JPH11243215A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体層２にショットキー接合され、バリア
ハイトが異なる２種金属からなる主電極６の形成工程を
簡素化し、製造コストを安価にする半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 シリコンカーバイトの半導体基板１、半
導体基板１の一面に接合された半導体層２、半導体基板
１の他面に接合された第１主電極３、半導体層２の露出
面にショットキー接合された複数の第２主電極４、半導
体層２の露出面や複数の第２主電極４上に配置され、半
導体層２の露出面にショットキー接合された第３主電極
５を備え、第２主電極４を構成する金属と半導体層２間
のバリアハイトが第３主電極５を構成する金属と半導体
層２間のバリアハイトよりも高い半導体装置であり、第
３主電極５の構成金属が高融点金属であり、第２主電極
４の構成金属が１０００℃以上の温度でアニールした高
融点金属と同じ高融点金属である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に係わり、特に、バリアハイトを異にする２
種類の金属を用いてショットキー接合半導体装置を構成
する際に、製造プロセスを簡素化することが可能な半導
体装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、大電力をスイッチングする半導
体ダイオードにおいては、良好なスイッチング特性を得
るために、逆回復電流Ｉｒｒが小さく、回復電流変化率
ｄｉｒ／ｄｔが低い素子が要望されており、このような
要望を満たす素子として、ショットキーダイオードが知
られている。

【０００３】ところが、ショットキーダイオードは、同
じく大電力をスイッチングするｐｎ接合型ダイオード
（ｐ型高不純物濃度領域ｐ＋とｎ型低不純物濃度領域ｎ
−とｎ型高不純物濃度領域ｎ＋が接合された構成のもの
で、以下、これをｐｎ接合型ダイオードという）に比べ
て逆回復電流Ｉｒｒが小さいもので、それによって良好
なスイッチング特性を得ることができるが、以下に述べ
るような理由によって、ｐｎ接合型ダイオードに比べて
導通時の内部抵抗が大きくなり、内部電圧降下が大きく
なる。

【０００４】即ち、ｐｎ接合型ダイオードは、順方向導
通時に、ｐ型高不純物濃度領域ｐ＋からｎ型低不純物濃
度領域ｎ−に少数キャリア（ホール）が注入され、注入
された少数キャリアによってｎ型低不純物濃度領域ｎ−
に伝導度変調が生じるもので、この伝導度変調の発生に
より順方向導通時の内部抵抗が低下するようになる。こ
れに対して、ショットキーダイオードは、金属と半導体
との接触によってダイオード特性が得られるもので、多
数キャリアがダイオード特性を支配するものであるた
め、少数キャリアに基づくキャリアの蓄積効果が生じる
ことはなく、その点で高速応答が可能になるという利点
を有するものの、少数キャリアの注入がないため、伝導
度変調が生じることはなく、順方向導通時の内部抵抗が
低下しない。一例を挙げれば、耐圧５ｋＶのｐｎ接合型
ダイオードは、順方向導通時の内部電圧降下が約３Ｖで
あるのに対し、耐圧５ｋＶのショットキーダイオード
は、順方向導通時の内部電圧降下が約３００Ｖである。
このように、ｐｎ接合型ダイオードは、少数キャリアの
注入による伝導度変調が生じることにより、順方向導通
時の内部抵抗が約２桁程度低下するものである。

【０００５】ところで、ショットキーダイオードにおけ
る順方向導通時の内部電圧降下は、ショットキーダイオ
ードを構成する半導体材料にシリコン（Ｓｉ）を用いて
いる限り低減することは不可能である。しかしながら、
近年になって、シリコン（Ｓｉ）代わる半導体材料とし
て、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界強度が１桁
程度高いシリコンカーバイト（ＳｉＣ）が注目されるよ
うになり、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）を用いたショ
ットキーダイオード（以下、これをＳｉＣショットキー
ダイオードという）が開発されるようになった。

【０００６】ＳｉＣショットキーダイオードは、シリコ
ン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界強度が１桁程度高いこ
とから、順方向導通時の内部電圧降下を、シリコン（Ｓ
ｉ）を用いたショットキーダイオード（以下、これをＳ
ｉショットキーダイオードという）に比べて約２桁程度
低減させることができ、高耐圧素子としては最適なもの
である。例えば、耐圧５ｋＶのＳｉＣショットキーダイ
オードは順方向導通時の内部電圧降下が約２Ｖで、シリ
コン（Ｓｉ）を用いたｐｎ接合型ダイオードの順方向導
通時の内部電圧降下の約３Ｖよりも小さくなり、ＳｉＣ
ショットキーダイオードを用いることにより、逆回復電
流Ｉｒｒ特性と順方向導通時の内部電圧降下特性を同時
に改善することが可能になる。

【０００７】ところが、ＳｉＣショットキーダイオード
は、逆回復電流Ｉｒｒ特性と順方向導通時の内部電圧降
下特性が良好になるという反面、逆方向電圧印加時の漏
れ電流が大きいという弱点を有している。もっとも、シ
ョットキーダイオードの逆方向電圧印加時の漏れ電流を
低減するには、通常、半導体層にショットキー接合させ
る金属電極としてバリアハイトの高い金属（バリアメタ
ル）を用いればよいことが知られているが、一方で、バ
リアハイトの高い金属を用いると、順方向電圧印加時の
立上り電圧が高くなり、その結果、順方向導通時の内部
電圧降下が大きくなる。

【０００８】このように、ショットキーダイオードにお
いては、順方向導通時の内部電圧降下と逆方向電圧印加
時の漏れ電流との間にトレードオフの関係があるため、
バリアハイトの高い金属を選択して逆方向電圧印加時の
漏れ電流を低減させることには自ずと限界がある。ま
た、ショットキーダイオードには、半導体層とそれにシ
ョットキー接合させる金属電極との界面の電界強度が増
大すると、金属電極を構成している金属のバリアハイト
が低下することも知られている。

【０００９】これらの点から、ショットキーダイオード
の各種の特性を向上させるためには、金属電極にバリア
ハイトの小さい金属を使用し、逆方向電圧印加時の漏れ
電流が増加しないように、半導体層とそれにショットキ
ー接合させる金属電極との界面の電界強度を緩和させる
手段を講じていた。

【００１０】ショットキーダイオードにおけるこのよう
な不具合を解決するために、最近になり、ショットキー
ダイオードの半導体層と金属電極とのショットキー接合
界面の周囲にｐｎ接合部を設け、逆方向電圧印加時にシ
ョットキー接合界面にｐｎ接合部から空乏層を伸ばし
て、ショットキー接合界面の電界強度を緩和させ、逆方
向電圧印加時の漏れ電流を低減さるようにしたショット
キーダイオードが提案されており、その一例として、特
開平５−１３６０１５号に開示のショットキーダイオー
ドがある。

【００１１】図３は、前記特開平５−１３６０１５号に
開示のショットキーダイオードの一部の構成を示す断面
図である。

【００１２】図３に示されるよう、このショットキーダ
イオードは、ｎ型高不純物濃度ｎ＋半導体基板３１と、
半導体基板３１の一面に装着されたｎ型低不純物濃度ｎ
−半導体層３２と、半導体基板３１の他面にオーミック
接合されたカソード電極３３と、半導体層３２の露出表
面にエピタキシャル成長によって形成された複数のｐ型
高不純物濃度ｐ＋半導体領域３４と、半導体層３２の露
出表面及び各半導体領域３４上に配置され、半導体層３
２とショットキー接合されたアノード電極３５とからな
っている。

【００１３】そして、各半導体領域３４は、間隔Ｗｓを
隔てて配置形成されており、アノード電極３５に導電接
続されている。この場合、間隔Ｗｓは、ショットキーダ
イオードに逆方向電圧を印加した際に、半導体領域３４
から半導体層３２に伸びる空乏層が十分ピンチオフする
ように選ばれている。

【００１４】前記構成によるショットキーダイオード
は、カソード電極３３とアノード電極３５との間に逆方
向電圧を印加したとき、半導体領域３４と半導体層３２
とで形成されるｐｎ接合から主として半導体層３２方向
に伸びる空乏層が、アノード電極３５と半導体層３２と
のショットキー接合部直下のキャリアを排除し、アノー
ド電極３５と半導体層３２とのショットキー接合界面の
電界強度を緩和しているので、逆方向電圧印加時の漏れ
電流を低減させることができるようになる。

【００１５】前記特開平５−１３６０１５号に開示のシ
ョットキーダイオードは、一応、逆方向電圧印加時の漏
れ電流を低減させることができるものの、半導体層３２
の表面にｐ型高不純物濃度ｐ＋半導体領域３４を形成し
ていることから、逆方向電圧印加時に半導体領域３４の
漏れ電流が新たに生じるようになる。特に、ＳｉＣショ
ットキーダイオードにおいては、半導体層３２に半導体
領域３４を形成する場合、実用的にイオン注入法が用い
られていることから、半導体領域３４の漏れ電流をなく
すことは難しい。

【００１６】このような半導体領域３４の漏れ電流の影
響を排除するため、最近、半導体領域３４をなくし、そ
の代わりに、バリアハイトを異にする２種類の金属を用
いて、半導体層３２の露出表面に交互にそれぞれショッ
トキー接合させたショットキーダイオードが新たに提案
されている。

【００１７】図４は、新たに提案されたショットキーダ
イオードの一部の構成を示す断面図である。

【００１８】図４に示されるように、このショットキー
ダイオードは、ｎ型高不純物濃度ｎ＋半導体基板４１
と、半導体基板４１の一面に装着されたｎ型低不純物濃
度ｎ−半導体層４２と、半導体基板４１の他面にオーミ
ック接合されたカソード電極４３と、半導体層４２の露
出表面に間隔Ｗｓを隔ててそれぞれショットキー接合さ
れたバリアハイトの高い金属からなる第１ショットキー
メタル４４と、半導体層３２の露出表面及び各第１ショ
ットキーメタル４４上に配置され、半導体層３２の露出
表面にショットキー接合されたバリアハイトの低い金属
からなる第２ショットキーメタル４５とを備えているも
ので、第１ショットキーメタル４４及び第２ショットキ
ーメタル４５がアノード電極４６を構成している。

【００１９】前記構成によるショットキーダイオード
は、カソード電極４３とアノード電極４６との間に逆方
向電圧を印加したとき、バリアハイトの高い金属からな
る第１ショットキーメタル４４から半導体層４２内に伸
びる空乏層が、バリアハイトの低い金属からなる第２シ
ョットキーメタル４５と半導体層４２とのショットキー
接合界面の電界強度を緩和しているので、逆方向電圧印
加時の漏れ電流を低減させることができるものである。

【００２０】そして、このショットキーダイオードの半
導体材料にシリコンカーバイト（ＳｉＣ）を用い、Ｓｉ
Ｃショットキーダイオードを得るようにすれば、逆方向
電圧印加時の漏れ電流を低減させるとともに、順方向導
通時の内部電圧降下を大幅に低減させることが可能にな
る。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】前記新たに提案された
ＳｉＣショットキーダイオードは、特性上、逆方向電圧
印加時の漏れ電流を低減することができ、かつ、順方向
導通時の内部電圧降下を大幅に低減させることが可能で
あるけれども、半導体層４２にショットキー接合させる
金属電極に、バリアハイトを異にする２種類の金属から
なる第１ショットキーメタル４４と第２ショットキーメ
タル４５を用いる必要があるため、ＳｉＣショットキー
ダイオードのアノード電極４６を構成する際の製造工程
が複雑になるだけでなく、ＳｉＣショットキーダイオー
ドの製造コストが上昇するとい問題を有している。

【００２２】本発明は、かかる問題点を解決するもの
で、その目的は、半導体層にショットキー接合され、バ
リアハイトが異なる２種類の金属からなる一方の主電極
の形成工程を簡素化し、製造コストを安価にする半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による半導体装置は、バリアハイトを異にす
る２種類の金属を半導体層にそれぞれショットキー接合
させて一方の主電極を構成する場合、２種類の金属の中
の一方の金属を高融点金属で構成し、他方の金属を１０
００℃以上の温度でアニールした高融点金属と同種の高
融点金属で構成するようにした第１の手段を具備する。

【００２４】前記目的を達成するために、本発明による
半導体装置の製造方法は、まず、半導体層の露出表面に
高融点金属を堆積して高融点金属の被膜を形成し、次
に、高融点金属の被膜をウエットエッチングし、複数の
高融点金属電極部を形成し、次いで、複数の高融点金属
電極部を１０００℃以上の温度でアニールし、バリアハ
イトの高い金属からなる第２主電極を形成し、その後、
第２主電極上及び半導体層の露出表面に高融点金属を堆
積し、バリアハイトの低い金属からなる第３主電極を形
成する第２の手段を具備する。

【００２５】前記第１の手段及び第２の手段によれば、
一方の主電極を構成するバリアハイトを異にする２種類
の金属を、同じ高融点金属で構成し、かつ、それらのバ
リアハイトを異ならせることが可能になるので、一方の
主電極の形成工程を簡素化することができ、製造コスト
を安価にすることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の１つの実施の形態におい
て、半導体装置は、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）から
なる半導体基板と、半導体基板の一方の表面に一面が接
合された半導体基板と同じ導電型の半導体層と、半導体
基板の他方の表面にオーミック接合された第１主電極
と、半導体層の他面に配置され、半導体層にショットキ
ー接合された複数の第２主電極と、半導体層の他面の露
出部及び複数の第２主電極上に配置され、半導体層の他
面の露出部にショットキー接合される第３主電極とを備
え、第２主電極を構成する金属と及び半導体層との間の
バリアハイトが第３主電極を構成する金属と半導体層と
の間のバリアハイトよりも高いものであって、第３主電
極を構成する金属が高融点金属からなり、第２主電極を
構成する金属が１０００℃以上の温度でアニールした高
融点金属と同種の高融点金属からなるものである。

【００２７】本発明の１つの実施の形態の好適例におい
て、半導体装置は、高融点金属がチタン（Ｔｉ）からな
るものである。

【００２８】本発明の１つの実施の形態の他の例におい
て、半導体装置は、高融点金属がニッケル（Ｎｉ）、白
金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）の
中の１種からなるものである。

【００２９】本発明の他の実施の形態において、半導体
装置の製造方法は、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）から
なる半導体基板の一面にその導電型と同じ導電型の半導
体層を装着する工程、半導体層の露出表面に高融点金属
を堆積して高融点金属の被膜を形成する工程、高融点金
属の被膜をウエットエッチングして複数の高融点金属電
極部を形成する工程、複数の高融点金属電極部を１００
０℃以上の温度でアニールしてバリアハイトの高い金属
からなる第２主電極を得る工程、第２主電極上及び半導
体層の露出表面に高融点金属を堆積してバリアハイトの
低い金属からなる第３主電極を得る工程、半導体基板の
他面に電極材料を堆積して第１主電極を形成する工程、
をそれぞれ経て半導体装置が製造されるものである。

【００３０】本発明の他の実施の形態の好適例におい
て、半導体装置の製造方法は、高融点金属をチタン（Ｔ
ｉ）にしているものである。

【００３１】本発明の１つの実施の形態の他の例におい
て、半導体装置の製造方法は、高融点金属をニッケル
（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、タンタ
ル（Ｔａ）の中の１種にしているものである。

【００３２】これらの本発明の１つの実施の形態及びこ
れらの本発明の他の実施の形態は、チタン（Ｔｉ）等の
高融点金属を１０００℃以上の温度でアニールした場
合、温度が１０００℃になるの前後で高融点金属のバリ
アハイトが大きく変化することを利用しているもので、
バリアハイトを異にする２種類の金属からなる一方の主
電極を構成する際に、まず、半導体層の表面に１０００
℃の温度でアニールした高融点金属をショットキー接合
させることによってバリアハイトの高い金属電極を形成
し、次いで、同じ高融点金属をショットキー接合させる
ことによってバリアハイトの低い金属電極を形成するよ
うにしているので、バリアハイトを異にする２種類の金
属を用いているにも係らず、一方の主電極の形成工程を
が簡素化され、半導体装置の製造コストを安価にするこ
とができる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００３４】図１は、本発明による半導体装置の一実施
例の構成を示す断面図で、半導体装置の一部の構成を示
すものであり、半導体装置がＳｉＣショットキーダイオ
ードである例を示すものである。

【００３５】図１において、１はｎ型高不純物濃度ｎ＋
半導体基板、２はｎ型低不純物濃度ｎ−半導体層、３は
カソード電極（第１主電極）、４はバリアハイトの高い
金属からなる第１ショットキーメタル（第２主電極）、
５はバリアハイトの低い金属からなる第２ショットキー
メタル（第３主電極）、６はアノード電極である。

【００３６】そして、半導体基板１は、一面に半導体層
２が装着され、他面にカソード電極がオーミック接合さ
れる。半導体層２は、その露出表面に間隔Ｗｓを隔てて
複数の第１ショットキーメタル４がショットキー接合さ
れ、複数の第１ショットキーメタル４上及び残りの露出
表面に第２ショットキーメタル５が配置され、露出表面
にショットキー接合されている。この場合、アノード電
極６は、第１ショットキーメタル４と第２ショットキー
メタル５とからなっており、第１ショットキーメタル４
にチタン（Ｔｉ）を１０００℃の温度でアニールして得
たチタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）を用い、第２ショッ
トキーメタル５にチタン（Ｔｉ）を用いている。

【００３７】このような構成にすれば、図４に図示され
た既に提案されているＳｉＣショットキーダイオードと
同様に、カソード電極３とアノード電極６との間に、カ
ソード電極３側が正電圧、アノード電極６側が負電圧の
逆方向電圧を印加したとき、バリアハイトの高い金属か
らなる第１ショットキーメタル４から半導体層２内に伸
びる空乏層が、バリアハイトの低い金属からなる第２シ
ョットキーメタル５と半導体層２とのショットキー接合
界面の電界強度を緩和するようになるので、逆方向電圧
印加時における漏れ電流を低減させることができ、順方
向導通時の内部電圧降下を大幅に低減させることができ
る。

【００３８】ここで、図５は、本実施例に用いられてい
るチタン（Ｔｉ）をアニールした際のアニール温度とバ
リアハイトとの関係を示す特性図である。

【００３９】図５において、縦軸は３００Ｋ（Ｖ）時の
バリアハイト、横軸は℃で表したアニール温度である。

【００４０】図５に示されるように、チタン（Ｔｉ）の
アニール温度が９００℃に達するまでは、チタン（Ｔ
ｉ）とシリコンカーバイト（ＳｉＣ）との間のバリアハ
イトは比較的低い値が得られるだけであるが、チタン
（Ｔｉ）のアニール温度が９００℃を超えて１０００℃
に達する間は、チタン（Ｔｉ）がチタンシリサイド（Ｔ
ｉＳｉ₂ ）に変わりつつある状態で、それらの間のバリ
アハイトは比較的低い値から順次増大して行き、チタン
（Ｔｉ）のアニール温度が１０００℃を超えると、チタ
ン（Ｔｉ）がほぼチタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）に変
わってしまい、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）とシリ
コンカーバイト（ＳｉＣ）との間のバリアハイトは比較
的大きな値が得られる。

【００４１】そこで、本実施例においては、第１ショッ
トキーメタル４に、チタン（Ｔｉ）のアニール温度３を
１０００℃以上にすることによって得られたバリアハイ
トの高いチタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）を用い、第２
ショットキーメタル５に、バリアハイトの低いチタン
（Ｔｉ）を用いているので、バリアハイトを異にする２
種類の金属を用いる必要があるにも係らず、同じ高融点
金属であるチタン（Ｔｉ）だけを用いることが可能にな
り、その結果、アノード電極６の形成工程を簡素化する
ことができ、ＳｉＣショットキーダイオードの製造コス
トを安価にすることができる。

【００４２】次いで、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）は、本発明による半導体装置の製造方法
の一実施例を示す断面図で、半導体装置の要部の一部の
構成を示すものであり、半導体装置がＳｉＣショットキ
ーダイオードである例を示すものである。

【００４３】図２（ａ）乃至（ｅ）において、７はチタ
ン（Ｔｉ）の被膜、８はチタン（Ｔｉ）電極部であり、
その他、図１に示された構成要素と同じ構成要素につい
ては同じ符号を付けている。

【００４４】図２（ａ）乃至（ｅ）を用いて本実施例の
ＳｉＣショットキーダイオードの製造プロセスについて
説明すると、次の通りである。

【００４５】まず、図２（ａ）に示されるように、シリ
コンカーバイト（ＳｉＣ）からなるｎ型高不純物濃度ｎ
＋半導体基板１の一面にｎ型低不純物濃度ｎ−半導体層
２を装着する。

【００４６】次に、図２（ｂ）に示されるように、半導
体層２の露出表面に高融点金属であるチタン（Ｔｉ）を
堆積し、チタン（Ｔｉ）の被膜７を形成する。

【００４７】次いで、図２（ｃ）に示されるように、チ
タン（Ｔｉ）の被膜７をウエットエッチングし、複数の
チタン（Ｔｉ）電極部８を形成する。その後で、複数の
チタン（Ｔｉ）電極部８を１０００℃以上、例えば１０
５０℃の温度でアニールし、バリアハイトの高いチタン
シリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）からなる第１ショットキーメ
タル（第２主電極）４を形成する。

【００４８】続いて、図２（ｄ）に示されるように、第
１ショットキーメタル（第２主電極）４及び半導体層２
の露出表面に高融点金属であるチタン（Ｔｉ）を堆積
し、バリアハイトの低い金属からなる第２ショットキー
メタル（第３主電極）５を形成する。

【００４９】次いで、図２（ｅ）に示されるように、半
導体基板１の他面にカソード電極３をオーミック接合す
る。

【００５０】その後、主要な表面部分を保護膜で覆い、
ＳｉＣショットキーダイオードが完成する。

【００５１】このようにして製造されたＳｉＣショット
キーダイオードは、第１ショットキーメタル４を、チタ
ン（Ｔｉ）のアニール温度３を１０００℃以上にして形
成されたバリアハイトの高いチタンシリサイド（ＴｉＳ
ｉ₂ ）とし、第２ショットキーメタル５を、バリアハイ
トの低いチタン（Ｔｉ）としているので、バリアハイト
を異にする２種類の金属を用いる必要があるにも係ら
ず、同じ高融点金属であるチタン（Ｔｉ）だけの使用が
可能になり、アノード電極６の形成工程を簡素化するこ
とができ、ＳｉＣショットキーダイオードの製造コスト
を安価にすることができる。

【００５２】なお、前述の各実施例においては、半導体
装置がＳｉＣショットキーダイオード単体である例を挙
げて説明したが、本発明による半導体装置はＳｉＣショ
ットキーダイオード単体である場合に限られず、一部に
ＳｉＣショットキーダイオードを含んだものであれば、
同様に適用可能である。

【００５３】また、述の各実施例においては、高融点金
属がチタン（Ｔｉ）である例を挙げて説明したが、本発
明による高融点金属はチタン（Ｔｉ）に限られるもので
なく、他の高融点金属、例えばニッケル（Ｎｉ）、白金
（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）の中
の１種であってもよい。

【００５４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、バリア
ハイトを異にする２種類の金属からなる一方の主電極を
構成する際に、まず、半導体層の表面に１０００℃の温
度でアニールした高融点金属をショットキー接合させる
ことによってバリアハイトの高い金属電極を形成し、次
いで、同じ高融点金属をショットキー接合させることに
よってバリアハイトの低い金属電極を形成しているの
で、バリアハイトを異にする２種類の金属を用いている
にも係らず、一方の主電極の形成工程をが簡素化され、
半導体装置の製造コストを安価にできるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置の一実施例の構成を示
す断面図である。

【図２】本発明による半導体装置の製造方法の一実施例
を示す断面図である。

【図３】既知のショットキーダイオードの一部の構成を
示す断面図である。

【図４】他の既知のショットキーダイオードの一部の構
成を示す断面図である。

【図５】図１及び図２に図示の実施例に用いられている
チタン（Ｔｉ）をアニールした際のアニール温度とバリ
アハイトとの関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１ ｎ型高不純物濃度ｎ＋半導体基板 ２ ｎ型低不純物濃度ｎ−半導体層 ３ カソード電極（第１主電極） ４ 第１ショットキーメタル（第２主電極） ５ 第２ショットキーメタル（第３主電極） ６ アノード電極 ７ チタン（Ｔｉ）の被膜 ８ チタン（Ｔｉ）電極部

フロントページの続き (72)発明者 八尾 勉 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 菅原 良孝 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 浅野 勝則 大阪府大阪市北区中之島３丁目３番22号 関西電力 株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなる
   半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に一面が接
   合された前記半導体基板と同じ導電型の半導体層と、前
   記半導体基板の他方の表面にオーミック接合された第１
   主電極と、前記半導体層の他面に配置され、前記半導体
   層にショットキー接合された複数の第２主電極と、前記
   半導体層の他面の露出部及び前記複数の第２主電極上に
   配置され、前記半導体層の他面の露出部にショットキー
   接合される第３主電極とを備え、前記第２主電極を構成
   する金属と及び前記半導体層との間のバリアハイトが前
   記第３主電極を構成する金属と前記半導体層との間のバ
   リアハイトよりも高い半導体装置において、前記第３主
   電極を構成する金属が高融点金属であり、前記第２主電
   極を構成する金属が１０００℃以上の温度でアニールし
   た前記高融点金属と同種の高融点金属であることを特徴
   とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記高融点金属は、チタン（Ｔｉ）であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記高融点金属は、ニッケル（Ｎｉ）、
   白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）
   の中の１種であることを特徴とする請求項１に記載の半
   導体装置。
4. 【請求項４】 シリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなる
   半導体基板の一面に、その導電型と同じ導電型の半導体
   層を装着する工程、 前記半導体層の露出表面に高融点金属を堆積し、前記高
   融点金属の被膜を形成する工程、 前記高融点金属の被膜をウエットエッチングし、複数の
   高融点金属電極部を形成する工程、 前記複数の高融点金属電極部を１０００℃以上の温度で
   アニールし、バリアハイトの高い金属からなる第２主電
   極を得る工程、 前記第２主電極上及び前記半導体層の露出表面に前記高
   融点金属を堆積し、バリアハイトの低い金属からなる第
   ３主電極を得る工程、 前記半導体基板の他面に電極材料を堆積し、第１主電極
   を形成する工程、 を経て半導体装置が製造されることを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記高融点金属は、チタン（Ｔｉ）であ
   ることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記高融点金属は、ニッケル（Ｎｉ）、
   白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）
   の中の１種であることを特徴とする請求項４に記載の半
   導体装置の製造方法。