JPH11260775A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェハの製造方法Info
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- JPH11260775A JPH11260775A JP6504598A JP6504598A JPH11260775A JP H11260775 A JPH11260775 A JP H11260775A JP 6504598 A JP6504598 A JP 6504598A JP 6504598 A JP6504598 A JP 6504598A JP H11260775 A JPH11260775 A JP H11260775A
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- semiconductor wafer
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハ周縁部のポリシリコンや酸化シ
リコンを、残存させることなく効率よく除去できる半導
体ウェハの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の面取り加工面１１ａを
研磨加工して、その表面粗さ（Ｒａ）を４００Å以下と
する。面取り加工面１１ａを研磨加工した半導体ウェハ
１の表面にポリシリコン膜２を形成する。ポリシリコン
膜２を形成した半導体ウェハ１の面取り加工面１１ａを
研磨してポリシリコン膜２を除去し、表面粗さ（Ｒａ）
を４００Å以下に加工する。
リコンを、残存させることなく効率よく除去できる半導
体ウェハの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の面取り加工面１１ａを
研磨加工して、その表面粗さ（Ｒａ）を４００Å以下と
する。面取り加工面１１ａを研磨加工した半導体ウェハ
１の表面にポリシリコン膜２を形成する。ポリシリコン
膜２を形成した半導体ウェハ１の面取り加工面１１ａを
研磨してポリシリコン膜２を除去し、表面粗さ（Ｒａ）
を４００Å以下に加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、裏面にポリシリコン膜
または酸化膜を有する半導体ウェハを製造するにあた
り、半導体ウェハの周縁部の面取り加工面に形成された
膜を除去する半導体ウェハの製造方法に関するものであ
る。
または酸化膜を有する半導体ウェハを製造するにあた
り、半導体ウェハの周縁部の面取り加工面に形成された
膜を除去する半導体ウェハの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】まず、半導体ウェハの各面について、便
宜上つぎの通り定義する。デバイスを形成する側の面を
『おもて面』と称し、おもて面と反対側の面を『裏面』
と称し、周縁部の面取り加工された面を『面取り加工
面』と称する。また、特定する必要のない場合には『表
面（ひょう面）』を用いる。
宜上つぎの通り定義する。デバイスを形成する側の面を
『おもて面』と称し、おもて面と反対側の面を『裏面』
と称し、周縁部の面取り加工された面を『面取り加工
面』と称する。また、特定する必要のない場合には『表
面（ひょう面）』を用いる。
【０００３】半導体ウェハを使用するデバイス作成工程
においては、工程中に、塵や重金属がかかる半導体ウェ
ハに付着することを極端に嫌う。これはこれらの付着が
デバイス作成歩留まりを大きく低下させるためである。
従来、半導体ウェハの周縁部は、ダイヤモンドホイール
による研削加工により面取りされていたが、これにより
得られる周縁部の表面粗さ（Ｒａ）は８００〜１２００
Åであった。ところが近年デバイスが微細化されるにつ
れ、この周縁部からの発塵や汚染が問題になってきた。
これはこの部分に存在する凹凸に塵や汚染物がトラップ
されて、デバイス作成工程中に離脱したり、半導体ウェ
ハを保持する治具と接触して凹凸の凸部が破壊されて発
塵したりするためである。このため、最近ではこの面取
り加工された部分を、さらに鏡面状態まで研磨して、そ
の面粗さを２００Å以下とするのが一般的である。これ
により、汚染物が付着しにくく、また発塵も著しく少な
くなる。このような周縁部の加工方法はポリシリコン膜
や酸化膜を裏面に形成した半導体ウェハについても実施
する必要がある。ポリシリコン膜は、デバイス作成工程
等の高温処理中において、半導体ウェハ表面に極微量で
もＣｕやＦｅといった金属汚染が残存するとデバイス特
性が劣化するため、その防止策として形成されるもの
で、ゲッタリング膜、いわゆるＥＧ(Extrinisic Getter
ing) 膜と呼ばれるものである。
においては、工程中に、塵や重金属がかかる半導体ウェ
ハに付着することを極端に嫌う。これはこれらの付着が
デバイス作成歩留まりを大きく低下させるためである。
従来、半導体ウェハの周縁部は、ダイヤモンドホイール
による研削加工により面取りされていたが、これにより
得られる周縁部の表面粗さ（Ｒａ）は８００〜１２００
Åであった。ところが近年デバイスが微細化されるにつ
れ、この周縁部からの発塵や汚染が問題になってきた。
これはこの部分に存在する凹凸に塵や汚染物がトラップ
されて、デバイス作成工程中に離脱したり、半導体ウェ
ハを保持する治具と接触して凹凸の凸部が破壊されて発
塵したりするためである。このため、最近ではこの面取
り加工された部分を、さらに鏡面状態まで研磨して、そ
の面粗さを２００Å以下とするのが一般的である。これ
により、汚染物が付着しにくく、また発塵も著しく少な
くなる。このような周縁部の加工方法はポリシリコン膜
や酸化膜を裏面に形成した半導体ウェハについても実施
する必要がある。ポリシリコン膜は、デバイス作成工程
等の高温処理中において、半導体ウェハ表面に極微量で
もＣｕやＦｅといった金属汚染が残存するとデバイス特
性が劣化するため、その防止策として形成されるもの
で、ゲッタリング膜、いわゆるＥＧ(Extrinisic Getter
ing) 膜と呼ばれるものである。
【０００４】このポリシリコン膜を裏面に有する従来の
半導体ウェハの製造方法は、研磨加工された半導体ウェ
ハ１〔図２（ａ）参照〕をモノシランガス（SiH4）を含
む雰囲気中で加熱し、その表面にポリシリコン膜２を成
長させる。表面全体にポリシリコン膜２が形成された半
導体ウェハ１〔図２（ｂ）参照〕の面取り加工面１１a
のポリシリコン膜２を研磨により除去する。面取り加工
面１１ａのポリシリコン膜２が除去された半導体ウェハ
１〔図２（ｃ）参照〕のおもて面のポリシリコン膜２を
研磨により除去する。
半導体ウェハの製造方法は、研磨加工された半導体ウェ
ハ１〔図２（ａ）参照〕をモノシランガス（SiH4）を含
む雰囲気中で加熱し、その表面にポリシリコン膜２を成
長させる。表面全体にポリシリコン膜２が形成された半
導体ウェハ１〔図２（ｂ）参照〕の面取り加工面１１a
のポリシリコン膜２を研磨により除去する。面取り加工
面１１ａのポリシリコン膜２が除去された半導体ウェハ
１〔図２（ｃ）参照〕のおもて面のポリシリコン膜２を
研磨により除去する。
【０００５】また、高濃度にドープされたウェハを使用
するデバイス作成工程では、ウェハ裏面からのドープ元
素の外部への拡散を防ぐため、裏面に酸化膜を形成する
ものがある。この酸化膜を裏面に有する従来の半導体ウ
ェハの製造方法は、研磨加工された半導体ウェハをモノ
シランガスと炭酸ガス(CO2) を含む雰囲気中で加熱し、
その裏面に酸化膜を形成した後、面取り加工面に回り込
んで付着した酸化膜を前述のポリシリコン膜と同様に除
去する。
するデバイス作成工程では、ウェハ裏面からのドープ元
素の外部への拡散を防ぐため、裏面に酸化膜を形成する
ものがある。この酸化膜を裏面に有する従来の半導体ウ
ェハの製造方法は、研磨加工された半導体ウェハをモノ
シランガスと炭酸ガス(CO2) を含む雰囲気中で加熱し、
その裏面に酸化膜を形成した後、面取り加工面に回り込
んで付着した酸化膜を前述のポリシリコン膜と同様に除
去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２
（ａ）に示すように半導体ウェハ１の面取り加工面１１
ａには、微細な凹凸１２が存在し、図２（ｂ）に示すよ
うにこの半導体ウェハ１の表面全体にポリシリコン膜２
を形成させた場合、凹凸１２の谷間にポリシリコン２ａ
が入り込んだ状態となる。したがって、図２（ｃ）に示
すようにこの面取り加工面１１ａのポリシリコン膜２を
除去しても、凹凸１２の谷間に入り込んだポリシリコン
２ａは完全に除去されずに残存し、この残存したポリシ
リコン２ａがエピタキシャル成長やデバイス作成工程に
悪影響を与えるという問題があった。
（ａ）に示すように半導体ウェハ１の面取り加工面１１
ａには、微細な凹凸１２が存在し、図２（ｂ）に示すよ
うにこの半導体ウェハ１の表面全体にポリシリコン膜２
を形成させた場合、凹凸１２の谷間にポリシリコン２ａ
が入り込んだ状態となる。したがって、図２（ｃ）に示
すようにこの面取り加工面１１ａのポリシリコン膜２を
除去しても、凹凸１２の谷間に入り込んだポリシリコン
２ａは完全に除去されずに残存し、この残存したポリシ
リコン２ａがエピタキシャル成長やデバイス作成工程に
悪影響を与えるという問題があった。
【０００７】これはエピタキシャル工程で、この残存し
たポリシリコンを核としてシリコンが異常成長し、突起
を形成するためである。これが残存すると、後のデバイ
ス工程で、おもて面にさまざまな処理を行ったときに、
この突起の周囲に処理物が残存しておもて面が汚染され
ることとなる。また、この突起物がデバイス工程中で脱
落しておもて面に付着し、フォトリソグラフィー工程で
正確なパターンの形成を妨げるために歩留りが低下する
こととなる。
たポリシリコンを核としてシリコンが異常成長し、突起
を形成するためである。これが残存すると、後のデバイ
ス工程で、おもて面にさまざまな処理を行ったときに、
この突起の周囲に処理物が残存しておもて面が汚染され
ることとなる。また、この突起物がデバイス工程中で脱
落しておもて面に付着し、フォトリソグラフィー工程で
正確なパターンの形成を妨げるために歩留りが低下する
こととなる。
【０００８】また、研磨クロスと砥粒による研磨で、こ
の凹凸１２の谷間に入り込んだシリコン２ａを完全に除
去することは可能である。ところが、残存ポリシリコン
を完全になくすためには、基板の半導体ウェハをその凹
凸の凹部の深さまで研磨しなければならない。このため
従来の面粗さでは大きい取代が必要であるため、その一
枚あたりの加工時間が１５分以上と非常に長くなり、非
常に生産性が悪くなるという新たな問題が生じてしま
う。尚、上記の問題点は、裏面に酸化膜を形成させた半
導体ウェハについても同様である。
の凹凸１２の谷間に入り込んだシリコン２ａを完全に除
去することは可能である。ところが、残存ポリシリコン
を完全になくすためには、基板の半導体ウェハをその凹
凸の凹部の深さまで研磨しなければならない。このため
従来の面粗さでは大きい取代が必要であるため、その一
枚あたりの加工時間が１５分以上と非常に長くなり、非
常に生産性が悪くなるという新たな問題が生じてしま
う。尚、上記の問題点は、裏面に酸化膜を形成させた半
導体ウェハについても同様である。
【０００９】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、半導体ウェハの裏面にポリシリコン膜や酸化膜を形
成させる段階で同時に形成される面取り加工面のポリシ
リコンや酸化シリコンを、効率的に完全除去する半導体
ウェハの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
で、半導体ウェハの裏面にポリシリコン膜や酸化膜を形
成させる段階で同時に形成される面取り加工面のポリシ
リコンや酸化シリコンを、効率的に完全除去する半導体
ウェハの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、裏
面にポリシリコン膜または酸化膜を有する半導体ウェハ
の製造方法において、該ポリシリコン膜または該酸化膜
を形成する前の該半導体ウェハの面取り加工面を、表面
粗さ（Ｒａ）４００Å以下に加工するようにしたもので
ある。
面にポリシリコン膜または酸化膜を有する半導体ウェハ
の製造方法において、該ポリシリコン膜または該酸化膜
を形成する前の該半導体ウェハの面取り加工面を、表面
粗さ（Ｒａ）４００Å以下に加工するようにしたもので
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】従来の製造方法においては、取り
代を大きくしないとポリシリコン膜除去後の面取り加工
面にポリシリコンが残存していたものを、本発明の製造
方法においては取り代を大きくしなくても、ポリシリコ
ンが残存しない。このため、除去に必要な加工時間が短
縮され、生産性も向上する。すなわち、従来技術でポリ
シリコンが残留する主たる原因である面取り加工面の凹
凸を、半導体ウェハ表面にポリシリコン膜を成長させる
前に、より平滑に研磨加工するものである。本発明は、
この事前の研磨加工後の表面粗さを、ポリシリコン膜除
去後に必要とされる表面粗さと同程度にすることによ
り、ポリシリコンを完全に除去するための研磨加工時間
を著し＜短縮するものである。
代を大きくしないとポリシリコン膜除去後の面取り加工
面にポリシリコンが残存していたものを、本発明の製造
方法においては取り代を大きくしなくても、ポリシリコ
ンが残存しない。このため、除去に必要な加工時間が短
縮され、生産性も向上する。すなわち、従来技術でポリ
シリコンが残留する主たる原因である面取り加工面の凹
凸を、半導体ウェハ表面にポリシリコン膜を成長させる
前に、より平滑に研磨加工するものである。本発明は、
この事前の研磨加工後の表面粗さを、ポリシリコン膜除
去後に必要とされる表面粗さと同程度にすることによ
り、ポリシリコンを完全に除去するための研磨加工時間
を著し＜短縮するものである。
【００１２】ポリシリコン膜は、６５０゜Ｃ程度の比較
的低温の気相成長により形成されるため、半導体ウェハ
の素材であるシリコン単結晶よりも柔らかく、研磨速度
も数倍速い。この為、残存ポリシリコンを完全に除去す
るために必要な加工時間は、地のシリコン単結晶を凹部
の深さまで研磨する時間によってほとんど決定される。
的低温の気相成長により形成されるため、半導体ウェハ
の素材であるシリコン単結晶よりも柔らかく、研磨速度
も数倍速い。この為、残存ポリシリコンを完全に除去す
るために必要な加工時間は、地のシリコン単結晶を凹部
の深さまで研磨する時間によってほとんど決定される。
【００１３】この関係を示したのが図３である。これ
は、種々の表面粗さに研磨した面取り加工面をもった半
導体ウェハに厚さ２μｍのポリシリコン膜を形成し、そ
の後、最終研磨仕上げにより面取り部の残存ポリシリコ
ンを完全に除去するのに必要な時間を表したものであ
る。図３の曲線１は、最終研磨仕上げ後の表面粗さを４
００Åにする場合に、残存ポリシリコンを完全に除去す
るのに必要な時間を表している。この場合、ポリシリコ
ン膜成長前の表面粗さが４００Å以上になると必要な加
工時間が急激に増加する。
は、種々の表面粗さに研磨した面取り加工面をもった半
導体ウェハに厚さ２μｍのポリシリコン膜を形成し、そ
の後、最終研磨仕上げにより面取り部の残存ポリシリコ
ンを完全に除去するのに必要な時間を表したものであ
る。図３の曲線１は、最終研磨仕上げ後の表面粗さを４
００Åにする場合に、残存ポリシリコンを完全に除去す
るのに必要な時間を表している。この場合、ポリシリコ
ン膜成長前の表面粗さが４００Å以上になると必要な加
工時間が急激に増加する。
【００１４】同じく曲線2 は、最終研磨仕上げ後の表面
粗さを２００Åにする場合について、必要な加工時間を
表す。この場合も同様に、ポリシリコン膜成長前の表面
粗さが２００Å以上になると、加工時間が急激に増加す
る。実際には、通常要求される最終研磨仕上げ後の表面
粗さは４００Å以下のため、初期表面粗さとしては４０
０Å以下とすることが必要になる。また、高精度である
ことが必要とされる半導体ウェハについては、２００Å
以下とすることが望ましい。
粗さを２００Åにする場合について、必要な加工時間を
表す。この場合も同様に、ポリシリコン膜成長前の表面
粗さが２００Å以上になると、加工時間が急激に増加す
る。実際には、通常要求される最終研磨仕上げ後の表面
粗さは４００Å以下のため、初期表面粗さとしては４０
０Å以下とすることが必要になる。また、高精度である
ことが必要とされる半導体ウェハについては、２００Å
以下とすることが望ましい。
【００１５】尚、酸化膜を形成した半導体ウェハについ
ても同様である。因みに、酸化膜形成に使用する反応炉
の構造上、おもて面には酸化膜は形成されない。
ても同様である。因みに、酸化膜形成に使用する反応炉
の構造上、おもて面には酸化膜は形成されない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本実施例の製造方法の各工程における半導
体ウェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。図１
（ａ）に示すように、本実施例の製造方法においては、
おもて面が研磨された半導体ウェハ１を素材として使用
するもので、従来技術の説明にもあったようにこの半導
体ウェハ１の面取り加工面１１ａには凹凸１２がある。
する。図１は本実施例の製造方法の各工程における半導
体ウェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。図１
（ａ）に示すように、本実施例の製造方法においては、
おもて面が研磨された半導体ウェハ１を素材として使用
するもので、従来技術の説明にもあったようにこの半導
体ウェハ１の面取り加工面１１ａには凹凸１２がある。
【００１７】図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１
の面取り加工面１１ａを研磨加工することにより前記し
た凹凸１２を除去する。この研磨加工は、ポリシリコン
が残存しないようにするためにより平滑な鏡面とするこ
とが望ましい。したがって、本実施例においては表面粗
さ（Ｒａ）を２００Åに加工する。尚、この鏡面加工に
要する加工時間は３分程度である。
の面取り加工面１１ａを研磨加工することにより前記し
た凹凸１２を除去する。この研磨加工は、ポリシリコン
が残存しないようにするためにより平滑な鏡面とするこ
とが望ましい。したがって、本実施例においては表面粗
さ（Ｒａ）を２００Åに加工する。尚、この鏡面加工に
要する加工時間は３分程度である。
【００１８】図１（ｃ）に示すように、面取り加工面が
研磨された半導体ウェハ１全体の表面にポリシリコン膜
２を形成する。このポリシリコン膜２の形成方法は特に
限定されるものではないが、本実施例においてはモノシ
ランをソースガスとする、ＣＶＤ(Chemical Vaper Depo
sition) 法により半導体ウェハ１全体の表面にポリシリ
コン膜２を成長させる。
研磨された半導体ウェハ１全体の表面にポリシリコン膜
２を形成する。このポリシリコン膜２の形成方法は特に
限定されるものではないが、本実施例においてはモノシ
ランをソースガスとする、ＣＶＤ(Chemical Vaper Depo
sition) 法により半導体ウェハ１全体の表面にポリシリ
コン膜２を成長させる。
【００１９】ポリシリコン膜２を形成した半導体ウェハ
１の面取り加工面１１ａを研磨することにより、図１
（ｄ）に示すようにポリシリコン膜２を除去する。ポリ
シリコン膜成長後の表面粗さ（Ｒａ）はポリシリコン膜
成長前の表面粗さ以下である方がより高い清浄度を得ら
れるため、本実施例においては面取り加工面１１ａを表
面粗さ（Ｒａ）２００Åに加工する。
１の面取り加工面１１ａを研磨することにより、図１
（ｄ）に示すようにポリシリコン膜２を除去する。ポリ
シリコン膜成長後の表面粗さ（Ｒａ）はポリシリコン膜
成長前の表面粗さ以下である方がより高い清浄度を得ら
れるため、本実施例においては面取り加工面１１ａを表
面粗さ（Ｒａ）２００Åに加工する。
【００２０】尚、ここで本実施例と従来の製造方法によ
る加工時間について比較すると、従来技術においてはポ
リシリコン膜成長後に１５分程度の加工時間を要してい
たのに対し、本実施例においてはポリシリコン膜成長前
に３分程度、ポリシリコン膜成長後に４分程度、合計７
分程度の加工時間でよく、加工時間が大幅に短くなるこ
とがわかる。
る加工時間について比較すると、従来技術においてはポ
リシリコン膜成長後に１５分程度の加工時間を要してい
たのに対し、本実施例においてはポリシリコン膜成長前
に３分程度、ポリシリコン膜成長後に４分程度、合計７
分程度の加工時間でよく、加工時間が大幅に短くなるこ
とがわかる。
【００２１】尚、上記実施例は、ポリシリコン膜を成長
させた半導体ウェハに関するものであったが、上述した
ように酸化膜を成長させたものについても同様である。
すなわち、酸化膜形成前に面取り加工面を表面粗さ（R
a）を４００Å以下の鏡面状に加工することにより半導
体ウェハの裏面および面取り加工面に酸化膜を成長させ
た後、面取り加工面を研磨すれば、酸化シリコンを完全
除去できる。
させた半導体ウェハに関するものであったが、上述した
ように酸化膜を成長させたものについても同様である。
すなわち、酸化膜形成前に面取り加工面を表面粗さ（R
a）を４００Å以下の鏡面状に加工することにより半導
体ウェハの裏面および面取り加工面に酸化膜を成長させ
た後、面取り加工面を研磨すれば、酸化シリコンを完全
除去できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
ポリシリコン膜や酸化膜が除去された半導体ウェハの面
取り加工面にポリシリコンや酸化シリコンが残存するこ
とがなく、その後のエピタキシャル成長またはデバイス
作成工程に悪影響を与えることがない。また、これらの
膜除去においては取代を特に大きくする必要がなく、膜
成長前の面取り加工にかかる時間を加味しても、従来よ
り短い加工時間で非常に品質の高い半導体ウェハを製造
できるため、その生産性は飛躍的に向上する。
ポリシリコン膜や酸化膜が除去された半導体ウェハの面
取り加工面にポリシリコンや酸化シリコンが残存するこ
とがなく、その後のエピタキシャル成長またはデバイス
作成工程に悪影響を与えることがない。また、これらの
膜除去においては取代を特に大きくする必要がなく、膜
成長前の面取り加工にかかる時間を加味しても、従来よ
り短い加工時間で非常に品質の高い半導体ウェハを製造
できるため、その生産性は飛躍的に向上する。
【図１】本実施例の製造方法の各工程における半導体ウ
ェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。
ェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。
【図２】従来技術の製造方法の各工程における半導体ウ
ェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。
ェハの状態を示す部分拡大側面断面図である。
【図３】残存ポリシリコンを完全になくすのに必要な加
工時間と面取り加工面の面取り粗さとの関係を示すグラ
フである。
工時間と面取り加工面の面取り粗さとの関係を示すグラ
フである。
１‥‥‥半導体ウェハ １１‥‥周縁部 １１ａ‥面取り加工面 １２‥‥凹凸 ２‥‥‥ポリシリコン膜 ２ａ‥‥ポリシリコン
Claims (2)
- 【請求項１】 裏面にポリシリコン膜または酸化膜を有
する半導体ウェハの製造方法において、該ポリシリコン
膜または該酸化膜を形成する前の該半導体ウェハの周縁
部の面取り加工面を、表面粗さ（Ｒａ）４００Å以下に
加工することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項２】 周縁部の面取り加工面を、さらに表面粗
さ（Ｒａ）２００Å以下に加工することを特徴とする請
求項１記載の半導体ウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6504598A JPH11260775A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体ウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6504598A JPH11260775A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体ウェハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260775A true JPH11260775A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13275607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6504598A Pending JPH11260775A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体ウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164528A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Bridgestone Corp | ウェハの製造方法 |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP6504598A patent/JPH11260775A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164528A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Bridgestone Corp | ウェハの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050225 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071127 |
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Effective date: 20080401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |