JPH1124272A - 放射線感光材料及びパターン形成方法 - Google Patents
放射線感光材料及びパターン形成方法Info
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- JPH1124272A JPH1124272A JP9174919A JP17491997A JPH1124272A JP H1124272 A JPH1124272 A JP H1124272A JP 9174919 A JP9174919 A JP 9174919A JP 17491997 A JP17491997 A JP 17491997A JP H1124272 A JPH1124272 A JP H1124272A
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- radiation
- sensitive material
- copolymer
- photoresist film
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＫｒＦレーザやＡｒＦレーザを用いたリソグ
ラフィーにおいて、高解像のパターニングが可能なネガ
型シリル化プロセスを構築しうる放射線感光材料、及び
この放射線感光材料を用いたパターン形成方法を提供す
る。 【解決手段】 被加工対象物上に、光照射により酸を生
じる光酸発生剤と、一般式 【化５７】 で示される共重合体よりなる放射線感光材料を塗布して
フォトレジスト膜を形成する工程と、所定のパターンを
露光する工程と、露光したフォトレジスト膜を有する被
加工対象物をベーク工程と、シリル化剤に曝し、露光さ
れた領域のフォトレジスト膜をシリル化する工程と、シ
リル化された領域をマスクとしてシリル化されていない
領域のフォトレジスト膜を除去する工程とによりレジス
トパターンを形成する。
ラフィーにおいて、高解像のパターニングが可能なネガ
型シリル化プロセスを構築しうる放射線感光材料、及び
この放射線感光材料を用いたパターン形成方法を提供す
る。 【解決手段】 被加工対象物上に、光照射により酸を生
じる光酸発生剤と、一般式 【化５７】 で示される共重合体よりなる放射線感光材料を塗布して
フォトレジスト膜を形成する工程と、所定のパターンを
露光する工程と、露光したフォトレジスト膜を有する被
加工対象物をベーク工程と、シリル化剤に曝し、露光さ
れた領域のフォトレジスト膜をシリル化する工程と、シ
リル化された領域をマスクとしてシリル化されていない
領域のフォトレジスト膜を除去する工程とによりレジス
トパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線感光材料及
びその放射線感光材料を用いたパターン形成方法に関す
る。
びその放射線感光材料を用いたパターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の更なる高集積化・微細化に
伴い、ハーフミクロン以下の微細加工技術の確立が望ま
れている。微細パターンの形成には、薄膜を形成した被
処理基板上をレジストで被覆し、選択露光を行った後に
現像してレジストパターンを作り、これをマスクとして
ドライエッチングを行い、その後にレジストを除去する
ことにより所望のパターンを得るリソグラフィー（写真
食刻）技術の使用が必須である。
伴い、ハーフミクロン以下の微細加工技術の確立が望ま
れている。微細パターンの形成には、薄膜を形成した被
処理基板上をレジストで被覆し、選択露光を行った後に
現像してレジストパターンを作り、これをマスクとして
ドライエッチングを行い、その後にレジストを除去する
ことにより所望のパターンを得るリソグラフィー（写真
食刻）技術の使用が必須である。
【０００３】従来より、より微細なパターンを形成する
ために、主として露光光源の波長を短くすることが行わ
れている。しかしながら、露光波長の短波長化よってま
すます反射が強くなる問題も生じており、反射を防止し
つつ解像度を高めうるプロセス技術の確立が望まれてい
た。反射を防止するプロセス技術としては、放射線感光
材料をシリル化する方法が知られている。
ために、主として露光光源の波長を短くすることが行わ
れている。しかしながら、露光波長の短波長化よってま
すます反射が強くなる問題も生じており、反射を防止し
つつ解像度を高めうるプロセス技術の確立が望まれてい
た。反射を防止するプロセス技術としては、放射線感光
材料をシリル化する方法が知られている。
【０００４】シリル化技術とは、露光領域又は未露光領
域のいずれかの領域のフォトレジスト膜表面をシリル化
し、シリル化した領域のフォトレジスト膜をマスクとし
て他の領域のフォトレジスト膜をドライ現像にて除去す
る方法である。シリル化技術は、下地のレジスト層が基
板上の段差の平坦化層として働き、レジスト表面付近の
みでの反応を利用しているために、基板の段差、反射率
の違い、光の干渉の影響を受けにくい。これにより、反
射の防止、解像度の向上をも図ることが可能となる。
域のいずれかの領域のフォトレジスト膜表面をシリル化
し、シリル化した領域のフォトレジスト膜をマスクとし
て他の領域のフォトレジスト膜をドライ現像にて除去す
る方法である。シリル化技術は、下地のレジスト層が基
板上の段差の平坦化層として働き、レジスト表面付近の
みでの反応を利用しているために、基板の段差、反射率
の違い、光の干渉の影響を受けにくい。これにより、反
射の防止、解像度の向上をも図ることが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】シリル化技術には、ネ
ガ型及びポジ型が必要とされている。しかしながら、Ｋ
ｒＦレーザやＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーに適
用しうる高解像度のネガ型放射線感光材料は見出されて
いなかった。ＫｒＦリソグラフィーに従来のｉ線用ノボ
ラック樹脂系ポジレジストを用いたネガ型シリル化プロ
セスが提案されているが、このレジストは、１００ｍＪ
／ｃｍ2以上の露光量が必要とされる低感度のものであ
り、ＫｒＦレーザを用いた微細なレジストパターンの形
成には向いていなかった。また、ＡｒＦレーザに対して
は吸収が強すぎるため、露光部と未露光部との十分なコ
ントラスト差を得ることはできなかった。
ガ型及びポジ型が必要とされている。しかしながら、Ｋ
ｒＦレーザやＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーに適
用しうる高解像度のネガ型放射線感光材料は見出されて
いなかった。ＫｒＦリソグラフィーに従来のｉ線用ノボ
ラック樹脂系ポジレジストを用いたネガ型シリル化プロ
セスが提案されているが、このレジストは、１００ｍＪ
／ｃｍ2以上の露光量が必要とされる低感度のものであ
り、ＫｒＦレーザを用いた微細なレジストパターンの形
成には向いていなかった。また、ＡｒＦレーザに対して
は吸収が強すぎるため、露光部と未露光部との十分なコ
ントラスト差を得ることはできなかった。
【０００６】また、ｔ−ＢＯＣ化ビニルフェノールを用
いた放射線感光材料のシリル化も試みられている（例え
ば、Chem. Mater.1991, 3, p.435）。しかしながら、Ａ
ｒＦレーザを用いた場合には架橋反応が先行する可能性
があり、十分なシリル化選択性を得ることはできない。
このように、従来の放射線感光材料では、その特性が十
分ではなく、ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザを用いたリソ
グラフィーに適用しうるネガ型シリル化プロセスを構築
できなかった。
いた放射線感光材料のシリル化も試みられている（例え
ば、Chem. Mater.1991, 3, p.435）。しかしながら、Ａ
ｒＦレーザを用いた場合には架橋反応が先行する可能性
があり、十分なシリル化選択性を得ることはできない。
このように、従来の放射線感光材料では、その特性が十
分ではなく、ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザを用いたリソ
グラフィーに適用しうるネガ型シリル化プロセスを構築
できなかった。
【０００７】本発明の目的は、ＫｒＦレーザやＡｒＦレ
ーザを用いたリソグラフィーにおいて、反射を防止し、
且つ、解像度が高いネガ型シリル化プロセスを構築しう
る放射線感光材料を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、この放射線感光材料を用いたパターン形
成方法を提供することにある。
ーザを用いたリソグラフィーにおいて、反射を防止し、
且つ、解像度が高いネガ型シリル化プロセスを構築しう
る放射線感光材料を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、この放射線感光材料を用いたパターン形
成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、一般式
【０００９】
【化１３】
【００１０】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によって達成される。また、上記目的は、一
般式
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によって達成される。また、上記目的は、一
般式
【００１１】
【化１４】
【００１２】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、アクリレート又はメタクリレートの共
重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透明性を容易に
コントロールすることができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、アクリレート又はメタクリレートの共
重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透明性を容易に
コントロールすることができる。
【００１３】また、上記目的は、一般式
【００１４】
【化１５】
【００１５】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、オレフィンの共重合比により、ＡｒＦ
やＫｒＦに対する透明性を容易にコントロールすること
ができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、オレフィンの共重合比により、ＡｒＦ
やＫｒＦに対する透明性を容易にコントロールすること
ができる。
【００１６】また、上記目的は、ＮＨ基をすべて保護し
たマレイミドの重合体と、放射線照射により酸を生じる
光酸発生剤とを有することを特徴とする放射線感光材料
によっても達成される。このような放射線感光材料をネ
ガ型シリル化プロセスに適用することにより、露光部と
未露光部との間で高いシリル化選択性を得ることができ
る。これにより、高解像度を実現することができる。
たマレイミドの重合体と、放射線照射により酸を生じる
光酸発生剤とを有することを特徴とする放射線感光材料
によっても達成される。このような放射線感光材料をネ
ガ型シリル化プロセスに適用することにより、露光部と
未露光部との間で高いシリル化選択性を得ることができ
る。これにより、高解像度を実現することができる。
【００１７】また、上記目的は、アクリレート又はメタ
クリレートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの
共重合体と、放射線照射により酸を生じる光酸発生剤と
を有することを特徴とする放射線感光材料によっても達
成される。このような放射線感光材料をネガ型シリル化
プロセスに適用することにより、露光部と未露光部との
間で高いシリル化選択性を得ることができる。これによ
り、高解像度を実現することができる。また、アクリレ
ート又はメタクリレートの共重合比により、放射線感光
材料の被加工対象物に対する密着性をコントロールする
ことができる。
クリレートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの
共重合体と、放射線照射により酸を生じる光酸発生剤と
を有することを特徴とする放射線感光材料によっても達
成される。このような放射線感光材料をネガ型シリル化
プロセスに適用することにより、露光部と未露光部との
間で高いシリル化選択性を得ることができる。これによ
り、高解像度を実現することができる。また、アクリレ
ート又はメタクリレートの共重合比により、放射線感光
材料の被加工対象物に対する密着性をコントロールする
ことができる。
【００１８】また、上記の放射線感光材料において、前
記共重合体は、一般式
記共重合体は、一般式
【００１９】
【化１６】
【００２０】で表される物質であることが望ましい。ま
た、上記の放射線感光材料において、前記共重合体は、
一般式
た、上記の放射線感光材料において、前記共重合体は、
一般式
【００２１】
【化１７】
【００２２】で表される物質であることが望ましい。ま
た、上記目的は、一般式
た、上記目的は、一般式
【００２３】
【化１８】
【００２４】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、オレフィンの共重合比により、放射線
感光材料の被加工対象物に対する密着性をコントロール
することができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有することを特徴とする放射
線感光材料によっても達成される。このような放射線感
光材料をネガ型シリル化プロセスに適用することによ
り、露光部と未露光部との間で高いシリル化選択性を得
ることができる。これにより、高解像度を実現すること
ができる。また、オレフィンの共重合比により、放射線
感光材料の被加工対象物に対する密着性をコントロール
することができる。
【００２５】また、上記目的は、被加工対象物上に放射
線感光材料を塗布し、前記被加工対象物上に前記放射線
感光材料よりなるフォトレジスト膜を形成するフォトレ
ジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜に所定のパ
ターンを露光する露光工程と、露光した前記フォトレジ
スト膜を有する被加工対象物をベークする露光後ベーク
工程と、前記フォトレジスト膜をシリル化剤に曝し、露
光された領域の前記フォトレジスト膜をシリル化するシ
リル化工程と、前記フォトレジスト膜のシリル化された
領域をマスクとしてシリル化されていない領域の前記フ
ォトレジスト膜を除去する現像工程とを有し、前記放射
線感光材料は、光照射により酸を生じる光酸発生剤と、
一般式
線感光材料を塗布し、前記被加工対象物上に前記放射線
感光材料よりなるフォトレジスト膜を形成するフォトレ
ジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜に所定のパ
ターンを露光する露光工程と、露光した前記フォトレジ
スト膜を有する被加工対象物をベークする露光後ベーク
工程と、前記フォトレジスト膜をシリル化剤に曝し、露
光された領域の前記フォトレジスト膜をシリル化するシ
リル化工程と、前記フォトレジスト膜のシリル化された
領域をマスクとしてシリル化されていない領域の前記フ
ォトレジスト膜を除去する現像工程とを有し、前記放射
線感光材料は、光照射により酸を生じる光酸発生剤と、
一般式
【００２６】
【化１９】
【００２７】で示される共重合体、一般式
【００２８】
【化２０】
【００２９】で示される共重合体、一般式
【００３０】
【化２１】
【００３１】で示される共重合体、ＮＨ基をすべて保護
したマレイミドの重合体、アクリレート又はメタクリレ
ートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの共重合
体、及び一般式
したマレイミドの重合体、アクリレート又はメタクリレ
ートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの共重合
体、及び一般式
【００３２】
【化２２】
【００３３】で示される共重合体からなる群から選ばれ
た一の共重合体とを有することを特徴とするパターン形
成方法によっても達成される。このようなネガ型シリル
化プロセスを用いてパターンを形成することにより、Ｋ
ｒＦ又はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーにおいて
も高解像度のネガ型レジストパターンを形成することが
できる。また、シリル化プロセスの採用により、ハレー
ションなどの表面反射の影響を大幅に低減することがで
きる。
た一の共重合体とを有することを特徴とするパターン形
成方法によっても達成される。このようなネガ型シリル
化プロセスを用いてパターンを形成することにより、Ｋ
ｒＦ又はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーにおいて
も高解像度のネガ型レジストパターンを形成することが
できる。また、シリル化プロセスの採用により、ハレー
ションなどの表面反射の影響を大幅に低減することがで
きる。
【００３４】また、上記のパターン形成方法において、
アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとを有する前記共重合体は、一般式
アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとを有する前記共重合体は、一般式
【００３５】
【化２３】
【００３６】で示される共重合体、及び一般式
【００３７】
【化２４】
【００３８】で示される共重合体からなる群から選ばれ
た一の共重合体であることが望ましい。
た一の共重合体であることが望ましい。
【００３９】
［第１実施形態］本発明の第１実施形態による放射線感
光材料について説明する。ＫｒＦレーザやＡｒＦレーザ
を用いたリソグラフィーに適用するための高感度のネガ
型シリル化材料としては、成膜性が良いこと、また特に
ＡｒＦレーザに対して吸収が強すぎず露光部と未露光部
とのコントラストが十分にとれること、露光部と未露光
部とのシリル化選択性が得られることが必要である。
光材料について説明する。ＫｒＦレーザやＡｒＦレーザ
を用いたリソグラフィーに適用するための高感度のネガ
型シリル化材料としては、成膜性が良いこと、また特に
ＡｒＦレーザに対して吸収が強すぎず露光部と未露光部
とのコントラストが十分にとれること、露光部と未露光
部とのシリル化選択性が得られることが必要である。
【００４０】そこで、本実施形態による放射線感光材料
は、シリル化選択性を得るためのユニットと、レジスト
の透明性や密着性（成膜性）をコントロールするための
ユニットとを含む共重合体と、放射線照射により酸を生
じる光酸発生剤とにより構成している。具体的には、本
実施形態では、シリル化選択性を得るためのユニットと
してＯＨ基をすべて保護したビニルフェノールを、レジ
ストの透明性や密着性（成膜性）をコントロールするた
めのユニットとして、アクリレート、メタクリレート、
オレフィン、脂環族を含むユニットを採用している。
は、シリル化選択性を得るためのユニットと、レジスト
の透明性や密着性（成膜性）をコントロールするための
ユニットとを含む共重合体と、放射線照射により酸を生
じる光酸発生剤とにより構成している。具体的には、本
実施形態では、シリル化選択性を得るためのユニットと
してＯＨ基をすべて保護したビニルフェノールを、レジ
ストの透明性や密着性（成膜性）をコントロールするた
めのユニットとして、アクリレート、メタクリレート、
オレフィン、脂環族を含むユニットを採用している。
【００４１】一般に、ポリビニルフェノールはシリル化
する。これは、フェノール性ＯＨ基が存在するためと考
えられる。しかし、従来のビニルフェノール系ＫｒＦポ
ジレジストでは、ベースポリマーそのものにビニルフェ
ノールユニットが含まれていたため、未露光部と露光部
との選択性を取ることができない。一方、ビニルフェノ
ールのＯＨ基がすべて保護されたポリマーを用いた場
合、露光部にのみビニルフェノールモノポリマー又はビ
ニルフェノールリッチなポリマーを生成することがで
き、このビニルフェノールのＯＨ基がシリル化する。よ
って、露光部と未露光部とのシリル化選択性を得ること
ができる。そこで、本実施形態による放射線感光材料で
は、ベースポリマーとして、ＯＨ基をすべて保護したビ
ニルフェノールユニットを用いている。
する。これは、フェノール性ＯＨ基が存在するためと考
えられる。しかし、従来のビニルフェノール系ＫｒＦポ
ジレジストでは、ベースポリマーそのものにビニルフェ
ノールユニットが含まれていたため、未露光部と露光部
との選択性を取ることができない。一方、ビニルフェノ
ールのＯＨ基がすべて保護されたポリマーを用いた場
合、露光部にのみビニルフェノールモノポリマー又はビ
ニルフェノールリッチなポリマーを生成することがで
き、このビニルフェノールのＯＨ基がシリル化する。よ
って、露光部と未露光部とのシリル化選択性を得ること
ができる。そこで、本実施形態による放射線感光材料で
は、ベースポリマーとして、ＯＨ基をすべて保護したビ
ニルフェノールユニットを用いている。
【００４２】また、ビニルフェノール系ＫｒＦポジレジ
ストは、ＡｒＦに対する吸収が強いため、露光部と未露
光部とのコントラストがとれずポジ化しない可能性があ
る。そこで、本実施形態による放射線感光材料では、Ｏ
Ｈ基をすべて保護したビニルフェノールユニットと、透
明性や密着性のコントロールが可能なアクリレート、メ
タクリレート、オレフィン、脂環族を含むユニットとに
より共重合体を構成している。
ストは、ＡｒＦに対する吸収が強いため、露光部と未露
光部とのコントラストがとれずポジ化しない可能性があ
る。そこで、本実施形態による放射線感光材料では、Ｏ
Ｈ基をすべて保護したビニルフェノールユニットと、透
明性や密着性のコントロールが可能なアクリレート、メ
タクリレート、オレフィン、脂環族を含むユニットとに
より共重合体を構成している。
【００４３】具体的には、一般式
【００４４】
【化２５】
【００４５】で示される共重合体と、光酸発生剤とから
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．６ であることが望ましい。共重合比ｌが０．６以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．６ であることが望ましい。共重合比ｌが０．６以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００４６】また、一般式
【００４７】
【化２６】
【００４８】で示される共重合体と、光酸発生剤とから
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．９ であることが望ましい。共重合比ｌが０．９以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．９ であることが望ましい。共重合比ｌが０．９以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００４９】また、一般式
【００５０】
【化２７】
【００５１】で示される、オレフィンとＯＨ基をすべて
保護したビニルフェノールの共重合体と光酸発生剤とか
らなる放射線感光材料を構成することができる。共重合
比ｌは ０＜ｌ＜０．６ であることが望ましい。共重合比ｌが０．６以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
保護したビニルフェノールの共重合体と光酸発生剤とか
らなる放射線感光材料を構成することができる。共重合
比ｌは ０＜ｌ＜０．６ であることが望ましい。共重合比ｌが０．６以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００５２】このように、ＯＨ基をすべて保護したビニ
ルフェノールと、アクリレート又はオレフィンとからな
る共重合体と、光酸発生剤とにより放射線感光材料を構
成することにより、露光部と未露光部とのシリル化選択
性を得ることができる。また、ＡｒＦやＫｒＦに対する
透明性を容易にコントロールすることができる。なお、
ＯＨ基を保護する保護基としては、例えば、一般式
ルフェノールと、アクリレート又はオレフィンとからな
る共重合体と、光酸発生剤とにより放射線感光材料を構
成することにより、露光部と未露光部とのシリル化選択
性を得ることができる。また、ＡｒＦやＫｒＦに対する
透明性を容易にコントロールすることができる。なお、
ＯＨ基を保護する保護基としては、例えば、一般式
【００５３】
【化２８】
【００５４】等で示される基を用いることができる。ま
た、光酸発生剤としては、一般式
た、光酸発生剤としては、一般式
【００５５】
【化２９】
【００５６】等で示されるヨードニウム塩（iodonium s
alts）のグループや、一般式
alts）のグループや、一般式
【００５７】
【化３０】
【００５８】
【化３１】
【００５９】等で示されるスルホニウム塩（sulphonium
salts）のグループや、一般式
salts）のグループや、一般式
【００６０】
【化３２】
【００６１】
【化３３】
【００６２】等で示されるハロゲン化合物（halogen co
mpounds）のグループや、一般式
mpounds）のグループや、一般式
【００６３】
【化３４】
【００６４】等で示されるスルホン酸エステル化合物
（sulfonate compounds）のグループや、一般式
（sulfonate compounds）のグループや、一般式
【００６５】
【化３５】
【００６６】等で示されるイミド化合物（imide compou
nds）のグループや、一般式
nds）のグループや、一般式
【００６７】
【化３６】
【００６８】等で示されるカルボニル化合物（carbonyl
compunds）のグループや、一般式
compunds）のグループや、一般式
【００６９】
【化３７】
【００７０】等で示されるジスルフォン（disulfone）
や、一般式
や、一般式
【００７１】
【化３８】
【００７２】等で示されるα，α−ビスアリルスルフォ
ニルジアゾメタン（α，α-bisallylsuffonyl diazomet
hane）のグループや、一般式
ニルジアゾメタン（α，α-bisallylsuffonyl diazomet
hane）のグループや、一般式
【００７３】
【化３９】
【００７４】等で示されるジアゾニウム塩（diazonium
salts）のグループを用いることができる。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による放射線感
光材料について説明する。本実施形態による放射線感光
材料は、シリル化選択性を得るためのユニットと、レジ
ストの透明性、密着性、エッチング耐性をコントロール
するためのユニットとを含む共重合体と、放射線照射に
より酸を生じる光酸発生剤とを有する放射性感光材料に
おいて、シリル化選択性を得るためのユニットとしてＮ
Ｈ基をすべて保護したマレイミドを、レジストの透明
性、密着性、エッチング耐性をコントロールするための
ユニットとして、アクリレート、メタクリレート、オレ
フィン、脂環族を含むユニットを採用している。
salts）のグループを用いることができる。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による放射線感
光材料について説明する。本実施形態による放射線感光
材料は、シリル化選択性を得るためのユニットと、レジ
ストの透明性、密着性、エッチング耐性をコントロール
するためのユニットとを含む共重合体と、放射線照射に
より酸を生じる光酸発生剤とを有する放射性感光材料に
おいて、シリル化選択性を得るためのユニットとしてＮ
Ｈ基をすべて保護したマレイミドを、レジストの透明
性、密着性、エッチング耐性をコントロールするための
ユニットとして、アクリレート、メタクリレート、オレ
フィン、脂環族を含むユニットを採用している。
【００７５】第１実施形態に示したポリビニルフェノー
ルと同様に、マレイミドも弱酸性であるのでシリル化す
る。マレイミドのすべてのＮＨ基が保護されたポリマー
を用いた場合には、露光部にのみマレイミドホモポリマ
ー又はマレイミドリッチなポリマーを作ることができ、
このマレイミドがシリル化する。よって、露光部と未露
光部とのシリル化選択性を得ることができる。そこで、
本実施形態による放射線感光材料では、ベースポリマー
として、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドユニットを
用いている。
ルと同様に、マレイミドも弱酸性であるのでシリル化す
る。マレイミドのすべてのＮＨ基が保護されたポリマー
を用いた場合には、露光部にのみマレイミドホモポリマ
ー又はマレイミドリッチなポリマーを作ることができ、
このマレイミドがシリル化する。よって、露光部と未露
光部とのシリル化選択性を得ることができる。そこで、
本実施形態による放射線感光材料では、ベースポリマー
として、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドユニットを
用いている。
【００７６】また、マレイミドは非常に固いポリマーな
ので、レジストの密着性向上のためには、密着性のコン
トロールが可能なアクリレート、メタクリレート、オレ
フィンと、エッチング耐性向上のためには脂環族を含む
ユニットとにより共重合体を形成することが望ましい。
具体的には、一般式
ので、レジストの密着性向上のためには、密着性のコン
トロールが可能なアクリレート、メタクリレート、オレ
フィンと、エッチング耐性向上のためには脂環族を含む
ユニットとにより共重合体を形成することが望ましい。
具体的には、一般式
【００７７】
【化４０】
【００７８】で示されるＮＨ基をすべて保護したマレイ
ミドの重合体と、光酸発生剤とからなる放射線感光材料
を構成することができる。また、一般式
ミドの重合体と、光酸発生剤とからなる放射線感光材料
を構成することができる。また、一般式
【００７９】
【化４１】
【００８０】で示される共重合体と、光酸発生剤とから
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．８ であることが望ましい。共重合比ｌが０．８以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．８ であることが望ましい。共重合比ｌが０．８以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００８１】また、一般式
【００８２】
【化４２】
【００８３】で示される共重合体と、光酸発生剤とから
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．８ であることが望ましい。共重合比ｌが０．８以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
なる放射線感光材料を構成することができる。共重合比
ｌは ０＜ｌ＜０．８ であることが望ましい。共重合比ｌが０．８以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００８４】また、一般式
【００８５】
【化４３】
【００８６】で示される、オレフィンとＮＨ基をすべて
保護したマレイミドの共重合体と光酸発生剤とからなる
放射線感光材料を構成することができる。共重合比ｌは ０＜ｌ＜０．５ であることが望ましい。共重合比ｌが０．５以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
保護したマレイミドの共重合体と光酸発生剤とからなる
放射線感光材料を構成することができる。共重合比ｌは ０＜ｌ＜０．５ であることが望ましい。共重合比ｌが０．５以上となる
と、露光部と未露光部とのシリル化選択性が劣化するか
らである。
【００８７】このように、ＮＨ基をすべて保護したマレ
イミドの重合体と光酸発生剤により、又はＮＨ基をすべ
て保護したマレイミドとアクリレート又はオレフィンと
からなる共重合体と光酸発生剤とにより放射線感光材料
を構成することにより、露光部と未露光部とのシリル化
選択性を得ることができる。また、ＡｒＦやＫｒＦに対
する密着性、エッチング耐性を容易にコントロールする
ことができる。
イミドの重合体と光酸発生剤により、又はＮＨ基をすべ
て保護したマレイミドとアクリレート又はオレフィンと
からなる共重合体と光酸発生剤とにより放射線感光材料
を構成することにより、露光部と未露光部とのシリル化
選択性を得ることができる。また、ＡｒＦやＫｒＦに対
する密着性、エッチング耐性を容易にコントロールする
ことができる。
【００８８】なお、本実施形態による放射線感光材料に
は、第１実施形態に示した保護基及び光酸発生剤を適用
することができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態によるパターン
形成方法について図１を用いて説明する。
は、第１実施形態に示した保護基及び光酸発生剤を適用
することができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態によるパターン
形成方法について図１を用いて説明する。
【００８９】図１は本実施形態によるパターン形成方法
を示す工程図である。本実施形態によるパターン形成方
法は、レジストのネガ型シリル化を用いたことを特徴と
するものである。まず、被加工対象物１０上に放射線感
光材料を塗布し、フォトレジスト膜１２を形成する（ス
テップＳ１１）（図２（ａ））。放射線感光材料として
は、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザに対して露光部と未露光部
とのコントラストを得ることができ、またシリル化選択
性を得ることができる高感度の放射線感光材料を用い
る。第１又は第２実施形態による放射線感光材料を用い
ることが望ましい。
を示す工程図である。本実施形態によるパターン形成方
法は、レジストのネガ型シリル化を用いたことを特徴と
するものである。まず、被加工対象物１０上に放射線感
光材料を塗布し、フォトレジスト膜１２を形成する（ス
テップＳ１１）（図２（ａ））。放射線感光材料として
は、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザに対して露光部と未露光部
とのコントラストを得ることができ、またシリル化選択
性を得ることができる高感度の放射線感光材料を用い
る。第１又は第２実施形態による放射線感光材料を用い
ることが望ましい。
【００９０】次いで、フォトレジスト膜１２を形成した
被加工対象物をプリベークし、放射線感光材料中の有機
溶剤を飛散させる（ステップＳ１２）。続いて、ＫｒＦ
又はＡｒＦレーザ光を用い、このように形成したフォト
レジスト膜１２を所定のパターンで露光する（ステップ
Ｓ１３）（図２（ｂ））。この露光により、フォトレジ
スト膜１２の露光領域においては、光酸発生剤によりプ
ロトン酸が発生される。
被加工対象物をプリベークし、放射線感光材料中の有機
溶剤を飛散させる（ステップＳ１２）。続いて、ＫｒＦ
又はＡｒＦレーザ光を用い、このように形成したフォト
レジスト膜１２を所定のパターンで露光する（ステップ
Ｓ１３）（図２（ｂ））。この露光により、フォトレジ
スト膜１２の露光領域においては、光酸発生剤によりプ
ロトン酸が発生される。
【００９１】この後、露光したフォトレジスト膜１２の
露光後ベークを行う（ステップＳ１４）。この露光後ベ
ークにより、露光領域においては、光酸発生剤により発
生したプロトン酸とベースポリマーとが反応し、ベース
ポリマーの保護基が脱離される。未露光領域にはプロト
ン酸が存在しないので、露光後ベークにおいて保護基が
脱離されることはない。
露光後ベークを行う（ステップＳ１４）。この露光後ベ
ークにより、露光領域においては、光酸発生剤により発
生したプロトン酸とベースポリマーとが反応し、ベース
ポリマーの保護基が脱離される。未露光領域にはプロト
ン酸が存在しないので、露光後ベークにおいて保護基が
脱離されることはない。
【００９２】次いで、フォトレジスト膜表面のシリル化
を行う（ステップＳ１５）（図２（ｃ））。例えば、露
光後ベークを行った被加工対象物を真空装置内に導入し
た後に、装置内に、一般式
を行う（ステップＳ１５）（図２（ｃ））。例えば、露
光後ベークを行った被加工対象物を真空装置内に導入し
た後に、装置内に、一般式
【００９３】
【化４４】
【００９４】で示されるＤＭＳＤＭＡ（ジメチルシリル
ジメチルアミン：dimethylsilyldimethylamine）を導入
し、露光領域のベースポリマーをシリル化する。例え
ば、ビニルフェノールを含む第１実施形態による放射線
感光材料では、露光領域にＯＨ基が保護されていないビ
ニルフェノールが存在するので、このビニルフェノール
とシリル化剤とが反応し、フォトレジスト膜１２の表面
がシリル化され、シリル化領域１６が形成される。ま
た、マレイミドを含む第２実施形態による放射線感光材
料では、露光領域にＮＨ基が保護されていないマレイミ
ドが存在するので、このマレイミドとシリル化剤とが反
応し、フォトレジスト膜１２の表面がシリル化され、シ
リル化領域１６が形成される（図２（ｃ））。
ジメチルアミン：dimethylsilyldimethylamine）を導入
し、露光領域のベースポリマーをシリル化する。例え
ば、ビニルフェノールを含む第１実施形態による放射線
感光材料では、露光領域にＯＨ基が保護されていないビ
ニルフェノールが存在するので、このビニルフェノール
とシリル化剤とが反応し、フォトレジスト膜１２の表面
がシリル化され、シリル化領域１６が形成される。ま
た、マレイミドを含む第２実施形態による放射線感光材
料では、露光領域にＮＨ基が保護されていないマレイミ
ドが存在するので、このマレイミドとシリル化剤とが反
応し、フォトレジスト膜１２の表面がシリル化され、シ
リル化領域１６が形成される（図２（ｃ））。
【００９５】続いて、シリル化領域１６をマスクとして
フォトレジスト膜１２をＯ2エッチングによるドライ現
像し、露光領域にのみフォトレジスト膜１２を残存する
（ステップＳ１６）（図２（ｄ））。シリル化領域１６
にはＳｉＯ2が形成されているためＯ2エッチングでは除
去されないので、シリル化領域１６をマスクとして選択
的にエッチングすることが可能となる。
フォトレジスト膜１２をＯ2エッチングによるドライ現
像し、露光領域にのみフォトレジスト膜１２を残存する
（ステップＳ１６）（図２（ｄ））。シリル化領域１６
にはＳｉＯ2が形成されているためＯ2エッチングでは除
去されないので、シリル化領域１６をマスクとして選択
的にエッチングすることが可能となる。
【００９６】このようにしてフォトレジスト膜１２のパ
ターニングを行うことにより、ネガ型のレジストパター
ンを形成することができる。このように、本実施形態に
よれば、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザに対して露光部と未露
光部とのコントラストを得ることができ、またシリル化
選択性を得ることができる高感度の放射線感光材料を用
いたシリル化プロセスによりフォトレジスト膜を形成す
るので、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィ
ーにおいても高解像度のネガ型レジストパターンを形成
することができる。また、シリル化プロセスの採用によ
り、ハレーションなどの表面反射などの影響を低減する
ことができる。
ターニングを行うことにより、ネガ型のレジストパター
ンを形成することができる。このように、本実施形態に
よれば、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザに対して露光部と未露
光部とのコントラストを得ることができ、またシリル化
選択性を得ることができる高感度の放射線感光材料を用
いたシリル化プロセスによりフォトレジスト膜を形成す
るので、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィ
ーにおいても高解像度のネガ型レジストパターンを形成
することができる。また、シリル化プロセスの採用によ
り、ハレーションなどの表面反射などの影響を低減する
ことができる。
【００９７】なお、上記実施形態では、シリル化剤とし
てＤＭＳＤＭＡを用いたが、他のシリル化剤を用いるこ
ともできる。モノファンクショナルのシリル化剤とし
て、例えば、ＡＴＭＳ（アリルトリメチルシラン：ally
ltrimethylsilane）、ＨＭＤシラン（ヘキサメチルジシ
ラン：hexamethyldisilane）、１，３−ジイソブチル−
１，１，３，３−テトラメチルジシラザン（1,3-diisob
utyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane）、ＤＭＳＤＥＡ
（ジメチルシリルジエチルアミン：dimethylsilyldieth
ylamine）、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−テトラメチル
ジシラザン：1,1,3,3-tetramethyl disilazane）、ＴＭ
ＳＤＭＡ（ｎ，ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン：
n,n-dimethylamino-trimethylsilane）、ＴＭＳＤＥＡ
（ｎ，ｎ−ジエチルアミノトリメチルシラン：n,n-diet
hylamino-trimethylsilane）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチル
ジシラザン：hexamethyl-disilazane）、ヘプタＭＤＳ
（ヘプタメチルジシラザン：heptamethyldisilazane）
を、ポリファンクショナルのシリル化剤として、例え
ば、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリ
シラザン（1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazan
e）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（ビス（ジメチルアミノ）ジメ
チルシラン：bis(dimethylamino)dimethylsilane）、Ｂ
［ＤＭＡ］ＭＳ（ビス（ジメチルアミノ）メチルシラ
ン：bis(dimethylamino)methylsilane）を、クロロシリ
ル化合物として、例えば、テトラクロロシラン（tetrac
hlorosilane）、トリメチルクロロシラン（trimethylch
lorosilane）を適用することができる。
てＤＭＳＤＭＡを用いたが、他のシリル化剤を用いるこ
ともできる。モノファンクショナルのシリル化剤とし
て、例えば、ＡＴＭＳ（アリルトリメチルシラン：ally
ltrimethylsilane）、ＨＭＤシラン（ヘキサメチルジシ
ラン：hexamethyldisilane）、１，３−ジイソブチル−
１，１，３，３−テトラメチルジシラザン（1,3-diisob
utyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane）、ＤＭＳＤＥＡ
（ジメチルシリルジエチルアミン：dimethylsilyldieth
ylamine）、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−テトラメチル
ジシラザン：1,1,3,3-tetramethyl disilazane）、ＴＭ
ＳＤＭＡ（ｎ，ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン：
n,n-dimethylamino-trimethylsilane）、ＴＭＳＤＥＡ
（ｎ，ｎ−ジエチルアミノトリメチルシラン：n,n-diet
hylamino-trimethylsilane）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチル
ジシラザン：hexamethyl-disilazane）、ヘプタＭＤＳ
（ヘプタメチルジシラザン：heptamethyldisilazane）
を、ポリファンクショナルのシリル化剤として、例え
ば、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリ
シラザン（1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazan
e）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（ビス（ジメチルアミノ）ジメ
チルシラン：bis(dimethylamino)dimethylsilane）、Ｂ
［ＤＭＡ］ＭＳ（ビス（ジメチルアミノ）メチルシラ
ン：bis(dimethylamino)methylsilane）を、クロロシリ
ル化合物として、例えば、テトラクロロシラン（tetrac
hlorosilane）、トリメチルクロロシラン（trimethylch
lorosilane）を適用することができる。
【００９８】
［第１実施形態に関連する実施例］ ［実施例１］メチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニロオキシ：tert-butoxyc
arbonyloxy）化ビニルフェノール共重合体（組成比４：
６、重量平均分子量２４０００）と、酸発生剤であるト
リフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡ
（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート：pr
opylene glycol methyl ether acetate）に溶解させ、
放射線感光材料とした。
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニロオキシ：tert-butoxyc
arbonyloxy）化ビニルフェノール共重合体（組成比４：
６、重量平均分子量２４０００）と、酸発生剤であるト
リフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡ
（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート：pr
opylene glycol methyl ether acetate）に溶解させ、
放射線感光材料とした。
【００９９】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、Ｃ
Ｆ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流量
を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを
３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行い、
シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクとして
ドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォトレ
ジスト膜を形成した。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、Ｃ
Ｆ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流量
を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを
３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行い、
シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクとして
ドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォトレ
ジスト膜を形成した。
【０１００】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓ（ライン
アンドスペース）を有するレジストパターンを形成でき
ることが判った。 ［比較例１］メチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ
化ビニルフェノール共重合体（組成比６：４、重量平均
分子量１５０００）と、酸発生剤であるトリフェニルト
リフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放
射線感光材料とした。
アンドスペース）を有するレジストパターンを形成でき
ることが判った。 ［比較例１］メチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ
化ビニルフェノール共重合体（組成比６：４、重量平均
分子量１５０００）と、酸発生剤であるトリフェニルト
リフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放
射線感光材料とした。
【０１０１】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
【０１０２】［実施例２］アダマンチルメタクリレート
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成
比５：５、重量平均分子量１５０００）と、酸発生剤で
あるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭ
ＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この
放射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒の
プリベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４
５）で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行っ
た。この後、シリル化剤としてＤＭＳＤＥＡを用い、温
度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒として
シリル化を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エ
ッチングガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧
力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平
板型の異方性エッチングを行い、シリル化された領域の
フォトレジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型
のパターンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成
比５：５、重量平均分子量１５０００）と、酸発生剤で
あるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭ
ＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この
放射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒の
プリベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４
５）で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行っ
た。この後、シリル化剤としてＤＭＳＤＥＡを用い、温
度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒として
シリル化を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エ
ッチングガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧
力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平
板型の異方性エッチングを行い、シリル化された領域の
フォトレジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型
のパターンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
【０１０３】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例２］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成比９：１、重
量平均分子量１１０００）と、酸発生剤であるトリフェ
ニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解さ
せ、放射線感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例２］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成比９：１、重
量平均分子量１１０００）と、酸発生剤であるトリフェ
ニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解さ
せ、放射線感光材料とした。
【０１０４】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
【０１０５】［比較例３］アダマンチルメタクリレート
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成
比５：５、重量平均分子量１５０００）と、酸発生剤で
あるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭ
ＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この
放射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒の
プリベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４
５）で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行っ
た。この後、シリル化を行わず、２．３８％ＴＭＡＨを
用いて現像した。
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビニルフェノール共重合体（組成
比５：５、重量平均分子量１５０００）と、酸発生剤で
あるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭ
ＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この
放射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒の
プリベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４
５）で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行っ
た。この後、シリル化を行わず、２．３８％ＴＭＡＨを
用いて現像した。
【０１０６】この結果、０．２５μｍのＬ＆Ｓが解像し
たものの、表面難溶化層が顕著に現れた。 ［実施例３］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビ
ニルフェノール共重合体（組成比４：６）と、酸発生剤
であるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧ
ＭＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。
たものの、表面難溶化層が顕著に現れた。 ［実施例３］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビ
ニルフェノール共重合体（組成比４：６）と、酸発生剤
であるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧ
ＭＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。
【０１０７】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、Ｃ
Ｆ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流量
を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを
３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行い、
シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクとして
ドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォトレ
ジスト膜を形成した。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、Ｃ
Ｆ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流量
を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを
３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行い、
シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクとして
ドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォトレ
ジスト膜を形成した。
【０１０８】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例４］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビ
ニルフェノール共重合体（組成比６：４）と、酸発生剤
であるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧ
ＭＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例４］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化ビ
ニルフェノール共重合体（組成比６：４）と、酸発生剤
であるトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧ
ＭＥＡに溶解させ、放射線感光材料とした。
【０１０９】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を７０℃、圧力を４０Ｔｏｒ
ｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結果、
シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光部と
未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかった。
【０１１０】［第２実施形態に関連する実施例］ ［実施例４］ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー
（重量平均分子量１４０００）と、酸発生剤であるトリ
フェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶
解させ、放射線感光材料とした。
（重量平均分子量１４０００）と、酸発生剤であるトリ
フェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶
解させ、放射線感光材料とした。
【０１１１】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
【０１１２】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例５］ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー
（重量平均分子量１４０００）と、酸発生剤であるトリ
フェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶
解させ、放射線感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例５］ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー
（重量平均分子量１４０００）と、酸発生剤であるトリ
フェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶
解させ、放射線感光材料とした。
【０１１３】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化を行わ
ず、２．３８％ＴＭＡＨを用いて現像した。この結果、
０．２５μｍのＬ＆Ｓが解像したものの、剥がれが生
じ、パターンプロファイルも露光部が樽型形状となっ
た。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化を行わ
ず、２．３８％ＴＭＡＨを用いて現像した。この結果、
０．２５μｍのＬ＆Ｓが解像したものの、剥がれが生
じ、パターンプロファイルも露光部が樽型形状となっ
た。
【０１１４】［実施例５］メチルメタクリレート／ｔｅ
ｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、
重量平均分子量１８０００）と、酸発生剤であるトリフ
ェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解
させ、放射線感光材料とした。次いで、この放射線感光
材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプリベーク
を行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光
し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。この後、
シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００
℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリル化
を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エッチング
ガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．
０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平板型の異
方性エッチングを行い、シリル化された領域のフォトレ
ジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型のパター
ンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
ｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、
重量平均分子量１８０００）と、酸発生剤であるトリフ
ェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解
させ、放射線感光材料とした。次いで、この放射線感光
材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプリベーク
を行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光
し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。この後、
シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００
℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリル化
を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エッチング
ガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．
０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平板型の異
方性エッチングを行い、シリル化された領域のフォトレ
ジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型のパター
ンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
【０１１５】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例６］メチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ
化マレイミドポリマー（共重合比８：２、重量平均分子
量１８０００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフ
レート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線
感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例６］メチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ
化マレイミドポリマー（共重合比８：２、重量平均分子
量１８０００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフ
レート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線
感光材料とした。
【０１１６】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結
果、シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光
部と未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかっ
た。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結
果、シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光
部と未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかっ
た。
【０１１７】［実施例６］アダマンチルメタクリレート
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比
４：６、重量平均分子量１００００）と、酸発生剤であ
るトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥ
Ａに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この放
射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプ
リベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）
で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。こ
の後、シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１
００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリ
ル化を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エッチ
ングガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を
０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平板型
の異方性エッチングを行い、シリル化された領域のフォ
トレジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型のパ
ターンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比
４：６、重量平均分子量１００００）と、酸発生剤であ
るトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥ
Ａに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この放
射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプ
リベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）
で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。こ
の後、シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１
００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリ
ル化を行った。次いで、ＣＦ4エッチングの後、エッチ
ングガスにＯ2を用い、流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を
０．０２Ｔｏｒｒ、パワーを３００Ｗとして平行平板型
の異方性エッチングを行い、シリル化された領域のフォ
トレジスト膜をマスクとしてドライ現像し、ネガ型のパ
ターンが転写されたフォトレジスト膜を形成した。
【０１１８】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［実施例７］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、重量平
均分子量１００００）と、酸発生剤であるトリフェニル
トリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、
放射線感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［実施例７］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、重量平
均分子量１００００）と、酸発生剤であるトリフェニル
トリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、
放射線感光材料とした。
【０１１９】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＥＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
【０１２０】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例７］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、重量平
均分子量１００００）と、酸発生剤であるトリフェニル
トリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、
放射線感光材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例７］アダマンチルメタクリレート／ｔｅｒｔ−
ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比５：５、重量平
均分子量１００００）と、酸発生剤であるトリフェニル
トリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、
放射線感光材料とした。
【０１２１】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化を行わ
ず、２．３８％ＴＭＡＨを用いて現像した。この結果、
０．２５μｍのＬ＆Ｓが解像したものの、表面難溶化層
が顕著に現れた。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化を行わ
ず、２．３８％ＴＭＡＨを用いて現像した。この結果、
０．２５μｍのＬ＆Ｓが解像したものの、表面難溶化層
が顕著に現れた。
【０１２２】［比較例８］アダマンチルメタクリレート
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比
８：２、重量平均分子量１１０００）と、酸発生剤であ
るトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥ
Ａに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この放
射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプ
リベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）
で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。こ
の後、シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１
００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリ
ル化を行った。
／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マレイミドポリマー（共重合比
８：２、重量平均分子量１１０００）と、酸発生剤であ
るトリフェニルトリフレート（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥ
Ａに溶解させ、放射線感光材料とした。次いで、この放
射線感光材料を１μｍ厚に塗布し、１００℃９０秒のプ
リベークを行った。続いて、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）
で露光し、１００℃９０秒の露光後ベークを行った。こ
の後、シリル化剤としてＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１
００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒ、時間を６０秒としてシリ
ル化を行った。
【０１２３】この結果、シリル化後のパターンプロファ
イルをみると、露光部と未露光部との十分なシリル化選
択性が得られなかった。 ［実施例８］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マ
レイミドポリマー（共重合比４：６、重量平均分子量３
２０００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフレー
ト（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線感光
材料とした。
イルをみると、露光部と未露光部との十分なシリル化選
択性が得られなかった。 ［実施例８］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マ
レイミドポリマー（共重合比４：６、重量平均分子量３
２０００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフレー
ト（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線感光
材料とした。
【０１２４】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。次いで、
ＣＦ4エッチングの後、エッチングガスにＯ2を用い、流
量を１００ｓｃｃｍ、圧力を０．０２Ｔｏｒｒ、パワー
を３００Ｗとして平行平板型の異方性エッチングを行
い、シリル化された領域のフォトレジスト膜をマスクと
してドライ現像し、ネガ型のパターンが転写されたフォ
トレジスト膜を形成した。
【０１２５】その結果、０．２０μｍのＬ＆Ｓを有する
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例９］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マ
レイミドポリマー（共重合比６：４、重量平均分子量１
００００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフレー
ト（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線感光
材料とした。
レジストパターンを形成できることが判った。 ［比較例９］ビニルアルコール／ｔｅｒｔ−ＢＯＣ化マ
レイミドポリマー（共重合比６：４、重量平均分子量１
００００）と、酸発生剤であるトリフェニルトリフレー
ト（２ｗｔ％）とをＰＧＭＥＡに溶解させ、放射線感光
材料とした。
【０１２６】次いで、この放射線感光材料を１μｍ厚に
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結
果、シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光
部と未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかっ
た。
塗布し、１００℃９０秒のプリベークを行った。続い
て、ＫｒＦ光（ＮＡ０．４５）で露光し、１００℃９０
秒の露光後ベークを行った。この後、シリル化剤として
ＤＭＳＤＭＡを用い、温度を１００℃、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ、時間を６０秒としてシリル化を行った。この結
果、シリル化後のパターンプロファイルをみると、露光
部と未露光部との十分なシリル化選択性が得られなかっ
た。
【０１２７】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、一般式
【０１２８】
【化４５】
【０１２９】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、アクリレート又はメタク
リレートの共重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透
明性を容易にコントロールすることができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、アクリレート又はメタク
リレートの共重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透
明性を容易にコントロールすることができる。
【０１３０】また、一般式
【０１３１】
【化４６】
【０１３２】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、アクリレート又はメタク
リレートの共重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透
明性を容易にコントロールすることができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、アクリレート又はメタク
リレートの共重合比により、ＡｒＦやＫｒＦに対する透
明性を容易にコントロールすることができる。
【０１３３】また、一般式
【０１３４】
【化４７】
【０１３５】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、オレフィンの共重合比に
より、ＡｒＦやＫｒＦに対する透明性を容易にコントロ
ールすることができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、オレフィンの共重合比に
より、ＡｒＦやＫｒＦに対する透明性を容易にコントロ
ールすることができる。
【０１３６】また、ＮＨ基をすべて保護したマレイミド
の重合体と、放射線照射により酸を生じる光酸発生剤と
を有する放射線感光材料を構成することにより、露光部
と未露光部との間で高いシリル化選択性を得ることがで
きる。これにより、高解像度を実現することができる。
また、アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をす
べて保護したマレイミドとの共重合体と、放射線照射に
より酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を
構成することにより、露光部と未露光部との間で高いシ
リル化選択性を得ることができる。これにより、高解像
度を実現することができる。また、アクリレート又はメ
タクリレートの共重合比により、放射線感光材料の被加
工対象物に対する密着性、エッチング耐性をコントロー
ルすることができる。
の重合体と、放射線照射により酸を生じる光酸発生剤と
を有する放射線感光材料を構成することにより、露光部
と未露光部との間で高いシリル化選択性を得ることがで
きる。これにより、高解像度を実現することができる。
また、アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をす
べて保護したマレイミドとの共重合体と、放射線照射に
より酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を
構成することにより、露光部と未露光部との間で高いシ
リル化選択性を得ることができる。これにより、高解像
度を実現することができる。また、アクリレート又はメ
タクリレートの共重合比により、放射線感光材料の被加
工対象物に対する密着性、エッチング耐性をコントロー
ルすることができる。
【０１３７】また、上記の放射線感光材料において、前
記共重合体には、一般式
記共重合体には、一般式
【０１３８】
【化４８】
【０１３９】で表される物質を適用することができる。
また、上記の放射線感光材料において、前記共重合体に
は、一般式
また、上記の放射線感光材料において、前記共重合体に
は、一般式
【０１４０】
【化４９】
【０１４１】で表される物質を適用することができる。
また、一般式
また、一般式
【０１４２】
【化５０】
【０１４３】で示される共重合体と、放射線照射により
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、オレフィンの共重合比に
より、放射線感光材料の被加工対象物に対する密着性を
コントロールすることができる。
酸を生じる光酸発生剤とを有する放射線感光材料を構成
することにより、露光部と未露光部との間で高いシリル
化選択性を得ることができる。これにより、高解像度を
実現することができる。また、オレフィンの共重合比に
より、放射線感光材料の被加工対象物に対する密着性を
コントロールすることができる。
【０１４４】また、被加工対象物上に放射線感光材料を
塗布し、前記被加工対象物上に前記放射線感光材料より
なるフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成
工程と、前記フォトレジスト膜に所定のパターンを露光
する露光工程と、露光した前記フォトレジスト膜を有す
る被加工対象物をベークする露光後ベーク工程と、前記
フォトレジスト膜をシリル化剤に曝し、露光された領域
の前記フォトレジスト膜をシリル化するシリル化工程
と、前記フォトレジスト膜のシリル化された領域をマス
クとしてシリル化されていない領域の前記フォトレジス
ト膜を除去する現像工程とを有し、前記放射線感光材料
は、光照射により酸を生じる光酸発生剤と、一般式
塗布し、前記被加工対象物上に前記放射線感光材料より
なるフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成
工程と、前記フォトレジスト膜に所定のパターンを露光
する露光工程と、露光した前記フォトレジスト膜を有す
る被加工対象物をベークする露光後ベーク工程と、前記
フォトレジスト膜をシリル化剤に曝し、露光された領域
の前記フォトレジスト膜をシリル化するシリル化工程
と、前記フォトレジスト膜のシリル化された領域をマス
クとしてシリル化されていない領域の前記フォトレジス
ト膜を除去する現像工程とを有し、前記放射線感光材料
は、光照射により酸を生じる光酸発生剤と、一般式
【０１４５】
【化５１】
【０１４６】で示される共重合体、一般式
【０１４７】
【化５２】
【０１４８】で示される共重合体、一般式
【０１４９】
【化５３】
【０１５０】で示される共重合体、ＮＨ基をすべて保護
したマレイミドの重合体、アクリレート又はメタクリレ
ートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの共重合
体、及び一般式
したマレイミドの重合体、アクリレート又はメタクリレ
ートと、ＮＨ基をすべて保護したマレイミドとの共重合
体、及び一般式
【０１５１】
【化５４】
【０１５２】で示される共重合体からなる群から選ばれ
た一の共重合体とを有することを特徴とするパターン形
成方法によりパターンを形成することにより、ＫｒＦ又
はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーにおいても高解
像度のネガ型レジストパターンを形成することができ
る。また、シリル化プロセスの採用により、ハレーショ
ンなどの表面反射の影響を大幅に低減することができ
る。
た一の共重合体とを有することを特徴とするパターン形
成方法によりパターンを形成することにより、ＫｒＦ又
はＡｒＦレーザを用いたリソグラフィーにおいても高解
像度のネガ型レジストパターンを形成することができ
る。また、シリル化プロセスの採用により、ハレーショ
ンなどの表面反射の影響を大幅に低減することができ
る。
【０１５３】また、上記のパターン形成方法において、
アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとを有する前記共重合体には、一般式
アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとを有する前記共重合体には、一般式
【０１５４】
【化５５】
【０１５５】で示される共重合体、及び一般式
【０１５６】
【化５６】
【０１５７】で示される共重合体からなる群から選ばれ
た一の共重合体を適用することができる。
た一の共重合体を適用することができる。
【図１】本発明の第３実施形態によるパターン形成方法
を示す工程フローである。
を示す工程フローである。
【図２】本発明の第３実施形態によるパターン形成方法
を示す工程断面図である。
を示す工程断面図である。
１０…被加工対象物 １２…フォトレジスト膜 １４…露光領域 １６…シリル化領域
Claims (10)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 で示される共重合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項２】 一般式 【化２】 で示される共重合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項３】 一般式 【化３】 で示される共重合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項４】 ＮＨ基をすべて保護したマレイミドの重
合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項５】 アクリレート又はメタクリレートと、Ｎ
Ｈ基をすべて保護したマレイミドとの共重合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項６】 請求項５記載の放射線感光材料におい
て、 前記共重合体は、一般式 【化４】 で表されることを特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項７】 請求項５記載の放射線感光材料におい
て、 前記共重合体は、一般式 【化５】 で表されることを特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項８】 一般式 【化６】 で示される共重合体と、 放射線照射により酸を生じる光酸発生剤とを有すること
を特徴とする放射線感光材料。 - 【請求項９】 被加工対象物上に放射線感光材料を塗布
し、前記被加工対象物上に前記放射線感光材料よりなる
フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程
と、 前記フォトレジスト膜に所定のパターンを露光する露光
工程と、 露光した前記フォトレジスト膜を有する被加工対象物を
ベークする露光後ベーク工程と、 前記フォトレジスト膜をシリル化剤に曝し、露光された
領域の前記フォトレジスト膜をシリル化するシリル化工
程と、 前記フォトレジスト膜のシリル化された領域をマスクと
してシリル化されていない領域の前記フォトレジスト膜
を除去する現像工程とを有し、 前記放射線感光材料は、 光照射により酸を生じる光酸発生剤と、 一般式 【化７】 で示される共重合体、 一般式 【化８】 で示される共重合体、 一般式 【化９】 で示される共重合体、 ＮＨ基をすべて保護したマレイミドの重合体、 アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとの共重合体、及び一般式 【化１０】 で示される共重合体からなる群から選ばれた一の共重合
体とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載のパターン形成方法にお
いて、 アクリレート又はメタクリレートと、ＮＨ基をすべて保
護したマレイミドとを有する前記共重合体は、 一般式 【化１１】 で示される共重合体、及び一般式 【化１２】 で示される共重合体からなる群から選ばれた一の共重合
体であることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9174919A JPH1124272A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 放射線感光材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9174919A JPH1124272A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 放射線感光材料及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1124272A true JPH1124272A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15987014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9174919A Withdrawn JPH1124272A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 放射線感光材料及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1124272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258514B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-07-10 | Lsi Logic Corporation | Top surface imaging technique using a topcoat delivery system |
| WO2012102644A1 (ru) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | Rudoy Igor Georgievich | Способ создания маски на поверхности подложки |
| RU2471263C1 (ru) * | 2011-07-12 | 2012-12-27 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
| JP2018136536A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9174919A patent/JPH1124272A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258514B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-07-10 | Lsi Logic Corporation | Top surface imaging technique using a topcoat delivery system |
| WO2012102644A1 (ru) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | Rudoy Igor Georgievich | Способ создания маски на поверхности подложки |
| RU2471263C1 (ru) * | 2011-07-12 | 2012-12-27 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
| WO2013009219A1 (ru) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Rudoy Igor Georgievich | Способ создания маски на поверхности подложки |
| JP2018136536A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |