JPH11251299A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents
プラズマ処理方法および装置Info
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- JPH11251299A JPH11251299A JP10050303A JP5030398A JPH11251299A JP H11251299 A JPH11251299 A JP H11251299A JP 10050303 A JP10050303 A JP 10050303A JP 5030398 A JP5030398 A JP 5030398A JP H11251299 A JPH11251299 A JP H11251299A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチングの微細加工およびその形状制御を良
好に行う。 【解決の手段】処理室内部にプラズマを発生させるプラ
ズマ発生手段と、ウェハに高周波電圧を印加する手段を
具備し、ウェハに入射するプラズマ中のイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とする。
好に行う。 【解決の手段】処理室内部にプラズマを発生させるプラ
ズマ発生手段と、ウェハに高周波電圧を印加する手段を
具備し、ウェハに入射するプラズマ中のイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法お
よび装置に係り、特に半導体素子基板等の試料をマイク
ロ波プラズマを用いて処理を施すのに好適なプラズマ処
理方法および装置に関するものである。
よび装置に係り、特に半導体素子基板等の試料をマイク
ロ波プラズマを用いて処理を施すのに好適なプラズマ処
理方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のエッチング用プラズマ源は、例え
ば、S. Watanabe et al., Jpn. J. Appl. Phys., 34, L
921(1995)本報に記載のように、被処理材であるウェハ
を載置する電極上で、４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン電
流密度が入射するようになっていた。一方、ウェハを載
置する電極には、ウェハに入射するイオンのエネルギ−
を制御するための高周波電源が整合器を介して接続さ
れ、高周波電圧が印加されるようになっていた。
ば、S. Watanabe et al., Jpn. J. Appl. Phys., 34, L
921(1995)本報に記載のように、被処理材であるウェハ
を載置する電極上で、４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン電
流密度が入射するようになっていた。一方、ウェハを載
置する電極には、ウェハに入射するイオンのエネルギ−
を制御するための高周波電源が整合器を介して接続さ
れ、高周波電圧が印加されるようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の場合、
４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン電流密度がウェハ上に入
射すると、プラズマのインピ−ダンスが小さくなるた
め、高出力の高周波電力を供給しないとイオンエネルギ
−を制御するために必要な高周波電圧を維持することが
できず、エッチングの微細加工性に問題が生じる。ま
た、プラズマ生成用のマイクロ波電力と同程度の高出力
の高周波電力を供給する場合には、高周波電力がプラズ
マの生成に大きな影響を及ぼすため、エッチングの制御
性に問題を生じていた。
４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン電流密度がウェハ上に入
射すると、プラズマのインピ−ダンスが小さくなるた
め、高出力の高周波電力を供給しないとイオンエネルギ
−を制御するために必要な高周波電圧を維持することが
できず、エッチングの微細加工性に問題が生じる。ま
た、プラズマ生成用のマイクロ波電力と同程度の高出力
の高周波電力を供給する場合には、高周波電力がプラズ
マの生成に大きな影響を及ぼすため、エッチングの制御
性に問題を生じていた。
【０００４】本発明の目的は、エッチングの微細加工お
よびその形状制御を良好に行うことのできるプラズマ処
理方法および装置に提供することにある。
よびその形状制御を良好に行うことのできるプラズマ処
理方法および装置に提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、真空排気装
置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内への
ガス供給装置と、処理室の内部にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段と、処理室の内部に配置される被処理
材に高周波電圧を印加する手段とを具備し、被処理材に
入射するプラズマ中のイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ
2とした低イオン電流プラズマを発生させる装置とし、
内部にガスを供給するとともに所定圧力に減圧排気し
て、ガスをプラズマ化し、被処理材に入射するプラズマ
中のイオン量が０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2となる低イオン
電流プラズマを発生させ、該プラズマにより被処理材を
処理する方法とすることにより、達成される。
置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内への
ガス供給装置と、処理室の内部にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段と、処理室の内部に配置される被処理
材に高周波電圧を印加する手段とを具備し、被処理材に
入射するプラズマ中のイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ
2とした低イオン電流プラズマを発生させる装置とし、
内部にガスを供給するとともに所定圧力に減圧排気し
て、ガスをプラズマ化し、被処理材に入射するプラズマ
中のイオン量が０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2となる低イオン
電流プラズマを発生させ、該プラズマにより被処理材を
処理する方法とすることにより、達成される。
【０００６】イオン量を０．４ｍＡ／ｃｍ2以下とした
場合には、イオン量が不足するためエッチング処理速度
が低下するという問題が生じる。一方、イオン量を４ｍ
Ａ／ｃｍ2以上とした場合には、前述したようにエッチ
ングの加工形状を制御するために、プラズマの生成に影
響を与える高出力の高周波電力を必要とする。したがっ
て、ウェハに入射するイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ
2とすることにより、プラズマの生成に影響を及ぼさな
い小出力の高周波電力で、エッチングの形状制御に好適
な所望の高周波電圧をウェハに印加することができる。
場合には、イオン量が不足するためエッチング処理速度
が低下するという問題が生じる。一方、イオン量を４ｍ
Ａ／ｃｍ2以上とした場合には、前述したようにエッチ
ングの加工形状を制御するために、プラズマの生成に影
響を与える高出力の高周波電力を必要とする。したがっ
て、ウェハに入射するイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ
2とすることにより、プラズマの生成に影響を及ぼさな
い小出力の高周波電力で、エッチングの形状制御に好適
な所望の高周波電圧をウェハに印加することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１お
よび図２により説明する。図１は、本発明のプラズマ処
理装置の一実施例である空洞共振方式の有磁場マイクロ
波ドライエッチング装置を示す。容器１ａ、放電管１ｂ
及び石英窓２で区画された処理室１の内部を真空排気装
置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示
省略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所
望の圧力に調整する。また、処理室１は、コイル３によ
り生成される磁場領域内にある。マグネトロン４から発
振された、この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、
導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、共振器６内に導入され、
共振器６内で特定のモードを形成した後、石英窓２を透
過して処理室１内に入射される。このマイクロ波によっ
て生成されたプラズマより、ウェハ載置用電極７に配置
されたウエハ８がエッチング処理される。またウエハの
エッチング形状を制御するため、ウェハ載置用電極７に
は整合器（図示省略）を介して高周波電源９が接続さ
れ、高周波電圧を印加することが可能になっている。
よび図２により説明する。図１は、本発明のプラズマ処
理装置の一実施例である空洞共振方式の有磁場マイクロ
波ドライエッチング装置を示す。容器１ａ、放電管１ｂ
及び石英窓２で区画された処理室１の内部を真空排気装
置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示
省略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所
望の圧力に調整する。また、処理室１は、コイル３によ
り生成される磁場領域内にある。マグネトロン４から発
振された、この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、
導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、共振器６内に導入され、
共振器６内で特定のモードを形成した後、石英窓２を透
過して処理室１内に入射される。このマイクロ波によっ
て生成されたプラズマより、ウェハ載置用電極７に配置
されたウエハ８がエッチング処理される。またウエハの
エッチング形状を制御するため、ウェハ載置用電極７に
は整合器（図示省略）を介して高周波電源９が接続さ
れ、高周波電圧を印加することが可能になっている。
【０００８】図２に高周波電源９の出力を一定とし、ウ
ェハに入射するイオン量が４ｍＡ／ｃｍ2以下の低イオ
ン量の場合と４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン量の場合
の、ウェハ載置用電極７上での高周波電圧波形を示す。
一般に、ウェハに入射するイオンの平均エネルギ−は高
周波電圧波形の平均値Ｖdcで、最大エネルギ−は高周波
電圧波形のピーク・ツー・ピーク（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐ
ｅａｋ）の値Ｖppで概算することができる。図２（ｂ）
に示すように、高イオン量の場合には、Ｖdc、Ｖppとも
に小さくなり、プラズマの生成に影響を及ぼす程度の高
周波電力を投入しない限り、最適なエッチング加工形状
を得るのに必要なＶdc、Ｖppを確保することができな
い。また、イオン量が０．４ｍＡ／ｃｍ2以下の場合に
は、ウェハ８に入射するイオン量が不足するため、エッ
チング処理速度が不足する。したがって、本実施例の場
合には、マイクロ波出力を制御することにより、ウェハ
８に入射するイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、
所望のエッチング処理速度とエッチング加工形状をとも
に得ることができる。一般にプロセス条件、特にガス
種、圧力等が変われば、イオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃ
ｍ2とするマイクロ波出力の範囲も変化する。本実施例
によれば、エッチングの微細加工性が向上するという効
果がある。
ェハに入射するイオン量が４ｍＡ／ｃｍ2以下の低イオ
ン量の場合と４ｍＡ／ｃｍ2以上の高イオン量の場合
の、ウェハ載置用電極７上での高周波電圧波形を示す。
一般に、ウェハに入射するイオンの平均エネルギ−は高
周波電圧波形の平均値Ｖdcで、最大エネルギ−は高周波
電圧波形のピーク・ツー・ピーク（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐ
ｅａｋ）の値Ｖppで概算することができる。図２（ｂ）
に示すように、高イオン量の場合には、Ｖdc、Ｖppとも
に小さくなり、プラズマの生成に影響を及ぼす程度の高
周波電力を投入しない限り、最適なエッチング加工形状
を得るのに必要なＶdc、Ｖppを確保することができな
い。また、イオン量が０．４ｍＡ／ｃｍ2以下の場合に
は、ウェハ８に入射するイオン量が不足するため、エッ
チング処理速度が不足する。したがって、本実施例の場
合には、マイクロ波出力を制御することにより、ウェハ
８に入射するイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、
所望のエッチング処理速度とエッチング加工形状をとも
に得ることができる。一般にプロセス条件、特にガス
種、圧力等が変われば、イオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃ
ｍ2とするマイクロ波出力の範囲も変化する。本実施例
によれば、エッチングの微細加工性が向上するという効
果がある。
【０００９】次に、第２の実施例を図３および図４によ
り説明する。図３は、本発明のプラズマ処理装置の第２
の実施例である傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイ
クロ波ドライエッチング装置を示す。マグネトロン４か
ら発振されたマイクロ波は、同軸導波管変換器１０を介
して導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、整合室１１を介して
共振器１２内に導入される。共振器１２の底部にはスロ
ットアンテナ１３が設けられている。スロットアンテナ
１３より放射されたマイクロ波は、特定のモードを形成
した後、石英窓２を透過して処理室１内に入射される。
このマイクロ波によって生成されたプラズマより、ウェ
ハ載置用電極７に配置されたウエハ８がエッチング処理
される。共振器１２は、円形ＴＭ011モ−ドに共振する
よう設計されており、共振器１２内では図３のような電
気力線１４となる。
り説明する。図３は、本発明のプラズマ処理装置の第２
の実施例である傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイ
クロ波ドライエッチング装置を示す。マグネトロン４か
ら発振されたマイクロ波は、同軸導波管変換器１０を介
して導波管５ａ，５ｂ内を伝播し、整合室１１を介して
共振器１２内に導入される。共振器１２の底部にはスロ
ットアンテナ１３が設けられている。スロットアンテナ
１３より放射されたマイクロ波は、特定のモードを形成
した後、石英窓２を透過して処理室１内に入射される。
このマイクロ波によって生成されたプラズマより、ウェ
ハ載置用電極７に配置されたウエハ８がエッチング処理
される。共振器１２は、円形ＴＭ011モ−ドに共振する
よう設計されており、共振器１２内では図３のような電
気力線１４となる。
【００１０】図４にスロット板１５のスロットパタ−ン
を示す。共振器１２内は、円形ＴＭ011モ−ドとなって
いるため、共振器１２底部に配置されたスロット板１５
上には放射状の表面電流１６が流れる。図４に示すよう
にスロットアンテナ１３は、表面電流１６に対し、一定
の傾斜角、この場合、４５度で同一円上に配置されてい
る。各々の矩形スロットアンテナ１３より放射されるマ
イクロ波の電界方向は、スロットアンテナの長軸方向に
対して垂直となるため、マイクロ波電界は周方向成分と
径方向成分とが生じる。したがって、スロットアンテナ
１３から処理室１内へは、ＴＭ01モ−ドとＴＥ01モ−ド
が混在して導入される。本実施例においてもマイクロ波
出力を制御することにより、ウェハ８に入射するイオン
量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処
理速度とエッチング加工形状をともに得ることができ
る。本実施例によれば、スロットアンテナ１３を用いる
ことにより、処理室１に導入するマイクロ波モ−ドを制
御できるので、第１の実施例の効果に加えて均一にプラ
ズマを生成でき、均一なプラズマ処理を行うことができ
るという効果がある。
を示す。共振器１２内は、円形ＴＭ011モ−ドとなって
いるため、共振器１２底部に配置されたスロット板１５
上には放射状の表面電流１６が流れる。図４に示すよう
にスロットアンテナ１３は、表面電流１６に対し、一定
の傾斜角、この場合、４５度で同一円上に配置されてい
る。各々の矩形スロットアンテナ１３より放射されるマ
イクロ波の電界方向は、スロットアンテナの長軸方向に
対して垂直となるため、マイクロ波電界は周方向成分と
径方向成分とが生じる。したがって、スロットアンテナ
１３から処理室１内へは、ＴＭ01モ−ドとＴＥ01モ−ド
が混在して導入される。本実施例においてもマイクロ波
出力を制御することにより、ウェハ８に入射するイオン
量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処
理速度とエッチング加工形状をともに得ることができ
る。本実施例によれば、スロットアンテナ１３を用いる
ことにより、処理室１に導入するマイクロ波モ−ドを制
御できるので、第１の実施例の効果に加えて均一にプラ
ズマを生成でき、均一なプラズマ処理を行うことができ
るという効果がある。
【００１１】次に、本発明の第３の実施例を図５を用い
て説明する。本実施例では、第２の実施例で用いた図４
に示すスロット板１５の替わりに、図５に示すスロット
板１７を用いたものである。この場合、スロットアンテ
ナ１３は内外２箇所に同心円上に配置され、内側の円周
上と外側の円周上とでは表面電流１６に対するスロット
アンテナ１３の傾斜方向が逆向きとなっている。したが
って、スロットアンテナ１３より放射される周方向の電
界成分も内側と外側とでは逆向きとなる。このため、処
理室１内へは、ＴＭ01モ−ドとＴＥ02モ−ドの混在した
マイクロ波が導入される。
て説明する。本実施例では、第２の実施例で用いた図４
に示すスロット板１５の替わりに、図５に示すスロット
板１７を用いたものである。この場合、スロットアンテ
ナ１３は内外２箇所に同心円上に配置され、内側の円周
上と外側の円周上とでは表面電流１６に対するスロット
アンテナ１３の傾斜方向が逆向きとなっている。したが
って、スロットアンテナ１３より放射される周方向の電
界成分も内側と外側とでは逆向きとなる。このため、処
理室１内へは、ＴＭ01モ−ドとＴＥ02モ−ドの混在した
マイクロ波が導入される。
【００１２】また、一般には、第２の実施例および第３
の実施例ともにスロットアンテナ１３を配置する円周の
径を変化させることにより、ＴＭ0nモ−ドとＴＥ0mモ−
ド（ｎ、ｍはともに正の整数）割合を変化させて処理室
１内に導入することができる。
の実施例ともにスロットアンテナ１３を配置する円周の
径を変化させることにより、ＴＭ0nモ−ドとＴＥ0mモ−
ド（ｎ、ｍはともに正の整数）割合を変化させて処理室
１内に導入することができる。
【００１３】本実施例においても、マイクロ波出力を制
御することにより、ウェハ８に入射するイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処理速度と
エッチング加工形状をともに得ることができる。したが
って、本実施例においても、第２の実施例と同様に均一
にプラズマを生成でき、均一なプラズマ処理を行うこと
ができるという効果がある。
御することにより、ウェハ８に入射するイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処理速度と
エッチング加工形状をともに得ることができる。したが
って、本実施例においても、第２の実施例と同様に均一
にプラズマを生成でき、均一なプラズマ処理を行うこと
ができるという効果がある。
【００１４】本発明の第４の実施例を図６および図７を
用いて説明する。本実施例では、第２の実施例で用いた
図４に示すスロット板１５の替わりに、図７に示すスロ
ット板１８を用いたものである。本実施例では、スロッ
ト板１８の中央部に円形穴１９を設けている。第２の実
施例の図３では、共振器１２内のスロット板１５中央部
で電気力線１４は集中しているが、本実施例の場合、図
６に示すように円形穴１９を設けることにより、スロッ
ト板１８中央部での電気力線２０の集中は緩和されてい
る。したがって、処理室１内に導入されるＴＭ01モ−ド
の割合を減じることができる。
用いて説明する。本実施例では、第２の実施例で用いた
図４に示すスロット板１５の替わりに、図７に示すスロ
ット板１８を用いたものである。本実施例では、スロッ
ト板１８の中央部に円形穴１９を設けている。第２の実
施例の図３では、共振器１２内のスロット板１５中央部
で電気力線１４は集中しているが、本実施例の場合、図
６に示すように円形穴１９を設けることにより、スロッ
ト板１８中央部での電気力線２０の集中は緩和されてい
る。したがって、処理室１内に導入されるＴＭ01モ−ド
の割合を減じることができる。
【００１５】本実施例においても、マイクロ波出力を制
御することにより、ウェハ８に入射するイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処理速度と
エッチング加工形状をともに得ることができる。本実施
例においても、第２の実施例と同様に、均一にプラズマ
を生成でき、均一なプラズマ処理を行うことができると
いう効果がある。
御することにより、ウェハ８に入射するイオン量を０．
４〜４ｍＡ／ｃｍ2とし、所望のエッチング処理速度と
エッチング加工形状をともに得ることができる。本実施
例においても、第２の実施例と同様に、均一にプラズマ
を生成でき、均一なプラズマ処理を行うことができると
いう効果がある。
【００１６】また、上記各実施例では、有磁場マイクロ
波ドライエッチング装置について述べたが、その他のマ
イクロ波を利用したドライエッチング装置、プラズマＣ
ＶＤ装置、アッシング装置等のプラズマ処理装置につい
ても同様の作用効果がある。
波ドライエッチング装置について述べたが、その他のマ
イクロ波を利用したドライエッチング装置、プラズマＣ
ＶＤ装置、アッシング装置等のプラズマ処理装置につい
ても同様の作用効果がある。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハに入射するイオ
ン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とすることにより、プラ
ズマの生成に影響を及ぼさない小出力の高周波電力で、
エッチングの形状制御に好適な所望の高周波電圧をウェ
ハに印加することができるため、エッチングの微細加工
性が向上するという効果がある。
ン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とすることにより、プラ
ズマの生成に影響を及ぼさない小出力の高周波電力で、
エッチングの形状制御に好適な所望の高周波電圧をウェ
ハに印加することができるため、エッチングの微細加工
性が向上するという効果がある。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１の実施例であ
る空洞共振方式の有磁場マイクロ波ドライエッチング装
置を示す縦断面図である。
る空洞共振方式の有磁場マイクロ波ドライエッチング装
置を示す縦断面図である。
【図２】図１の装置におけるウェハ載置用電極上での高
周波電圧の波形を示す図である。
周波電圧の波形を示す図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の第２の実施例であ
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置を示す縦断面図である。
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置を示す縦断面図である。
【図４】図３の装置におけるスロットアンテナ形状を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】本発明のプラズマ処理装置の第３の実施例であ
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置におけるスロットアンテナ形状を示す平
面図である。
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置におけるスロットアンテナ形状を示す平
面図である。
【図６】本発明のプラズマ処理装置の第４の実施例であ
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置を示す縦断面図である。
る傾斜スロットアンテナ方式の有磁場マイクロ波ドライ
エッチング装置を示す縦断面図である。
【図７】図６の装置におけるスロットアンテナ形状を示
す平面図である。
す平面図である。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…放電管、２…石英窓、
３…コイル、４…マグネトロン、５ａ…矩形導波管、５
ｂ…円形導波管、５ｃ…同軸導波管、６…共振器、７…
ウェハ載置用電極、８…ウェハ、９…高周波電源、１０
…同軸導波管変換器、１１…整合室、１２…共振器、１
３…スロットアンテナ、１４…電気力線、１５…スロッ
ト板、１６…表面電流、１７…スロット板、１８…スロ
ット板、１９…円形穴、２０…電気力線。
３…コイル、４…マグネトロン、５ａ…矩形導波管、５
ｂ…円形導波管、５ｃ…同軸導波管、６…共振器、７…
ウェハ載置用電極、８…ウェハ、９…高周波電源、１０
…同軸導波管変換器、１１…整合室、１２…共振器、１
３…スロットアンテナ、１４…電気力線、１５…スロッ
ト板、１６…表面電流、１７…スロット板、１８…スロ
ット板、１９…円形穴、２０…電気力線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ (72)発明者 田村 仁 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】内部にガスを供給するとともに所定圧力に
減圧排気して、前記ガスをプラズマ化し、該プラズマを
用いて被処理材を処理するプラズマ処理方法において、
前記被処理材に入射するプラズマ中のイオン量が０．４
〜４ｍＡ／ｃｍ2となる低イオン電流プラズマを発生さ
せ、該プラズマにより被処理材を処理することを特徴と
するプラズマ処理方法。 - 【請求項２】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な
処理室と、前記処理室内へのガス供給装置と、前記処理
室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記処理室の内部に配置される被処理材に高周波電圧を
印加する手段とを具備し、前記被処理材に入射するプラ
ズマ中のイオン量を０．４〜４ｍＡ／ｃｍ2とした低イ
オン電流プラズマを発生させたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項３】請求項２記載のプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ発生手段をスロットアンテナから放出
されたマイクロ波を利用して処理室内部にプラズマを発
生させる手段とし、前記スロットアンテナが設けられる
面に該面を流れる表面電流と平行あるいは垂直でない角
度でスロットアンテナを設けたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項４】請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、前記スロットアンテナを多重の同心円上に配置した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、前記スロットアンテナが円周上に配置され、かつス
ロットアンテナを設けた板の中央部に穴を設けたことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】請求項２記載のプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ発生手段はマイクロ波を利用した手段
であり、ＴＥ0mモードとＴＭ0nモード（ｍ，ｎは正の整
数）の混在したマイクロ波を用いてプラズマを生成させ
ることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050303A JPH11251299A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050303A JPH11251299A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251299A true JPH11251299A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12855140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10050303A Pending JPH11251299A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251299A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009113680A1 (ja) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 平面アンテナ部材、及び、これを備えたプラズマ処理装置 |
| WO2011013633A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2023052210A (ja) * | 2015-10-29 | 2023-04-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電力供給導波管内のアイリスによるマイクロ波回転とインピーダンスシフトのための汎用円筒形状キャビティシステム |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP10050303A patent/JPH11251299A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009113680A1 (ja) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 平面アンテナ部材、及び、これを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2009224455A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
| WO2011013633A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2023052210A (ja) * | 2015-10-29 | 2023-04-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電力供給導波管内のアイリスによるマイクロ波回転とインピーダンスシフトのための汎用円筒形状キャビティシステム |
| US11972930B2 (en) | 2015-10-29 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical cavity with impedance shifting by irises in a power-supplying waveguide |
| US12288675B2 (en) | 2015-10-29 | 2025-04-29 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical cavity with impedance shifting by irises in a power-supplying waveguide |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040127 |