JPH11242806A - 薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置及び研磨加工方法並びにその測定方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置及び研磨加工方法並びにその測定方法Info
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- JPH11242806A JPH11242806A JP4484798A JP4484798A JPH11242806A JP H11242806 A JPH11242806 A JP H11242806A JP 4484798 A JP4484798 A JP 4484798A JP 4484798 A JP4484798 A JP 4484798A JP H11242806 A JPH11242806 A JP H11242806A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のMRヘッドでは、電極の抵抗値も測定し
てしまうため、MR素子単体に対する抵抗値の測定精度
が低いという問題があった。 【解決手段】MRヘッドにおいて、MR素子の両端をそ
れぞれ2個の端子に接続する構造にする。そして、MR
素子高さ測定時に、1組の端子に電流を流し、他方の1
組の端子の電圧を測定することで、MR素子の抵抗値を
直接測定し、それをMR素子高さに換算することで、M
R素子高さの測定精度を向上することができる。
てしまうため、MR素子単体に対する抵抗値の測定精度
が低いという問題があった。 【解決手段】MRヘッドにおいて、MR素子の両端をそ
れぞれ2個の端子に接続する構造にする。そして、MR
素子高さ測定時に、1組の端子に電流を流し、他方の1
組の端子の電圧を測定することで、MR素子の抵抗値を
直接測定し、それをMR素子高さに換算することで、M
R素子高さの測定精度を向上することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に誘導型磁
気変換素子及び磁気抵抗効果素子を積層した薄膜磁気ヘ
ッドに係わり、特に、磁気抵抗効果素子の抵抗値を精度
良く検出するための薄膜磁気ヘッド構造とこれを用いた
磁気ディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの加工方法に
関する。
気変換素子及び磁気抵抗効果素子を積層した薄膜磁気ヘ
ッドに係わり、特に、磁気抵抗効果素子の抵抗値を精度
良く検出するための薄膜磁気ヘッド構造とこれを用いた
磁気ディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの加工方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置においては、小
型・大容量化が進んでおり、現在3.5インチと2.5
インチサイズのディスクを用いた小型磁気ディスク装置
が主流になっている。このような小型ディスク装置で
は、ディスクの速度が低いため、再生出力がディスク速
度に依存する磁気誘導型ヘッドでは、再生出力が低下
し、問題になる。
型・大容量化が進んでおり、現在3.5インチと2.5
インチサイズのディスクを用いた小型磁気ディスク装置
が主流になっている。このような小型ディスク装置で
は、ディスクの速度が低いため、再生出力がディスク速
度に依存する磁気誘導型ヘッドでは、再生出力が低下
し、問題になる。
【0003】これに対し、磁界の変化によって抵抗値が
変化する磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と呼ぶ)を
用いた磁気抵抗効果型ヘッド(以下、MRヘッドと呼
ぶ)では、再生出力がディスク速度に依存しないため、
小型磁気ディスク装置においても高い再生出力を得るこ
とができる。また、MRヘッドでは、高密度化に伴う狭
トラック化に対しても磁気誘導型磁気ヘッドと比べて高
い再生出力を得られることから、小型化・大容量化に適
した磁気ヘッドであると考えられている。
変化する磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と呼ぶ)を
用いた磁気抵抗効果型ヘッド(以下、MRヘッドと呼
ぶ)では、再生出力がディスク速度に依存しないため、
小型磁気ディスク装置においても高い再生出力を得るこ
とができる。また、MRヘッドでは、高密度化に伴う狭
トラック化に対しても磁気誘導型磁気ヘッドと比べて高
い再生出力を得られることから、小型化・大容量化に適
した磁気ヘッドであると考えられている。
【0004】一方、MRヘッドでは、磁界の変化に起因
するMR素子の抵抗値変化を検出するため、磁気ヘッド
スライダのディスクに対向する面(以下、浮上面と呼
ぶ)にMR素子を露出させて使用する構造が最も再生効
率が高い。このような浮上面にMR素子が露出するMR
ヘッドでは、浮上面加工時にMR素子の一部を加工(研
磨加工)して、浮上面に露出させる。そして、MR素子
の浮上面と直角方向の寸法をMR素子高さと呼び、この
MR素子高さは研磨加工における加工量を制御すること
で決められている。
するMR素子の抵抗値変化を検出するため、磁気ヘッド
スライダのディスクに対向する面(以下、浮上面と呼
ぶ)にMR素子を露出させて使用する構造が最も再生効
率が高い。このような浮上面にMR素子が露出するMR
ヘッドでは、浮上面加工時にMR素子の一部を加工(研
磨加工)して、浮上面に露出させる。そして、MR素子
の浮上面と直角方向の寸法をMR素子高さと呼び、この
MR素子高さは研磨加工における加工量を制御すること
で決められている。
【0005】MRヘッドでは、このMR素子高さによっ
て、再生出力が変化するため、MR素子高さがばらつく
と、再生出力が変動するという問題が生じる。したがっ
て、MRヘッドの再生出力変動を制御するためには、M
R素子高さを研磨加工工程において精度良く加工するこ
とが必要となる。
て、再生出力が変化するため、MR素子高さがばらつく
と、再生出力が変動するという問題が生じる。したがっ
て、MRヘッドの再生出力変動を制御するためには、M
R素子高さを研磨加工工程において精度良く加工するこ
とが必要となる。
【0006】研磨加工において、MR素子高さの加工精
度を高精度化するためには、MR素子高さを高精度に測
定することが重要になる。MR素子高さは現状0.5〜
3μm程度の寸法であるが、MR素子の上にはデータ書
き込み用の誘導型ヘッドが形成されているため、MR素
子高さを光学的に直接図ることは困難である。MR素子
を光学的に測定する方法としては、浮上面からFIBで
MR素子を加工し、加工断面に露出したMR素子を測定
する方法と、特開昭63−34713号公報及び特開平
2−29913号公報に記載されているように、MR素
子とは別に測定用のマーカーを素子の形成工程において
形成し、このマーカーを光学的に測定することで、MR
素子高さ(研磨加工時の加工量)を測定する方法があ
る。
度を高精度化するためには、MR素子高さを高精度に測
定することが重要になる。MR素子高さは現状0.5〜
3μm程度の寸法であるが、MR素子の上にはデータ書
き込み用の誘導型ヘッドが形成されているため、MR素
子高さを光学的に直接図ることは困難である。MR素子
を光学的に測定する方法としては、浮上面からFIBで
MR素子を加工し、加工断面に露出したMR素子を測定
する方法と、特開昭63−34713号公報及び特開平
2−29913号公報に記載されているように、MR素
子とは別に測定用のマーカーを素子の形成工程において
形成し、このマーカーを光学的に測定することで、MR
素子高さ(研磨加工時の加工量)を測定する方法があ
る。
【0007】また、光学的な測定以外で一般的なMR素
子高さの測定方法として、MR素子の抵抗値を測定し、
MR素子高さに換算する方法がある。抵抗値を測定する
場合においても、特開平5−46945号公報に記載さ
れているように、MR素子の抵抗値を測定し、MR素子
高さに換算する方法と、特開昭63−191570号公
報に記載されているように、MR素子とは別に素子の形
成工程においてあらかじめ形成し測定用のパターンの抵
抗値測定し、MR素子高さを算出する方法がある。
子高さの測定方法として、MR素子の抵抗値を測定し、
MR素子高さに換算する方法がある。抵抗値を測定する
場合においても、特開平5−46945号公報に記載さ
れているように、MR素子の抵抗値を測定し、MR素子
高さに換算する方法と、特開昭63−191570号公
報に記載されているように、MR素子とは別に素子の形
成工程においてあらかじめ形成し測定用のパターンの抵
抗値測定し、MR素子高さを算出する方法がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】MR素子高さを測定し
た場合の測定データの使い方としては、以下の2通りあ
る。
た場合の測定データの使い方としては、以下の2通りあ
る。
【0009】(1)浮上面の研磨工程において、測定し
たMR素子高さのデータを研磨条件(加工、停止、加工
圧力等)の制御に用いる場合。
たMR素子高さのデータを研磨条件(加工、停止、加工
圧力等)の制御に用いる場合。
【0010】(2)浮上面の研磨加工が終了した時点
で、MR素子高さが所定の仕様値の範囲内に加工されて
いることを確認するためにMR素子高さのデータを用い
る場合。(この場合には、磁気ヘッドの良否の判定とな
る) 前述した測定方法の中で、浮上面からFIBでMR素子
を加工し、加工断面に露出したMR素子を測定する方法
は、MR素子を破壊して測定するため、磁気ヘッドとし
ては機能しないという問題がある。
で、MR素子高さが所定の仕様値の範囲内に加工されて
いることを確認するためにMR素子高さのデータを用い
る場合。(この場合には、磁気ヘッドの良否の判定とな
る) 前述した測定方法の中で、浮上面からFIBでMR素子
を加工し、加工断面に露出したMR素子を測定する方法
は、MR素子を破壊して測定するため、磁気ヘッドとし
ては機能しないという問題がある。
【0011】また、特開昭63−34713号公報及び
特開平2−29913号公報に記載されている測定方法
は、実MR素子を測定していないため、たとえ同じマス
クを用い、同じMR膜で形成したとしても、マスク作成
時の誤差が入ってしまうという問題と、(1)の用途と
してしようする場合には、研磨加工の最中インプロセス
で測定することが困難であるため、浮上面の研磨工程に
おけるMR素子高さを高精度化するための測定方法とし
ては効率が悪い。
特開平2−29913号公報に記載されている測定方法
は、実MR素子を測定していないため、たとえ同じマス
クを用い、同じMR膜で形成したとしても、マスク作成
時の誤差が入ってしまうという問題と、(1)の用途と
してしようする場合には、研磨加工の最中インプロセス
で測定することが困難であるため、浮上面の研磨工程に
おけるMR素子高さを高精度化するための測定方法とし
ては効率が悪い。
【0012】上記した光学的なMR素子高さの測定方法
に対し、抵抗値を測定してMR素子高さに換算する方法
は、以下の利点がある。
に対し、抵抗値を測定してMR素子高さに換算する方法
は、以下の利点がある。
【0013】(1)測定が簡単である (2)研磨中にインプロセスで測定することが可能であ
る このことから、抵抗値を測定する方法は一般によく用い
られている。そして、抵抗値を測定し、MR素子高さに
換算する方法としては、測定用のパターンの抵抗値を測
定し、その抵抗値をMR素子高さに換算する方法と、実
際にMR素子の抵抗値を測定し、MR素子高さに換算す
る方法があるが、前者については、実際のMR素子を測
定していないため、誤差が大きいという問題がある。よ
って、MR素子高さの測定としては、実際のMR素子の
抵抗値を測定し、その抵抗値をMR素子高さに換算する
方法が、誤差も小さく、簡便な方法であると言える。
る このことから、抵抗値を測定する方法は一般によく用い
られている。そして、抵抗値を測定し、MR素子高さに
換算する方法としては、測定用のパターンの抵抗値を測
定し、その抵抗値をMR素子高さに換算する方法と、実
際にMR素子の抵抗値を測定し、MR素子高さに換算す
る方法があるが、前者については、実際のMR素子を測
定していないため、誤差が大きいという問題がある。よ
って、MR素子高さの測定としては、実際のMR素子の
抵抗値を測定し、その抵抗値をMR素子高さに換算する
方法が、誤差も小さく、簡便な方法であると言える。
【0014】しかし、MR素子の抵抗値を測定し、MR
素子高さに換算する場合には、以下の問題がある。
素子高さに換算する場合には、以下の問題がある。
【0015】MR素子の抵抗値を測定する場合、測定し
た抵抗値には、MR素子自体の抵抗値とMR素子と端子
間の配線である電極の抵抗値が同時に測定される。そし
て、この電極も研磨加工により加工されるため、研磨量
とともに電極の抵抗値が変化する。よって、MR素子の
抵抗値変化によりMR素子高さを求める場合に、電極の
抵抗値が誤差の要因となる。
た抵抗値には、MR素子自体の抵抗値とMR素子と端子
間の配線である電極の抵抗値が同時に測定される。そし
て、この電極も研磨加工により加工されるため、研磨量
とともに電極の抵抗値が変化する。よって、MR素子の
抵抗値変化によりMR素子高さを求める場合に、電極の
抵抗値が誤差の要因となる。
【0016】また、記録密度の向上の観点から、MR素
子の幅(トラック幅)は狭くなる傾向にある。そして、
MR素子のトラック幅が狭くなると、MR素子の抵抗値
は減少する。これに対し、電極の抵抗値はほとんど変化
しないことから、測定した抵抗値におけるMR素子の抵
抗値の割合は減少し、電極抵抗の割合が増加している。
これにより、MR素子の抵抗値の測定精度が低下すると
いう問題が生じる。
子の幅(トラック幅)は狭くなる傾向にある。そして、
MR素子のトラック幅が狭くなると、MR素子の抵抗値
は減少する。これに対し、電極の抵抗値はほとんど変化
しないことから、測定した抵抗値におけるMR素子の抵
抗値の割合は減少し、電極抵抗の割合が増加している。
これにより、MR素子の抵抗値の測定精度が低下すると
いう問題が生じる。
【0017】本発明の第1の課題は、MR素子の抵抗値
を測定し、MR素子高さに換算する場合において、誤差
要因である電極の抵抗値を取り除き、MR素子の抵抗値
を直接測定できる磁気ヘッド構造の提供と、この磁気ヘ
ッドのMR素子高さを高精度に加工するための研磨加工
方法を提供することである。
を測定し、MR素子高さに換算する場合において、誤差
要因である電極の抵抗値を取り除き、MR素子の抵抗値
を直接測定できる磁気ヘッド構造の提供と、この磁気ヘ
ッドのMR素子高さを高精度に加工するための研磨加工
方法を提供することである。
【0018】また、本発明の第2の課題は、MRヘッド
を組み込んだ磁気ディスク装置において、ディスクに書
き込んであるデータをMR素子の抵抗値変化により読み
取る際に、抵抗値変化の検出精度を向上するための磁気
ヘッドの構造と、検出方法を提供することである。
を組み込んだ磁気ディスク装置において、ディスクに書
き込んであるデータをMR素子の抵抗値変化により読み
取る際に、抵抗値変化の検出精度を向上するための磁気
ヘッドの構造と、検出方法を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記第1の課題は、MR
素子の両端をそれぞれ2個の端子に接続し、1組の端子
に電流を流し、もう1組の端子の電圧を測定することに
より達成される。
素子の両端をそれぞれ2個の端子に接続し、1組の端子
に電流を流し、もう1組の端子の電圧を測定することに
より達成される。
【0020】また、上記第2の課題は、MR素子の両端
をそれぞれ2個の端子に接続した磁気ヘッドを磁気ディ
スク装置に搭載し、1組の端子に電流を流し、もう1組
の端子の電圧を測定することにより達成される。
をそれぞれ2個の端子に接続した磁気ヘッドを磁気ディ
スク装置に搭載し、1組の端子に電流を流し、もう1組
の端子の電圧を測定することにより達成される。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。
明する。
【0022】始めに、磁気ディスク装置の概要について
説明する。図2(a)、(b)は磁気ヘッドとディスク
の配置図である。CSS(Contact Start Stop)方
式の磁気ディスク装置では、磁気記録媒体であるディス
ク19の回転による動圧を利用することで、磁気ヘッド
スライダ3をディスクの表面から微小量だけ浮上させ、
スライダの端部に形成された磁気記録素子によってデー
タの記録再生を行なっている。このとき、ディスク19
の表面と磁気ヘッド1との間隔を浮上量hと呼び、ディ
スク19に対する磁気ヘッド1の角度を仰角θと呼ぶ。
説明する。図2(a)、(b)は磁気ヘッドとディスク
の配置図である。CSS(Contact Start Stop)方
式の磁気ディスク装置では、磁気記録媒体であるディス
ク19の回転による動圧を利用することで、磁気ヘッド
スライダ3をディスクの表面から微小量だけ浮上させ、
スライダの端部に形成された磁気記録素子によってデー
タの記録再生を行なっている。このとき、ディスク19
の表面と磁気ヘッド1との間隔を浮上量hと呼び、ディ
スク19に対する磁気ヘッド1の角度を仰角θと呼ぶ。
【0023】MRヘッドを用いた磁気ディスク装置の記
録再生は、次のように行われる。
録再生は、次のように行われる。
【0024】・コイル5と上部磁性膜6により、ディス
ク表面を磁化することにより、記録が行われる。
ク表面を磁化することにより、記録が行われる。
【0025】・磁化されているディスク19の表面と磁
気ヘッドスライズ3が相対的に移動することで、ディス
ク19に書き込まれたS、Nの極性により、MR素子4
の抵抗値が変化する。このMR素子4の抵抗値変化を検
出することにより、ディスク19の表面に書き込んだデ
ータが再生される。
気ヘッドスライズ3が相対的に移動することで、ディス
ク19に書き込まれたS、Nの極性により、MR素子4
の抵抗値が変化する。このMR素子4の抵抗値変化を検
出することにより、ディスク19の表面に書き込んだデ
ータが再生される。
【0026】次に、従来のMRヘッドの構造について説
明する。図3(a)、(b)はMRヘッドの構造図であ
る。MRヘッドは、セラミックスのウエハ1の表面に誘
導型磁気変換素子とMR素子をスパッタリング、マスク
形成、エッチング等に代表される薄膜工程により形成
し、これを切断加工することで、複数個の磁気ヘッドス
ライダが連なったロウバー2に加工する。そして、ロウ
バーの状態で研磨加工(浮上面研磨)を行い、浮上面1
8を所定の形状と表面状態に加工する。そして、研磨後
のロウバー2を再度切断加工することで磁気ヘッドスラ
イダ3の状態にする。このため、磁気ヘッドスライダ3
の端面には、ウエハ1の状態で形成した磁気記録素子が
形成される。次に、素子部の構造について説明する。
明する。図3(a)、(b)はMRヘッドの構造図であ
る。MRヘッドは、セラミックスのウエハ1の表面に誘
導型磁気変換素子とMR素子をスパッタリング、マスク
形成、エッチング等に代表される薄膜工程により形成
し、これを切断加工することで、複数個の磁気ヘッドス
ライダが連なったロウバー2に加工する。そして、ロウ
バーの状態で研磨加工(浮上面研磨)を行い、浮上面1
8を所定の形状と表面状態に加工する。そして、研磨後
のロウバー2を再度切断加工することで磁気ヘッドスラ
イダ3の状態にする。このため、磁気ヘッドスライダ3
の端面には、ウエハ1の状態で形成した磁気記録素子が
形成される。次に、素子部の構造について説明する。
【0027】誘導型磁気記録素子はコイル5と上部磁性
膜6により構成されており、上部磁性膜6の端部は、浮
上面18に露出し、この露出部によりデータの記録を行
う。そして、上部磁性膜6の下には、MR素子4が配置
されており、その両端には電極7が接続される。また、
MR素子のデータ再生時のノイズを低減するために、上
部シールド膜8と下部シールド膜9にMR素子4は挾ま
れる構造となっている。
膜6により構成されており、上部磁性膜6の端部は、浮
上面18に露出し、この露出部によりデータの記録を行
う。そして、上部磁性膜6の下には、MR素子4が配置
されており、その両端には電極7が接続される。また、
MR素子のデータ再生時のノイズを低減するために、上
部シールド膜8と下部シールド膜9にMR素子4は挾ま
れる構造となっている。
【0028】また、大多数のMRヘッドの場合、MR素
子4は上部磁性膜6と同じように浮上面18に露出する
構造になっているため、MR素子4は、浮上面18を研
磨加工する際に、その一部が除去される。よって、MR
素子4の浮上面と直角方向の高さであるMR素子高さ
は、この研磨加工によってその寸法が決められる。
子4は上部磁性膜6と同じように浮上面18に露出する
構造になっているため、MR素子4は、浮上面18を研
磨加工する際に、その一部が除去される。よって、MR
素子4の浮上面と直角方向の高さであるMR素子高さ
は、この研磨加工によってその寸法が決められる。
【0029】そして、このMR素子高さは、データを再
生する際の再生出力に大きく影響することから、研磨加
工時の加工公差は非常に狭くなっている。よって、研磨
加工後にMR素子高さが所定の寸法に入っているか確認
することは、磁気ディスク装置の信頼性を確保するため
に必要となる。
生する際の再生出力に大きく影響することから、研磨加
工時の加工公差は非常に狭くなっている。よって、研磨
加工後にMR素子高さが所定の寸法に入っているか確認
することは、磁気ディスク装置の信頼性を確保するため
に必要となる。
【0030】このMR素子高さの測定は、測定が簡便で
あり、信頼性も高いことから、MR素子の抵抗値を測定
し、この抵抗値をMR素子高さに換算する方法が一般的
に行われている。
あり、信頼性も高いことから、MR素子の抵抗値を測定
し、この抵抗値をMR素子高さに換算する方法が一般的
に行われている。
【0031】次に、MR素子高さの制御研磨方法につい
て説明する。図4(a)、(b)は現状の磁気ヘッドス
ライダの構造図(ロウバー状態)である。1つの磁気ヘ
ッドスライダには、誘導型磁気変換素子とMR素子、そ
して、それぞれを磁気ディスク装置の信号処理回路と接
続するために、MR素子用の端子10、誘導型磁気変換
素子用の端子11が形成されている。そして、磁気ヘッ
ドスライダと磁気ヘッドスライダの間には切断部が設け
られ、この切断部には浮上面研磨加工時にMR素子高さ
を検出するための抵抗検知パターン12と抵抗検知パタ
ーン用の端子13が形成される。
て説明する。図4(a)、(b)は現状の磁気ヘッドス
ライダの構造図(ロウバー状態)である。1つの磁気ヘ
ッドスライダには、誘導型磁気変換素子とMR素子、そ
して、それぞれを磁気ディスク装置の信号処理回路と接
続するために、MR素子用の端子10、誘導型磁気変換
素子用の端子11が形成されている。そして、磁気ヘッ
ドスライダと磁気ヘッドスライダの間には切断部が設け
られ、この切断部には浮上面研磨加工時にMR素子高さ
を検出するための抵抗検知パターン12と抵抗検知パタ
ーン用の端子13が形成される。
【0032】研磨加工におけるMR素子高さの制御に
は、この抵抗検知パターン12の一部が研磨加工により
除去される際の抵抗値の変化を検出することで、MR素
子高さを換算し、研磨加工量を制御している。一般的
に、この抵抗検知パターン11は、MR素子と同じ工程
において、同じMR膜で形成されるため、実際のMR素
子との位置のずれ量が小さく抑えられるとともに、同じ
膜であるため、MR膜の膜厚変化、比抵抗変化をキャン
セルできる。よって、抵抗検知パターン13により換算
したMR素子高さと実際のMR素子高さとの測定誤差を
小さくできる。
は、この抵抗検知パターン12の一部が研磨加工により
除去される際の抵抗値の変化を検出することで、MR素
子高さを換算し、研磨加工量を制御している。一般的
に、この抵抗検知パターン11は、MR素子と同じ工程
において、同じMR膜で形成されるため、実際のMR素
子との位置のずれ量が小さく抑えられるとともに、同じ
膜であるため、MR膜の膜厚変化、比抵抗変化をキャン
セルできる。よって、抵抗検知パターン13により換算
したMR素子高さと実際のMR素子高さとの測定誤差を
小さくできる。
【0033】次に、MR素子高さの測定精度を向上する
ためのMR素子部の構造及び測定方法を説明する。
ためのMR素子部の構造及び測定方法を説明する。
【0034】ここでは、MR素子高さの測定精度の向上
を目的に開発したMRヘッドの構造及びMR素子高さの
測定方法について、以下に説明する。始めに、従来の磁
気ヘッドスライダのMR素子高さの検出方法について説
明する。
を目的に開発したMRヘッドの構造及びMR素子高さの
測定方法について、以下に説明する。始めに、従来の磁
気ヘッドスライダのMR素子高さの検出方法について説
明する。
【0035】図4(a)、(b)は従来の磁気ヘッドス
ライダのMR素子部の概念図である。構造としては、M
R素子4の両端に電極7が接続されており、電極7のも
う一方の端部は、磁気ディスク装置の信号処理回路と接
続するための端子10に接続される。測定時には、MR
素子4と電極7に電流iを流し、そのときの端子10間
の電圧Vを測定する。そして、電極7の抵抗値をRd、
MR素子4の抵抗値をRmとすると、電圧Vは次の[数
1]で現わされる。
ライダのMR素子部の概念図である。構造としては、M
R素子4の両端に電極7が接続されており、電極7のも
う一方の端部は、磁気ディスク装置の信号処理回路と接
続するための端子10に接続される。測定時には、MR
素子4と電極7に電流iを流し、そのときの端子10間
の電圧Vを測定する。そして、電極7の抵抗値をRd、
MR素子4の抵抗値をRmとすると、電圧Vは次の[数
1]で現わされる。
【0036】
【数1】V=i(2Rd+Rm) また、MR素子高さの変換式は次の[数2]で現わされ
る。
る。
【0037】
【数2】MR素子高さ=ρ・Tw/t・Rm ρ:膜の比抵抗 Tw:トラック幅 t:膜厚 Rm:抵抗値 これら[数1]、[数2]よりMR素子高さを計算する
が、従来のMRヘッドでは、Rmを直接測定できないた
め、以下の誤差要因が含まれる。
が、従来のMRヘッドでは、Rmを直接測定できないた
め、以下の誤差要因が含まれる。
【0038】(1)測定した抵抗値には電極抵抗Rdが
含まれるため、抵抗値の測定精度はRm/(2Rd+R
m)となり、測定精度が低下する。
含まれるため、抵抗値の測定精度はRm/(2Rd+R
m)となり、測定精度が低下する。
【0039】(2)測定した抵抗値から、電極抵抗Rd
とMR素子抵抗Rmを分離することはできないため、実
際のやり方としては、Rdだけの抵抗値を測定できるパ
ターンを別途形成し、そのパターンの抵抗値を測定する
ことでRd’をあらかじめ求める。そして、Rd’を
[数1]に代入することで、Rmを算出している。この
方法では、電極抵抗Rdのばらつきがそのまま誤差にな
る。また、電極7の先端は浮上面研磨時に除去されるた
め、Rdは研磨加工量の関数である。よって、研磨加工
量により実際のRdは変化するため、Rd′との誤差が
生じやすい。
とMR素子抵抗Rmを分離することはできないため、実
際のやり方としては、Rdだけの抵抗値を測定できるパ
ターンを別途形成し、そのパターンの抵抗値を測定する
ことでRd’をあらかじめ求める。そして、Rd’を
[数1]に代入することで、Rmを算出している。この
方法では、電極抵抗Rdのばらつきがそのまま誤差にな
る。また、電極7の先端は浮上面研磨時に除去されるた
め、Rdは研磨加工量の関数である。よって、研磨加工
量により実際のRdは変化するため、Rd′との誤差が
生じやすい。
【0040】(3)MR素子の幅であるトラック幅は、
記録密度の向上とともに幅が狭くなってきている。これ
にともない、MR素子抵抗Rmの抵抗値は小さくなる傾
向にある。しかし、電極抵抗Rdはほとんど変化しない
ため、(1)において説明したRmの測定精度は低下す
る傾向にある。
記録密度の向上とともに幅が狭くなってきている。これ
にともない、MR素子抵抗Rmの抵抗値は小さくなる傾
向にある。しかし、電極抵抗Rdはほとんど変化しない
ため、(1)において説明したRmの測定精度は低下す
る傾向にある。
【0041】次に、上記従来のMRヘッドのMR素子高
さ測定の問題点を解決するために開発した本発明のMR
ヘッド構造と測定方法について、以下に説明する。
さ測定の問題点を解決するために開発した本発明のMR
ヘッド構造と測定方法について、以下に説明する。
【0042】図5(a)、(b)は本発明の磁気ヘッド
スライダ(MRヘッド)の構造図である。従来の磁気ヘ
ッドのMR素子高さの測定精度の低下は、電極抵抗Rd
が原因であった。よって、本発明では、電極抵抗Rdを
無視できるようにするため、図5に示すように、MR素
子の両端をそれぞれ2個の電極(電圧測定用電極14、
電流用電極13)に接続する構造とした。このとき、外
側の電極である電流用電極13には電流iを流し、内側
の電極である電圧測定用電極14にかかる電圧Vを測定
すると、電圧Vは次の[数3]により求められる。
スライダ(MRヘッド)の構造図である。従来の磁気ヘ
ッドのMR素子高さの測定精度の低下は、電極抵抗Rd
が原因であった。よって、本発明では、電極抵抗Rdを
無視できるようにするため、図5に示すように、MR素
子の両端をそれぞれ2個の電極(電圧測定用電極14、
電流用電極13)に接続する構造とした。このとき、外
側の電極である電流用電極13には電流iを流し、内側
の電極である電圧測定用電極14にかかる電圧Vを測定
すると、電圧Vは次の[数3]により求められる。
【0043】
【数3】V=i・Rm [数3]において、電極Rdが入らないことから、MR
素子の抵抗値Rmの直接測定が可能になることがわか
る。
素子の抵抗値Rmの直接測定が可能になることがわか
る。
【0044】そして、[数2]にRmを代入することに
より、Rmの値からMR素子高さを求めることができ
る。これにより、MR素子高さを高精度に測定すること
が可能になる。
より、Rmの値からMR素子高さを求めることができ
る。これにより、MR素子高さを高精度に測定すること
が可能になる。
【0045】上記したMRヘッドでは、MR素子の両端
をそれぞれ2個の端子に接続するため、1つの磁気ヘッ
ドスライダに対し、6個の端子が必要となる。開発した
磁気ヘッドでは、図5に示すように、MR素子に一番近
い位置に電圧測定用電極14に接続する端子16、その
隣に電流用電極13に接続する端子15、一番外側に誘
導型磁気変換素子に接続する端子11を配置した。しか
し、1つの磁気ヘッドスライダに6個の端子を入れる
と、端子とコイル5にほとんどのスペースを使用してし
まう。
をそれぞれ2個の端子に接続するため、1つの磁気ヘッ
ドスライダに対し、6個の端子が必要となる。開発した
磁気ヘッドでは、図5に示すように、MR素子に一番近
い位置に電圧測定用電極14に接続する端子16、その
隣に電流用電極13に接続する端子15、一番外側に誘
導型磁気変換素子に接続する端子11を配置した。しか
し、1つの磁気ヘッドスライダに6個の端子を入れる
と、端子とコイル5にほとんどのスペースを使用してし
まう。
【0046】この問題に対し、端子の配置を考慮した場
合のMRヘッドも合わせて開発した。図6(a)、
(b)に示すように、電流用電極13に接続する端子1
5を切断部に形成することにより、1つの磁気ヘッドス
ライダに入れる端子を従来のMRヘッドと同じ4個にす
ることができる。ただし、この場合には、切断部に抵抗
検知パターン12とその端子13を形成するスペースが
なくなるため、浮上面研磨時にインプロセスでMR素子
高さを測定し、それによりMR素子高さを制御すること
はできない。この場合には、MR素子の抵抗値を測定
し、これにより求めたMR素子高さによりMR素子高さ
を制御することになる。
合のMRヘッドも合わせて開発した。図6(a)、
(b)に示すように、電流用電極13に接続する端子1
5を切断部に形成することにより、1つの磁気ヘッドス
ライダに入れる端子を従来のMRヘッドと同じ4個にす
ることができる。ただし、この場合には、切断部に抵抗
検知パターン12とその端子13を形成するスペースが
なくなるため、浮上面研磨時にインプロセスでMR素子
高さを測定し、それによりMR素子高さを制御すること
はできない。この場合には、MR素子の抵抗値を測定
し、これにより求めたMR素子高さによりMR素子高さ
を制御することになる。
【0047】次に、インプロセスMR素子高さ検出によ
る高精度MR素子高さ制御研磨加工を説明する。
る高精度MR素子高さ制御研磨加工を説明する。
【0048】ここでは、上記説明したMRヘッドの構造
と測定方法を用いたMR素子高さの制御研磨加工につい
て説明する。始めに、従来のMRヘッドにおけるMR素
子高さの制御研磨加工について説明する。
と測定方法を用いたMR素子高さの制御研磨加工につい
て説明する。始めに、従来のMRヘッドにおけるMR素
子高さの制御研磨加工について説明する。
【0049】図7にMRヘッドの加工プロセスを示す。
前述したように、MRヘッドの加工は、ウエハ1の表面
に素子を形成した後、切断加工によりロウバー2の状態
に加工する。そして、ロウバーの状態で浮上面を研磨す
ることにより、浮上面の表面粗さを向上し、MR素子と
上部磁性膜の一部も研磨することで、それらを浮上面に
露出させるとともに、MR素子高さを所定の寸法まで追
い込んでいる。
前述したように、MRヘッドの加工は、ウエハ1の表面
に素子を形成した後、切断加工によりロウバー2の状態
に加工する。そして、ロウバーの状態で浮上面を研磨す
ることにより、浮上面の表面粗さを向上し、MR素子と
上部磁性膜の一部も研磨することで、それらを浮上面に
露出させるとともに、MR素子高さを所定の寸法まで追
い込んでいる。
【0050】この浮上面研磨では、専用の治具にロウバ
ーを接着するため、接着時のワックスの収縮力等によ
り、ロウバーには2次の曲がり成分と2次以上の曲がり
成分(うねり成分)が生じる。この2次の曲がりとうね
りが混在した状態で浮上面を研磨加工すると、同一ロウ
バー内において、加工後のMR素子高さにばらつきが生
じる。
ーを接着するため、接着時のワックスの収縮力等によ
り、ロウバーには2次の曲がり成分と2次以上の曲がり
成分(うねり成分)が生じる。この2次の曲がりとうね
りが混在した状態で浮上面を研磨加工すると、同一ロウ
バー内において、加工後のMR素子高さにばらつきが生
じる。
【0051】これを防止するため、接着面を曲げられる
構造の治具を用い、接着面を曲げることで、接着後のロ
ウバーの2次曲がり成分を研磨前にあらかじめ補正する
方法がとられている。
構造の治具を用い、接着面を曲げることで、接着後のロ
ウバーの2次曲がり成分を研磨前にあらかじめ補正する
方法がとられている。
【0052】そして、浮上面研磨では、切断部に形成し
た抵抗検知パターンの抵抗値をインプロセスで測定し、
この値をMR素子高さに換算することでロウバー内のM
R素子高さの分布を把握し、MR素子高さの分布に傾き
が生じている場合には、治具の両端に加える荷重のバラ
ンスを制御することにより、MR素子高さの傾きを補正
するとともに、検出したMR素子高さの分布が所定の寸
法になった時点で、研磨加工を停止することで、MR素
子高さを所定の寸法に加工している。
た抵抗検知パターンの抵抗値をインプロセスで測定し、
この値をMR素子高さに換算することでロウバー内のM
R素子高さの分布を把握し、MR素子高さの分布に傾き
が生じている場合には、治具の両端に加える荷重のバラ
ンスを制御することにより、MR素子高さの傾きを補正
するとともに、検出したMR素子高さの分布が所定の寸
法になった時点で、研磨加工を停止することで、MR素
子高さを所定の寸法に加工している。
【0053】研磨加工終了後には、MR素子が所定の寸
法に加工できているかを確認するために、全てのMR素
子の抵抗値を測定し、これをMR素子高さに換算するこ
とで、チェックを行っている。その後、ロウバー状態を
切断加工することで、スライダに分割し、磁気ヘッドス
ライダが完了する。そして、良品については、組み立て
工程に投入して、磁気ディスク装置に組み込まれる。
法に加工できているかを確認するために、全てのMR素
子の抵抗値を測定し、これをMR素子高さに換算するこ
とで、チェックを行っている。その後、ロウバー状態を
切断加工することで、スライダに分割し、磁気ヘッドス
ライダが完了する。そして、良品については、組み立て
工程に投入して、磁気ディスク装置に組み込まれる。
【0054】以上が従来のMRヘッド一般的な加工工程
であるが、MR素子高さに関して、下記の問題が生じ
る。
であるが、MR素子高さに関して、下記の問題が生じ
る。
【0055】(1)浮上面研磨では、抵抗検知パターン
の抵抗値からMR素子高さを計算するため、抵抗検知パ
ターンから計算したMR素子高さとMR素子の抵抗値か
ら計算したMR素子高さの間に、0.1〜0.3μm程
度ズレを生じる場合がある。
の抵抗値からMR素子高さを計算するため、抵抗検知パ
ターンから計算したMR素子高さとMR素子の抵抗値か
ら計算したMR素子高さの間に、0.1〜0.3μm程
度ズレを生じる場合がある。
【0056】この原因としては、次のように考える。1
つは、抵抗検知パターンは、MR素子形成時に、同じマ
スクで形成されるがマスクの精度だけ、MR素子と抵抗
検知パターンに位置ズレが生じており、この位置ズレに
起因する誤差である。もう1つは、各々が電極抵抗の影
響を受けており、その電極抵抗とMR素子の割合も違っ
ていることから生じる誤差である。
つは、抵抗検知パターンは、MR素子形成時に、同じマ
スクで形成されるがマスクの精度だけ、MR素子と抵抗
検知パターンに位置ズレが生じており、この位置ズレに
起因する誤差である。もう1つは、各々が電極抵抗の影
響を受けており、その電極抵抗とMR素子の割合も違っ
ていることから生じる誤差である。
【0057】(2)浮上面ラップ後のMR素子高さの測
定に関しても、前述した電極抵抗の影響等によりMR素
子の抵抗値から換算したMR素子高さと、同じMR素子
をFIB(Focused Ion Beam)加工し、その断面か
ら光学的に測定した実MR素子高さとの間には、0.1
〜0.2μm程度の誤差が生じることがある。
定に関しても、前述した電極抵抗の影響等によりMR素
子の抵抗値から換算したMR素子高さと、同じMR素子
をFIB(Focused Ion Beam)加工し、その断面か
ら光学的に測定した実MR素子高さとの間には、0.1
〜0.2μm程度の誤差が生じることがある。
【0058】これに対し、本発明では、以下に説明する
加工プロセスによりMRヘッドを加工した。
加工プロセスによりMRヘッドを加工した。
【0059】図8に本発明のMRヘッド加工プロセスを
示す。素子の形成工程では、MR素子部の電極と端子を
図5に示す構造に形成する。また、切断部には、抵抗検
知パターンとその端子を形成する。次に、素子形成後の
ウエハを切断加工し、ロウバーの状態にする。そして、
切断後のロウバーを治具に接着するが、この時の治具に
は、治具接着面を2次以上の高次モードで曲げ変形させ
るための治具を用いる。
示す。素子の形成工程では、MR素子部の電極と端子を
図5に示す構造に形成する。また、切断部には、抵抗検
知パターンとその端子を形成する。次に、素子形成後の
ウエハを切断加工し、ロウバーの状態にする。そして、
切断後のロウバーを治具に接着するが、この時の治具に
は、治具接着面を2次以上の高次モードで曲げ変形させ
るための治具を用いる。
【0060】そして、浮上面研磨に用いる加工機は、治
具の接着面を変形させるための荷重を加える荷重制御装
置を1個以上有し、研磨時の治具の傾きを制御するとと
もに、研磨荷重を加えるための荷重制御装置を2個有
し、これらの荷重制御装置はコンピュータにより制御す
る。また、研磨定盤の回転後、加工液の供給量に関して
もコンピュータにより制御する。そして、浮上面研磨
は、以下のプロセスにより行う。
具の接着面を変形させるための荷重を加える荷重制御装
置を1個以上有し、研磨時の治具の傾きを制御するとと
もに、研磨荷重を加えるための荷重制御装置を2個有
し、これらの荷重制御装置はコンピュータにより制御す
る。また、研磨定盤の回転後、加工液の供給量に関して
もコンピュータにより制御する。そして、浮上面研磨
は、以下のプロセスにより行う。
【0061】(1)制御工程1 研磨加工時にインプロセスで抵抗検知パターンの抵抗値
を測定し、これをMR素子高さに換算する。そして、ロ
ウバー内のMR素子高さの分布をコンピュータにより計
算する。そして、計算したMR素子高さの分布より、研
磨荷重と定盤回転数、加工液の供給量を制御することに
より、研磨能率を制御する。また、この時、治具の両端
に加える研磨荷重のバランスを制御することでMR素子
高さの分布の傾きを補正するとともに、治具の接着面に
加える荷重を制御することによりMR素子高さの分布に
おける2次曲がり成分とうねり成分を補正する。
を測定し、これをMR素子高さに換算する。そして、ロ
ウバー内のMR素子高さの分布をコンピュータにより計
算する。そして、計算したMR素子高さの分布より、研
磨荷重と定盤回転数、加工液の供給量を制御することに
より、研磨能率を制御する。また、この時、治具の両端
に加える研磨荷重のバランスを制御することでMR素子
高さの分布の傾きを補正するとともに、治具の接着面に
加える荷重を制御することによりMR素子高さの分布に
おける2次曲がり成分とうねり成分を補正する。
【0062】このMR素子高さの分布の傾きと2次曲が
り成分、うねり成分に関しては、所定のサンプリングタ
イムのMR素子高さの分布データを基にその都度、加え
る荷重の値を変えることで、MR素子高さの分布の傾
き、2次曲がり成分、うねり成分を低減する。そして、
MR素子高さの分布が所定の寸法になった時点で、制御
工程2に移行する。
り成分、うねり成分に関しては、所定のサンプリングタ
イムのMR素子高さの分布データを基にその都度、加え
る荷重の値を変えることで、MR素子高さの分布の傾
き、2次曲がり成分、うねり成分を低減する。そして、
MR素子高さの分布が所定の寸法になった時点で、制御
工程2に移行する。
【0063】(2)制御工程2 この工程では、ロウバー内の3個以上のMR素子の抵抗
値を電流用電極13に電流iを流し、電圧測定用電極1
4の電圧を測定することにより、MR素子の抵抗値Rm
を研磨加工中にインプロセスで直接測定する。そして、
この値を[数2]に代入することで、MR素子高さに換
算し、ロウバー内のMR素子高さの分布を計算する。そ
して、このデータを基に制御工程1と同じように、研磨
荷重と定盤回転後、加工液の供給量を制御することによ
り、研磨能率を制御し、治具の両端に加える研磨荷重の
バランスを制御することでMR素子高さの分布の傾きを
補正し、治具の接着面に加える荷重を制御することによ
りMR素子高さの分布における2次曲がり成分とうねり
成分を補正する。そして、研磨加工が進行し、MR素子
高さが所定の寸法になった時点で、加工を停止する。
値を電流用電極13に電流iを流し、電圧測定用電極1
4の電圧を測定することにより、MR素子の抵抗値Rm
を研磨加工中にインプロセスで直接測定する。そして、
この値を[数2]に代入することで、MR素子高さに換
算し、ロウバー内のMR素子高さの分布を計算する。そ
して、このデータを基に制御工程1と同じように、研磨
荷重と定盤回転後、加工液の供給量を制御することによ
り、研磨能率を制御し、治具の両端に加える研磨荷重の
バランスを制御することでMR素子高さの分布の傾きを
補正し、治具の接着面に加える荷重を制御することによ
りMR素子高さの分布における2次曲がり成分とうねり
成分を補正する。そして、研磨加工が進行し、MR素子
高さが所定の寸法になった時点で、加工を停止する。
【0064】以上説明した研磨加工を行うことにより、
従来のMRヘッド加工プロセスにおいて問題となる抵抗
検知パターンから計算したMR素子高さとMR素子の抵
抗値から計算したMR素子高さのズレ量を低減すること
ができる。これにより、MRヘッド加工におけるMR素
子高さの加工精度を向上できるため、MR素子高さ起因
の加工歩留まりを向上することができる。
従来のMRヘッド加工プロセスにおいて問題となる抵抗
検知パターンから計算したMR素子高さとMR素子の抵
抗値から計算したMR素子高さのズレ量を低減すること
ができる。これにより、MRヘッド加工におけるMR素
子高さの加工精度を向上できるため、MR素子高さ起因
の加工歩留まりを向上することができる。
【0065】また、本発明では、浮上面研磨後のMR素
子高さの測定においても、電流用電極13に電流iを流
し、電圧測定用電極14の電圧を測定することにより、
MR素子の抵抗値Rmを直接測定し、これをMR素子高
さに換算することで、MR素子の抵抗値から換算したM
R素子高さと、同じMR素子をFIB加工し、その断面
からMR素子高さを測定した実MR素子高さとの間の誤
差を低減することができる。これにより、MR素子高さ
が所定の寸法になった磁気ヘッドスライダを組み立て工
程に送ることができ、磁気ディスク装置の再生出力の安
定化を図ることができる。
子高さの測定においても、電流用電極13に電流iを流
し、電圧測定用電極14の電圧を測定することにより、
MR素子の抵抗値Rmを直接測定し、これをMR素子高
さに換算することで、MR素子の抵抗値から換算したM
R素子高さと、同じMR素子をFIB加工し、その断面
からMR素子高さを測定した実MR素子高さとの間の誤
差を低減することができる。これにより、MR素子高さ
が所定の寸法になった磁気ヘッドスライダを組み立て工
程に送ることができ、磁気ディスク装置の再生出力の安
定化を図ることができる。
【0066】また、図6に示す切断部に電極15を形成
する場合には、抵抗検知パターンを形成することがスペ
ース的に困難であるため、図9に示すように、MR素子
の抵抗値を測定する制御工程2だけでMR素子高さを制
御することになる。
する場合には、抵抗検知パターンを形成することがスペ
ース的に困難であるため、図9に示すように、MR素子
の抵抗値を測定する制御工程2だけでMR素子高さを制
御することになる。
【0067】次に、磁気ディスク装置におけるMR素子
の抵抗値変化の検出方法を説明する。
の抵抗値変化の検出方法を説明する。
【0068】ここでは、本発明の磁気ディスク装置にお
けるMR素子の抵抗値変化の検出方法について説明す
る。始めに、本発明の磁気ディスク装置の構造について
説明する。図1(a)、(b)はMRヘッドを搭載した
磁気ディスク装置の外観図である。CSS方式の磁気デ
ィスク装置では、記録媒体であるディスク19の表面と
磁気ヘッドスライダ3の浮上面18が接触するように配
置される。また、磁気ヘッド3は、板ばね20の先端付
近に固定されており、板ばね20のもう一方の端にある
アクチュエータ21により、ディスク19の半径方向に
移動する。
けるMR素子の抵抗値変化の検出方法について説明す
る。始めに、本発明の磁気ディスク装置の構造について
説明する。図1(a)、(b)はMRヘッドを搭載した
磁気ディスク装置の外観図である。CSS方式の磁気デ
ィスク装置では、記録媒体であるディスク19の表面と
磁気ヘッドスライダ3の浮上面18が接触するように配
置される。また、磁気ヘッド3は、板ばね20の先端付
近に固定されており、板ばね20のもう一方の端にある
アクチュエータ21により、ディスク19の半径方向に
移動する。
【0069】搭載するMRヘッドは、図5に示すMRヘ
ッド構造であり、ディスク19に書き込まれたデータの
再生を行う際に、次のようにMR素子の抵抗値変化を検
出することで、ディスク19に記録されたデータを再生
することができる。
ッド構造であり、ディスク19に書き込まれたデータの
再生を行う際に、次のようにMR素子の抵抗値変化を検
出することで、ディスク19に記録されたデータを再生
することができる。
【0070】実際のデータの再生は次のように行われ
る。MR素子の両端をそれぞれ2個の電極(電圧測定用
電極14、電流用電極13)に対し、電流用電極13に
は電流iを流し、内側の電極である電圧測定用電極14
にかかる電圧Vを測定する。そして、このときの電圧V
は[数3]により現わされる。そして、ディスク19と
磁気ヘッドラスイダ3が摺動すると、ディスク19に書
き込まれた極性により、MR素子の抵抗値Rmが変化す
る。
る。MR素子の両端をそれぞれ2個の電極(電圧測定用
電極14、電流用電極13)に対し、電流用電極13に
は電流iを流し、内側の電極である電圧測定用電極14
にかかる電圧Vを測定する。そして、このときの電圧V
は[数3]により現わされる。そして、ディスク19と
磁気ヘッドラスイダ3が摺動すると、ディスク19に書
き込まれた極性により、MR素子の抵抗値Rmが変化す
る。
【0071】この抵抗値変化により、電圧Vが変化する
ため、これを信号処理することで、ディスクに書き込ま
れたデータをデジタル信号に変換することができる。ま
た、[数3]において、電極Rdが入らないことから、
MR素子の抵抗値Rmの直接測定が可能になる。よっ
て、データを読み取る際のMR素子の抵抗値変化の検出
精度を向上することができる。これにより、データの読
み取りエラーを防止を抑制することになるため、磁気デ
ィスク装置としての信頼性を向上することができる。
ため、これを信号処理することで、ディスクに書き込ま
れたデータをデジタル信号に変換することができる。ま
た、[数3]において、電極Rdが入らないことから、
MR素子の抵抗値Rmの直接測定が可能になる。よっ
て、データを読み取る際のMR素子の抵抗値変化の検出
精度を向上することができる。これにより、データの読
み取りエラーを防止を抑制することになるため、磁気デ
ィスク装置としての信頼性を向上することができる。
【0072】ここでは、MR素子を用いたMRヘッドに
ついて記述したが、次世代の磁気ヘッドであるGMR
(Giant MR)ヘッドに関しても同様の測定が可能で
ある。
ついて記述したが、次世代の磁気ヘッドであるGMR
(Giant MR)ヘッドに関しても同様の測定が可能で
ある。
【0073】
【発明の効果】(1)本発明では、電極抵抗の影響を排
除し、MR素子の抵抗値を直接測定することが可能にな
るため、MR素子高さの測定精度が向上する。これによ
り、MR素子高さが所定の寸法になった磁気ヘッドスラ
イダだけを組み立て工程に送ることができるようにな
る。よって、組み立て工程における検査工程の簡便化
と、MRヘッドにおける再生出力の安定化により、磁気
ディスク装置としての信頼性を向上することができる。
除し、MR素子の抵抗値を直接測定することが可能にな
るため、MR素子高さの測定精度が向上する。これによ
り、MR素子高さが所定の寸法になった磁気ヘッドスラ
イダだけを組み立て工程に送ることができるようにな
る。よって、組み立て工程における検査工程の簡便化
と、MRヘッドにおける再生出力の安定化により、磁気
ディスク装置としての信頼性を向上することができる。
【0074】(2)上記MR素子高さの測定を浮上面研
磨工程にインプロセスで行い、このとき測定したMR素
子高さを基に、研磨条件を制御することで、MR素子高
さの加工精度を向上することができる。これにより、M
Rヘッド生産におけるMRヘッド起因の歩留まりを向上
することができる。
磨工程にインプロセスで行い、このとき測定したMR素
子高さを基に、研磨条件を制御することで、MR素子高
さの加工精度を向上することができる。これにより、M
Rヘッド生産におけるMRヘッド起因の歩留まりを向上
することができる。
【0075】(3)ディスクに書き込んであるデータを
MR素子の抵抗値変化により読み取る際に、MR素子高
さの測定と同じ測定方法を用いることにより、MR素子
の抵抗値変化の測定精度を向上することができる。これ
により、データの読み取りエラーを防止を抑制すること
になるため、磁気ディスク装置としての信頼性を向上す
ることができる。
MR素子の抵抗値変化により読み取る際に、MR素子高
さの測定と同じ測定方法を用いることにより、MR素子
の抵抗値変化の測定精度を向上することができる。これ
により、データの読み取りエラーを防止を抑制すること
になるため、磁気ディスク装置としての信頼性を向上す
ることができる。
【図1】本発明の実施例である磁気ディスク装置の構造
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図2】磁気ヘッド(MRヘッド)の構造を説明する構
造図。
造図。
【図3】図1の従来のMRヘッドの構造を説明する斜視
図。
図。
【図4】本発明の実施例であるMRヘッドの構造を説明
する構造図。(抵抗測定パターンを併用する場合)
する構造図。(抵抗測定パターンを併用する場合)
【図5】本発明の実施例であるMRヘッドの構造を説明
する構造図。(抵抗測定パターンを併用しない場合)
する構造図。(抵抗測定パターンを併用しない場合)
【図6】磁気ヘッドとディスクの配置を示す配置図。
【図7】従来のMRヘッドの加工プロセスを示すフロー
チャート。
チャート。
【図8】本発明のMRヘッドの加工プロセスを示すフロ
ーチャート。
ーチャート。
【図9】電流用電極を接続するための端子を切断部に形
成した場合のMRヘッドの加工プロセスを示すフローチ
ャート。
成した場合のMRヘッドの加工プロセスを示すフローチ
ャート。
1…ウエハ、 2…ローバー、3…
磁気ヘッドスライダ、 4…MR素子(磁気抵抗
効果素子)、5…コイル、 6…上
部磁性膜、7…電極、 8…上部
シールド膜、9…下部シールド膜、 10…M
R素子接続用端子、11…誘導型磁気変換素子接続用の
端子、12…抵抗測定パターン、13…電流用電極(電
流を流す専用の電極)、14…電圧測定用電極(電圧測
定専用の電極)、15…電流用電極との接続用端子、1
6…電圧測定用電極との接続用端子、17…抵抗測定パ
ターン用端子、 18…浮上面、19…ディスク、
20…板ばね、21…アクチュエータ、
22…基板材。
磁気ヘッドスライダ、 4…MR素子(磁気抵抗
効果素子)、5…コイル、 6…上
部磁性膜、7…電極、 8…上部
シールド膜、9…下部シールド膜、 10…M
R素子接続用端子、11…誘導型磁気変換素子接続用の
端子、12…抵抗測定パターン、13…電流用電極(電
流を流す専用の電極)、14…電圧測定用電極(電圧測
定専用の電極)、15…電流用電極との接続用端子、1
6…電圧測定用電極との接続用端子、17…抵抗測定パ
ターン用端子、 18…浮上面、19…ディスク、
20…板ばね、21…アクチュエータ、
22…基板材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯野 千博 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 田中 幸治 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (7)
- 【請求項1】基板上に誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗
効果素子を積層した薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子の両端をそれぞれ2個の端子に接続することを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】記録媒体であるディスクと、磁気抵抗効果
素子の両端をそれぞれ2個の端子に接続した薄膜磁気ヘ
ッドと、該磁気ヘッドを駆動するアクチュエータとを備
えたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項3】請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの測定方法
において、磁気抵抗効果素子の両端を接続した端子1組
に電流を流し、他方の1組の端子の電圧を測定すること
で、磁気抵抗効果素子の抵抗値を求め、この値を基に磁
気抵抗効果素子の浮上面と直角方向の高さを算出するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの測定方法。 - 【請求項4】請求項3記載の薄膜磁気ヘッドの測定方法
を、薄膜磁気ヘッドの浮上面を研磨加工する際にインプ
ロセスで行い、これによって算出した磁気抵抗効果素子
の浮上面と直角方向の高さデータを基に、研磨荷重、加
工停止、定盤回転数、加工液の供給を制御することを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの研磨加工方法。 - 【請求項5】請求項4記載の薄膜磁気ヘッドの研磨加工
方法において、第一の工程として磁気抵抗効果素子とは
別に形成した研磨加工量検知素子の抵抗値より加工量を
算出し、このデータを基に研磨荷重、定盤回転数、加工
液の供給を制御を行い、第2の工程として請求項3記載
の薄膜磁気ヘッドの測定方法を、薄膜磁気ヘッドの浮上
面を研磨加工する際にインプロセスで行い、これによっ
て算出した磁気抵抗効果素子の浮上面と直角方向の高さ
データを基に、研磨圧力、加工停止、定盤回転数、加工
液の供給を制御することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
研磨加工方法。 - 【請求項6】請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、
磁気抵抗効果素子の両端を接続した端子1組を、個々の
磁気ヘッドを切り離す際の切断代に形成することを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項7】請求項2記載の磁気ディスク装置におい
て、あらかじめ記録媒体であるディスクに書き込んだデ
ータを磁気抵抗効果素子の抵抗値変化により読み取る際
に、磁気抵抗効果素子の両端を接続した端子1組に電流
を流し、他方の1組の端子の電圧を測定することで、磁
気抵抗効果素子の抵抗値変化を検出することを特徴とす
る磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4484798A JPH11242806A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置及び研磨加工方法並びにその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4484798A JPH11242806A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置及び研磨加工方法並びにその測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242806A true JPH11242806A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12702882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4484798A Pending JPH11242806A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置及び研磨加工方法並びにその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384327B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for grinding a bar of thin film magnetic elements utilizing a plurality of resistive films |
| US7643250B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pad slider design for on-slider ELGs |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP4484798A patent/JPH11242806A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384327B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for grinding a bar of thin film magnetic elements utilizing a plurality of resistive films |
| US7643250B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pad slider design for on-slider ELGs |
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|---|---|---|---|
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