JPH11249037A - 空間光変調器及びそれを用いた表示光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 入射光の光量の制約が大きく、光照射で生ず
る構造体の発熱が生じても経時変化が少なく、かつ簡単
に中間的光量を表現することが可能な空間光変調器とそ
れを用いた表示光学装置を提供する。 【解決手段】 ランプ１からの光はレンズ２、偏向板３
を通って偏光ビームスプリッター４により反射され、１
／４波長板５を通過する。この照明光は空間光変調器ア
レイ６をほぼ垂直に照明する。空間光変調素子６ａに入
射した照明光は、垂直方向に反射されて光束１０とな
り、臨界角プリズム７に入射する。この反射光束１０は
臨界角プリズムにより反射され、表示光学系には入射し
ない。空間光変調素子６ｂからの反射光束１１は基板の
法線からある角度を持って反射される。そのためこの反
射光束１１は全反射条件を満たさなくなり、臨界角プリ
ズム７を一部透過し、表示光学系の結像レンズ８により
スクリーン９上の結像点１３に投影される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通過する光のオン
オフ及び光の量を一次元又は二次元的に制御する空間光
変調器及びそれを用いた表示光学装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造技術を利用して、様々
な微小機械の研究開発が活発に行われている。面内に微
小なミクロサイズミラーを集積化した光学素子について
も研究の成果が活用されている。従来報告されている微
小光学素子では、十数μm角の金属ミラーを基板面上に
多数個集積し、これらのミラーを基板上に設けた電極と
ミラー間の静電気力により駆動してミラーの角度を変化
させ、個々のミラーの反射角度を制御する方式が用いら
れている。（例えば、Technical Diegest of the14th S
ensor Symposium,1996,pp297.） 図７は、従来の微小光学素子の概略断面構造を示す図で
ある。基板７１上に電極層７２を設け、電極層７２上に
トーションヒンジ７６で支えられた可動ミラー部を形成
する。可動ミラー部は、駆動電極膜７３とポスト部７５
で連結された反射ミラー部７４とから構成されている。
片側の電極層７２に電圧を印加すると駆動電極膜７３が
基板７１側に引き寄せられ、トーションヒンジ７６を中
心にした回転力が発生し、反射ミラー部７４が傾く。こ
れにより反射ミラーに入射した光の反射方向が制御され
る。特定の反射方向に反射した光のみを投影することに
より投影機用の光学素子として利用できる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のマイクロミラーは、光のオンオフのために反射
ミラー面を２０°にも及ぶ大きな角度にわたって駆動さ
せなければない。そのため、反射ミラーを保持する機構
としてトーションバネを用いた非常に複雑な素子構造を
とらざるをえず、作成のプロセスが大変難しい。また、
反射ミラーをトーションバネという柔らかい構造体で支
えなければならないということで、入射する光強度に制
限がある。その理由は、強い光をミラーに入射させると
ミラー自身の温度が上昇し、それがトーションバネ等の
複雑で柔らかい構造体を熱膨張により歪ませてしまうた
めである。さらに、前述したマイクロミラーは、光のオ
ンオフというデジタル制御のみ可能であり、中間の明る
さを表現するためにはオンオフを断続的に繰り返し、オ
ンの時間とオフの時間の比を変える必要がある。そのた
め、前述のミラーを駆動する駆動回路も複雑になってい
る。

【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、入射光の光量の制約が大きく、光照射で生ずる
構造体の発熱が生じても経時変化が少なく、かつ簡単に
中間的光量を表現することが可能な微小空間光変調器及
びそれを用いた表示光学装置を提供することを課題とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、反射光の反射方向を変更する反射体を
設け、前記反射体からの反射光を臨界角プリズムに入射
させ、前記反射体で反射光の反射方向を変更することに
より、光の通過、非通過を制御することを特徴とする空
間光変調器（請求項１）である。

【０００６】本手段においては、反射体の角度が変更さ
れて反射光の反射方向が変更される。臨界角プリズム
は、入射する反射光の方向に応じて、プリズム面に入射
する光の入射角が臨界角を超えたり超えなかったりする
ように、前記反射光の反射方向との相対関係が調整され
ている。よって、プリズム面に入射する光の入射角が臨
界角を超えた場合は、光はプリズム面で全反射されてプ
リズム面を透過しない。プリズム面に入射する光の入射
角が臨界角以下である場合には、光はプリズム面を透過
する。これを利用して、光のオン・オフを制御すること
ができる。

【０００７】オン・オフ制御された光としては、臨界角
プリズムを通過した光、臨界角プリズムで反射された光
の内どちらを使用してもよいが、臨界角プリズムを透過
した光を用いると、オフの場合の光量を完全にゼロとす
ることができて好ましい。

【０００８】本手段においては、臨界角付近での光の反
射率の変化を利用しているため、わずかの入射角の変化
により光のオン・オフを制御することができる。

【０００９】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、前記反射体の角度を調整する
ことにより、前記臨界角プリズムを通過・反射する光の
量を併せて制御することを特徴とするもの（請求項２）
である。

【００１０】臨界角プリズムの臨界角付近では、プリズ
ムを通過する光の量が、急峻ではあるが連続的に変化す
る。よって、反射体の角度を調整することにより、臨界
角プリズムのプリズム面への入射角を臨界角付近で調整
するようにすれば、臨界角プリズムを通過する光の光
量、又は臨界角プリズムで反射する光のオン・オフと共
に、光の量（明るさ）そのものを調整することができ
る。

【００１１】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、前記反射体
が、基板上に設けられた電極と、前記基板上に設けられ
た支柱上に片側を支えられて前記基板に略平行に設けら
れた可撓性のミラーとを有してなり、前記ミラー又は前
記ミラーの支持体を導電性部材としたことを特徴とする
もの（請求項３）である。

【００１２】この手段においては、基板上に設けられた
電極と導電性のミラー又は導電性のミラー支持体とに、
同極性又は異極性の電位を与えることにより、導電性ミ
ラー又は導電性のミラー支持体がクーロン力により撓
み、光の反射方向を変化させることができる。後述する
ように、この手段に係る反射体は、マイクロマシニング
工程を使用して製造することができるので、微細で高集
積度の２次元配列を持ったものを容易に製造することが
できる。

【００１３】前記課題を解決するための第４の手段は、
光源と、偏光板と、偏光ビームスプリッタと、１／４波
長板と、反射体と、臨界角プリズムと、投影レンズとを
順次有してなり、前記光源からの光は、偏光板→偏光ビ
ームスプリッタ→１／４波長板→反射体→１／４波長板
→偏光ビームスプリッタ→臨界角プリズム→投影レンズ
の順に前記各機器を通過して、投影対象に投影され、前
記反射体の像が投影対象に結像されると共に、前記反射
体の角度を調整することにより、そこからの光の反射方
向を変更し、前記臨界角プリズムを通過・反射する光の
量を制御する空間光変調器を用いたことを特徴とする表
示光学装置（請求項４）である。

【００１４】光源からの光は、偏光板で直線偏光とさ
れ、偏光ビームスプリッタに入り、９０°方向を変更さ
れ、さらに１／４波長板で円偏光とされて反射体で反射
される。この反射光は、再び１／４波長板を通過して直
線偏光とされ、偏光ビームスプリッタを直進した後、臨
界角プリズムに入射する。そして、反射体の角度に応じ
て臨界角プリズムへの入射角が変化するので、それに応
じて臨界角プリズムを透過・反射する光量が変化した
り、透過・反射する光がオン・オフしたりする。臨界角
プリズムを透過又は反射した光は、投影レンズにより、
スクリーン等の投影対象に投影され、反射体の像を投影
対象に結像する。

【００１５】投影レンズにより反射体の像が投影対象に
結像されるようになっているので、反射体からの光の反
射方向が多少変化しても、投影対象に結像される像の位
置は変わらない。また、反射体を複数設け、例えば２次
元アレイ状に配置しておけば、投影対象上で２次元の光
の光量制御、オンオフ制御を行うことができる。

【００１６】なお、必要に応じて、前述した光学機器の
要素の途中に、他のレンズ、他のビームスプリッタ、ス
リット等の他の光学機器を設けてもよく、このようなも
のも、請求項４の範囲に入ることはいうまでもない。

【００１７】前記第１の手段から第４の手段のいずれに
おいても、臨界角プリズムに入射する光は、臨界角プリ
ズム面に対してＰ偏光であることが好ましい。ここで、
臨界角プリズム面というのは、臨界角プリズムの面のう
ち全反射を起こすプリズム面のことをいう。

【００１８】後に示すように、臨界角プリズム面におけ
る臨界角付近での反射率の変化は、Ｓ偏光に対してＰ偏
光の方が急峻である。よって、Ｐ偏光を使用することに
より、反射体のわずかの角度の変化で、光のオン・オフ
及び明るさの変化を制御することができる。

【００１９】また、前記第１の手段、第２の手段、又は
第４の手段のいずれにおいても、反射体として、可撓性
ミラーと当該可撓性ミラーと熱膨張率の異なる物質を貼
り合せ、さらにこれらに抵抗線を貼り合せたものを有し
てなるものを用いることができる。

【００２０】このようにすると、抵抗線に電流を通じる
と、可撓性ミラーと当該可撓性ミラーと熱膨張率の異な
る物質を貼り合せたものの温度が上昇し、熱膨張率の違
いにより可撓性ミラーが湾曲して、反射光の方向を変え
ることができる。この手段に係る反射体も、マイクロマ
シニング工程を使用して製造することができるので、微
細で高集積度の２次元配列を持ったものを容易に製造す
ることができる。

【００２１】さらに、、前記第１の手段、第２の手段、
又は第４の手段のいずれにおいても、反射体として、可
撓性ミラーと可撓性の圧電素子を貼り合せてなるものを
使用することができる。

【００２２】このようにすると、圧電素子に電圧をかけ
ることにより、圧電素子が伸縮し、これによって可撓性
ミラーが湾曲して、反射光の方向を変えることができ
る。この手段に係る反射体も、マイクロマシニング工程
を使用して製造することができるので、微細で高集積度
の２次元配列を持ったものを容易に製造することができ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の一
例を示す概要図である。図１において、１はランプ、２
はレンズ、３は偏光板、４は偏光ビームスプリッタ、５
は１／４波長板、６は空間光変調器アレイ、６ａ、６ｂ
は空間光変調器アレイ６の要素であって、表面に角度が
可変なミラーを有する空間光変調素子、７は臨界角プリ
ズム、８は結像レンズ（投影レンズ）、９はスクリー
ン、１０、１１、１２は光束、１３は空間光変調素子６
ｂのミラーからの反射光の結像点である。

【００２４】ランプ１からの光はレンズ２でほぼ平行光
束とされ、偏向板３により直線偏光の光となる。その偏
向光は偏光ビームスプリッター４により反射され、１／
４波長板５を通過する。ここで直線偏光だった照明光は
円偏光に変わる。この照明光は空間光変調器アレイ６を
ほぼ垂直に照明する。

【００２５】ここで空間光変調の各素子に反射された照
明光について考察する。図１中の空間光変調素子６ａの
ミラーの表面は、入射する照明光とほぼ直交する状態に
ある。よって、この空間光変調素子６ａのミラーに入射
した照明光は図１中の光束１０のように空間光変調素子
６ａのミラーの表面から垂直方向（入射方向）に反射さ
れる。この反射光は再び１／４波長板５を通過し直線偏
光となるが、その偏光方向は入射光の偏波面に対し直交
している。そのため反射光は偏光ビームスプリッター４
を透過し臨界角プリズム７に入射する。ここで、臨界角
プリズム７とは、このような空間光変調器アレイ６から
の垂直な反射光を全反射角付近で全反射するように角度
調整されたプリズムのことである。そのため、この反射
光束１０は臨界角プリズムにより反射され、表示光学系
には入射しない。

【００２６】一方、図１中の別の空間光変調素子６ｂの
ミラーからの反射光について考察してみる。この空間光
変調素子６ｂにおいては、図示したようにミラーは上向
きに角度が少し変化している。そのためこの空間光変調
素子６ｂのミラー表面からの反射光束１１は入射方向か
らある角度を持って反射されることになる。その反射光
束は前述の反射光束と同様に、１／４波長板５を通過し
直線偏光となり、偏光ビームスプリッター４を透過し臨
界角プリズム７に入射する。ここでこの反射光束１１は
前述の反射光束１０に比べ、プリズム７の界面に、より
垂直に近い角度で入射することになる。すなわち、この
場合の入射角は臨界角よりも小さい角度となる。そのた
めこの反射光束１１は全反射条件を満たさなくなり、臨
界角プリズム７を一部透過し始める。その臨界角プリズ
ム７を透過した反射光束１１は表示光学系の結像レンズ
８によりスクリーン９上の結像点１３に投影される。

【００２７】空間光変調素子６ｂのミラーの傾斜角を更
に大きくした場合の反射光束を図１中の点線１２で表
す。その反射光束１２は前述の反射光束１１と同様に、
１／４波長板５を通過し直線偏光となり、偏光ビームス
プリッター４を透過し臨界角プリズム７に入射する。こ
こでこの反射光束１２は前述の反射光束１１に比べ、臨
界角に設定されているプリズム７の界面にさらにより垂
直に近い角度で入射することになる。そのためこの反射
光束１２は全反射条件をより満たさなくなり、臨界角プ
リズム７を大部分の反射光が透過することとなる。

【００２８】その臨界角プリズム７を大部分透過した反
射光束１２は表示光学系の結像レンズ８によりスクリー
ン９に投影される。しかもスクリーン９に入射する反射
光１２の強度は、ミラーの傾斜角が小さかった場合の反
射光１１に比べ強度が高く、結像点１３の明るさはより
明るくなる。その結像点１３はミラーの角度があまり上
を向いていなかった場合の反射光１１が作る結像点と同
じ場所となる。すなわち、結像レンズ８により、空間光
変調素子６ｂのミラーの像がスクリーン９上の結像点１
３に結像するように調整されているので、空間光変調素
子６ｂのミラーからの反射光の方向が変化しても、結像
点１３の位置は変わらない。

【００２９】次に、臨界角プリズムによる反射と透過の
光量の入射角による変化を、図２を用いて説明する。図
２はプリズム面の反射率をプリズム界面への入射角に対
してプロットした図である。この図は、プリズムの屈折
率が1.54の場合のものである。この場合の臨界角は33.4
1°となる。ここで図の中に２つの曲線が描かれている
が、それぞれプリズム境界面に対し、入射する光がＰ偏
光(曲線p)かＳ偏光（曲線s）かで反射率に違いがあるか
らである。図２から、Ｐ偏光の入射光に対し臨界角付近
において急峻な反射率の変化が起こっているのが分か
る。よって、このＰ偏光を使うことにより、空間光変調
器のミラー面のわずかな傾きの変化により表示スクリー
ン上でのドットの明るさを大きく変化させることができ
る。

【００３０】次に、前記実施例で用いた空間光変調素子
を図３を用いて説明する。図３（ａ）は本発明の実施の
形態に係る空間光変調器の概念斜視図である。図３にお
いて、２１は基板、２２はミラー、２３は裏打ち層、２
４はポスト、２４は電極である。

【００３１】絶縁体の基板２１上には、光を反射するこ
とにより変調するミラー２２がポスト部２４に支持され
ている。そのミラー２２の裏面には、補強のための裏打
ち層２３が裏打ちされている。ミラー２２の角度を変化
させるために、基板２１上には電極２５が設けられてい
る。ミラー２２の角度を微小に変化させて光を変調させ
る方法を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）において、ミラ
ー２２を支えているポスト２４は導電性を有しており、
ポスト２４に支持されたミラー２２と電気的に導通があ
る。

【００３２】ここでそのミラー２２と、ミラー２２と対
向するように基板２１上に設けられている電極２５に同
極性の電荷（図では正電荷）を、電圧をかけることによ
り注入する（ポスト２４と電極２５とは絶縁されてい
る）。するとミラー２２と電極２５間にクーロン力が作
用しお互いに反発しあう。このクーロン力によりミラー
２２の角度を微小に変化させることができる。もちろ
ん、ミラー２２と電極２５に異なる極性の電荷を与える
ことによって、両者の間に吸引力を働かせ、これによっ
てミラー２２を変形させてもよい。

【００３３】また、ミラー２２を導電性のものとせず、
裏打ち層２３を導電性のものとして、これに電荷を与え
ても同様の作用効果を得ることができる。さらに、ポス
ト２４を導電性とはせずに、別途ミラー２２に配線を接
続し、当該配線によりミラー２２に電位を与えてもよ
い。

【００３４】また、前記実施の形態では、ミラーの駆動
にクーロン力を使ったが、その他にも、バイモルフアク
チュエータでも、ＰＺＴ薄膜を使ったものでもかまわな
い。バイモルフアクチュエータを使用する場合には、ミ
ラーと熱膨張率が異なる物質をミラーに貼り合せ、か
つ、抵抗線を貼り合せる。そして、この抵抗線に通電す
ることにより、ミラー部を加熱すると、熱膨張率の違い
によりミラー部が湾曲して、光の反射方向が異なるよう
になる。ＰＺＴ薄膜を使用する場合は、ミラーとＰＺＴ
薄膜を貼り合せ、ＰＺＴ薄膜に電圧を印加すると、ＰＺ
Ｔ薄膜が伸縮することにより、ミラー部が湾曲して光の
反射方向が異なるようになる。

【００３５】次に図４を用いて、この空間光変調器を２
ｘ２セルのアレイとして動作させるときの電気回路を説
明する。図４において、３１ａ〜３１ｄは空間光変調器
の角素子を等価的にコンデンサとして表わしたもの、３
２は電圧供給回路、３３、３４はシフトレジスタ、３５
ａ、３５ｂ、３６ａ〜３６ｄはトランジスタ、３７、３
８はラインである。

【００３６】電圧供給回路３２からの電圧を任意の空間
光変調器の各素子３１ａ〜３１ｄに印可するため、シフ
トレジスタ３３と３４がそれぞれ垂直方向と水平方向の
トランジスタにつながる配線に接続されている。シフト
レジスタ３３からの出力により、トランジスタ３５ａ、
３５ｂのいずれかがオンとなると、電圧供給回路３２の
電圧が、ライン３７、３８のいずれかに供給される。

【００３７】そのとき、シフトレジスタ３４からの出力
により、トランジスタ３６ａと３６ｃ、又は３６ｂと３
６ｄのいずれかがオンとなると、空間光変調器の各素子
３１ａ〜３１ｄのいずれかが選択され、電圧供給回路３
２の電圧が供給される。選択されなかった空間光変調器
の各素子３１ａ〜３１ｄの電荷は、対応するラインに設
けられたトランジスタがオフであるため流れ出すことが
できず、電位はそのままの状態に保たれる。

【００３８】よって、シフトレジスタ３３、３４により
空間光変調器の各素子３１ａ〜３１ｄを選択し、そのと
きの電圧供給回路３２の電圧を変えることにより、各空
間光変調器３１ａ〜３１ｄを制御することができる。

【００３９】なお、空間変調器としてｎ×ｎセルのアレ
イとして動作させる場合も、各セルを動作させる数のト
ランジスタとビット数を持ったシフトレジスタを用いれ
ば、同様に各空間変調器の各素子を制御することができ
る。

【００４０】次に、先に説明した本発明の実施の形態に
係る空間光変調素子の製造方法の例を図５、図６を用い
て説明する。

【００４１】まず、半導体基板として、厚さ250μｍ、
（１００）面方位のシリコン単結晶基板４０の上面に、
前述した電気回路である空間光変調器を順次駆動するこ
とのできるトランジスタ回路を形成する。このプロセス
は図には示していない。次にリフトオフ法により、空間
光変調器を駆動する対向電極２５を形成する（ａ）。

【００４２】次に、減圧ＣＶＤ法により、シリコン基板
上面に厚さ2.5μｍのポリシリコン層４１を成長させ
る。ここでこのポリシリコン層４１はｎ型あるいはｐ型
にドープされており、電気伝導を有する。その上にレジ
スト４２を塗布する（ｂ）。

【００４３】次に、フォトリソグラフィーにより上面に
成長させたポリシリコン層４１を、空間光変調器の支持
体２４となる部分以外を残すようにパターニングしエッ
チングする（ｃ）。

【００４４】その後レジスト４３をパターニングされた
ポリシリコンの支持体２４の上に塗布すると、（ｄ）に
示すように平坦化される。

【００４５】次に、レジスト４３、ポリシリコン２４が
同じレートでエッチングされる条件でドライエッチング
によりレジスト層４３とポリシリコン２４をエッチバッ
クし、支持体の上面４４を露出させる（ｅ）。

【００４６】そして支持体２４上面４４に、空間光変調
器のミラーの補強材としてｎ型あるいはｐ型にドープさ
れたポリシリコン層４５を500ｎｍ、減圧ＣＶＤにより
成長させる。その上に、空間光変調器のミラーとして金
４６を約300ｎｍ、蒸着法により成長させる。その後基
板上面にレジスト４７を塗布し（ｆ）、フォトリソグラ
フィーにより空間光変調器のミラー部分以外の領域をエ
ッチングにより除去する（ｇ）。

【００４７】最後にレジスト４３、４７をアッシングに
より取り去って、空間光変調器のアレイが完成する
（ｈ）。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、臨界角
付近でプリズムの透過率が急激に変化することを利用し
ている。そのため空間光変調器のミラーを微小角度変化
だけで表示スクリーン上のドットの表示をコントロール
することができ、従来のＤＭＤのように２０°もの大き
な角度ミラーを駆動させる必要がない。

【００４９】入射光がＰ偏光の場合、ミラーの角度を１
°変化させるだけでプリズムの透過率が約９０％変化す
る。そのため、空間光変調器自体の剛性を高くしてもこ
の角度変化をクーロン力、バイモルフアクチュエータ
ー、ＰＺＴ薄膜アクチュエーター等により容易に実現す
ることができる。

【００５０】また、空間光変調器の剛性を高くできるも
う１つの利点として、入射光の光強度を上げて、空間光
変調器が熱膨張等の影響を受けるとしてもその影響は小
さい。そのため表示を明るくすることができる。よっ
て、この表示素子をプロジェクターとして利用する場
合、たとえば屋内の照明を暗くしないと表示が見えない
等の不便がない。

【００５１】さらに、本発明においては、臨界角プリズ
ムを使用しているので、ミラーの角度を微小に変化させ
ることにより中間的明るさの表示を容易に実現できる。
そのため、従来のＤＭＤのようにミラーを周期的にオン
オフし、そのオンの時間とオフの時間の比により中間的
光量を表現するような複雑な表示素子の駆動が必要な
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示す概要図であ
る。

【図２】プリズム界面への入射角と反射率の関係を示す
図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る空間光変調器の概要
を示す図である。

【図４】空間光変調器を動作させるときの電気回路の例
を説明する図である。

【図５】本発明の実施の形態に係る空間光変調素子の製
造方法の例を示す図である。

【図６】本発明の実施の形態に係る空間光変調素子の製
造方法の例を示す図である。

【図７】従来の微小光学素子の概略断面構造を示す図で
ある。

【符号の説明】

１…ランプ、２…レンズ、３…偏光板、４…偏光ビーム
スプリッタ、５…１／４波長板、６…空間光変調器アレ
イ、６ａ、６ｂ…空間光変調素子、７…臨界角プリズ
ム、８…結像レンズ（投影レンズ）、９…スクリーン、
１０、１１、１２…光束、１３…空間光変調素子６ｂの
ミラーからの反射光の結像点、２１…基板、２２…ミラ
ー、２３…裏打ち層、２４…ポスト、２４…電極、３１
ａ〜３１ｄ…空間光変調器、３２…電圧供給回路、３
３、３４…シフトレジスタ、３５ａ、３５ｂ、３６ａ〜
３６ｄ…トランジスタ、３７、３８…ライン

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反射光の反射方向を変更する反射体を設
   け、前記反射体からの反射光を臨界角プリズムに入射さ
   せ、前記反射体で反射光の反射方向を変更することによ
   り、光の通過、非通過を制御することを特徴とする空間
   光変調器。
2. 【請求項２】 前記反射体の角度を調整することによ
   り、前記臨界角プリズムを通過・反射する光の量を併せ
   て制御することを特徴とする請求項１に記載の空間光変
   調器。
3. 【請求項３】 前記反射体が、基板上に設けられた電極
   と、前記基板上に設けられた支柱上に片側を支えられて
   前記基板に略平行に設けられた可撓性のミラーとを有し
   てなり、前記ミラー又は前記ミラーの支持体を導電性部
   材としたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
   の空間光変調器。
4. 【請求項４】 光源と、偏光板と、偏光ビームスプリッ
   タと、１／４波長板と、反射体と、臨界角プリズムと、
   投影レンズとを順次有してなり、前記光源からの光は、
   偏光板→偏光ビームスプリッタ→１／４波長板→反射体
   →１／４波長板→偏光ビームスプリッタ→臨界角プリズ
   ム→投影レンズの順に前記各機器を通過して、投影対象
   に投影され、前記反射体の像が投影対象に結像されると
   共に、前記反射体の角度を調整することにより、そこか
   らの光の反射方向を変更し、前記臨界角プリズムを通過
   ・反射する光の量を制御する空間光変調器を用いたこと
   を特徴とする表示光学装置。