JPH11239009A - 非可逆回路素子の広帯域化構造 - Google Patents
非可逆回路素子の広帯域化構造Info
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- JPH11239009A JPH11239009A JP10039882A JP3988298A JPH11239009A JP H11239009 A JPH11239009 A JP H11239009A JP 10039882 A JP10039882 A JP 10039882A JP 3988298 A JP3988298 A JP 3988298A JP H11239009 A JPH11239009 A JP H11239009A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子の大型化を招くこと無く、広帯域化を達
成する。 【解決手段】 非可逆回路素子及びその他の回路素子が
実装される回路基板に共振回路が形成されており、前記
非可逆回路素子のアース端子は、前記共振回路を経由し
てアースに接続される構造とする。
成する。 【解決手段】 非可逆回路素子及びその他の回路素子が
実装される回路基板に共振回路が形成されており、前記
非可逆回路素子のアース端子は、前記共振回路を経由し
てアースに接続される構造とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、VHF、UHF、
SHF帯等で使用される集中定数型サーキュレータ、ア
イソレータ等の非可逆回路素子に関し、その非可逆回路
素子の広帯域化を図った構造に関するものである。
SHF帯等で使用される集中定数型サーキュレータ、ア
イソレータ等の非可逆回路素子に関し、その非可逆回路
素子の広帯域化を図った構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、集中定数型アイソレータ、サー
キュレータ等の非可逆回路素子は、信号の伝送方向には
ほとんど減衰がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなる
ような機能を有しており、例えば携帯電話、自動車電話
等の移動体通信機器の送受信回路部に用いられている。
キュレータ等の非可逆回路素子は、信号の伝送方向には
ほとんど減衰がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなる
ような機能を有しており、例えば携帯電話、自動車電話
等の移動体通信機器の送受信回路部に用いられている。
【0003】図8に、従来例の集中定数型アイソレータ
の分解斜視図を示す。この従来例は、最下部に樹脂ケー
ス1がある。この樹脂ケース1は、3つの導電体板が樹
脂部分と一体に形成されている。この1つの導電体板
は、アース電極板2であり、樹脂ケース1の底部に広く
配置され、それと繋がるアース端子3が樹脂ケース1の
装着面となる裏面に導出されている。また、他の2つの
導電体板は、入出力端子用であり、内側の回路接続端子
4と外側の入出力端子5とが繋がったコ字状の導電体板
である。この内側回路接続端子4は、アース板電極2の
配置されている面に突起部6が形成され、その突起部6
の上に配置されている。このアース端子3、入出力端子
5は、それぞれ2個対向して形成されている。
の分解斜視図を示す。この従来例は、最下部に樹脂ケー
ス1がある。この樹脂ケース1は、3つの導電体板が樹
脂部分と一体に形成されている。この1つの導電体板
は、アース電極板2であり、樹脂ケース1の底部に広く
配置され、それと繋がるアース端子3が樹脂ケース1の
装着面となる裏面に導出されている。また、他の2つの
導電体板は、入出力端子用であり、内側の回路接続端子
4と外側の入出力端子5とが繋がったコ字状の導電体板
である。この内側回路接続端子4は、アース板電極2の
配置されている面に突起部6が形成され、その突起部6
の上に配置されている。このアース端子3、入出力端子
5は、それぞれ2個対向して形成されている。
【0004】この樹脂ケース1の上に、金属ケース下7
が載せられる。この金属ケース下7は、樹脂ケース1の
突起部6に対応する切り欠き部8を有し、この樹脂ケー
ス1のアース電極板2と半田付けされる。
が載せられる。この金属ケース下7は、樹脂ケース1の
突起部6に対応する切り欠き部8を有し、この樹脂ケー
ス1のアース電極板2と半田付けされる。
【0005】この金属ケース下7の上に、誘電体板の上
下面に電極が形成された板状コンデンサ9とチップ抵抗
10と、フェライトコア11上に中心導体12を互いに
絶縁状態で、120度の間隔で回転対称に配置された中
心導体部とを配置する。この3つの中心導体12のう
ち、2つの中心導体12の先端部13a、13bは、そ
れぞれ板状コンデンサ9と樹脂ケース1上の内側回路接
続端子4に接続され、他の一つの中心導体の先端部13
cは、板状コンデンサ9とチップ抵抗10に接続され
る。この中心導体部のフェライトコア11の下部は、3
つの中心導体の共通部であり、この共通部は金属ケース
下7に接続され、アース接続される。又、板状コンデン
サ9も中心導体の先端部が接続される面の対向面側で金
属ケース下7に接続され、アース接続される。そして、
そのチップ抵抗10の端子電極が金属ケース下7と接続
され、アース接続される。
下面に電極が形成された板状コンデンサ9とチップ抵抗
10と、フェライトコア11上に中心導体12を互いに
絶縁状態で、120度の間隔で回転対称に配置された中
心導体部とを配置する。この3つの中心導体12のう
ち、2つの中心導体12の先端部13a、13bは、そ
れぞれ板状コンデンサ9と樹脂ケース1上の内側回路接
続端子4に接続され、他の一つの中心導体の先端部13
cは、板状コンデンサ9とチップ抵抗10に接続され
る。この中心導体部のフェライトコア11の下部は、3
つの中心導体の共通部であり、この共通部は金属ケース
下7に接続され、アース接続される。又、板状コンデン
サ9も中心導体の先端部が接続される面の対向面側で金
属ケース下7に接続され、アース接続される。そして、
そのチップ抵抗10の端子電極が金属ケース下7と接続
され、アース接続される。
【0006】次に、この中心導体部に樹脂モールド20
を被せる。この樹脂モールド20は、中央にフェライト
コア11の外径とほぼ同じ大きさの貫通孔21を有し、
下部にフェライトコア11の外周部に当接するような爪
部22が3ヶ所形成されている。この爪部22は、フェ
ライトコアの側面の中心導体の部分に位置し、フェライ
トコアの位置決めを行っている。この樹脂モールド20
は、外形が樹脂ケース1及び金属ケース下7の内側に収
納される大きさであり、上面に磁石24を位置決めする
突出部23が形成されている。そして、この突出部23
で位置決めされる位置に磁石24が配置される。そし
て、金属ケース上25を被せ、金属ケース上25と金属
ケース下7とを半田付けして集中定数型アイソレータを
構成している。
を被せる。この樹脂モールド20は、中央にフェライト
コア11の外径とほぼ同じ大きさの貫通孔21を有し、
下部にフェライトコア11の外周部に当接するような爪
部22が3ヶ所形成されている。この爪部22は、フェ
ライトコアの側面の中心導体の部分に位置し、フェライ
トコアの位置決めを行っている。この樹脂モールド20
は、外形が樹脂ケース1及び金属ケース下7の内側に収
納される大きさであり、上面に磁石24を位置決めする
突出部23が形成されている。そして、この突出部23
で位置決めされる位置に磁石24が配置される。そし
て、金属ケース上25を被せ、金属ケース上25と金属
ケース下7とを半田付けして集中定数型アイソレータを
構成している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の非可逆回路素子
が使用されている用途の一つに携帯電話がある。この携
帯電話の小型化はめざましく、それに使用される非可逆
回路素子も小型化が進んでいる。最近では、7mm角の
大きさの非可逆回路素子が使用されている。一方で、携
帯電話の使用周波数範囲が広帯域化する傾向に有る。
が使用されている用途の一つに携帯電話がある。この携
帯電話の小型化はめざましく、それに使用される非可逆
回路素子も小型化が進んでいる。最近では、7mm角の
大きさの非可逆回路素子が使用されている。一方で、携
帯電話の使用周波数範囲が広帯域化する傾向に有る。
【0008】従来の集中定数型非可逆回路素子の等価回
路を図5に示す。中心導体で構成されるL1、L2、L
3と板状コンデンサによるC1、C2、C3を有し、そ
れぞれの一端を接地し、他端を入出力端としている。こ
の例では、アイソレータを示しているので一つの入出力
端はチップ抵抗によるダミー抵抗Rに接続され、接地さ
れている。この従来の集中定数型非可逆回路素子は、単
峰特性であり、広帯域化するためには回路の変更が必要
であった。
路を図5に示す。中心導体で構成されるL1、L2、L
3と板状コンデンサによるC1、C2、C3を有し、そ
れぞれの一端を接地し、他端を入出力端としている。こ
の例では、アイソレータを示しているので一つの入出力
端はチップ抵抗によるダミー抵抗Rに接続され、接地さ
れている。この従来の集中定数型非可逆回路素子は、単
峰特性であり、広帯域化するためには回路の変更が必要
であった。
【0009】従来の非可逆回路素子を広帯域化するため
の回路構成として、図6に示す等価回路が知られてい
る。この例では、各入出力端に直列共振回路51、5
2、53を接続している。これにより、双峰特性が得ら
れ、広帯域化することができる。さらに、図6の例で
は、各入出力端に直列共振回路が必要な構造であるのに
対し、図7に示す等価回路も知られている。この図7に
示すものは、従来接地していた各アース接続端とアース
との間に直列共振回路54を接続するものであり、直列
共振回路が一つで済むという利点がある。この従来例と
して、特開平9−270607号公報の図10、11に
記載されているものがある。この従来例は、共振回路を
3つの基板を積層した積層基板により構成し、磁性ヨー
クの下面に配置した構造である。これによれば、部品の
高さが大きくなる分だけ大型化、重量の増大化は避けら
れず、小型化、軽量化に対応出来ないという問題点が指
摘されている。
の回路構成として、図6に示す等価回路が知られてい
る。この例では、各入出力端に直列共振回路51、5
2、53を接続している。これにより、双峰特性が得ら
れ、広帯域化することができる。さらに、図6の例で
は、各入出力端に直列共振回路が必要な構造であるのに
対し、図7に示す等価回路も知られている。この図7に
示すものは、従来接地していた各アース接続端とアース
との間に直列共振回路54を接続するものであり、直列
共振回路が一つで済むという利点がある。この従来例と
して、特開平9−270607号公報の図10、11に
記載されているものがある。この従来例は、共振回路を
3つの基板を積層した積層基板により構成し、磁性ヨー
クの下面に配置した構造である。これによれば、部品の
高さが大きくなる分だけ大型化、重量の増大化は避けら
れず、小型化、軽量化に対応出来ないという問題点が指
摘されている。
【0010】従来では、これらの構造を利用し、集中定
数型非可逆回路素子の広帯域化が図られているが、いず
れも非可逆回路素子として直列共振回路を付加するもの
であり、素子の小型化を阻害する要因となっていた。
数型非可逆回路素子の広帯域化が図られているが、いず
れも非可逆回路素子として直列共振回路を付加するもの
であり、素子の小型化を阻害する要因となっていた。
【0011】本発明は、上記のことを鑑みて、素子の大
型化を招くこと無く、広帯域化を達成することができる
非可逆回路素子の広帯域化構造を提供するものである。
型化を招くこと無く、広帯域化を達成することができる
非可逆回路素子の広帯域化構造を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明は、
非可逆回路素子及びその他の回路素子が実装される回路
基板に共振回路が形成されており、前記非可逆回路素子
のアース端子は、前記共振回路を経由してアースに接続
される構造とすることにより、非可逆回路素子の広帯域
化を達成するものである。
非可逆回路素子及びその他の回路素子が実装される回路
基板に共振回路が形成されており、前記非可逆回路素子
のアース端子は、前記共振回路を経由してアースに接続
される構造とすることにより、非可逆回路素子の広帯域
化を達成するものである。
【0013】本発明の第2の発明は、前記非可逆回路素
子が単峰特性の集中定数型非可逆回路素子であることを
特徴とするものである。
子が単峰特性の集中定数型非可逆回路素子であることを
特徴とするものである。
【0014】本発明の第3の発明は、前記共振回路が、
ストリップラインインダクタと積層チップコンデンサか
ら構成されている直列共振回路であることを特徴とする
ものである。
ストリップラインインダクタと積層チップコンデンサか
ら構成されている直列共振回路であることを特徴とする
ものである。
【0015】本発明の第4の発明は、前記回路基板が多
層配線基板であり、前記共振回路が前記多層配線基板の
多層構造により形成されたLC共振回路であることを特
徴とするものである。
層配線基板であり、前記共振回路が前記多層配線基板の
多層構造により形成されたLC共振回路であることを特
徴とするものである。
【0016】本発明の第5の発明は、前記非可逆回路素
子が7mm角以下の小型集中定数型非可逆回路素子であ
ることを特徴とするものである。
子が7mm角以下の小型集中定数型非可逆回路素子であ
ることを特徴とするものである。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明は、非可逆回路素子の広帯
域化を図るものであり、またその広帯域化のために、単
峰特性の非可逆回路素子を双峰特性にするものである。
その広帯域化を図るために、非可逆回路素子のアース端
子に、共振回路を接続してアース接続するものであり、
その共振回路を、非可逆回路素子及びその他の回路素子
が実装される回路基板に形成したものである。つまり、
非可逆回路素子としては、従来のものを特別に改良する
必要はなく、実装基板側で対応するものである。
域化を図るものであり、またその広帯域化のために、単
峰特性の非可逆回路素子を双峰特性にするものである。
その広帯域化を図るために、非可逆回路素子のアース端
子に、共振回路を接続してアース接続するものであり、
その共振回路を、非可逆回路素子及びその他の回路素子
が実装される回路基板に形成したものである。つまり、
非可逆回路素子としては、従来のものを特別に改良する
必要はなく、実装基板側で対応するものである。
【0018】本発明によれば、非可逆回路素子として、
特別な設計変更を必要としなく、広帯域用と狭帯域(通
常の帯域)用とを同一の非可逆回路素子を用いることが
出来、設計、製造メリットは多大なものがある。一方、
回路基板としては、各回路素子を実装し、配線するもの
であり、共振回路を付加することは、さほど大きな負荷
とはならない。よって、本発明によれば、非常に簡便な
構造により、非可逆回路素子の広帯域化を達成出来る。
特別な設計変更を必要としなく、広帯域用と狭帯域(通
常の帯域)用とを同一の非可逆回路素子を用いることが
出来、設計、製造メリットは多大なものがある。一方、
回路基板としては、各回路素子を実装し、配線するもの
であり、共振回路を付加することは、さほど大きな負荷
とはならない。よって、本発明によれば、非常に簡便な
構造により、非可逆回路素子の広帯域化を達成出来る。
【0019】本発明に係る一実施例の分解斜視図を図1
に示す。この実施例は、従来の技術で説明した非可逆回
路素子40を用い、その側面から底面かけて、2つの入
出力端子5と2つのアース端子3を有している。そし
て、その非可逆回路素子40が実装される回路基板31
には、その入出力端子5が接続されるパターン電極32
と、アース端子3が接続されるパターン電極33が形成
されている。そして、アース端子3が接続されるパター
ン電極33は、ストリップラインインダクタ34が接続
されている。このストリップラインインダクタ34とア
ース電極35との間に積層チップインダクタ36が接続
されている。これにより、図7に示す等価回路と同等の
非可逆回路を得ることが出来、非可逆回路素子の広帯域
化を達成出来る。この実施例と従来例との挿入損失特性
を図2に示す。明らかに本発明のものは広帯域化されて
いることがわかる。
に示す。この実施例は、従来の技術で説明した非可逆回
路素子40を用い、その側面から底面かけて、2つの入
出力端子5と2つのアース端子3を有している。そし
て、その非可逆回路素子40が実装される回路基板31
には、その入出力端子5が接続されるパターン電極32
と、アース端子3が接続されるパターン電極33が形成
されている。そして、アース端子3が接続されるパター
ン電極33は、ストリップラインインダクタ34が接続
されている。このストリップラインインダクタ34とア
ース電極35との間に積層チップインダクタ36が接続
されている。これにより、図7に示す等価回路と同等の
非可逆回路を得ることが出来、非可逆回路素子の広帯域
化を達成出来る。この実施例と従来例との挿入損失特性
を図2に示す。明らかに本発明のものは広帯域化されて
いることがわかる。
【0020】本発明に係る別の実施例の分解斜視図を図
3に示す。この実施例も、従来の技術で説明した非可逆
回路素子40を用いた。そして、その非可逆回路素子4
0が実装される回路基板31には、その入出力端子5が
接続されるパターン電極32と、アース端子3が接続さ
れるパターン電極37が形成されている。この回路基板
は、多層配線基板であり、その内部の構造を示す斜視図
を図4に示す。この内部は、まずパターン電極37と対
向しコンデンサを構成するパターン電極38が所定間隔
を開けて構成されている。そのパターン電極38にはス
ルーホール39が形成されており、さらに下側に構成さ
れているインダクタライン42に接続されている。この
インダクタライン42にはスルーホール39に接続され
るランド部41を有し、他端はアースライン43に接続
されている。これにより、図7に示す等価回路と同等の
非可逆回路を得ることが出来、非可逆回路素子の広帯域
化を達成出来る。
3に示す。この実施例も、従来の技術で説明した非可逆
回路素子40を用いた。そして、その非可逆回路素子4
0が実装される回路基板31には、その入出力端子5が
接続されるパターン電極32と、アース端子3が接続さ
れるパターン電極37が形成されている。この回路基板
は、多層配線基板であり、その内部の構造を示す斜視図
を図4に示す。この内部は、まずパターン電極37と対
向しコンデンサを構成するパターン電極38が所定間隔
を開けて構成されている。そのパターン電極38にはス
ルーホール39が形成されており、さらに下側に構成さ
れているインダクタライン42に接続されている。この
インダクタライン42にはスルーホール39に接続され
るランド部41を有し、他端はアースライン43に接続
されている。これにより、図7に示す等価回路と同等の
非可逆回路を得ることが出来、非可逆回路素子の広帯域
化を達成出来る。
【0021】このような回路基板においては、多層配線
基板は広く利用されており、その多層配線基板の内部に
上記した共振回路を構成することは容易である。また、
上記した2つの実施例において、パターン電極の形状は
適宜設計できるものであり、共振回路の構成も適宜変更
可能である。非可逆回路素子のアース端子(従来構造で
アースに接続されていた端子)に接続される共振回路を
構成し、その共振回路をアース接続する構成とした回路
基板であれば、本発明を実施出来る。もちろん、この回
路基板には、他の回路素子も実装され、例えば、携帯電
話の回路基板として使用されるものである。
基板は広く利用されており、その多層配線基板の内部に
上記した共振回路を構成することは容易である。また、
上記した2つの実施例において、パターン電極の形状は
適宜設計できるものであり、共振回路の構成も適宜変更
可能である。非可逆回路素子のアース端子(従来構造で
アースに接続されていた端子)に接続される共振回路を
構成し、その共振回路をアース接続する構成とした回路
基板であれば、本発明を実施出来る。もちろん、この回
路基板には、他の回路素子も実装され、例えば、携帯電
話の回路基板として使用されるものである。
【0022】本発明に係る非可逆回路素子は、上記実施
例に記載されたものに限られないことは明らかである。
本発明に係る非可逆回路素子は、特に広帯域化を考慮し
たものでなくても良く、通常品を使用出来る。また、本
発明に係る非可逆回路素子は、単峰特性のものが利用出
来る。また、上記実施例は、アイソレータで説明した
が、サーキュレータでも同様の効果を得ることができ
る。サーキュレータとするには、抵抗に接続されている
端子を、他の入出力端と同様にすれば良い。
例に記載されたものに限られないことは明らかである。
本発明に係る非可逆回路素子は、特に広帯域化を考慮し
たものでなくても良く、通常品を使用出来る。また、本
発明に係る非可逆回路素子は、単峰特性のものが利用出
来る。また、上記実施例は、アイソレータで説明した
が、サーキュレータでも同様の効果を得ることができ
る。サーキュレータとするには、抵抗に接続されている
端子を、他の入出力端と同様にすれば良い。
【0023】本発明に係る非可逆回路素子は、磁性体
と、その磁性体に密接して配置された3つの中心導体
と、各中心導体に接続されるコンデンサ成分と、磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とを有する構成であるこ
とが好ましい。
と、その磁性体に密接して配置された3つの中心導体
と、各中心導体に接続されるコンデンサ成分と、磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とを有する構成であるこ
とが好ましい。
【0024】本発明によれば、非可逆回路素子の広帯域
化を達成することができる。しかも、非可逆回路素子は
従来構造と同様で良く、大型化することはなく、重量の
増大もない。このため、非可逆回路素子の小型化を阻害
することがない。本発明は、小型の非可逆回路素子にお
いて特に有効であり、7mm角以下の大きさの非可逆回
路素子において、特に有効である。また、薄型化も阻害
するものではなく、薄型の非可逆回路素子において特に
有効であり、2.5mm以下の高さの非可逆回路素子に
おいて、特に有効である。さらに、2.0mm以下の高
さの非可逆回路素子において、特に有効である。
化を達成することができる。しかも、非可逆回路素子は
従来構造と同様で良く、大型化することはなく、重量の
増大もない。このため、非可逆回路素子の小型化を阻害
することがない。本発明は、小型の非可逆回路素子にお
いて特に有効であり、7mm角以下の大きさの非可逆回
路素子において、特に有効である。また、薄型化も阻害
するものではなく、薄型の非可逆回路素子において特に
有効であり、2.5mm以下の高さの非可逆回路素子に
おいて、特に有効である。さらに、2.0mm以下の高
さの非可逆回路素子において、特に有効である。
【0025】本発明の配線基板は、プリント基板、フレ
キシブル基板、多層配線基板など種々の基板が利用出来
る。近年は、多層基板が多く使用されており、多層基板
であれば、スペース的にも従来と全く同じスペースで構
成出来る。また、多層基板の厚さは特に厚くする必要も
ない。
キシブル基板、多層配線基板など種々の基板が利用出来
る。近年は、多層基板が多く使用されており、多層基板
であれば、スペース的にも従来と全く同じスペースで構
成出来る。また、多層基板の厚さは特に厚くする必要も
ない。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、非可逆回路素子を新た
に設計し、構成する必要はなく、従来と同様の構成の非
可逆回路素子を用い、配線基板に共振回路を構成するこ
とにより、非可逆回路素子の広帯域化を可能とするもの
である。極めて簡便な構成により、広帯域化を可能とす
るものであり、携帯電話などの非可逆回路素子を使用し
た通信機器などにおいて、極めて有益なものである。
に設計し、構成する必要はなく、従来と同様の構成の非
可逆回路素子を用い、配線基板に共振回路を構成するこ
とにより、非可逆回路素子の広帯域化を可能とするもの
である。極めて簡便な構成により、広帯域化を可能とす
るものであり、携帯電話などの非可逆回路素子を使用し
た通信機器などにおいて、極めて有益なものである。
【図1】本発明に係る一実施例の分解斜視図である。
【図2】本発明に係る一実施例と従来例の挿入損失特性
である。
である。
【図3】本発明に係る別の実施例の分解斜視図である。
【図4】本発明に係る別の実施例の回路基板の内部構造
図である。
図である。
【図5】従来の非可逆回路素子の等価回路図である。
【図6】非可逆回路素子の広帯域化回路の一例の等価回
路図である。
路図である。
【図7】非可逆回路素子の広帯域化回路の別の例の等価
回路図である。
回路図である。
【図8】従来の非可逆回路素子の分解斜視図である。
31 回路基板 32、33、37、38 パターン電極 34 ストリップラインインダクタ 35、43 アースパターン 36 積層チップコンデンサ 39 スルーホール 42 インダクタライン
Claims (5)
- 【請求項1】 非可逆回路素子及びその他の回路素子が
実装される回路基板に共振回路が形成されており、前記
非可逆回路素子のアース端子は、前記共振回路を経由し
てアースに接続されることを特徴とする非可逆回路素子
の広帯域化構造。 - 【請求項2】 前記非可逆回路素子は、単峰特性の集中
定数型非可逆回路素子であることを特徴とする請求項1
記載の非可逆回路素子の広帯域化構造。 - 【請求項3】 前記共振回路は、ストリップラインイン
ダクタと積層チップコンデンサから構成されている直列
共振回路であることを特徴とする請求項1記載の非可逆
回路素子の広帯域化構造。 - 【請求項4】 前記回路基板は多層配線基板であり、前
記共振回路は、前記多層配線基板の多層構造により形成
されたLC共振回路であることを特徴とする請求項1記
載の非可逆回路素子の広帯域化構造。 - 【請求項5】 前記非可逆回路素子は、7mm角以下の
小型集中定数型非可逆回路素子であることを特徴とする
請求項1記載の非可逆回路素子の広帯域化構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039882A JPH11239009A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 非可逆回路素子の広帯域化構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039882A JPH11239009A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 非可逆回路素子の広帯域化構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11239009A true JPH11239009A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12565360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039882A Pending JPH11239009A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 非可逆回路素子の広帯域化構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11239009A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2358291A (en) * | 1999-12-09 | 2001-07-18 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and communication device |
| GB2369501A (en) * | 2000-06-30 | 2002-05-29 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and mounting structure |
| US6657511B2 (en) * | 2000-05-17 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus including the same |
| US6861922B2 (en) | 2000-03-02 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device including two series resonant circuits having differing resonant frequencies |
| US7057471B2 (en) | 2003-11-28 | 2006-06-06 | Tdk Corporation | Non-reciprocal device |
| JP2008085981A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Ntt Docomo Inc | 非可逆回路素子 |
| CN114865256A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-05 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种多层介质类带线结构超宽带集总参数环行器/隔离器 |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP10039882A patent/JPH11239009A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2358291A (en) * | 1999-12-09 | 2001-07-18 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and communication device |
| GB2358291B (en) * | 1999-12-09 | 2002-02-27 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and communication device using same |
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| US6861922B2 (en) | 2000-03-02 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device including two series resonant circuits having differing resonant frequencies |
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| GB2369501A (en) * | 2000-06-30 | 2002-05-29 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and mounting structure |
| GB2369501B (en) * | 2000-06-30 | 2002-11-20 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device and mounting structure of the same |
| US6677537B2 (en) | 2000-06-30 | 2004-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device and mounting structure of the same |
| US7057471B2 (en) | 2003-11-28 | 2006-06-06 | Tdk Corporation | Non-reciprocal device |
| JP2008085981A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Ntt Docomo Inc | 非可逆回路素子 |
| CN114865256A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-05 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种多层介质类带线结构超宽带集总参数环行器/隔离器 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061208 |
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