JPH11242265A - Light receiving circuit and flash device - Google Patents
Light receiving circuit and flash deviceInfo
- Publication number
- JPH11242265A JPH11242265A JP4360198A JP4360198A JPH11242265A JP H11242265 A JPH11242265 A JP H11242265A JP 4360198 A JP4360198 A JP 4360198A JP 4360198 A JP4360198 A JP 4360198A JP H11242265 A JPH11242265 A JP H11242265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- control transistor
- signal
- receiving sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スレーブ機能を備えた閃光装置における受光
信号光に対する応答特性を改善し、受光信号光に対して
の応答距離範囲を所望範囲に正確に制御・設定できる閃
光装置を提供する。
【解決手段】 定常光等の変動を検出しないように吸収
するための吸収手段を、受光センサ7の出力をベースバ
イアス状態に応答して吸収する第1トランジスタ20
と、該第1トランジスタ20と同特性を有し、第1トラ
ンジスタ20のベースバイアス状態を複数の抵抗10,
11とコンデンサ12と共に制御する第2制御トランジ
スタ21とにより構成した。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To improve a response characteristic to a received light signal in a flash device having a slave function, and to provide a flash device capable of accurately controlling and setting a response distance range to a received light signal within a desired range. provide. A first transistor for absorbing an output of a light receiving sensor in response to a base bias state is provided.
Having the same characteristics as the first transistor 20, and changing the base bias state of the first transistor 20 to a plurality of resistors 10,
11 and a second control transistor 21 controlled together with the capacitor 12.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から供給され
る信号光(パルス光)を受光する受光回路および該受光
回路を内蔵し、特に自身の発光動作を外部から供給され
る信号光を受光して制御できるいわゆるスレーブ機能を
備えた閃光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light receiving circuit for receiving an externally supplied signal light (pulse light), and a light receiving circuit incorporating the light receiving circuit. The present invention relates to a flash device provided with a so-called slave function that can be controlled by a computer.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、写真撮影の際の人工光源とし
て閃光装置は有用されており、また自身の発光動作を外
部から供給される信号光を受光して制御できる、所謂ス
レーブ機能を備えた閃光装置も周知である(特開昭61
−17133号公報等)。2. Description of the Related Art Conventionally, a flash device has been useful as an artificial light source for taking a picture, and has a so-called slave function capable of controlling its own light emitting operation by receiving a signal light supplied from the outside. Flash devices are also well known (Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 61
No. 17133).
【0003】スレーブ機能を備えた閃光装置は、外部か
ら供給される信号光(パルス光)を受光し、当該受光し
た信号光に応答した電気信号を発生する受光センサ、前
記電気信号を吸収する吸収手段を含む受光回路と、前記
受光回路の出力信号により閃光管の発光動作を前記信号
光に応答した発光動作に制御する発光制御回路を備えて
構成される。A flash device having a slave function receives a signal light (pulse light) supplied from the outside, generates a light signal in response to the received signal light, and absorbs the light signal. And a light emission control circuit for controlling a light emission operation of the flash tube to a light emission operation in response to the signal light by an output signal of the light reception circuit.
【0004】図2は、特開昭61−17133号公報に
示されている閃光装置の上述した受光回路を含む要部電
気回路図を示している。図2に示す閃光装置は、閃光装
置として周知の構成である例えば電池である直流低圧電
源、およびDC/DCコンバータ回路とを有する直流高
圧電源1と、直流高圧電源1の両端に接続されたメイン
コンデンサ2と、メインコンデンサ2の両端に接続され
た閃光管3と、閃光管3の発光動作を制御する例えば絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタである制御素子4と
の直列体、および閃光管3、制御素子4の動作を制御し
て閃光管3の発光動作を制御する発光制御回路5とを備
えている。FIG. 2 is a main part electric circuit diagram of the flash device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-17133, including the above-mentioned light receiving circuit. The flash device shown in FIG. 2 includes a DC low-voltage power supply 1 having a configuration known as a flash device, such as a DC low-voltage power supply as a battery, and a DC / DC converter circuit, and a main unit connected to both ends of the DC high-voltage power supply 1. A series body of a capacitor 2, a flash tube 3 connected to both ends of the main capacitor 2, and a control element 4, for example, an insulated gate bipolar transistor for controlling the light emitting operation of the flash tube 3, and the flash tube 3 and the control element A light emission control circuit 5 for controlling the light emission operation of the flash tube 3 by controlling the operation of the flash tube 3.
【0005】また、外部から供給される信号光を受光し
て、発光制御回路5の動作を制御するための出力信号を
発生する受光回路6は、上記信号光を受光して電気信号
を出力する受光センサ7と、この受光センサ7の両端に
コレクタ〜エミッタ間が接続された制御トランジスタ9
と、電源Vdと制御トランジスタ9のベース間に直列接
続された複数の抵抗10,11、制御トランジスタ9の
ベース〜エミッタ間に接続されたコンデンサ12、抵抗
10,11の接続点C1と受光センサ7と制御トランジ
スタ9のコレクタとの接続点C2の間に順方向接続され
たダイオード13を有し、受光センサ7が出力する電気
信号を吸収する吸収手段8と、受光センサ7の両端に接
続されるコンデンサ15と抵抗16との直列体からなる
微分回路14と、抵抗16に発生する信号を増幅して出
力し受光回路6の出力信号として発光制御回路5に供給
する増幅回路17とを含んで構成されている。A light receiving circuit 6 which receives an externally supplied signal light and generates an output signal for controlling the operation of the light emission control circuit 5 receives the signal light and outputs an electric signal. A light receiving sensor 7 and a control transistor 9 having a collector and an emitter connected to both ends of the light receiving sensor 7
A plurality of resistors 10 and 11 connected in series between the power supply Vd and the base of the control transistor 9; a capacitor 12 connected between the base and the emitter of the control transistor 9; a connection point C1 of the resistors 10 and 11; A diode 13 connected in the forward direction between a connection point C2 between the light-receiving sensor 7 and the collector of the control transistor 9, and connected to both ends of the light-receiving sensor 7; A differential circuit comprising a series body of a capacitor and a resistor, and an amplifier circuit for amplifying and outputting a signal generated in the resistor and supplying the amplified signal to the light emission control circuit as an output signal of the light receiving circuit. Have been.
【0006】その動作は、まず、吸収手段8における制
御トランジスタ9のベースには、定常光(周辺光)の変
動や信号光強度の強弱による受光センサ7への悪影響を
防止するために、抵抗10,11,コンデンサ12,ダ
イオード13により所定のバイアスが印加されている。[0006] First, the base of the control transistor 9 in the absorbing means 8 is provided with a resistor 10 in order to prevent adverse effects on the light receiving sensor 7 due to fluctuations in the steady light (ambient light) and the intensity of the signal light. , 11, a capacitor 12, and a diode 13 apply a predetermined bias.
【0007】受光センサ7が外部から供給された信号光
を受光すると、受光センサ7はその信号光を電気信号に
変換して微分回路14に電流を流し、この時抵抗16に
発生する信号が増幅回路17に入力される。When the light receiving sensor 7 receives the signal light supplied from the outside, the light receiving sensor 7 converts the signal light into an electric signal and supplies a current to the differentiating circuit 14. At this time, the signal generated in the resistor 16 is amplified. Input to the circuit 17.
【0008】増幅回路17は入力された信号を増幅して
発光制御回路5に供給し、これにより発光制御回路5は
動作を開始して例えば閃光管3の発光開始動作や発光停
止動作等のいわゆる発光動作を制御する。The amplification circuit 17 amplifies the input signal and supplies the amplified signal to the light emission control circuit 5, whereby the light emission control circuit 5 starts operating, for example, a so-called light emission start operation or light emission stop operation of the flash tube 3. The light emission operation is controlled.
【0009】なお、信号光の供給ではない定常光の変動
に対しては、受光回路6は発光制御回路5が動作しない
ように動作する。The light receiving circuit 6 operates so that the light emission control circuit 5 does not operate with respect to the fluctuation of the steady light other than the supply of the signal light.
【0010】すなわち、一般に定常光の変動の状況は信
号光(パルス光)の発生時に比して立上がり特性が緩や
かであり、このため抵抗10,11、コンデンサ12に
よる時定数により定常光の変動に追従して制御トランジ
スタ9の動作が制御されることになる。That is, in general, the fluctuation of the stationary light is slower in rising characteristics than when the signal light (pulse light) is generated. Therefore, the fluctuation of the stationary light is reduced by the time constant of the resistors 10 and 11 and the capacitor 12. The operation of the control transistor 9 is controlled accordingly.
【0011】したがって、制御トランジスタ9は、定常
光の変動時、この変動により受光センサ7に発生する電
気信号を吸収するように動作する。Therefore, the control transistor 9 operates so as to absorb the electric signal generated in the light receiving sensor 7 due to the fluctuation of the steady light when the fluctuation of the steady light.
【0012】この結果、定常光変動により受光センサ7
に発生する電気信号が微分回路14および増幅回路17
を介して発光制御回路5に伝達されることはない。すな
わち、抵抗10,11、制御トランジスタ9等からなる
吸収手段8により、定常光変動に基づいて発光制御回路
5が動作するという誤動作は防止される。As a result, the light reception sensor 7
The electric signal generated in the differential circuit 14 and the amplifying circuit 17
Is not transmitted to the light emission control circuit 5 via the That is, the absorbing means 8 including the resistors 10 and 11 and the control transistor 9 prevents a malfunction in which the light emission control circuit 5 operates based on the steady light fluctuation.
【0013】また、供給信号光の強度が強い時、例えば
信号光の供給源が極近接した位置にあるような場合、受
光回路6は受光センサ7が飽和しないように動作する。When the intensity of the supply signal light is high, for example, when the supply source of the signal light is located very close, the light receiving circuit 6 operates so that the light receiving sensor 7 is not saturated.
【0014】すなわち、信号光強度が強い場合、受光セ
ンサ7が発生する電気信号も大きくなるので、制御トラ
ンジスタ9のコレクタ電位も高くなる。That is, when the signal light intensity is high, the electric signal generated by the light receiving sensor 7 also increases, so that the collector potential of the control transistor 9 also increases.
【0015】一方、制御トランジスタ9のコレクタ電位
が高くなると、それまで抵抗10、ダイオード13のル
ープで流れていた電流が抵抗11を介して制御トランジ
スタ9のベース電流として流れることになる。On the other hand, when the collector potential of the control transistor 9 becomes high, the current which has been flowing in the loop of the resistor 10 and the diode 13 up to that point flows as the base current of the control transistor 9 via the resistor 11.
【0016】この状況は制御トランジスタ9のベースの
バイアスが深くなったことに他ならず、この結果、受光
センサ7に発生する電気信号はより多量に制御トランジ
スタ9を介して流れることに、すなわち吸収されること
になる。This situation is the same as the fact that the bias of the base of the control transistor 9 is deepened. As a result, a larger amount of the electric signal generated in the light receiving sensor 7 flows through the control transistor 9, that is, the electric signal is absorbed. Will be done.
【0017】換言すると、抵抗10、制御トランジスタ
9等からなる吸収手段8により信号光強度が強いことに
よる受光センサ7の飽和が防止され、これにより強度の
強い信号光にも正確に応答して閃光管3の発光動作を制
御できることになる。In other words, the absorption means 8 including the resistor 10 and the control transistor 9 prevents the light receiving sensor 7 from being saturated due to the strong signal light intensity, thereby accurately responding to the strong signal light and flashing. The light emission operation of the tube 3 can be controlled.
【0018】逆に供給信号光の強度が弱い時、例えば信
号光の供給源が極めて遠い位置にあるような場合、受光
回路6は当該弱い信号光にも正確に応答して動作する。Conversely, when the intensity of the supplied signal light is weak, for example, when the source of the signal light is located at a very distant position, the light receiving circuit 6 operates accurately in response to the weak signal light.
【0019】すなわち、かかる場合、受光センサ7が信
号光を受光して発生する電気信号も小さくなり、先の極
近接位置に信号光供給源がある場合とは異なり制御トラ
ンジスタ9のベースバイアスの変動も小さくなり、上記
電気信号は、制御トランジスタ9にて吸収されることは
殆どなく、そのまま微分回路14に供給される。That is, in such a case, the electric signal generated when the light receiving sensor 7 receives the signal light also becomes small, and the fluctuation of the base bias of the control transistor 9 is different from the case where the signal light supply source is located at the very close position. The electric signal is hardly absorbed by the control transistor 9 and is supplied to the differentiating circuit 14 as it is.
【0020】この結果、上記小さい電気信号は、以降、
増幅回路17を介して発光制御回路5に供給され、これ
により閃光管3の発光動作が制御されることになり、換
言すれば、受光回路6は強度の弱い信号光にも正確に応
答して動作する。As a result, the small electric signal is
The light is supplied to the light emission control circuit 5 via the amplifier circuit 17, whereby the light emission operation of the flash tube 3 is controlled. In other words, the light receiving circuit 6 accurately responds to the weak signal light. Operate.
【0021】なお、図2に示す受光回路6の受光センサ
7は、制御トランジスタ9のコレクタ〜エミッタ間に接
続されているが、例えば図2中に破線で示したように、
吸収手段8の構成はそのままで、受光センサ7を電源V
dと制御トランジスタ9のコレクタ間に接続する構成
や、この破線構成における受光センサ7のカソードを電
源Vdではなく他の電源に接続する構成の受光回路も、
上述したような吸収手段8による受光センサ7の出力電
気信号の吸収作用をそのまま期待できる。The light-receiving sensor 7 of the light-receiving circuit 6 shown in FIG. 2 is connected between the collector and the emitter of the control transistor 9. For example, as shown by a broken line in FIG.
The light-receiving sensor 7 is connected to the power supply
Also, a light receiving circuit having a configuration of connecting between d and the collector of the control transistor 9 and a configuration in which the cathode of the light receiving sensor 7 in this broken line configuration is connected to another power source instead of the power source Vd,
The function of absorbing the output electric signal of the light receiving sensor 7 by the absorbing means 8 can be expected as it is.
【0022】[0022]
【発明が解決しようとする課題】ところで、受光センサ
7と、制御トランジスタ9、ダイオード13等からな
り、受光センサ7の出力する電気信号を吸収する吸収手
段8を含む図2に示す受光回路構成は、受光センサ7の
接続場所にかかわらず、定常光の変動の影響を受けず、
また外部から供給される信号光の強度が大きいとき、あ
るいは小さいときのいずれにおいても、前記信号光に正
確に応答して発光制御回路5の動作を制御できる。The light receiving circuit shown in FIG. 2 includes a light receiving sensor 7, a control transistor 9, a diode 13, and the like and includes an absorbing means 8 for absorbing an electric signal output from the light receiving sensor 7. Irrespective of the connection location of the light receiving sensor 7, it is not affected by the fluctuation of the steady light,
Also, when the intensity of the signal light supplied from the outside is high or low, the operation of the light emission control circuit 5 can be controlled accurately in response to the signal light.
【0023】しかしながら、制御トランジスタ9のベー
スバイアスは、受光回路6が定常光変動の影響を受けず
信号光の供給時にのみ応答して動作するように抵抗1
0,11、コンデンサ12による時定数の制御等によっ
て予め設定されている。However, the base bias of the control transistor 9 is set so that the light receiving circuit 6 operates in response only to the supply of the signal light without being affected by the steady light fluctuation.
0, 11, and the time constant is controlled in advance by the capacitor 12 or the like.
【0024】したがって、ダイオード13や制御トラン
ジスタ9として用いる部品個々の閾値電圧のバラツキに
よってはその特性が変動することになる。Therefore, the characteristics of the components used as the diode 13 and the control transistor 9 vary depending on the variation of the threshold voltage.
【0025】例えば、ダイオード13の閾値電圧がバラ
ツキにより小さくなると制御トランジスタ9のバイアス
は浅くなり、信号光が近距離から連続的に供給されるよ
うな場合には受光センサ7が出力する電気信号を十分に
バイパスできず、受光センサ7が飽和してしまい正確に
受光信号を出力できなくなることが考えられる。For example, when the threshold voltage of the diode 13 becomes smaller due to variations, the bias of the control transistor 9 becomes shallower, and when the signal light is continuously supplied from a short distance, the electric signal output from the light receiving sensor 7 is output. It is conceivable that the bypass cannot be performed sufficiently, and the light receiving sensor 7 is saturated, so that the light receiving signal cannot be output accurately.
【0026】この状況は、受光回路6の応答できる信号
光供給源までの近距離側限界が遠くなることに他ならな
い。このため、受光回路6の応答できる信号光供給源ま
での応答距離範囲がはじめに設定した所望の距離範囲か
ら遠距離側にシフトしてしまう不都合点を生じることに
なる。This situation is nothing short of a limit on the short distance side to the signal light supply source to which the light receiving circuit 6 can respond. For this reason, there occurs an inconvenience that the response distance range to the signal light supply source to which the light receiving circuit 6 can respond shifts from the initially set desired distance range to the far side.
【0027】逆に、ダイオード13の閾値電圧が大きく
なると制御トランジスタ9のバイアスは深くなり、信号
光が遠距離から供給されその強度が小さくなった場合に
は、制御トランジスタ9によるバイパス作用により必要
な信号までバイパスされてしまい、受光センサ7が受光
信号を出力できなくなることが考えられる。Conversely, when the threshold voltage of the diode 13 increases, the bias of the control transistor 9 increases, and when the signal light is supplied from a long distance and the intensity of the signal light decreases, the control transistor 9 needs to bypass the signal light. It is conceivable that the signal is bypassed and the light receiving sensor 7 cannot output the light receiving signal.
【0028】この状況は、受光回路6の応答できる信号
光供給源までの遠距離側限界が短くなることに他ならな
い。このため、受光回路6の応答できる信号光供給源ま
での応答距離範囲がはじめに設定した所望の距離範囲か
ら近距離側にシフトしてしまう不都合点を生じることに
なる。This situation is nothing short of the limitation on the long distance to the signal light supply source to which the light receiving circuit 6 can respond. For this reason, there arises an inconvenience that the response distance range to the signal light supply source to which the light receiving circuit 6 can respond shifts from the initially set desired distance range to the short distance side.
【0029】さらに、周辺温度の変動に対しても、制御
トランジスタ9とダイオード13との温度特性が異なる
ことから、結果的に制御トランジスタ9のバイアスが変
動し、これにより受光回路6の応答できる信号光供給源
までの応答距離範囲がはじめに設定した所望の距離範囲
から近距離側あるいは遠距離側にシフトしてしまう不都
合点を生じることになる。Further, even when the ambient temperature fluctuates, the temperature characteristics of the control transistor 9 and the diode 13 are different. As a result, the bias of the control transistor 9 fluctuates. There is a disadvantage that the response distance range to the light source shifts from the initially set desired distance range to the short distance side or the long distance side.
【0030】本出願に係る第1の発明の目的は、供給信
号光に対する応答特性を改善した受光回路を提供しよう
とするものである。An object of the first invention according to the present application is to provide a light receiving circuit with improved response characteristics to a supply signal light.
【0031】本出願に係る第2の発明の目的は、供給信
号光に対する応答特性を改善した受光回路を備えた閃光
装置を提供しようとするものである。An object of a second invention according to the present application is to provide a flash device including a light receiving circuit having improved response characteristics to a supply signal light.
【0032】[0032]
【課題を解決するための手段】本出願に係る第1の発明
の目的を実現する受光回路の構成は、外部からの信号光
を受光して当該受光した信号光に応答した電気信号を発
生する受光センサと、前記受光センサからの前記電気信
号を吸収する吸収手段を有し、前記吸収手段は、そのベ
ースバイアス状態に応答した吸収量にて前記受光出力を
吸収する第1制御トランジスタと、電源と前記第1制御
トランジスタのベース間に直列接続された複数の抵抗
と、前記第1制御トランジスタのベース〜エミッタ間に
接続されたコンデンサと、前記第1制御トランジスタと
同特性を有し、そのコレクタ〜エミッタ間が前記複数の
抵抗間の接続点と前記受光センサと前記第1制御トラン
ジスタのコレクタとの接続点の間に接続された第2制御
トランジスタとを備えたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a light receiving circuit configured to receive an external signal light and generate an electric signal responsive to the received signal light. A light receiving sensor, and an absorbing means for absorbing the electric signal from the light receiving sensor, the absorbing means comprising: a first control transistor for absorbing the light receiving output with an absorption amount responsive to a base bias state thereof; And a plurality of resistors connected in series between the base of the first control transistor, a capacitor connected between the base and the emitter of the first control transistor, and a collector having the same characteristics as the first control transistor. And a second control transistor connected between a connection point between the plurality of resistors and a connection point between the light receiving sensor and the collector of the first control transistor. Those were.
【0033】上記した構成では、信号光に対する応答範
囲を、信号光の強弱や周辺温度の変動に影響を受けるこ
となく正確に制御・設定できる。With the above configuration, the response range to the signal light can be accurately controlled and set without being affected by the intensity of the signal light and the fluctuation of the ambient temperature.
【0034】本出願に係る第2の発明の目的を実現する
閃光装置の構成は、上記した構成の受光回路と、前記受
光回路からの受光信号に基づいて閃光動作を制御する制
御手段を有するものである。A flash device for realizing the object of the second invention according to the present application has a light receiving circuit having the above-described configuration and control means for controlling a flash operation based on a light receiving signal from the light receiving circuit. It is.
【0035】この閃光装置の構成は、所謂スレーブ機能
を備えたもので、信号光に対する応答範囲を、信号光の
強弱や周辺温度の変動に影響を受けることなく正確に制
御・設定でき、信号光を発光する発光光源に対する応答
できる近距離側から遠距離側までの応答距離範囲を、初
めに設定した所望範囲に正確に制御・設定することがで
きる。The configuration of the flash device is provided with a so-called slave function, and the response range to the signal light can be controlled and set accurately without being affected by the intensity of the signal light and the fluctuation of the ambient temperature. The response distance range from the short distance side to the long distance side which can respond to the light emitting light source that emits light can be accurately controlled and set to the initially set desired range.
【0036】[0036]
【発明の実施の形態】以下、本発明による閃光装置の実
施の形態について図1を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a flash device according to the present invention will be described below with reference to FIG.
【0037】図1は本発明による閃光装置の一実施の形
態の要部電気回路図であり、図中、図2と同符号の要素
は同一機能要素を示している。FIG. 1 is an electric circuit diagram of a main part of a flash device according to an embodiment of the present invention. In the drawing, elements having the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same functional elements.
【0038】本実施の形態における閃光装置は、図1か
らも明らかなように、図2に示した閃光装置例と同様
に、直流高圧電源1、メインコンデンサ2、閃光管3、
制御素子4、発光制御回路5を備え、さらに図2に示し
た閃光装置例の受光回路6の構成とは異なる構成を有す
る受光回路18を備えて構成されている。As is clear from FIG. 1, the flash device according to the present embodiment has a DC high-voltage power supply 1, a main capacitor 2, a flash tube 3, and the like as in the example of the flash device shown in FIG.
It comprises a control element 4 and a light emission control circuit 5, and further comprises a light receiving circuit 18 having a configuration different from the configuration of the light receiving circuit 6 of the example of the flash device shown in FIG.
【0039】この受光回路18は、外部から供給される
信号光を受光して電気信号を出力する受光センサ7と、
受光センサ7が出力する電気信号を吸収する吸収手段1
9と、コンデンサ15と抵抗16からなる微分回路14
と、抵抗16に発生する信号を増幅して受光回路6の出
力信号として発光制御回路5に供給する増幅回路17と
から構成されている。The light receiving circuit 18 receives the signal light supplied from the outside and outputs an electric signal.
Absorbing means 1 for absorbing an electric signal output by light receiving sensor 7
9, a differentiating circuit 14 comprising a capacitor 15 and a resistor 16
And an amplification circuit 17 that amplifies a signal generated in the resistor 16 and supplies the amplified signal to the light emission control circuit 5 as an output signal of the light receiving circuit 6.
【0040】この吸収手段は19は、そのコレクタ〜エ
ミッタ間が受光センサ7の両端に接続された第1制御ト
ランジスタ20と、電源Vdと第1制御トランジスタ2
0のベース間に直列接続された複数の抵抗10,11
と、第1制御トランジスタ20のベース〜エミッタ間に
接続されたコンデンサ12と、第1制御トランジスタ2
0と同特性を有し、そのベース〜コレクタ間が直接接続
され、そのコレクタ〜エミッタ間が抵抗10,11間の
接続点C1と受光センサ7と第1制御トランジスタ20
のコレクタとの接続点C2の間に接続された第2制御ト
ランジスタ21で構成されている。The absorbing means 19 includes a first control transistor 20 whose collector and emitter are connected to both ends of the light receiving sensor 7, a power supply Vd and a first control transistor 2
0, a plurality of resistors 10, 11 connected in series between bases
A capacitor 12 connected between the base and the emitter of the first control transistor 20;
0, the base and the collector are directly connected, and the collector and the emitter are connected between the connection point C1 between the resistors 10 and 11, the light receiving sensor 7, and the first control transistor 20.
And a second control transistor 21 connected between the node C2 and the collector of the second transistor.
【0041】本実施の形態において図2に示す従来の閃
光装置と異なるのは、図2に示した従来の閃光装置にお
けるダイオード12に代えて、第1制御トランジスタ2
0と同特性を有する第2制御トランジスタ21を採用し
ている点にある。本実施の形態において、第1制御トラ
ンジスタ20と第2制御トランジスタ21とを、同一メ
ーカの同じ型名の製品を使用して、両トランジスタのV
BE−IC 特性(ベース・エミッタ電圧−コレクタ電流特
性)等の電気的特性が同特性となるようにしている。The present embodiment differs from the conventional flash device shown in FIG. 2 in that the diode 12 in the conventional flash device shown in FIG.
The point is that the second control transistor 21 having the same characteristics as 0 is employed. In the present embodiment, the first control transistor 20 and the second control transistor 21 are replaced by the same manufacturer's product of the same model name,
BE -I C characteristic (base-emitter voltage - collector current characteristic) electrical characteristics of such are set to be the same properties.
【0042】本実施の形態において、定常光の変動時や
供給される信号光強度が強い場合等での受光回路18の
基本的な動作は、図2に示す従来の閃光装置における受
光回路6の前述したような動作と同等の動作となる。In this embodiment, the basic operation of the light receiving circuit 18 when the steady light fluctuates or when the intensity of the supplied signal light is high, is the same as that of the light receiving circuit 6 in the conventional flash device shown in FIG. The operation is equivalent to the operation described above.
【0043】すなわち、本実施の形態の受光回路18
も、第2制御トランジスタ21等からなる吸収手段19
にて第1制御トランジスタ20のバイアスを制御して受
光センサ7が出力する電気信号の吸収動作を制御するこ
とにより、定常光変動等の影響を受けることなく外部か
ら供給される信号光に正確に応答して動作する。That is, the light receiving circuit 18 of the present embodiment
The absorbing means 19 comprising the second control transistor 21 and the like
By controlling the bias of the first control transistor 20 to control the absorption operation of the electric signal output from the light receiving sensor 7, the signal light supplied from the outside can be accurately output without being affected by the steady light fluctuation or the like. Operate in response.
【0044】したがって、本実施の形態の受光回路18
は、定常光変動の影響を受けずに、また外部から供給さ
れる信号光の強度の大小にかかわらず、受光センサ7に
よる供給される信号光の受光動作を行い、これにより上
記信号光に正確に応答した発光制御回路5の動作制御を
実現する。Therefore, the light receiving circuit 18 of the present embodiment
Performs the light receiving operation of the signal light supplied by the light receiving sensor 7 without being affected by the steady light fluctuation and regardless of the intensity of the signal light supplied from the outside. To control the operation of the light emission control circuit 5 in response to the operation.
【0045】本実施の形態の受光回路18において、第
1制御トランジスタ20と第2制御トランジスタ21に
ついては、同特性を有するトランジスタを採用している
ことから、例えば部品個々のバラツキによる閾値電圧の
変動が存在するとしても、その変動による第1制御トラ
ンジスタ20のベースバイアスへの影響は、図2に示す
従来の閃光装置における制御トランジスタ9とダイオー
ド13間において部品個々のバラツキにより生じる変動
の影響に比して小さくなる。In the light receiving circuit 18 of the present embodiment, since the first control transistor 20 and the second control transistor 21 employ transistors having the same characteristics, for example, a change in the threshold voltage due to a variation in individual components. Is present, the influence of the fluctuation on the base bias of the first control transistor 20 is smaller than the influence of the fluctuation caused by the individual components between the control transistor 9 and the diode 13 in the conventional flash device shown in FIG. And become smaller.
【0046】また、本実施の形態において、第1制御ト
ランジスタ20と第2制御トランジスタ21について
は、同特性を有するトランジスタを採用していることか
ら、両制御トランジスタ20、21の温度特性もほぼ等
しくなり、このため、周辺温度の変動により生じる第1
制御トランジスタ20のベースバイアスへの影響も、図
2に示す従来の閃光装置において生じる影響に比して小
さくなる。Further, in this embodiment, since the first control transistor 20 and the second control transistor 21 employ transistors having the same characteristics, the temperature characteristics of the two control transistors 20 and 21 are substantially equal. Therefore, the first temperature caused by the fluctuation of the ambient temperature
The effect of the control transistor 20 on the base bias is also smaller than that of the conventional flash device shown in FIG.
【0047】なお、本実施の形態における受光回路18
の受光センサ7は、第1制御トランジスタ20のコレク
タ〜エミッタ間に接続しているが、例えば図2中におい
て破線で示したような展開における受光回路構成、すな
わち吸収手段19の構成はそのままで受光センサ7を電
源Vdと第1制御トランジスタ20のコレクタ間に接続
する構成や、かかる破線構成における受光センサ7のカ
ソードを電源Vdではなく他の電源に接続する構成にお
いても、上述した本実施の形態における作用と同等の作
用を期待できることはもちろんである。Note that the light receiving circuit 18 in the present embodiment is
The light-receiving sensor 7 is connected between the collector and the emitter of the first control transistor 20. However, for example, the light-receiving circuit configuration in the development as shown by the broken line in FIG. The present embodiment is also applicable to a configuration in which the sensor 7 is connected between the power supply Vd and the collector of the first control transistor 20 and a configuration in which the cathode of the light receiving sensor 7 is connected to another power supply instead of the power supply Vd in the broken line configuration. Of course, an action equivalent to the action in can be expected.
【0048】[0048]
【発明の効果】本出願に係る第1の発明によれば、受光
センサの余分な出力信号を吸収する吸収動作が部品のバ
ラツキや環境温度変化の影響を受けることなく正確に行
えるので、受光センサからの出力は応答できる信号光の
発光源までの応答距離範囲が初めに設定した所望の距離
範囲から近距離側あるいは遠距離側にシフトすることが
なく、信号光に対する応答特性が改善され、安定した特
性での受光動作が行える。According to the first aspect of the present invention, since the absorbing operation of absorbing the extra output signal of the light receiving sensor can be performed accurately without being affected by the variation of the components and the change of the environmental temperature, the light receiving sensor can be used. The output from the device does not shift the response distance range to the light source of the signal light that can respond from the initially set desired distance range to the short distance side or the long distance side. The light receiving operation with the adjusted characteristics can be performed.
【0049】本出願に係る第2の発明によれば、受光回
路の応答距離範囲を所望距離範囲に正確に制御・設定で
きるので、信号光に対する応答特性が改善され、安定し
た特性での受光動作、並びに発光制御回路の制御動作を
実現できる。According to the second aspect of the present invention, since the response distance range of the light receiving circuit can be accurately controlled and set within a desired distance range, the response characteristic to signal light is improved, and the light receiving operation with stable characteristics is achieved. , And the control operation of the light emission control circuit.
【図1】本発明による閃光装置の一実施の形態の要部電
気回路図FIG. 1 is a main part electric circuit diagram of an embodiment of a flash device according to the present invention.
【図2】従来の閃光装置の要部電気回路図FIG. 2 is a main part electric circuit diagram of a conventional flash device.
1 直流高圧電源 2 メインコンデンサ 3 閃光管 4 制御素子 5 発光制御回路 7 受光センサ 10 抵抗 11 抵抗 12 コンデンサ 14 微分回路 15 コンデンサ 16 抵抗 17 増幅回路 18 受光回路 19 吸収手段 20 第1制御トランジスタ 21 第2制御トランジスタ REFERENCE SIGNS LIST 1 DC high voltage power supply 2 main capacitor 3 flash tube 4 control element 5 light emission control circuit 7 light receiving sensor 10 resistor 11 resistor 12 capacitor 14 differentiating circuit 15 capacitor 16 resistor 17 amplifier circuit 18 light receiving circuit 19 absorption means 20 first control transistor 21 second Control transistor
Claims (8)
た信号光に応答した電気信号を発生する受光センサと、
前記受光センサからの前記電気信号を吸収する吸収手段
を有し、前記吸収手段は、そのベースバイアス状態に応
答した吸収量にて前記受光出力を吸収する第1制御トラ
ンジスタと、電源と前記第1制御トランジスタのベース
間に直列接続された複数の抵抗と、前記第1制御トラン
ジスタのベース〜エミッタ間に接続されたコンデンサ
と、前記第1制御トランジスタと同特性を有し、そのコ
レクタ〜エミッタ間が前記複数の抵抗間の接続点と前記
受光センサと前記第1制御トランジスタのコレクタとの
接続点の間に接続された第2制御トランジスタとを備え
た受光回路。A light receiving sensor for receiving an external signal light and generating an electric signal in response to the received signal light;
Absorbing means for absorbing the electric signal from the light receiving sensor, wherein the absorbing means absorbs the light receiving output with an amount of absorption in response to the base bias state; a power supply; A plurality of resistors connected in series between the bases of the control transistors, a capacitor connected between the base and the emitter of the first control transistor, and having the same characteristics as the first control transistor; A light receiving circuit comprising: a connection point between the plurality of resistors; and a second control transistor connected between a connection point between the light receiving sensor and a collector of the first control transistor.
た信号光に応答した電気信号を発生する受光センサと、
前記受光センサの両端にコレクタ〜エミッタ間が接続さ
れた第1制御トランジスタと、電源と前記第1制御トラ
ンジスタのベース間に直列接続された複数の抵抗と、前
記第1制御トランジスタのベース〜エミッタ間に接続さ
れたコンデンサと、前記第1制御トランジスタと同特性
を有し、そのベース〜コレクタ間が直接接続され、その
コレクタ〜エミッタ間が前記複数の抵抗間の接続点と前
記受光センサと前記第1制御トランジスタのコレクタと
の接続点の間に接続された第2制御トランジスタとを備
えた受光回路。2. A light-receiving sensor for receiving an external signal light and generating an electric signal in response to the received signal light;
A first control transistor having a collector and an emitter connected at both ends of the light receiving sensor, a plurality of resistors connected in series between a power supply and a base of the first control transistor, and a base and an emitter of the first control transistor; And a capacitor connected to the first control transistor and having the same characteristics as the first control transistor. The base and the collector are directly connected, and the collector and the emitter are connected between the plurality of resistors, the light receiving sensor, and the first control transistor. And a second control transistor connected between a connection point of the first control transistor and the collector.
ジスタのコレクタ〜エミッタ間に接続されている請求項
1に記載の受光回路。3. The light receiving circuit according to claim 1, wherein the light receiving sensor is connected between a collector and an emitter of the first control transistor.
トランジスタのコレクタとの間に接続されている請求項
1に記載の受光回路。4. The light receiving circuit according to claim 1, wherein the light receiving sensor is connected between the power supply and a collector of the first control transistor.
源と前記第1制御トランジスタのコレクタとの間に接続
されている請求項1に記載の受光回路。5. The light receiving circuit according to claim 1, wherein the light receiving sensor is connected between a power supply different from the power supply and a collector of the first control transistor.
2、3、4または5に記載の受光回路。6. The signal light according to claim 1, wherein the signal light is pulsed light.
6. The light receiving circuit according to 2, 3, 4, or 5.
の受光回路を有する閃光装置。7. A flash device having the light receiving circuit according to claim 1.
の受光回路と、前記受光回路からの受光信号に基づいて
閃光動作を制御する制御手段を有する閃光装置。8. A flash device comprising: the light receiving circuit according to claim 1; and control means for controlling a flash operation based on a light receiving signal from the light receiving circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360198A JPH11242265A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Light receiving circuit and flash device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360198A JPH11242265A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Light receiving circuit and flash device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242265A true JPH11242265A (en) | 1999-09-07 |
| JPH11242265A5 JPH11242265A5 (en) | 2005-06-30 |
Family
ID=12668346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360198A Abandoned JPH11242265A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Light receiving circuit and flash device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242265A (en) |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP4360198A patent/JPH11242265A/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4819241A (en) | Laser diode driving circuit | |
| JP2003114728A (en) | Internal reference voltage generation circuit for semiconductor device and internal supply voltage generation circuit including the same | |
| US20120126762A1 (en) | Current limiting circuit and power supply circuit | |
| JPS6096008A (en) | Photocurrent amplifying wide band amplifier | |
| JP2008070300A (en) | Temperature detection device | |
| KR970068137A (en) | Amplification circuit | |
| JP2004328640A (en) | Bias current generating circuit, laser diode driving circuit, and transmitter for optical communication | |
| JPH09260720A (en) | High-speed apc circuit | |
| JPH11242265A (en) | Light receiving circuit and flash device | |
| US6975162B2 (en) | Constant current driving circuit | |
| JP2009093446A (en) | Voltage control circuit | |
| JPH11121851A (en) | Light emitting element drive circuit and light emitting device having the same | |
| JPS6123689B2 (en) | ||
| JPH11220374A (en) | Power supply | |
| JP2003198476A (en) | Optical coupling device | |
| JP2934302B2 (en) | Optical signal generation circuit | |
| JP2004328061A (en) | Optical amplifier circuit | |
| JP2006235991A (en) | Reference voltage generation circuit and drive circuit | |
| JP2006119758A (en) | Low-voltage operating circuit | |
| JP3063588B2 (en) | Photoelectric smoke detector | |
| JPH1173232A (en) | Current limiting circuit and voltage regulator | |
| JPH06140700A (en) | Semiconductor light emitting element drive circuit | |
| JP2537290B2 (en) | Driving circuit for semiconductor light emitting device | |
| JP4766605B2 (en) | smoke detector | |
| SU464899A1 (en) | Voltage stabilizer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041015 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041015 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061010 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20061116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |