JPH11243111A - 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法 - Google Patents

金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH11243111A
JPH11243111A JP4396198A JP4396198A JPH11243111A JP H11243111 A JPH11243111 A JP H11243111A JP 4396198 A JP4396198 A JP 4396198A JP 4396198 A JP4396198 A JP 4396198A JP H11243111 A JPH11243111 A JP H11243111A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gold
wire
bonding
coating film
gold coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4396198A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Yanagawa
誠 柳川
Shiro Kono
志郎 河野
Hiroshi Onodera
浩 小野寺
Yasushi Umeda
泰 梅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noge Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Noge Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noge Electric Industries Co Ltd filed Critical Noge Electric Industries Co Ltd
Priority to JP4396198A priority Critical patent/JPH11243111A/ja
Publication of JPH11243111A publication Critical patent/JPH11243111A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/521Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/522Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/555Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】銀線の表面を金で被覆したボンディングワイヤ
であって、ボンディング部の付け根部分で、金被覆にひ
び割れの生じない耐食性の優れたボンディングワイヤを
提供する。 【解決手段】銀線の表面にめっきにより金膜を形成する
際に、形成される金膜のタリウム濃度が49ppm以下
になるように、めっき浴液のタリウム濃度を制御するし
てボンディングワイヤを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の組立
に用いられるボンディングワイヤに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップとリードフレー
ムとの接続のために、ワイヤボンディングが用いられて
いる。このボンディング用ワイヤとしては、一般的に
は、長期間放置してもさびにくく、また加熱しても安定
であるという理由から純金のワイヤが用いられている。
【0003】しかしながら、純金のワイヤは高価である
ため、銅合金ワイヤ、アルミニウムワイヤ等が実用化さ
れているが、これらは純金ワイヤと比較すると、表面が
酸化しやすい、熱圧着ボンディング時のボール形状が不
安定である、ボンディングツールの先端がつまりやすい
等の欠点がある。また、特公昭54−23794号公報
には、銀線の表面を金で被覆したボンディングワイヤが
開示されている。このワイヤは、使用する金の量が純金
ワイヤよりも格段に少なくてすみ、しかも表面が金で覆
われているため酸化しにくいという利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
54−23794号公報の銀線の表面を金で被覆したボ
ンディングワイヤを用いて、実際にボンディングを行っ
た場合、ボンディング部の付け根部分において、金被覆
にひび割れや剥離が生じることがあった。このように金
被覆にひび割れや剥離が生じると、その部分から下地の
銀線が外気にふれるため、ボンディングの付け根部分で
ワイヤに酸化が生じてしまうという問題が生じる。
【0005】本発明は、銀線の表面を金で被覆したボン
ディングワイヤであって、ボンディング部の付け根部分
での金被覆に、ひび割れや剥離の生じない耐食性の優れ
たボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、銀線と前記銀線を被覆する金めっ
き膜とを有し、前記金めっき膜は、タリウム濃度が49
ppm以下であることを特徴とするボンディングワイヤ
が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】発明者らは、銀線の表面を金で被
覆したボンディングワイヤでボンディングを行った場
合、ボンディング部の付け根部分で金被覆にひび割れが
生じてしまう理由について調べた。その結果、以下のよ
うなことが明らかになった。
【0008】銀線の表面を金で被覆したボンディングワ
イヤを製造する場合、金被覆の膜厚を精度よく均一に
し、かつ、効率よく金被覆するするためには、めっき法
を用いるのが最も適している。金めっきを行う場合、析
出する金の結晶粒子の配列を整えるために、通常、めっ
き液にタリウムを添加する。このタリウムは、形成され
た金膜にも少量ながら含まれる。発明者らの研究によれ
ば、銀線に金被覆したボンディングワイヤに生じる金被
覆のひび割れは、金被覆に含まれるタリウムの濃度と関
係がある。すなわち、金被覆に含まれるタリウムの濃度
が高いと、ボンディングした際に金被覆膜にひび割れや
剥離が生じるのである。
【0009】そこで、本発明では、銀線の表面を金めっ
き膜で被覆したボンディングワイヤであって、金めっき
膜に含まれるタリウムの濃度を49ppm以下に制御す
ることにより、金被覆のひび割れや剥離を防止する。
【0010】以下、本発明の実施の形態のボンディング
ワイヤの製造方法について説明する。
【0011】まず、市販の4種の太さの銀線40を用意
し、この銀線40の表面に電解めっきにより、一様な膜
厚の金被覆膜41を形成した(図4)。これにより金被
覆された銀線ワイヤの試料を作製した。その際、銀線4
0の太さごとに、金被覆膜41の厚さを変えることによ
り、金被覆膜41を含めたワイヤ全体の断面積に対す
る、金被覆膜41の断面積の割合が、2.0%の試料
(図2(a)のNo2)、9.0%の試料(同No
3)、10.0%の試料(同No4)、11.7%の試
料(同No5)、15.2%の試料(同No6)を作製
した。ただし、ワイヤ試料の直径は、ワイヤ全体(金被
覆膜41と銀線とを合計した直径)で25μmφとなる
ようにした。
【0012】しかも、上記No2〜No6の金被覆膜の
断面積の割合の異なる試料ごとに、金被覆膜41に含ま
れるタリウム濃度が、0ppm、11ppm、17pp
m、49ppm、73ppm、102ppmと異なる6
種類の試料をそれぞれ作製した。なお、タリウム濃度が
0ppmの試料を作製する際のめっき浴液としては、 金含有量 15±5g/L シアン化カリウム 35±5g/L 炭酸カリウム 10±2g/L 水 残部 をものを用いた。めっき時の電流密度は、0.5〜1.
0A/cm2とした。
【0013】タリウム濃度が、11ppm〜102pp
mの5種類の試料を作製する際のめっき浴液は、製品
名:テンペレックス95ND(日本エレクトロプレイテ
ィング・エンジニヤーズ株式会社製)を用いた。めっき
時の電流密度は、0.48A/cm2とした。このめっ
き浴液は、タリウムを含んでいるので、そのタリウム濃
度を調節することにより、析出する金に含まれるタリウ
ムの濃度を11ppm、17ppm、49ppm、73
ppm、102ppmの5種類に制御した。これによ
り、金被覆膜41に含まれるタリウム濃度の異なるワイ
ヤ試料を作製した。
【0014】従来、めっき浴液にタリウムが含まれてい
ないか、もしくは濃度が低いと、析出する金の結晶粒子
の配列が崩れると言われているが、本実施の形態のよう
に銀線表面に金めっきする場合には、タリウムが全く含
まれていないか、濃度が低くても、析出する金めっき膜
の結晶粒子には影響がなく、良好な金被覆膜41を形成
できた。
【0015】このようにして作製したワイヤ試料を用い
て、実際にボンディングを行った。ボンディング部は、
いずれの試料も金被覆膜41と銀線41とが融け合って
合金化し、良好なボンディング接続が得られていた。ま
た、ボンディング部の付け根付近の試料の金被覆膜41
を顕微鏡で観察したところ、タリウム濃度が、49pp
mよりも大きい試料は、金被覆膜41にひび割れや剥離
が生じていた(図1)。この金被覆膜41のひび割れや
剥離が起きるかどうかは、金被覆膜41の断面積の割合
(No2〜No6)が異なっているかどうかには関係な
く、タリウム濃度が同じ試料については共通であった。
このことから、金被覆膜41のひび割れや剥離が、金被
覆膜41の厚さに依存するものではなく、金被覆膜41
のタリウム濃度に依存していることが確認できた。
【0016】また、各試料について、一端を半導体チッ
プに熱圧着ボンディングし、他端をリードフレームに超
音波ボンディングしてボンディング強度を調べた。具体
的には、ボンディングしたワイヤ試料の中央部を上方に
引っ張り上げ、いずれかのボンディング部がはずれる荷
重を測定するプルテストと、熱圧着ボンディング部に、
半導体チップの主平面方向に力を加えて、はがれる荷重
を測定するシェアテストを行った。その結果を、金被覆
膜41の厚さごとにまとめたものを図2(a),
(b),(c)に示す。図2(b),(c)のように、
いずれの試料も、比較例である純金の25μmφのワイ
ヤと大差がなく、金被覆膜41の厚さの割合の差は、こ
の範囲内ではボンディング強度に影響しないことがわか
る。また、タリウム濃度の差に依存した強度の分布は見
られなかった。これにより、金被覆膜41の厚さの割合
の差も、タリウム濃度の差も、ボンディング強度には、
大きな影響を与えないことがわかった。
【0017】さらに、各試料について、長手方向に荷重
を加え、伸び率と破断荷重とを温度を変えて測定した
が、図3のように、比較例である25μmφの純金ワイ
ヤと有意な差は見られなかった。
【0018】以上のことから、銀線40の表面にめっき
により金被覆膜41を形成することにより製造した金被
覆銀ワイヤは、金被覆膜41のタリウム濃度を49pp
m以下にすることにより、ボンディング部の付け根にお
ける金被覆膜41のひび割れおよび剥がれを防止するこ
とができることが明らかになった。これにより、金被覆
膜41のひび割れや剥がれ部から銀線の酸化や腐食が生
じる恐れがないため、耐久性の優れたボンディング用ワ
イヤを提供することができる。
【0019】しかも、タリウム濃度を49ppm以下に
しても、ボンディング性能は、純金ワイヤと大差なく、
十分なボンディング強度を得ることができる。しかも、
めっき液のタリウム濃度を低濃度もしくは0にしても、
本実施の形態のように銀線表面に金被覆膜41を形成す
る場合には問題がないことも明らかになった。
【0020】なお、上述の試料は、全て金被覆膜41を
含めた全体の直径が25μmのものであるが、全体の直
径が17μm〜100μmの範囲で、種々の試料を作製
して同様に測定を行った結果、少なくともこの範囲内で
は、直径が25μmの試料と同様の結果であった。
【0021】なお、上述の実施の形態において、試料ワ
イヤの金被覆膜41に含まれるタリウム濃度の測定は、
ICP(誘導結合プラズマ)発光分析法で行った。分析
用サンプルは、金被覆膜41をめっきする際に、同じめ
っき浴で別途形成した分析用金めっき膜を用いて作製し
た。また、2次イオン質量分析法(SIMS)等を用い
ることにより、分析用金めっき膜を別途作製しなくと
も、試料ワイヤの金被覆膜にイオンビームを照射して、
直接タリウム濃度を測定することが可能である。
【0022】
【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
銀線の表面を金で被覆したボンディングワイヤであっ
て、金被覆にひび割れの生じない耐食性の優れたボンデ
ィングワイヤを提供するができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態で作製した金被覆した銀線
試料について、金被覆膜のタリウム濃度と、金被覆膜の
剥がれとの関係を示す説明図。
【図2】本発明の実施の形態で作製した金被覆した銀線
試料をボンディングした場合の(a)プルテストおよび
シェアテストの結果の一覧を示す説明図、(b)プルテ
スト結果の分布を示すグラフ、(c)シェアテスト結果
の分布を示すグラフ。
【図3】本発明の実施の形態で作製した金被覆した銀線
試料の伸び率と破断荷重とを示す説明図。
【図4】本発明の実施の形態で作製した金被覆した銀線
試料の断面構造を示す断面図。
【符号の説明】
40・・・銀線、41・・・金被覆膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅田 泰 神奈川県横浜市金沢区福浦2丁目10番地1 株式会社野毛電気工業内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】銀線と前記銀線を被覆する金めっき膜とを
    有し、 前記金めっき膜は、タリウム濃度が49ppm以下であ
    ることを特徴とするボンディングワイヤ。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記金めっき膜を含め
    たワイヤ全体の直径が、17μm以上100μm以下で
    あることを特徴とするボンディングワイヤ。
  3. 【請求項3】銀線の表面にめっきにより金膜を形成する
    金めっき工程を有し、 前記金めっき工程は、形成される前記金膜のタリウム濃
    度が49ppm以下になるように、めっき浴液のタリウ
    ム濃度を制御することを特徴とするボンディングワイヤ
    の製造方法。
JP4396198A 1998-02-25 1998-02-25 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法 Pending JPH11243111A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4396198A JPH11243111A (ja) 1998-02-25 1998-02-25 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4396198A JPH11243111A (ja) 1998-02-25 1998-02-25 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11243111A true JPH11243111A (ja) 1999-09-07

Family

ID=12678315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4396198A Pending JPH11243111A (ja) 1998-02-25 1998-02-25 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11243111A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10113492A1 (de) * 2001-03-19 2002-10-02 Astrium Gmbh Metallischer Leiter und kryogene Einrichtung
US6711925B2 (en) * 2001-12-17 2004-03-30 Asep Tec Co., Ltd. Process for manufacturing a conductive wire suitable for use in semiconductor packages
JP2011105968A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2013129253A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 日鉄住金マイクロメタル株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤ
EP2950335A3 (en) * 2007-07-24 2016-03-30 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Semiconductor device bonding wire and wire bonding method
CN105810652A (zh) * 2015-01-19 2016-07-27 Mk电子株式会社 接合线
WO2019172010A1 (ja) 2018-03-07 2019-09-12 住友電気工業株式会社 めっき膜、及びめっき被覆部材
CN113136542A (zh) * 2021-04-26 2021-07-20 河南机电职业学院 一种金包银键合线的制备方法
CN113518687A (zh) * 2019-04-26 2021-10-19 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10113492B4 (de) * 2001-03-19 2005-12-01 Eads Astrium Gmbh Elektrisch leitender Draht für Anwendungen in Tieftemperaturbereichen
DE10113492A1 (de) * 2001-03-19 2002-10-02 Astrium Gmbh Metallischer Leiter und kryogene Einrichtung
US6711925B2 (en) * 2001-12-17 2004-03-30 Asep Tec Co., Ltd. Process for manufacturing a conductive wire suitable for use in semiconductor packages
EP2950335A3 (en) * 2007-07-24 2016-03-30 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Semiconductor device bonding wire and wire bonding method
EP2960931A3 (en) * 2007-07-24 2016-04-27 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Copper bond wire
JP2011105968A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2013129253A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 日鉄住金マイクロメタル株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤ
EP2822029A4 (en) * 2012-02-27 2015-12-23 Nippon Micrometal Corp POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND BONDED WIRE
US9059003B2 (en) 2012-02-27 2015-06-16 Nippon Micrometal Corporation Power semiconductor device, method of manufacturing the device and bonding wire
JP5728126B2 (ja) * 2012-02-27 2015-06-03 日鉄住金マイクロメタル株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤ
CN105810652A (zh) * 2015-01-19 2016-07-27 Mk电子株式会社 接合线
WO2019172010A1 (ja) 2018-03-07 2019-09-12 住友電気工業株式会社 めっき膜、及びめっき被覆部材
KR20200129100A (ko) 2018-03-07 2020-11-17 스미토모덴키고교가부시키가이샤 도금막 및, 도금 피복 부재
US11380602B2 (en) 2018-03-07 2022-07-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Plating film and plated member
CN113518687A (zh) * 2019-04-26 2021-10-19 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材
CN113518687B (zh) * 2019-04-26 2023-03-10 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材
CN113136542A (zh) * 2021-04-26 2021-07-20 河南机电职业学院 一种金包银键合线的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6664368B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
US7820913B2 (en) Bonding wire for semiconductor device
EP3136435B1 (en) Bonding wire for semiconductor device
JP4672373B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP6605418B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
US12237293B2 (en) Palladium-coated copper bonding wire, manufacturing method of palladium-coated copper bonding wire, wire bonding structure using the same, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2020031238A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2018137487A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP4874922B2 (ja) 半導体実装用ボンディングワイヤ
JP7157279B1 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP6487108B1 (ja) パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法
JPH11243111A (ja) 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法
EP3667709B1 (en) Cu alloy bonding wire for semiconductor device
US20210366867A1 (en) Palladium-coated copper bonding wire, wire bonding structure, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP7157280B1 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
CN107962313A (zh) 半导体装置用接合线
JP2007012776A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
EP3147938B1 (en) Bonding wire for semiconductor device
JP5393614B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP5591987B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
WO2022270076A1 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
US6384533B1 (en) Metal component and discharge lamp
JP2010245574A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
WO2023249037A1 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
WO2022270049A1 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ