３となるように、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一
定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を
用いた。結晶中のインジウム（Ｉｎ）混晶比が大きい場
合、Ｎ元素が取込まれにくいことから、Ｎ元素の結晶成
長表面での吸着率を上げるために、成長温度を５００℃
とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）
で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料の
モル供給比を、０．９８５とした。また、［ＴＢＡｓ］
／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ
族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、ステン
レス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧とした。
【００５５】このようにして、図５に示すような量子井
戸構造を形成した。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、成長
温度６００℃で膜厚０．３μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ
層を成長した後、膜厚１．５μｍのｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓ障壁層を成長した。このとき、ｎ型ドーパント
原料として、テトラエチルシラン（ＴｅＥＳｉ）を使用
した。引続き、膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓ
スペーサ層の成長中に成長温度を５００℃に下げ、井戸
層として膜厚６０ÅのＧａ0.7 Ｉｎ0.3 Ｎ0.01Ａｓ0.99
で表わされる化合物半導体結晶を成長した。さらに、再
び膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓスペーサ層成
長中に成長温度を６００℃に上げ、膜厚１．５μｍのｐ
型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ障壁層と膜厚０．２μｍのｐ型
ＧａＡｓコンタクト層とを成長した。ｐ型ドーパント原
料としては、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）を使用した。
戸構造を形成した。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、成長
温度６００℃で膜厚０．３μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ
層を成長した後、膜厚１．５μｍのｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓ障壁層を成長した。このとき、ｎ型ドーパント
原料として、テトラエチルシラン（ＴｅＥＳｉ）を使用
した。引続き、膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓ
スペーサ層の成長中に成長温度を５００℃に下げ、井戸
層として膜厚６０ÅのＧａ0.7 Ｉｎ0.3 Ｎ0.01Ａｓ0.99
で表わされる化合物半導体結晶を成長した。さらに、再
び膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓスペーサ層成
長中に成長温度を６００℃に上げ、膜厚１．５μｍのｐ
型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ障壁層と膜厚０．２μｍのｐ型
ＧａＡｓコンタクト層とを成長した。ｐ型ドーパント原
料としては、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）を使用した。
【００５６】このようにして得られた量子井戸構造を有
する半導体多層膜において、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
上にｐ型電極を、ｎ型ＧａＡｓ基板裏面上にｎ型電極を
形成し、長波長発光素子を作製した。この長波長発光素
子においては、井戸層を構成するＧａＩｎＮＡｓ系化合
物半導体結晶が基板に格子整合せずに歪みを持ってい
る。しかしながら、井戸層の厚さは臨界膜厚以下である
ため、転位の少ない結晶を成長することができ、長波長
発光素子を作製することができた。
する半導体多層膜において、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
上にｐ型電極を、ｎ型ＧａＡｓ基板裏面上にｎ型電極を
形成し、長波長発光素子を作製した。この長波長発光素
子においては、井戸層を構成するＧａＩｎＮＡｓ系化合
物半導体結晶が基板に格子整合せずに歪みを持ってい
る。しかしながら、井戸層の厚さは臨界膜厚以下である
ため、転位の少ない結晶を成長することができ、長波長
発光素子を作製することができた。
【００５７】なお、今回開示された実施例はすべての点
で例示であって制限的なものではないと考えられるべき
である。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請
求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味
および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図さ
れる。
で例示であって制限的なものではないと考えられるべき
である。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請
求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味
および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図さ
れる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれ
ば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体を成長する際にヒ素
含有Ｖ族原料として有機Ｖ族化合物ガスを用いることに
より、従来のアルシン（ＡｓＨ3 ）使用時に比べ、低い
ヒ素含有Ｖ族原料供給比で良好な結晶成長をすることが
可能となる。したがって、有毒なヒ素（Ａｓ）含有廃棄
物の低減が期待でき、環境汚染の防止の点でも効果があ
る。
ば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体を成長する際にヒ素
含有Ｖ族原料として有機Ｖ族化合物ガスを用いることに
より、従来のアルシン（ＡｓＨ3 ）使用時に比べ、低い
ヒ素含有Ｖ族原料供給比で良好な結晶成長をすることが
可能となる。したがって、有毒なヒ素（Ａｓ）含有廃棄
物の低減が期待でき、環境汚染の防止の点でも効果があ
る。
【図１】本願発明による化合物半導体の結晶成長方法を
実施するための気相成長装置の一例の構成を示す断面図
である。
実施するための気相成長装置の一例の構成を示す断面図
である。
【図２】実施例１で得られたＧａ0.9 Ｉｎ0.1 ＮＡｓ化
合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキングカーブ
を示す図である。
合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキングカーブ
を示す図である。
【図３】Ｖ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル
供給比を変化させたときのＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導
体結晶内の窒素濃度の変化を示す図である。
供給比を変化させたときのＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導
体結晶内の窒素濃度の変化を示す図である。
【図４】実施例２で得られたＧａ0.85Ｉｎ0.15ＮＡｓ化
合物半導体結晶の室温でのＰＬ測定の結果を示す図であ
る。
合物半導体結晶の室温でのＰＬ測定の結果を示す図であ
る。
【図５】実施例４で得られた量子井戸構造の構成を示す
断面図である。
断面図である。
１ ステンレス製チャンバ ２ 石英製フローチャネル ３ 排気管 ４ 基板 ５ カーボンサセプタ ６ 熱電対 ５１ 回転装置
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用いて、気
相成長法により、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ
＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶を
成長する方法であって、 前記Ｖ族原料として、窒素含有Ｖ族原料とヒ素含有Ｖ族
原料とを併用して結晶成長を行ない、 前記ヒ素含有Ｖ族原料は、有機Ｖ族化合物ガスである、
化合物半導体の結晶成長方法。 - 【請求項２】 前記ヒ素含有Ｖ族原料は、ｔ−ブチルア
ルシンおよびトリメチルヒ素からなる群から選ばれる少
なくとも１つの原料を含む、請求項１記載の化合物半導
体の結晶成長方法。 - 【請求項３】 前記窒素含有Ｖ族原料は、モノメチルヒ
ドラジンおよびジメチルヒドラジンからなる群から選ば
れる少なくとも１つの原料を含む、請求項１または請求
項２に記載の化合物半導体の結晶成長方法。 - 【請求項４】 前記ヒ素含有Ｖ族原料と前記ＩＩＩ族原
料とのモル供給比は、１＜［ヒ素含有Ｖ族原料］／［Ｉ
ＩＩ族原料］である、請求項１〜請求項３のいずれかに
記載の化合物半導体の結晶成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03725698A JP3900653B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
| US09/252,124 US6150677A (en) | 1998-02-19 | 1999-02-18 | Method of crystal growth of compound semiconductor, compound semiconductor device and method of manufacturing the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03725698A JP3900653B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238685A true JPH11238685A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3900653B2 JP3900653B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=12492579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03725698A Expired - Fee Related JP3900653B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3900653B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294705A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法および気相成長装置 |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP03725698A patent/JP3900653B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294705A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法および気相成長装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3900653B2 (ja) | 2007-04-04 |
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