JPH11260593A

JPH11260593A - プラズマ生成装置

Info

Publication number: JPH11260593A
Application number: JP11006950A
Authority: JP
Inventors: Michael Liehr; リーアミヒャエル
Original assignee: Leybold Systems GmbH
Current assignee: Leybold Systems GmbH
Priority date: 1998-01-16
Filing date: 1999-01-13
Publication date: 1999-09-24
Anticipated expiration: 2019-01-13
Also published as: DE19801366B4; JP4092027B2; US6161501A; DE19801366A1

Abstract

(57)【要約】【課題】２つの機能動作基本手法に基づいて、関連す
る種類の特に能率的なプラズマ生成装置を提供するこ
と。【課題の解決手段】棒状導体（７）の1つ又は２つの
端部が夫夫外部導体（２０、２１）により包囲されてお
り、該外部導体は、夫夫、源（１８、１９）から真空室
（９）のそれぞれの内壁面のところまで延在しており、
壁貫通部の領域にて、夫夫バイパス迂回路導体（１３）
を形成する分岐が設けられており、バイパス迂回路導体
（２３、２４）には、第２の棒状の導体（２６）が連
結、接続されており、バイパス迂回路導体の長さは、λ
／２であるように構成されていること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、交番電磁界を用い
て真空室内にプラズマを生成する装置であって、棒状導
体が絶縁材料から成る管内で真空室中に延在しており、
絶縁管の内径は、棒状導体の直径より大であり、ここ
で、絶縁管は、少なくとも一端にて真空室の壁に保持さ
れており、当該真空室に対してそれの外面にてシールさ
れており、棒状導体は少なくとも１つの端部を以て交番
電磁界の生成のため源に接続されている当該のプラズマ
生成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】公知のプラズマ発生装置（ＤＥ１９５０
３２０５）により、限られた作動領域（プロセス領域、
ガス圧、マイクロ波出力エネルギ）において、表面処理
及び被膜技術のためプラズマを発生することができる。
公知装置は実質的に真空プロセス室内に設置されたガラ
ス管と、その中に設けられた伝導性の金属性管とから成
り、ここでガラス管内に大気圧が支配する。マイクロ波
出力エネルギは、両側にて、内部導体と外部導体とから
なる２つの金属性同軸導体及び２つの給電部を介して、
真空プロセス室の壁を介して導入される。真空プロセス
室内部での同軸導体において欠如している外部導体は、
プラズマ放電により代替されるものであり、該プラズマ
放電は、十分な点弧条件（ガス圧）のもとで、マイクロ
波出力エネルギにより点弧され、維持される。ここで、
マイクロ波出力エネルギは、両金属性同軸導体から出
て、ガラス管を通って真空プロセス室内に入る。プラズ
マは、円筒シリンダ状のガラス管を外部から包囲し、そ
して、内部導体と共に、著しく高い減衰極被覆部を有す
る１つの同軸導体を形成する。両側にて給電入力される
定在的ないし位置固定的マイクロ波出力エネルギのもと
で、真空プロセス室のガス圧を次のように調整セッティ
ングできる、即ち、真空プロセス室内で同軸導体の外部
導体が欠除しているそのところ、個所でプラズマが明ら
かに均一に、生成されるように、真空プロセス室のガス
圧を調整セッティングできる。

【０００３】更に、マイクロ波励振を用いて処理室内で
プラズマを局所的に生成するための装置が公知であり
（ＤＥ４１３６２９７）、該公知装置は、壁内に組込可
能なフランジ、又は壁自体により、内部部分と外部部分
とに細分化されている。ここで外部部分にはマイクロ波
生成装置が設けられており、該マイクロ波生成装置から
のマイクロ波は、マイクロ波入力結合装置を介して内部
部分内に導入される。ここで、マイクロ波入力結合装置
は、フランジを貫いている、絶縁材料から成る外部ガイ
ド中空導体ないし導波路を有し、該外部ガイド中空導体
ないし導波路中には、金属から成る内部導体が延びてお
り、ここで、マイクロ波がマイクロ波生成装置により内
部導体内へ入力結合される。

【０００４】本発明は、高周波電磁波（殊にマイクロ
波）で加熱される大面積に亘る技術上のプラズマを表面
の被覆又は処理のため生成することを基礎とする。

【０００５】基本的に、プラズマプロセスシステムを２
つのクラスに分けることができる：共振形及び非共振形
システムに分けることができ、当該の両システムは、一
般に内在的、固有の相補的利点及び欠点を有する。ここ
で、前記プラズマプロセスシステムのプラズマは高周波
電磁波で生成され、維持され、プラズマプロセスシステ
ムに対して成立つこところによれば、高周波電磁波の波
長が、プラズマ放電容器の直線的寸法とほぼ同じ大きさ
である。

【０００６】１．共振形システム利点：定在波の形成により、交番電界は、同じ出力エネ
ルギの連続波ないし進行波の２倍の値のところまでの振
幅増大を受ける。このことにより、プラズマにおける屡
々所望されるプラズマ密度の増大、そして、それに伴う
プラズマプロセスの速度増大が生ぜしめられる。つま
り、理想的ケースでは入力給電される同じ電磁出力エネ
ルギのもとで、非共振形システムに比しての、共振形シ
ステムの能率の倍加を意味する。

【０００７】欠点：定在波の形成には、局所的なプラズ
マプロセス均一性の、一般的に不都合な、時間的に安定
した変動（半波長）が伴う。殊に、基本共振又は第１高
調波のうちの１つを利用しようとする場合、構造への送
信機の同調整合には、大した少なからざる技術的コスト
が必要とされる。

【０００８】２．非共振形システム利点：連続波ないし進行波を以てのシステムの使用では
プラズマプロセス均一性における何等の周期的変動が生
じない。それというのは、理想的ケースにおいて、定在
波フィールドが形成されないからである。共振形同調整
合のため技術的コストは省かれる。

【０００９】欠点：プラズマプロセスの効率にとって重
要な交番電界の電界強度は、就中、プリセットされた値
を越えて増大させることができない。最適の出力エネル
ギ吸収により、定在波フィールドが生じ得ないことを保
証しなければならない。

【００１０】一般に、技術的解決手段にて両動作基本手
法の利点を、それに伴う欠点の回避下で、1つの技術的
手段で統合化する要請が存する。

【００１１】当該の問題が一般的に解決可能であるとい
うことではなく、幾つかの特殊ケースで解決可能である
ということは、対象の相補的性質に存する。高周波交番
電磁界で作動されるプラズマ源の基本的動作機能には、
所期の解決手段は一般に、決定的ではない、それという
のは、その種の今日のプラズマ源は、夫夫両基本手法の
うちの１つに基づくからである。両基本手法の所期の理
想的組合せは、新規な技術的解決手段を創出するもので
なく、所定の場合において、高周波送信機からプラズマ
源へ送出される出力エネルギの利用を改善し、付加的
に、大面積での適用例におけるプラズマ密度及び−温度
の著しい増大を招来する。

【００１２】本発明は、それの高周波出力ないし電力−
及びそれの出力エネルギ−伝達構造をプラズマについて
導体波の基本手法に整合対応させ得るプラズマ源に関す
る。前記波は、一般的に波伝搬方向に無視可能なわずか
な電気成分又は磁気成分を有する、要するに、近似的に
横方向の電磁波（ＴＥＭ）である（本発明は、横方向電
気的又は磁気的中空導体波（ＴＥ又はＴＭ）の手法に基
づく導波構造に関するものでない。）。

【００１３】プレーナ、平面形プラズマ源−それの動作
法はドイツ特許ＤＥ１９５０３２０５及び／又はドイツ
特許出願公開ＤＥ４１３６２９７に基づく−は、使用上
既に実効のあることが証明されており、そして、生産シ
ステムにて使用するのに著しく推奨される特性を呈す
る。プラズマ放電へ高周波出力エネルギを転用するため
の規準的導波構造は当該のプラズマ源では複数の並列的
に配置された同軸導体から成り、前記同軸導体の内部導
体は、導電性材料（金属）から成り、同軸導体の外部導
体はシリンダ状に形成されたプラズマから成る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の基礎を成す課
題とするところは、２つの上述の機能動作基本手法に基
づいて、当該の種類の特に能率的な装置を提供すること
にある。

【００１５】

【課題解決のための手段】前記課題は次のようにして解
決される、即ち、棒状導体はそれの自由端部の方に向か
った方向で外部導体により取り囲まれており、前記外部
導体は、少なくとも源から真空室の内壁面のところまで
延在しており、ここで、壁貫通部と源との間の領域に
て、前記源に接続された棒状導体及び該棒状導体を包囲
する外部導体には、バイパス迂回路導体を形成する分岐
が設けられており、ここで前記バイパス迂回路導体に
は、第２の棒状の導体が接続されており、前記の第２の
棒状の導体は、第２の絶縁管によって取り囲まれてお
り、第１の絶縁管に並行、平行に真空室内に延在してお
り、ここで、各バイパス迂回路導体の長さは、λ／２で
あるように構成されているのである。

【００１６】本発明の有利な実施形態は、絶縁管は、両
端にて、真空室の壁内に保持されており、当該真空室に
対してそれの外面にてシールされており、ここで、棒状
導体の両端が、それぞれ、交番電磁界の生成のための源
に接続されている、プラズマ生成装置に関するものであ
り、該プラズマ生成装置おいて、次のことを特徴とする
ものである、即ち、棒状導体の各両端が外部導体により
包囲されており、前記外部導体は、夫夫、源から真空室
のそれぞれの内壁面のところまで延在しており、ここ
で、壁貫通部の領域にて、前記源に接続された棒状導体
及び該棒状導体を包囲する両外部導体には、夫夫バイパ
ス迂回路導体を形成する分岐が設けられており、ここで
前記バイパス迂回路導体には、第２の棒状の導体が接続
されており、前記の第２の棒状の導体は、第２の絶縁管
によって取り囲まれており、第１の絶縁管に並行、平行
に真空室を貫通して延在しており、ここで、バイパス迂
回路導体の長さは、λ／２であるように構成されている
のである。

【００１７】さらなる構成要件及び詳細は、各請求項に
記載されている。

【００１８】本発明では、種々様々の実施形態が可能で
ある；その幾つかを図示してある。

【００１９】本発明は、近似的にパラレル配向での少な
くとも２つの装置構成部の配置構成を可能にし、前記の
少なくとも２つの装置は相互に時間的に固定した位相関
係にある同じ周波数の高周波出力エネルギの給電を受け
る、このことは２つの形式で、達成できる、即ち、各装
置構成部を同じ周波数の個別の、但し、位相結合された
高周波送信機を作動するか、又は当該各装置構成部を単
一の高周波送信機により給電し、前記高周波送信機の全
出力エネルギを複数の出力エネルギ分割器を介して当該
各装置構成部に同位相で分配するのである。ここで、後
者の手法は特にコスト上有利である。ＤＥ１９５０３２
０５による装置に関する限り、高周波波動の固定位相的
入力給電の要求は、唯そのつど少なくとも２つの装置構
成部（パラレル配置）の一方の側にのみ係わるが、但し
両側で入力給電される逆方向に進む波動（逆並列アンテ
ィパラレル）には係わらない。

【００２０】同周波数の固定位相の高周波出力で２つの
パラレル並行に配置された２つの装置構成部が作動さ
れ、そして、位相角２＊ｎ＊π（ここでｎ＝０，１，
２...），要するに“同位相”である場合、図１に示す
ように、或1つの固定時点で横断面における波動の電界
の分布が生じる。最大の電圧値はＶであり、装置内又は
装置外のいずれかの点に関するものである。但し、２重
装置が同周波数で固定位相の高周波出力で作動され、位
相角が（２＊ｎ＋１）＊π（但しｎ＝０，１，
２...），即ち“逆相”である場合、図１ｂに示すよう
に横断面にて１つＴの固定時点での波の電界の分布が得
られる。最大の電圧値は、両導体間で２＊Ｖ，要するに
第１の場合の２倍の値であり流。この事情は、装置構成
部が定在波又は進行波、連続波で作動されるかに無関係
に成立つ。

【００２１】プラズマ放電の生成、維持及び強度にとっ
て、電圧の増大は著しく重要である。一方では、電圧の
増大により、プラズマ源の作動ガス圧領域を拡大でき、
他方ではプラズマ源において所定の動作条件のもとでの
所要の高周波出力エネルギを低減できる。

【００２２】

【実施例】次に本発明を実施例に即して説明する。

【００２３】プラズマ源の特に重要な実施形態−これは
１つの共通の平面内に並行にパラレルに配置された複数
の装置構成部から成る−では、電圧増大を、図２に示す
ような手法で達成できる。全く略示する装置構成部は、
本実施例では、それに同軸的に延在する棒状導体４，１
５を有する２つの絶縁管５，１４−これは真空室３内に
突入していて圧力密に室璧６に取り付けられている−発
生器８と内壁６と間に設けられた、棒状導体４を包囲す
る外部導体−これは金属管又は金属ホースの形態で構成
されている−及び分岐ないしバイパス迂回路導体１３−
それの一方の分岐はλ／２の長さを有する−から成る。
電圧増大の基礎を成すのは、同軸構成形態の所謂ＢＡＬ
ＵＮトランス変換器である。ＢＡＬＵＮ（英語表現ＢＡ
Ｌａｎｃｅｄ−ＵＮｂａｌａｎｃｅｄ）は、非対称、非
平衡の出力エネルギを対称、平衡出力エネルギに変換す
る構成部分である（Ｚｉｎｋｅ，Ｏ．，Ｂｒｕｎｓｗｉ
ｇ，Ｈ．：ＬｅｈｒｂｕｃｈｄｅｒＨｏｃｈｆｒｅ
ｑｕｅｎｚｔｅｃｈｎｉｋ，Ｂａｎｄ１，Ｓｐｒｉｎ
ｇｅｒＶｅｒｌａｇ，１９７３，第１００−１１１頁
及びＪｏｈｎｓｏｎ，ＲｉｃｈａｒｄＣ．：Ａｎｔｅ
ｎｎａＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＨａｎｄｂｏｏｋ，
３ｒｄＥｄｉｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗＨｉｌｌＶ
ｅｒｌａｇ，１９９３，第４３−２３〜４３−２７
頁．）。

【００２４】電流に対するピーク値Ｉ及び電圧Ｖで表さ
れる出力エネルギ、電力は、各２重装置に対して、非対
称、不平衡線路、内部導体とアース電位におかれる外部
導体とから成る同軸導体を介して供給され、そして、Ｔ
分岐での点Ｐ1にて比１：１で分割される。最大電圧
は、Ｖに等しく、電流は２重装置の内部導体にてそれぞ
れ値Ｉ／２を有する。

【００２５】本実施例における重要な特徴事項、構成要
件はλ／２移相器、要するに、特別な実施例では、点Ｐ
１とＰ２との間の同軸導体部分であり、該同軸導体部分
は、一方の分岐区分の波は、他方の分岐区分の波と対向
して進まなければならず、設計周波数における波長のほ
ぼ半分又は半分に等しくなるべきである。両分岐区分の
位相波面がそれぞれ同時に点Ｐ1にてスタートするので
分岐区分の同軸導体の外部導体の除去の際、要するに、
両内部導体相互間の直接的相互作用の場合、例えば、個
所Ｐ3−Ｐ4（装置の長手軸線に対して垂直方向の連結
線）にて、波相互間の位相ずれが半波（電流相互間の相
対的に逆の流れ方向）分だけ生じ、その結果両導体間の
電圧は（＋Ｖ〜−Ｖ，参照図１右方）２＊Ｖとなる。一
方の分岐区分の波が”遅延”を受けないとすれば、両分
岐区分の波は、同相となることとなり（＋Ｖ〜＋Ｖ図１
左方参照）、そして、電圧増大は達せられないこととな
る。

【００２６】両分岐区分間の所要の位相ずれを分岐区分
のうちの１つにおける誘電的に負荷される導体により、
又は他の適当な手段により達成することもできる。

【００２７】図３に示す実施形態が図２の実施形態と相
違する点は、２つの棒状導体７，２６が完全に真空室９
を貫通しており、ここで導体７，２６を包囲する絶縁管
１６，２５は、それぞれ２つの端部を以て相対向する内
壁２２，２２ａに連結されていることである。ここで発
生器１８ないし１９と真空室９の内壁２２，２２ａとの
間で導体セクションにてそれぞれ分岐が設けられてお
り、これは、第２の導体２６への所要バイパス迂回路導
体２３，２６を形成する。前記分岐には図２に示す構成
に相応して、外部導体２０，２１が設けられ、該外部導
体２０，２１は、それぞれ発生器１８，１９からそれぞ
れの室内璧２２，２２ａまで延在する。

【００２８】図４は1つの高周波送信機にて４つの装置
構成部で作動の場合各２つの２重装置間で電圧増大を達
成できる実施例を示す。

【００２９】定在波が装置に沿って形成され得る（殊に
波長がプラズマ放電容器の寸法より遙かに小さい場合、
例えばマイクロ波）ように当該装置が作動される場合、
電圧を同相波で励振される多重装置に比して４倍の値に
高めることができる。

【００３０】以下、本発明を主要な構成要件について要
約的に説明すると、次の通りである。

【００３１】交番電磁界を用いて真空室９内にプラズマ
を生成する装置において、少なくとも１つの棒状導体７
が設けられており、該少なくとも１つの棒状導体７は、
絶縁材料から成る管１６内で真空室９を貫通しており、
絶縁管１６の内径は、棒状導体７の直径より大であり、
ここで、絶縁管１６は、それの、相互に相対向配置され
た端部を以て、真空室９の壁１７、１７ａ内に保持され
ており、当該真空室に対してそれの外面にてシールされ
ており、ここで、棒状導体７の両端が、それぞれ、交番
電磁界の生成のための源１８，１９に接続されている。
当該のプラズマ生成装置において、棒状導体７の１つ又
は２つの端部が夫夫外部導体２０、２１により包囲され
ており、前記外部導体２０、２１は、夫夫、源１８、１
９から真空室９のそれぞれの内壁面２２，２２ａのとこ
ろまで延在しており、ここで、壁貫通部の領域にて、前
記源１８、１９に接続された棒状導体７及び該棒状導体
を包囲する両外部導体２０、２１には、夫夫バイパス迂
回路導体２３、２４を形成する分岐が設けられており、
ここで前記バイパス迂回路導体２３、２４には、第２の
棒状の導体２６が連結、接続されており、前記の第２の
棒状の導体２６は、第２の絶縁管２５によって取り囲ま
れており、第１の絶縁管１６に並行、平行に真空室９を
貫通して、延在しており、ないし、真空室９内に突入し
ており、ここで、バイパス迂回路導体の長さは、λ／２
であるように構成されていることを特徴とするのであ
る。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、２つの機能動作基本手
法に基づいて、関連する種類の特に能率的な装置を実現
することができるという効果が奏される。

【図面の簡単な説明】

【図１】絶縁管により包囲された棒状の導体対の２つの
配置構成、即ち、同相及び逆相の作動の場合の配置構成
における電界の様子を示す概念図である。

【図２】１つの発生器、１つの分岐、包囲する石英管付
きの真空室内に突入する棒状導体を有する、真空室内に
プラズマを生成する装置の概念図である。

【図３】２つの発生器、２つの分岐及び包囲する石英管
付の壁から壁まで延在する２つの導体を有する、プラズ
マ生成装置の概念図である。

【図４】各２つの２重装置間での電圧増大のための分岐
ユニットの概念図である。

【符号の説明】

３真空室４棒状導体５絶縁管６室璧６ａ内璧面７棒状導体８源、発生器９真空室１０壁貫通部１１自由端１２外部導体１３バイパス、迂回路導体１４絶縁管１５棒状導体１６絶縁管１７壁１７ａ壁１８発生器１９発生器２０外部導体２１外部導体２２内壁２２ａ内壁２３バイパス、迂回路導体２４バイパス、迂回路導体２５絶縁管２６棒状導体Ｐ1 点Ｐ2 点Ｐ3 点Ｐ4 点Ｖ両導体間の電圧

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】交番電磁界を用いて真空室（３）内にプ
ラズマを生成する装置であって、棒状導体（４）が絶縁
材料から成る管（５）内で真空室（３）中に延在してお
り、絶縁管（５）の内径は、棒状導体（４）の直径より
大であり、ここで、絶縁管（５）は、一端にて真空室
（３）の壁（６）に保持されており、当該真空室に対し
てそれの外面にてシールされており、棒状導体（４）は
真空室（３）と離反したほうの側の端部を以て交番電磁
界の生成のための源（８）に接続されている当該のプラ
ズマ生成装置において、棒状導体（４）はそれの自由端部（１１）の方に向かっ
た方向で外部導体（１２）により取り囲まれており、前
記外部導体（１２）は、少なくとも源（８）から真空室
（３）の内壁面（６ａ）のところまで延在しており、こ
こで、壁貫通部（１０）と源（８）との間の領域にて、
前記源（８）に接続された棒状導体（４）及び該棒状導
体を包囲する外部導体には、バイパス迂回路導体（１
３）を形成する分岐が設けられており、ここで、前記バ
イパス迂回路導体（１３）には、第２の棒状の導体（１
５）が連結、接続されており、前記の第２の棒状の導体
（１５）は、第２の絶縁管（１４）によって取り囲まれ
ており、第１の絶縁管（５）に並行、平行に真空室
（３）内に延在しており、ここで、各バイパス迂回路導
体の長さは、λ／２であるように構成されていることを
特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項２】交番電磁界を用いて真空室（９）内にプ
ラズマを生成する装置であって、棒状導体（７）が絶縁
材料から成る管（１６）内で真空室（９）を貫通してお
り、絶縁管（１６）の内径は、棒状導体（７）の直径よ
り大であり、ここで、絶縁管（１６）は、それの、相互
に相対向配置された端部を以て、真空室（９）の壁（１
７、１７ａ）内に保持されており、当該真空室に対して
それの外面にてシールされており、ここで、棒状導体
（７）の両端が、それぞれ、交番電磁界の生成のための
源（１８，１９）に接続されている、当該のプラズマ生
成装置において、棒状導体（７）の両端が夫夫外部導体（２０、２１）に
より包囲されており、前記外部導体（２０、２１）は、
夫夫、源（１８、１９）から真空室（９）のそれぞれの
内壁面（２２，２２ａ）のところまで延在しており、こ
こで、壁貫通部の領域にて、前記源（１８、１９）に接
続された棒状導体（７）及び該棒状導体を包囲する両外
部導体（２０、２１）には、夫夫バイパス迂回路導体
（２３、２４）を形成する分岐が設けられており、ここ
で前記バイパス迂回路導体（２３、２４）には、第２の
棒状の導体（２６）が連結、接続されており、前記の第
２の棒状の導体（２６）は、第２の絶縁管（２５）によ
って取り囲まれており、第１の絶縁管（１６）に並行、
平行に真空室（９）を貫通して延在しており、ここで、
バイパス迂回路導体の長さは、λ／２であるように構成
されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項３】交番電磁界を用いて真空室内にプラズマ
を生成する装置であって、棒状導体が絶縁材料から成る
管内で真空室中に延在しており、絶縁管の内径は、棒状
導体の直径より大であり、ここで、絶縁管は、一端にて
真空室の壁に保持されており、当該真空室に対してそれ
の外面にてシールされており、棒状導体は真空室と離反
したほうの側の端部を以て交番電磁界の生成のため源に
接続されている当該のプラズマ生成装置において、棒状導体はそれの自由端部の方に向かった方向で外部導
体により取り囲まれており、前記外部導体は、少なくと
も源から真空室の内壁面のところまで延在しており、こ
こで、壁貫通部と源との間の領域にて、前記源に接続さ
れた棒状導体及び該棒状導体を包囲する外部導体には、
複数バイパス迂回路導体を形成する複数分岐が設けられ
ており、ここで前記バイパス迂回路導体には、更なる複
数の棒状の導体が連結、接続されており、前記の更なる
棒状の導体は、夫夫の更なる絶縁管によって取り囲まれ
ており、第１の絶縁管に並行、平行に真空室内に延在し
ており、ここで、各バイパス迂回路導体の長さは、λ／
２であるように構成されていることを特徴とするプラズ
マ生成装置。
【請求項４】交番電磁界を用いて真空室内にプラズマ
を生成する装置であって、棒状導体が絶縁材料から成る
管内で真空室を貫通しており、絶縁管の内径は、棒状導
体の直径より大であり、ここで、絶縁管は、それの、相
互に相対向配置された端部を以て、真空室の壁内に保持
されており、当該真空室に対してそれの外面にてシール
されており、ここで、棒状導体の両端が、それぞれ、交
番電磁界の生成のための源に接続されている、当該のプ
ラズマ生成装置において、棒状導体の各両端が外部導体により包囲されており、前
記外部導体は、夫夫少なくとも源から真空室のそれぞれ
の内壁面のところまで延在しており、ここで、壁貫通部
の領域にて、前記源に接続された棒状導体及び該棒状導
体を包囲する両外部導体には、夫夫、複数のバイパス迂
回路導体を形成する複数の分岐が設けられており、ここ
で前記の複数のバイパス迂回路導体には、更なる棒状の
導体が連結、接続されており、前記の更なる棒状の導体
は、更なる複数の絶縁管によって取り囲まれており、第
１の絶縁管に並行、平行に真空室を貫通して延在してお
り、ここで、バイパス迂回路導体の長さは、λ／２であ
るように構成されていることを特徴とするプラズマ生成
装置。