JPH11260681A - 複数のプロセッサを備えた制御装置および投影露光装置 - Google Patents
複数のプロセッサを備えた制御装置および投影露光装置Info
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- JPH11260681A JPH11260681A JP10056951A JP5695198A JPH11260681A JP H11260681 A JPH11260681 A JP H11260681A JP 10056951 A JP10056951 A JP 10056951A JP 5695198 A JP5695198 A JP 5695198A JP H11260681 A JPH11260681 A JP H11260681A
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- reticle
- storage device
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Multi Processors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control By Computers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】少なくとも２つのプロセッサを有効に使用して
スループットを向上させた投影露光装置を提供する。 【解決手段】第１プロセッサ５１Ａは、位置データＲ
Ｘ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを第２プロセッ
サ５１Ｂのメモリ５１Ｃへ転送して第２プロセッサ５１
Ｂに割込みをかけ、微動位置制御のための演算を実行し
てメモリ５１Ｄへ転送する。第２プロセッサ５１Ｂは第
１プロセッサ５１Ａによる割込み指令によりメモリ５１
Ｃ内の位置データに基づいて微動位置制御のための演算
を実行してメモリ５１Ｄへ転送し、第１プロセッサ５１
Ａへ割込みをかける。第２プロセッサ５１Ｂからの割込
み出力により第１プロセッサ５１Ａはメモリ５１Ｄに記
憶されている駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθによりレチクル
微動ステージ２３を駆動する。第１プロセッサ５１Ａは
第２プロセッサ５１Ｂから割込みがかかるまでは他の処
理を実行し、第２プロセッサ５１Ｂは第１プロセッサ５
１Ａから割込みがかかるまで他の処理を実行する。
スループットを向上させた投影露光装置を提供する。 【解決手段】第１プロセッサ５１Ａは、位置データＲ
Ｘ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを第２プロセッ
サ５１Ｂのメモリ５１Ｃへ転送して第２プロセッサ５１
Ｂに割込みをかけ、微動位置制御のための演算を実行し
てメモリ５１Ｄへ転送する。第２プロセッサ５１Ｂは第
１プロセッサ５１Ａによる割込み指令によりメモリ５１
Ｃ内の位置データに基づいて微動位置制御のための演算
を実行してメモリ５１Ｄへ転送し、第１プロセッサ５１
Ａへ割込みをかける。第２プロセッサ５１Ｂからの割込
み出力により第１プロセッサ５１Ａはメモリ５１Ｄに記
憶されている駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθによりレチクル
微動ステージ２３を駆動する。第１プロセッサ５１Ａは
第２プロセッサ５１Ｂから割込みがかかるまでは他の処
理を実行し、第２プロセッサ５１Ｂは第１プロセッサ５
１Ａから割込みがかかるまで他の処理を実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のプロセッサ
を有する制御装置、および、例えば半導体集積回路や液
晶標示素子などをリソグラフィ行程で製造する際に使用
される投影露光装置に関する。
を有する制御装置、および、例えば半導体集積回路や液
晶標示素子などをリソグラフィ行程で製造する際に使用
される投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平６−１４０３０５号公報に開示さ
れているスリットスキャン露光方式の投影露光装置で
は、スリットスキャン露光中のレチクルとウエハの位置
合わせ精度を向上させるために、レチクルを粗動ステー
ジで等速度制御しつつ微動ステージでウエハとの位置ず
れを除去している。
れているスリットスキャン露光方式の投影露光装置で
は、スリットスキャン露光中のレチクルとウエハの位置
合わせ精度を向上させるために、レチクルを粗動ステー
ジで等速度制御しつつ微動ステージでウエハとの位置ず
れを除去している。
【０００３】このような投影露光装置では、レチクルと
ウエハのＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置ずれと
その位置ずれを補正するためにレチクルステージを駆動
する駆動信号とをそれぞれ演算する必要があるが、１つ
のプロセッサで時系列的に演算を行うと処理時間が長く
なる。そこで、従来は処理時間を短縮するために２つの
プロセッサにより種々の演算を分担している。例えば一
方のプロセッサはＸ方向，Ｙ方向の位置ずれに関する演
算を行い、他方のプロセッサはθ回転方向の位置ずれに
関する演算を行うようにしている。
ウエハのＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置ずれと
その位置ずれを補正するためにレチクルステージを駆動
する駆動信号とをそれぞれ演算する必要があるが、１つ
のプロセッサで時系列的に演算を行うと処理時間が長く
なる。そこで、従来は処理時間を短縮するために２つの
プロセッサにより種々の演算を分担している。例えば一
方のプロセッサはＸ方向，Ｙ方向の位置ずれに関する演
算を行い、他方のプロセッサはθ回転方向の位置ずれに
関する演算を行うようにしている。
【０００４】このように２つのプロセッサで異なった演
算を分担する場合、従来は、２つのプロセッサが共通に
アクセスできるメモリを設け、そのメモリに所定のデー
タが書き込まれているかをプロセッサは常時監視し、所
定のデータの書込みを認識すると各々のプロセッサは分
担した演算を実行するように構成されている。
算を分担する場合、従来は、２つのプロセッサが共通に
アクセスできるメモリを設け、そのメモリに所定のデー
タが書き込まれているかをプロセッサは常時監視し、所
定のデータの書込みを認識すると各々のプロセッサは分
担した演算を実行するように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方式では、双方のプロセッサは常時メモリを
監視する必要があり、その間、その他の処理を実行する
ことができないという問題がある。
うな従来の方式では、双方のプロセッサは常時メモリを
監視する必要があり、その間、その他の処理を実行する
ことができないという問題がある。
【０００６】本発明の第１の目的は、少なくとも２つの
プロセッサを有効に使用することができる複数のプロセ
ッサを有する制御装置を提供することにある。また本発
明の第２の目的は、少なくとも２つのプロセッサを有効
に使用してスループットを向上させた投影露光装置を提
供することにある。
プロセッサを有効に使用することができる複数のプロセ
ッサを有する制御装置を提供することにある。また本発
明の第２の目的は、少なくとも２つのプロセッサを有効
に使用してスループットを向上させた投影露光装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一実施の形態の図１〜４
に対応づけて説明する。 （１）請求項１の発明は、第１データにより第１演算を
実行する第１プロセッサ５１Ａと、第１データにより第
２演算を実行する第２プロセッサ５１Ｂとを備え、第１
および第２演算の結果に基づいて被駆動機器２３を駆動
する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力する制御装置５０
に適用される。そして上述した目的はつぎのように構成
して達成される。第１プロセッサ５１Ａは、第１データ
ＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読み込んで
第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ転送し、
第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第１演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへ第１演算の結果ＳＸ，Ｓ
Ｙを転送し、第１演算が終了すると第２プロセッサ５１
Ｂから割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、
第２プロセッサ５１Ｂは、第１プロセッサからの割込み
指令により第２記憶装置５１Ｃから第１データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行し、第２演算の結果Ｓθを第１記憶装置５１Ｄへ転
送し、第１プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１
プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力されるまで他の
処理を実行し、第１プロセッサ５１Ａは、第２プロセッ
サ５１Ａからの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに
記憶されている第１演算および第２演算の結果ＳＸ、Ｓ
Ｙ、Ｓθに基づいて被駆動機器２３を駆動する駆動信号
を出力する。 （２）請求項２の発明は、レチクルＲを保持し少なくと
もＸＹ方向およびθ回転方向に移動するレチクルステー
ジ２３と、感応基板Ｗを保持し少なくともＸＹ方向に移
動する基板ステージ３２，３３と、レチクルステージ２
３の位置を計測するレチクル位置検出器２７Ｘ，２７
Ｙ，２７θと、基板ステージ３２，３３の位置を計測す
る基板位置検出器３６Ｘ，３６Ｙ，３６θと、レチクル
ステージ２２，２３と基板ステージ３２，３３を互に逆
方向に等速度でスキャンさせながら、計測されたレチク
ルステージ２３の位置と基板ステージ３３の位置とに応
じてレチクルステージ２３を微動位置制御する駆動制御
手段５０，４２と、レチクルＲを照明する照明光学系１
１と、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応基板
Ｗに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えた投影露光装
置に適用される。そして、上述した目的はつぎのように
構成して達成される。位置制御手段５０は、Ｘ，Ｙ，θ
の３方向のうちの２つの方向の微動位置制御のための第
１演算を実行する第１プロセッサ５１Ａと残りの１つの
方向の微動位置制御のための第２演算を実行する第２プ
ロセッサ５１Ｂとを備え、第１プロセッサ５１Ａは、位
置データＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読
み込んで第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ
転送し、第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第
１演算を実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送
し、この演算が終了すると第２のプロセッサ５１Ｂから
割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、第２プ
ロセッサ５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａからの割込み指
令により第２記憶装置５１Ｃから位置データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送し、第１
プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１プロセッサ
５１Ａから割込み指令が指令されるまで他の処理を実行
し、第１プロセッサ５１Ａは、記第２プロセッサ５１Ｂ
からの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに記憶され
ている第１演算および第２演算結果に基づいて被駆動機
器２３を駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力す
る。
に対応づけて説明する。 （１）請求項１の発明は、第１データにより第１演算を
実行する第１プロセッサ５１Ａと、第１データにより第
２演算を実行する第２プロセッサ５１Ｂとを備え、第１
および第２演算の結果に基づいて被駆動機器２３を駆動
する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力する制御装置５０
に適用される。そして上述した目的はつぎのように構成
して達成される。第１プロセッサ５１Ａは、第１データ
ＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読み込んで
第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ転送し、
第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第１演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへ第１演算の結果ＳＸ，Ｓ
Ｙを転送し、第１演算が終了すると第２プロセッサ５１
Ｂから割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、
第２プロセッサ５１Ｂは、第１プロセッサからの割込み
指令により第２記憶装置５１Ｃから第１データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行し、第２演算の結果Ｓθを第１記憶装置５１Ｄへ転
送し、第１プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１
プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力されるまで他の
処理を実行し、第１プロセッサ５１Ａは、第２プロセッ
サ５１Ａからの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに
記憶されている第１演算および第２演算の結果ＳＸ、Ｓ
Ｙ、Ｓθに基づいて被駆動機器２３を駆動する駆動信号
を出力する。 （２）請求項２の発明は、レチクルＲを保持し少なくと
もＸＹ方向およびθ回転方向に移動するレチクルステー
ジ２３と、感応基板Ｗを保持し少なくともＸＹ方向に移
動する基板ステージ３２，３３と、レチクルステージ２
３の位置を計測するレチクル位置検出器２７Ｘ，２７
Ｙ，２７θと、基板ステージ３２，３３の位置を計測す
る基板位置検出器３６Ｘ，３６Ｙ，３６θと、レチクル
ステージ２２，２３と基板ステージ３２，３３を互に逆
方向に等速度でスキャンさせながら、計測されたレチク
ルステージ２３の位置と基板ステージ３３の位置とに応
じてレチクルステージ２３を微動位置制御する駆動制御
手段５０，４２と、レチクルＲを照明する照明光学系１
１と、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応基板
Ｗに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えた投影露光装
置に適用される。そして、上述した目的はつぎのように
構成して達成される。位置制御手段５０は、Ｘ，Ｙ，θ
の３方向のうちの２つの方向の微動位置制御のための第
１演算を実行する第１プロセッサ５１Ａと残りの１つの
方向の微動位置制御のための第２演算を実行する第２プ
ロセッサ５１Ｂとを備え、第１プロセッサ５１Ａは、位
置データＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読
み込んで第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ
転送し、第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第
１演算を実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送
し、この演算が終了すると第２のプロセッサ５１Ｂから
割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、第２プ
ロセッサ５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａからの割込み指
令により第２記憶装置５１Ｃから位置データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送し、第１
プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１プロセッサ
５１Ａから割込み指令が指令されるまで他の処理を実行
し、第１プロセッサ５１Ａは、記第２プロセッサ５１Ｂ
からの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに記憶され
ている第１演算および第２演算結果に基づいて被駆動機
器２３を駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力す
る。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１〜図４により、本発明が適用
されたスリットスキャン露光方式の投影露光装置につい
て説明する。図１は本実施の形態にかかるスリットスキ
ャン露光方式の投影露光装置を示し、図１において、レ
チクルＲに平行な面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ
軸、このＸ軸と直交して図１の紙面に平行な方向にＹ軸
をとり、ＸＹ平面に垂直にＺ軸をとる。
されたスリットスキャン露光方式の投影露光装置につい
て説明する。図１は本実施の形態にかかるスリットスキ
ャン露光方式の投影露光装置を示し、図１において、レ
チクルＲに平行な面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ
軸、このＸ軸と直交して図１の紙面に平行な方向にＹ軸
をとり、ＸＹ平面に垂直にＺ軸をとる。
【００１０】図１において、露光時は、照明光学系１１
からの露光光ＩＬによりスリット状の照明光束６１Ｒ
（図２も参照）をレチクルＲに照明しつつ、レチクルＲ
をＸ方向もしくは−Ｘ方向に、ウエハＷを−Ｘ方向もし
くはＸ方向に走査する。レチクルＲには半導体回路パタ
ーンや液晶素子パターンが形成されており、そのパター
ンを透過した透過光は投影レンズＰＬによりウエハＷ上
にスリット光像６１Ｗ（図３も参照）として投影され
る。ウエハＷの表面にはフォトレジストが塗布されてお
り、投影されたパターン像がレジスト上に露光されて潜
像が形成される。
からの露光光ＩＬによりスリット状の照明光束６１Ｒ
（図２も参照）をレチクルＲに照明しつつ、レチクルＲ
をＸ方向もしくは−Ｘ方向に、ウエハＷを−Ｘ方向もし
くはＸ方向に走査する。レチクルＲには半導体回路パタ
ーンや液晶素子パターンが形成されており、そのパター
ンを透過した透過光は投影レンズＰＬによりウエハＷ上
にスリット光像６１Ｗ（図３も参照）として投影され
る。ウエハＷの表面にはフォトレジストが塗布されてお
り、投影されたパターン像がレジスト上に露光されて潜
像が形成される。
【００１１】レチクルＲはレチクルベース２１上をＸＹ
方向（特に言及しない場合は正方向と負方向を含む）お
よびθ回転方向（特に言及しない場合は時計回転方向と
反時計回転方向を含む）に移動可能に保持されている。
すなわち、レチクルベース２１には粗動ステージ２２が
設けられ、粗動ステージ２２上には微動ステージ２３が
設けられ、レチクルＲは微動ステージ２３上に保持され
る。
方向（特に言及しない場合は正方向と負方向を含む）お
よびθ回転方向（特に言及しない場合は時計回転方向と
反時計回転方向を含む）に移動可能に保持されている。
すなわち、レチクルベース２１には粗動ステージ２２が
設けられ、粗動ステージ２２上には微動ステージ２３が
設けられ、レチクルＲは微動ステージ２３上に保持され
る。
【００１２】図２に示すように、粗動ステージ２２はレ
チクルベース２１上でＸ方向に延在するエアガイド２１
ａで支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設け
られ、エアガイド２１ａに沿って所定間隔で延在する電
磁石２１ｂによりＸ方向に移動する。微動ステージ２３
と粗動ステージ２１との間には図示のように引張りばね
２４Ｘ，２４Ｙ，２４θが介装され、微動ステージ２３
はＸ，Ｙ方向およびθ回転方向に付勢されている。そし
て、微動ステージ２３は、これらのばねの付勢力に抗し
て、粗動ステージ２２との間に図示のように設置されて
いるアクチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θによりＸ，
Ｙ方向およびθ回転方向に移動する。
チクルベース２１上でＸ方向に延在するエアガイド２１
ａで支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設け
られ、エアガイド２１ａに沿って所定間隔で延在する電
磁石２１ｂによりＸ方向に移動する。微動ステージ２３
と粗動ステージ２１との間には図示のように引張りばね
２４Ｘ，２４Ｙ，２４θが介装され、微動ステージ２３
はＸ，Ｙ方向およびθ回転方向に付勢されている。そし
て、微動ステージ２３は、これらのばねの付勢力に抗し
て、粗動ステージ２２との間に図示のように設置されて
いるアクチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θによりＸ，
Ｙ方向およびθ回転方向に移動する。
【００１３】また図２に示すように、微動ステージ２３
上には移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θが固定され、レー
ザ干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θからのレーザビームが
移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θに照射され、その反射ビ
ームを干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θが受光してレチク
ル微動ステージ２３のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向
の位置座標が計測される。これらのＸ，Ｙ方向およびθ
回転方向の位置座標は投影露光装置全体を統轄する図１
に示す主制御系５０に入力される。主制御系５０は、レ
チクル粗動ステージ駆動回路４１により電磁石２１ｂを
駆動してレチクルＲのＸ方向のスキャン速度を制御する
とともに、レチクル微動ステージ駆動回路４２によりア
クチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θを駆動してウエハ
Ｗに対するレチクルＲの位置ずれを制御する。
上には移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θが固定され、レー
ザ干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θからのレーザビームが
移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θに照射され、その反射ビ
ームを干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θが受光してレチク
ル微動ステージ２３のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向
の位置座標が計測される。これらのＸ，Ｙ方向およびθ
回転方向の位置座標は投影露光装置全体を統轄する図１
に示す主制御系５０に入力される。主制御系５０は、レ
チクル粗動ステージ駆動回路４１により電磁石２１ｂを
駆動してレチクルＲのＸ方向のスキャン速度を制御する
とともに、レチクル微動ステージ駆動回路４２によりア
クチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θを駆動してウエハ
Ｗに対するレチクルＲの位置ずれを制御する。
【００１４】図３も参照して説明すると、ウエハＷはウ
エハベース３１上をＸＹ方向（特に言及しない場合は正
方向と負方向を含む）およびθ回転方向（特に言及しな
い場合は時計回転方向と反時計回転方向を含む）に移動
可能に保持されている。この発明ではウエハＷのθ回転
は関係がないので説明を省略する。ウエハベース３１に
はＸステージ３２が設けられ、Ｘステージ３２上にはＹ
ステージ３３が設けられ、レチクルＲはＹステージ３３
上に保持される。
エハベース３１上をＸＹ方向（特に言及しない場合は正
方向と負方向を含む）およびθ回転方向（特に言及しな
い場合は時計回転方向と反時計回転方向を含む）に移動
可能に保持されている。この発明ではウエハＷのθ回転
は関係がないので説明を省略する。ウエハベース３１に
はＸステージ３２が設けられ、Ｘステージ３２上にはＹ
ステージ３３が設けられ、レチクルＲはＹステージ３３
上に保持される。
【００１５】図３に示すように、Ｘステージ３２はウエ
ハベース３１上でＸ方向に延在するエアガイド３１ａで
支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設けら
れ、エアガイド３１ａに沿って所定間隔で延在する電磁
石３１ｂによりＸ方向に移動する。Ｙステージ３３はＸ
ステージ３２上でＹ方向に延在するリニアガイド３２ａ
で支持され、ボールネジ直進駆動装置３４によりリニア
ガイド３２ａに沿ってＹ方向に移動する。したがって、
ウエハＷはＸ，Ｙ方向に移動する。ボールネジ直進駆動
装置３４に代えてリニアモータを用いてもよい。
ハベース３１上でＸ方向に延在するエアガイド３１ａで
支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設けら
れ、エアガイド３１ａに沿って所定間隔で延在する電磁
石３１ｂによりＸ方向に移動する。Ｙステージ３３はＸ
ステージ３２上でＹ方向に延在するリニアガイド３２ａ
で支持され、ボールネジ直進駆動装置３４によりリニア
ガイド３２ａに沿ってＹ方向に移動する。したがって、
ウエハＷはＸ，Ｙ方向に移動する。ボールネジ直進駆動
装置３４に代えてリニアモータを用いてもよい。
【００１６】また図３に示すように、Ｙステージ３３上
には移動鏡３５Ｘ，３５Ｙθが固定され、レーザ干渉計
３６Ｘ，３６Ｙ，３６θからのレーザビームが移動鏡３
５Ｘ，３５Ｙθに照射され、その反射ビームを干渉計３
６Ｘ，３６Ｙ，３６θが受光してウエハＹステージ３３
のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標が計測さ
れる。これらのＸ，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標
は投影露光装置全体を統轄する図１に示す主制御系５０
に入力される。主制御系５０は、ウエハＸステージ駆動
回路４３により電磁石３１ｂを駆動してウエハＷのＸ方
向のスキャン速度を制御するとともにボールネジ直進駆
動装置３４を駆動して露光領域を選択する。
には移動鏡３５Ｘ，３５Ｙθが固定され、レーザ干渉計
３６Ｘ，３６Ｙ，３６θからのレーザビームが移動鏡３
５Ｘ，３５Ｙθに照射され、その反射ビームを干渉計３
６Ｘ，３６Ｙ，３６θが受光してウエハＹステージ３３
のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標が計測さ
れる。これらのＸ，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標
は投影露光装置全体を統轄する図１に示す主制御系５０
に入力される。主制御系５０は、ウエハＸステージ駆動
回路４３により電磁石３１ｂを駆動してウエハＷのＸ方
向のスキャン速度を制御するとともにボールネジ直進駆
動装置３４を駆動して露光領域を選択する。
【００１７】たとえば投影レンズＰＬが投影倍率β（た
とえば１／４）で倒立像を投影する場合、レチクル粗動
ステージ２２を介してレチクルＲを照明領域に対して＋
Ｘ方向、あるいは−Ｘ方向に速度ＶＲで走査するのと同
期して、Ｘステージ３２を介してウエハＷが−Ｘ方向、
あるいは＋Ｘ方向に速度ＶＷで走査される。ここで、ウ
エハ速度ＶＷは（１／β）・ＶＲで表される。またこの
とき、レチクル微動ステージ２３は、ウエハＷの現在の
位置とレチクルＲの現在の位置に応じて駆動制御され
る。
とえば１／４）で倒立像を投影する場合、レチクル粗動
ステージ２２を介してレチクルＲを照明領域に対して＋
Ｘ方向、あるいは−Ｘ方向に速度ＶＲで走査するのと同
期して、Ｘステージ３２を介してウエハＷが−Ｘ方向、
あるいは＋Ｘ方向に速度ＶＷで走査される。ここで、ウ
エハ速度ＶＷは（１／β）・ＶＲで表される。またこの
とき、レチクル微動ステージ２３は、ウエハＷの現在の
位置とレチクルＲの現在の位置に応じて駆動制御され
る。
【００１８】主制御系５０には第１および第２プロセッ
サ５１Ａ，５１Ｂが設けられ、それぞれ図４に示すよう
な処理を行なって、スリットスキャン露光時のレチクル
微動ステージ２３の移動を制御する。プロセッサ５１Ａ
はメモリ５１Ｄを、プロセッサ５１Ｂはメモリ５１Ｃを
それぞれ有し、演算結果などが記憶される。なお、図４
では、粗動ステージ２２とウエハＸステージ３２を互に
逆方向にスキャンする際の等速度制御を省略している
が、その制御も主制御系５０が行なう。
サ５１Ａ，５１Ｂが設けられ、それぞれ図４に示すよう
な処理を行なって、スリットスキャン露光時のレチクル
微動ステージ２３の移動を制御する。プロセッサ５１Ａ
はメモリ５１Ｄを、プロセッサ５１Ｂはメモリ５１Ｃを
それぞれ有し、演算結果などが記憶される。なお、図４
では、粗動ステージ２２とウエハＸステージ３２を互に
逆方向にスキャンする際の等速度制御を省略している
が、その制御も主制御系５０が行なう。
【００１９】図４において、タイマ割込みにより第１プ
ロセッサ５１Ａの制御ルーチンがステップＳ１１で起動
されると、ステップＳ１２においてレチクル微動ステー
ジ２３の位置ＲＸ，ＲＹ，Ｒθを検出する干渉計２７
Ｘ，２７Ｙ，２７θおよびＹステージ３３の位置ＷＸ，
ＷＹ，Ｗθを検出する干渉計３６Ｘ，３６Ｙ，３６θか
らレチクルＲとウエハＷのそれぞれの位置データを入力
する。ステップＳ１３では、これらの位置データを第２
プロセッサ用メモリ５１Ｃに転送する。ステップＳ１４
では、第１プロセッサ５１Ａから第２プロセッサ５１Ｂ
へ割込み指令を出力する。第２プロセッサ５１Ｂに割込
み指令を出力した後、第１プロセッサ５１Ａはステップ
Ｓ１５において、レチクル位置データＲＸ，ＲＹに基づ
いてレチクル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差
ΔＲＸとΔＲＹを演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行
ない、偏差ΔＲＸとΔＲＹを除去するためにアクチュエ
ータ２５Ｘ，２５Ｙを駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹを算
出してメモリ５１Ｄに転送する。
ロセッサ５１Ａの制御ルーチンがステップＳ１１で起動
されると、ステップＳ１２においてレチクル微動ステー
ジ２３の位置ＲＸ，ＲＹ，Ｒθを検出する干渉計２７
Ｘ，２７Ｙ，２７θおよびＹステージ３３の位置ＷＸ，
ＷＹ，Ｗθを検出する干渉計３６Ｘ，３６Ｙ，３６θか
らレチクルＲとウエハＷのそれぞれの位置データを入力
する。ステップＳ１３では、これらの位置データを第２
プロセッサ用メモリ５１Ｃに転送する。ステップＳ１４
では、第１プロセッサ５１Ａから第２プロセッサ５１Ｂ
へ割込み指令を出力する。第２プロセッサ５１Ｂに割込
み指令を出力した後、第１プロセッサ５１Ａはステップ
Ｓ１５において、レチクル位置データＲＸ，ＲＹに基づ
いてレチクル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差
ΔＲＸとΔＲＹを演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行
ない、偏差ΔＲＸとΔＲＹを除去するためにアクチュエ
ータ２５Ｘ，２５Ｙを駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹを算
出してメモリ５１Ｄに転送する。
【００２０】ステップＳ１６において第１プロセッサ５
１Ａは第２プロセッサ５１Ｂから割込み指令が出力され
ているかを判定する。否定されると制御ルーチンを終了
させて割込み指令が判定されるまでの間、ステップＳ１
７において、他のルーチンを実行する。ステップＳ１６
で割込み指令の出力が判定されると、第１プロセッサ５
１ＡはステップＳ１８でデータ出力ルーチンを起動し、
ステップＳ１９において、メモリ５１Ｄから駆動信号Ｓ
Ｘ，ＳＹ，Ｓθを読み出してレチクル駆動回路４２へそ
れらの駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力してレチクル微
動ステージ２３を駆動制御する。なお、駆動信号Ｓθは
後述するように第２プロセッサ５１Ｂにより算出されて
メモリ５１Ｄに転送されるものである。
１Ａは第２プロセッサ５１Ｂから割込み指令が出力され
ているかを判定する。否定されると制御ルーチンを終了
させて割込み指令が判定されるまでの間、ステップＳ１
７において、他のルーチンを実行する。ステップＳ１６
で割込み指令の出力が判定されると、第１プロセッサ５
１ＡはステップＳ１８でデータ出力ルーチンを起動し、
ステップＳ１９において、メモリ５１Ｄから駆動信号Ｓ
Ｘ，ＳＹ，Ｓθを読み出してレチクル駆動回路４２へそ
れらの駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力してレチクル微
動ステージ２３を駆動制御する。なお、駆動信号Ｓθは
後述するように第２プロセッサ５１Ｂにより算出されて
メモリ５１Ｄに転送されるものである。
【００２１】一方、第２プロセッサ５１Ｂは所定のタイ
ミングで起動されてステップＳ２１で以下の制御ルーチ
ンとは異なる他のルーチンを実行する。第２プロセッサ
５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力さ
れるとステップＳ２２を肯定し、ステップＳ２３で制御
ルーチンを起動する。ステップＳ２４において、メモリ
５１Ｃに格納されているレチクルＲの位置データＲＸ，
ＲＹ，ＲθとウエハＷの位置データＷＸ，ＷＹ，Ｗθを
読み込む。そして、それらの位置データに基づいてレチ
クル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差ΔＲθを
演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行なってレチクル駆
動回路４２への駆動信号Ｓθを演算する。ステップＳ２
５では、第２プロセッサ用メモリ５１Ｄに駆動信号Ｓθ
を転送し、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに割
込み指令を出力する。その後、ステップＳ２１に戻り、
その他のルーチンを実行する。
ミングで起動されてステップＳ２１で以下の制御ルーチ
ンとは異なる他のルーチンを実行する。第２プロセッサ
５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力さ
れるとステップＳ２２を肯定し、ステップＳ２３で制御
ルーチンを起動する。ステップＳ２４において、メモリ
５１Ｃに格納されているレチクルＲの位置データＲＸ，
ＲＹ，ＲθとウエハＷの位置データＷＸ，ＷＹ，Ｗθを
読み込む。そして、それらの位置データに基づいてレチ
クル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差ΔＲθを
演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行なってレチクル駆
動回路４２への駆動信号Ｓθを演算する。ステップＳ２
５では、第２プロセッサ用メモリ５１Ｄに駆動信号Ｓθ
を転送し、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに割
込み指令を出力する。その後、ステップＳ２１に戻り、
その他のルーチンを実行する。
【００２２】なお、第１プロセッサ５１Ａと第２プロセ
ッサ５１Ｂで行なわれる位置ずれΔＸ，ΔＹ，Δθ演算
は次式のように表わすことができる。
ッサ５１Ｂで行なわれる位置ずれΔＸ，ΔＹ，Δθ演算
は次式のように表わすことができる。
【数１】
【００２３】以上のように、第２プロセッサ５１Ｂは第
１プロセッサ５１Ａから割込み指令がかかるまで開放さ
れており、ステップＳ２１において全く別の独自の処理
を実行することができる。たとえば、ステージがリミッ
ト位置に達しているかを判定する処理を実行したり、あ
るいは上位プロセッサとの間の通信を行なう処理を実行
することができる。また、第２プロセッサ５１Ｂは、ス
テップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに対して割込み起
動を指令して第１プロセッサ５１Ａによる処理を開始す
るようにしているから、第１プロセッサ５１Ａは第２プ
ロセッサ５１Ｂから割込み指令がかかるまで開放されて
おり、ステップＳ１７において全く別の独自の処理を実
行することができる。さらに、第２プロセッサ５１Ｂ
は、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａの割込み指
令を出力した後は開放されるから、第２プロセッサ５１
ＢはステップＳ２１で全く別の独自の処理を実行するこ
とができる。
１プロセッサ５１Ａから割込み指令がかかるまで開放さ
れており、ステップＳ２１において全く別の独自の処理
を実行することができる。たとえば、ステージがリミッ
ト位置に達しているかを判定する処理を実行したり、あ
るいは上位プロセッサとの間の通信を行なう処理を実行
することができる。また、第２プロセッサ５１Ｂは、ス
テップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに対して割込み起
動を指令して第１プロセッサ５１Ａによる処理を開始す
るようにしているから、第１プロセッサ５１Ａは第２プ
ロセッサ５１Ｂから割込み指令がかかるまで開放されて
おり、ステップＳ１７において全く別の独自の処理を実
行することができる。さらに、第２プロセッサ５１Ｂ
は、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａの割込み指
令を出力した後は開放されるから、第２プロセッサ５１
ＢはステップＳ２１で全く別の独自の処理を実行するこ
とができる。
【００２４】なお、以上では２つのプロセッサを用いた
投影露光装置について説明したが、２以上のプロセッサ
により同様な演算処理を実行する装置であれば投影露光
装置以外の種々の装置に本発明を適用できる。
投影露光装置について説明したが、２以上のプロセッサ
により同様な演算処理を実行する装置であれば投影露光
装置以外の種々の装置に本発明を適用できる。
【００２５】
【発明の効果】（１）請求項１の発明によれば、第１プ
ロセッサと第２プロセッサを有効に使用して各種の制御
理時間を短縮することができる。 （２）請求項２の発明によれば、スキャン露光方式の投
影露光装置において、第１プロセッサと第２プロセッサ
を有効に使用してスキャン中のウエハ位置に対するレチ
クルの微小位置決め制御時間を短縮することができ、ス
ループットを向上することができる。
ロセッサと第２プロセッサを有効に使用して各種の制御
理時間を短縮することができる。 （２）請求項２の発明によれば、スキャン露光方式の投
影露光装置において、第１プロセッサと第２プロセッサ
を有効に使用してスキャン中のウエハ位置に対するレチ
クルの微小位置決め制御時間を短縮することができ、ス
ループットを向上することができる。
【図１】本実施の形態に係る投影露光装置の構成を示す
図
図
【図２】レチクルステージの平面図
【図３】ウエハステージの平面図
【図４】第１および第２のプロセッサによる処理の一例
を示すフローチャート
を示すフローチャート
２２ 粗動ステージ ２３ 微動ステージ ３２ Ｘステージ ３３ Ｙステージ ２７Ｘ，２７Ｙ，２７θ 干渉計 ３６Ｘ，３６Ｙ，３６θ 干渉計 ５０ 主制御系 ５１Ａ 第１プロセッサ ５１Ｂ 第２プロセッサ ５１Ｃ，５１Ｄ メモリ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｂ ５２５Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】第１データにより第１演算を実行する第１
プロセッサと、 前記第１データにより第２演算を実行する第２プロセッ
サとを備え、第１および第２演算の結果に基づいて被駆
動機器を駆動する駆動信号を出力する制御装置におい
て、 前記第１プロセッサは、前記第１データを読み込みんで
前記第２プロセッサの第２記憶装置へ転送し、前記第２
プロセッサに割込み指令を行い、前記第１演算を実行し
て第１プロセッサの記憶装置へ前記第１演算の結果を転
送し、第１演算が終了すると前記第２プロセッサからの
割込み指令があるまで他の処理を実行し、 前記第２プロセッサは、前記第１プロセッサからの前記
割込み指令により前記第２記憶装置から前記第１データ
を入手して第２演算を実行し、前記第１プロセッサの第
１記憶装置へ前記第２演算の結果を転送し、前記第１プ
ロセッサに割込み指令を行い、前記第１プロセッサから
前記割込み指令があるまで他の処理を実行し、 前記第１プロセッサは、前記第２プロセッサからの前記
割込み指令により前記第１記憶装置に記憶されている第
１演算および第２演算の結果に基づいて前記被駆動機器
を駆動する駆動信号を出力することを特徴とする複数の
プロセッサを有する制御装置。 - 【請求項２】レチクルを保持し少なくともＸＹ方向およ
びθ回転方向に移動するレチクルステージと、 感応基板を保持し少なくともＸＹ方向に移動する基板ス
テージと、 前記レチクルステージの位置を計測するレチクル位置検
出器と、 前記基板ステージの位置を計測する基板位置検出器と、 前記レチクルステージと前記基板ステージを互に逆方向
に等速度でスキャンさせながら、前記計測された前記レ
チクルステージの位置と前記基板ステージの位置とに応
じて前記レチクルステージを微動位置制御する駆動制御
手段と、 前記レチクルを照明する照明光学系と前記レチクルに形
成されたパターンの像を前記感応基板に投影露光する投
影光学系とを備えた投影露光装置において、 前記駆動制御手段は、前記Ｘ，Ｙ，θの３方向のうちの
２つの方向の前記微動位置制御のための第１演算を実行
する第１プロセッサと残りの１つの方向の微動位置制御
のための第２演算を実行する第２プロセッサとを備え、 前記第１プロセッサは、前記位置データを読み込んで第
２プロセッサの第２記憶装置へ転送し、前記第２プロセ
ッサに割込み指令を行い、前記第１演算を実行して前記
第１プロセッサ５１Ａの第１記憶装置へその結果を転送
し、この第１演算が終了すると前記第２プロセッサから
割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、 前記第２プロセッサは前記第１プロセッサからの割込み
指令により前記第２記憶装置から前記位置データを入手
して前記第２演算を実行し、前記第１記憶装置へその結
果を転送し、第１プロセッサに割込み指令を行い、前記
第１プロセッサから割込み指令が出力されるまで他の処
理を実行し、 前記第１プロセッサは、前記第２プロセッサからの割込
み指令により前記第１記憶装置に記憶されている前記第
１および第２演算の結果に基づいて前記被駆動機器を駆
動する駆動信号を出力することを特徴とする投影露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056951A JPH11260681A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 複数のプロセッサを備えた制御装置および投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056951A JPH11260681A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 複数のプロセッサを備えた制御装置および投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260681A true JPH11260681A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13041864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10056951A Pending JPH11260681A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 複数のプロセッサを備えた制御装置および投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014002165A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-09 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
| TWI424283B (zh) * | 2010-02-24 | 2014-01-21 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 微影裝置及用於校正一微影裝置載物台之位置之方法 |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP10056951A patent/JPH11260681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI424283B (zh) * | 2010-02-24 | 2014-01-21 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 微影裝置及用於校正一微影裝置載物台之位置之方法 |
| US8781775B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for correcting a position of a stage of a lithographic apparatus |
| JP2014002165A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-09 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
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