JPH11260791A - 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置Info
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- JPH11260791A JPH11260791A JP5821498A JP5821498A JPH11260791A JP H11260791 A JPH11260791 A JP H11260791A JP 5821498 A JP5821498 A JP 5821498A JP 5821498 A JP5821498 A JP 5821498A JP H11260791 A JPH11260791 A JP H11260791A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄後に半導体ウエハ上に付着している純水
を、短時間、省スペース、低コストで乾燥することがで
きる半導体ウエハの乾燥方法を提供する。 【解決手段】 水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素
等のガスを透過し難い高分子製ガス分離膜４を半導体ウ
エハ６の周囲に配置し、前記半導体ウエハ６と前記高分
子製ガス分離膜４との隙間１０に前記酸素、窒素等の乾
燥用ガスＧを導入して、前記半導体ウエハ６に付着して
いる水分を蒸気化し、前記高分子製ガス分離膜４で水蒸
気を分離して乾燥させるようにしたものである。
を、短時間、省スペース、低コストで乾燥することがで
きる半導体ウエハの乾燥方法を提供する。 【解決手段】 水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素
等のガスを透過し難い高分子製ガス分離膜４を半導体ウ
エハ６の周囲に配置し、前記半導体ウエハ６と前記高分
子製ガス分離膜４との隙間１０に前記酸素、窒素等の乾
燥用ガスＧを導入して、前記半導体ウエハ６に付着して
いる水分を蒸気化し、前記高分子製ガス分離膜４で水蒸
気を分離して乾燥させるようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄後に半導体ウ
エハ上に付着している純水を乾燥させるための半導体ウ
エハの乾燥方法および乾燥装置に関する。
エハ上に付着している純水を乾燥させるための半導体ウ
エハの乾燥方法および乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体部品の需要が多く、また、
その種類も多種類に及んでいる。半導体部品は、多種の
工程を経て製造されるが、その製造工程において、通
常、各工程毎に、その基板である半導体ウエハに付着し
た汚染物を除去し、清浄な状態で次の工程に送り込むよ
うにしている。
その種類も多種類に及んでいる。半導体部品は、多種の
工程を経て製造されるが、その製造工程において、通
常、各工程毎に、その基板である半導体ウエハに付着し
た汚染物を除去し、清浄な状態で次の工程に送り込むよ
うにしている。
【０００３】すなわち、各工程毎に、半導体ウエハに付
着した汚染物を洗浄し、この洗浄終了後に洗浄液を純水
でリンスし、さらに、この後、半導体ウエハ上に付着し
ている純水を乾燥するようにしている。
着した汚染物を洗浄し、この洗浄終了後に洗浄液を純水
でリンスし、さらに、この後、半導体ウエハ上に付着し
ている純水を乾燥するようにしている。
【０００４】このように、半導体製造工程において、半
導体ウエハの乾燥工程の回数は多く、処理時間、スペー
ス、コストに占める要因は非常に大きいものとなってい
る。このため、この種の乾燥装置として、短時間で乾燥
でき、しかも、省スペース、低コストの装置が求められ
ている。
導体ウエハの乾燥工程の回数は多く、処理時間、スペー
ス、コストに占める要因は非常に大きいものとなってい
る。このため、この種の乾燥装置として、短時間で乾燥
でき、しかも、省スペース、低コストの装置が求められ
ている。
【０００５】一方、従来において半導体製造に使用され
る乾燥装置として、半導体ウエハを高速回転させてその
遠心力を利用するスピン乾燥機、さらに、このスピン乾
燥機の効率を向上させるため減圧、熱等を組合わせた改
良型スピン乾燥機が用いられている。
る乾燥装置として、半導体ウエハを高速回転させてその
遠心力を利用するスピン乾燥機、さらに、このスピン乾
燥機の効率を向上させるため減圧、熱等を組合わせた改
良型スピン乾燥機が用いられている。
【０００６】しかし、乾燥効率を向上させべく改良され
た改良型スピン乾燥機にあっても、半導体ウエハが大口
径化する等その製造条件の変化により、乾燥時間におい
て前記要求を満足できなくなっているのが現状である。
た改良型スピン乾燥機にあっても、半導体ウエハが大口
径化する等その製造条件の変化により、乾燥時間におい
て前記要求を満足できなくなっているのが現状である。
【０００７】また、ウエハを回転自在に支持するための
回転支持機構や駆動源等を必要とするため、必然的に装
置が大型化し、かつ機構が複雑になり、省スペース、低
コストの前記要求を満足できないばかりでなく、ウエハ
エッヂ部が高速回転中に振動することによりチッピング
が発生したりするなどの問題がある。
回転支持機構や駆動源等を必要とするため、必然的に装
置が大型化し、かつ機構が複雑になり、省スペース、低
コストの前記要求を満足できないばかりでなく、ウエハ
エッヂ部が高速回転中に振動することによりチッピング
が発生したりするなどの問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体ウエハの乾燥方法および装置は、特に乾燥時間、
省スペース、低コスト化等において最近の要求を満すこ
とができなくなっており、これを解決し得る半導体ウエ
ハの乾燥方法および装置の提供が臨まれているのが現状
である。
半導体ウエハの乾燥方法および装置は、特に乾燥時間、
省スペース、低コスト化等において最近の要求を満すこ
とができなくなっており、これを解決し得る半導体ウエ
ハの乾燥方法および装置の提供が臨まれているのが現状
である。
【０００９】本発明は、上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、洗浄後に半導体ウエハ上
に付着している純水を、短時間、省スペース、低コスト
で乾燥することができる半導体ウエハの乾燥方法および
装置を提供しようとするものである。
で、その目的とするところは、洗浄後に半導体ウエハ上
に付着している純水を、短時間、省スペース、低コスト
で乾燥することができる半導体ウエハの乾燥方法および
装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための第１の手段として、水蒸気を極めて透過し
易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い高分子製ガス分
離膜を半導体ウエハの周囲に配置し、前記半導体ウエハ
と前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記酸素、窒素等
のガスを導入して、前記半導体ウエハに付着している水
分を蒸気化し、前記高分子製ガス分離膜で水蒸気を分離
して乾燥させるようにしたものである。
成するための第１の手段として、水蒸気を極めて透過し
易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い高分子製ガス分
離膜を半導体ウエハの周囲に配置し、前記半導体ウエハ
と前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記酸素、窒素等
のガスを導入して、前記半導体ウエハに付着している水
分を蒸気化し、前記高分子製ガス分離膜で水蒸気を分離
して乾燥させるようにしたものである。
【００１１】これにより、従来の遠心力を利用するスピ
ン乾燥方法のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間
の短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上で
きる。また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を
必要としないため、装置の小型化と機構の簡素化が図
れ、省スペース、低コストが図れ、また、ウエハエッヂ
部が高速回転中に振動することによりチッピングが発生
したりすることもなく安定した製品品質の維持が可能と
なる半導体ウエハの乾燥方法を提供できる。
ン乾燥方法のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間
の短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上で
きる。また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を
必要としないため、装置の小型化と機構の簡素化が図
れ、省スペース、低コストが図れ、また、ウエハエッヂ
部が高速回転中に振動することによりチッピングが発生
したりすることもなく安定した製品品質の維持が可能と
なる半導体ウエハの乾燥方法を提供できる。
【００１２】また、第２の手段として、第１の手段にお
ける半導体ウエハと高分子製ガス分離膜との隙間に導入
する酸素、窒素等のガスを、別に設けた高分子製ガス分
離膜によって予備乾燥した圧縮ガスとしたものである。
ける半導体ウエハと高分子製ガス分離膜との隙間に導入
する酸素、窒素等のガスを、別に設けた高分子製ガス分
離膜によって予備乾燥した圧縮ガスとしたものである。
【００１３】これにより、半導体ウエハ表面の水分をよ
り速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速く水蒸
気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、半導体ウエ
ハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前に予備乾
燥することにより半導体ウエハ表面の水分をより効率良
く分離して乾燥することが可能となる。
り速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速く水蒸
気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、半導体ウエ
ハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前に予備乾
燥することにより半導体ウエハ表面の水分をより効率良
く分離して乾燥することが可能となる。
【００１４】また、上記目的を達成するための第３の手
段として、被乾燥部材である半導体ウエハを支持するウ
エハ保持部材を有し、かつ、水蒸気を極めて透過し易
く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質を有する高分
子製ガス分離膜を、前記半導体ウエハとの間に隙間を存
する状態で配置してなる乾燥室と、この乾燥室内の前記
半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記
酸素、窒素等のガスを導入するガス供給手段とを具備
し、前記酸素、窒素等のガスにより、前記半導体ウエハ
に付着している水分を蒸気化すると共に前記高分子製ガ
ス分離膜で水蒸気を分離して乾燥させるようにしたもの
である。
段として、被乾燥部材である半導体ウエハを支持するウ
エハ保持部材を有し、かつ、水蒸気を極めて透過し易
く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質を有する高分
子製ガス分離膜を、前記半導体ウエハとの間に隙間を存
する状態で配置してなる乾燥室と、この乾燥室内の前記
半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記
酸素、窒素等のガスを導入するガス供給手段とを具備
し、前記酸素、窒素等のガスにより、前記半導体ウエハ
に付着している水分を蒸気化すると共に前記高分子製ガ
ス分離膜で水蒸気を分離して乾燥させるようにしたもの
である。
【００１５】これにより、従来の遠心力を利用するスピ
ン乾燥装置のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間
の短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上で
きる。また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を
必要としないため、装置の小型化と機構の簡素化が図
れ、省スペース、低コストが図れる。また、ウエハエッ
ヂ部が高速回転中に振動することによりチッピングが発
生したりすることもなく安定した製品品質の維持が可能
となる半導体ウエハの乾燥装置を提供できる。
ン乾燥装置のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間
の短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上で
きる。また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を
必要としないため、装置の小型化と機構の簡素化が図
れ、省スペース、低コストが図れる。また、ウエハエッ
ヂ部が高速回転中に振動することによりチッピングが発
生したりすることもなく安定した製品品質の維持が可能
となる半導体ウエハの乾燥装置を提供できる。
【００１６】また、第４の手段として、前記第３の手段
のガス供給手段を、前記酸素、窒素等のガスを圧縮して
供給する圧縮ガス供給装置と、この圧縮ガス供給装置に
より供給される前記酸素、窒素等のガスを、水蒸気を極
めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質
を有する高分子製ガス分離膜によって予備乾燥する予備
乾燥装置と、この予備乾燥装置により予備乾燥した圧縮
ガスを前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との
隙間に導くガス導入装置とを具備してなる構成としたも
のである。
のガス供給手段を、前記酸素、窒素等のガスを圧縮して
供給する圧縮ガス供給装置と、この圧縮ガス供給装置に
より供給される前記酸素、窒素等のガスを、水蒸気を極
めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質
を有する高分子製ガス分離膜によって予備乾燥する予備
乾燥装置と、この予備乾燥装置により予備乾燥した圧縮
ガスを前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との
隙間に導くガス導入装置とを具備してなる構成としたも
のである。
【００１７】このように、酸素、窒素等のガスを、圧縮
ガス供給装置によって圧縮ガスとして供給するようにし
たから、半導体ウエハ表面の水分をより速く水蒸気化
し、高分子製ガス分離膜でより速く水蒸気を分離でき
る。さらに、前記圧縮ガスを、予備乾燥装置によって半
導体ウエハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前
に予備乾燥するようにしたから半導体ウエハ表面の水分
をより効率良く分離して乾燥することが可能となる。
ガス供給装置によって圧縮ガスとして供給するようにし
たから、半導体ウエハ表面の水分をより速く水蒸気化
し、高分子製ガス分離膜でより速く水蒸気を分離でき
る。さらに、前記圧縮ガスを、予備乾燥装置によって半
導体ウエハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前
に予備乾燥するようにしたから半導体ウエハ表面の水分
をより効率良く分離して乾燥することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
について図１を参照して説明する。図１は本発明の乾燥
方法を実施するための半導体ウエハの乾燥装置を概略的
に示すもので、この乾燥装置１は、大別して乾燥装置本
体部２と、この乾燥装置本体部２に乾燥用ガスＧを導入
するガス供給手段としてのガス供給装置部３とからな
る。
について図１を参照して説明する。図１は本発明の乾燥
方法を実施するための半導体ウエハの乾燥装置を概略的
に示すもので、この乾燥装置１は、大別して乾燥装置本
体部２と、この乾燥装置本体部２に乾燥用ガスＧを導入
するガス供給手段としてのガス供給装置部３とからな
る。
【００１９】乾燥装置本体部２は、次のような構成とな
っている。すなわち、乾燥装置本体部２は、水蒸気を極
めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質
を有する高分子製ガス分離膜４で形成されたチャンバ５
を有し、チャンバ５内に洗浄後の被乾燥部材である半導
体ウエハ６を収容する乾燥室７を形成した状態となって
いる。
っている。すなわち、乾燥装置本体部２は、水蒸気を極
めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質
を有する高分子製ガス分離膜４で形成されたチャンバ５
を有し、チャンバ５内に洗浄後の被乾燥部材である半導
体ウエハ６を収容する乾燥室７を形成した状態となって
いる。
【００２０】乾燥室７内には、ベース８上に配設された
複数のウエハ保持部材９の保持部分が臨んでおり、半導
体ウエハ６の表裏両面と前記高分子製ガス分離膜４との
間に、乾燥用ガスＧが流れ得る十分な隙間１０を存する
状態で半導体ウエハ６を保持するようになっている上記
チャンバ５を形成する高分子製ガス分離膜４は、宇部興
産（株）製の高分子製中空糸膜からなり、ステンレス製
の容器１１で保持されている。
複数のウエハ保持部材９の保持部分が臨んでおり、半導
体ウエハ６の表裏両面と前記高分子製ガス分離膜４との
間に、乾燥用ガスＧが流れ得る十分な隙間１０を存する
状態で半導体ウエハ６を保持するようになっている上記
チャンバ５を形成する高分子製ガス分離膜４は、宇部興
産（株）製の高分子製中空糸膜からなり、ステンレス製
の容器１１で保持されている。
【００２１】この容器１１は詳細に図示しないが、上部
材と下部材とからなり、上下方向に２分割可能となって
おり、前記乾燥室７に半導体ウエハ６を出し入れできる
ようになっている。また、容器１１の一側部には、高分
子製ガス分離膜４の相互対向面間に形成された前記乾燥
室７に連通する状態にガス導入口１２が、また、これと
は反対側に前記乾燥室７を通過した乾燥用ガスＧを外部
に導出するガス導出口１３が形成された状態となってい
る。
材と下部材とからなり、上下方向に２分割可能となって
おり、前記乾燥室７に半導体ウエハ６を出し入れできる
ようになっている。また、容器１１の一側部には、高分
子製ガス分離膜４の相互対向面間に形成された前記乾燥
室７に連通する状態にガス導入口１２が、また、これと
は反対側に前記乾燥室７を通過した乾燥用ガスＧを外部
に導出するガス導出口１３が形成された状態となってい
る。
【００２２】一方、乾燥室７内に乾燥用ガスＧを導入す
るガス供給手段としてのガス供給装置部３は、次のよう
な構成となっている。すなわち、ガス供給装置部３は、
前記乾燥用ガスＧである酸素、窒素等のガス圧縮して供
給する圧縮ガス供給装置２０を有する。この実施形態で
は前記乾燥用ガスＧとして圧縮空気を使用するものであ
り、その圧縮ガス供給装置２０として吐出圧調整機能付
きの空気圧縮機やブロアー等が使用される。
るガス供給手段としてのガス供給装置部３は、次のよう
な構成となっている。すなわち、ガス供給装置部３は、
前記乾燥用ガスＧである酸素、窒素等のガス圧縮して供
給する圧縮ガス供給装置２０を有する。この実施形態で
は前記乾燥用ガスＧとして圧縮空気を使用するものであ
り、その圧縮ガス供給装置２０として吐出圧調整機能付
きの空気圧縮機やブロアー等が使用される。
【００２３】さらに、この圧縮ガス供給装置２０のガス
供給方向下流側には、乾燥室７内に導入される直前にお
いて、前記圧縮ガス（圧縮空気）からなる乾燥用ガスＧ
を、予備乾燥する予備乾燥装置２１が設けられている。
この予備乾燥装置２１は、水蒸気を極めて透過し易く、
酸素、窒素等のガスを透過し難い性質を有する前述した
高分子製ガス分離膜４を用いたドライヤー２２で構成さ
れる。
供給方向下流側には、乾燥室７内に導入される直前にお
いて、前記圧縮ガス（圧縮空気）からなる乾燥用ガスＧ
を、予備乾燥する予備乾燥装置２１が設けられている。
この予備乾燥装置２１は、水蒸気を極めて透過し易く、
酸素、窒素等のガスを透過し難い性質を有する前述した
高分子製ガス分離膜４を用いたドライヤー２２で構成さ
れる。
【００２４】また、予備乾燥装置２１としてのドライヤ
ー２２のガス導出端側は、配管２３からなるガス導入装
置２４を介して前記ガス導入口１２に接続されており、
予備乾燥した圧縮ガスからなる乾燥用ガスＧを前記半導
体ウエハ６と前記高分子製ガス分離膜４との隙間１０に
導くようになっている。
ー２２のガス導出端側は、配管２３からなるガス導入装
置２４を介して前記ガス導入口１２に接続されており、
予備乾燥した圧縮ガスからなる乾燥用ガスＧを前記半導
体ウエハ６と前記高分子製ガス分離膜４との隙間１０に
導くようになっている。
【００２５】次に、このように構成された乾燥装置１の
作用について説明する。洗浄後の半導体ウエハ６を、ベ
ース８上に配設されたウエハ保持部材９で保持すること
で、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを
透過し難い高分子製ガス分離膜４で形成されたチャンバ
５内、すなわち、乾燥室７に収納する。
作用について説明する。洗浄後の半導体ウエハ６を、ベ
ース８上に配設されたウエハ保持部材９で保持すること
で、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを
透過し難い高分子製ガス分離膜４で形成されたチャンバ
５内、すなわち、乾燥室７に収納する。
【００２６】この後、乾燥室７にガス供給装置部３から
乾燥用のガスＧが導入される。この乾燥用のガスＧは、
予備乾燥装置２１としてのドライヤー２２により乾燥さ
れた圧縮空気であり、半導体ウエハ６の表裏（上下面）
と高分子製ガス分離膜４との隙間１０を通過中に、半導
体ウエハ６の表面に付着している水分を蒸気化させ、圧
縮空気からなる乾燥用ガスＧの圧力により水蒸気（Ｈ2
Ｏ）が高分子製ガス分離膜４を透過し、分離される。ま
た、乾燥用ガスＧはガス導出口１３より放出される。
乾燥用のガスＧが導入される。この乾燥用のガスＧは、
予備乾燥装置２１としてのドライヤー２２により乾燥さ
れた圧縮空気であり、半導体ウエハ６の表裏（上下面）
と高分子製ガス分離膜４との隙間１０を通過中に、半導
体ウエハ６の表面に付着している水分を蒸気化させ、圧
縮空気からなる乾燥用ガスＧの圧力により水蒸気（Ｈ2
Ｏ）が高分子製ガス分離膜４を透過し、分離される。ま
た、乾燥用ガスＧはガス導出口１３より放出される。
【００２７】なお、高分子製ガス分離膜４により分離さ
れた水蒸気（Ｈ2 Ｏ）は、高分子製ガス分離膜４を保持
するステンレス製の容器１１に形成された図示しない透
孔から外部に放出される。
れた水蒸気（Ｈ2 Ｏ）は、高分子製ガス分離膜４を保持
するステンレス製の容器１１に形成された図示しない透
孔から外部に放出される。
【００２８】本発明の乾燥装置１により、洗浄後、純水
でリンスした８インチの半導体ウエハ６を圧縮空気０．
５ＭＰａ、流量１５ＮＩ／Ｍｉｎの条件で１min 乾燥し
た結果、半導体ウエハ６は完全に乾燥された。
でリンスした８インチの半導体ウエハ６を圧縮空気０．
５ＭＰａ、流量１５ＮＩ／Ｍｉｎの条件で１min 乾燥し
た結果、半導体ウエハ６は完全に乾燥された。
【００２９】このように、半導体ウエハ６の乾燥時間
は、従来のスピン乾燥機の１／２０と大幅な乾燥時間の
短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上でき
る。また、本発明の乾燥方法および装置は、半導体ウエ
ハ６の回転支持機構や駆動源等を必要としないため、装
置の小型化と機構の簡素化が図れ、省スペース、低コス
トが図れる。また、ウエハエッヂ部が高速回転中に振動
することによりチッピングが発生したりすることもなく
安定した製品品質の維持が可能となった。なお、本発明
は上記実施の形態に限らず、本発明の要旨を変えない範
囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
は、従来のスピン乾燥機の１／２０と大幅な乾燥時間の
短縮が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上でき
る。また、本発明の乾燥方法および装置は、半導体ウエ
ハ６の回転支持機構や駆動源等を必要としないため、装
置の小型化と機構の簡素化が図れ、省スペース、低コス
トが図れる。また、ウエハエッヂ部が高速回転中に振動
することによりチッピングが発生したりすることもなく
安定した製品品質の維持が可能となった。なお、本発明
は上記実施の形態に限らず、本発明の要旨を変えない範
囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次の
ような効果を奏する。請求項１の乾燥方法によれば、水
蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し
難い高分子製ガス分離膜を半導体ウエハの周囲に配置
し、前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙
間に前記酸素、窒素等のガスを導入して、前記半導体ウ
エハに付着している水分を蒸気化し、前記高分子製ガス
分離膜で水蒸気を分離して乾燥させるようにしたもので
ある。これにより、従来の遠心力を利用するスピン乾燥
方法のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間の短縮
が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上できる。
また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を必要と
しないため、装置の小型化と機構の簡素化が図れ、省ス
ペース、低コストが図れ、また、ウエハエッヂ部が高速
回転中に振動することによりチッピングが発生したりす
ることもなく安定した製品品質の維持が可能となる半導
体ウエハの乾燥方法を提供できるといった効果を奏す
る。
ような効果を奏する。請求項１の乾燥方法によれば、水
蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等のガスを透過し
難い高分子製ガス分離膜を半導体ウエハの周囲に配置
し、前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙
間に前記酸素、窒素等のガスを導入して、前記半導体ウ
エハに付着している水分を蒸気化し、前記高分子製ガス
分離膜で水蒸気を分離して乾燥させるようにしたもので
ある。これにより、従来の遠心力を利用するスピン乾燥
方法のものに比べて数十分の１と大幅な乾燥時間の短縮
が図れ、しいては半導体製造効率を大幅に向上できる。
また、半導体ウエハの回転支持機構や駆動源等を必要と
しないため、装置の小型化と機構の簡素化が図れ、省ス
ペース、低コストが図れ、また、ウエハエッヂ部が高速
回転中に振動することによりチッピングが発生したりす
ることもなく安定した製品品質の維持が可能となる半導
体ウエハの乾燥方法を提供できるといった効果を奏す
る。
【００３１】また、請求項２の乾燥方法によれば、請求
項１の乾燥方法における半導体ウエハと高分子製ガス分
離膜との隙間に導入する酸素、窒素等のガスを、別に設
けた高分子製ガス分離膜によって予備乾燥した圧縮ガス
としたものである。これにより、半導体ウエハ表面の水
分をより速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速
く水蒸気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、半導
体ウエハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前に
予備乾燥することにより半導体ウエハ表面の水分をより
効率良く分離して乾燥することが可能となる。
項１の乾燥方法における半導体ウエハと高分子製ガス分
離膜との隙間に導入する酸素、窒素等のガスを、別に設
けた高分子製ガス分離膜によって予備乾燥した圧縮ガス
としたものである。これにより、半導体ウエハ表面の水
分をより速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速
く水蒸気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、半導
体ウエハと高分子製ガス分離膜との間に導入する直前に
予備乾燥することにより半導体ウエハ表面の水分をより
効率良く分離して乾燥することが可能となる。
【００３２】また、請求項３の乾燥装置によれば、被乾
燥部材である半導体ウエハを支持するウエハ保持部材を
有し、かつ、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等
のガスを透過し難い性質を有する高分子製ガス分離膜
を、前記半導体ウエハとの間に隙間を存する状態で配置
してなる乾燥室と、この乾燥室内の前記半導体ウエハと
前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記酸素、窒素等の
ガスを導入するガス供給手段とを具備し、前記酸素、窒
素等のガスにより、前記半導体ウエハに付着している水
分を蒸気化すると共に前記高分子製ガス分離膜で水蒸気
を分離して乾燥させるようにしたものである。これによ
り、従来の遠心力を利用するスピン乾燥装置のものに比
べて数十分の１と大幅な乾燥時間の短縮が図れ、しいて
は半導体製造効率を大幅に向上できる。また、半導体ウ
エハの回転支持機構や駆動源等を必要としないため、装
置の小型化と機構の簡素化が図れ、省スペース、低コス
トが図れる。また、ウエハエッヂ部が高速回転中に振動
することによりチッピングが発生したりすることもなく
安定した製品品質の維持が可能となる半導体ウエハの乾
燥装置を提供できるといった効果を奏する。
燥部材である半導体ウエハを支持するウエハ保持部材を
有し、かつ、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等
のガスを透過し難い性質を有する高分子製ガス分離膜
を、前記半導体ウエハとの間に隙間を存する状態で配置
してなる乾燥室と、この乾燥室内の前記半導体ウエハと
前記高分子製ガス分離膜との隙間に前記酸素、窒素等の
ガスを導入するガス供給手段とを具備し、前記酸素、窒
素等のガスにより、前記半導体ウエハに付着している水
分を蒸気化すると共に前記高分子製ガス分離膜で水蒸気
を分離して乾燥させるようにしたものである。これによ
り、従来の遠心力を利用するスピン乾燥装置のものに比
べて数十分の１と大幅な乾燥時間の短縮が図れ、しいて
は半導体製造効率を大幅に向上できる。また、半導体ウ
エハの回転支持機構や駆動源等を必要としないため、装
置の小型化と機構の簡素化が図れ、省スペース、低コス
トが図れる。また、ウエハエッヂ部が高速回転中に振動
することによりチッピングが発生したりすることもなく
安定した製品品質の維持が可能となる半導体ウエハの乾
燥装置を提供できるといった効果を奏する。
【００３３】また、請求項４の乾燥装置によれば、請求
項３の乾燥装置におけるガス供給手段を、前記酸素、窒
素等のガスを圧縮して供給する圧縮ガス供給装置と、こ
の圧縮ガス供給装置により供給される前記酸素、窒素等
のガスを、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等の
ガスを透過し難い性質を有する高分子製ガス分離膜によ
って予備乾燥する予備乾燥装置と、この予備乾燥装置に
より予備乾燥した圧縮ガスを前記半導体ウエハと前記高
分子製ガス分離膜との隙間に導くガス導入装置とを具備
してなる構成としたものである。このように、酸素、窒
素等のガスを、圧縮ガス供給装置によって圧縮ガスとし
て供給するようにしたから、半導体ウエハ表面の水分を
より速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速く水
蒸気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、予備乾燥
装置によって半導体ウエハと高分子製ガス分離膜との間
に導入する直前に予備乾燥するようにしたから半導体ウ
エハ表面の水分をより効率良く分離して乾燥することが
可能となるといった効果を奏する。
項３の乾燥装置におけるガス供給手段を、前記酸素、窒
素等のガスを圧縮して供給する圧縮ガス供給装置と、こ
の圧縮ガス供給装置により供給される前記酸素、窒素等
のガスを、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等の
ガスを透過し難い性質を有する高分子製ガス分離膜によ
って予備乾燥する予備乾燥装置と、この予備乾燥装置に
より予備乾燥した圧縮ガスを前記半導体ウエハと前記高
分子製ガス分離膜との隙間に導くガス導入装置とを具備
してなる構成としたものである。このように、酸素、窒
素等のガスを、圧縮ガス供給装置によって圧縮ガスとし
て供給するようにしたから、半導体ウエハ表面の水分を
より速く水蒸気化し、高分子製ガス分離膜でより速く水
蒸気を分離できる。さらに、前記圧縮ガスを、予備乾燥
装置によって半導体ウエハと高分子製ガス分離膜との間
に導入する直前に予備乾燥するようにしたから半導体ウ
エハ表面の水分をより効率良く分離して乾燥することが
可能となるといった効果を奏する。
【図１】本発明の乾燥装置の一例を概略的に示す図。
１…乾燥装置 ２…乾燥装置本体部 Ｇ…乾燥用ガス ３…ガス供給装置部（ガス供給手段） ４…高分子製ガス分離膜 ５…チャンバ ６…半導体ウエハ ７…乾燥室 ８…ベース ９…ウエハ保持部材 １０…隙間 １１…容器 １２…ガス導入口 １３…ガス導出口 ２０…圧縮ガス供給装置 ２１…予備乾燥装置 ２２…ドライヤー ２３…配管 ２４…ガス導入装置
Claims (4)
- 【請求項１】水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等
のガスを透過し難い高分子製ガス分離膜を半導体ウエハ
の周囲に配置し、 前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙間に
前記酸素、窒素等のガスを導入して、前記半導体ウエハ
に付着している水分を蒸気化し、 前記高分子製ガス分離膜で水蒸気を分離して乾燥させる
ことを特徴とする半導体ウエハの乾燥方法。 - 【請求項２】前記酸素、窒素等のガスは、別に設けた高
分子製ガス分離膜によって予備乾燥した圧縮ガスである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの乾燥
方法。 - 【請求項３】被乾燥部材である半導体ウエハを支持する
ウエハ保持部材を有し、かつ、水蒸気を極めて透過し易
く、酸素、窒素等のガスを透過し難い性質を有する高分
子製ガス分離膜を、前記半導体ウエハとの間に隙間を存
する状態で配置してなる乾燥室と、 この乾燥室内の前記半導体ウエハと前記高分子製ガス分
離膜との隙間に前記酸素、窒素等のガスを導入するガス
供給手段と、を具備し、 前記酸素、窒素等のガスにより、前記半導体ウエハに付
着している水分を蒸気化すると共に前記高分子製ガス分
離膜で水蒸気を分離して乾燥させることを特徴とする半
導体ウエハの乾燥装置。 - 【請求項４】前記ガス供給手段は、 前記酸素、窒素等のガスを圧縮して供給する圧縮ガス供
給装置と、 この圧縮ガス供給装置により供給される前記酸素、窒素
等のガスを、水蒸気を極めて透過し易く、酸素、窒素等
のガスを透過し難い性質を有する高分子製ガス分離膜に
よって予備乾燥する予備乾燥装置と、 この予備乾燥装置により予備乾燥した圧縮ガスを前記半
導体ウエハと前記高分子製ガス分離膜との隙間に導くガ
ス導入装置と、を具備してなることを特徴とする請求項
３に記載の半導体ウエハの乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821498A JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821498A JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260791A true JPH11260791A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13077817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5821498A Pending JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260791A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7929111B2 (en) * | 2003-04-10 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9658537B2 (en) | 2003-04-10 | 2017-05-23 | Nikon Corporation | Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10126661B2 (en) | 2004-03-25 | 2018-11-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP5821498A patent/JPH11260791A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
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| US9632427B2 (en) | 2003-04-10 | 2017-04-25 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
| US9658537B2 (en) | 2003-04-10 | 2017-05-23 | Nikon Corporation | Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| US7929110B2 (en) * | 2003-04-10 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
| US9977350B2 (en) | 2003-04-10 | 2018-05-22 | Nikon Corporation | Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| US9910370B2 (en) | 2003-04-10 | 2018-03-06 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10126661B2 (en) | 2004-03-25 | 2018-11-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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