JPH1124262A - サンドブラスト用下地材組成物及びこれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、バリアリブやプライミングリブの表
面の変色や絶縁抵抗値の低下を起こすことがないサンド
ブラスト用下地材組成物、該サンドブラスト用下地材組
成物を用いたＰＤＰの製造方法を提供すること。 【解決手段】（メタ）アクリル酸を必須成分とする線状
（メタ）アクリル共重合体のカルボキシル基の一部を熱
重合性基または熱架橋性基を有する化合物と反応させて
得た変性アクリル樹脂を含有することを特徴とするサン
ドブラスト用下地材組成物およびそれを用いたＰＤＰの
製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、サンドブラスト用下地
材組成物、およびこれを用いたプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法に関し、さらに詳しくは、耐サンドブラ
スト性感光性樹脂組成物のバリアリブやプライミングリ
ブ、蛍光体層や電極層への滲み込みを防止するサンドブ
ラスト用下地材組成物、およびこれを用いたプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、ガラス、大理石、プラスチック、陶
磁器、皮革、木質材等の基材の表面に図柄を形成する加
工方法としてサンドブラスト加工法が知られている。前
記加工法にあっては基材の表面にサンドブラストレジス
トを設け、レジストの露出部に研磨材等を吹き付けて選
択的に研削して図柄を形成している。特にサンドブラス
トレジストとして耐サンドブラスト性感光性樹脂を使用
し、ホトリソグラフィー手段によりサンドブラスト用マ
スクパターンを形成し、その露出部分に研磨材等を吹き
付ける加工法は微細加工ができるところから金属パター
ンと絶縁パターンが混在する回路基板の形成、特にプラ
ズマディスプレイの金属配線パターンやセラミック、蛍
光体等の絶縁パターンの形成に応用されている。前記感
光性樹脂組成物としては、耐サンドブラスト性に優れ、
サンドブラスト加工でマスクに損傷を与えず、しかもパ
ターン露光後に弱アルカリ水溶液で容易に現像ができ、
かつ配線パターンや絶縁パターンに損傷を与えず短絡を
生じることのない感光性樹脂組成物を選ぶ必要がある。
この要望に応える感光性樹脂組成物として、例えば特開
昭５５ー１０３５５４号公報には不飽和ポリエステル、
不飽和モノマー及び光重合開始剤を含有する感光性樹脂
組成物が、また特開平２ー６９７５４号公報にはポリビ
ニルアルコールとジアゾ樹脂からなる感光性樹脂組成物
が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、表示
装置としてＣＲＴディスプレイと同程度の発光輝度を有
し、構造が比較的簡単で大型化が容易である上に装置を
コンパクトにできるプラズマディスプレイパネル（以下
ＰＤＰという）が注目を集め開発されつつある。前記Ｐ
ＤＰは基材上にセル構造やライン構造をなすバリアリブ
やプライミングリブを形成し、そのセル内またはライン
間に蛍光体層や電極層を設け、放電ガスを封入した表示
素子を有するパネルであるが、該パネルのセル構造やラ
イン構造の製造方法としては、例えば特開平２−３０１
９３４号公報等にみるように低融点ガラスフリットなど
の無機粉末を主成分としこれに適当なビヒクルを添加し
た組成物を基板上に塗布、乾燥してペースト層とし、そ
の上に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層を設け、
それをリソグラフィー手段でセル画定用マスクパターン
に形成し、該マスクパターンを介してサンドブラスト処
理で露出部を研削する方法等が採用されている。ところ
が、前記公報等に記載のサンドブラスト方法で使用する
感光性樹脂組成物は液状であることが多く、その塗布、
乾燥において液状感光性組成物がセル構造やライン構造
をなすバリアリブやプライミングリブ、蛍光体層や電極
層に滲み込み、焼成しても分解、揮散せずにそのまま残
りバリアリブやプライミングリブ等を変色したり、ある
いは絶縁抵抗値を低下させたりするなどの欠点があっ
た。この欠点を解決する手段として液状感光性樹脂組成
物をドライフィルムとする方法が提案されたが、それで
も若干の滲み込みが発生する上に、膜厚によっては単位
面積当たりの感光性樹脂組成物の使用量が増加し、コス
ト高となり安価なＰＤＰの製造を困難にしていた。

【０００４】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を続けた結果、特定のアクリル樹脂をサンドブラスト
用下地材組成物として使用し、それの層を被処理体上に
形成しさらに耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物層を
設け、ホトリソグラフィー手段でマスクパターンに形成
し、その露出部分を研磨材で研削することで感光性樹脂
組成物が液状であってもバリアリブやプライミングリブ
等への滲み込みによる変色や絶縁抵抗値の低下がなく、
かつ金属配線パターンに対する影響が少なく、しかも安
価にＰＤＰを製造できることを見出して、本発明を完成
したものである。

【０００５】すなわち、本発明は、バリアリブやプライ
ミングリブ等を変色したり、絶縁抵抗値を低下すること
がなく、かつ金属配線パターンに対する影響が少ないサ
ンドブラスト用下地材組成物を提供することを目的とす
る。

【０００６】また、本発明は、上記サンドブラスト用下
地材組成物を用いたＰＤＰの製造方法を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（メタ）アクリル酸を必須成分とする線状（メ
タ）アクリル共重合体のカルボキシル基の一部を熱重合
性基または熱架橋性基を有する化合物と反応させて得た
変性アクリル樹脂を含有することを特徴とするサンドブ
ラスト用下地材組成物およびそれを用いたＰＤＰの製造
方法に係る。

【０００８】本発明のサンドブラスト用下地組材組成物
は上述のとおり変性アクリル樹脂を含有するが、該変性
アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸モノマーと（メ
タ）アクリル酸モノマー以外のエチレン性不飽和基を有
する化合物とを光重合開始剤の存在下で７０〜１２５℃
で１〜１５時間程度重合させて線状（メタ）アクリル共
重合体を得、その溶液にさらに熱重合性基または熱架橋
性基を有する化合物を温度４０〜１２５℃で滴下し、１
〜２４時間反応させて製造される。前記（メタ）アクリ
ル酸モノマーとしては、具体的にアクリル酸、メタクリ
ル酸が挙げられ、また（メタ）アクリル酸以外のエチレ
ン性不飽和基を有する化合物としては、メチルアクリレ
ート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルアクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルメタクリレート、グリセロ
ールアクリレート、グリセロールメタクリレート、アク
リル酸アミド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、２−エチルヘキシルアクリレ
ート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ベンジルア
クリレート、ベンジルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノアクリレート、エチレングリコールモノメタク
リレート、トリエチレングリコールモノアクリレート、
トリエチレングリコールモノメタクリレート、テトラエ
チレングリコールモノアクリレート、テトラエチレング
リコールモノメタクリレート、ブチレングリコールモノ
アクリレート、ブチレングリコールモノメタクリレー
ト、プロピレングリコールモノアクリレート、プロピレ
ングリコールモノメタクリレート等が挙げられる。前記
（メタ）アクリル酸以外のエチレン性不飽和基を有する
化合物は単独でもまた２種以上を混合して用いてもよ
い。

【０００９】上記線状（メタ）アクリル共重合体のカル
ボキシル基の一部を熱重合性基または熱架橋性基を有す
る化合物と反応させて変性アクリル樹脂とするが、前記
熱重合性基または熱架橋性基を有する化合物としてはグ
リシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステル；グリ
シジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、下記
構造式化１、２で示される脂環式グリシジル（メタ）ア
クリレート、

【００１０】

【化１】

【００１１】

【化２】 （ここでＲ₁は水素原子またはメチル基を表わし、Ｒ₂は
側鎖にアルキル基を有してもよい炭素数１〜５のアルキ
レン基を表わす。またｎは１〜５の整数を表わす。） ビニルイソシアネート化合物；ヒドロキシアルキル（メ
タ）アクレレートとジメチレンジイソシアネート、トリ
メチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシア
ネート、ペンタメチレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、ヘプタメチレンジイソシアネー
ト、２，２−ジメチルペンタン−１，５−ジイソシアネ
ート、オクタメチレンジイソシアネート、２，５−ジメ
チルヘキサン−１、６−ジイソシアネート、２，２，４
−トリメチルペンタン−１，５−ジイソシアネート、ノ
ナメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル
ヘキサンジイソシアネート、デカメチレンジイソシアネ
ートとの反応物、下記構造式化３で示される（メタ）ア
クリロイルオキシアルキルイソシアネート化合物

【００１２】

【化３】 （ここでＲ₃は水素原子またはメチル基を表わし、Ｒ₄は
側鎖にアルキル基を有してもよい炭素数１〜５のアルキ
レン基を表わす。）などが挙げられる。中でも、グリシ
ジルアクリレート、上記構造式化１、２で示される脂環
式グリシジル（メタ）アクリレート、ビニルイソシアネ
ート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート
が好ましく用いられる。前記熱重合性基または熱架橋性
基を有する化合物の反応率は線状（メタ）アクリル共重
合体のカルボキシル基の５〜１００モル％、好ましくは
５０〜１００モル％の範囲がよい。反応率が５モル％未
満では耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物との密着性
が低下し、また反応率が１００モル％を超えると耐サン
ドブラスト性感光性樹脂組成物の塗布において溶剤や感
光性樹脂の浸透が起ることがあり好ましくない。

【００１３】上記変性アクリル樹脂の重量平均分子量は
５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜
１００，０００の範囲がよく、また、その酸価は０〜２
５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、好ましくは０〜１５０ｍｇＫＯＨ
／ｇの範囲がよい。前記重量平均分子量が５，０００未
満では下地組材成物の被膜形成能が悪く、また重量平均
分子量が５００，０００を超えると均一な膜厚を有する
下地層を形成できないことがある。さらに、酸価が２５
０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると柔軟性が低下したり、ある
いは耐サンドブラスト性を有する感光性樹脂組成物との
密着性が低下し、現像時に耐サンドブラスト性感光性樹
脂組成物の剥がれが発生し好ましくない。

【００１４】本発明のサンドブラスト用下地材組成物は
用途に応じて、液状のまま基材の上に塗布するか、基材
の上にスクリーン印刷するか、またはドライフィルムと
して貼着するかなどの態様で使用される。使用溶剤とし
ては、具体的にエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエー
テル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
ジプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコー
ルジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレング
リコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテ
ート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルア
セテート、２−メトキシブチルアセテート、３−メトキ
シブチルアセテート、４−メトキシブチルアセテート、
２−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチ
ル−３−メトキシブチルアセテート、３−エチル−３−
メトキシブチルアセテート、２−エトキシブチルアセテ
ート、４−エトキシブチルアセテート、４−プロポキシ
ブチルアセテート、２−メトキシペンチルアセテート、
３−メトキシペンチルアセテート、４−メトキシペンチ
ルアセテート、２−メチル−３−メトキシペンチルアセ
テート、３−メチル−３−メトキシペンチルアセテー
ト、３−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、４
−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、アセト
ン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、エチルイソブチルケトン、テトラヒドロ
フラン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸イソプロピル、２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシ−２−メチル−３−メトキシプロピオネ
ート、エチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−
３−エトキシプロピオネート、エチル−３−プロポキシ
プロピオネート、プロピル−３−メトキシプロピオネー
ト、イソプロピル−３−メトキシプロピオネート、エト
キシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−
３−メチルブタン酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、
乳酸プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル、乳酸イ
ソアミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢
酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、炭酸メ
チル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビ
ン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、
ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテ
ル、ジヘキシルエーテル、酢酸ベンジル、安息香酸エチ
ル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチ
ロラクトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘ
キサノン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等を
挙げることができる。前記溶剤は単独でもまた２種以上
を混合して用いてもよい。

【００１５】特に、電子部品の製造など精密加工を必要
とする技術分野では前記サンドブラスト用下地材組成物
を可撓性支持フィルム上に塗布しその上に離型フィルム
を配したドライフィルムがよい。前記ドライフィルムの
使用により精密な位置合わせが容易となり精度の高い研
削が実現できる。

【００１６】上記ドライフィルムの例を図１〜３に示
す。図１〜３において、１は可撓性支持フィルムであり
その上に本発明のサンドブラスト用下地材組成物が塗布
され、サンドブラスト用下地材組成物層３が形成されこ
の上に離型フィルム２が被着されて一体化されている。
前記サンドブラスト用下地材組成物層３と支持フィルム
１との間には図２に示すように被処理体層４を設けて
も、また図３に示すようにさらに離型フィルム２とサン
ドブラスト用下地材組成物層３との間に被処理体層４を
設け、サンドブラスト用下地材組成物層３と支持フィル
ム１との間に耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物層５
を設けてもよい。

【００１７】上記可撓性支持フィルム１は本発明のサン
ドブラスト用下地材組成物層３を支持する層であるとこ
ろから、膜厚１５〜１２５μｍのフィルムがよい。前記
フィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネー
ト、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂フィルムを挙げること
ができる。特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムは可撓性、腰の点から好ましい。サンドブラス
ト用下地材組成物層３は、サンドブラスト用下地材組成
物を前述の溶剤に溶解した溶液を塗布して形成するのが
よい。

【００１８】また、離型フィルム２は、未使用時にサン
ドブラスト用下地材組成物層３を安定に保護するが、使
用時に容易に剥離できるフィルムが好ましい。前記離型
フィルムとしては、ＰＥＴ、ポリエチレン、ポリプロピ
レン等のフィルムが挙げられるが、シリコーンをコーテ
ィングまたは焼き付けした厚さ１５〜１２５μｍ程度の
ＰＥＴフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンフィルム等が好適である。

【００１９】次に、本発明のサンドブラスト用下地材組
成物を用いたＰＤＰの製造方法を具体的に述べる。

【００２０】（ｉ）被処理体の形成 ガラス等の基板上に無機粉末とビヒクルとを分散した塗
布液を塗布、乾燥して無機ペースト層を形成する。本発
明の被処理体とは前記無機ペースト層を有する基体のこ
とをいう。無機粉末としては、ホウ酸鉛ガラス、ホウ酸
亜鉛ガラスなどＳｉ、Ｂ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ等の各種酸化物からなるガ
ラス類、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ニッ
ケル、酸化銅、酸化マンガン、酸化ネオジウム、酸化バ
ナジウム、酸化セリウム、チペークイエロー、酸化カド
ミウム、アルミナ、シリカ、マグネシア、スピネル、Ｙ
₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ、ＣａＷＯ₄：Ｐｂ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ
₂₃：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ａｇ，Ｃｄ）、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ
₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｅｕ、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）
₂：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、
ＧｄＢＯ₃：Ｅｕ、ＳｃＢＯ₃：Ｅｕ、ＬｕＢＯ₃：Ｅ
ｕ、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、Ｓｒ
Ａｌ₁₃Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＣａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：
Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎ、ＬｕＢＯ₃：Ｔｂ、
ＧｄＢＯ₃：Ｔｂ、ＳｃＢＯ₃：Ｔｂ、Ｓｒ₆Ｓｉ₃Ｏ₃Ｃ
ｌ₄：Ｅｕ、ＺｎＯ：Ｚｎ、ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ）、
ＺｎＳ：Ａｇ、Ｙ₂Ｏ₃Ｓ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｚｎ、（Ｙ，
Ｃｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ₁₂Ｏ₂₃：Ｅｕ等の蛍
光物質、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金等の
導電性粒子が挙げられ、またビヒクルとしては、セルロ
ース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチル
セルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセ
ルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチル
セルロース、カルボキシメチルエチルセルロース等の高
分子化合物や線状（メタ）アクリル共重合体が挙げられ
る。

【００２１】（ｉｉ）下地材層の形成 上記被処理体上にサンドブラスト用下地材組成物の塗布
液をアプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコー
ター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用
いて乾燥膜厚１〜２０μｍとなるように塗布するか、ま
たはサンドブラスト用下地材組成物をドライフィルムに
し、離型フィルムを剥がして被処理体上に貼り付け、支
持体フィルムを除去したのち、１２０〜２２０℃に加熱
し熱重合または熱架橋させて下地材層を形成する。特に
ドライフィルムの使用においては予め被処理体を加熱し
て置き、それに離型フィルムを剥がしたサンドブラスト
用下地材組成物を押し当て押圧し、熱圧着するのがよ
い。

【００２２】（ｉｉｉ）耐サンドブラスト用感光性樹脂
組成物層の形成 上記下地材層の上に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成
物溶液をアプリケーター、バーコーター、ロールコータ
ー、カーテンフローコーター、スクリーン印刷等を用い
て乾燥膜厚１０〜１００μｍとなるように塗布し、乾燥
して感光性樹脂組成物層を形成する。次いで所定のマス
クパターンを備えたマスクを密着させ、マスクパターン
の上から活性光線を照射して露光、現像して所定のサン
ドブラスト用マスクパターンを形成する。前記耐サンド
ブラスト用感光性樹脂組成物としては、特開平９−１２
７６９２号公報に記載する少なくとも２個以上のアクリ
ロイル基又はメタクリロイル基を有する光重合可能なウ
レタン（メタ）アクリレート化合物、酸価が５０〜２５
０ｍｇＫＯＨ／ｇのアルカリ可溶性高分子化合物及び光
重合開始剤、さらに必要に応じて有機溶剤に可溶で光照
射によりルイス酸を発生するルイス酸塩を含有する感光
性樹脂組成物が好適である。前記公報記載の感光性樹脂
組成物で形成した被膜は弾性、柔軟性が高く、アルカリ
現像性に優れている上に、被処理体への密着性がよく、
しかも高い耐サンドブラスト性を示し、かつ静電気の帯
電による放電がない。前記少なくとも２個以上のアクリ
ロイル基又はメタクリロイル基を有する光重合可能なウ
レタン（メタ）アクリレート化合物としては、ジオール
化合物とジイソシアネート化合物とが反応した末端イソ
シアネート基（−ＮＣＯ基）を有する化合物と、ヒドロ
キシル基を有する（メタ）アクリレート化合物との反応
生成物がよい。また、アルカリ可溶性高分子化合物とし
てはアクリル酸又はメタクリル酸の共重合体を必須成分
とする線状（メタ）アクリル酸エステル共重合体、カル
ボキシル基含有セルロース樹脂等が好適である。前記ア
ルカリ可溶性高分子化合物の酸価は５０〜２５０ｍｇＫ
ＯＨ／ｇ、好ましくは８０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇの範
囲がよい。酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満では現像不良
を起こすことがあり、また、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超
えると、柔軟性がなくなるとともに耐水性に劣るように
なる。

【００２３】さらに、光重合開始剤としては、１−ヒド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメト
キシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチ
ル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフ
ォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチ
ルアミノ−１−（４−モリフォリノフェニル）−ブタン
−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニ
ルプロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾ
イルジフェニルホスフィンオキシド、１−［４−（２−
ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−プロパン−１−オン、２，４−ジエチル
チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−
ジメチルチオキサントン、３，３−ジメチル−４−メト
キシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、１−クロロ−４
−プロポキシチオキサントン、１−（４−イソプロピル
フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１
−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロパン−１−オン、４−ベンゾイル−
４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ
安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジ
メチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息
香酸ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−エチル
ヘキシル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−イソアミ
ル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメ
チルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセター
ル、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ
−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息
香酸メチル、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケト
ン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、
４，４’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ル、ベンゾインブチルエーテル、ｐ−ジメチルアミノア
セトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセト
フェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、α，
α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、ペンチ
ル−４−ジメチルアミノベンゾエート等を挙げることが
できる。前記化合物は単独でもまた２種以上を混合して
用いることができる。

【００２４】上記に加えて、感度を向上させ、現像時の
膜減りや膨潤を防ぐため必要に応じて光重合性単量体を
含有することができるが、前記光重合性単量体として
は、アクリル酸、メタクリル酸、フマル酸、マレイン
酸、フマル酸モノメチル、フマル酸モノエチル、２−ヒ
ドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、エチレングリコールモノメチルエーテル
アクリレート、エチレングリコールモノメチルエーテル
メタクリレート等の単官能モノマー、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアク
リレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレ
ート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタ
エリトリトールトリメタクリレート、ペンタエリトリト
ールテトラアクリレート、ペンタエリトリトールテトラ
メタクリレート、ジペンタエリトリトールペンタアクリ
レート等の多官能モノマーを挙げることができる。これ
らの化合物の単独又は２種以上を混合して使用できる。
この他に被処理体に使用されている無機粉末を含有させ
てもよい。

【００２５】露光に使用する活性光線の光源としては、
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キ
セノンランプ等が挙げられ、また、露光をネガマスクを
介さずアルゴンレーザー、ＹＡＧ−ＳＨＧレーザー、Ｕ
Ｖレーザーなどにより直接描画露光することもできる。

【００２６】上記耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物
層の未露光部分を現像により除去しマスクパターンを形
成するが、使用する現像液としては、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、カルシウム等のアルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、重炭酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベン
ジルアミン、ブチルアミン等の第１級アミン、ジメチル
アミン、ジベンジルアミン、ジエタノールアミン等の第
２級アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リエタノールアミン等の第３級アミン、モルホリン、ピ
ペラジン、ピリジン等の環状アミン、エチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン等のポリアミン、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルベンジル
アンモニウムヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシ
ド類、トリメチルスルホニウムヒドロキシド、ジエチル
メチルスルホニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルス
ルホニウムヒドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド
類からなる水溶液やコリン、ケイ酸塩含有緩衝液など汎
用のアルカリ現像液が好適に用いられる。

【００２７】（ｉｖ）ＰＤＰの製造 上記マスクパターンを形成したのちブラスト材を吹き付
け、露出部分を選択的に研削除去してバリアリブやプラ
イミングリブ、蛍光体層や電極層を形成する。使用する
ブラスト材としては、ガラスビーズ、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、有機プラスチック材等の２〜
５００μｍ程度の微粒子が挙げられる。そしてブラスト
処理後は、残存する下地材層、耐サンドブラスト性感光
性樹脂組成物層を焼成消失させるか、または剥離液で除
去しセル構造やライン構造を有するＰＤＰに製造する。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。

【００２９】

【実施例】

実施例１ （ｉ）サンドブラスト用下地材組成物の調製 アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエ
チルメタクリレート（重量比３０／６０／３０）共重合
体１００重量部にグリシジルメタクリレート６０重量部
を反応させて得た変性アクリル樹脂（重量平均分子量約
２０，０００、酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ）１００重量部を
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶
剤と混合攪拌して、サンドブラスト用下地材組成物を調
製した。

【００３０】（ｉｉ）耐サンドブラスト性感光性樹脂組
成物の調製 下記（１）〜（８）の化合物を混練して耐サンドブラス
ト性感光性樹脂組成物を調製した。 （１）カルボキシル基含有ウレタンアクリレート溶液 （「ＫＲＭ７２２２」ダイセル化学社製：重量平均 分子量１０，０００，酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 酢酸エチル溶剤２０％含有） ３５重量部 （２）カルボキシル基含有ウレタンアクリレート溶液 （「紫光ＵＴ−２３１３」日本合成化学社製：重量平均 分子量約２０，０００，酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 酢酸エチル溶剤２０％含有） ３２重量部 （３）セルロースアセテートフタレート（「ＫＣ−７１」 和光純薬社製：酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 メチルエチルケトン溶剤７５％含有） ３０重量部 （４）２，４−ジエチルチオキサントン ２重量部 （５）４−ジメチルアミノ安息香酸−２−イソアミル １重量部 （６）ジメチルベンジルケタール ０．０５重量部 （７）（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル ［（１，２，３，４，５，６−η）−（１−メチル エチル）ベンゼン］−アイアン（１＋）−ヘキサ フルオロホスフェート（１−） ０．１重量部 （８）酢酸エチル ３０重量部

【００３１】上記調製したサンドブラスト用下地材組成
物をスピンナーを用いて、電極パターンを覆ったホウ珪
酸鉛ガラスフリット層（バリアリブ）が設けられたＰＤ
Ｐ基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるように塗布し、
１５０℃で２０分間乾燥及び熱重合硬化させた。次いで
耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物の溶液を乾燥後の
膜厚が３０μｍとなるように塗布、乾燥し、ネガマスク
を介して超高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ²のエネ
ルギー量で照射し露光した。しかる後、０．２％炭酸ナ
トリウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー
圧で６０秒間スプレー現像し、水洗した後、８０℃で１
０分間乾燥し、マスクパターンを形成した。マスクパタ
ーンを目視観察したが、パターンに欠けや剥がれ等がみ
られなかった。

【００３２】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。残存耐サ
ンドブラスト性感光性樹脂組成物層をトリエタノールア
ミン１０重量％水溶液からなる剥離液で除去した。ＰＤ
Ｐ基板上およびホウ珪酸鉛ガラスフリットパターンには
剥離残りがみられず、またホウ珪酸鉛ガラスフリットの
パターンに欠けや剥がれも全くみられなかった。

【００３３】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５８０℃の温度で３時間焼成したところ、サン
ドブラスト用下地材組成物は完全に分解、揮散しバリア
リブの表面を変色することがなく、かつ絶縁抵抗値の低
下もなかった。

【００３４】実施例２ アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエ
チルアクリレート（重量比４０／５０／３０）共重合体
１００重量部に２−メタクリロイルオキシエチルイソシ
アネート５０重量部を反応させて得た変性アクリル樹脂
（重量平均分子量約５，０００、酸価７８ｍｇＫＯＨ／
ｇ）１００重量部をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートと混合攪拌して、サンドブラスト用下
地材組成物を調製した。

【００３５】上記サンドブラスト用下地材組成物をスピ
ンナーを用いて、電極パターンを覆ったホウ珪酸鉛ガラ
スフリット層（バリアリブ）が設けられたプラズマディ
スプレイパネル基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるよ
うに塗布し、１８０℃で１５分間熱重合硬化させた。次
いで実施例１の耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物溶
液を乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗布、乾燥
し、ネガマスクを介して超高圧水銀灯により１５０ｍＪ
／ｃｍ²のエネルギー量で照射し露光した後、０．２％
炭酸ナトリウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のス
プレー圧で６０秒間スプレー現像し、水洗し、８０℃で
１０分間乾燥し、マスクパターンを形成した。マスクパ
ターンを目視観察したが、パターンに欠けや剥がれ等が
みられなかった。

【００３６】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。その後、
残存耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層をモノエタ
ノールアミン６重量％水溶液からなる剥離液で除去し
た。ＰＤＰ基板上およびホウ珪酸鉛ガラスフリットパタ
ーンには剥離残りがみられず、またホウ珪酸鉛ガラスフ
リットのパターンにも欠けや剥がれが全くみれなかっ
た。

【００３７】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５５０℃の温度で３時間焼成したところ、サン
ドブラスト用下地材組成物は完全に分解、揮散しバリア
リブを変色することがなく、かつ絶縁抵抗値の低下もな
かった。

【００３８】実施例３ （ｉ）サンドブラスト用下地材組成物の調製 アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエ
チルメタクリレート（重量比５０／５０／３０）共重合
体１００重量部に構造式化４で示される脂環式グリシジ
ルメタクリレート化合物

【００３９】

【化５】 ４０重量部を反応させて得た変性アクリル樹脂（重量平
均分子量約２２，０００、酸価１６０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
１００重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート溶剤と混合攪拌して、サンドブラスト用下
地材組成物を調製した。

【００４０】上記調製したサンドブラスト用下地材組成
物をスピンナーを用いて、電極パターンを覆ったホウ珪
酸鉛ガラスフリット層（バリアリブ）が設けられたＰＤ
Ｐ基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるように塗布し、
１５０℃で２０分間乾燥及び熱重合硬化させた。次いで
実施例１で調製した耐サンドブラスト性感光性樹脂組成
物の溶液を乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように塗布、
乾燥した。ついでネガマスクを介して超高圧水銀灯によ
り２００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量で照射し露光し
た。しかる後、０．２％炭酸ナトリウム水溶液を用いて
１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧で６０秒間スプレー現
像した。水洗後、８０℃で１０分間乾燥し、マスクパタ
ーンを形成した。マスクパターンを目視観察したが、パ
ターンに欠けや剥がれ等がみられなかった。

【００４１】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。残存耐サ
ンドブラスト性感光性樹脂組成物層をトリエタノールア
ミン１０重量％水溶液からなる剥離液で除去した。ＰＤ
Ｐ基板上及びホウ珪酸鉛ガラスフリットパターンには剥
離残りがみられず、またホウ珪酸鉛ガラスフリットのパ
ターンに欠けや剥がれも全くみられなかった。

【００４２】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５８０℃の温度で３時間焼成したところ、サン
ドブラスト用下地材組成物は完全に分解、揮散しバリア
リブの表面を変色することがなく、かつ絶縁抵抗値の低
下もなかった。

【００４３】実施例４ （ｉ）サンドブラスト用下地材組成物の調製 アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエ
チルメタクリレート（重量比４０／５０／３０）共重合
体１００重量部にビニルイソシアネート２０重量部を反
応して得た変性アクリル樹脂（重量平均分子量約７，０
００、酸価７４ｍｇＫＯＨ／ｇ）１００重量部をプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤と混
合攪拌して、サンドブラスト用下地材組成物を調製し
た。

【００４４】上記調製したサンドブラスト用下地材組成
物をスピンナーを用いて、電極パターンを覆ったホウ珪
酸鉛ガラスフリット層（バリアリブ）が設けられたＰＤ
Ｐ基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるように塗布し、
１５０℃で２０分間乾燥及び熱重合硬化させた。次いで
実施例１で調製した耐サンドブラスト性感光性樹脂組成
物の溶液を乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗布、
乾燥した。ついでネガマスクを介して超高圧水銀灯によ
り１５０ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量で照射し露光し
た。しかる後、０．２％炭酸ナトリウム水溶液を用いて
１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧で６０秒間スプレー現
像した。水洗後、８０℃で１０分間乾燥し、マスクパタ
ーンを形成した。マスクパターンを目視観察したが、パ
ターンに欠けや剥がれ等がみられなかった。

【００４５】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。残存耐サ
ンドブラスト性感光性樹脂組成物層をトリエタノールア
ミン１０重量％水溶液からなる剥離液で除去した。ＰＤ
Ｐ基板上及びホウ珪酸鉛ガラスフリット層には剥離残り
がみられず、またホウ珪酸鉛ガラスフリットのパターン
に欠けや剥がれも全くみられなかった。

【００４６】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５８０℃の温度で３時間焼成したところ、サン
ドブラスト用下地材組成物は完全に分解、揮散しバリア
リブの表面を変色することがなく、かつ絶縁抵抗値の低
下もなかった。

【００４７】実施例５ 厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上にホウ珪酸鉛ガラスフ
リット１５０重量部、セルロースアセテートフタレート
２０重量部およびプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート４０重量部をよく攪拌、混合して調製し
たガラスペースト組成物を、ダイコーターを用いて乾燥
後の膜厚が１５０μｍとなるように塗布、乾燥してホウ
珪酸鉛ガラスフリット層を形成した。次いでホウ珪酸鉛
ガラスフリット層の上に実施例１で調製したサンドブラ
スト用下地材組成物をワイヤーバーコーターを用いて乾
燥後の膜厚が３μｍとなるように塗布し、１５０℃で２
０分間乾燥及び熱重合硬化した。さらにその上に実施例
１の耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物溶液を乾燥後
の膜厚が４０μｍとなるように塗布、乾燥してドライフ
ィルムを作成した。得られたドライフィルムのホウ珪酸
鉛ガラスフリット層側のＰＥＴ剥離フィルムを剥がし、
電極パターンが設けられているＰＤＰ基板上に貼り合わ
せた。次いで耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物側の
ＰＥＴ支持フィルムを剥がし、ネガマスクを介して超高
圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量で照
射し露光した後、０．２％炭酸ナトリウム水溶液を用い
て１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧で６０秒間スプレー
現像し、水洗し、８０℃で１０分間乾燥し、マスクパタ
ーンを形成した。マスクパターンを目視観察したが、パ
ターンには欠けや剥がれ等はみられなかった。

【００４８】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。その後、
残存耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層をトリエタ
ノールアミン１０重量％水溶液からなる剥離液で除去し
た。プラズマディスプレイパネル基板上およびホウ珪酸
鉛ガラスフリットパターンには剥離残りがみられず、ま
たホウ珪酸鉛ガラスフリットのパターンに欠けや剥がれ
は全くみられなかった。

【００４９】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５５０℃の温度で３時間焼成したところ、サン
ドブラスト用下地材組成物は完全に分解、揮散しバリア
リブの変色がなく、かつ絶縁抵抗値の低下もなかった。

【００５０】実施例６ （ｉ）耐サンドブラスト性感光性樹脂ペースト組成物の
調製 下記（１）〜（９）の化合物を混練して耐サンドブラス
ト性感光性樹脂のペースト組成物を調製した。 （１）カルボキシル基含有ウレタンアクリレート溶液 （「ＫＲＭ７２２２」ダイセル化学社製：重量平均 分子量１０，０００，酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 酢酸エチル溶剤２０％含有） １５重量部 （２）カルボキシル基含有ウレタンアクリレート溶液 （「紫光ＵＴ−２３１３」日本合成化学社製：重量平均 分子量約２０，０００，酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 酢酸エチル溶剤２０％含有） １０重量部 （３）セルロースアセテートフタレート（「ＫＣ−７１」 和光純薬社製：酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、 メチルエチルケトン溶剤７５％含有） ３５重量部 （４）２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニル ホスフィンオキシド ２重量部 （５）テトラエチレングリコールジアクリレート ５重量部 （６）ジメチルベンジルケタール ０．００５重量部 （７）（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル ［（１，２，３，４，５，６−η）−（１−メチル エチル）ベンゼン］−アイアン（１＋）−ヘキサ エチル）ベンゼン］−アイアン（１＋）−ヘキサ フルオロホスフェート（１−） ０．１重量部 （８）ホウ珪酸鉛ガラスフリット １８０重量部 （９）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ５０重量部

【００５１】実施例１で調製したサンドブラスト用下地
材組成物をスピンナーを用いて、電極パターンを覆った
ホウ珪酸鉛ガラスフリット層（バリアリブ）が設けられ
たＰＤＰ基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるように塗
布し、１５０℃で２０分間乾燥及び熱重合硬化させた。
次いで上記調製した耐サンドブラスト性感光性樹脂組成
物のペースト組成物を乾燥後の膜厚が４０μｍとなるよ
うにバーコーターを用い塗布、乾燥し、ネガマスクを介
して超高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で照射し露光した。しかる後、０．２％炭酸ナトリ
ウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧で
６０秒間スプレー現像した。水洗後、８０℃で１０分間
乾燥し、マスクパターンを形成した。マスクパターンを
目視観察したが、パターンに欠けや剥がれ等がみられな
かった。

【００５２】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。その後、
パターンニングされた基板を電気炉中に入れ、５８０℃
の温度で３時間焼成処理を行った。残存していた耐サン
ドブラスト性感光性樹脂組成物及び耐サンドブラスト性
感光性樹脂のペースト組成物の有機成分は完全に分解、
揮散し、下層のホウ珪酸鉛ガラスフリット層と、耐サン
ドブラスト性感光性樹脂のペースト組成物のホウ珪酸鉛
ガラスフリット層が一体化しバリアリブを形成すること
ができた。バリアリブは変色することなく、かつ絶縁抵
抗値を低下させることもなかった。

【００５３】比較例１ 実施例１において電極パターンを覆ったホウ珪酸鉛ガラ
スフリット層（バリアリブ）が設けられたプラズマディ
スプレイパネル基板上にサンドブラスト用下地材組成物
を設けずに耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物溶液を
乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように塗布、乾燥した。
次いでネガマスクを介して超高圧水銀灯により３００ｍ
Ｊ／ｃｍ²のエネルギー量で照射し露光した。しかる
後、０．２％炭酸ナトリウム水溶液を用いて１．５ｋｇ
／ｃｍ²のスプレー圧で６０秒間スプレー現像し、水洗
し、８０℃で１０分間乾燥し、さらに超高圧水銀灯を用
いて２００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を全面照射し、マスク
パターンを形成した。

【００５４】得られたマスクパターンを介してＳｉＣ＃
８００の研磨材をブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サ
ンドブラスト処理し、ホウ珪酸鉛ガラスフリット層を１
５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。その後、
残存耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層をモノエタ
ノールアミン６重量％水溶液からなる剥離液で処理し除
去した。ＰＤＰ基板上のバリアリブに耐サンドブラスト
性感光性樹脂組成物溶液が滲み込み切削ムラがかなりみ
られた。

【００５５】上記パターンニングされた基板を電気炉中
に入れ、５５０℃の温度で３時間焼成したが、バリアリ
ブの表面に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物の燃え
残りによる変色がみられ、部分的に絶縁抵抗値の変化が
みられた。

【００５６】

【発明の効果】本発明のサンドブラスト用下地材組成物
を耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層の下地材層と
して形成することで、ＰＤＰのバリアリブやプライミリ
ングリブ等に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物溶液
の滲み込による変色や絶縁抵抗値の低下が全くなく，か
つ金属配線パターンに対する耐サンドブラスト性感光性
樹脂組成物の影響の少ない高品質のＰＤＰが製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサンドブラスト用下地材組成物ドライ
フィルムの断面拡大図である。

【図２】被処理体層を設けた本発明のサンドブラスト用
下地材組成物ドライフィルムの断面拡大図である。

【図３】被処理体層と耐サンドブラスト用感光性樹脂組
成物層を設けた本発明のサンドブラスト用下地材組成物
ドライフィルムの断面拡大図である。

【符号の説明】

１ 支持フィルム ２ 離型フィルム ３ サンドブラスト用下地材組成物層 ４ 被処理体層 ５ 耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 33/02 Ｃ０８Ｌ 33/02 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１ 7/11 7/11 7/40 ５２１ 7/40 ５２１ Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ // Ｃ０８Ｆ 8/14 Ｃ０８Ｆ 8/14 8/30 8/30 20/40 20/40

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（メタ）アクリル酸を必須成分とする線状
   （メタ）アクリル共重合体のカルボキシル基の一部を熱
   重合性基または熱架橋性基を有する化合物と反応させて
   得た変性アクリル樹脂を含有することを特徴とするサン
   ドブラスト用下地材組成物。
2. 【請求項２】熱重合性基または熱架橋性基を有する化合
   物がグリシジル（メタ）アクリレートまたは脂環式グリ
   シジル（メタ）アクリレートから選ばれた少なくとも１
   種であることを特徴とする請求項１記載のサンドブラス
   ト用下地材組成物。
3. 【請求項３】熱重合性基または熱架橋性基を有する化合
   物がビニルイソシアネートまたは（メタ）アクリロイル
   オキシアルキルイソシアネートから選ばれた少なくとも
   １種であることを特徴とする請求項１記載のサンドブラ
   スト用下地材組成物。
4. 【請求項４】変性アクリル樹脂の重量平均分子量が５，
   ０００〜５００，０００、熱重合性基または熱架橋性基
   を有する化合物の反応率が５〜１００モル％、酸価が０
   〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする請求項
   １ないし３のいずれかに記載のサンドブラスト用下地材
   組成物。
5. 【請求項５】被処理体上に請求項１ないし４のいずれか
   に記載のサンドブラスト用下地材組成物からなる層を設
   け、その上に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層を
   形成し活性エネルギー線を選択的に照射して露光、現像
   してサンドブラスト用マスクパターンとしたのち、サン
   ドブラスト処理して被処理体を選択的に研削することを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 【請求項６】サンドブラスト用下地材組成物層及び／ま
   たは耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層の形成をド
   ライフィルムの貼り付けで行うことを特徴とする請求項
   ５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。