JPH11238716A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JPH11238716A
JPH11238716A JP3725898A JP3725898A JPH11238716A JP H11238716 A JPH11238716 A JP H11238716A JP 3725898 A JP3725898 A JP 3725898A JP 3725898 A JP3725898 A JP 3725898A JP H11238716 A JPH11238716 A JP H11238716A
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JP
Japan
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substrate
processing
section
liquid
unit
Prior art date
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Pending
Application number
JP3725898A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Suzuki
聡 鈴木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP3725898A priority Critical patent/JPH11238716A/en
Publication of JPH11238716A publication Critical patent/JPH11238716A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain an adequate pollution level for a treatment solution in a substrate treatment apparatus. SOLUTION: A treatment apparatus includes a rinsing chamber 4, a reservoir container 61 for reserving pure water, a pump 71, a drain pipe 81, a waste pipe 82, a return pipe 83, a pH meter 92, and a three-way valve 91. In the rinsing chamber 4, the substrate (W) is put in contact with pure water and cleaned. The pure water is fed by the pump 71 from the reservoir container 61 to the rinsing chamber 4. The pure water discharged from the rinsing chamber 4 is conducted through the drain pipe 81, the waste pipe 82, and the return pipe 83. The pure water from the washing chamber 4 is discharged to the waste pipe 82 or returned to the reservoir container 61 by the three-way valve 91 according to the pollution level detected by the pH meter 92.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、各種基板の処理装
置、特に、液晶表示器用基板等のFPD(Flat P
anel Display)用基板、フォトマスク用基
板、プリント基板、及び半導体基板を処理液によって処
理する基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing various substrates, and in particular, to an FPD (Flat PDP) such as a substrate for a liquid crystal display.
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate for an anel display, a photomask substrate, a printed circuit board, and a semiconductor substrate with a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示器、カラーフィルタ、フォトマ
スク等の製造工程で使用される基板処理装置は、一般に
薬液処理チャンバー、水洗(洗浄)チャンバー、乾燥チ
ャンバー等の複数のチャンバーを備えており、さらに各
チャンバーに基板を搬送する搬送手段を有している。
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus used in a manufacturing process of a liquid crystal display, a color filter, a photomask and the like generally includes a plurality of chambers such as a chemical processing chamber, a washing (washing) chamber, and a drying chamber. Further, a transport means for transporting the substrate to each chamber is provided.

【0003】水洗チャンバーにおいては、薬液によって
処理された基板に純水等のリンス液を供給し、基板に付
着した薬液を洗い流す水洗処理が行われる。この水洗チ
ャンバーには、水洗処理のための処理液であるリンス液
が、貯留槽から供給手段によって供給される。また、水
洗チャンバーで使用されたリンス液を排出する排出路、
及び排出路出側に接続される切替バルブが設けられてお
り、切替バルブ下流側の一方の分岐は装置外の廃棄路に
つながっており、切替バルブ下流側の他方の分岐は貯留
槽へとつながっている。
In the rinsing chamber, a rinsing liquid such as pure water is supplied to the substrate that has been treated with the chemical solution, and a rinsing process is performed to wash away the chemical solution attached to the substrate. A rinsing liquid, which is a processing liquid for the rinsing process, is supplied to the rinsing chamber from a storage tank by a supply unit. Also, a discharge path for discharging the rinse liquid used in the washing chamber,
And a switching valve connected to the discharge path outlet side, one branch downstream of the switching valve is connected to a waste path outside the device, and the other branch downstream of the switching valve is connected to a storage tank. ing.

【0004】上記の水洗チャンバーに薬液が付着した基
板が搬入されてくると、貯留槽から供給されたリンス液
によって基板が洗浄され始める。洗浄開始後しばらく
は、基板の洗浄によって薬液の混入度合い(薬液混入
度)が比較的高くなったリンス液(以下、高濃度排水と
いう。)が排出路に流れ出す。このときには切替バルブ
が排出路と廃棄路とを連通させており(排出路から貯留
槽へはリンス液が流れない状態)、高濃度排水は廃棄路
へと導かれる。そして、基板の洗浄がある程度進行し、
排出路に薬液混入度が比較的低いリンス液(以下、低濃
度排水という。)が流れ出すと、切替バルブが切り替わ
って排出路から貯留槽へと低濃度排水が流れる。このよ
うに低濃度排水を貯留槽へと戻すことにより、使用する
リンス液の量を節約することができるとともに、廃液
(廃棄するリンス液)の量が減るため廃液処理費用が抑
えられる。また、切替バルブを操作することで高濃度排
水が貯留槽に戻らないようにしているので、貯留槽のリ
ンス液への薬液混入度は洗浄に適した度合いに保たれ
る。
[0004] When the substrate having the chemical liquid attached thereto is carried into the washing chamber, the substrate starts to be washed by the rinsing liquid supplied from the storage tank. For a while after the start of the cleaning, the rinse liquid (hereinafter, referred to as high-concentration drainage) having a relatively high degree of chemical solution mixing (chemical solution mixing degree) due to the cleaning of the substrate flows out to the discharge path. At this time, the switching valve establishes communication between the discharge path and the waste path (a state in which the rinse liquid does not flow from the discharge path to the storage tank), and the high-concentration drainage is guided to the waste path. Then, the cleaning of the substrate proceeds to some extent,
When a rinsing liquid (hereinafter, referred to as low-concentration drainage) having a relatively low degree of chemical solution flow into the discharge path, the switching valve is switched, and the low-concentration drainage flows from the discharge path to the storage tank. By returning the low-concentration wastewater to the storage tank in this way, the amount of the rinsing liquid to be used can be saved, and the amount of the waste liquid (rinse liquid to be discarded) is reduced, so that the waste liquid treatment cost is suppressed. In addition, since the high-concentration wastewater is prevented from returning to the storage tank by operating the switching valve, the degree of mixing of the chemical into the rinse liquid in the storage tank is maintained at a level suitable for cleaning.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては、上記切替バルブの操作(切替操作)は、手動によ
り作業者の経験により行われているか、あるいは、基板
の洗浄開始後所定の時間が経過したときにタイマー等に
よって自動制御されている。しかし、このような切替操
作では、貯留槽内のリンス液への薬液混入度を精度よく
適正に保つことは困難である。すなわち、切替の時間を
適正にすることが難しく、高濃度排水が貯留槽内に流れ
込んで貯留槽内のリンス液が許容範囲以上に汚染され洗
浄処理能力が低下したり、まだ使用可能な低濃度排水が
廃棄路へ捨てられて十分な再利用が達成できないといっ
た不具合が生じる。特に、タイマー制御を行っている場
合、処理する基板の大きさによって排出されるリンス液
に対する薬液混入度が大きく変動したり基板の表面状態
によって薬液の付着量が異なったりするため適正な切替
時間は一定ではなく、上記不具合が発生しやすい。ま
た、作業者の経験による手動制御は作業効率やコスト面
で不利となる。
Conventionally, the operation (switching operation) of the switching valve is manually performed by an operator, or a predetermined time has elapsed after the start of cleaning of the substrate. It is automatically controlled by a timer or the like. However, with such a switching operation, it is difficult to accurately and appropriately maintain the degree of mixing of the chemical solution into the rinsing liquid in the storage tank. In other words, it is difficult to make the switching time appropriate, and the high-concentration wastewater flows into the storage tank, and the rinsing liquid in the storage tank is contaminated beyond an allowable range, and the cleaning treatment capacity is reduced. There is a problem that the wastewater is discarded to a waste path and sufficient reuse cannot be achieved. In particular, when the timer control is performed, the appropriate switching time is set because the degree of mixing of the chemical with the rinse liquid to be discharged varies greatly depending on the size of the substrate to be processed, and the amount of the chemical attached varies depending on the surface state of the substrate. It is not constant, and the above-mentioned problems are likely to occur. Further, manual control based on the experience of the operator is disadvantageous in terms of work efficiency and cost.

【0006】本発明の課題は、処理液の汚染度(濃度)
がより適正に保持される基板処理装置を提供することに
ある。
An object of the present invention is to solve the problem of the contamination degree (concentration) of the processing solution.
The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which is more appropriately held.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、基板を処理液によって処理する装置であって、
処理部と、貯留部と、供給手段と、排出部と、検知手段
と、切替手段とを備えている。処理部では、基板に処理
液を接触させることによって、基板に処理を施す。貯留
部は、処理液を貯留する。供給手段は、貯留部から処理
部へと処理液を運ぶ。排出部は、処理部から排出される
処理液を流す。検知手段は、処理液の汚染度を検知す
る。切替手段は、検知手段によって検知された汚染度に
従って、処理部から排出される処理液を廃棄すること
と、処理部から排出される処理液を貯留部へと戻すこと
とを切り替える。
A substrate processing apparatus according to claim 1 is an apparatus for processing a substrate with a processing liquid,
A processing unit, a storage unit, a supply unit, a discharge unit, a detection unit, and a switching unit are provided. In the processing unit, the processing is performed on the substrate by bringing the processing liquid into contact with the substrate. The storage unit stores the processing liquid. The supply means carries the processing liquid from the storage unit to the processing unit. The discharge unit flows the processing liquid discharged from the processing unit. The detecting means detects the degree of contamination of the processing liquid. The switching unit switches between disposal of the processing liquid discharged from the processing unit and return of the processing liquid discharged from the processing unit to the storage unit according to the degree of contamination detected by the detection unit.

【0008】この基板処理装置では、処理部にある基板
に対して、貯留部から供給された処理液を接触させるこ
とで処理を行う。基板への接触によって基板を処理した
処理液は、処理によって汚染された状態で、排出部へと
流れる。この処理液は、切替手段によって、廃棄され
る、あるいは貯留部へと戻される。この切替手段の切り
替えは、検知手段によって検知された処理液の汚染度に
従って行われる。
In this substrate processing apparatus, processing is performed by bringing a processing liquid supplied from a storage section into contact with a substrate in a processing section. The processing liquid that has processed the substrate by contact with the substrate flows to the discharge unit while being contaminated by the processing. The processing liquid is discarded or returned to the storage unit by the switching unit. The switching of the switching unit is performed according to the degree of contamination of the processing liquid detected by the detecting unit.

【0009】ここでは、検知手段を設けて、処理液の汚
染度を監視している。そして、処理液の汚染度によっ
て、基板を処理した処理液を廃棄するか再度貯留部に戻
すかを判断している。このため、基板を処理するための
貯留部内の処理液の汚染度を精度よく所定の値に保つこ
とができる。また、汚染度の低い処理液を無駄に廃棄し
てしまうことが少なくなり、廃棄にかかるコストも小さ
くなる。
Here, a detecting means is provided to monitor the degree of contamination of the processing liquid. Then, it is determined whether to discard the processing liquid that has processed the substrate or return the processing liquid to the storage unit again based on the degree of contamination of the processing liquid. For this reason, the degree of contamination of the processing liquid in the storage unit for processing the substrate can be accurately maintained at a predetermined value. Further, wasteful disposal of the processing liquid having a low degree of contamination is reduced, and the cost for disposal is reduced.

【0010】請求項2に係る基板処理装置は、基板への
薬液処理機能及び薬液処理後に基板に付着した薬液を洗
浄する洗浄処理機能を有する装置であって、処理部と、
貯留部と、供給手段と、排出部と、検知手段と、切替手
段とを備えている。処理部は、薬液処理された基板を収
容して、基板に対してリンス液を接触させることで基板
から薬液を洗い流す。貯留部は、リンス液を貯留する。
供給手段は、貯留部から処理部へとリンス液を運ぶ。排
出部は、処理部から排出されるリンス液を流す。検知手
段は、処理部から排出されたリンス液の汚染度を検知す
る。切替手段は、検知手段によって検知された汚染度に
従って、処理部から排出されるリンス液を廃棄すること
と、処理部から排出されるリンス液を貯留部へと戻すこ
ととを切り替える。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a function of processing a chemical solution on a substrate and a cleaning processing function of cleaning a chemical solution adhered to the substrate after the processing of the chemical solution.
The storage device includes a storage unit, a supply unit, a discharge unit, a detection unit, and a switching unit. The processing unit accommodates the substrate that has been subjected to the chemical treatment, and rinses the chemical from the substrate by bringing the rinse liquid into contact with the substrate. The storage stores the rinse liquid.
The supply means carries the rinsing liquid from the storage section to the processing section. The discharge unit flows the rinse liquid discharged from the processing unit. The detecting means detects the degree of contamination of the rinsing liquid discharged from the processing section. The switching unit switches between rinsing the rinsing liquid discharged from the processing unit and returning the rinsing liquid discharged from the processing unit to the storage unit in accordance with the degree of contamination detected by the detection unit.

【0011】この基板処理装置では、薬液処理を終えた
基板に対して、処理部において、貯留部から供給された
リンス液を接触させることで薬液を洗い流す洗浄処理を
行う。基板への接触によって基板を洗浄したリンス液
は、洗浄によって薬液が混入して汚染された状態で、排
出部へと流れる。このリンス液は、切替手段によって、
廃棄される、あるいは貯留部へと戻される。この切替手
段の切り替えは、検知手段によって検知されたリンス液
の汚染度に従って行われる。
In this substrate processing apparatus, a cleaning process is performed on the substrate that has been subjected to the chemical liquid treatment, in the processing unit, by contacting the rinse liquid supplied from the storage unit to wash out the chemical liquid. The rinse liquid that has cleaned the substrate by contact with the substrate flows to the discharge section in a state in which the cleaning liquid is contaminated by mixing with a chemical liquid. This rinsing liquid is
Discarded or returned to storage. The switching of the switching unit is performed according to the degree of contamination of the rinsing liquid detected by the detecting unit.

【0012】ここでは、検知手段を設けて、処理部から
排出されたリンス液の汚染度を監視している。そして、
リンス液の汚染度によって、基板を洗浄したリンス液を
廃棄するか再度貯留部に戻すかを判断している。このた
め、基板を洗浄するための貯留部内のリンス液の汚染度
を精度よく所定の値に保つことができる。また、汚染度
の低いリンス液を無駄に廃棄してしまうことが少なくな
り、廃棄にかかるコストも小さくなる。
Here, a detecting means is provided to monitor the degree of contamination of the rinse liquid discharged from the processing section. And
Whether to discard the rinse solution after washing the substrate or to return the rinse solution to the storage unit is determined based on the degree of contamination of the rinse solution. Therefore, the degree of contamination of the rinsing liquid in the storage section for cleaning the substrate can be accurately maintained at a predetermined value. In addition, wasteful disposal of the low-contamination rinse liquid is reduced, and the cost for disposal is reduced.

【0013】請求項3に係る基板処理装置は、請求項2
に記載の装置において、検知手段はリンス液のpHを検
知するpH計である。基板を処理する薬液は、通常、酸
性あるいはアルカリ性である。したがって、処理部にお
いて基板に付着した薬液を洗浄した後のリンス液は、洗
浄前のリンス液に較べてpHが変化する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
The detecting means is a pH meter that detects the pH of the rinsing liquid. The chemical for treating the substrate is usually acidic or alkaline. Therefore, the pH of the rinsing liquid after cleaning the chemical liquid adhered to the substrate in the processing unit changes as compared with the rinsing liquid before cleaning.

【0014】ここでは、処理部から排出されたリンス液
のpHをpH計によって検知することで、処理部から排
出されたリンス液の汚染度を監視する。請求項4に係る
基板処理装置は、請求項2又は3に記載の装置におい
て、排出部は、排出管と、廃棄管と、戻り管とを有して
いる。排出管は、処理部から延びている。廃棄管は、基
板処理装置外の廃棄路につながっている。戻り管は、貯
留部につながっている。これらの排出管、廃棄管、及び
戻り管は、切替手段によって結ばれている。切替手段
は、排出管、廃棄管、及び戻り管を結ぶ切替バルブであ
って、排出管を流れるリンス液を廃棄管あるいは戻り管
に流す。
Here, the degree of contamination of the rinsing liquid discharged from the processing section is monitored by detecting the pH of the rinsing liquid discharged from the processing section with a pH meter. According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus of the second or third aspect, the discharge unit includes a discharge pipe, a waste pipe, and a return pipe. The discharge pipe extends from the processing section. The waste pipe is connected to a waste path outside the substrate processing apparatus. The return pipe is connected to the reservoir. These discharge pipe, waste pipe, and return pipe are connected by switching means. The switching means is a switching valve that connects the discharge pipe, the waste pipe, and the return pipe, and flows the rinse liquid flowing through the discharge pipe to the waste pipe or the return pipe.

【0015】ここでは、基板への接触によって基板を洗
浄したリンス液は、洗浄によって汚染された状態で、排
出部の排出管へと流れる。排出管を流れたリンス液は、
切替手段によって、廃棄管に流れて廃棄路に廃棄され
る、あるいは戻り管を通って貯留部へと戻される。請求
項5に係る基板処理装置は、請求項4に記載の装置にお
いて、検知手段は、排出部の廃棄管あるいは排出管を流
れるリンス液の汚染度を検知する。
Here, the rinsing liquid that has washed the substrate by contact with the substrate flows to the discharge pipe of the discharge section while being contaminated by the cleaning. The rinse liquid flowing through the discharge pipe
By the switching means, it flows to the waste pipe and is discarded in the waste path, or is returned to the storage part through the return pipe. According to a fifth aspect of the present invention, in the apparatus of the fourth aspect, the detecting means detects a degree of contamination of a waste pipe of the discharge section or a rinse liquid flowing through the discharge pipe.

【0016】もし、戻り管を流れるリンス液の汚染度を
検知することで処理部から排出されたリンス液の汚染度
を監視するとすると、汚染度の高いリンス液を戻り管で
検知してすぐに切替手段によって排出管から戻り管への
リンス液の流れを止めたとしても、このときに既に戻り
管の内部にある汚染度の高いリンス液は貯留部に流れ込
む。これにより、貯留部に貯留されているリンス液の汚
染度が高くなる恐れがある。特に、汚染の激しいリンス
液が戻り管に流れ込んでいると、貯留部のリンス液の汚
染度が一気に跳ね上がり、これを許容レベルまで希釈す
るためには大量の新しいリンス液が必要となる。
If the degree of contamination of the rinsing liquid discharged from the processing section is monitored by detecting the degree of contamination of the rinsing liquid flowing through the return pipe, the rinsing liquid with a high degree of contamination is detected immediately by the return pipe. Even if the flow of the rinsing liquid from the discharge pipe to the return pipe is stopped by the switching means, at this time, the highly-contaminated rinse liquid already inside the return pipe flows into the storage section. This may increase the degree of contamination of the rinsing liquid stored in the storage unit. In particular, when a highly-contaminated rinsing liquid flows into the return pipe, the degree of contamination of the rinsing liquid in the storage section jumps at a stretch, and a large amount of new rinsing liquid is required to dilute the rinsing liquid to an allowable level.

【0017】ここでは、排出部の廃棄管あるいは排出管
を流れるリンス液の汚染度を監視しているので、これら
の管内におけるリンス液の汚染度が低くなったときに切
替手段によって排出管と戻り管とを連通させればよい。
通常基板の洗浄が進むほど処理部から排出されるリンス
液の汚染度は低くなるので、排出管と戻り管とを連通さ
せたときには排出管を流れるリンス液の汚染度は検知し
たときよりも低くなっている。したがって、貯留部内の
リンス液の汚染度が許容値よりも高くなることが殆どな
くなる。
Here, since the contamination degree of the rinsing liquid flowing through the waste pipe or the discharge pipe of the discharge section is monitored, when the contamination degree of the rinsing liquid in these pipes becomes low, the return means returns to the discharge pipe by the switching means. What is necessary is just to let a pipe | tube communicate.
Normally, as the cleaning of the substrate proceeds, the degree of contamination of the rinsing liquid discharged from the processing unit becomes lower, so when the discharge pipe and the return pipe are connected, the degree of contamination of the rinsing liquid flowing through the discharge pipe is lower than when the detection is performed. Has become. Therefore, the degree of contamination of the rinsing liquid in the storage part rarely becomes higher than the allowable value.

【0018】請求項6に係る基板処理装置は、請求項2
から5のいずれかに記載の装置において、貯留部は、オ
ーバーフロー部を有する貯留槽である。このオーバーフ
ロー部に流れ出すリンス液は、基板処理装置外の廃棄路
に廃棄される。ここでは、例えば基板に付着した薬液の
量が少なく貯留槽に戻るリンス液が多くなった場合に
も、貯留槽にオーバーフロー部が設けられているため、
貯留槽からリンス液が溢れて装置周辺に漏れ出すことを
抑制できる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
In the apparatus according to any one of Items 1 to 5, the storage section is a storage tank having an overflow section. The rinsing liquid flowing into the overflow section is discarded in a waste path outside the substrate processing apparatus. Here, for example, even when the amount of the chemical liquid attached to the substrate is small and the rinsing liquid returning to the storage tank is increased, the overflow section is provided in the storage tank,
It is possible to prevent the rinsing liquid from overflowing from the storage tank and leaking out around the device.

【0019】なお、基板を洗浄して薬液が混入した状態
のリンス液が装置周辺に漏れ出すと、リンス液に混入し
ている薬液が直接装置に悪影響を与えたり、蒸発したあ
るいは霧状になった薬液が基板に悪影響を及ぼしたりす
る。したがって、リンス液を再利用する場合には、本発
明のように貯留槽からのリンス液の漏れ出しを防止する
ことが重要となる。
When the substrate is washed and the rinsing liquid mixed with the chemical leaks to the periphery of the apparatus, the chemical mixed in the rinsing liquid directly affects the apparatus, evaporates or becomes mist-like. The applied chemical liquid has an adverse effect on the substrate. Therefore, when the rinsing liquid is reused, it is important to prevent the rinsing liquid from leaking out of the storage tank as in the present invention.

【0020】請求項7に係る基板処理装置は、請求項6
に記載の装置において、新液補充手段をさらに備えてい
る。貯留槽は、区切り部材によって第1区画及び第2区
画に区切られており、第1区画と第2区画とを連通させ
る連通部を有している。オーバーフロー部は、第2区画
に設けられている。供給手段は、第1区画から処理部へ
とリンス液を供給する。排出部から貯留槽に戻るリンス
液は、貯留槽の第2区画へと戻される。新液補充手段
は、第1区画に新しいリンス液を補充する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the sixth aspect.
The apparatus according to the above item, further comprising a new liquid replenishing means. The storage tank is divided into a first section and a second section by a partition member, and has a communication portion for communicating the first section and the second section. The overflow section is provided in the second section. The supply unit supplies the rinsing liquid from the first section to the processing unit. The rinsing liquid returning from the discharge unit to the storage tank is returned to the second section of the storage tank. The new liquid replenishing means replenishes the first section with a new rinse liquid.

【0021】ここでは、貯留槽を2つに区画割りして、
第2区画内のリンス液に較べて第1区画内のリンス液の
汚染度が低くなるようにしている。すなわち、第1区画
には新液供給手段によって新しいリンス液を供給し、第
2区画には排出部から薬液を含有して汚染度が比較的高
くなったリンス液が戻される。ただし、連通部によって
第1及び第2区画は連通しているので、両区画の液面高
さは概ね等しく、時間が経てば両区画のリンス液の汚染
度は近づく。
Here, the storage tank is divided into two sections,
The degree of contamination of the rinsing liquid in the first section is lower than that of the rinsing liquid in the second section. That is, a new rinsing liquid is supplied to the first section by the new liquid supply means, and a rinsing liquid containing a chemical liquid and having a relatively high degree of contamination is returned from the discharge section to the second section. However, since the first and second sections communicate with each other through the communication portion, the liquid level heights of both sections are substantially equal, and the degree of contamination of the rinsing liquid in both sections becomes closer as time passes.

【0022】そして、オーバーフロー部を第2区画に設
けているため、第2区画にあるリンス液が優先的にオー
バーフロー部に流れ出す。このように第1区画内のリン
ス液に較べて汚染度が高い第2区画内のリンス液から先
にオーバーフローするため、貯留槽内のリンス液の汚染
度が低く保たれる。
Since the overflow section is provided in the second section, the rinsing liquid in the second section flows out to the overflow section preferentially. As described above, since the rinsing liquid in the second compartment, which has a higher degree of contamination than the rinsing liquid in the first compartment, overflows first, the degree of contamination of the rinsing liquid in the storage tank is kept low.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】図1に本発明の一実施形態である
基板処理装置1を示す。基板処理装置1は、液晶表示器
用のガラスの基板W上に形成された薄膜にエッチング処
理を施す装置であって、主として、一連のチャンバー
(導入チャンバー2、エッチングチャンバー3、水洗チ
ャンバー4,乾燥搬出チャンバー5)と、各チャンバー
を貫通する搬送ローラ6とから構成されている。
FIG. 1 shows a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs an etching process on a thin film formed on a glass substrate W for a liquid crystal display, and mainly includes a series of chambers (an introduction chamber 2, an etching chamber 3, a washing chamber 4, and a drying / unloading chamber). Chamber 5) and a transport roller 6 penetrating each chamber.

【0024】表面上に薄膜が形成された基板Wが基板処
理装置1に運ばれてくると、まず基板Wは導入チャンバ
ー2に搬入される。その後、基板Wは搬送ローラ6によ
ってエッチングチャンバー3に移動する。エッチングチ
ャンバー3では、エッチング用の薬液が基板Wに噴射さ
れ、基板表面上の薄膜が所定の厚さだけ食刻される。こ
のようにエッチングされた基板Wは、次に水洗チャンバ
ー4に送られて、基板Wに付着した薬液が洗い流され
る。そして、水洗処理を終えた基板Wは、乾燥搬出チャ
ンバー5で、エアー吹き付けによる乾燥処理が行われた
後に搬出される。
When a substrate W having a thin film formed on its surface is carried to the substrate processing apparatus 1, the substrate W is first carried into the introduction chamber 2. After that, the substrate W is moved to the etching chamber 3 by the transport roller 6. In the etching chamber 3, a chemical solution for etching is sprayed on the substrate W, and a thin film on the substrate surface is etched by a predetermined thickness. The substrate W thus etched is then sent to the rinsing chamber 4, where the chemical solution attached to the substrate W is washed away. Then, the substrate W that has been subjected to the water washing process is carried out after the drying process by air blowing is performed in the drying / unloading chamber 5.

【0025】エッチングチャンバー3には、基板Wに薬
液を噴射する上部スプレー31,下部スプレー32、基
板Wを搬送ローラ6によって前後に揺動させるときに使
用する位置センサー33,34、及びエッチングの終点
を検出する光学反射式のEPS(エンド・ポイント・セ
ンサー)35が配置されている。このエッチングチャン
バー3内では、EPS35によってエッチングの終了が
自動的に検出されるが、それまでの間、基板Wは両位置
センサー33,34の間を前後に繰り返し揺動しながら
両スプレー31,32から薬液の噴射を受ける。なお、
この両スプレー31,32から基板Wに噴射されるエッ
チング用の薬液は酸性である。
The etching chamber 3 has an upper spray 31 and a lower spray 32 for injecting a chemical solution onto the substrate W, position sensors 33 and 34 used when the substrate W is rocked back and forth by the transport roller 6, and an etching end point. An EPS (end point sensor) 35 of an optical reflection type for detecting the In the etching chamber 3, the end of the etching is automatically detected by the EPS 35. Until then, the substrate W is repeatedly swung back and forth between the position sensors 33 and 34 and the sprays 31 and 32 are repeated. Receives injection of chemicals from In addition,
The etching chemical sprayed onto the substrate W from the sprays 31 and 32 is acidic.

【0026】乾燥搬出チャンバー5には、基板Wにドラ
イエアーを噴射する上下エアーナイフ51,52と、ミ
スト防止カバー53とが設けられている。この乾燥搬出
チャンバー5内では、後述する水洗チャンバー4での水
洗処理において基板Wに付着した純水を両エアーナイフ
51,52から噴射されるドライエアーにより吹き飛ば
し、基板Wを乾燥させる。ミスト防止カバー53は、後
述するミスト防止カバー45と同様の部材であって、水
洗チャンバー4で発生した純水のミストが隣の乾燥搬出
チャンバー5に侵入することを防止する。
The drying / unloading chamber 5 is provided with upper and lower air knives 51 and 52 for injecting dry air onto the substrate W, and a mist prevention cover 53. In the drying / unloading chamber 5, pure water adhering to the substrate W is blown off by dry air jetted from the air knives 51 and 52 in the water washing process in the water washing chamber 4 described later, and the substrate W is dried. The mist prevention cover 53 is a member similar to a mist prevention cover 45 described later, and prevents mist of pure water generated in the washing chamber 4 from entering the adjacent drying / unloading chamber 5.

【0027】次に、水洗チャンバー(処理部)4及び水
洗チャンバー4における基板Wの水洗処理で使用するリ
ンス液である純水のフローについて詳述する。水洗チャ
ンバー4には、図1及び図2に示すように、上部洗浄ス
プレー41、下部洗浄スプレー42、位置センサー4
3,44、ミスト防止カバー45、入口液カーテン46
が配置されている。また、水洗チャンバー4と乾燥搬出
チャンバー5との間には仕切り壁49が設けられてお
り、水洗チャンバー4の天井壁にはダンパー47が設け
られている。ダンパー47は、水洗チャンバー4内の気
圧を調整する。
Next, the flow of the pure water which is a rinsing liquid used in the rinsing process of the substrate W in the rinsing chamber (processing section) 4 and the rinsing chamber 4 will be described in detail. As shown in FIGS. 1 and 2, an upper cleaning spray 41, a lower cleaning spray 42, and a position sensor 4 are provided in the washing chamber 4.
3, 44, mist prevention cover 45, inlet liquid curtain 46
Is arranged. A partition wall 49 is provided between the washing chamber 4 and the drying / unloading chamber 5, and a damper 47 is provided on a ceiling wall of the washing chamber 4. The damper 47 adjusts the pressure inside the washing chamber 4.

【0028】上部及び下部洗浄スプレー41,42は、
基板Wに向けられたスプレーノズル41a,42aを有
しており、基板Wに対して洗浄の処理液である純水(リ
ンス液)を噴射する。入口液カーテン46は、図2に示
すように両洗浄スプレー41,42よりも基板Wの搬送
方向(図1及び図2の左側から右側に向かう方向)上流
側に設けられており、水洗チャンバー4に搬送されてき
た基板Wに対してシャワー状に純水を噴霧して、基板W
を一様に濡らす。また、入口液カーテン46による純水
の噴霧位置は、位置センサー43よりも基板搬送方向の
上流側にある。
The upper and lower cleaning sprays 41, 42 are:
It has spray nozzles 41a and 42a directed to the substrate W, and injects pure water (rinse liquid) as a cleaning treatment liquid to the substrate W. The inlet liquid curtain 46 is provided upstream of the cleaning sprays 41 and 42 in the transport direction of the substrate W (a direction from the left side to the right side in FIGS. 1 and 2) as shown in FIG. Pure water is sprayed on the substrate W transferred to the
Wet evenly. Further, the spray position of the pure water by the inlet liquid curtain 46 is on the upstream side of the position sensor 43 in the substrate transport direction.

【0029】これらの両洗浄スプレー41,42と入口
液カーテン46とには、図2に示す貯留槽61から純水
が供給される。貯留槽61は、仕切り部材62によっ
て、第1区画61aと第2区画61bとに区切られてい
る(図2及び図3参照)。第1区画61aの上部には、
バルブ60aを開くことにより、純水供給元60から新
しい純水が流れ込む。また、第1区画61aの最下部か
らはポンプ(供給手段)71に向かって配管が延びてお
り、貯留槽61とポンプ71との間のバルブ72を開い
てポンプ71を駆動させれば、供給本管73から第1供
給支管74及び第2供給支管75を介して入口液カーテ
ン46及び両洗浄スプレー41,42に第1区画61a
内にある純水が供給される。
Pure water is supplied to both of the cleaning sprays 41 and 42 and the inlet liquid curtain 46 from a storage tank 61 shown in FIG. The storage tank 61 is divided into a first section 61a and a second section 61b by a partition member 62 (see FIGS. 2 and 3). In the upper part of the first section 61a,
By opening the valve 60a, new pure water flows from the pure water supply source 60. Further, a pipe extends from the lowermost part of the first section 61a toward the pump (supply means) 71. If the valve 71 between the storage tank 61 and the pump 71 is opened to drive the pump 71, the supply is started. From the main pipe 73 through the first supply branch pipe 74 and the second supply branch pipe 75 to the inlet liquid curtain 46 and both cleaning sprays 41 and 42, the first section 61a.
Pure water is supplied.

【0030】入口液カーテン46及び両洗浄スプレー4
1,42から噴霧あるいは噴射された純水は、基板Wの
表面に接触して基板Wに付着した薬液を洗い流し、その
後水洗チャンバー4の下部へと流れていく。そして、基
板Wから除去された薬液を含んだ純水は、水洗チャンバ
ー4の底部に接続されている排出管81に流れ込む。排
出管81の下流側端部には、電磁式の三方切替バルブ
(切替手段)91がある。この三方切替バルブ91に
は、排出管81の他、廃棄管82と、戻り管83とが接
続されている(図2参照)。廃棄管82は基板処理装置
1の外にある廃棄路99につながっており、戻り管83
は貯留槽61の第2区画61bにつながっている。これ
らの排出管81、廃棄管82、及び戻り管83(排出
部)は、切替手段によって結ばれている。三方切替バル
ブ91を切り替えることにより、排出管81と廃棄管8
2とが連通して排出管81と戻り管83とが連通してい
ない状態、あるいは排出管81と戻り管83とが連通し
て排出管81と廃棄管82とが連通していない状態とす
る。なお、この三方切替バルブ91は、図示しない制御
部からの信号によって切り替わる。
Inlet liquid curtain 46 and both cleaning sprays 4
The pure water sprayed or sprayed from 1, 42 contacts the surface of the substrate W to wash away the chemical solution attached to the substrate W, and then flows to the lower part of the washing chamber 4. Then, the pure water containing the chemical solution removed from the substrate W flows into the discharge pipe 81 connected to the bottom of the washing chamber 4. At the downstream end of the discharge pipe 81, there is an electromagnetic three-way switching valve (switching means) 91. In addition to the discharge pipe 81, a waste pipe 82 and a return pipe 83 are connected to the three-way switching valve 91 (see FIG. 2). The waste pipe 82 is connected to a waste path 99 outside the substrate processing apparatus 1, and a return pipe 83 is provided.
Is connected to the second section 61b of the storage tank 61. The discharge pipe 81, the waste pipe 82, and the return pipe 83 (discharge section) are connected by switching means. By switching the three-way switching valve 91, the discharge pipe 81 and the waste pipe 8 are switched.
2 and the discharge pipe 81 and the return pipe 83 are not in communication, or the discharge pipe 81 and the return pipe 83 are in communication and the discharge pipe 81 and the waste pipe 82 are not in communication. . The three-way switching valve 91 is switched by a signal from a control unit (not shown).

【0031】基板Wの洗浄処理の開始時においては、三
方切替バルブ91は排出管81と廃棄管82とが連通し
た状態となるように切り替えられており、排出管81か
ら廃棄管82へと洗浄処理後の純水(以下、排水とい
う。)が流れる。その後、廃棄管82から廃棄路99へ
と排水が廃棄される。この廃棄される排水は、廃棄管8
2を流れているときに、廃棄管82に設けられた測定孔
に装着されるpH計92によって、そのpHが測定され
る。このpH計92が測定したpHの値は、制御部で監
視される。そして、廃棄管82内の排水のpHが所定値
よりも大きく、薬液により酸性を帯びて汚染された排水
の汚染度が許容値よりも低いと判断されると、制御部か
ら三方切替バルブ91に信号が送られて、三方切替バル
ブ91は排出管81と戻り管83とが連通して排出管8
1と廃棄管82とが連通していない状態に切り替えられ
る。すなわち、基板Wの洗浄が進んで洗浄処理に使われ
た排水の薬液による汚染度が所定値よりも低くなると、
その排水(以下、低汚染排水という。また、この低汚染
排水よりも汚染度が高い排水を、以下、高汚染排水とい
う。)は、再度洗浄に使用することのできる純水として
戻り管83を通って貯留槽61に戻される。
At the start of the cleaning process of the substrate W, the three-way switching valve 91 is switched so that the discharge pipe 81 and the waste pipe 82 are in communication with each other, and the cleaning is performed from the discharge pipe 81 to the waste pipe 82. Pure water after treatment (hereinafter referred to as waste water) flows. Thereafter, the waste water is discarded from the waste pipe 82 to the waste path 99. The waste water to be discarded is supplied to a waste pipe 8
During the flow through 2, the pH is measured by a pH meter 92 attached to a measurement hole provided in the waste pipe 82. The pH value measured by the pH meter 92 is monitored by the control unit. When it is determined that the pH of the wastewater in the waste pipe 82 is higher than a predetermined value and the pollution degree of the wastewater which is acidic and contaminated by the chemical liquid is lower than an allowable value, the control unit sends the three-way switching valve 91 a signal. A signal is sent, and the three-way switching valve 91 is connected to the discharge pipe 81 and the return pipe 83 so that the discharge pipe 8
1 and the waste pipe 82 are switched to a state where they do not communicate with each other. In other words, when the cleaning of the substrate W progresses and the degree of contamination of the wastewater used for the cleaning treatment with the chemical solution becomes lower than a predetermined value,
The wastewater (hereinafter referred to as low-contamination wastewater. Further, wastewater having a higher degree of contamination than the low-contamination wastewater is referred to as high-contamination wastewater) is provided as return water 83 as pure water that can be used for washing again. Then, it is returned to the storage tank 61.

【0032】排出管81から戻り管83を通って貯留槽
61に戻される低汚染排水は、貯留槽61の第2区画6
1bに戻される。この第2区画61bは、仕切り部材6
2によって区切られた区画であり、後述するように下部
において第1区画61aと連通している(図2及び図3
参照)。仕切り部材62は、図3に示すように、五角形
の側部62a,62bと、垂直部62cと、傾斜部62
dとから成り、傾斜を持って隣接する垂直部62c及び
傾斜部62dの両端に垂直部62c及び傾斜部62dに
直交するように側部62a,62bが接合されている。
側部62a,62bの一辺は、貯留槽61の側板に固定
されている。そして、貯留槽61の側板と仕切り部材6
2とに囲まれた区画が第2区画61bである。なお、図
3に示すように、貯留槽61の側板と傾斜部62dとの
間には開口(連通部)62eが形成され、この開口62
eを通じて、第2区画61b内の純水と第1区画61a
内の純水とが行き来できる。
The low-contamination wastewater returned from the discharge pipe 81 to the storage tank 61 through the return pipe 83 is supplied to the second compartment 6 of the storage tank 61.
1b. The second section 61b includes the partition member 6
2, and communicates with the first section 61a at a lower portion as described later (see FIGS. 2 and 3).
reference). As shown in FIG. 3, the partition member 62 includes pentagonal side portions 62a and 62b, a vertical portion 62c, and an inclined portion 62.
The side portions 62a and 62b are joined to both ends of the vertical portion 62c and the inclined portion 62d which are adjacent to each other with an inclination so as to be orthogonal to the vertical portion 62c and the inclined portion 62d.
One side of the side portions 62a, 62b is fixed to a side plate of the storage tank 61. Then, the side plate of the storage tank 61 and the partition member 6
2 is a second section 61b. As shown in FIG. 3, an opening (communication portion) 62e is formed between the side plate of the storage tank 61 and the inclined portion 62d.
e, the pure water in the second section 61b and the first section 61a
The pure water inside can come and go.

【0033】また、第2区画61bの上部には、貯留槽
61の側板に設けられたオーバーフロー管(オーバーフ
ロー部)63がつながっている。貯留槽61の純水の液
面が上昇して、第2区画61bにおいて純水の液面がオ
ーバーフロー管63の高さ位置まで達すると、第2区画
61b内の純水がオーバーフロー管63に流れ込む。こ
のオーバーフロー管63は上述の廃棄管82につながっ
ており、オーバーフロー管63に流れ込んだ純水は廃棄
管82を通って廃棄路99に廃棄される。
An overflow pipe (overflow section) 63 provided on the side plate of the storage tank 61 is connected to the upper part of the second section 61b. When the liquid level of the pure water in the storage tank 61 rises and reaches the level of the overflow pipe 63 in the second section 61b, the pure water in the second section 61b flows into the overflow pipe 63. . The overflow pipe 63 is connected to the above-mentioned waste pipe 82, and the pure water flowing into the overflow pipe 63 passes through the waste pipe 82 and is discarded in the waste path 99.

【0034】なお、メンテナンス時等には、貯留槽61
の底部と廃棄管82とを結ぶ配管にある図2に示すバル
ブ64を開けば、貯留槽61内の純水を排出することが
できる。また、水位計65が貯留槽61の水位を監視し
ており、水位が下がると純水供給元60から新しい純水
が貯留槽61に供給される。図1、図2、図4、及び図
5に示すミスト防止カバー45は、水洗チャンバー4か
ら乾燥搬出チャンバー5にミストが侵入することを防ぐ
ために設けられているものであり、仕切り壁49に着脱
自在に固定されている。このミスト防止カバー45の構
成を、図4及び図5に示す。ミスト防止カバー45は、
細長い板金部材であって、固定部45aと、傾斜部45
bと、侵入防止部45cとから一体に構成されており、
互いに平行である固定部45aと侵入防止部45cとが
傾斜部45bにより連結されている。固定部45aには
複数の長孔45eが設けられており、長孔45eを貫通
するボルトによって固定部45aが仕切り壁49に固定
される。また、侵入防止部45cには、基板Wの基板搬
送方向に直交する断面よりも少し大きな開口45dが設
けられている。この開口45dの高さ寸法h2は、基板
Wの板厚よりは大きいが、本装置1で処理され得る最大
の基板が通過することのできるように設けられた仕切り
壁49の開口49aの高さ寸法h1よりも小さい(図4
参照)。このため、水洗チャンバー4からのミストが仕
切り壁49の開口49aを通過して乾燥搬出チャンバー
5内に侵入することを防止できるので、乾燥搬出チャン
バー5での乾燥を効率よく行うことができる。
At the time of maintenance or the like, the storage tank 61
The pure water in the storage tank 61 can be discharged by opening a valve 64 shown in FIG. Further, the water level gauge 65 monitors the water level of the storage tank 61, and when the water level falls, new pure water is supplied from the pure water supply source 60 to the storage tank 61. The mist prevention cover 45 shown in FIGS. 1, 2, 4, and 5 is provided to prevent mist from entering the drying / unloading chamber 5 from the washing chamber 4 and is attached to and detached from the partition wall 49. It is freely fixed. The configuration of the mist prevention cover 45 is shown in FIGS. The mist prevention cover 45 is
An elongated sheet metal member, comprising a fixed portion 45a, an inclined portion 45,
b and an intrusion prevention part 45c,
The fixed part 45a and the intrusion prevention part 45c, which are parallel to each other, are connected by an inclined part 45b. The fixing portion 45a is provided with a plurality of long holes 45e, and the fixing portion 45a is fixed to the partition wall 49 by bolts passing through the long holes 45e. The intrusion prevention portion 45c is provided with an opening 45d slightly larger than a cross section of the substrate W orthogonal to the substrate transport direction. The height h2 of the opening 45d is larger than the thickness of the substrate W, but the height of the opening 49a of the partition wall 49 provided so that the largest substrate that can be processed by the present apparatus 1 can pass through. Smaller than the dimension h1 (FIG. 4)
reference). Therefore, the mist from the washing chamber 4 can be prevented from passing through the opening 49a of the partition wall 49 and entering the drying / unloading chamber 5, so that drying in the drying / unloading chamber 5 can be performed efficiently.

【0035】また、ミスト防止カバー45は、搬送ロー
ラ6等の搬送機構が調整されて基板が搬送される高さ
(以下、基板搬送高さという。)が決定された後に取り
付けられる。このとき長孔45eは鉛直方向に長い孔で
あるので、ミスト防止カバー45を上下させて基板搬送
高さに開口45dを対応させて取り付けることができ
る。従って、搬送機構の調整の際、基板搬送高さは開口
49aが存在する範囲ならばどこにきても良いので搬送
機構の調整が容易である。
The mist prevention cover 45 is attached after the transport mechanism such as the transport roller 6 is adjusted to determine the height at which the substrate is transported (hereinafter referred to as the substrate transport height). At this time, since the long hole 45e is a vertically long hole, the mist prevention cover 45 can be moved up and down so that the opening 45d can be attached to correspond to the substrate transfer height. Therefore, when adjusting the transfer mechanism, the transfer mechanism can be easily adjusted because the substrate transfer height may be anywhere as long as the opening 49a exists.

【0036】仮にミスト防止カバー45を用いずにミス
トの侵入を防止しようとすると、開口49aを狭くしな
ければならない。しかし、開口49aを狭くすると基板
搬送高さが開口49aに収まる範囲内でしか搬送機構の
調整をすることができないので、調整が困難になってし
まう。図1及び図2に示す位置センサー43,44は、
水洗チャンバー4内における基板Wの基板搬送方向の位
置を検出する光ファイバーのセンサーである。
If the mist is to be prevented from entering without using the mist prevention cover 45, the opening 49a must be narrowed. However, if the opening 49a is narrowed, the transfer mechanism can be adjusted only within a range where the substrate transfer height can be accommodated in the opening 49a, so that the adjustment becomes difficult. The position sensors 43 and 44 shown in FIGS.
This is an optical fiber sensor that detects the position of the substrate W in the substrate transport direction in the washing chamber 4.

【0037】次に、水洗チャンバー4での基板Wの洗浄
について説明する。エッチングチャンバー3において薬
液によるエッチング処理が施され薬液が付着した状態の
基板Wが、搬送ローラ6によって水洗チャンバー4に送
られてくる。このときに、まず入口液カーテン46から
基板Wに純水が噴霧され、基板Wは一様に純水で濡らさ
れた状態で両位置センサー43,44間に運ばれる。こ
の後、基板Wは所定の時間だけ両位置センサー43,4
4の間を行ったり来たりの揺動を繰り返すが、このとき
に上部及び下部洗浄スプレー41,42から基板Wに対
して純水が噴射される。この純水が基板Wに接触衝突し
て、基板Wに付着している薬液を基板Wから洗い流す。
基板Wを洗浄し薬液と混じり合って汚染された純水(排
水)は、水洗チャンバー4の下部に流れていき、排出管
81に流れ込む。排出管81に流れ込んだ排水は、上述
のように、廃棄あるいは貯留槽61に戻されて再利用さ
れる。
Next, the cleaning of the substrate W in the washing chamber 4 will be described. The substrate W, which has been subjected to the etching treatment with the chemical solution in the etching chamber 3 and has the chemical solution attached thereto, is sent to the washing chamber 4 by the transport roller 6. At this time, pure water is first sprayed from the inlet liquid curtain 46 onto the substrate W, and the substrate W is carried between the position sensors 43 and 44 while being uniformly wet with the pure water. Thereafter, the substrate W is moved by the position sensors 43, 4 for a predetermined time.
The swinging back and forth between steps 4 is repeated. At this time, pure water is sprayed onto the substrate W from the upper and lower cleaning sprays 41 and 42. The pure water comes into contact with and collides with the substrate W, and the chemical solution attached to the substrate W is washed away from the substrate W.
Pure water (drainage) that has been washed and mixed with a chemical solution and contaminated flows into the lower portion of the washing chamber 4 and flows into the discharge pipe 81. The wastewater flowing into the discharge pipe 81 is discarded or returned to the storage tank 61 for reuse as described above.

【0038】本実施形態の基板処理装置1では、pH計
92を設けて、排水の汚染度を監視している。そして、
汚染度によって、基板Wを洗浄処理した排水を廃棄する
か再度貯留槽61に戻すかを判断している。このため、
貯留槽61内の純水の汚染度を所定の値以下に精度よく
保つことができる。また、低汚染排水を無駄に廃棄して
しまうことが少なくなり、廃棄にかかるコストも小さく
なる。
In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, a pH meter 92 is provided to monitor the degree of contamination of the waste water. And
Based on the degree of contamination, it is determined whether the waste water obtained by cleaning the substrate W is discarded or returned to the storage tank 61 again. For this reason,
The degree of contamination of the pure water in the storage tank 61 can be accurately maintained at a predetermined value or less. In addition, wasteful disposal of low-contamination wastewater is reduced, and the cost for disposal is reduced.

【0039】また、もしも戻り管83にpH計を設けた
とすると、高汚染排水を検知してすぐに排出管81から
戻り管83への流れを止めたとしても、このときに既に
戻り管83内にある高汚染排水は貯留槽61に流れ込
む。このような場合には、貯留槽61の純水の汚染度が
跳ね上がり、これを許容レベルまで希釈するためには大
量の新しい純水を純水供給元60から供給しなければな
らない。また、貯留槽61の純水の汚染度が低下するま
での間は、十分な洗浄能力を有しない純水で基板Wの洗
浄を行うことになる。
If a pH meter is provided in the return pipe 83, even if the flow from the discharge pipe 81 to the return pipe 83 is stopped immediately after the detection of highly contaminated wastewater, the return pipe 83 Is discharged into the storage tank 61. In such a case, the degree of contamination of the pure water in the storage tank 61 jumps up, and a large amount of new pure water must be supplied from the pure water supply source 60 in order to dilute this to an allowable level. Until the degree of contamination of the pure water in the storage tank 61 decreases, the substrate W is cleaned with pure water having no sufficient cleaning ability.

【0040】しかし、ここでは廃棄管82にpH計を設
けているので、廃棄管82内における排水の汚染度が低
くなった後に排出管81からの流れが廃棄管82から戻
り管83に切り替わる。通常基板Wの洗浄が進むほど水
洗チャンバー4から排出される排水の汚染度は低くなる
ので、排出管81からの流れが廃棄管82から戻り管8
3に切り替わった後は、排水の汚染度は低くなってい
く。したがって、貯留槽61内の純水の汚染度が許容値
よりも高くなることは殆ど生じない。また、ここでは廃
棄管82にpH計を設けたが、排出管81にpH計を設
けても、同様に貯留槽61内の純水の汚染度が許容値よ
りも高くなることは殆ど生じない。また、さらに水洗チ
ャンバー4内にpH計を設けて基板Wを洗浄して薬液と
混ざり合った純水の汚染度を検出しても良い。なお、一
枚の基板Wの洗浄が終わって両洗浄スプレーからの基板
Wへの純水の噴射が停止した段階で、三方切替バルブ9
1が切り替えられ、排出管81と廃棄管82とが連通し
て排出管81と戻り管83とが連通していない状態に戻
されて次の基板Wの処理に備える。
However, since the pH meter is provided in the waste pipe 82 here, the flow from the discharge pipe 81 is switched from the waste pipe 82 to the return pipe 83 after the degree of contamination of the waste water in the waste pipe 82 becomes low. Normally, as the cleaning of the substrate W proceeds, the degree of contamination of the wastewater discharged from the washing chamber 4 decreases, so that the flow from the discharge pipe 81 is returned from the waste pipe 82 to the return pipe 8.
After the switch to 3, the pollution degree of the wastewater will decrease. Therefore, the degree of contamination of the pure water in the storage tank 61 hardly becomes higher than the allowable value. Although a pH meter is provided in the waste pipe 82 here, even if a pH meter is provided in the discharge pipe 81, the degree of contamination of pure water in the storage tank 61 hardly becomes higher than the allowable value. . Further, a pH meter may be provided in the washing chamber 4 to wash the substrate W and detect the contamination degree of pure water mixed with the chemical solution. At the stage where the cleaning of one substrate W is completed and the injection of pure water from both cleaning sprays to the substrate W is stopped, the three-way switching valve 9
1 is switched, the discharge pipe 81 and the waste pipe 82 communicate with each other, and the discharge pipe 81 and the return pipe 83 do not communicate with each other to prepare for the next processing of the substrate W.

【0041】また、ここではオーバーフロー管63を設
けているため、例えば基板Wに付着した薬液の量が少な
く貯留槽61に戻る低汚染排水が多くなった場合にも、
貯留槽61から純水が溢れて周辺に漏れ出すことが防止
されている。また、ここでは貯留槽61を2つに区画割
りして、第2区画61b内の純水に較べて第1区画61
a内の純水の汚染度が低くなるようにしている。すなわ
ち、第1区画61aには新しい純水が供給され、第2区
画61bには貯留槽61内の純水よりも汚染度の高い低
汚染排水が戻される。(ただし、開口62eによって第
1及び第2区画61a,61bは連通しているので、両
区画61a,61bの液面高さは概ね等しく、時間が経
てば両区画61a,61bの純水の汚染度は近づく。)
そして、オーバーフロー管63が第2区画61bに設け
られているため、第2区画61bにある純水が優先的に
オーバーフローされる。このように第1区画61a内の
純水に較べて汚染度が高い第2区画61b内の純水から
先にオーバーフローするため、貯留槽61内の純水の汚
染度が低く保たれる。
Further, since the overflow pipe 63 is provided here, even when the amount of the chemical liquid attached to the substrate W is small and the low-contamination drainage returning to the storage tank 61 increases, for example,
Pure water is prevented from overflowing from the storage tank 61 and leaking to the surroundings. Here, the storage tank 61 is divided into two sections, and the first section 61 is compared with the pure water in the second section 61b.
The degree of contamination of the pure water in a is reduced. That is, new pure water is supplied to the first section 61a, and low-contamination wastewater having a higher degree of contamination than the pure water in the storage tank 61 is returned to the second section 61b. (However, since the first and second sections 61a and 61b communicate with each other through the opening 62e, the liquid level heights of the two sections 61a and 61b are substantially equal, and if time passes, the contamination of pure water in both sections 61a and 61b will occur. The degree approaches.)
Then, since the overflow pipe 63 is provided in the second section 61b, the pure water in the second section 61b overflows preferentially. As described above, since the pure water in the second section 61b, which has a higher degree of contamination than the pure water in the first section 61a, overflows first, the degree of contamination of the pure water in the storage tank 61 is kept low.

【0042】なお、ここでは洗浄処理後の純水に酸性の
エッチング用薬液が混入することを利用して、排水のp
Hを監視して三方切替バルブ91を切り替えている。こ
の排水のpHを監視する方法は、上記のようなエッチン
グ処理と水洗処理の組み合わせに限らず、アルカリ性の
薬液を使用する現像処理や剥離処理と水洗処理との組み
合わせにおいても採用することができる。
Here, by utilizing the fact that the acidic etching chemical is mixed into the pure water after the cleaning treatment, the drainage water is removed.
By monitoring H, the three-way switching valve 91 is switched. The method of monitoring the pH of the wastewater is not limited to the above-described combination of the etching process and the washing process, but may be employed in a combination of a developing process using an alkaline chemical solution or a combination of a stripping process and a washing process.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の基板処理装置では、検知手段を
設けて処理液の汚染度を監視し、処理液の汚染度によっ
て基板を処理した処理液を廃棄するか再度貯留槽に戻す
かを判断しているため、基板を処理するための貯留部内
の処理液の汚染度がより適正に保持される。
According to the substrate processing apparatus of the present invention, a detecting means is provided to monitor the degree of contamination of the processing liquid, and whether the processing liquid obtained by processing the substrate is discarded or returned to the storage tank according to the degree of contamination of the processing liquid. Since the determination is made, the degree of contamination of the processing liquid in the storage unit for processing the substrate is more appropriately maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態である基板処理装置の概略
図。
FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】水洗チャンバーで使用する純水のフロー図。FIG. 2 is a flow diagram of pure water used in a washing chamber.

【図3】仕切り部材の斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a partition member.

【図4】ミスト防止カバー付近の拡大断面図。FIG. 4 is an enlarged sectional view near a mist prevention cover.

【図5】ミスト防止カバーの正面図。FIG. 5 is a front view of a mist prevention cover.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 3 エッチングチャンバー 4 水洗チャンバー(処理部) 60 純水供給元 61 貯留槽 61a 第1区画 61b 第2区画 62 仕切り部材 62e 開口(連通部) 71 ポンプ(供給手段) 81 排出管 82 廃棄管 83 戻し管 91 三方切替バルブ(切替手段) 92 pH計(検知手段) 99 廃棄路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Etching chamber 4 Rinse chamber (processing part) 60 Pure water supply source 61 Storage tank 61a 1st section 61b 2nd section 62 Partition member 62e Opening (communication part) 71 Pump (supply means) 81 Discharge pipe 82 Disposal Pipe 83 Return pipe 91 Three-way switching valve (switching means) 92 pH meter (detection means) 99 Waste path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // C02F 1/00 C02F 1/00 V ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI // C02F 1/00 C02F 1/00 V

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板を処理液によって処理する基板処理装
置であって、 基板に処理液を接触させて基板に処理を施す処理部と、 処理液を貯留する貯留部と、 前記貯留部から前記処理部へと処理液を運ぶ供給手段
と、 前記処理部から排出される処理液を流す排出部と、 前記処理液の汚染度を検知する検知手段と、 前記検知手段によって検知された汚染度に従って、前記
処理部から排出される処理液を廃棄することと、前記処
理部から排出される処理液を前記貯留部へと戻すことと
を切り替える切替手段と、を備えた基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid, comprising: a processing unit for performing processing on the substrate by bringing the processing liquid into contact with the substrate; a storage unit for storing the processing liquid; A supply unit that carries the processing liquid to the processing unit; a discharge unit that flows the processing liquid discharged from the processing unit; a detection unit that detects the degree of contamination of the processing liquid; and a contamination unit that is detected by the detection unit. A substrate processing apparatus comprising: switching means for switching between discarding the processing liquid discharged from the processing unit and returning the processing liquid discharged from the processing unit to the storage unit.
【請求項2】基板への薬液処理機能及び薬液処理後に基
板に付着した薬液を洗浄する洗浄処理機能を有する基板
処理装置であって、 薬液処理された基板を収容し、基板にリンス液を接触さ
せて基板から薬液を洗い流す処理部と、 リンス液を貯留する貯留部と、 前記貯留部から前記処理部へとリンス液を運ぶ供給手段
と、 前記処理部から排出されるリンス液を流す排出部と、 前記処理部から排出されたリンス液の汚染度を検知する
検知手段と、 前記検知手段によって検知された汚染度に従って、前記
処理部から排出されるリンス液を廃棄することと、前記
処理部から排出されるリンス液を前記貯留部へと戻すこ
ととを切り替える切替手段と、を備えた基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus having a function of processing a chemical solution on a substrate and a cleaning function of cleaning a chemical solution adhered to the substrate after the processing of the chemical solution, wherein the substrate that has been processed by the chemical solution is accommodated, and a rinsing liquid is brought into contact with the substrate A processing unit for flushing a chemical solution from the substrate, a storage unit for storing a rinse liquid, a supply unit for conveying a rinse liquid from the storage unit to the processing unit, and a discharge unit for flowing a rinse liquid discharged from the processing unit. Detecting means for detecting the degree of contamination of the rinsing liquid discharged from the processing unit; disposing of the rinsing liquid discharged from the processing unit in accordance with the degree of contamination detected by the detecting means; A switching means for switching between returning the rinse liquid discharged from the storage section to the storage section.
【請求項3】前記検知手段はリンス液のpHを検知する
pH計である、請求項2に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said detecting means is a pH meter for detecting a pH of the rinsing liquid.
【請求項4】前記排出部は、前記処理部から延びる排出
管と、基板処理装置外の廃棄路につながる廃棄管と、前
記貯留部につながる戻り管とを有しており、 前記切替手段は、前記排出管、前記廃棄管、及び前記戻
り管を結ぶ切替バルブであって、前記排出管を流れるリ
ンス液を前記廃棄管あるいは前記戻り管に流す、請求項
2又は3に記載の基板処理装置。
4. The discharge section has a discharge pipe extending from the processing section, a waste pipe connected to a waste path outside the substrate processing apparatus, and a return pipe connected to the storage section. 4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the switching valve connects the discharge pipe, the waste pipe, and the return pipe, and the rinse liquid flowing through the discharge pipe flows through the waste pipe or the return pipe. 5. .
【請求項5】前記検知手段は、前記排出部の廃棄管ある
いは排出管を流れるリンス液の汚染度を検知する、請求
項4に記載の基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein said detecting means detects a degree of contamination of a rinsing liquid flowing through a waste pipe or a discharge pipe of said discharge section.
【請求項6】前記貯留部は、オーバーフロー部を有する
貯留槽であり、 前記オーバーフロー部に流れ出すリンス液は基板処理装
置外の廃棄路に廃棄される、請求項2から5のいずれか
に記載の基板処理装置。
6. The storage device according to claim 2, wherein the storage portion is a storage tank having an overflow portion, and the rinsing liquid flowing out of the overflow portion is disposed in a waste path outside the substrate processing apparatus. Substrate processing equipment.
【請求項7】前記貯留槽は、区切り部材によって第1区
画及び第2区画に区切られ、前記第1区画と前記第2区
画とを連通させる連通部を有しており、 前記オーバーフロー部は、前記第2区画に設けられてお
り、 前記供給手段は、前記第1区画から前記処理部へとリン
ス液を供給し、 前記排出部から戻るリンス液は、前記貯留槽の第2区画
へと戻される、 前記第1区画に新しいリンス液を補充する新液補充手段
をさらに備えた請求項6に記載の基板処理装置。
7. The storage tank is divided into a first section and a second section by a partition member, and has a communication portion that communicates the first section and the second section. The supply means is provided in the second section, and the supply means supplies a rinsing liquid from the first section to the processing section, and a rinsing liquid returned from the discharge section is returned to the second section of the storage tank. 7. The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising a new liquid replenishing unit that replenishes the first section with a new rinse liquid.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012250218A (en) * 2011-06-07 2012-12-20 Fuji Electric Co Ltd Drainage treatment apparatus
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