JPH11246967A - ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、その製造方法およびそれを用いた反強磁性膜 - Google Patents
ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、その製造方法およびそれを用いた反強磁性膜Info
- Publication number
- JPH11246967A JPH11246967A JP10051669A JP5166998A JPH11246967A JP H11246967 A JPH11246967 A JP H11246967A JP 10051669 A JP10051669 A JP 10051669A JP 5166998 A JP5166998 A JP 5166998A JP H11246967 A JPH11246967 A JP H11246967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irmn
- film
- target
- alloy
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 21
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ時の放電安定性に優れ、かつスパッ
タ時に発生する熱応力によってもターゲット割れが発生
せず、スパッタ成膜した反強磁性膜の交換結合磁界も大
きなＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲットを提供する。 【解決手段】 ＩｒＭｎ系反強磁性合金ターゲットの組
織中にＩｒ相を分散して存在させ、かつターゲット中の
酸素量を３０００ｐｐｍ以下に制御する。製造方法とし
ては、Ir粉末、Mn粉末、Mn-X合金粉末あるいはX粉末(X
はFe,Ni,Cu,Ta,Hf,Pd,Ti,Nb,Cr,W,Zr,Mo等の少なくとも
１種)を所望量配合し、混合粉末の液相発現温度より低
い温度で、加圧焼結を行う。
タ時に発生する熱応力によってもターゲット割れが発生
せず、スパッタ成膜した反強磁性膜の交換結合磁界も大
きなＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲットを提供する。 【解決手段】 ＩｒＭｎ系反強磁性合金ターゲットの組
織中にＩｒ相を分散して存在させ、かつターゲット中の
酸素量を３０００ｐｐｍ以下に制御する。製造方法とし
ては、Ir粉末、Mn粉末、Mn-X合金粉末あるいはX粉末(X
はFe,Ni,Cu,Ta,Hf,Pd,Ti,Nb,Cr,W,Zr,Mo等の少なくとも
１種)を所望量配合し、混合粉末の液相発現温度より低
い温度で、加圧焼結を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反強磁性を有する
IrMn系合金の成膜用ターゲットとその製造方法さらに、
それを用いた反強磁性膜に関するものであり、特に磁気
記録装置などに適用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
検出部の磁区制御などに適用される反強磁性膜に係わる
ものである。
IrMn系合金の成膜用ターゲットとその製造方法さらに、
それを用いた反強磁性膜に関するものであり、特に磁気
記録装置などに適用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
検出部の磁区制御などに適用される反強磁性膜に係わる
ものである。
【０００２】
【従来の技術】パソコン等の外部記憶装置に使用されて
いるハードディスクドライブによって代表される磁気記
録分野では、大容量、高記録密度化が年率20〜30％以上
の大きな伸びを示している。情報を磁気ディスクに書き
込み／読み出す磁気ヘッドにとってみても、その方式、
構成等は目まぐるしく変化し、変革が進んでいる。現
在、磁気ディスク上に書き込まれる情報密度は2〜3Gbit
／in2に達しており、磁気ヘッドとして電磁誘導方式で
は書き込み／読み出しが困難になっていしまい、そのた
め読み出し専用ヘッドとして磁気抵抗効果を利用した磁
気抵抗効果型ヘッドが考え出され、主流を占めるに至っ
てきた。
いるハードディスクドライブによって代表される磁気記
録分野では、大容量、高記録密度化が年率20〜30％以上
の大きな伸びを示している。情報を磁気ディスクに書き
込み／読み出す磁気ヘッドにとってみても、その方式、
構成等は目まぐるしく変化し、変革が進んでいる。現
在、磁気ディスク上に書き込まれる情報密度は2〜3Gbit
／in2に達しており、磁気ヘッドとして電磁誘導方式で
は書き込み／読み出しが困難になっていしまい、そのた
め読み出し専用ヘッドとして磁気抵抗効果を利用した磁
気抵抗効果型ヘッドが考え出され、主流を占めるに至っ
てきた。
【０００３】さて、この磁気抵抗効果型ヘッドの検出部
には、強磁性体であるパーマロイ等の磁性薄膜による磁
気抵抗効果が利用されているが、強磁性材に特有な磁区
あるいは磁壁が薄膜中に存在のため、バルクハウゼンノ
イズが発生し、実用化の上で大きな障害になっていた。
このため、磁性薄膜を単磁区化する実用的な方法が多方
面から検討され、多くの対策方法が盛んに行われてい
る。それらのなかで、有用な解決方法として強磁性体薄
膜による磁気抵抗効果膜と反強磁性膜との交換結合現象
を利用して、磁気抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御す
る方法が提案されている。このように、強磁性と反強磁
性の薄膜を２層以上重ねる多層膜は、交換結合膜と称せ
られている。強磁性膜に積層される反強磁性膜として
は、γ-FeMnあるいはNiO等の合金系があるが、特許番号
第2,672,802号公報に開示されているIrMn系合金が、交
換結合磁界強さ、ブロッキング温度、耐食性等の点で好
適である旨が記載され、注目を浴びるようになってき
た。
には、強磁性体であるパーマロイ等の磁性薄膜による磁
気抵抗効果が利用されているが、強磁性材に特有な磁区
あるいは磁壁が薄膜中に存在のため、バルクハウゼンノ
イズが発生し、実用化の上で大きな障害になっていた。
このため、磁性薄膜を単磁区化する実用的な方法が多方
面から検討され、多くの対策方法が盛んに行われてい
る。それらのなかで、有用な解決方法として強磁性体薄
膜による磁気抵抗効果膜と反強磁性膜との交換結合現象
を利用して、磁気抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御す
る方法が提案されている。このように、強磁性と反強磁
性の薄膜を２層以上重ねる多層膜は、交換結合膜と称せ
られている。強磁性膜に積層される反強磁性膜として
は、γ-FeMnあるいはNiO等の合金系があるが、特許番号
第2,672,802号公報に開示されているIrMn系合金が、交
換結合磁界強さ、ブロッキング温度、耐食性等の点で好
適である旨が記載され、注目を浴びるようになってき
た。
【０００４】IrＭｎ系合金膜は反強磁性を有するため、
強磁性合金膜上に隣接して膜を形成すれば、原子間の相
互作用による磁気的な結合を生じ、強磁性合金膜の磁化
方向を制御するという特異な現象を発生する。この物性
現象を利用すれば、磁気抵抗効果型ヘッドの検出部を形
成する磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑制で
き、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの性能を格段に向上でき
ることが予想される。実際、強磁性膜としてパーマロイ
あるいはCo−Fe等が用いられ、反強磁性膜としてγ-FeM
nあるいはNiO等が知られてる。一方、IrMn系合金膜は成
膜中に特定方向に磁場を印加して成膜すれば、成膜後、
磁場中での熱処理を施さなくても高い交換結合磁界が得
られ、良好な強磁性膜の磁化方向制御を行えることから
注目されていた。IrMn系合金の反強磁性膜はスパッタリ
ング等の成膜方法で形成されるが、それに使用されるタ
ーゲット素材は、真空溶解法あるいは所望組成のIrMn合
金粉末を加圧焼結する粉末冶金法により作製される。次
に、ターゲット素材は機械加工して所望の形状寸法に仕
上げられて、ターゲットとしてスパッタ装置に組み込ま
れる。このようなターゲットは主としてＡｒのような不
活性ガスイオンの雰囲気中でスパッタリング工程に適用
され、磁気ヘッドの検出部等の形成が行われる。
強磁性合金膜上に隣接して膜を形成すれば、原子間の相
互作用による磁気的な結合を生じ、強磁性合金膜の磁化
方向を制御するという特異な現象を発生する。この物性
現象を利用すれば、磁気抵抗効果型ヘッドの検出部を形
成する磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑制で
き、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの性能を格段に向上でき
ることが予想される。実際、強磁性膜としてパーマロイ
あるいはCo−Fe等が用いられ、反強磁性膜としてγ-FeM
nあるいはNiO等が知られてる。一方、IrMn系合金膜は成
膜中に特定方向に磁場を印加して成膜すれば、成膜後、
磁場中での熱処理を施さなくても高い交換結合磁界が得
られ、良好な強磁性膜の磁化方向制御を行えることから
注目されていた。IrMn系合金の反強磁性膜はスパッタリ
ング等の成膜方法で形成されるが、それに使用されるタ
ーゲット素材は、真空溶解法あるいは所望組成のIrMn合
金粉末を加圧焼結する粉末冶金法により作製される。次
に、ターゲット素材は機械加工して所望の形状寸法に仕
上げられて、ターゲットとしてスパッタ装置に組み込ま
れる。このようなターゲットは主としてＡｒのような不
活性ガスイオンの雰囲気中でスパッタリング工程に適用
され、磁気ヘッドの検出部等の形成が行われる。
【０００５】さて、上述したIrMn系合金成膜用ターゲッ
トは真空溶解法あるいは粉末冶金法で作製されることが
知られており、以下その製法について述べることにす
る。まず、真空溶解法では原料のIr,Mnおよび必要とす
るその他の合金成分を所望組成に配合し、真空炉中に設
置したジルコニアあるいはアルミナ製耐火物からできて
いる坩堝に原料を装入する。その後、真空炉を１０-2〜
１０-3Ｔｏｒｒ程度まで減圧した後、耐火坩堝の外周に
設置したコイルに高周波電流を通電して原料に電磁誘導
による渦電流を発生させ、渦電流によるジュール熱を発
生させ加熱溶解を行う。真空溶解を行ったIrMn系合金融
体を、同じく真空炉中に設置した鋳型に注ぎ真空鋳造を
行い、加工素材を作製する。さらに、機械あるいは研磨
加工工程を経て、適当な形状寸法に加工してスパッタリ
ング用ターゲットを得る。
トは真空溶解法あるいは粉末冶金法で作製されることが
知られており、以下その製法について述べることにす
る。まず、真空溶解法では原料のIr,Mnおよび必要とす
るその他の合金成分を所望組成に配合し、真空炉中に設
置したジルコニアあるいはアルミナ製耐火物からできて
いる坩堝に原料を装入する。その後、真空炉を１０-2〜
１０-3Ｔｏｒｒ程度まで減圧した後、耐火坩堝の外周に
設置したコイルに高周波電流を通電して原料に電磁誘導
による渦電流を発生させ、渦電流によるジュール熱を発
生させ加熱溶解を行う。真空溶解を行ったIrMn系合金融
体を、同じく真空炉中に設置した鋳型に注ぎ真空鋳造を
行い、加工素材を作製する。さらに、機械あるいは研磨
加工工程を経て、適当な形状寸法に加工してスパッタリ
ング用ターゲットを得る。
【０００６】一方、粉末冶金法を適用した製造法では、
ガスアトマイズ法等で所望組成のIrMn合金粉末を作製し
た後、これを熱間静水圧プレス法（HIP）等の加圧焼結
法を用いて、ターゲット素材を作製する。このように作
製した加工素材は旋盤、研削盤等の機械加工され、所望
のターゲット形状に仕上げて使用される。
ガスアトマイズ法等で所望組成のIrMn合金粉末を作製し
た後、これを熱間静水圧プレス法（HIP）等の加圧焼結
法を用いて、ターゲット素材を作製する。このように作
製した加工素材は旋盤、研削盤等の機械加工され、所望
のターゲット形状に仕上げて使用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】真空溶解法または粉末
焼結法を用いて、スパッタリング用合金ターゲットを作
製するのは広く用いられる製造方法であるが、IrMn系合
金素材は機械的に脆いIrMn系金属間化合物相よって構成
される。このような脆性材料によるターゲットは、スパ
ッタリング放電中加熱され急速に温度上昇または局部加
熱されるため、温度分布の不均一による熱応力が増大し
てターゲットに割れを引き起こすという問題点がある。
スパッタ放電中にターゲットに割れを生ずると、この割
れの部分にプラズマが集中してしまい、その結果スパッ
タリングターゲットのメタルボンディング材のIr等の蝋
材が露出し、この蝋材がターゲット材と同時にスパッタ
されることになるため、成膜された反強磁性膜が汚染さ
れて必要な特性の反強磁性膜を得ることができない。
焼結法を用いて、スパッタリング用合金ターゲットを作
製するのは広く用いられる製造方法であるが、IrMn系合
金素材は機械的に脆いIrMn系金属間化合物相よって構成
される。このような脆性材料によるターゲットは、スパ
ッタリング放電中加熱され急速に温度上昇または局部加
熱されるため、温度分布の不均一による熱応力が増大し
てターゲットに割れを引き起こすという問題点がある。
スパッタ放電中にターゲットに割れを生ずると、この割
れの部分にプラズマが集中してしまい、その結果スパッ
タリングターゲットのメタルボンディング材のIr等の蝋
材が露出し、この蝋材がターゲット材と同時にスパッタ
されることになるため、成膜された反強磁性膜が汚染さ
れて必要な特性の反強磁性膜を得ることができない。
【０００８】一方、IrMn系合金を粉末法で作製した場
合、Mnは酸素との親和力が大きいため、粉末の作製時に
粉末表面が酸化し、厚い酸化膜層を形成してしまう。こ
の酸化層が厚く形成された原料粉末を用いた場合、加圧
焼結時にこの酸化物層が中間に介在して原料粉間の原子
の相互拡散を妨害するため、焼結性が悪くなり、その結
果ターゲット用素材として必要な相対密度90％以上を得
ることが困難であった。また、焼結体の相対密度が90％
以下の場合、焼結体内部の空隙は連なって存在するよう
になり、焼結体外部と繋がってしまい、表面あるいは内
部に細かい空腔を生じることになる。このような焼結体
を機械加工すると、加工液が焼結体内部に浸透したり、
あるいは残留する原因になる。さらに、加工液による材
料の汚染を促進したり、加工液が焼結体の酸化を進行さ
せる原因にもなる。
合、Mnは酸素との親和力が大きいため、粉末の作製時に
粉末表面が酸化し、厚い酸化膜層を形成してしまう。こ
の酸化層が厚く形成された原料粉末を用いた場合、加圧
焼結時にこの酸化物層が中間に介在して原料粉間の原子
の相互拡散を妨害するため、焼結性が悪くなり、その結
果ターゲット用素材として必要な相対密度90％以上を得
ることが困難であった。また、焼結体の相対密度が90％
以下の場合、焼結体内部の空隙は連なって存在するよう
になり、焼結体外部と繋がってしまい、表面あるいは内
部に細かい空腔を生じることになる。このような焼結体
を機械加工すると、加工液が焼結体内部に浸透したり、
あるいは残留する原因になる。さらに、加工液による材
料の汚染を促進したり、加工液が焼結体の酸化を進行さ
せる原因にもなる。
【０００９】酸素含有量の高いターゲットを使用してス
パッタリングした場合、酸化物、特にMnの酸化物はター
ゲット表面に残留すると共に、絶縁物であるため電荷が
トラップされ表面に滞留することになる。このため、タ
ーゲットの電位分布が一様でなくなり、場所によっては
急激に変化する不均一分布になる。スパッタ時にターゲ
ット近傍は均一な電位分布、即ち電界分布が得られなく
なり、スパッタリング放電時に異常放電を招き安定した
放電を継続出来ない。つまり、成膜装置内で安定したプ
ラズマ状態が得られないことである。また、高含有酸素
の材料をスパッタ成膜した場合、酸素は成膜中に取り込
まれることになり、強磁性膜上に反強磁性膜がエピタキ
シ成長することを阻害する。反強磁性膜のエピタキシ成
長が阻害されると、強磁性膜との交換結合磁界は低下
し、磁化方向を制御することは困難となり、予定した特
性が得られない。さらに、成膜組成とターゲット組成が
一致しないため、予定した特性を得ることが難しく、ま
た制御することが困難であった。
パッタリングした場合、酸化物、特にMnの酸化物はター
ゲット表面に残留すると共に、絶縁物であるため電荷が
トラップされ表面に滞留することになる。このため、タ
ーゲットの電位分布が一様でなくなり、場所によっては
急激に変化する不均一分布になる。スパッタ時にターゲ
ット近傍は均一な電位分布、即ち電界分布が得られなく
なり、スパッタリング放電時に異常放電を招き安定した
放電を継続出来ない。つまり、成膜装置内で安定したプ
ラズマ状態が得られないことである。また、高含有酸素
の材料をスパッタ成膜した場合、酸素は成膜中に取り込
まれることになり、強磁性膜上に反強磁性膜がエピタキ
シ成長することを阻害する。反強磁性膜のエピタキシ成
長が阻害されると、強磁性膜との交換結合磁界は低下
し、磁化方向を制御することは困難となり、予定した特
性が得られない。さらに、成膜組成とターゲット組成が
一致しないため、予定した特性を得ることが難しく、ま
た制御することが困難であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以上、従来技術の課題を
記述したが、次にその解決手段を詳しく述べることにす
る。本発明の本質はターゲット材の構成元素であるＩｒ
とＭｎが金属間化合物を形成することに起因する点、お
よびＭｎが非常に酸化し易い元素ある点にある。このよ
うな従来技術の問題点と条件の特異性を加味して、本発
明を想到するに至ったものである。
記述したが、次にその解決手段を詳しく述べることにす
る。本発明の本質はターゲット材の構成元素であるＩｒ
とＭｎが金属間化合物を形成することに起因する点、お
よびＭｎが非常に酸化し易い元素ある点にある。このよ
うな従来技術の問題点と条件の特異性を加味して、本発
明を想到するに至ったものである。
【００１１】本発明では、ターゲットの組織をIr相とそ
の外周側にIrMn合金相あるいはIrMn多元合金相で接合さ
れている複合組織と規定したところに特長がある。これ
は焼結体の機械的強度を低下させる主因であるＭｎ相お
よびＭｎ合金相の割合を少なくし、機械的に強度の低い
Ｍｎ相あるいはＭｎ合金相にクラックが生じた場合で
も、Ir相でクラックの進展を食止めることができる。こ
れは脆性および抗折強度を大幅に改善できるものであ
る。同時に、スパッタ放電時の熱応力によってターゲッ
トに割れが生ずるのを防止することも可能である。従来
法である真空溶解による完全合金型ターゲットと本発明
のターゲットの機械的な強度である抗折強度で比較した
ところ、完全合金型のターゲットは5〜10kg／cm2の抗折
強度であったのに対し、本発明のターゲットは15kg／cm
2以上の抗折強度を有していることがわかった。IrMn系
合金ターゲットの組織中にIr相を存在させ、さらにIr相
の外側をIrMn合金相で接合されていることが本発明の本
質であるが、組織中にIrが存在しIrMn合金を介して分散
される形態がより本発明を表現したものと言える。この
ように組織をIr相とIrMn合金相に分けてターゲットを作
製することは、従来のターゲットでは組織が単相である
ため、本発明のような機能および効果は期待できないこ
とは、以上の説明から容易に理解できるところである。
の外周側にIrMn合金相あるいはIrMn多元合金相で接合さ
れている複合組織と規定したところに特長がある。これ
は焼結体の機械的強度を低下させる主因であるＭｎ相お
よびＭｎ合金相の割合を少なくし、機械的に強度の低い
Ｍｎ相あるいはＭｎ合金相にクラックが生じた場合で
も、Ir相でクラックの進展を食止めることができる。こ
れは脆性および抗折強度を大幅に改善できるものであ
る。同時に、スパッタ放電時の熱応力によってターゲッ
トに割れが生ずるのを防止することも可能である。従来
法である真空溶解による完全合金型ターゲットと本発明
のターゲットの機械的な強度である抗折強度で比較した
ところ、完全合金型のターゲットは5〜10kg／cm2の抗折
強度であったのに対し、本発明のターゲットは15kg／cm
2以上の抗折強度を有していることがわかった。IrMn系
合金ターゲットの組織中にIr相を存在させ、さらにIr相
の外側をIrMn合金相で接合されていることが本発明の本
質であるが、組織中にIrが存在しIrMn合金を介して分散
される形態がより本発明を表現したものと言える。この
ように組織をIr相とIrMn合金相に分けてターゲットを作
製することは、従来のターゲットでは組織が単相である
ため、本発明のような機能および効果は期待できないこ
とは、以上の説明から容易に理解できるところである。
【００１２】前述した本発明によるターゲットを用いて
反強磁性膜を作製することは、本発明の究極的な目的で
はあるが、その組成について言及する。磁気抵抗効果型
ヘッドの検出部を構成する交換結合膜を構成する場合、
その組成はIrYMn1-Yで表すことができ、0.02≦Y≦0.8at
%の範囲で交換結合磁界を大きくできる。さらに、0.05
≦Y≦0.4at%では高温域における交換結合力を確保で
き、より好ましい範囲である。交換結合膜を構成する強
磁性膜との関係もあるが、反強磁性の膜厚は15nm以下が
適しており、好ましくは3〜10nmである。
反強磁性膜を作製することは、本発明の究極的な目的で
はあるが、その組成について言及する。磁気抵抗効果型
ヘッドの検出部を構成する交換結合膜を構成する場合、
その組成はIrYMn1-Yで表すことができ、0.02≦Y≦0.8at
%の範囲で交換結合磁界を大きくできる。さらに、0.05
≦Y≦0.4at%では高温域における交換結合力を確保で
き、より好ましい範囲である。交換結合膜を構成する強
磁性膜との関係もあるが、反強磁性の膜厚は15nm以下が
適しており、好ましくは3〜10nmである。
【００１３】次に、IrMn合金にFe、Ni、Cu、Ta、Hf、P
d、Ti、Nb、Cr、W、Zr、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選
ばれた少なくとも１種が含有されるIrMn系多元合金にお
いて、組織中にIr相を存在させ、このIr相の外側をIrMn
合金あるいはIrMn多元合金相で接合することである。Ir
Mn合金に上記したFe以下の添加元素を加えることは、更
なる耐食性の向上を目的としたものであり、本発明の実
施しうる範囲である。しかし、0.5at%以上添加すると交
換結合力の低下を招くため、0.5at%を上限値とするもの
である。
d、Ti、Nb、Cr、W、Zr、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選
ばれた少なくとも１種が含有されるIrMn系多元合金にお
いて、組織中にIr相を存在させ、このIr相の外側をIrMn
合金あるいはIrMn多元合金相で接合することである。Ir
Mn合金に上記したFe以下の添加元素を加えることは、更
なる耐食性の向上を目的としたものであり、本発明の実
施しうる範囲である。しかし、0.5at%以上添加すると交
換結合力の低下を招くため、0.5at%を上限値とするもの
である。
【００１４】本発明に係わる第三の点は、前記のIrMn系
合金成膜用ターゲットは、15kg／cm2以上の抗折強度を
有し、スパッタ放電時の熱応力によっても割れが発生し
難いことを特徴とする。このような特性は、ターゲット
素材の機械加工時にその有用性を発揮するものである。
即ち、従来材では脆い材質であったため、機械加工時に
正確な仕上げが出来ず、表面の状態も不良であり、特性
の良い薄膜を形成することが困難であった。しかし、本
発明によってこのような不具合は解消できるものであ
る。
合金成膜用ターゲットは、15kg／cm2以上の抗折強度を
有し、スパッタ放電時の熱応力によっても割れが発生し
難いことを特徴とする。このような特性は、ターゲット
素材の機械加工時にその有用性を発揮するものである。
即ち、従来材では脆い材質であったため、機械加工時に
正確な仕上げが出来ず、表面の状態も不良であり、特性
の良い薄膜を形成することが困難であった。しかし、本
発明によってこのような不具合は解消できるものであ
る。
【００１５】本発明では、IrMn系合金成膜用ターゲット
の含有酸素量を3000ppm以下、かつ相対密度を90％以上
にすることを特徴とするものである。ターゲット材中の
酸素量を3000ppm以下と規定した理由は、含有酸素が主
としてMnの酸化物として存在することになる。Mnの酸化
物は電気伝導性が無い絶縁体であるため、スパッタ放電
中には電荷が蓄積されることになる。蓄積された電荷は
ある限界に達すると、酸化物から電荷が急激に放電され
るため、スパッタ中に異常放電を生ずることとなる。タ
ーゲット中の含有酸素量が3000ppmを超える値に達する
と、安定したスパッタ放電を継続することが最早困難と
なり、スパッタ膜厚を厳密に制御することも不可能とな
る。3000ppmの限界値は実験と経験則から算定したもの
である。
の含有酸素量を3000ppm以下、かつ相対密度を90％以上
にすることを特徴とするものである。ターゲット材中の
酸素量を3000ppm以下と規定した理由は、含有酸素が主
としてMnの酸化物として存在することになる。Mnの酸化
物は電気伝導性が無い絶縁体であるため、スパッタ放電
中には電荷が蓄積されることになる。蓄積された電荷は
ある限界に達すると、酸化物から電荷が急激に放電され
るため、スパッタ中に異常放電を生ずることとなる。タ
ーゲット中の含有酸素量が3000ppmを超える値に達する
と、安定したスパッタ放電を継続することが最早困難と
なり、スパッタ膜厚を厳密に制御することも不可能とな
る。3000ppmの限界値は実験と経験則から算定したもの
である。
【００１６】また、異常放電発生時にスピッティング現
象を併発し、溶融したターゲット金属元素が膜面上に付
着し凝固するため、異物が非常に多い膜となる。このよ
うな膜の表面異物は素子の歩留まりを著しく低下させる
ため、磁気記録用ヘッドの製造上重大なな問題であっ
た。しかし、本発明者等はIrMn系合金成膜用ターゲット
の含有酸素を3000ppm、さらに好ましくは2500ppm以下に
すれば、スパッタリング時の異常放電を完全に抑えるこ
とはできないにしても、安定したスパッタ放電を維持す
ることが可能であり、安定した膜厚の制御が出来ると同
時に、表面異物の発生を実用上問題のない程度に抑える
ことが可能であることを見いだした。
象を併発し、溶融したターゲット金属元素が膜面上に付
着し凝固するため、異物が非常に多い膜となる。このよ
うな膜の表面異物は素子の歩留まりを著しく低下させる
ため、磁気記録用ヘッドの製造上重大なな問題であっ
た。しかし、本発明者等はIrMn系合金成膜用ターゲット
の含有酸素を3000ppm、さらに好ましくは2500ppm以下に
すれば、スパッタリング時の異常放電を完全に抑えるこ
とはできないにしても、安定したスパッタ放電を維持す
ることが可能であり、安定した膜厚の制御が出来ると同
時に、表面異物の発生を実用上問題のない程度に抑える
ことが可能であることを見いだした。
【００１７】ターゲットの相対密度は高いほど好ましい
ことは当然であるが、実用上の限界値を検討すると、90
％以上が特性および経済性の分岐点である。真空溶解法
に比べると、本発明による方法ではターゲット中に空隙
を生じやすい。このため、相対密度に影響するパラメー
タを適宜選び試験したところ、相対密度が90％以上であ
れば、ターゲット中の空隙は孤立して存在するようにな
り、機械加工時に材料中に加工液の浸透を抑えることが
可能となり、結果としてターゲット用素材の酸化を抑え
られる点、また加工液による材質の汚染を防止できる。
ことは当然であるが、実用上の限界値を検討すると、90
％以上が特性および経済性の分岐点である。真空溶解法
に比べると、本発明による方法ではターゲット中に空隙
を生じやすい。このため、相対密度に影響するパラメー
タを適宜選び試験したところ、相対密度が90％以上であ
れば、ターゲット中の空隙は孤立して存在するようにな
り、機械加工時に材料中に加工液の浸透を抑えることが
可能となり、結果としてターゲット用素材の酸化を抑え
られる点、また加工液による材質の汚染を防止できる。
【００１８】さらに、本発明は強磁性膜上に酸素量3000
ppm以下に制御した低酸素のIrMn系合金成膜用ターゲッ
トを用いて反強磁性膜を形成した交換結合膜を含むもの
である。本発明者らは含有酸素量3000ppm以下、90％以
上の相対密度を有するIrMn合金成膜用ターゲットと含有
酸素量5000ppmで、かつ相対密度が85％のIrMn系合金成
膜用ターゲットを用いて比較を行った。成膜の特性評価
したところ、酸素含有量の高いターゲットによる交換結
合膜は、含有酸素量の低いターゲットを用いたものと比
較すると、強磁性膜との交換結合磁界が小さいことが判
明した。さらに、成膜した膜を透過型電子顕微鏡を用い
てミクロ解析を行ったところ、含有酸素量の少ない方の
ターゲットで成膜したものは、強磁性膜上に良好にエピ
タキシー成長しているが、含有酸素の多いターゲットで
成膜した膜は、エピタキシー成長が一部阻害されている
ことが観察できた。IrMn系合金ターゲット中の含有酸素
は、ターゲット側ではスパッタ粒子として原子状態で存
在すると考えられるが、これが基板上に到達して再びMn
と結びつき、酸化物を形成する。このＭｎ酸化物が、強
磁性膜上にIrMn系合金膜がエピタキシー成長するのを妨
げ、結果として強磁性膜と反強磁性膜間の交換結合磁界
が低下する原因である。
ppm以下に制御した低酸素のIrMn系合金成膜用ターゲッ
トを用いて反強磁性膜を形成した交換結合膜を含むもの
である。本発明者らは含有酸素量3000ppm以下、90％以
上の相対密度を有するIrMn合金成膜用ターゲットと含有
酸素量5000ppmで、かつ相対密度が85％のIrMn系合金成
膜用ターゲットを用いて比較を行った。成膜の特性評価
したところ、酸素含有量の高いターゲットによる交換結
合膜は、含有酸素量の低いターゲットを用いたものと比
較すると、強磁性膜との交換結合磁界が小さいことが判
明した。さらに、成膜した膜を透過型電子顕微鏡を用い
てミクロ解析を行ったところ、含有酸素量の少ない方の
ターゲットで成膜したものは、強磁性膜上に良好にエピ
タキシー成長しているが、含有酸素の多いターゲットで
成膜した膜は、エピタキシー成長が一部阻害されている
ことが観察できた。IrMn系合金ターゲット中の含有酸素
は、ターゲット側ではスパッタ粒子として原子状態で存
在すると考えられるが、これが基板上に到達して再びMn
と結びつき、酸化物を形成する。このＭｎ酸化物が、強
磁性膜上にIrMn系合金膜がエピタキシー成長するのを妨
げ、結果として強磁性膜と反強磁性膜間の交換結合磁界
が低下する原因である。
【００１９】次に製造方法について言及する。良好なIr
Mn系合金成膜用ターゲットを実現するための製造方法と
しては、Ir粉末、Mn粉末、Mn−Ｘ合金粉末あるいはＸ粉
末、（ＸはFe、Ni、Cu、Ta、Hf、Pd、Ti、Nb、Cr、W、Z
r、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選ばれた少なくとも１
種）を所望量配合した後、混合する工程を経て、混合粉
末の液相発現温度より低い温度で加圧焼結を行うことを
特徴とするするものである。
Mn系合金成膜用ターゲットを実現するための製造方法と
しては、Ir粉末、Mn粉末、Mn−Ｘ合金粉末あるいはＸ粉
末、（ＸはFe、Ni、Cu、Ta、Hf、Pd、Ti、Nb、Cr、W、Z
r、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選ばれた少なくとも１
種）を所望量配合した後、混合する工程を経て、混合粉
末の液相発現温度より低い温度で加圧焼結を行うことを
特徴とするするものである。
【００２０】本発明の製造方法として、Ir粉末、Mn粉
末、Mn−Ｘ合金粉末、あるいはＸ粉末を配合、混合す
る。この混合粉末を液相発現温度より低い温度で加圧焼
結を行ってターゲット用素材を作製する最大の理由は以
下の通りである。本発明の基本的組織であるをIr相の外
側をIrMn相によって結合するようにするために、Ir粉末
は必ず単独で配合し、残りの元素は単独かあるいは合金
粉末の形で配合する必要がある。原料混合粉末の液相発
現温度以下で加圧焼結を行うことによって、加圧焼結時
に液相が生じた場合、粉末を保持するためのモールド型
や、金属製の缶と液相が反応し、良好な焼結体を得るこ
とは困難となる。相対密度90％以上の高密度の焼結体を
うるための具体的な焼結条件としては、液相発現温度以
下10℃から200℃以内の温度範囲内、さらに具体的には
温度1235℃から1045℃の範囲内、圧力は100kg／cm2以上
で加圧焼結を行うのが望ましい。
末、Mn−Ｘ合金粉末、あるいはＸ粉末を配合、混合す
る。この混合粉末を液相発現温度より低い温度で加圧焼
結を行ってターゲット用素材を作製する最大の理由は以
下の通りである。本発明の基本的組織であるをIr相の外
側をIrMn相によって結合するようにするために、Ir粉末
は必ず単独で配合し、残りの元素は単独かあるいは合金
粉末の形で配合する必要がある。原料混合粉末の液相発
現温度以下で加圧焼結を行うことによって、加圧焼結時
に液相が生じた場合、粉末を保持するためのモールド型
や、金属製の缶と液相が反応し、良好な焼結体を得るこ
とは困難となる。相対密度90％以上の高密度の焼結体を
うるための具体的な焼結条件としては、液相発現温度以
下10℃から200℃以内の温度範囲内、さらに具体的には
温度1235℃から1045℃の範囲内、圧力は100kg／cm2以上
で加圧焼結を行うのが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。 （実施例１） 本発明及び比較例のスパッタリングター
ゲットの製造条件を表１に示す。表１中、試料１から試
料８については、平均粒径５０μｍのＩｒ粉末、および
Ｍｎ粉末を所望組成に秤量、配合し、混合ミルを用いて
均一に混合した後、ホットプレス法あるいはＨＩＰ法を
用いて加圧焼結を行った。
ゲットの製造条件を表１に示す。表１中、試料１から試
料８については、平均粒径５０μｍのＩｒ粉末、および
Ｍｎ粉末を所望組成に秤量、配合し、混合ミルを用いて
均一に混合した後、ホットプレス法あるいはＨＩＰ法を
用いて加圧焼結を行った。
【００２２】
【表１】
【００２２】加圧焼結法としてホットプレスを用いた場
合は、混合粉末をカーボン製のモールド型に充填した
後、ホットプレス装置内を真空引きし、さらに温度４０
０℃まで加熱した後５時間真空加熱を行って原料粉末に
吸着している酸素の脱気処理を行った。脱気処理した
後、本発明である試料１は、原料粉末を圧力１５０Ｋｇ
ｆ／ｃｍ2、温度１２３０℃で加圧焼結を行った。比較
例の試料７は、焼結時の加圧圧力を５０Ｋｇ／ｃｍ2，
温度９００℃で焼結を行い、比較例８は、焼結温度温度
１３００℃で加圧焼結を行った。なお、試料８の加熱温
度１３００℃は混合粉末のIrMn系合金の液相発現温度１
２５３℃を超え、加圧焼結時に液相が発現しモールド型
との反応を生じた。
合は、混合粉末をカーボン製のモールド型に充填した
後、ホットプレス装置内を真空引きし、さらに温度４０
０℃まで加熱した後５時間真空加熱を行って原料粉末に
吸着している酸素の脱気処理を行った。脱気処理した
後、本発明である試料１は、原料粉末を圧力１５０Ｋｇ
ｆ／ｃｍ2、温度１２３０℃で加圧焼結を行った。比較
例の試料７は、焼結時の加圧圧力を５０Ｋｇ／ｃｍ2，
温度９００℃で焼結を行い、比較例８は、焼結温度温度
１３００℃で加圧焼結を行った。なお、試料８の加熱温
度１３００℃は混合粉末のIrMn系合金の液相発現温度１
２５３℃を超え、加圧焼結時に液相が発現しモールド型
との反応を生じた。
【００２３】加圧焼結法としてＨＩＰ法を用いた場合
は、原料粉末を軟鋼製の容器に充填した後、軟鋼製容器
内を真空引きし、さらに４００℃まで加熱した後５時間
放置し原料粉末の脱気処理を行った。脱気処理完了後、
軟鋼製容器を密封し、容器をＨＩＰ装置内に入れ、圧力
１０００〜１３００Ｋｇｆ／ｃｍ2、温度１０５０〜１
２３０℃で加圧焼結を行った。
は、原料粉末を軟鋼製の容器に充填した後、軟鋼製容器
内を真空引きし、さらに４００℃まで加熱した後５時間
放置し原料粉末の脱気処理を行った。脱気処理完了後、
軟鋼製容器を密封し、容器をＨＩＰ装置内に入れ、圧力
１０００〜１３００Ｋｇｆ／ｃｍ2、温度１０５０〜１
２３０℃で加圧焼結を行った。
【００２４】比較例の試料９では、真空溶解、鋳造によ
り表記の組成のインゴットを作製し、これをハンマーに
より適当な大きさに砕いた後、ディスクミルを用いて平
均粒径５０μｍまで粉砕を行った。なお、粉砕中は粉末
の酸化を防ぐため、ディスクミル容器内を真空引きした
後、内部をArガスで置換して、不活性ガス雰囲気にし
た。以上のようにして得たIrMn合金粉末は、HIP法を用
いて加圧焼結を行った。加圧焼結条件は圧力１３００Ｋ
ｇ／ｃｍ2，温度１２００℃である。比較例１０では、
真空鋳造法を用いてIrMn合金の作製を行った。上記のよ
うに作成した素材は、相対密度、酸素含有量、抗折強度
を測定するとともに、スパッタ放電安定性、薄膜組成、
磁気特性評価およびスパッタ時の割れの発生状況を評価
するため、スパッタリングターゲットを機械加工して作
成した。作成したターゲットはスパッタリング装置に装
着し、Ａｒガス圧５×１０-3Ｔｏｒｒ、ターゲットへの
直流印可電力１５Ｗ／ｃｍ2の条件で直流スパッタを行
って、膜厚１０００Åの薄膜組成分析用の試料を作成
し、薄膜組成をEPMAを用いて分析を行った。
り表記の組成のインゴットを作製し、これをハンマーに
より適当な大きさに砕いた後、ディスクミルを用いて平
均粒径５０μｍまで粉砕を行った。なお、粉砕中は粉末
の酸化を防ぐため、ディスクミル容器内を真空引きした
後、内部をArガスで置換して、不活性ガス雰囲気にし
た。以上のようにして得たIrMn合金粉末は、HIP法を用
いて加圧焼結を行った。加圧焼結条件は圧力１３００Ｋ
ｇ／ｃｍ2，温度１２００℃である。比較例１０では、
真空鋳造法を用いてIrMn合金の作製を行った。上記のよ
うに作成した素材は、相対密度、酸素含有量、抗折強度
を測定するとともに、スパッタ放電安定性、薄膜組成、
磁気特性評価およびスパッタ時の割れの発生状況を評価
するため、スパッタリングターゲットを機械加工して作
成した。作成したターゲットはスパッタリング装置に装
着し、Ａｒガス圧５×１０-3Ｔｏｒｒ、ターゲットへの
直流印可電力１５Ｗ／ｃｍ2の条件で直流スパッタを行
って、膜厚１０００Åの薄膜組成分析用の試料を作成
し、薄膜組成をEPMAを用いて分析を行った。
【００２５】磁気特性特性の評価については、同一スパ
ッタチャンバー内でシリコン基板上に、純Ｃｏ膜を２５
Å成膜を行った後、前記のスッハ゜タ条件でNiMn系反強磁性
合金膜を２００Å成膜をした後、IrMn合金膜の酸化を防
止するため、Taを５０Å成膜し、交換結合磁界測定用の
薄膜試料を作成した。作成した試料は振動試料型磁力計
を用いて交換結合の測定を行った。スパッタ時の放電安
定性、及びターゲットの割れの発生状況の評価は、Arガ
ス圧５×１０-3Torr、ターゲットへの直流印加電力２０
Ｗ／ｃｍ2の条件で５時間連続してスパッタ放電を行っ
て、スパッタ放電時の異常放電発生回数をアーキングモ
ニターでカウントすると同時に、試験後にターゲット表
面の観察を割れの有無を調査した。
ッタチャンバー内でシリコン基板上に、純Ｃｏ膜を２５
Å成膜を行った後、前記のスッハ゜タ条件でNiMn系反強磁性
合金膜を２００Å成膜をした後、IrMn合金膜の酸化を防
止するため、Taを５０Å成膜し、交換結合磁界測定用の
薄膜試料を作成した。作成した試料は振動試料型磁力計
を用いて交換結合の測定を行った。スパッタ時の放電安
定性、及びターゲットの割れの発生状況の評価は、Arガ
ス圧５×１０-3Torr、ターゲットへの直流印加電力２０
Ｗ／ｃｍ2の条件で５時間連続してスパッタ放電を行っ
て、スパッタ放電時の異常放電発生回数をアーキングモ
ニターでカウントすると同時に、試験後にターゲット表
面の観察を割れの有無を調査した。
【００２６】評価結果を纏めて表２示す。本発明は何れ
の試料も９０％以上の良好な相対密度、含有酸素量２５
００ｐｐｍ以下、１６Ｋｇ／ｃｍ2以上の抗折強度を有
しているのに対し、比較例である試料７、試料９は８０
％台と相対密度が低く、また含有酸素量も４５００ｐｐ
ｍ以上と非常に多い事が分かる。また抗折強度も６ｋｇ
／ｃｍ2以下と非常に脆くなっていることが判明した。
真空鋳造法で作成した試料１０に関しては相対密度、含
有酸素量とも良好であったが、抗折強度は９Ｋｇ／ｃｍ
2と低い値を示した。なお、試料８は焼結中に液相を生
じたため評価することはできなかった。
の試料も９０％以上の良好な相対密度、含有酸素量２５
００ｐｐｍ以下、１６Ｋｇ／ｃｍ2以上の抗折強度を有
しているのに対し、比較例である試料７、試料９は８０
％台と相対密度が低く、また含有酸素量も４５００ｐｐ
ｍ以上と非常に多い事が分かる。また抗折強度も６ｋｇ
／ｃｍ2以下と非常に脆くなっていることが判明した。
真空鋳造法で作成した試料１０に関しては相対密度、含
有酸素量とも良好であったが、抗折強度は９Ｋｇ／ｃｍ
2と低い値を示した。なお、試料８は焼結中に液相を生
じたため評価することはできなかった。
【００２７】
【表２】
【００２８】交換結合磁界の結果について、薄膜組成の
近い本発明の試料２と比較例の９の結果を比較すると、
ほぼ同じ薄膜組成であるにも拘わらず本発明の４００Oe
に対し、１３０Oeと低くなり、本発明のターゲットで作
成した薄膜は良好な交換結合磁界を有することが分か
る。
近い本発明の試料２と比較例の９の結果を比較すると、
ほぼ同じ薄膜組成であるにも拘わらず本発明の４００Oe
に対し、１３０Oeと低くなり、本発明のターゲットで作
成した薄膜は良好な交換結合磁界を有することが分か
る。
【００２９】異常放電回数の評価、及びスパッタ後の割
れの発生状況に関しては、本発明のターゲットの異常放
電発生回数は１分当たり１回以下の非常に低い値でか
つ、試験後ターゲットに割れの発生は無かったが、相対
密度が低く、かつ含有酸素量も多い比較例の試料９は１
分当たり５回と異常放電回数も多く、連続放電開始後１
時間経過した後、ターゲットに割れを生じた。比較例の
１０については、安定した試験の途中の段階までは安定
したスパッタ放電が継続したが、連続放電開始後２時間
でターゲットに割れを生じた。
れの発生状況に関しては、本発明のターゲットの異常放
電発生回数は１分当たり１回以下の非常に低い値でか
つ、試験後ターゲットに割れの発生は無かったが、相対
密度が低く、かつ含有酸素量も多い比較例の試料９は１
分当たり５回と異常放電回数も多く、連続放電開始後１
時間経過した後、ターゲットに割れを生じた。比較例の
１０については、安定した試験の途中の段階までは安定
したスパッタ放電が継続したが、連続放電開始後２時間
でターゲットに割れを生じた。
【００３０】（実施例２） 実施例２を表３に示す。実
施例２では、Ir粉末、Ｍｎ粉末以外に第三元素、第四元
素を添加するため、純金属粉末、あるいは、それらの合
金粉末を原料粉末として使用した。ホットプレス、HIP
による加圧焼結、及びターゲットの機械加工は実施例１
に準じて行っている。なお、試料１９は加圧焼結中に液
相を生じ良好な燒結体を得ることは出来なかった。
施例２では、Ir粉末、Ｍｎ粉末以外に第三元素、第四元
素を添加するため、純金属粉末、あるいは、それらの合
金粉末を原料粉末として使用した。ホットプレス、HIP
による加圧焼結、及びターゲットの機械加工は実施例１
に準じて行っている。なお、試料１９は加圧焼結中に液
相を生じ良好な燒結体を得ることは出来なかった。
【００３１】
【表３】
【００３２】実施例２の評価結果を表４に示す。本発明
のターゲットはいずれの試料も９０％以上の相対密度を
有し、かつ抗折強度、薄膜組成、スパッタ放電安定性、
ターゲットの割れ等、全ての点で良好な特性を有するの
に対し、比較例の試料は、何らかの点で問題を有するこ
とが分かる。さらに、薄膜組成がほぼ等しい試料１２と
比較例２４の交換結合磁界について見てみると、本発明
の試料１２が４００Oeもの値を示しているのに対し、比
較例の２４は１９０Oeと半分以下の値示しておらず本発
明のターゲットをIrMn系合金反強磁性膜の成膜に使用す
る良好な磁気特性が得られることがわかる。作製した試
料に電流供給端子を設け、磁界検出素子を形成した。低
磁界の信号で十分大きな信号を得ることができ本発明を
実施すれば、従来にない高感度な磁界検出センサを提供
可能となる。これは記録密度2〜3Gbit/in2以上の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの検出部を構成できることは、以上
の検討結果より明らかである。
のターゲットはいずれの試料も９０％以上の相対密度を
有し、かつ抗折強度、薄膜組成、スパッタ放電安定性、
ターゲットの割れ等、全ての点で良好な特性を有するの
に対し、比較例の試料は、何らかの点で問題を有するこ
とが分かる。さらに、薄膜組成がほぼ等しい試料１２と
比較例２４の交換結合磁界について見てみると、本発明
の試料１２が４００Oeもの値を示しているのに対し、比
較例の２４は１９０Oeと半分以下の値示しておらず本発
明のターゲットをIrMn系合金反強磁性膜の成膜に使用す
る良好な磁気特性が得られることがわかる。作製した試
料に電流供給端子を設け、磁界検出素子を形成した。低
磁界の信号で十分大きな信号を得ることができ本発明を
実施すれば、従来にない高感度な磁界検出センサを提供
可能となる。これは記録密度2〜3Gbit/in2以上の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの検出部を構成できることは、以上
の検討結果より明らかである。
【００３３】
【表４】
【００３４】
【発明の効果】ＩｒＭｎ合金、あるいはＩｒＭｎＦｅ合
金ターゲットの製造に際し、その組織を複合組織とする
事で機械加工性にすぐれ、またターゲットとして使用し
た場合の放電安定性が良好で放電時の熱応力によっても
割れを生じ難い反強磁性合金成膜用ターゲットが得られ
る。また、高い交換結合力を持つ磁気抵抗効果膜を作製
でき、感度の良好な磁気ヘッド等の検出素子を提供する
ことができる。
金ターゲットの製造に際し、その組織を複合組織とする
事で機械加工性にすぐれ、またターゲットとして使用し
た場合の放電安定性が良好で放電時の熱応力によっても
割れを生じ難い反強磁性合金成膜用ターゲットが得られ
る。また、高い交換結合力を持つ磁気抵抗効果膜を作製
でき、感度の良好な磁気ヘッド等の検出素子を提供する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ１１Ｂ 5/39 Ｇ１１Ｂ 5/39 Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｈ０１Ｌ 43/12
Claims (18)
- 【請求項１】 組織中にIrが存在し、このIrはIrMn合金
を介して分散されていることを特徴とするIrMn系合金成
膜用ターゲット。 - 【請求項２】 請求項１において、前記IrとIrMn合金に
はそれぞれIr相およびIrMn合金相を有すると共に、前記
Ir相がIrMn合金相によって接合されていることを特徴と
するIrMn系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項３】 組織中にIrが存在し、IrMn合金を介して
分散されているIrMn系合金成膜用ターゲットにおいて、
Fe、Ni、Cu、Ta、Hf、Pd、Ti、Nb、Cr、W、Zr、Mo、R
e、Co、Ru、Ptの群から選ばれた少なくとも１種が前記I
rMn合金もしくはIrMn合金相に含有されることを特徴と
するIrMn系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項４】 請求項３において、組織中に少なくとも
Fe相、FeMn相あるいはIr相のいずれか１つ以上が存在す
ることを特徴とするIrMn系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、抗折
強度が15ｋｇ／ｃｍ２以上を有することを特徴とするIr
Mn系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項６】 請求項５において、スパッタ放電時の熱
応力等による割れが発生しないかもしくは発生しても成
膜組成に実質的に影響を与えないことを特徴とするIrMn
系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかにおいて、含有
酸素量が3000ｐｐｍ以下であることを特徴とするIrMn系
合金成膜用ターゲット。 - 【請求項８】 請求項１〜４のいずれかにおいて、90％
以上の相対密度を有することを特徴とするIrMn系合金成
膜用ターゲット。 - 【請求項９】 請求項７において、スパッタリング等の
成膜時に前記ターゲット表面に存在する主としてMn等の
酸化物による絶縁性残留物が、空間電荷をトラップして
プラズマ形成に大きな影響のない程度に抑制されている
ことを特徴とするIrMn系合金成膜用ターゲット。 - 【請求項１０】 請求項７または８のいずれかにおい
て、成膜時の異常放電の発生頻度を低く抑えるように酸
化物が制御されていることを特徴とするIrMn系合金成膜
用ターゲット。 - 【請求項１１】 所望量配合したIrMn合金粉末を液相発
現温度より低い温度で加圧焼結する工程を含むことを特
徴とするIrMn成膜用ターゲットの製造方法。 - 【請求項１２】 Ir粉末、Mn粉末、Mn−Ｘ合金粉末ある
いはＸ粉末、（ＸはFe、Ni、Cu、Ta、Hf、Pd、Ti、Nb、
Cr、W、Zr、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選ばれた少な
くとも１種）を１または２種以上配合した後、混合する
工程を経て、混合粉末の液相発現温度より低い温度で加
圧焼結を行うを工程を含むことを特徴とするIrMn成膜用
ターゲットの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１１または１２のいずれかにお
いて、前記加圧焼結温度は液相発現温度の１０〜２００
℃低いことを特徴とするIrMn成膜用ターゲットの製造方
法。 - 【請求項１４】 組織中にIr相が存在し、IrMn合金で接
合されているIrMn系合金成膜用ターゲットを用いて形成
されたことを特徴とする反強磁性膜。 - 【請求項１５】 IrMn合金にFe、Ni、Cu、Ta、Hf、Pd、
Ti、Nb、Cr、W、Zr、Mo、Re、Co、Ru、Ptの群から選ば
れた少なくとも１種がIrMn合金に含有されるIrMn系多元
合金において、組織中にIr相が存在し、このIr相は前記
IrMn合金相あるいはIrMn多元合金相で接合されているIr
Mn系合金成膜用ターゲットを用いて成膜されたことを特
徴とする反強磁性膜。 - 【請求項１６】 請求項１４または１５のいずれかにお
いて、強磁性体膜と積層して交換結合力を生じさせたこ
とを特徴とする反強磁性膜。 - 【請求項１７】 請求項１６において、10kA/m以上の交
換結合力を持たせたことを特徴とする反強磁性膜。 - 【請求項１８】 請求項１４〜１７のいずれかにおい
て、前記反強磁性膜に電流供給端子を設け、磁界検出素
子の機能を付与したことを特徴とする反強磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05166998A JP4002659B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、およびそれを用いた反強磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05166998A JP4002659B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、およびそれを用いた反強磁性膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246967A true JPH11246967A (ja) | 1999-09-14 |
| JP4002659B2 JP4002659B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=12893299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05166998A Expired - Fee Related JP4002659B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、およびそれを用いた反強磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4002659B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007297654A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲット、並びに接合型スパッタリングターゲット及びその作製方法 |
| US8911528B2 (en) | 2005-10-20 | 2014-12-16 | H.C. Starck Inc. | Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets |
| US9017762B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-04-28 | H.C. Starck, Inc. | Method of making molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
| US9150955B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-06 | H.C. Starck Inc. | Method of making molybdenum containing targets comprising molybdenum, titanium, and tantalum or chromium |
| US9334562B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
| US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP05166998A patent/JP4002659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8911528B2 (en) | 2005-10-20 | 2014-12-16 | H.C. Starck Inc. | Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets |
| JP2007297654A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲット、並びに接合型スパッタリングターゲット及びその作製方法 |
| TWI403600B (zh) * | 2006-04-28 | 2013-08-01 | Ulvac Inc | 濺鍍靶及接合型濺鍍靶及其製作方法 |
| US9017762B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-04-28 | H.C. Starck, Inc. | Method of making molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
| US9150955B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-06 | H.C. Starck Inc. | Method of making molybdenum containing targets comprising molybdenum, titanium, and tantalum or chromium |
| US9837253B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-12-05 | H.C. Starck Inc. | Molybdenum containing targets for touch screen device |
| US9945023B2 (en) | 2010-06-30 | 2018-04-17 | H.C. Starck, Inc. | Touch screen device comprising Mo-based film layer and methods thereof |
| US9334562B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
| US9922808B2 (en) | 2011-05-10 | 2018-03-20 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
| US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
| US10643827B2 (en) | 2012-05-09 | 2020-05-05 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4002659B2 (ja) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3386747B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| TWI405862B (zh) | 用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的合金與濺射靶材料 | |
| US20080083616A1 (en) | Co-Fe-Zr BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF | |
| CN1659306A (zh) | 掺杂B/C/N/O/Si溅射靶的制备 | |
| US20030228238A1 (en) | High-PTF sputtering targets and method of manufacturing | |
| JP3544293B2 (ja) | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 | |
| JP5370917B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| US7780826B2 (en) | Cr-doped FeCoB based target material and method for producing the same | |
| KR0129795B1 (ko) | 광자기 기록 매체용 타겟 및 그 제조 방법 | |
| JP4002659B2 (ja) | ＩｒＭｎ系合金成膜用ターゲット、およびそれを用いた反強磁性膜 | |
| JP2533922B2 (ja) | 焼結タ―ゲット部材およびその製造方法 | |
| JP3662251B2 (ja) | 磁気光学合金製のスパッターターゲット | |
| CN102766848A (zh) | 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 | |
| JP5944580B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS63274763A (ja) | 光磁気記録用合金タ−ゲツト | |
| JP3076141B2 (ja) | 磁性薄膜用ターゲット材とその製造方法、Ｆｅ−Ｍ−Ｃ軟磁性膜とその製造方法、およびこれを用いた磁気ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| JPH02107762A (ja) | 光磁気記録用合金ターゲット | |
| JP3525439B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JP7274361B2 (ja) | 磁気記録媒体のシード層用合金 | |
| JPS63274764A (ja) | 光磁気記録用合金タ−ゲツト | |
| WO2020053972A1 (ja) | スパッタリングターゲット、磁性膜および、磁性膜の製造方法 | |
| JP7657960B2 (ja) | Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、成膜方法、及びスパッタリングターゲット部材の製造方法 | |
| JP2000038660A (ja) | ＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにＣｏＰｔ系磁気記録媒体 | |
| TWI681067B (zh) | 濺鍍靶、磁性膜和磁性膜的製造方法 | |
| JP6845069B2 (ja) | スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040205 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040223 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060612 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070529 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |