JPH11246977A - パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法 - Google Patents
パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法Info
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- JPH11246977A JPH11246977A JP5160698A JP5160698A JPH11246977A JP H11246977 A JPH11246977 A JP H11246977A JP 5160698 A JP5160698 A JP 5160698A JP 5160698 A JP5160698 A JP 5160698A JP H11246977 A JPH11246977 A JP H11246977A
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- silver
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン間の絶縁性に優れ、レジストを使用
することなく、パターン状に銀を析出させることがで
き、かつそれによって、優れたパターン状の無電解めっ
きを行なうことができる回路形成方法を提供する。 【解決手段】 樹脂表面に、酸性基又は膨潤層を介し
て、銀イオンを樹脂に吸着させ、紫外線等の活性光線に
よって、パターン状で選択的に銀を析出させ、不要な銀
イオンを除去し、次いで、無電解めっき処理を行なう。
することなく、パターン状に銀を析出させることがで
き、かつそれによって、優れたパターン状の無電解めっ
きを行なうことができる回路形成方法を提供する。 【解決手段】 樹脂表面に、酸性基又は膨潤層を介し
て、銀イオンを樹脂に吸着させ、紫外線等の活性光線に
よって、パターン状で選択的に銀を析出させ、不要な銀
イオンを除去し、次いで、無電解めっき処理を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂表面に選択的
にパターン状で銀を析出させ後、無電解めっきを行な
い、回路を形成する方法に関する。特に、本発明は、樹
脂表面に吸着された銀イオンをパターン状に紫外線等の
活性光線を照射することにより、パターン状で銀を析出
させ、未析出銀を除去した後、無電解めっきを行なう、
レジストを用いることなく回路を形成する方法に関す
る。
にパターン状で銀を析出させ後、無電解めっきを行な
い、回路を形成する方法に関する。特に、本発明は、樹
脂表面に吸着された銀イオンをパターン状に紫外線等の
活性光線を照射することにより、パターン状で銀を析出
させ、未析出銀を除去した後、無電解めっきを行なう、
レジストを用いることなく回路を形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】無電解めっきは、装飾用プラスチックめ
っきをはじめプリント配線板のスルホールめっきに広く
利用されている。無電解めっきにおける触媒化には、パ
ラジウム−スズコロイド系、スズフリーパラジウム系、
銅触媒等が使用されてきたが、現在はパラジウム−スズ
コロイド系が主流となっている。これらの触媒は、樹脂
又は金属上に均一に触媒を付与することが可能である
が、選択的に触媒を付与するには煩雑な作業が必要とす
るか、若しくは非常に困難であった。最近脚光を浴びて
いるビルドアッププリント配線板を製造する場合におい
て、パターン外の樹脂上に吸着したパラジウム−スズコ
ロイド触媒を完全には溶解除去できず、そのためパター
ン間の絶縁性が低下する問題がある。また、最表面部に
パラジウム−スズ系触媒が残留すると、後の無電解めっ
きの析出の原因となる。
っきをはじめプリント配線板のスルホールめっきに広く
利用されている。無電解めっきにおける触媒化には、パ
ラジウム−スズコロイド系、スズフリーパラジウム系、
銅触媒等が使用されてきたが、現在はパラジウム−スズ
コロイド系が主流となっている。これらの触媒は、樹脂
又は金属上に均一に触媒を付与することが可能である
が、選択的に触媒を付与するには煩雑な作業が必要とす
るか、若しくは非常に困難であった。最近脚光を浴びて
いるビルドアッププリント配線板を製造する場合におい
て、パターン外の樹脂上に吸着したパラジウム−スズコ
ロイド触媒を完全には溶解除去できず、そのためパター
ン間の絶縁性が低下する問題がある。また、最表面部に
パラジウム−スズ系触媒が残留すると、後の無電解めっ
きの析出の原因となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の問題点を解
決し、パターン間の絶縁性に優れ、レジストを使用する
ことなく、パターン状に銀を析出させることができ、か
つそれによって、優れたパターン状の無電解めっきを行
なうことができる回路形成方法を提供することを目的と
する。
決し、パターン間の絶縁性に優れ、レジストを使用する
ことなく、パターン状に銀を析出させることができ、か
つそれによって、優れたパターン状の無電解めっきを行
なうことができる回路形成方法を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため、鋭意検討した結果、樹脂表面に、酸性基
又は膨潤層を介して、銀イオンを樹脂に吸着させ、紫外
線等の活性光線によって、パターン状で選択的に銀を析
出させ、不要な銀イオンは除去し、次いで、無電解めっ
き処理を行なう回路形成方法を提供することを目的とす
る。
解決するため、鋭意検討した結果、樹脂表面に、酸性基
又は膨潤層を介して、銀イオンを樹脂に吸着させ、紫外
線等の活性光線によって、パターン状で選択的に銀を析
出させ、不要な銀イオンは除去し、次いで、無電解めっ
き処理を行なう回路形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で使用される樹脂としては、例えば、スル
ホン化や、カルボキシル化等にって、樹脂中に酸性基を
導入することができる樹脂又はアルカリ水溶液によって
膨潤する樹脂であり、かつ適度の物性、例えば、強度
や、腐食耐性等を有する樹脂であれば、特に制限なく各
種の樹脂を使用することができる。このような樹脂とし
ては、例えば、ベンゼン環等の芳香族環を内部に有する
不導体樹脂が好適に使用することができる。このような
不導体樹脂としては、例えば、ポリフェニレンエーテル
樹脂や、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビニル樹脂
や、フェノール樹脂等が好ましいものとして挙げられ
る。この内、特に、ポリフェニレンエーテル樹脂や、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を特に好適に使用するこ
とができる。また、アルカリ水溶液による膨潤性の樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂や、ＡＢＳ樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等が好適に挙げられる。
する。本発明で使用される樹脂としては、例えば、スル
ホン化や、カルボキシル化等にって、樹脂中に酸性基を
導入することができる樹脂又はアルカリ水溶液によって
膨潤する樹脂であり、かつ適度の物性、例えば、強度
や、腐食耐性等を有する樹脂であれば、特に制限なく各
種の樹脂を使用することができる。このような樹脂とし
ては、例えば、ベンゼン環等の芳香族環を内部に有する
不導体樹脂が好適に使用することができる。このような
不導体樹脂としては、例えば、ポリフェニレンエーテル
樹脂や、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビニル樹脂
や、フェノール樹脂等が好ましいものとして挙げられ
る。この内、特に、ポリフェニレンエーテル樹脂や、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を特に好適に使用するこ
とができる。また、アルカリ水溶液による膨潤性の樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂や、ＡＢＳ樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等が好適に挙げられる。
【０００６】ポリフェニレンエーテル樹脂は、公知のよ
うに、例えば、2,6-キシレノールの酸化カップリング反
応によって合成することができる。ポリフェニレンエー
テル樹脂は、機械的性質、電気的性質（例えば、低誘導
率など）が優れているため、自動車部品や、パーソナル
コンピューターのハウジングなどに利用されている。エ
ンジニアリングプラスックの中では、比重や、吸水性が
最小である。また、誘電率が極めて低いため、プリント
配線基板への応用も考えられている。ポリフェニレンエ
ーテル樹脂としては、例えば、旭化成工業（株）製の等
が具体的に好適なものとして挙げられる。ポリイミド樹
脂は、一般に、酸無水物と、ジアミンとの重縮合によっ
て製造される。ポリイミド樹脂は、耐熱性や、難燃性、
機械的強度、電気特性に優れているため、電子部品や、
機械部品等、広範囲に利用されている。特に、近年のエ
レクトロニクスの急激な進歩において、フレキシブルプ
リント配線板（ＦＰＣ）を初め、テープ・オート・ボン
ディング（ＴＡＢ）用フィルムキャリア及び多層配線板
など広範囲に利用されている。ポリイミド樹脂は、耐薬
品性に優れているため、樹脂表面への密着性の良好なめ
っき皮膜を形成することが困難であり、新たなめっき方
法が検討されていた。ポリイミド樹脂としては、具体的
には、例えば、ユービックスや、カプトン、アピカル等
の商品名で表示される樹脂が挙げられる。特に、デュポ
ン社製カプトンフィルムＨ−１００や、Ｈ−２００が好
適に使用できる。
うに、例えば、2,6-キシレノールの酸化カップリング反
応によって合成することができる。ポリフェニレンエー
テル樹脂は、機械的性質、電気的性質（例えば、低誘導
率など）が優れているため、自動車部品や、パーソナル
コンピューターのハウジングなどに利用されている。エ
ンジニアリングプラスックの中では、比重や、吸水性が
最小である。また、誘電率が極めて低いため、プリント
配線基板への応用も考えられている。ポリフェニレンエ
ーテル樹脂としては、例えば、旭化成工業（株）製の等
が具体的に好適なものとして挙げられる。ポリイミド樹
脂は、一般に、酸無水物と、ジアミンとの重縮合によっ
て製造される。ポリイミド樹脂は、耐熱性や、難燃性、
機械的強度、電気特性に優れているため、電子部品や、
機械部品等、広範囲に利用されている。特に、近年のエ
レクトロニクスの急激な進歩において、フレキシブルプ
リント配線板（ＦＰＣ）を初め、テープ・オート・ボン
ディング（ＴＡＢ）用フィルムキャリア及び多層配線板
など広範囲に利用されている。ポリイミド樹脂は、耐薬
品性に優れているため、樹脂表面への密着性の良好なめ
っき皮膜を形成することが困難であり、新たなめっき方
法が検討されていた。ポリイミド樹脂としては、具体的
には、例えば、ユービックスや、カプトン、アピカル等
の商品名で表示される樹脂が挙げられる。特に、デュポ
ン社製カプトンフィルムＨ−１００や、Ｈ−２００が好
適に使用できる。
【０００７】エポキシ樹脂は、一般に、エピクロルヒド
リンと、ビスフェノールＡ等の多価フェノールとから製
造される。このようなエポキシ樹脂の製造方法は、既に
公知であり、当業者には自明である。具体的には、ＡＮ
ＳＩ／ＮＥＭＡ規格のＧ−１０グレードや、ＦＲ−４グ
レードが好ましいものとして挙げられる。その他上記樹
脂としては、回路基板用樹脂として従来より使用される
ものが各種使用できる。本発明で使用する樹脂は、単独
で使用してもよく、又は、これらの混合物として使用し
てもよい。例えば、エポキシ樹脂を、例えば、ポリイミ
ド樹脂や、ポリアミド樹脂と混合して使用してもよい。
また、樹脂には、ガラス繊維強化材等の補強材を配合し
てもよい。更に、これらの樹脂には、ポリスチレン樹脂
等の他の樹脂を配合して、樹脂アロイとしたものでもよ
い。
リンと、ビスフェノールＡ等の多価フェノールとから製
造される。このようなエポキシ樹脂の製造方法は、既に
公知であり、当業者には自明である。具体的には、ＡＮ
ＳＩ／ＮＥＭＡ規格のＧ−１０グレードや、ＦＲ−４グ
レードが好ましいものとして挙げられる。その他上記樹
脂としては、回路基板用樹脂として従来より使用される
ものが各種使用できる。本発明で使用する樹脂は、単独
で使用してもよく、又は、これらの混合物として使用し
てもよい。例えば、エポキシ樹脂を、例えば、ポリイミ
ド樹脂や、ポリアミド樹脂と混合して使用してもよい。
また、樹脂には、ガラス繊維強化材等の補強材を配合し
てもよい。更に、これらの樹脂には、ポリスチレン樹脂
等の他の樹脂を配合して、樹脂アロイとしたものでもよ
い。
【０００８】本発明で使用される酸性基としては、上記
樹脂の表面に導入でき、銀イオンと反応して銀塩を形成
できるものであれば、特に制限なく各種の酸性基を使用
することができる。好ましい酸性基としては、例えば、
スルホン酸基や、カルボキシル基等が好ましいものとし
て挙げられる。例えば、スルホン酸基は、樹脂の表面を
スルホン化することによって、樹脂表面中に導入するこ
とができる。スルホン酸基の導入は、例えば、硫酸を樹
脂に作用させることによって行なうことができる。硫酸
の濃度は、１〜１０Ｍ、好ましくは、２〜６Ｍであるこ
とが適当である。硫酸の濃度が１Ｍ未満であると、スル
ホン化に時間がかかり、好ましくない。一方、１０Ｍを
越えると、スルホン化が過剰に進行し、樹脂表面の平滑
性を低下させるので好ましくない。
樹脂の表面に導入でき、銀イオンと反応して銀塩を形成
できるものであれば、特に制限なく各種の酸性基を使用
することができる。好ましい酸性基としては、例えば、
スルホン酸基や、カルボキシル基等が好ましいものとし
て挙げられる。例えば、スルホン酸基は、樹脂の表面を
スルホン化することによって、樹脂表面中に導入するこ
とができる。スルホン酸基の導入は、例えば、硫酸を樹
脂に作用させることによって行なうことができる。硫酸
の濃度は、１〜１０Ｍ、好ましくは、２〜６Ｍであるこ
とが適当である。硫酸の濃度が１Ｍ未満であると、スル
ホン化に時間がかかり、好ましくない。一方、１０Ｍを
越えると、スルホン化が過剰に進行し、樹脂表面の平滑
性を低下させるので好ましくない。
【０００９】また、カルボキシル基の導入は、樹脂の表
面をカルボキシル化することによって行なわれ、カルボ
キシル化剤としては、例えば、クロム酸等が使用され
る。例えば、クロム酸を使用する場合には、クロム酸の
濃度は、一般に、例えば、１〜５Ｍ、好ましくは、２〜
４Ｍであることが適当である。１Ｍ以下では、カルボキ
シル化反応が速やかに進行せず、長時間を要するので好
ましくない。一方、５Ｍを越えると、樹脂をアタックが
顕著となり易く、好ましくない。酸性基は、樹脂の種類
にもよるが、一般に、４０〜７０℃、好ましくは、４５
〜５５℃で行なうことが適当である。処理時間は、例え
ば、１０〜６０分樹脂を浸漬することにより、酸性基を
導入できるが、２０〜４０分が好ましい。銀イオンの樹
脂表面への吸着は、酸性基の導入された樹脂表面にイオ
ン交換反応により、銀イオンが反応及び吸着する工程で
ある。ここでは、銀イオンは、析出させる銀塩の水溶液
が使用される。本発明の場合、硝酸銀水溶液が最も適当
である。塩濃度は、例えば、0.01〜１Ｍ、好ましくは、
0.02〜0.1 Ｍが適当である。処理温度は、例えば、１０
〜４０℃、好ましくは、２０〜３０℃が適当である。処
理時間は、例えば、0.5 〜１０分、好ましくは、１〜５
分が適当である。
面をカルボキシル化することによって行なわれ、カルボ
キシル化剤としては、例えば、クロム酸等が使用され
る。例えば、クロム酸を使用する場合には、クロム酸の
濃度は、一般に、例えば、１〜５Ｍ、好ましくは、２〜
４Ｍであることが適当である。１Ｍ以下では、カルボキ
シル化反応が速やかに進行せず、長時間を要するので好
ましくない。一方、５Ｍを越えると、樹脂をアタックが
顕著となり易く、好ましくない。酸性基は、樹脂の種類
にもよるが、一般に、４０〜７０℃、好ましくは、４５
〜５５℃で行なうことが適当である。処理時間は、例え
ば、１０〜６０分樹脂を浸漬することにより、酸性基を
導入できるが、２０〜４０分が好ましい。銀イオンの樹
脂表面への吸着は、酸性基の導入された樹脂表面にイオ
ン交換反応により、銀イオンが反応及び吸着する工程で
ある。ここでは、銀イオンは、析出させる銀塩の水溶液
が使用される。本発明の場合、硝酸銀水溶液が最も適当
である。塩濃度は、例えば、0.01〜１Ｍ、好ましくは、
0.02〜0.1 Ｍが適当である。処理温度は、例えば、１０
〜４０℃、好ましくは、２０〜３０℃が適当である。処
理時間は、例えば、0.5 〜１０分、好ましくは、１〜５
分が適当である。
【００１０】一方、樹脂表面に銀イオンを吸着させる別
の方法としては、上記樹脂の表面を膨潤させた後、銀イ
オンをその膨潤層に吸着させる方法が挙げられる。膨潤
層は、ＮａＯＨや、ＫＯＨ等のアルカリ水溶液に樹脂を
浸漬することにより行なうことができる。使用するアル
カリの濃度は、例えば、１〜１０Ｍ、好ましくは、３〜
７Ｍが適当である。浸漬処理温度は、例えば、３０〜７
０℃、好ましくは、４０〜６０℃が適当である。浸漬時
間は、例えば、１〜１０分、好ましくは、３〜７分が適
当である。銀イオンを表面又は膨潤層中に吸着させた樹
脂には、例えば、石英ガラス等の紫外線や電子線等の活
性光線を透過し易いパターン状の材料からなるマスクを
通して、活性光線を照射すると、吸着した銀イオンが金
属銀に変換し、後の無電解めっきの触媒核となる銀がパ
ターン状に選択的に形成される。活性光線としては、紫
外線が好適であり、高圧水銀灯より発生する紫外線が好
適に使用できる。
の方法としては、上記樹脂の表面を膨潤させた後、銀イ
オンをその膨潤層に吸着させる方法が挙げられる。膨潤
層は、ＮａＯＨや、ＫＯＨ等のアルカリ水溶液に樹脂を
浸漬することにより行なうことができる。使用するアル
カリの濃度は、例えば、１〜１０Ｍ、好ましくは、３〜
７Ｍが適当である。浸漬処理温度は、例えば、３０〜７
０℃、好ましくは、４０〜６０℃が適当である。浸漬時
間は、例えば、１〜１０分、好ましくは、３〜７分が適
当である。銀イオンを表面又は膨潤層中に吸着させた樹
脂には、例えば、石英ガラス等の紫外線や電子線等の活
性光線を透過し易いパターン状の材料からなるマスクを
通して、活性光線を照射すると、吸着した銀イオンが金
属銀に変換し、後の無電解めっきの触媒核となる銀がパ
ターン状に選択的に形成される。活性光線としては、紫
外線が好適であり、高圧水銀灯より発生する紫外線が好
適に使用できる。
【００１１】一方、パターン以外の部分の未析出銀、即
ち、酸性基の銀塩又は膨潤層中の銀イオンは、例えば、
硝酸等の銀イオンと反応して塩を形成する材料で処理す
ることによって、未析出銀を容易に除去することができ
る。未析出銀の除去に使用する好ましい硝酸水溶液の濃
度は、例えば、0.5 〜５％、好ましくは、１〜２％が適
当である。処理時間は、例えば、0.5 〜３分、好ましく
は、１〜２分が適当である。浴温は、室温でよい。この
ようにして得られた樹脂の表面には、金属銀が核として
存在しているので、パターン状で無電解めっきを好適に
行なうことができる。このようにして処理した樹脂基板
は、十分水洗した後、汎用の無電解めっき液に浸漬する
ことにより、パターン状に銅又はニッケルを析出させ、
回路等を形成することができる。
ち、酸性基の銀塩又は膨潤層中の銀イオンは、例えば、
硝酸等の銀イオンと反応して塩を形成する材料で処理す
ることによって、未析出銀を容易に除去することができ
る。未析出銀の除去に使用する好ましい硝酸水溶液の濃
度は、例えば、0.5 〜５％、好ましくは、１〜２％が適
当である。処理時間は、例えば、0.5 〜３分、好ましく
は、１〜２分が適当である。浴温は、室温でよい。この
ようにして得られた樹脂の表面には、金属銀が核として
存在しているので、パターン状で無電解めっきを好適に
行なうことができる。このようにして処理した樹脂基板
は、十分水洗した後、汎用の無電解めっき液に浸漬する
ことにより、パターン状に銅又はニッケルを析出させ、
回路等を形成することができる。
【００１２】無電解めっき層の膜厚は、めっき時間によ
り調整できる。必要ならば、無電解めっき後に、電気銅
めっきを行なってもよい。電気銅めっき、例えば、硫酸
銅めっきは、汎用の硫酸銅めっきを使用できる。例え
ば、温度２５℃、電流密度１〜３Ａ／ｄｍ2 にて２５〜
３０μｍめっきされる。その後、通常の態様により、基
板を、水洗し、汎用の防錆剤（例えば、メルテックス社
製エンテックＣｕ−５６）で処理した後、任意に水洗
し、乾燥する。一例として、ポリフェニレンエーテル樹
脂基板に使用される処理工程を以下に示す。 １）カルボキシル化（３ＭＣｒＯ3 ／４Ｍ硫酸混合水溶
液使用） ２）水洗 ３）金属イオンの吸着（０．０５Ｍ硝酸銀水溶液使用） ４）水洗 ５）石英ガラスマスクの装着 ６）紫外線照射 ７）未析出銀イオンの除去（１％硝酸水溶液使用） ８）水洗 ９）無電解めっき 10）水洗 11）乾燥 また、膨潤層を形成する場合の例として、ポリイミド樹
脂基板に使用される処理工程を以下に示す。 １）膨潤（５ＭＫＯＨ水溶液使用） ２）水洗 ３）銀イオンの吸着（０．０５Ｍ硝酸銀水溶液使用） ４）水洗 ５）石英ガラスマスクの装着 ６）紫外線照射 ７）未析出銀イオンの除去（１％硝酸水溶液使用） ８）水洗 ９）無電解めっき 10）水洗 11）乾燥
り調整できる。必要ならば、無電解めっき後に、電気銅
めっきを行なってもよい。電気銅めっき、例えば、硫酸
銅めっきは、汎用の硫酸銅めっきを使用できる。例え
ば、温度２５℃、電流密度１〜３Ａ／ｄｍ2 にて２５〜
３０μｍめっきされる。その後、通常の態様により、基
板を、水洗し、汎用の防錆剤（例えば、メルテックス社
製エンテックＣｕ−５６）で処理した後、任意に水洗
し、乾燥する。一例として、ポリフェニレンエーテル樹
脂基板に使用される処理工程を以下に示す。 １）カルボキシル化（３ＭＣｒＯ3 ／４Ｍ硫酸混合水溶
液使用） ２）水洗 ３）金属イオンの吸着（０．０５Ｍ硝酸銀水溶液使用） ４）水洗 ５）石英ガラスマスクの装着 ６）紫外線照射 ７）未析出銀イオンの除去（１％硝酸水溶液使用） ８）水洗 ９）無電解めっき 10）水洗 11）乾燥 また、膨潤層を形成する場合の例として、ポリイミド樹
脂基板に使用される処理工程を以下に示す。 １）膨潤（５ＭＫＯＨ水溶液使用） ２）水洗 ３）銀イオンの吸着（０．０５Ｍ硝酸銀水溶液使用） ４）水洗 ５）石英ガラスマスクの装着 ６）紫外線照射 ７）未析出銀イオンの除去（１％硝酸水溶液使用） ８）水洗 ９）無電解めっき 10）水洗 11）乾燥
【００１３】
【実施例】以下、本発明について、更に、実施例により
具体的に説明する。実施例１ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）基板を３Ｍ
ＣｒＯ3 ／４Ｍ硫酸混合水溶液に５０℃にて３０分浸漬
し、その表面にカルボキシル基を導入した後、ＰＰＥ樹
脂基板を水洗した。次に、ＰＰＥ樹脂基板を、0.05Ｍ硝
酸銀水溶液に室温にて１分浸漬し、十分水洗した後、乾
燥した。次に、得られたＰＰＥ樹脂基板に対して、石英
ガラスマスクを通してウシオ電機製高圧水銀灯（４５０
Ｗ）より１５分紫外線を照射した。次いで、基板を１％
硝酸水溶液に室温にて１分浸漬することにより、パター
ン状回路部以外に残存する銀イオンを溶解除去した。十
分水洗した後、下記の無電解銅めっき処理を施し、回路
部に銅を析出させた。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ ホルマリン（３７％） ２０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例２ ＰＰＥ樹脂基板を３ＭＣｒＯ3 ／５Ｍ硫酸混合水溶液に
５０℃にて３０分浸漬し、ＰＰＥ樹脂基板の表面にカル
ボキシル基を導入した後、水洗した。次に、得られたＰ
ＰＥ樹脂基板を、0.1 Ｍ硝酸銀水溶液に室温にて１分浸
漬し、十分水洗した後、乾燥した。得られたＰＰＥ樹脂
基板に対して、実施例１と同様にして、紫外線を照射
し、硝酸水溶液に浸漬し、更に、水洗した。次に、下記
の無電解銅めっき処理を施し、回路部に銅を析出させ
た。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ グリオキシル酸（４０％） ４０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例３ ポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）基板を、５ＭＫＯＨ水溶液
に５０℃にて５分浸漬し、ＰＩ樹脂基板の表面に膨潤層
を形成した後、水洗し、次いで、0.05Ｍ硝酸銀水溶液に
室温にて１分浸漬し、次いで、十分水洗した後、乾燥し
た。得られたＰＩ樹脂基板に対して、実施例１と同様に
して、紫外線照射、硝酸水溶液への浸漬、水洗後、下記
の無電解銅めっき処理を施し、回路部に銅を析出させ
た。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ ホルマリン（３７％） ２０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 １５分（約０．５μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例４ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）基板を、３
ＭＣｒＯ3 ／５Ｍ硫酸混合水溶液に５０℃にて３０分浸
漬しカルボキシル基を導入し、水洗した後、0.05Ｍ硝酸
銀水溶液に室温にて１分浸漬し、十分水洗した後、乾燥
した。得られたＰＰＥ樹脂基板に対して、実施例１と同
様にして、紫外線照射、硝酸水溶液への浸漬、水洗後、
下記の無電解ニッケルめっき処理を施し、回路部にニッ
ケルを析出させた。 無電解ニッケルめっき組成 硫酸ニッケル ２１ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２５ｍＬ／Ｌ 乳酸 ２７ｇ／Ｌ プロピオン酸 ２．２ｇ／Ｌ ｐＨ ４．５ めっき時間 １５分（約５μｍ） 温度 ９０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一のニッケルパターンが形成でき、パター
ン以外への析出は起こらなかった。比較例１ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）上にドライ
フィルムを用いてイメージングし、必要回路部以外をマ
スクした。得られたＰＰＥ樹脂に対して、クリーナーコ
ンディショナー及びソフトエッチを行ない、十分水洗し
た後、プリディップに浸漬後、汎用のパラジウム−スズ
触媒を用いて２５℃、５分浸漬し、必要回路部に触媒を
吸着させた。次いで、得られたＰＰＥ樹脂を十分水洗
し、４％ＮａＯＨ溶液にて４０℃、１分浸漬して、ドラ
イフィルムを剥離した。次に、十分水洗した後、アクセ
レレーターに室温にて５分浸漬し、吸着した触媒のスズ
を除去した。更に、水洗後、下記の無電解銅めっき浴に
浸漬し、必要部に銅回路を形成した。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ グリオキシル酸（４０％） ４０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ しかしながら、この比較例１で得られたＰＰＥ樹脂基板
では、銅回路部以外にも銅の析出が確認され、選択性は
極めて悪かった。
具体的に説明する。実施例１ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）基板を３Ｍ
ＣｒＯ3 ／４Ｍ硫酸混合水溶液に５０℃にて３０分浸漬
し、その表面にカルボキシル基を導入した後、ＰＰＥ樹
脂基板を水洗した。次に、ＰＰＥ樹脂基板を、0.05Ｍ硝
酸銀水溶液に室温にて１分浸漬し、十分水洗した後、乾
燥した。次に、得られたＰＰＥ樹脂基板に対して、石英
ガラスマスクを通してウシオ電機製高圧水銀灯（４５０
Ｗ）より１５分紫外線を照射した。次いで、基板を１％
硝酸水溶液に室温にて１分浸漬することにより、パター
ン状回路部以外に残存する銀イオンを溶解除去した。十
分水洗した後、下記の無電解銅めっき処理を施し、回路
部に銅を析出させた。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ ホルマリン（３７％） ２０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例２ ＰＰＥ樹脂基板を３ＭＣｒＯ3 ／５Ｍ硫酸混合水溶液に
５０℃にて３０分浸漬し、ＰＰＥ樹脂基板の表面にカル
ボキシル基を導入した後、水洗した。次に、得られたＰ
ＰＥ樹脂基板を、0.1 Ｍ硝酸銀水溶液に室温にて１分浸
漬し、十分水洗した後、乾燥した。得られたＰＰＥ樹脂
基板に対して、実施例１と同様にして、紫外線を照射
し、硝酸水溶液に浸漬し、更に、水洗した。次に、下記
の無電解銅めっき処理を施し、回路部に銅を析出させ
た。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ グリオキシル酸（４０％） ４０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例３ ポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）基板を、５ＭＫＯＨ水溶液
に５０℃にて５分浸漬し、ＰＩ樹脂基板の表面に膨潤層
を形成した後、水洗し、次いで、0.05Ｍ硝酸銀水溶液に
室温にて１分浸漬し、次いで、十分水洗した後、乾燥し
た。得られたＰＩ樹脂基板に対して、実施例１と同様に
して、紫外線照射、硝酸水溶液への浸漬、水洗後、下記
の無電解銅めっき処理を施し、回路部に銅を析出させ
た。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ ホルマリン（３７％） ２０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 １５分（約０．５μｍ） 温度 ７０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一の銅パターンが形成でき、パターン以外
への析出は起こらなかった。実施例４ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）基板を、３
ＭＣｒＯ3 ／５Ｍ硫酸混合水溶液に５０℃にて３０分浸
漬しカルボキシル基を導入し、水洗した後、0.05Ｍ硝酸
銀水溶液に室温にて１分浸漬し、十分水洗した後、乾燥
した。得られたＰＰＥ樹脂基板に対して、実施例１と同
様にして、紫外線照射、硝酸水溶液への浸漬、水洗後、
下記の無電解ニッケルめっき処理を施し、回路部にニッ
ケルを析出させた。 無電解ニッケルめっき組成 硫酸ニッケル ２１ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２５ｍＬ／Ｌ 乳酸 ２７ｇ／Ｌ プロピオン酸 ２．２ｇ／Ｌ ｐＨ ４．５ めっき時間 １５分（約５μｍ） 温度 ９０℃ 無電解めっき処理した基板は、石英ガラスマスクのパタ
ーンと全く同一のニッケルパターンが形成でき、パター
ン以外への析出は起こらなかった。比較例１ ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）上にドライ
フィルムを用いてイメージングし、必要回路部以外をマ
スクした。得られたＰＰＥ樹脂に対して、クリーナーコ
ンディショナー及びソフトエッチを行ない、十分水洗し
た後、プリディップに浸漬後、汎用のパラジウム−スズ
触媒を用いて２５℃、５分浸漬し、必要回路部に触媒を
吸着させた。次いで、得られたＰＰＥ樹脂を十分水洗
し、４％ＮａＯＨ溶液にて４０℃、１分浸漬して、ドラ
イフィルムを剥離した。次に、十分水洗した後、アクセ
レレーターに室温にて５分浸漬し、吸着した触媒のスズ
を除去した。更に、水洗後、下記の無電解銅めっき浴に
浸漬し、必要部に銅回路を形成した。 無電解銅めっき組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ） １０ｇ／Ｌ グリオキシル酸（４０％） ４０ｍＬ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ４Ｎａ ２５ｇ／Ｌ ＰＥＧ１０００ １００ｍｇ／Ｌ ２，２‘−ビピリジル ５ｍｇ／Ｌ めっき時間 ６０分（約２μｍ） 温度 ７０℃ しかしながら、この比較例１で得られたＰＰＥ樹脂基板
では、銅回路部以外にも銅の析出が確認され、選択性は
極めて悪かった。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術ではなし得な
かった樹脂表面への選択的銀系触媒核の形成、引き続く
無電解めっき処理により、レジストを用いることなく、
明瞭なパターン状の回路を容易にかつ簡易に形成でき
る。即ち、本発明には次のような利点がある。 １）選択的に無電解めっきの触媒核を形成でき、不必要
な触媒を付与しない。 ２）触媒として銀を使用するため、パラジウムに比べ安
価である。 ３）スズを用いないため、密着不良の問題が発生しな
い。 ４）触媒核として金属銀が形成できるため、無電解めっ
きの反応性が高い。 ５）樹脂上に触媒核の残留が無いため、パターン間の絶
縁性が良好である。
かった樹脂表面への選択的銀系触媒核の形成、引き続く
無電解めっき処理により、レジストを用いることなく、
明瞭なパターン状の回路を容易にかつ簡易に形成でき
る。即ち、本発明には次のような利点がある。 １）選択的に無電解めっきの触媒核を形成でき、不必要
な触媒を付与しない。 ２）触媒として銀を使用するため、パラジウムに比べ安
価である。 ３）スズを用いないため、密着不良の問題が発生しな
い。 ４）触媒核として金属銀が形成できるため、無電解めっ
きの反応性が高い。 ５）樹脂上に触媒核の残留が無いため、パターン間の絶
縁性が良好である。
Claims (2)
- 【請求項１】樹脂表面に酸性基を導入し、前記酸性基に
銀イオンを吸着させ、前記樹脂表面にパターン状に活性
光線を照射することにより、パターン状で選択的に銀を
析出させ、次いで、未析出銀を除去した後、無電解めっ
き処理を行なうことを特徴とする回路形成方法。 - 【請求項２】樹脂表面に膨潤層を形成し、前記膨潤層に
銀イオンを吸着させ、前記膨潤層を有する樹脂表面にパ
ターン状に活性光線を照射することにより、パターン状
で選択的に銀を析出させ、次いで、未析出銀を除去した
後、無電解めっき処理を行なうことを特徴とする回路形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05160698A JP3973060B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05160698A JP3973060B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246977A true JPH11246977A (ja) | 1999-09-14 |
| JP3973060B2 JP3973060B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=12891572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05160698A Expired - Fee Related JP3973060B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3973060B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003027250A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Toyota Motor Corp | 樹脂の無電解メッキ被膜形成方法 |
| JP2003105084A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Fujitsu Ltd | 表面導電化樹脂及びその製造方法並びに配線基板 |
| JP2004182516A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Tokai Univ | 固体材料表面の光化学的改質方法 |
| US6893681B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-05-17 | Fujitsu Limited | Surface conductive resin, a coaxial cable, a wiring board, and process for manufacturing the same |
| US20100051091A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
| JP2010185085A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-08-26 | Masataka Murahara | 固体材料表面の光化学的改質方法 |
| JP2010532429A (ja) * | 2007-07-02 | 2010-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP05160698A patent/JP3973060B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003027250A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Toyota Motor Corp | 樹脂の無電解メッキ被膜形成方法 |
| JP2003105084A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Fujitsu Ltd | 表面導電化樹脂及びその製造方法並びに配線基板 |
| US6893681B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-05-17 | Fujitsu Limited | Surface conductive resin, a coaxial cable, a wiring board, and process for manufacturing the same |
| JP2004182516A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Tokai Univ | 固体材料表面の光化学的改質方法 |
| JP2010532429A (ja) * | 2007-07-02 | 2010-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
| US20100051091A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
| US8268536B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-09-18 | Korea University Research And Business Foundation | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
| JP2010185085A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-08-26 | Masataka Murahara | 固体材料表面の光化学的改質方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3973060B2 (ja) | 2007-09-05 |
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