JPH11251802A - Ｎ路ｒｆスイッチ用低損失空中懸垂放射状結合パッチ - Google Patents
Ｎ路ｒｆスイッチ用低損失空中懸垂放射状結合パッチInfo
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- JPH11251802A JPH11251802A JP11001396A JP139699A JPH11251802A JP H11251802 A JPH11251802 A JP H11251802A JP 11001396 A JP11001396 A JP 11001396A JP 139699 A JP139699 A JP 139699A JP H11251802 A JPH11251802 A JP H11251802A
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- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミリメートル波周波数において挿入損失を改
善した、放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイ
ッチを提供する。 【解決手段】 マイクロストリップ・スイッチ６０は、
Ｎ個の入力スイッチ・アーム６２−７２、およびマイク
ロストリップ伝送ラインで形成された１つの出力ポート
７４を含む。各入力スイッチ・アームは、１つ以上のｐ
−ｉ−ｎダイオード７８を含む。入力スイッチ・アーム
および出力ポートは、放射状結合中央パッチ８４に接続
されている。ミリメートル波周波数における挿入損失を
改善するために、中央のパッチを空中懸垂状とし、寄生
分路容量を減少させることにより、スイッチの低域通過
周波数応答を拡張する。
善した、放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイ
ッチを提供する。 【解決手段】 マイクロストリップ・スイッチ６０は、
Ｎ個の入力スイッチ・アーム６２−７２、およびマイク
ロストリップ伝送ラインで形成された１つの出力ポート
７４を含む。各入力スイッチ・アームは、１つ以上のｐ
−ｉ−ｎダイオード７８を含む。入力スイッチ・アーム
および出力ポートは、放射状結合中央パッチ８４に接続
されている。ミリメートル波周波数における挿入損失を
改善するために、中央のパッチを空中懸垂状とし、寄生
分路容量を減少させることにより、スイッチの低域通過
周波数応答を拡張する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦスイッチの用
途に用いるためのマイクロストリップ・スイッチに関
し、更に特定すれば、寄生分路容量を減少させ、これに
より装置の低域通過応答を拡張した、低損失空中懸垂放
射状結合パッチ（ｌｏｗ ｌｏｓｓ ａｉｒｓｕｓｐｅ
ｎｄｅｄ ｒａｄｉａｌｌｙ ｃｏｍｂｉｎｅｄ ｐａ
ｔｃｈ）を形成し、ミリメートル波周波数における挿入
損失特性を改善した広帯域放射状結合単極Ｎ投マイクロ
ストリップ・スイッチに関するものである。
途に用いるためのマイクロストリップ・スイッチに関
し、更に特定すれば、寄生分路容量を減少させ、これに
より装置の低域通過応答を拡張した、低損失空中懸垂放
射状結合パッチ（ｌｏｗ ｌｏｓｓ ａｉｒｓｕｓｐｅ
ｎｄｅｄ ｒａｄｉａｌｌｙ ｃｏｍｂｉｎｅｄ ｐａ
ｔｃｈ）を形成し、ミリメートル波周波数における挿入
損失特性を改善した広帯域放射状結合単極Ｎ投マイクロ
ストリップ・スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロストリップ・スイッチは、種々
のＲＦ用途に用いられている。かかるマイクロストリッ
プ・スイッチには種々の構成が公知である。例えば、カ
スケード状スイッチや、直交アーム・スイッチ構成が知
られている。放射状結合スイッチ（ｒａｄｉａｌ ｃｏ
ｍｂｉｎｅｄ ｓｗｉｔｃｈ）も既知であり、対称スイ
ッチ・アーム動作、およびカスケード状スイッチや直交
アーム・スイッチと比較して比較的小さな面積に、複数
のスイッチ・アームを統合させる。比較的小さなサイズ
の放射状結合スイッチは、特に、自動車用レーダのよう
な低コスト、大量生産の用途に魅力的である。
のＲＦ用途に用いられている。かかるマイクロストリッ
プ・スイッチには種々の構成が公知である。例えば、カ
スケード状スイッチや、直交アーム・スイッチ構成が知
られている。放射状結合スイッチ（ｒａｄｉａｌ ｃｏ
ｍｂｉｎｅｄ ｓｗｉｔｃｈ）も既知であり、対称スイ
ッチ・アーム動作、およびカスケード状スイッチや直交
アーム・スイッチと比較して比較的小さな面積に、複数
のスイッチ・アームを統合させる。比較的小さなサイズ
の放射状結合スイッチは、特に、自動車用レーダのよう
な低コスト、大量生産の用途に魅力的である。
【０００３】放射状結合マイクロストリップ・スイッチ
によって得ることが可能な帯域および低挿入損失には限
界がある。即ち、高周波数においては、半導体スイッチ
のカットオフ周波数性能、およびマイクロストリップ放
射状結合マイクロストリップ・スイッチの有効低域通過
特性という、２つの基本的な性能に制約がある。これら
の要因は双方とも、スイッチ・アームの数が増加する
程、放射状結合マイクロストリップ・スイッチの性能を
更に低下させる。
によって得ることが可能な帯域および低挿入損失には限
界がある。即ち、高周波数においては、半導体スイッチ
のカットオフ周波数性能、およびマイクロストリップ放
射状結合マイクロストリップ・スイッチの有効低域通過
特性という、２つの基本的な性能に制約がある。これら
の要因は双方とも、スイッチ・アームの数が増加する
程、放射状結合マイクロストリップ・スイッチの性能を
更に低下させる。
【０００４】Ｎ路放射状結合単極Ｎ投マイクロストリッ
プ・スイッチの一例を、図１に示し、全体として参照番
号２０で示す。図示のように、マイクロストリップ・ス
イッチ２０は、図１において参照番号２２〜３６で示す
Ｎ個の入力スイッチ・アーム、および出力スイッチ・ア
ーム３８を含む。入力スイッチ・アーム２２〜３６およ
び出力スイッチ・アーム３８は、放射状結合パッチ４０
において接続されている。各入力スイッチ・アーム２２
〜３６は、入力ポートとして作用する入力マイクロスト
リップ伝送ライン４４と、入力スイッチ・アーム２２〜
３６の各々の相互接続マイクロストリップ伝送ライン４
６との間に接続された、１対の直列結合されたＰ−ｉ−
ｎ（ＰＩＮ）ダイオード４０，４２を含む。入力スイッ
チ・アーム２２〜３６の各々の相互接続マイクロストリ
ップ伝送ライン４６は、共に放射状結合パッチ４０に結
合されている。マイクロストリップ伝送ライン４８が、
放射状結合パッチ４０に接続され、スイッチの出力ポー
トを提供する。入力および出力マイクロストリップ４
４，４８は、５０Ωとして例示されている。
プ・スイッチの一例を、図１に示し、全体として参照番
号２０で示す。図示のように、マイクロストリップ・ス
イッチ２０は、図１において参照番号２２〜３６で示す
Ｎ個の入力スイッチ・アーム、および出力スイッチ・ア
ーム３８を含む。入力スイッチ・アーム２２〜３６およ
び出力スイッチ・アーム３８は、放射状結合パッチ４０
において接続されている。各入力スイッチ・アーム２２
〜３６は、入力ポートとして作用する入力マイクロスト
リップ伝送ライン４４と、入力スイッチ・アーム２２〜
３６の各々の相互接続マイクロストリップ伝送ライン４
６との間に接続された、１対の直列結合されたＰ−ｉ−
ｎ（ＰＩＮ）ダイオード４０，４２を含む。入力スイッ
チ・アーム２２〜３６の各々の相互接続マイクロストリ
ップ伝送ライン４６は、共に放射状結合パッチ４０に結
合されている。マイクロストリップ伝送ライン４８が、
放射状結合パッチ４０に接続され、スイッチの出力ポー
トを提供する。入力および出力マイクロストリップ４
４，４８は、５０Ωとして例示されている。
【０００５】特定のＰ−ｉ−ｎダイオード・プロセス技
術によって、マイクロストリップ・スイッチ２０の利得
−帯域の効果、即ち、低損失帯域幅のトレードオフは、
ｐ−ｉ−ｎダイオード４０，４２のサイズを調整するこ
と（スケーリング）、あるいは入力スイッチ・アーム２
２〜３６の各々に複数のｐ−ｉ−ｎダイオードを直列、
並列、またはその組み合わせで追加することのいずれか
によって調節される。高周波数動作のためには、入力ス
イッチ・アーム２２〜３６の各々のｐ−ｉ−ｎダイオー
ド４０，４２は、ダイオード４０，４２の低域通過カッ
トオフ周波数が、対象の動作周波数を超えるように構成
する。
術によって、マイクロストリップ・スイッチ２０の利得
−帯域の効果、即ち、低損失帯域幅のトレードオフは、
ｐ−ｉ−ｎダイオード４０，４２のサイズを調整するこ
と（スケーリング）、あるいは入力スイッチ・アーム２
２〜３６の各々に複数のｐ−ｉ−ｎダイオードを直列、
並列、またはその組み合わせで追加することのいずれか
によって調節される。高周波数動作のためには、入力ス
イッチ・アーム２２〜３６の各々のｐ−ｉ−ｎダイオー
ド４０，４２は、ダイオード４０，４２の低域通過カッ
トオフ周波数が、対象の動作周波数を超えるように構成
する。
【０００６】図２のＢおよび図２のＣは、図２のＡに示
す特定サイズのｐ−ｉ−ｎダイオードに対して、カット
オフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚである、典型的な２−μ
ｍ、ｉ−領域ＧａＡｓ ｐ−ｉ−ｎダイオードの等価回
路モデルを表す。図２のＣに示すように、直列オフ容量
が比較的大きい。直列オフ容量を減少させるためには、
直列の２つのｐ−ｉ−ｎダイオードを利用し、挿入損失
を犠牲にして帯域幅応答を拡張すればよい。カットオフ
周波数ｆｃ＞２ＴＨｚの２−μｍＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダ
イオードおよび比較的小さなサイズのｐ−ｉ−ｎダイオ
ードを用いることのために、放射状結合マイクロストリ
ップ・スイッチ２０の個々の入力スイッチ・アーム２２
〜３６は、対象とする周波数を超える周波数応答を有す
ることになる。ミリメートル波周波数においてＮ路マイ
クロストリップ・スイッチの性能を妨げる要因となるの
は、放射状結合マイクロストリップ・スイッチの低域通
過ロール（ｒｏｌｌ）特性である。
す特定サイズのｐ−ｉ−ｎダイオードに対して、カット
オフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚである、典型的な２−μ
ｍ、ｉ−領域ＧａＡｓ ｐ−ｉ−ｎダイオードの等価回
路モデルを表す。図２のＣに示すように、直列オフ容量
が比較的大きい。直列オフ容量を減少させるためには、
直列の２つのｐ−ｉ−ｎダイオードを利用し、挿入損失
を犠牲にして帯域幅応答を拡張すればよい。カットオフ
周波数ｆｃ＞２ＴＨｚの２−μｍＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダ
イオードおよび比較的小さなサイズのｐ−ｉ−ｎダイオ
ードを用いることのために、放射状結合マイクロストリ
ップ・スイッチ２０の個々の入力スイッチ・アーム２２
〜３６は、対象とする周波数を超える周波数応答を有す
ることになる。ミリメートル波周波数においてＮ路マイ
クロストリップ・スイッチの性能を妨げる要因となるの
は、放射状結合マイクロストリップ・スイッチの低域通
過ロール（ｒｏｌｌ）特性である。
【０００７】一般に、多数の放射状結合入力スイッチ・
アーム２２〜３６のために、放射状結合パッチ４０はか
なりの面積を占め、ミリメートル波周波数におけるＮ路
スイッチ２０の低域通過損失特性に大きく影響する。放
射状結合パッチ４０のサイズを縮小することにより、関
連する寄生インピーダンスを最少に抑え、周波数応答を
拡張させることが可能である。しかしながら、出力５０
Ωマイクロストリップ伝送ライン３８の幅は、例えば、
４ミルのＧａＡｓ基板では７０μｍであり、その結果、
図１１に全体的に示すような放射状結合パッチ４０をい
かに小さく製造可能とするかという点で妨げとなる。
アーム２２〜３６のために、放射状結合パッチ４０はか
なりの面積を占め、ミリメートル波周波数におけるＮ路
スイッチ２０の低域通過損失特性に大きく影響する。放
射状結合パッチ４０のサイズを縮小することにより、関
連する寄生インピーダンスを最少に抑え、周波数応答を
拡張させることが可能である。しかしながら、出力５０
Ωマイクロストリップ伝送ライン３８の幅は、例えば、
４ミルのＧａＡｓ基板では７０μｍであり、その結果、
図１１に全体的に示すような放射状結合パッチ４０をい
かに小さく製造可能とするかという点で妨げとなる。
【０００８】図３は、図１に示した単極Ｎ投放射状結合
マイクロストリップ・スイッチ２０の集中要素等価回路
を示す。図示のように、放射状結合パッチ４０は、Ｌ−
Ｃ低域通過ネットワーク４１によって表すことができ
る。Ｎ番目の入力スイッチ・アーム３６をオンに切り替
え、他のＮ−１本の入力スイッチ・アーム２２〜３４を
全てオフに切り替えた場合、Ｎ番目の入力スイッチ・ア
ーム３６の通過経路は、図４に示す等価回路によって表
すことができる。図４に示すように、マイクロストリッ
プ・スイッチ２０の低域通過応答は、直列インダクタン
スＬfeedと、分路コンデンサＣoff（Ｎ−１）／２およ
びＣfeedの有効並列結合とで形成される、単純なロー・
パス・フィルタ・ネットワークによって特徴付けること
ができる。カットオフ周波数ｆc＞２ＴＨｚの非常に高
性能なショットキｐ−ｉ−ｎダイオードでは、分路容量
Ｃfeedは典型的に全有効分路容量の≧１５％を占める可
能性がある。典型的な５０Ω固定出力の広いマイクロス
トリップ伝送ライン３８を収容するために放射状結合パ
ッチ４０の直径を大きくした場合、分路容量Ｃfeedが大
きくなり、関連する直列インダクタンスＬfeedは小さく
なる。電気的および物理的制約が放射状結合パッチ４０
の直径短縮を可能にするのであれば、放射状結合パッチ
４０の分路容量は比較的小さくなるが、入力マイクロス
トリップ伝送ライン４４は、その誘導性を一層高めるこ
とになる。したがって、放射状結合パッチの幾何学的形
状においてサイズを変更して得られる利点は取るに足ら
ないものに過ぎない。何故なら、直列インダクタンスＬ
feedおよび分路容量Ｃfeedによって決定される低域通過
極（ポール）が、大幅に変化することはないからであ
る。このように、放射状結合パッチのサイズを単に変更
することによって、放射状結合マイクロストリップ・ス
イッチの周波数性能の向上が得られることは、これまで
知られていなかった。
マイクロストリップ・スイッチ２０の集中要素等価回路
を示す。図示のように、放射状結合パッチ４０は、Ｌ−
Ｃ低域通過ネットワーク４１によって表すことができ
る。Ｎ番目の入力スイッチ・アーム３６をオンに切り替
え、他のＮ−１本の入力スイッチ・アーム２２〜３４を
全てオフに切り替えた場合、Ｎ番目の入力スイッチ・ア
ーム３６の通過経路は、図４に示す等価回路によって表
すことができる。図４に示すように、マイクロストリッ
プ・スイッチ２０の低域通過応答は、直列インダクタン
スＬfeedと、分路コンデンサＣoff（Ｎ−１）／２およ
びＣfeedの有効並列結合とで形成される、単純なロー・
パス・フィルタ・ネットワークによって特徴付けること
ができる。カットオフ周波数ｆc＞２ＴＨｚの非常に高
性能なショットキｐ−ｉ−ｎダイオードでは、分路容量
Ｃfeedは典型的に全有効分路容量の≧１５％を占める可
能性がある。典型的な５０Ω固定出力の広いマイクロス
トリップ伝送ライン３８を収容するために放射状結合パ
ッチ４０の直径を大きくした場合、分路容量Ｃfeedが大
きくなり、関連する直列インダクタンスＬfeedは小さく
なる。電気的および物理的制約が放射状結合パッチ４０
の直径短縮を可能にするのであれば、放射状結合パッチ
４０の分路容量は比較的小さくなるが、入力マイクロス
トリップ伝送ライン４４は、その誘導性を一層高めるこ
とになる。したがって、放射状結合パッチの幾何学的形
状においてサイズを変更して得られる利点は取るに足ら
ないものに過ぎない。何故なら、直列インダクタンスＬ
feedおよび分路容量Ｃfeedによって決定される低域通過
極（ポール）が、大幅に変化することはないからであ
る。このように、放射状結合パッチのサイズを単に変更
することによって、放射状結合マイクロストリップ・ス
イッチの周波数性能の向上が得られることは、これまで
知られていなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における種々の問題を解決することである。
技術における種々の問題を解決することである。
【００１０】本発明の更に他の目的は、性能を改善した
放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチを提
供することである。
放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチを提
供することである。
【００１１】本発明の更に他の目的は、ミリメートル波
周波数において挿入損失を改善した、放射状結合単極Ｎ
投マイクロストリップ・スイッチを提供することであ
る。
周波数において挿入損失を改善した、放射状結合単極Ｎ
投マイクロストリップ・スイッチを提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】端的に言えば、本発明
は、マイクロストリップ伝送ラインで形成し、Ｎ本の入
力スイッチ・アームと１つの出力ポートとを含む、マイ
クロストリップ・スイッチに関するものである。各入力
スイッチ・アームは、１つ以上のｐ−ｉ−ｎダイオード
を含む。入力スイッチ・アームおよび出力ポートは、放
射状結合パッチにおいて接続されている。ミリメートル
波周波数において挿入損失を改善するために、放射状結
合パッチを空気中に懸垂し、寄生分路（シャント）容量
を減少させることにより、スイッチの低域通過周波数応
答を拡張する。
は、マイクロストリップ伝送ラインで形成し、Ｎ本の入
力スイッチ・アームと１つの出力ポートとを含む、マイ
クロストリップ・スイッチに関するものである。各入力
スイッチ・アームは、１つ以上のｐ−ｉ−ｎダイオード
を含む。入力スイッチ・アームおよび出力ポートは、放
射状結合パッチにおいて接続されている。ミリメートル
波周波数において挿入損失を改善するために、放射状結
合パッチを空気中に懸垂し、寄生分路（シャント）容量
を減少させることにより、スイッチの低域通過周波数応
答を拡張する。
【００１３】本発明のこれらおよびその他の目的は、以
下の明細書および添付図面を参照することにより、容易
に理解されよう。
下の明細書および添付図面を参照することにより、容易
に理解されよう。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、ミリメートル波周波数
で挿入損失が減少する特性を有する、放射状結合マイク
ロストリップ・スイッチに関する。入力アーム数ならび
に設計の物理的および電気的制約によって決定される、
所与の放射状結合パッチ・サイズに対して、本発明によ
れば、放射状結合中央パッチ直下の高誘電体物質を除去
することによって、スイッチの浮遊分路（シャント）容
量を減少させる。ＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体
化合物で形成したマイクロストリップ・スイッチの場
合、分路容量の大きさを１桁減少させることができる。
で挿入損失が減少する特性を有する、放射状結合マイク
ロストリップ・スイッチに関する。入力アーム数ならび
に設計の物理的および電気的制約によって決定される、
所与の放射状結合パッチ・サイズに対して、本発明によ
れば、放射状結合中央パッチ直下の高誘電体物質を除去
することによって、スイッチの浮遊分路（シャント）容
量を減少させる。ＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体
化合物で形成したマイクロストリップ・スイッチの場
合、分路容量の大きさを１桁減少させることができる。
【００１５】図５のＡは、本発明によるＮ路放射状結合
単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチ６０の平面図で
ある。マイクロストリップ・スイッチ６０は、Ｎ本の入
力スイッチ・アーム６２，６４，６６，６８，７０，７
１，７２、および出力ポートを規定する出力アーム７４
を含む。当業者には認められようが、図５のＡは７本の
入力スイッチ・アーム６２〜７２および単一の出力ポー
ト７４を示すが、本発明の原理は、事実上あらゆる数の
入力アームにも適用可能であることは明白である。入力
スイッチ・アーム６２〜７２の各々は、例えば、５０Ω
の入力マイクロストリップ伝送ライン７６、１つ以上の
直列結合されたｐ−ｉ−ｎダイオード７８、および相互
接続マイクロストリップ伝送ライン８０を含む。相互接
続マイクロストリップ伝送ライン８０の各々は、放射状
にパッチ８４に接続されている。例えば、５０Ωマイク
ロストリップ伝送ラインである出力アーム７４も、放射
状に結合されたパッチ８４に接続されている。ミリメー
トル波周波数においてスイッチ６０の分路容量、したが
ってマイクロストリップ・スイッチ６０の挿入損失を減
少させるために、放射状結合パッチ８４を空中で懸垂さ
せる（浮かす）。これは、図５のＢに一層明確に示され
ている。
単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチ６０の平面図で
ある。マイクロストリップ・スイッチ６０は、Ｎ本の入
力スイッチ・アーム６２，６４，６６，６８，７０，７
１，７２、および出力ポートを規定する出力アーム７４
を含む。当業者には認められようが、図５のＡは７本の
入力スイッチ・アーム６２〜７２および単一の出力ポー
ト７４を示すが、本発明の原理は、事実上あらゆる数の
入力アームにも適用可能であることは明白である。入力
スイッチ・アーム６２〜７２の各々は、例えば、５０Ω
の入力マイクロストリップ伝送ライン７６、１つ以上の
直列結合されたｐ−ｉ−ｎダイオード７８、および相互
接続マイクロストリップ伝送ライン８０を含む。相互接
続マイクロストリップ伝送ライン８０の各々は、放射状
にパッチ８４に接続されている。例えば、５０Ωマイク
ロストリップ伝送ラインである出力アーム７４も、放射
状に結合されたパッチ８４に接続されている。ミリメー
トル波周波数においてスイッチ６０の分路容量、したが
ってマイクロストリップ・スイッチ６０の挿入損失を減
少させるために、放射状結合パッチ８４を空中で懸垂さ
せる（浮かす）。これは、図５のＢに一層明確に示され
ている。
【００１６】図５のＢを参照すると、本発明による放射
状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチ６０は、
ＧａＡｓ基板のような、適切なＩＩＩ−Ｖ族基板８６上
に形成することができる。本発明の重要な特徴１つは、
放射状結合パッチ８４の下にある空洞（空胴）８８に関
係する。前述したように、放射状結合パッチを空中に懸
垂させることにより、スイッチ６０の分路容量、したが
って挿入損失は、ミリメートル波周波数では大幅に減少
する。基板９０の上側９０は、従来の処理技法によって
処理され、図５のＢに示す上面９０の構造を形成する。
マイクロストリップ・スイッチの上面における従来の処
理が完了した後、図６のＡないし図８に示すように、放
射状空洞を形成するために、ウエハをフリップ実装（ｆ
ｌｉｐｍｏｕｎｔ）する。
状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・スイッチ６０は、
ＧａＡｓ基板のような、適切なＩＩＩ−Ｖ族基板８６上
に形成することができる。本発明の重要な特徴１つは、
放射状結合パッチ８４の下にある空洞（空胴）８８に関
係する。前述したように、放射状結合パッチを空中に懸
垂させることにより、スイッチ６０の分路容量、したが
って挿入損失は、ミリメートル波周波数では大幅に減少
する。基板９０の上側９０は、従来の処理技法によって
処理され、図５のＢに示す上面９０の構造を形成する。
マイクロストリップ・スイッチの上面における従来の処
理が完了した後、図６のＡないし図８に示すように、放
射状空洞を形成するために、ウエハをフリップ実装（ｆ
ｌｉｐｍｏｕｎｔ）する。
【００１７】図６のＡないし図８は、基板８６内に空洞
８８を形成する処理工程を示す。当業者には明白であろ
うが、これらの処理工程は、従来のＭＭＩＣ処理技術と
コンパチブルである。図６のＡを参照すると、基板８６
をひっくり返して、シリコン・ウエハのような支持用機
械的ウエハ９２上に実装する。基板８６を支持用機械的
ウエハ９２上に固着した後、フォトレジスト９４が基板
８６の上面上にスピン（ｓｐｉｎ）される。空洞８８の
領域を塞がないように、フォトマスク９６を用いる。マ
スク９６を介してフォトレジスト９４を露光し、現像し
て基板８６のエリア９８を露出させる。これを除去して
空洞８８を形成する。続いて、空洞８８を形成するが、
図６のＣに示すように、例えば、反応性イオン・エッチ
ング（ＲＩＥ）によって、基板８６を完全に貫通するよ
うにエッチングを行い、空洞８８を形成することができ
る。一旦空洞８８が形成されたなら、ＡＺ９６２０のよ
うな平面化フォトレジスト（ｐｌａｎａｒｉｚｉｎｇ
ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）１００によって、基板８６の
１０２，１０４の露出部分、および空洞８８を覆う。図
５のＢに示したように、基板８６直下に、背面金属１０
６がデポジション（堆積）される。背面金属１０６を堆
積する前に、第２のマスク１０８を用いて、背面金属１
０６のための領域を規定する。平面化フォトレジスト１
０２を、マスク１０８を通じて露光し、現像して図６の
Ｅに示す構造を形成する。続いて、ステップ６Ｆにおい
て、例えば、Ｔｉ−Ａｕといった背面金属を、基板８６
の露出エリア１０２，１０４および平面化フォトレジス
ト１００の上面上に堆積する。背面金属１０６および空
洞８８を覆うメタライゼーション１０８は、平面化フォ
トレジスト１００を現像することによって、従来のリフ
トオフ技法で現像し、図６Ｇに概略的に示すように、空
洞８８から金属１０８を除去する。このメタライゼーシ
ョンが、マイクロストリップ伝送媒体の背面金属面を形
成する。前述の選択金属蒸着プロセスによって、上面側
から背面側グラウンド（接地）までのバイアが形成され
る。
８８を形成する処理工程を示す。当業者には明白であろ
うが、これらの処理工程は、従来のＭＭＩＣ処理技術と
コンパチブルである。図６のＡを参照すると、基板８６
をひっくり返して、シリコン・ウエハのような支持用機
械的ウエハ９２上に実装する。基板８６を支持用機械的
ウエハ９２上に固着した後、フォトレジスト９４が基板
８６の上面上にスピン（ｓｐｉｎ）される。空洞８８の
領域を塞がないように、フォトマスク９６を用いる。マ
スク９６を介してフォトレジスト９４を露光し、現像し
て基板８６のエリア９８を露出させる。これを除去して
空洞８８を形成する。続いて、空洞８８を形成するが、
図６のＣに示すように、例えば、反応性イオン・エッチ
ング（ＲＩＥ）によって、基板８６を完全に貫通するよ
うにエッチングを行い、空洞８８を形成することができ
る。一旦空洞８８が形成されたなら、ＡＺ９６２０のよ
うな平面化フォトレジスト（ｐｌａｎａｒｉｚｉｎｇ
ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）１００によって、基板８６の
１０２，１０４の露出部分、および空洞８８を覆う。図
５のＢに示したように、基板８６直下に、背面金属１０
６がデポジション（堆積）される。背面金属１０６を堆
積する前に、第２のマスク１０８を用いて、背面金属１
０６のための領域を規定する。平面化フォトレジスト１
０２を、マスク１０８を通じて露光し、現像して図６の
Ｅに示す構造を形成する。続いて、ステップ６Ｆにおい
て、例えば、Ｔｉ−Ａｕといった背面金属を、基板８６
の露出エリア１０２，１０４および平面化フォトレジス
ト１００の上面上に堆積する。背面金属１０６および空
洞８８を覆うメタライゼーション１０８は、平面化フォ
トレジスト１００を現像することによって、従来のリフ
トオフ技法で現像し、図６Ｇに概略的に示すように、空
洞８８から金属１０８を除去する。このメタライゼーシ
ョンが、マイクロストリップ伝送媒体の背面金属面を形
成する。前述の選択金属蒸着プロセスによって、上面側
から背面側グラウンド（接地）までのバイアが形成され
る。
【００１８】図９および図１０は、従来の構造を利用し
て製造した単極８投（ＳＰ８Ｔ）ｐ−ｉ−ｎダイオード
・マイクロストリップ・スイッチ、および本発明にした
がって製造したマイクロストリップ・スイッチの挿入損
失、反射減衰量およびアイソレーション（分離）性能を
それぞれ示す。７７ＧＨｚにおいて示すように、従来の
マイクロスイッチ放射状結合マイクロストリップ・スイ
ッチでは、−９．１ｄＢの挿入損失、５ｄＢの反射減衰
量、および２３ｄＢの分離が得られる。これと比較し
て、本発明にしたがって製造した放射状結合マイクロス
トリップ・スイッチでは、−３．６ｄＢの空気挿入損
失、１０ｄＢの反射減衰量、および約１７ｄＢの分離が
得られる。このように、本発明によるマイクロスイッチ
は、７７ＧＨｚにおいて５．５ｄＢもの挿入損失の改善
が得られる。
て製造した単極８投（ＳＰ８Ｔ）ｐ−ｉ−ｎダイオード
・マイクロストリップ・スイッチ、および本発明にした
がって製造したマイクロストリップ・スイッチの挿入損
失、反射減衰量およびアイソレーション（分離）性能を
それぞれ示す。７７ＧＨｚにおいて示すように、従来の
マイクロスイッチ放射状結合マイクロストリップ・スイ
ッチでは、−９．１ｄＢの挿入損失、５ｄＢの反射減衰
量、および２３ｄＢの分離が得られる。これと比較し
て、本発明にしたがって製造した放射状結合マイクロス
トリップ・スイッチでは、−３．６ｄＢの空気挿入損
失、１０ｄＢの反射減衰量、および約１７ｄＢの分離が
得られる。このように、本発明によるマイクロスイッチ
は、７７ＧＨｚにおいて５．５ｄＢもの挿入損失の改善
が得られる。
【００１９】図１１は、放射トポロジの物理的なサイズ
上の制約を示す、ＳＰ８Ｔ放射状結合ｐ−ｉ−ｎダイオ
ードマイクロスイッチの典型的なレイアウトを示す。図
示のように、スイッチ・アームのサイズおよび数によっ
て支配される放射状結合パッチの物理的なサイズの制約
のために、放射パッチのエリアを狭くすることが可能な
レイアウトには限界がある。また、電気的特性も、中央
コンバイナの小型化に対する制約となる。何故なら、ア
ームの分離および５０Ωの出力パッチは、幾何学的形状
が小さなコンバイナ・パッチでは性能の低下を招くから
である。
上の制約を示す、ＳＰ８Ｔ放射状結合ｐ−ｉ−ｎダイオ
ードマイクロスイッチの典型的なレイアウトを示す。図
示のように、スイッチ・アームのサイズおよび数によっ
て支配される放射状結合パッチの物理的なサイズの制約
のために、放射パッチのエリアを狭くすることが可能な
レイアウトには限界がある。また、電気的特性も、中央
コンバイナの小型化に対する制約となる。何故なら、ア
ームの分離および５０Ωの出力パッチは、幾何学的形状
が小さなコンバイナ・パッチでは性能の低下を招くから
である。
【００２０】当業者には認められようが、本発明の原理
は、例えば、Ｖ．Ｍｉｌａｎｏｖｉｃ，Ｍ．Ｇａｉｔａ
ｎ，Ｅ．ＢｏｗａｎおよびＭ．Ｚａｇｈｌｏｕｌ，ｉｉ
ｅ．”Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｃｏｐｌａｎａｒ
Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｉｎ ＣＭＯＳ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ”（ＣＭＯＳ技術における微細加工共面導波
路）（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｇｕｉｄｅｄ Ｗ
ａｖｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ．Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．１０、１
９９６年１０月、ｐｐ．３８０〜３８２）に記載されて
いる共面導波路（Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅ）にも適用可能である。その内容は、本願にも援用さ
れるものとする。この中に開示されているように、ＣＭ
ＯＳ技術によって形成された共面導波路において、その
マイクロストリップ構造直下にＶ−字状空洞を形成す
る。Ｖ−字状空洞を形成する際、等方性エッチングおよ
び異方性エッチング双方を含む、かなり複雑なエッチン
グ・プロセスが用いられる。本発明の原理を適合化して
共面導波路に応用すれば、マイクロストリップの下に空
洞を形成するための比較的簡素化したプロセスが得られ
る。即ち、上述の本発明によるプロセスは、共面導波路
を製造するために用いることができる。しかしながら、
中央の主要な導体の部分を懸垂し、機械的支持のために
基板の部分を残しておくことができる。かかるＣＰＷ構
造の上面および断面の図を図７および図８のｉに示す。
は、例えば、Ｖ．Ｍｉｌａｎｏｖｉｃ，Ｍ．Ｇａｉｔａ
ｎ，Ｅ．ＢｏｗａｎおよびＭ．Ｚａｇｈｌｏｕｌ，ｉｉ
ｅ．”Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｃｏｐｌａｎａｒ
Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｉｎ ＣＭＯＳ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ”（ＣＭＯＳ技術における微細加工共面導波
路）（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｇｕｉｄｅｄ Ｗ
ａｖｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ．Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．１０、１
９９６年１０月、ｐｐ．３８０〜３８２）に記載されて
いる共面導波路（Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅ）にも適用可能である。その内容は、本願にも援用さ
れるものとする。この中に開示されているように、ＣＭ
ＯＳ技術によって形成された共面導波路において、その
マイクロストリップ構造直下にＶ−字状空洞を形成す
る。Ｖ−字状空洞を形成する際、等方性エッチングおよ
び異方性エッチング双方を含む、かなり複雑なエッチン
グ・プロセスが用いられる。本発明の原理を適合化して
共面導波路に応用すれば、マイクロストリップの下に空
洞を形成するための比較的簡素化したプロセスが得られ
る。即ち、上述の本発明によるプロセスは、共面導波路
を製造するために用いることができる。しかしながら、
中央の主要な導体の部分を懸垂し、機械的支持のために
基板の部分を残しておくことができる。かかるＣＰＷ構
造の上面および断面の図を図７および図８のｉに示す。
【００２１】上述の教示を考慮すれば、本発明には多く
の変更や変形が可能であることは明らかである。したが
って、特許請求の範囲内において、本発明は、これまで
具体的に述べてきたもの以外でも実施可能であることは
理解されよう。
の変更や変形が可能であることは明らかである。したが
って、特許請求の範囲内において、本発明は、これまで
具体的に述べてきたもの以外でも実施可能であることは
理解されよう。
【図１】Ｎ路放射状結合マイクロストリップ・スイッチ
の概略図である。
の概略図である。
【図２】図２Ａはｐ−ｉ−ｎダイオードの概略図であ
る。図２Ｂは図２Ａに示した特定サイズのダイオードに
ついて、カットオフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚの２−μｉ
−領域ＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダイオードのオン状態の等価
回路である。図２Ｃは図２Ａに示した特定サイズのダイ
オードについて、カットオフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚの
２−μｉ−領域ＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダイオードのオフ状
態の等価回路である。
る。図２Ｂは図２Ａに示した特定サイズのダイオードに
ついて、カットオフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚの２−μｉ
−領域ＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダイオードのオン状態の等価
回路である。図２Ｃは図２Ａに示した特定サイズのダイ
オードについて、カットオフ周波数がｆｃ＞２ＴＨｚの
２−μｉ−領域ＧａＡｓｐ−ｉ−ｎダイオードのオフ状
態の等価回路である。
【図３】放射状結合パッチをＬ−Ｃ低域通過ネットワー
クとして表した、Ｎ路放射状結合マイクロストリップ・
スイッチの等価回路の概略図である。
クとして表した、Ｎ路放射状結合マイクロストリップ・
スイッチの等価回路の概略図である。
【図４】Ｎ路放射状結合マイクロストリップ・スイッチ
のＮ番目のアームの通過経路の等価回路の概略図であ
る。
のＮ番目のアームの通過経路の等価回路の概略図であ
る。
【図５】図５Ａは本発明による放射状結合マイクロスト
リップ・スイッチの平面図である。図５Ｂは図５Ａに示
す放射状結合マイクロストリップ・スイッチの断面図で
ある。
リップ・スイッチの平面図である。図５Ｂは図５Ａに示
す放射状結合マイクロストリップ・スイッチの断面図で
ある。
【図６】本発明による放射状結合マイクロストリップ・
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
【図７】本発明による放射状結合マイクロストリップ・
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
【図８】本発明による放射状結合マイクロストリップ・
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
スイッチの一部を製造する処理工程を示す図である。
【図９】従来の単極ダイオード・マイクロストリップ・
スイッチについて、ＧＨｚを単位とする周波数の関数と
して、挿入損失、反射減衰量および分離性能損失を示す
グラフである。
スイッチについて、ＧＨｚを単位とする周波数の関数と
して、挿入損失、反射減衰量および分離性能損失を示す
グラフである。
【図１０】本発明による放射状結合スイッチについて、
図９と同様に、挿入損失、反射減衰量および分離性能を
示すグラフである。
図９と同様に、挿入損失、反射減衰量および分離性能を
示すグラフである。
【図１１】典型的な単極八投マイクロストリップ・スイ
ッチのレイアウトを示す平面図である。
ッチのレイアウトを示す平面図である。
２０ Ｎ路放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・
スイッチ ２２〜３６ 入力スイッチ・アーム ３８ 出力スイッチ・アーム ４０ 放射状結合パッチ ４０，４２ Ｐ−ｉ−ｎダイオード ４１ Ｌ−Ｃ低域通過ネットワーク ４４ 入力マイクロストリップ伝送ライン ４６ 相互接続マイクロストリップ伝送ライン ４８ マイクロストリップ伝送ライン ６０ Ｎ路放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・
スイッチ ６２，６４，６６，６８，７０，７１，７２ 入力ス
イッチ・アーム ７４ 出力アーム ７８ ｐ−ｉ−ｎダイオード ８０ 相互接続マイクロストリップ伝送ライン ８４ パッチ ８６ 基板 ８８ 空洞
スイッチ ２２〜３６ 入力スイッチ・アーム ３８ 出力スイッチ・アーム ４０ 放射状結合パッチ ４０，４２ Ｐ−ｉ−ｎダイオード ４１ Ｌ−Ｃ低域通過ネットワーク ４４ 入力マイクロストリップ伝送ライン ４６ 相互接続マイクロストリップ伝送ライン ４８ マイクロストリップ伝送ライン ６０ Ｎ路放射状結合単極Ｎ投マイクロストリップ・
スイッチ ６２，６４，６６，６８，７０，７１，７２ 入力ス
イッチ・アーム ７４ 出力アーム ７８ ｐ−ｉ−ｎダイオード ８０ 相互接続マイクロストリップ伝送ライン ８４ パッチ ８６ 基板 ８８ 空洞
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アーロン・ケイ・オキ アメリカ合衆国カリフォルニア州90502, トランス，ケンウッド・アベニュー 22114
Claims (15)
- 【請求項１】 単極Ｎ投スイッチとして構成される放射
状結合マイクロストリップ・スイッチであって、 Ｎ個の入力信号を受け取るＮ個の入力スイッチ・アーム
と、 出力スイッチ・アームと、 前記Ｎ個の入力スイッチ・アームを選択的に前記出力ス
イッチ・アームに結合する放射状結合パッチであって、
その下に空気空洞を形成し、前記スイッチの分路容量を
減少させる放射状結合パッチと、を備えた放射状結合マ
イクロストリップ・スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロストリップ・ス
イッチにおいて、前記Ｎ個の入力スイッチ・アームの１
個以上が、第１のｐ−ｉ−ｎダイオードを含む、放射状
マイクロストリップ・スイッチ。 - 【請求項３】 請求項２記載のマイクロストリップ・ス
イッチにおいて、前記Ｎ個の入力スイッチ・アームの１
個以上が、前記第１のｐ−ｉ−ｎダイオードに直列に接
続された第２のｐ−ｉ−ｎダイオードを含む、放射状マ
イクロストリップ・スイッチ。 - 【請求項４】 請求項３記載のマイクロストリップ・ス
イッチにおいて、前記入力スイッチ・アームの１個以上
が、入力ポートを形成する、前記直列接続された第１お
よび第２のｐ−ｉ−ｎダイオードの一端に直列に結合さ
れた入力マイクロストリップ伝送ラインを含む、放射状
マイクロストリップ・スイッチ。 - 【請求項５】 請求項４記載のマイクロストリップ・ス
イッチにおいて、前記入力スイッチ・アームの１個以上
が、前記直列接続された第１および第２のｐ−ｉ−ｎダ
イオードの対向する端部と、前記放射状結合パッチとの
間に結合された、相互接続マイクロストリップ伝送ライ
ンを含む、放射状マイクロストリップ・スイッチ。 - 【請求項６】 請求項５記載のマイクロストリップ・ス
イッチにおいて、前記出力ポートが、前記放射状結合パ
ッチに接続されたマイクロストリップ伝送ラインによっ
て形成されている、放射状マイクロストリップ・スイッ
チ。 - 【請求項７】 マイクロストリップ・スイッチであっ
て、 半絶縁基板上に形成された１個以上の入力スイッチ・ア
ームと、 前記半絶縁基板上に形成された出力ポートと、 前記１個以上の入力アームと前記出力ポートとに電気的
に結合されたパッチと、 前記パッチの下に形成された空洞と、を備えたマイクロ
ストリップ・スイッチ。 - 【請求項８】 放射状結合マイクロストリップ・スイッ
チを形成するプロセスであって、 （ａ）基板を用意するステップと、 （ｂ）前記基板に対して空洞を形成するステップと、 （ｃ）前記基板上に、前記空洞に近接して１個以上の入
力スイッチ・アームを形成するステップと、 （ｄ）前記基板上に、前記空洞に近接して出力ポートを
形成するステップと、 （ｅ）前記空洞上に、前記１個以上の入力スイッチ・ア
ームと前記出力ポートとを接続するパッチを形成するス
テップと、を含むプロセス。 - 【請求項９】 請求項８記載のプロセスにおいて、１個
以上の前記入力スイッチ・アームが、１つ以上のｐ−ｉ
−ｎダイオードを含む、プロセス。 - 【請求項１０】 請求項９記載のプロセスにおいて、１
個以上の前記入力スイッチ・アームが、入力ポートを形
成する前記１つ以上のｐ−ｉ−ｎダイオードの１つに結
合された入力マイクロストリップ伝送ラインを含む、プ
ロセス。 - 【請求項１１】 請求項９記載のプロセスにおいて、１
個以上の前記入力アームが、前記１つ以上のｐ−ｉ−ｎ
ダイオードと前記パッチとの間に結合された相互接続マ
イクロストリップ伝送ラインを含む、プロセス。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のプロセスにおいて、
前記出力ポートが、マイクロストリップ伝送ラインで形
成されている、プロセス。 - 【請求項１３】 請求項８記載のプロセスにおいて、 （ａ）基板を機械的支持ウエハ上に取り付けるステップ
と、 （ｂ）第１のフォトレジストを前記基板に適用するステ
ップと、 （ｃ）除去すべき前記基板の領域を規定する第１のマス
クを用意するステップと、 （ｄ）前記第１のマスクを通じて前記第１のフォトレジ
ストを露光し、現像するステップと、 （ｅ）第２のフォトレジストを適用するステップと、 （ｆ）前記基板上に金属用領域を規定する第２のマスク
を形成するステップと、 （ｇ）前記第２のフォトレジストを露光し現像するステ
ップと、 （ｈ）前記基板の前記領域上に金属を蒸着するステップ
と、 （ｉ）前記第２のフォトレジストを現像し、前記空洞を
形成するステップと、によって前記空洞を形成する、プ
ロセス。 - 【請求項１４】 請求項８記載のプロセスにおいて、前
記基板の一部を除去することによって前記空洞を形成す
る、プロセス。 - 【請求項１５】 空気懸垂共面導波路の形成プロセスで
あって、 （ａ）基板を用意するステップと、 （ｂ）第１のフォトレジストを前記基板に適用するステ
ップと、 （ｃ）前記基板の除去すべき領域を規定する第１のマス
クを用意するステップと、 （ｄ）前記第１のマスクを通じて、前記第１のフォトレ
ジストを露光し現像するステップと、 （ｅ）第２のフォトレジストを適用するステップと、 （ｆ）前記基板上に金属のための領域を規定する第２の
マスクを形成するステップと、 （ｇ）前記第２のマスクを通じて、前記第２のフォトレ
ジストを露光し現像するステップと、 （ｈ）前記基板の前記領域上に金属を蒸着するステップ
と、 （ｉ）前記フォトレジストを現像し空洞を形成するステ
ップと、 （ｊ）前記基板上において、少なくとも部分的に前記空
洞の上に位置するように、共面導波路を形成するステッ
プと、を含むプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US003197 | 1993-01-11 | ||
| US09/003,197 US5986517A (en) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | Low-loss air suspended radially combined patch for N-way RF switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251802A true JPH11251802A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3472495B2 JP3472495B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=21704666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00139699A Expired - Fee Related JP3472495B2 (ja) | 1998-01-06 | 1999-01-06 | Ｎ路ｒｆスイッチ用低損失空中懸垂放射状結合パッチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5986517A (ja) |
| EP (1) | EP0929113B1 (ja) |
| JP (1) | JP3472495B2 (ja) |
| DE (1) | DE69837078T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526433A (ja) * | 2002-05-15 | 2005-09-02 | エイチアールエル ラボラトリーズ，エルエルシー | スイッチ配列及びその製造方法 |
| US8901703B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-12-02 | Nxp, B.V. | Electronic device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465367B1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Lossless co-planar wave guide in CMOS process |
| US6552371B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-04-22 | Teraburst Networks Inc. | Telecommunications switch array with thyristor addressing |
| US20090077871A1 (en) * | 2007-05-04 | 2009-03-26 | Alex Berg Gebert | Process for obtaining low and medium molecular weight Polyphenols and standardized solid fuel from tree wood or bark |
| CN103018927B (zh) * | 2012-12-24 | 2014-12-10 | 中国计量学院 | 八爪圆环结构的太赫兹波开关 |
| CN114142190B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-04-07 | 中北大学 | 一种王字型上电极式单刀双掷开关 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3223947A (en) * | 1963-09-11 | 1965-12-14 | Motorola Inc | Broadband single pole multi-throw diode switch with filter providing matched path between input and on port |
| BE756728A (fr) * | 1969-10-01 | 1971-03-01 | Western Electric Co | Commutateur a lignes a bandes pour haute frequence |
| FR2239820A1 (en) * | 1973-08-03 | 1975-02-28 | Trt Telecom Radio Electr | Broadband HF commutator with transistor and diode switches - is designed to reduce capacitance of commutated matched lines coupled to common output |
| US4127830A (en) * | 1977-05-26 | 1978-11-28 | Raytheon Company | Microstrip switch wherein diodes are formed in single semiconductor body |
| US4302734A (en) * | 1980-03-12 | 1981-11-24 | Nasa | Microwave switching power divider |
| US4525689A (en) * | 1983-12-05 | 1985-06-25 | Ford Aerospace & Communications Corporation | N×m stripline switch |
| US4673958A (en) | 1985-01-31 | 1987-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic microwave diodes |
-
1998
- 1998-01-06 US US09/003,197 patent/US5986517A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-30 EP EP98124818A patent/EP0929113B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-30 DE DE69837078T patent/DE69837078T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-06 JP JP00139699A patent/JP3472495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526433A (ja) * | 2002-05-15 | 2005-09-02 | エイチアールエル ラボラトリーズ，エルエルシー | スイッチ配列及びその製造方法 |
| US8901703B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-12-02 | Nxp, B.V. | Electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0929113B1 (en) | 2007-02-14 |
| US5986517A (en) | 1999-11-16 |
| JP3472495B2 (ja) | 2003-12-02 |
| EP0929113A2 (en) | 1999-07-14 |
| DE69837078D1 (de) | 2007-03-29 |
| EP0929113A3 (en) | 1999-07-28 |
| DE69837078T2 (de) | 2007-06-06 |
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