JPH11246540A - オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法 - Google Patents
オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法Info
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- JPH11246540A JPH11246540A JP5187598A JP5187598A JPH11246540A JP H11246540 A JPH11246540 A JP H11246540A JP 5187598 A JP5187598 A JP 5187598A JP 5187598 A JP5187598 A JP 5187598A JP H11246540 A JPH11246540 A JP H11246540A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規なカリックスアレーン誘導体の提供。
【解決手段】 一般式（I）
【化１】
（式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基、Ｒ2は共に水素またはＣ1−Ｃ6の分
枝を有することもあるアルキル基を示す。）で示される
オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン
誘導体を一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基、Ｒ2は水素またはＣ1−Ｃ6の分枝を
有することもあるアルキル基を示す。）で示されるカリ
ックス〔４〕レゾルシンアレーンにオキセタン基を導入
することにより合成する。
もあるアルキル基、Ｒ2は共に水素またはＣ1−Ｃ6の分
枝を有することもあるアルキル基を示す。）で示される
オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン
誘導体を一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基、Ｒ2は水素またはＣ1−Ｃ6の分枝を
有することもあるアルキル基を示す。）で示されるカリ
ックス〔４〕レゾルシンアレーンにオキセタン基を導入
することにより合成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下記一般式（I）
で表されるオキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシ
ンアレーン誘導体及びその製造法に関する。
で表されるオキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシ
ンアレーン誘導体及びその製造法に関する。
【０００２】
【化４】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基、Ｒ2は共に水素またはＣ1−Ｃ6の分
枝を有することもあるアルキル基を表す。）
もあるアルキル基、Ｒ2は共に水素またはＣ1−Ｃ6の分
枝を有することもあるアルキル基を表す。）
【０００３】
【従来の技術】カリックスアレーンは、複数個のフェノ
ール単位がメチレン基を介して結合した環状オリゴマー
であり、ホスト／ゲスト化学の研究において重要な位置
を占めているが、最近合成法が容易であることや高い耐
熱性を示すことから、新しい機能性材料としての利用が
種々検討されている。カリックスアレーンについての研
究としては、西久保らによる（メタ）アクリロイル基を
有するｐ−アルキル−カリックスアレーンについての合
成、光反応性、および光硬化させたものの耐熱性につい
ての報告（第４５回高分子学会年次大会、１１Ｐｆ０６
８）、同じく西久保らによるビニロキシ基、プロパルギ
ル基、１−プロペニル基を有するｐ−メチル−カリック
スアレーンの合成とその光カチオン重合についての報告
（第４６回高分子学会年次大会、１１１Ｅ１８）などが
ある。また、ｐ−メチル−カリックスアレーンのアセチ
ル化物および同アセチル化物より形成されたフィルムに
ついては特公平７−２３３４０号公報に報告されてお
り、金属イオンの選択的分離、抽出に有用なフェノール
基のＯＨ基の水素原子が特定の置換基により置換されて
いる新規カリックスアレーン誘導体については特開平８
−１２７５６１号公報に開示されている。一方、二価フ
ェノールのレゾルシンをアルデヒド類を用いて４個結合
した環状オリゴマーであるカリックス〔４〕レゾルシン
アレーン誘導体については、レゾルシンに由来するＯＨ
基の水素原子を特定の置換基により置換したものが表面
改質剤、洗浄剤として提案されている（特開平７−２５
２１７７号公報、および特開平８−２４５４７４号公報
参照）。
ール単位がメチレン基を介して結合した環状オリゴマー
であり、ホスト／ゲスト化学の研究において重要な位置
を占めているが、最近合成法が容易であることや高い耐
熱性を示すことから、新しい機能性材料としての利用が
種々検討されている。カリックスアレーンについての研
究としては、西久保らによる（メタ）アクリロイル基を
有するｐ−アルキル−カリックスアレーンについての合
成、光反応性、および光硬化させたものの耐熱性につい
ての報告（第４５回高分子学会年次大会、１１Ｐｆ０６
８）、同じく西久保らによるビニロキシ基、プロパルギ
ル基、１−プロペニル基を有するｐ−メチル−カリック
スアレーンの合成とその光カチオン重合についての報告
（第４６回高分子学会年次大会、１１１Ｅ１８）などが
ある。また、ｐ−メチル−カリックスアレーンのアセチ
ル化物および同アセチル化物より形成されたフィルムに
ついては特公平７−２３３４０号公報に報告されてお
り、金属イオンの選択的分離、抽出に有用なフェノール
基のＯＨ基の水素原子が特定の置換基により置換されて
いる新規カリックスアレーン誘導体については特開平８
−１２７５６１号公報に開示されている。一方、二価フ
ェノールのレゾルシンをアルデヒド類を用いて４個結合
した環状オリゴマーであるカリックス〔４〕レゾルシン
アレーン誘導体については、レゾルシンに由来するＯＨ
基の水素原子を特定の置換基により置換したものが表面
改質剤、洗浄剤として提案されている（特開平７−２５
２１７７号公報、および特開平８−２４５４７４号公報
参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】機能性材料としてカリ
ックスアレーンについての研究は、まだまだ着手された
ばかりで、多様な市場のニーズに応えるに足りうるカリ
ックスアレーン誘導体はいまだ提供されていないのが現
状である。
ックスアレーンについての研究は、まだまだ着手された
ばかりで、多様な市場のニーズに応えるに足りうるカリ
ックスアレーン誘導体はいまだ提供されていないのが現
状である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、新規な反
応性に富んだカリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導
体を創出すべく、種々研究を行った結果、反応性に富む
オキセタン基を含有するカリックス〔４〕レゾルシンア
レーン誘導体が、カリックス〔４〕レゾルシンアレーン
が本来有する耐熱性を維持しつつ、極めて反応性に富ん
でおり、機能性材料用の原料として極めて優れているこ
とを見い出し本発明を完成させたものである。即ち、本
発明は、下記一般式（I）
応性に富んだカリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導
体を創出すべく、種々研究を行った結果、反応性に富む
オキセタン基を含有するカリックス〔４〕レゾルシンア
レーン誘導体が、カリックス〔４〕レゾルシンアレーン
が本来有する耐熱性を維持しつつ、極めて反応性に富ん
でおり、機能性材料用の原料として極めて優れているこ
とを見い出し本発明を完成させたものである。即ち、本
発明は、下記一般式（I）
【０００６】
【化５】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は上記の通りの意味を有する。）で表
されるオキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンア
レーン誘導体及びその製造方法を提供せんとするもので
ある。
されるオキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンア
レーン誘導体及びその製造方法を提供せんとするもので
ある。
【０００７】
【発明の実施の形態】上記一般式（I）で表されるオキ
セタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導
体は、下記一般式（II）
セタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導
体は、下記一般式（II）
【０００８】
【化６】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基を表す。）で表されるカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンと下記一般式（III）
もあるアルキル基を表す。）で表されるカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンと下記一般式（III）
【０００９】
【化７】 （式中、Ｒ2は水素またはＣ1−Ｃ6の分枝を有すること
もあるアルキル基を表し、Ｒ3はＣ1−Ｃ4の分枝を有す
ることもあるアルキル基、フェニル基またはｐ−トリル
基を表す。）で表される化合物を、溶媒中で第四オニウ
ム塩の存在下で５０〜１５０℃の温度で１〜５０時間反
応させることにより得られる。
もあるアルキル基を表し、Ｒ3はＣ1−Ｃ4の分枝を有す
ることもあるアルキル基、フェニル基またはｐ−トリル
基を表す。）で表される化合物を、溶媒中で第四オニウ
ム塩の存在下で５０〜１５０℃の温度で１〜５０時間反
応させることにより得られる。
【００１０】上記一般式（II）で表されるカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンは既知の化合物であり、その
合成法はJournal of American Chemical Society, 111,
14, 5397(1989)等に詳述されている。一般式（II）で
表されるカリックス〔４〕リゾルシンアレーンの置換基
Ｒ1としては、水素原子に加え、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−アミル基、ｔ
ｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−ノニル基など分枝を有しても良いＣ1−Ｃ17のアルキ
ル基が挙げられる。なかでもＲ1としては水素、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基が好ましい。
〔４〕レゾルシンアレーンは既知の化合物であり、その
合成法はJournal of American Chemical Society, 111,
14, 5397(1989)等に詳述されている。一般式（II）で
表されるカリックス〔４〕リゾルシンアレーンの置換基
Ｒ1としては、水素原子に加え、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−アミル基、ｔ
ｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−ノニル基など分枝を有しても良いＣ1−Ｃ17のアルキ
ル基が挙げられる。なかでもＲ1としては水素、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基が好ましい。
【００１１】一般式（III）で表される化合物は、Botij
a Gonzalezらによるスペイン特許第２０７３９９５号に
開示の方法により合成できる。即ち、３−アルキル−３
−ヒドロキシメチルオキセタンにＲ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ
3はｐ−トリル基などを示す）で表されるスルホニルク
ロリド化合物を適当な塩基性物質例えばピリジンなどの
存在下で有機溶媒中で０℃〜室温（２５℃）で反応させ
ることにより容易に合成することができる。この合成法
を図示すれば以下の通りである。
a Gonzalezらによるスペイン特許第２０７３９９５号に
開示の方法により合成できる。即ち、３−アルキル−３
−ヒドロキシメチルオキセタンにＲ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ
3はｐ−トリル基などを示す）で表されるスルホニルク
ロリド化合物を適当な塩基性物質例えばピリジンなどの
存在下で有機溶媒中で０℃〜室温（２５℃）で反応させ
ることにより容易に合成することができる。この合成法
を図示すれば以下の通りである。
【００１２】
【化８】
【００１３】上記の合成法により合成された一般式（II
I）で表される化合物は、常法に従って精製した後又は
精製を行わずに使用することができる。しかし、一般に
は、濃縮後、減圧蒸留などの操作により、精製したもの
を使用することが好ましい。一般式（III）で表される
化合物の置換基Ｒ2としては、水素原子に加えて、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅ
ｃ−アミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基などの分枝を有しても
よいＣ1−Ｃ6のアルキル基が挙げられる。メチル基又は
エチル基が好ましい例として例示される。また、同化合
物の置換基Ｒ3としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分枝を
有してもよいＣ1−Ｃ4のアルキル基や、フェニル基、ｐ
−トリル基などが挙げられる。より好ましくはｐ−トリ
ル基が挙げられる。
I）で表される化合物は、常法に従って精製した後又は
精製を行わずに使用することができる。しかし、一般に
は、濃縮後、減圧蒸留などの操作により、精製したもの
を使用することが好ましい。一般式（III）で表される
化合物の置換基Ｒ2としては、水素原子に加えて、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅ
ｃ−アミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基などの分枝を有しても
よいＣ1−Ｃ6のアルキル基が挙げられる。メチル基又は
エチル基が好ましい例として例示される。また、同化合
物の置換基Ｒ3としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分枝を
有してもよいＣ1−Ｃ4のアルキル基や、フェニル基、ｐ
−トリル基などが挙げられる。より好ましくはｐ−トリ
ル基が挙げられる。
【００１４】上記一般式（III）で表される化合物とし
ては、Ｒ2がメチル基で、Ｒ3がｐ−トリル基である３−
メチル−３−オキセタニルメチルトシレート（以下ＭＯ
ＭＴと称すことがある）や、Ｒ2がエチル基で、Ｒ3がｐ
−トリル基である３−エチル−３−オキセタニルメチル
トシレート（以下ＥＯＭＴと称すことがある）が例示さ
れる。
ては、Ｒ2がメチル基で、Ｒ3がｐ−トリル基である３−
メチル−３−オキセタニルメチルトシレート（以下ＭＯ
ＭＴと称すことがある）や、Ｒ2がエチル基で、Ｒ3がｐ
−トリル基である３−エチル−３−オキセタニルメチル
トシレート（以下ＥＯＭＴと称すことがある）が例示さ
れる。
【００１５】上記一般式（III）で表される化合物の合
成の際使用する溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ピ
リジンなどの芳香族有機溶媒が挙げられる。これらの有
機溶媒の使用量については、特に制限はないが、３−ア
ルキル−３−ヒドロキシメチルオキセタンと式Ｒ3ＳＯ2
Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表されるスルホニル化
合物の合計量（重量）を１としたとき、２〜２０倍（容
量）となるような割合で使用すればよい。
成の際使用する溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ピ
リジンなどの芳香族有機溶媒が挙げられる。これらの有
機溶媒の使用量については、特に制限はないが、３−ア
ルキル−３−ヒドロキシメチルオキセタンと式Ｒ3ＳＯ2
Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表されるスルホニル化
合物の合計量（重量）を１としたとき、２〜２０倍（容
量）となるような割合で使用すればよい。
【００１６】上記一般式（III）で表される化合物の合
成に際しては、塩基性物質を使用することが好ましい。
塩基性物質としては、水酸化アンモニウム（アンモニア
水）、ＫＯＨ，ＮａＯＨなどのアルカリ金属の水酸化物
などの無機の塩基性物質やトリエチルアミン、ピリジン
などの有機の塩基性物質が挙げられる。塩基性物質の使
用量は、式Ｒ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表
されるスルホニル化合物１モル当たり１．０〜１．２モ
ルの割合で使用すればよい。
成に際しては、塩基性物質を使用することが好ましい。
塩基性物質としては、水酸化アンモニウム（アンモニア
水）、ＫＯＨ，ＮａＯＨなどのアルカリ金属の水酸化物
などの無機の塩基性物質やトリエチルアミン、ピリジン
などの有機の塩基性物質が挙げられる。塩基性物質の使
用量は、式Ｒ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表
されるスルホニル化合物１モル当たり１．０〜１．２モ
ルの割合で使用すればよい。
【００１７】３−アルキル−３−ヒドロキシメチルオキ
セタンと式Ｒ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表
されるスルホニル化合物との使用量は通常は等モルであ
るが、いずれか一方を過剰に使用してもよい。即ち、３
−アルキル−３−ヒドロキシメチルオキセタン１モルに
対して、上記のスルホニル化合物を０．９〜１．１モル
の割合で使用してもよい。通常、反応は０℃〜室温（２
５℃）で３０分ないし１０時間行えばよい。撹拌は必ず
しも必須ではないが、均一な反応の進行および反応促進
のためには撹拌を行った方がよい。
セタンと式Ｒ3ＳＯ2Ｃｌ（式中Ｒ3は上記と同じ）で表
されるスルホニル化合物との使用量は通常は等モルであ
るが、いずれか一方を過剰に使用してもよい。即ち、３
−アルキル−３−ヒドロキシメチルオキセタン１モルに
対して、上記のスルホニル化合物を０．９〜１．１モル
の割合で使用してもよい。通常、反応は０℃〜室温（２
５℃）で３０分ないし１０時間行えばよい。撹拌は必ず
しも必須ではないが、均一な反応の進行および反応促進
のためには撹拌を行った方がよい。
【００１８】上記一般式（II）で表されるカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンと上記一般式（III）で表さ
れる化合物との反応は通常溶媒中で行う。かかる溶媒と
しては、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾ
ルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物との
反応を反応溶媒中で均一に行うため、適用される反応温
度において少なくとも、液体状態を維持できる高沸点
で、上記一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾ
ルシンアレーン及び／又は一般式（III）で表される化
合物ならびに目的生成物のオキセタン基含有カリックス
〔４〕レゾルシンアレーン誘導体を溶解もしくは膨潤す
る作用を有し、かつこれらの化合物と反応性を有しない
ものであれば、使用可能である。かかる溶媒としては、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡＣ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）などが挙げられる。中で
も、ＤＭＦ，ＤＭＡＣ，ＮＭＰが好適に使用される。上
記の溶媒は、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
の合計量１重量部当たり容量で２〜２０倍を使用すれば
よい。即ち、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
の合計１ｇに対し２〜２０ｍｌの割合で使用すればよ
い。
〔４〕レゾルシンアレーンと上記一般式（III）で表さ
れる化合物との反応は通常溶媒中で行う。かかる溶媒と
しては、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾ
ルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物との
反応を反応溶媒中で均一に行うため、適用される反応温
度において少なくとも、液体状態を維持できる高沸点
で、上記一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾ
ルシンアレーン及び／又は一般式（III）で表される化
合物ならびに目的生成物のオキセタン基含有カリックス
〔４〕レゾルシンアレーン誘導体を溶解もしくは膨潤す
る作用を有し、かつこれらの化合物と反応性を有しない
ものであれば、使用可能である。かかる溶媒としては、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡＣ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）などが挙げられる。中で
も、ＤＭＦ，ＤＭＡＣ，ＮＭＰが好適に使用される。上
記の溶媒は、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
の合計量１重量部当たり容量で２〜２０倍を使用すれば
よい。即ち、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
の合計１ｇに対し２〜２０ｍｌの割合で使用すればよ
い。
【００１９】一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応は通常塩基性物質の存在下で行う。かかる塩基
性物質としては、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア水）、アルカ
リ金属水酸化物（ＫＯＨ，ＮａＯＨ，ＬｉＯＨ等）、ア
ルカリ土類金属水酸化物（Ｃａ（ＯＨ）2,Ｍｇ（ＯＨ）
2,Ｂａ（ＯＨ）2等）などの無機の塩基性物質が挙げら
れる。使用する塩基性物質の量は、使用する一般式（II
I）で表される化合物に対し等モル量であるが、若干過
剰に使用してもよく一般式（III）で表される化合物１
モルに対し１．０〜１．２モルの範囲内で使用すればよ
い。塩基性物質を使用することにより、副生するスルホ
ン酸（Ｒ3ＳＯ3Ｈ）、例えばｐ−トルエンスルホン酸を
目的生成物オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシ
ンアレーン誘導体から分離し易くするのに、金属塩やア
ンモニウム塩にするためのものであって、従って、本反
応に必要不可欠のものではないことは勿論である。
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応は通常塩基性物質の存在下で行う。かかる塩基
性物質としては、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア水）、アルカ
リ金属水酸化物（ＫＯＨ，ＮａＯＨ，ＬｉＯＨ等）、ア
ルカリ土類金属水酸化物（Ｃａ（ＯＨ）2,Ｍｇ（ＯＨ）
2,Ｂａ（ＯＨ）2等）などの無機の塩基性物質が挙げら
れる。使用する塩基性物質の量は、使用する一般式（II
I）で表される化合物に対し等モル量であるが、若干過
剰に使用してもよく一般式（III）で表される化合物１
モルに対し１．０〜１．２モルの範囲内で使用すればよ
い。塩基性物質を使用することにより、副生するスルホ
ン酸（Ｒ3ＳＯ3Ｈ）、例えばｐ−トルエンスルホン酸を
目的生成物オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシ
ンアレーン誘導体から分離し易くするのに、金属塩やア
ンモニウム塩にするためのものであって、従って、本反
応に必要不可欠のものではないことは勿論である。
【００２０】一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応に触媒として使用する第四オニウム塩として
は、下記一般式（IV）で表される化合物が挙げられる。
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応に触媒として使用する第四オニウム塩として
は、下記一般式（IV）で表される化合物が挙げられる。
【００２１】
【化９】 （式中、Ｒ4〜Ｒ10は、互いに同一でも異なっていても
よく、水素原子、ヒドロキシアルキル基、アルキル基、
アリール基またはアルアルキル基を表し、これらがアル
キル基もしくはアルアルキル基である場合は、炭素数１
〜３０の直鎖状、分枝状または環状の炭化水素基であ
る。Ｍ1は、窒素原子、リン原子、砒素原子またはアン
チモン原子を表し、Ｍ2は、酸素原子、硫黄原子、セレ
ン原子または錫原子を表し、そしてＭ3は、ヨウ素原子
を表す。またＸは、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ
ド、炭酸基、重炭酸基、リン酸二水素基および重硫酸基
からなる群より選ばれる１価の陰イオンを表す）で示さ
れる化合物である。具体的には、前記一般式（IV）にお
いて、Ｍ1が窒素原子である場合のアンモニウム化合
物、Ｍ1がリン原子である場合のホスホニウム化合物、
Ｍ1が砒素原子である場合のアルソニウム化合物、Ｍ1が
アンチモン原子である場合のスチボニウム化合物、Ｍ2
が酸素原子である場合のオキソニウム化合物、Ｍ2が硫
黄原子である場合のスルホニウム化合物、Ｍ2がセレン
原子である場合のセレノニウム化合物、Ｍ2が錫原子で
ある場合のスタンノニウム化合物、そして、Ｍ3がヨウ
素である場合のヨードニウム化合物などが挙げられる。
よく、水素原子、ヒドロキシアルキル基、アルキル基、
アリール基またはアルアルキル基を表し、これらがアル
キル基もしくはアルアルキル基である場合は、炭素数１
〜３０の直鎖状、分枝状または環状の炭化水素基であ
る。Ｍ1は、窒素原子、リン原子、砒素原子またはアン
チモン原子を表し、Ｍ2は、酸素原子、硫黄原子、セレ
ン原子または錫原子を表し、そしてＭ3は、ヨウ素原子
を表す。またＸは、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ
ド、炭酸基、重炭酸基、リン酸二水素基および重硫酸基
からなる群より選ばれる１価の陰イオンを表す）で示さ
れる化合物である。具体的には、前記一般式（IV）にお
いて、Ｍ1が窒素原子である場合のアンモニウム化合
物、Ｍ1がリン原子である場合のホスホニウム化合物、
Ｍ1が砒素原子である場合のアルソニウム化合物、Ｍ1が
アンチモン原子である場合のスチボニウム化合物、Ｍ2
が酸素原子である場合のオキソニウム化合物、Ｍ2が硫
黄原子である場合のスルホニウム化合物、Ｍ2がセレン
原子である場合のセレノニウム化合物、Ｍ2が錫原子で
ある場合のスタンノニウム化合物、そして、Ｍ3がヨウ
素である場合のヨードニウム化合物などが挙げられる。
【００２２】そして、上記のアンモニウム化合物の具体
例として、テトラｎ−ブチルアンモニウムクロライド
（ＴＢＡＣ）、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイ
ド（ＴＢＡＢ）およびテトラｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイド（ＴＢＡＩ）などのテトラｎ−ブチルアンモ
ニウムハライド（ＴＢＡＸ）が挙げられる。また、上記
のホスホニウム化合物の具体例としては、テトラｎ−ブ
チルホスホニウムクロライド（ＴＢＰＣ）、テトラｎ−
ブチルホスホニウムブロマイド（ＴＢＰＢ）およびテト
ラｎ−ブチルホスホニウムアイオダイド（ＴＢＰＩ）な
どのテトラｎ−ブチルホスホニウムハライド（ＴＢＰ
Ｘ）およびテトラフェニルホスホニウムクロライド（Ｔ
ＰＰＣ）、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（Ｔ
ＰＰＢ）およびテトラフェニルホスホニウムアイオダイ
ド（ＴＰＰＩ）などのテトラフェニルホスホニウムハラ
イド（ＴＰＰＸ）などが挙げられる。
例として、テトラｎ−ブチルアンモニウムクロライド
（ＴＢＡＣ）、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイ
ド（ＴＢＡＢ）およびテトラｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイド（ＴＢＡＩ）などのテトラｎ−ブチルアンモ
ニウムハライド（ＴＢＡＸ）が挙げられる。また、上記
のホスホニウム化合物の具体例としては、テトラｎ−ブ
チルホスホニウムクロライド（ＴＢＰＣ）、テトラｎ−
ブチルホスホニウムブロマイド（ＴＢＰＢ）およびテト
ラｎ−ブチルホスホニウムアイオダイド（ＴＢＰＩ）な
どのテトラｎ−ブチルホスホニウムハライド（ＴＢＰ
Ｘ）およびテトラフェニルホスホニウムクロライド（Ｔ
ＰＰＣ）、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（Ｔ
ＰＰＢ）およびテトラフェニルホスホニウムアイオダイ
ド（ＴＰＰＩ）などのテトラフェニルホスホニウムハラ
イド（ＴＰＰＸ）などが挙げられる。
【００２３】本発明では、上述した第四オニウム塩触媒
の中でも、ＴＢＡＣ、ＴＢＡＢおよびＴＢＡＩなどのＴ
ＢＡＸ、ＴＢＰＣ、ＴＢＰＢおよびＴＢＰＩなどのＴＢ
ＰＸ、および、ＴＰＰＣ、ＴＰＰＢおよびＴＰＰＩなど
のＴＰＰＸなどのアンモニウム化合物やホスホニウム化
合物の使用が好ましい。尚、本発明においては、触媒と
して上記第四オニウム塩の中から選ばれる２種以上を混
合して用いてもかまわない。上記第四オニウム塩触媒
は、一般式（III）で表される化合物１モル当たり０．
０１〜０．１モルの割合で使用すればよい。一般式（II
I）で表される化合物の使用量は、一般式（II）で表さ
れるカリックス〔４〕レゾルシンアレーンの２倍モル量
であればよいが、それより少なくてもあるいは過剰でも
よく、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾル
シンアレーンの１モル当たり一般式（III）で表される
化合物を１．８〜３．０モルの範囲内で使用すればよ
い。
の中でも、ＴＢＡＣ、ＴＢＡＢおよびＴＢＡＩなどのＴ
ＢＡＸ、ＴＢＰＣ、ＴＢＰＢおよびＴＢＰＩなどのＴＢ
ＰＸ、および、ＴＰＰＣ、ＴＰＰＢおよびＴＰＰＩなど
のＴＰＰＸなどのアンモニウム化合物やホスホニウム化
合物の使用が好ましい。尚、本発明においては、触媒と
して上記第四オニウム塩の中から選ばれる２種以上を混
合して用いてもかまわない。上記第四オニウム塩触媒
は、一般式（III）で表される化合物１モル当たり０．
０１〜０．１モルの割合で使用すればよい。一般式（II
I）で表される化合物の使用量は、一般式（II）で表さ
れるカリックス〔４〕レゾルシンアレーンの２倍モル量
であればよいが、それより少なくてもあるいは過剰でも
よく、一般式（II）で表されるカリックス〔４〕レゾル
シンアレーンの１モル当たり一般式（III）で表される
化合物を１．８〜３．０モルの範囲内で使用すればよ
い。
【００２４】一般式（II）で表されるカリックス〔４〕
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応は常圧下で通常５０℃〜１５０℃の温度で１〜
５０時間行えばよい。反応は、窒素ガス、アルゴンガ
ス、ヘリウムガスなどの不活性ガス雰囲気下で行うこと
が好ましい。均一な反応の進行と反応促進のためには撹
拌することが好ましい。尚、一般式（I）の合成法を図
示すれば以下の通りである。
レゾルシンアレーンと一般式（III）で表される化合物
との反応は常圧下で通常５０℃〜１５０℃の温度で１〜
５０時間行えばよい。反応は、窒素ガス、アルゴンガ
ス、ヘリウムガスなどの不活性ガス雰囲気下で行うこと
が好ましい。均一な反応の進行と反応促進のためには撹
拌することが好ましい。尚、一般式（I）の合成法を図
示すれば以下の通りである。
【００２５】
【化１０】 （上式においてＲ1,Ｒ2およびＲ3は前記と同じであ
る。） かくして得られる一般式（I）で表されるオキセタン基
含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体として
は下式で示されるものが例示される。
る。） かくして得られる一般式（I）で表されるオキセタン基
含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体として
は下式で示されるものが例示される。
【００２６】
【化１１】
【００２７】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、
勿論、本発明は以下の実施例により何等制限を受けるも
のではない。 （実施例１） （１）メチルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン（Ｃ
ＲＡ）の合成 撹拌機付きの５０ｍｌのガラス製オートクレーブに、窒
素ガス気流下でレゾルシン１．７１ｇ（１５．５ｍ ｍ
ｏｌ）を２０ｍｌのエタノールに溶解して入れアセトア
ルデヒド１．１２ｇ（１５．６ｍ ｍｏｌ）を加えた。
氷浴上で２．５ｍｌの１２Ｎ−ＨＣｌ水溶液を滴下した
後、７０℃に加熱しながら１０時間撹拌した。反応混合
物溶液を１リットルの水に投入すると黄色沈澱が析出し
た。析出した黄色沈澱物を吸引濾過して８０℃の温水２
リットルで洗浄し、最終的に濾液が中性を示すのを確認
し、得られた沈澱物を真空乾燥器で６０℃に加熱して乾
燥した。乾燥物をクロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒
で再結晶を行い精製して白色の粒状結晶を得た。この時
の収率は７２％であった。
勿論、本発明は以下の実施例により何等制限を受けるも
のではない。 （実施例１） （１）メチルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン（Ｃ
ＲＡ）の合成 撹拌機付きの５０ｍｌのガラス製オートクレーブに、窒
素ガス気流下でレゾルシン１．７１ｇ（１５．５ｍ ｍ
ｏｌ）を２０ｍｌのエタノールに溶解して入れアセトア
ルデヒド１．１２ｇ（１５．６ｍ ｍｏｌ）を加えた。
氷浴上で２．５ｍｌの１２Ｎ−ＨＣｌ水溶液を滴下した
後、７０℃に加熱しながら１０時間撹拌した。反応混合
物溶液を１リットルの水に投入すると黄色沈澱が析出し
た。析出した黄色沈澱物を吸引濾過して８０℃の温水２
リットルで洗浄し、最終的に濾液が中性を示すのを確認
し、得られた沈澱物を真空乾燥器で６０℃に加熱して乾
燥した。乾燥物をクロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒
で再結晶を行い精製して白色の粒状結晶を得た。この時
の収率は７２％であった。
【００２８】（２）３−エチル−３−オキセタニルメチ
ルトシレート（ＥＯＭＴ）の合成 ５．８１ｇ（５０ｍ ｍｏｌ）の３−エチル−３−ヒド
ロキシメチルオキセタンと９．５３ｇ（５０ｍ ｍｏ
ｌ）のｐ−トルエンスルホニルクロリドを３０ｍｌのピ
リジンを含む１００ｍｌ容量の三角フラスコに加え、こ
れを室温で撹拌しながら１時間反応させた。反応終了
後、析出したピリジン塩酸塩を濾別し、濾別したピリジ
ン塩酸塩を酢酸エチルで洗浄し、酢酸エチル溶液を濾液
に加えた。得られた混液を分液ロートに移し、これを蒸
留水で３回洗浄し分離した有機層に硫酸マグネシウムを
加えて脱水した。硫酸マグネシウムを濾取し、濾液を濃
縮したのち、更に減圧蒸留により精製した。１１．２ｇ
のＥＯＭＴが得られた。収率は８３％である。得られた
ＥＯＭＴの物性は以下の通りである。 bp=154〜155℃(0.1mmHg) ・IR（neat,cm-1) 1597(ν C=C of aromatic),1362,11
76(ν S=O) 1096,980(ν C-O-C of cyclic ether),837(ν S-O) ・1H-NMR(200MHz,CDCl3,TMS):δ(ppm) 0.84(t,J=7.3Hz,3.0H,CH2 CH3 ),1.60-1.84(q,J=7.3Hz,2.
0H,CH2 CH3) 2.55(s,3.0H,Ph-CH3 ),4.26(s,2.1H,O-CH2 -SO2) 4.32-4.35(d,J=6.8Hz,2.0H,C-CH2 -O),4.38-4.44(d,J=6.
8Hz,2.0H,C-CH2 -O) 7.35-7.39(d,J=8.1Hz,2.0H,aromatic H),7.79-7.83(d,J
=8.1Hz,2.0H,aromaticH)
ルトシレート（ＥＯＭＴ）の合成 ５．８１ｇ（５０ｍ ｍｏｌ）の３−エチル−３−ヒド
ロキシメチルオキセタンと９．５３ｇ（５０ｍ ｍｏ
ｌ）のｐ−トルエンスルホニルクロリドを３０ｍｌのピ
リジンを含む１００ｍｌ容量の三角フラスコに加え、こ
れを室温で撹拌しながら１時間反応させた。反応終了
後、析出したピリジン塩酸塩を濾別し、濾別したピリジ
ン塩酸塩を酢酸エチルで洗浄し、酢酸エチル溶液を濾液
に加えた。得られた混液を分液ロートに移し、これを蒸
留水で３回洗浄し分離した有機層に硫酸マグネシウムを
加えて脱水した。硫酸マグネシウムを濾取し、濾液を濃
縮したのち、更に減圧蒸留により精製した。１１．２ｇ
のＥＯＭＴが得られた。収率は８３％である。得られた
ＥＯＭＴの物性は以下の通りである。 bp=154〜155℃(0.1mmHg) ・IR（neat,cm-1) 1597(ν C=C of aromatic),1362,11
76(ν S=O) 1096,980(ν C-O-C of cyclic ether),837(ν S-O) ・1H-NMR(200MHz,CDCl3,TMS):δ(ppm) 0.84(t,J=7.3Hz,3.0H,CH2 CH3 ),1.60-1.84(q,J=7.3Hz,2.
0H,CH2 CH3) 2.55(s,3.0H,Ph-CH3 ),4.26(s,2.1H,O-CH2 -SO2) 4.32-4.35(d,J=6.8Hz,2.0H,C-CH2 -O),4.38-4.44(d,J=6.
8Hz,2.0H,C-CH2 -O) 7.35-7.39(d,J=8.1Hz,2.0H,aromatic H),7.79-7.83(d,J
=8.1Hz,2.0H,aromaticH)
【００２９】（３）オキセタン基含有カリックス〔４〕
レゾルシンアレーン誘導体（１）の合成 ０．３４ｇ（２．５ｍ ｍｏｌ）のＣＲＡ、１．３６ｇ
（５．０ｍ ｍｏｌ）のＥＯＭＴ、０．２８ｇ（５．０
ｍ ｍｏｌ）のＫＯＨ、０．０８ｇ（０．２５ｍ ｍｏ
ｌ）のテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢ
ＡＢ）を３ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンを含む１
０ｍｌ容量のナスフラスに加え、７０℃に加熱し窒素雰
囲気下で撹拌しながら、２４時間反応させた。反応終了
後、反応母液を分液ロートに移し、クロロホルムを加え
た後、蒸留水で３回洗浄した。分離した有機層は硫酸マ
グネシウムを加えて脱水した。硫酸マグネシウムを濾別
後、濃縮し得られた残渣をエタノールに加え、再沈殿さ
せ精製した。エタノールによる再沈殿精製操作は２回繰
り返した。０．５７ｇの白色の粉末固体が得られた。収
率は６９％である。このものの1Ｈ−ＮＭＲのデータは
以下の通りである。 ０．８２（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２．０Ｈ，ＣＨ２ Ｃ
Ｈ３ ），１．０２（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２．０Ｈ，
ＣＨ２ ＣＨ３ ） １．４３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２．０Ｈ，ＣＨＣＨ
３ ），１．６５（ｑ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈ，ＣＨ
２ ＣＨ３） １．９２（ｑ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈ，ＣＨ２ ＣＨ
３），３．６２（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，８．０Ｈ，
Ｈａ） ３．８４（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，８．０Ｈ，Ｈｂ），
４．００−４．３４（ｍ，１２．０Ｈ，ＣＨ，ＣＨ２） ４．５３（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｈａ），４．６０−
４．８０（ｍ，１２．０Ｈ，ＣＨ２，Ｈｂ），６．０６
（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ） ６．１７（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ），
６．５４（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ），
７．３０（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ）
レゾルシンアレーン誘導体（１）の合成 ０．３４ｇ（２．５ｍ ｍｏｌ）のＣＲＡ、１．３６ｇ
（５．０ｍ ｍｏｌ）のＥＯＭＴ、０．２８ｇ（５．０
ｍ ｍｏｌ）のＫＯＨ、０．０８ｇ（０．２５ｍ ｍｏ
ｌ）のテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢ
ＡＢ）を３ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンを含む１
０ｍｌ容量のナスフラスに加え、７０℃に加熱し窒素雰
囲気下で撹拌しながら、２４時間反応させた。反応終了
後、反応母液を分液ロートに移し、クロロホルムを加え
た後、蒸留水で３回洗浄した。分離した有機層は硫酸マ
グネシウムを加えて脱水した。硫酸マグネシウムを濾別
後、濃縮し得られた残渣をエタノールに加え、再沈殿さ
せ精製した。エタノールによる再沈殿精製操作は２回繰
り返した。０．５７ｇの白色の粉末固体が得られた。収
率は６９％である。このものの1Ｈ−ＮＭＲのデータは
以下の通りである。 ０．８２（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２．０Ｈ，ＣＨ２ Ｃ
Ｈ３ ），１．０２（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２．０Ｈ，
ＣＨ２ ＣＨ３ ） １．４３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２．０Ｈ，ＣＨＣＨ
３ ），１．６５（ｑ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈ，ＣＨ
２ ＣＨ３） １．９２（ｑ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈ，ＣＨ２ ＣＨ
３），３．６２（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，８．０Ｈ，
Ｈａ） ３．８４（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，８．０Ｈ，Ｈｂ），
４．００−４．３４（ｍ，１２．０Ｈ，ＣＨ，ＣＨ２） ４．５３（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｈａ），４．６０−
４．８０（ｍ，１２．０Ｈ，ＣＨ２，Ｈｂ），６．０６
（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ） ６．１７（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ），
６．５４（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ），
７．３０（ｓ，２．０Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｈ）
【００３０】
【化１２】
【００３１】また、白色の粉末固体をクロロホルムに溶
解させ、このクロロホルム溶液を用いてキャスト法によ
りフィルムを製造したときのフィルムのＩＲデータは以
下の通りである。 ・IR（Film,cm-1) 1457(ν C=C of aromatic),1209(ν
arC-O-C of ether) 983(ν C-O-C of cyclic ether) 更に、この白色粉末固体の元素分析値は、Ｃ：７２．１
８％、Ｈ：８．５７％であり、組成式Ｃ80Ｈ112Ｏ16に
対する計算値Ｃ：７２．２６％、Ｈ：８．４９％によく
一致した。尚、上記の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは図１と
して、またＩＲスペクトルは図２としてこの明細書に添
付した。
解させ、このクロロホルム溶液を用いてキャスト法によ
りフィルムを製造したときのフィルムのＩＲデータは以
下の通りである。 ・IR（Film,cm-1) 1457(ν C=C of aromatic),1209(ν
arC-O-C of ether) 983(ν C-O-C of cyclic ether) 更に、この白色粉末固体の元素分析値は、Ｃ：７２．１
８％、Ｈ：８．５７％であり、組成式Ｃ80Ｈ112Ｏ16に
対する計算値Ｃ：７２．２６％、Ｈ：８．４９％によく
一致した。尚、上記の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは図１と
して、またＩＲスペクトルは図２としてこの明細書に添
付した。
【００３２】（実施例２） （１）３−メチル−３−オキセタニルメチルトシレート
（ＭＯＭＴ）の合成 実施例１の（２）ＥＯＭＴの合成において、３−エチル
−３−ヒドロキシメチルオキセタンを３−メチル−３−
ヒドロキシメチルオキセタンに代えた以外は、実施例１
の（２）と全く同様に行った。１１．５ｇのＭＯＭＴが
得られた。収率は９０％である。
（ＭＯＭＴ）の合成 実施例１の（２）ＥＯＭＴの合成において、３−エチル
−３−ヒドロキシメチルオキセタンを３−メチル−３−
ヒドロキシメチルオキセタンに代えた以外は、実施例１
の（２）と全く同様に行った。１１．５ｇのＭＯＭＴが
得られた。収率は９０％である。
【００３３】（２）オキセタン基含有カリックス〔４〕
レゾルシンアレーン誘導体（２）の合成 実施例１の（３）において、ＥＯＭＴをＭＯＭＴ１．２
８ｇ（５．０ｍ ｍｏｌ）に代えた以外は、実施例１の
（３）と全く同様に行った。０．５１ｇの白色の粉末固
体が得られた。収率は６７％である。このものの1Ｈ−
ＮＭＲのデータは以下の通りである。 ・1H-NMR(200MHz,CDCl3,TMS):δ(ppm) 1.22(s,12.0H,CH3),1.45(d,J=6.8Hz,12.0H,CHCH3 ),1.52
(s,12.0H,CH3) 3.50(d,J=5.9Hz,8.0H,Ha),3.79(d,J=5.9Hz,8.0H,Hb) 4.02-4.32(m,12.0H,CH,CH2),4.50(d,J=5.9Hz,Ha) 4.60-4.82(m,12.0H,CH2,Hb),6.03(s,2.0H,aromatic Hc) 6.13(s,2.0H,aromatic Hc),6.51(s,2.0H,aromatic Hc),
7.31(s,2.0H,aromaticHc)
レゾルシンアレーン誘導体（２）の合成 実施例１の（３）において、ＥＯＭＴをＭＯＭＴ１．２
８ｇ（５．０ｍ ｍｏｌ）に代えた以外は、実施例１の
（３）と全く同様に行った。０．５１ｇの白色の粉末固
体が得られた。収率は６７％である。このものの1Ｈ−
ＮＭＲのデータは以下の通りである。 ・1H-NMR(200MHz,CDCl3,TMS):δ(ppm) 1.22(s,12.0H,CH3),1.45(d,J=6.8Hz,12.0H,CHCH3 ),1.52
(s,12.0H,CH3) 3.50(d,J=5.9Hz,8.0H,Ha),3.79(d,J=5.9Hz,8.0H,Hb) 4.02-4.32(m,12.0H,CH,CH2),4.50(d,J=5.9Hz,Ha) 4.60-4.82(m,12.0H,CH2,Hb),6.03(s,2.0H,aromatic Hc) 6.13(s,2.0H,aromatic Hc),6.51(s,2.0H,aromatic Hc),
7.31(s,2.0H,aromaticHc)
【００３４】
【化１３】
【００３５】また、キャスト法により製造したフィルム
のＩＲデータは以下の通りである。 ・IR（Film,cm-1) 1458(ν C=C of aromatic),1188(ν
arC-O-C of ether) 975(ν C-O-C of cyclic ether) かくして得られた標記化合物の元素分析値は以下の通り
である。 実測値： Ｃ：７０．９６％ ，Ｈ：８．０７％ 計算値： Ｃ：７１．０３％ ，Ｈ：７．９５％（Ｃ72Ｈ96Ｏ16として）
のＩＲデータは以下の通りである。 ・IR（Film,cm-1) 1458(ν C=C of aromatic),1188(ν
arC-O-C of ether) 975(ν C-O-C of cyclic ether) かくして得られた標記化合物の元素分析値は以下の通り
である。 実測値： Ｃ：７０．９６％ ，Ｈ：８．０７％ 計算値： Ｃ：７１．０３％ ，Ｈ：７．９５％（Ｃ72Ｈ96Ｏ16として）
【００３６】
【発明の効果】オキセタン基をカリックス〔４〕レゾル
シンアレーンに導入することにより、耐熱性を維持しか
つ反応性が付与されるので、各種機能性材料としての利
用がより一層増大することとなる。
シンアレーンに導入することにより、耐熱性を維持しか
つ反応性が付与されるので、各種機能性材料としての利
用がより一層増大することとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１で得られたオキセタン基含有カリッ
クス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルを示す。
クス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルを示す。
【図２】 実施例１で得られたオキセタン基含有カリッ
クス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体のＩＲスペクトル
を示す。
クス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体のＩＲスペクトル
を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（I）で表されるオキセタン
基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基、Ｒ2は共に水素またはＣ1−Ｃ6の分
枝を有することもあるアルキル基を表す。） - 【請求項２】下記一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1は水素またはＣ1−Ｃ17の分枝を有すること
もあるアルキル基を表す。）で表されるカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンと下記一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ2は水素またはＣ1−Ｃ6の分枝を有すること
もあるアルキル基を表し、Ｒ3はＣ1−Ｃ4の分枝を有す
ることもあるアルキル基、フェニル基またはｐ−トリル
基を表す。）で表される化合物とを、反応溶媒中、第四
オニウム塩の存在下に５０〜１５０℃の温度で１〜５０
時間反応させることを特徴とする請求項１に記載のオキ
セタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187598A JPH11246540A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187598A JPH11246540A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246540A true JPH11246540A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=12899065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187598A Withdrawn JPH11246540A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | オキセタン基含有カリックス〔４〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11246540A (ja) |
Cited By (9)
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