JPH11256313A - 化合物薄膜作成装置用プラズマ源 - Google Patents
化合物薄膜作成装置用プラズマ源Info
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- JPH11256313A JPH11256313A JP6169498A JP6169498A JPH11256313A JP H11256313 A JPH11256313 A JP H11256313A JP 6169498 A JP6169498 A JP 6169498A JP 6169498 A JP6169498 A JP 6169498A JP H11256313 A JPH11256313 A JP H11256313A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化合物薄膜作成装置の真空室内を大気に曝すこ
となくその内部をプラズマ源の圧力から独立して簡単に
制御できるプラズマ源を提供すること 【解決手段】真空室１に、成膜物質の蒸発源５と、該成
膜物質に反応する反応ガスのプラズマを噴出するプラズ
マ源６と、該反応ガスに反応した成膜物質の薄膜が形成
される基板４とを備えた薄膜作成装置に於いて、該プラ
ズマ源のプラズマ噴出口１１に、該噴出口の開口面積を
調節する調節手段１２を設け、プラズマ源の放電開始時
にその開口面積を狭めることによりプラズマ源が低真空
となっても真空室内の圧力を高真空に維持できる。該調
節手段を、作動軸１４により上記噴出口の前面に沿って
移動し且つ開口面積の異なる複数の開口１３を有するシ
ャッター１２ａで構成した。
となくその内部をプラズマ源の圧力から独立して簡単に
制御できるプラズマ源を提供すること 【解決手段】真空室１に、成膜物質の蒸発源５と、該成
膜物質に反応する反応ガスのプラズマを噴出するプラズ
マ源６と、該反応ガスに反応した成膜物質の薄膜が形成
される基板４とを備えた薄膜作成装置に於いて、該プラ
ズマ源のプラズマ噴出口１１に、該噴出口の開口面積を
調節する調節手段１２を設け、プラズマ源の放電開始時
にその開口面積を狭めることによりプラズマ源が低真空
となっても真空室内の圧力を高真空に維持できる。該調
節手段を、作動軸１４により上記噴出口の前面に沿って
移動し且つ開口面積の異なる複数の開口１３を有するシ
ャッター１２ａで構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物膜や窒化物
膜等の薄膜を作成する化合物薄膜作成装置に適用される
プラズマ源に関する。
膜等の薄膜を作成する化合物薄膜作成装置に適用される
プラズマ源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空排気された真空室に、固体の
金属からなる成膜物質を加熱して該真空室内へ蒸発させ
る蒸発源と、蒸発した該成膜物質に反応する酸素や窒素
の反応ガスを高周波などで励起することによりプラズマ
化して該真空室内へ噴出するプラズマ源と、該反応ガス
に反応した成膜物質の薄膜が形成される基板とを設けた
化合物薄膜作成装置が知られている。この装置では、該
基板に向けて成膜物質の蒸気を供給し、該基板上で反応
ガスのプラズマと反応させることにより酸化物等の薄膜
が形成される。
金属からなる成膜物質を加熱して該真空室内へ蒸発させ
る蒸発源と、蒸発した該成膜物質に反応する酸素や窒素
の反応ガスを高周波などで励起することによりプラズマ
化して該真空室内へ噴出するプラズマ源と、該反応ガス
に反応した成膜物質の薄膜が形成される基板とを設けた
化合物薄膜作成装置が知られている。この装置では、該
基板に向けて成膜物質の蒸気を供給し、該基板上で反応
ガスのプラズマと反応させることにより酸化物等の薄膜
が形成される。
【０００３】このプラズマ源の１例は図１に示す如くで
あり、金属製のシールド板ａで囲った絶縁体からなるル
ツボｂの下部に酸素や窒素ガスの反応ガスを導入するガ
ス導入口ｃを設け、該ルツボｂの周囲に設けた高周波コ
イルｄで該ルツボｂ内の反応ガスを励起してプラズマ化
し、そのプラズマをルツボ蓋ｅに形成した噴出口ｆから
真空室内の基板に向けて噴出する。該噴出口ｆの口径は
０．５〜２．５ｍｍ程度の小さなもので、真空室内が高
品質の薄膜を作成するために１０-6Torr以上の高真空に
保ったまま該ルツボｂ内の圧力を放電に必要な１０-2〜
１０-3Torrの低真空に維持できるようになっている。
あり、金属製のシールド板ａで囲った絶縁体からなるル
ツボｂの下部に酸素や窒素ガスの反応ガスを導入するガ
ス導入口ｃを設け、該ルツボｂの周囲に設けた高周波コ
イルｄで該ルツボｂ内の反応ガスを励起してプラズマ化
し、そのプラズマをルツボ蓋ｅに形成した噴出口ｆから
真空室内の基板に向けて噴出する。該噴出口ｆの口径は
０．５〜２．５ｍｍ程度の小さなもので、真空室内が高
品質の薄膜を作成するために１０-6Torr以上の高真空に
保ったまま該ルツボｂ内の圧力を放電に必要な１０-2〜
１０-3Torrの低真空に維持できるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のプラズマ源
では、噴出口ｆはルツボ蓋ｅに設けられており、プラズ
マ源を薄膜作成装置に一旦取り付けてしまうと噴出口ｆ
の口径すなわち開口面積を変更することができなかっ
た。プラズマ源では、プラズマ放電開始時に通常の放電
時よりもルツボ内の圧力を１０-1〜１０-2Torr程度に高
くする必要があり、これに伴って真空室内の圧力が１０
-3〜１０-4Torrにまで高まってしまい、高真空中で清浄
であった基板が再び汚染されて高品質薄膜の作成を行え
なくなる不都合があった。また、該噴出口ｆの口径が一
定であるため、ルツボｂ内の圧力と真空室内の圧力が一
義的に決まってしまい、例えばプラズマの状態すなわち
ルツボｂ内の圧力を一定に維持したまま真空室内の圧力
を制御するというような、真空室内の圧力パラメータを
大きく変えての薄膜作成は不可能であった。真空室内の
圧力をルツボ内の圧力から独立して調整するには、真空
室内を大気に曝し、プラズマ源のルツボ蓋ｅをルツボｂ
から取り外して噴出口ｆの面積が異なるものに交換しな
ければならず、交換作業が煩わしく装置の運転効率が悪
くなる欠点があった。
では、噴出口ｆはルツボ蓋ｅに設けられており、プラズ
マ源を薄膜作成装置に一旦取り付けてしまうと噴出口ｆ
の口径すなわち開口面積を変更することができなかっ
た。プラズマ源では、プラズマ放電開始時に通常の放電
時よりもルツボ内の圧力を１０-1〜１０-2Torr程度に高
くする必要があり、これに伴って真空室内の圧力が１０
-3〜１０-4Torrにまで高まってしまい、高真空中で清浄
であった基板が再び汚染されて高品質薄膜の作成を行え
なくなる不都合があった。また、該噴出口ｆの口径が一
定であるため、ルツボｂ内の圧力と真空室内の圧力が一
義的に決まってしまい、例えばプラズマの状態すなわち
ルツボｂ内の圧力を一定に維持したまま真空室内の圧力
を制御するというような、真空室内の圧力パラメータを
大きく変えての薄膜作成は不可能であった。真空室内の
圧力をルツボ内の圧力から独立して調整するには、真空
室内を大気に曝し、プラズマ源のルツボ蓋ｅをルツボｂ
から取り外して噴出口ｆの面積が異なるものに交換しな
ければならず、交換作業が煩わしく装置の運転効率が悪
くなる欠点があった。
【０００５】本発明は、化合物薄膜作成装置の真空室内
を大気に曝すことなくその内部をプラズマ源の圧力から
独立して簡単に制御できるプラズマ源を提供することを
目的とするものである。
を大気に曝すことなくその内部をプラズマ源の圧力から
独立して簡単に制御できるプラズマ源を提供することを
目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空室に、
成膜物質の蒸発源と、該成膜物質に反応する反応ガスの
プラズマを噴出するプラズマ源と、該反応ガスに反応し
た成膜物質の薄膜が形成される基板とを備えた薄膜作成
装置に於いて、該プラズマ源のプラズマ噴出口に、該噴
出口の開口面積を調節する調節手段を設けることによ
り、上記の目的を達成するようにした。該調節手段を、
作動軸により該噴出口の前面に沿って移動し且つ開口面
積の異なる複数の開口を有するシャッターで構成するこ
とが、製作性と耐久性の点から有利である。
成膜物質の蒸発源と、該成膜物質に反応する反応ガスの
プラズマを噴出するプラズマ源と、該反応ガスに反応し
た成膜物質の薄膜が形成される基板とを備えた薄膜作成
装置に於いて、該プラズマ源のプラズマ噴出口に、該噴
出口の開口面積を調節する調節手段を設けることによ
り、上記の目的を達成するようにした。該調節手段を、
作動軸により該噴出口の前面に沿って移動し且つ開口面
積の異なる複数の開口を有するシャッターで構成するこ
とが、製作性と耐久性の点から有利である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き説明すると、図２に於いて符号１は真空ポンプに連な
る真空排気口２を有する真空室、３は該真空室１内に設
けた基板ホルダーを示し、該基板ホルダー３に板面を下
方に向けて着脱自在に保持した基板４に成膜物質の蒸気
及び反応ガスのプラズマが到達するように蒸発源５とプ
ラズマ源６とを該真空室１に取り付けした。該蒸発源５
はその内部に加熱される容器を備えた公知のもので、該
容器に収容した固体の金属を加熱することにより発生す
る蒸気を該基板４に向けて蒸発させ、該基板４の板面に
蒸着させて薄膜が形成される。この蒸着の際に該プラズ
マ源６から酸素や窒素などの反応性ガスのプラズマを該
基板４に向けて噴出させると、基板４に蒸着した薄膜が
酸化や窒化反応し、酸化物膜や窒化物膜となる。
き説明すると、図２に於いて符号１は真空ポンプに連な
る真空排気口２を有する真空室、３は該真空室１内に設
けた基板ホルダーを示し、該基板ホルダー３に板面を下
方に向けて着脱自在に保持した基板４に成膜物質の蒸気
及び反応ガスのプラズマが到達するように蒸発源５とプ
ラズマ源６とを該真空室１に取り付けした。該蒸発源５
はその内部に加熱される容器を備えた公知のもので、該
容器に収容した固体の金属を加熱することにより発生す
る蒸気を該基板４に向けて蒸発させ、該基板４の板面に
蒸着させて薄膜が形成される。この蒸着の際に該プラズ
マ源６から酸素や窒素などの反応性ガスのプラズマを該
基板４に向けて噴出させると、基板４に蒸着した薄膜が
酸化や窒化反応し、酸化物膜や窒化物膜となる。
【０００８】該プラズマ源６は、例えば図３に見られる
ように、下部に酸素や窒素ガスの反応ガスを導入するガ
ス導入口８を設け、その上部をルツボ蓋１０で閉鎖した
絶縁体製のルツボ７の周囲に高周波コイル９を設けて構
成され、該ルツボ７の内部の反応ガスが高周波コイル９
により励起されてプラズマ化し、該ルツボ蓋１０に形成
したプラズマ噴出口１１から該基板４に向けて噴出する
もので、この構成は従来のものと略同様であるが、前記
したように該プラズマ源６の圧力を放電開始時に上げる
ことにより基板４が汚染される不都合を解消するため、
該プラズマ源６の該噴出口１１にその開口面積を調節す
る調節手段１２を設けるようにした。
ように、下部に酸素や窒素ガスの反応ガスを導入するガ
ス導入口８を設け、その上部をルツボ蓋１０で閉鎖した
絶縁体製のルツボ７の周囲に高周波コイル９を設けて構
成され、該ルツボ７の内部の反応ガスが高周波コイル９
により励起されてプラズマ化し、該ルツボ蓋１０に形成
したプラズマ噴出口１１から該基板４に向けて噴出する
もので、この構成は従来のものと略同様であるが、前記
したように該プラズマ源６の圧力を放電開始時に上げる
ことにより基板４が汚染される不都合を解消するため、
該プラズマ源６の該噴出口１１にその開口面積を調節す
る調節手段１２を設けるようにした。
【０００９】該調節手段１２は、例えば図４に示したよ
うに、３個の面積の異なる開口１３を形成したシャッタ
ー１２ａをルツボ蓋１０の前面に沿って作動軸１４によ
り移動自在に構成され、該作動軸１４を真空室１の外部
から直接或いは間接的に旋回することにより該噴出口１
１の開口面積が各開口１３の面積に制御される。この場
合、各開口１３は該噴出口１１よりも小さい面積に形成
される。尚、該シャッター１２ａを開口のない板で構成
し、該作動軸１４を旋回したとき該板の側縁で噴出口１
１を次第に塞ぐ可変絞りの構成としても良い。
うに、３個の面積の異なる開口１３を形成したシャッタ
ー１２ａをルツボ蓋１０の前面に沿って作動軸１４によ
り移動自在に構成され、該作動軸１４を真空室１の外部
から直接或いは間接的に旋回することにより該噴出口１
１の開口面積が各開口１３の面積に制御される。この場
合、各開口１３は該噴出口１１よりも小さい面積に形成
される。尚、該シャッター１２ａを開口のない板で構成
し、該作動軸１４を旋回したとき該板の側縁で噴出口１
１を次第に塞ぐ可変絞りの構成としても良い。
【００１０】該噴出口１１の口径が２ｍｍの場合、該シ
ャッター１２ａに直径１ｍｍ、０．５ｍｍ、０．２ｍｍ
の丸穴が形成され、該真空室１内が１０-6Torr台の高真
空であっても該噴出口よりも面積の小さい０．５ｍｍの
開口１３で該噴出口１１を塞いでおくことにより、放電
開始のときに該ルツボ７内を１０-2〜１０-3Torrの低真
空としても該真空室内の高真空が維持され、基板４を汚
染することなくこれに化合物薄膜を作成することができ
た。尚、放電開始に先立ち、蒸発源５を作動させて成膜
物質の蒸気が該真空室内に導入される。
ャッター１２ａに直径１ｍｍ、０．５ｍｍ、０．２ｍｍ
の丸穴が形成され、該真空室１内が１０-6Torr台の高真
空であっても該噴出口よりも面積の小さい０．５ｍｍの
開口１３で該噴出口１１を塞いでおくことにより、放電
開始のときに該ルツボ７内を１０-2〜１０-3Torrの低真
空としても該真空室内の高真空が維持され、基板４を汚
染することなくこれに化合物薄膜を作成することができ
た。尚、放電開始に先立ち、蒸発源５を作動させて成膜
物質の蒸気が該真空室内に導入される。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、化合
物薄膜を作成する装置のプラズマ源のプラズマ噴出口に
その開口面積を調節する調節手段を設けたので、真空室
内を大気に曝すことなくプラズマ噴出口の面積を変更で
き、該プラズマ源を放電開始のために低真空としても真
空室内を高真空に維持できて該真空室内の基板が汚染さ
れることがなくなり、開口面積は比較的簡単に調整でき
る等の効果があり、請求項２の構成とすることにより簡
単安価にその調節手段を製作できる効果がある。
物薄膜を作成する装置のプラズマ源のプラズマ噴出口に
その開口面積を調節する調節手段を設けたので、真空室
内を大気に曝すことなくプラズマ噴出口の面積を変更で
き、該プラズマ源を放電開始のために低真空としても真
空室内を高真空に維持できて該真空室内の基板が汚染さ
れることがなくなり、開口面積は比較的簡単に調整でき
る等の効果があり、請求項２の構成とすることにより簡
単安価にその調節手段を製作できる効果がある。
【図１】従来の化合物薄膜作成装置に設けられたプラズ
マ源の側面図
マ源の側面図
【図２】本発明の実施の形態を示す一部截断側面図
【図３】図２のプラズマ源の要部の一部截断拡大断面図
【図４】図３のルツボ蓋の平面図
１ 真空室、２ 真空排気口、４ 基板、５ 蒸発源、
６ プラズマ源、８ ガス導入口、９ 高周波コイル、
１０ ルツボ蓋、１１ プラズマ噴出口、１２調節手
段、１２ａ シャッター、１３ 開口、１４ 作動軸、
６ プラズマ源、８ ガス導入口、９ 高周波コイル、
１０ ルツボ蓋、１１ プラズマ噴出口、１２調節手
段、１２ａ シャッター、１３ 開口、１４ 作動軸、
Claims (2)
- 【請求項１】真空室に、成膜物質の蒸発源と、該成膜物
質に反応する反応ガスのプラズマを噴出するプラズマ源
と、該反応ガスに反応した成膜物質の薄膜が形成される
基板とを備えた薄膜作成装置に於いて、該プラズマ源の
プラズマ噴出口に、該噴出口の開口面積を調節する調節
手段を設けたことを特徴とする化合物薄膜作成装置用プ
ラズマ源。 - 【請求項２】上記調節手段を、作動軸により上記噴出口
の前面に沿って移動し且つ開口面積の異なる複数の開口
を有するシャッターで構成したことを特徴とする請求項
１に記載の化合物薄膜作成装置用プラズマ源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06169498A JP4003851B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 薄膜作成装置およびそのプラズマ源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06169498A JP4003851B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 薄膜作成装置およびそのプラズマ源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11256313A true JPH11256313A (ja) | 1999-09-21 |
| JP4003851B2 JP4003851B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=13178626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06169498A Expired - Lifetime JP4003851B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 薄膜作成装置およびそのプラズマ源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4003851B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013133460A1 (ko) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 패턴 형성이 가능한 증착장치 |
| KR101325481B1 (ko) * | 2011-02-18 | 2013-11-07 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 패턴 형성이 가능한 증착장치 |
| TWI452158B (zh) * | 2012-03-06 | 2014-09-11 | Snu Precision Co Ltd | 用於製作圖樣之蒸鍍裝置 |
| CN104955979A (zh) * | 2013-01-29 | 2015-09-30 | 韩国基础科学支援研究院 | 等离子体辅助物理气相沉积源 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3401718A4 (en) | 2016-01-06 | 2019-09-04 | Olympus Corporation | OPTICAL LENS SYSTEM |
| JP6266189B1 (ja) | 2016-05-16 | 2018-01-24 | オリンパス株式会社 | 対物光学系 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP06169498A patent/JP4003851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101325481B1 (ko) * | 2011-02-18 | 2013-11-07 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 패턴 형성이 가능한 증착장치 |
| WO2013133460A1 (ko) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 패턴 형성이 가능한 증착장치 |
| TWI452158B (zh) * | 2012-03-06 | 2014-09-11 | Snu Precision Co Ltd | 用於製作圖樣之蒸鍍裝置 |
| CN104220633A (zh) * | 2012-03-06 | 2014-12-17 | Snu精度株式会社 | 能够形成图案的沉积装置 |
| CN104220633B (zh) * | 2012-03-06 | 2016-04-06 | Snu精度株式会社 | 能够形成图案的沉积装置 |
| CN104955979A (zh) * | 2013-01-29 | 2015-09-30 | 韩国基础科学支援研究院 | 等离子体辅助物理气相沉积源 |
| JP2016511791A (ja) * | 2013-01-29 | 2016-04-21 | コリア ベーシック サイエンス インスティテュート | プラズマ補助物理気相蒸着源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4003851B2 (ja) | 2007-11-07 |
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