JPH11260810A

JPH11260810A - 基板処理方法および基板処理装置

Info

Publication number: JPH11260810A
Application number: JP10055420A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Toyoda; 一行豊田; Kazumasa Makiguchi; 一誠巻口; Takayuki Sato; 崇之佐藤; Shinji Yashima; 伸二八島; Tsutomu Tanaka; 田中　　勉
Original assignee: Kokusai Electric Co Ltd
Current assignee: Kokusai Denki Electric Inc
Priority date: 1998-03-06
Filing date: 1998-03-06
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理基板に対する反応性ガスの供給位置を
調整して、薄膜形成やエッチング等の基板面内処理状態
の均一性を制御できるようにして、プロセスのマージン
を広げる。【解決手段】反応室２内の底部に設けた試料台１２に
被処理基板１０を静電吸着する。反応室２内の被処理基
板１０の周辺に、反応性ガスを被処理基板１０の被処理
面に供給する複数のノズル７０を、被処理基板１０を中
心に点対称に設ける。これらのノズル７０をノズル台７
１にそれぞれ取り付ける。ノズル台７１は反応室２の底
部から挿入した支持棒８０に支持する。反応室２の外部
に設けた駆動機構により、支持棒８０を反応室２に対し
て進退させることにより、ノズル７０を上下移動して被
処理基板１０に対するノズル７０の高さを調整できるよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応室内に搬送さ
れたシリコンウェーハやガラス基板等の被処理基板の被
処理面に薄膜を形成したり、薄模をエッチングしたり、
あるいはアッシングしたりする基板処理方法および装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラズマＣＶＤやプラズマエッチ
ング、プラズマアッシングなどのプラズマを利用する半
導体製造装置の開発が盛んに進められている。これらの
装置のプラズマ源としては、プラズマ部と電極が容量的
に結合した容量結合型と、プラズマ部とアンテナが主に
誘導的に結合した誘導結合型などがある。容量結合型で
はプラズマ発生空間とウェーハの置かれた反応室が近い
ため、上部に設けた多数の開口から基板に向けてシャワ
ー状にガスを噴出させることが行われており、これで膜
の均一性が確保できる。

【０００３】これに対して誘導結合型では放電室に巻か
れたコイル等のアンテナから高周波を供給して高密度プ
ラズマを発生させ、プラズマ発生空間である放電室から
離れた反応室に置かれた基板にプラズマを輸送しなけれ
ばならないため、上部からガスを噴出させたのでは膜の
均一性が確保できない。そこで基板の周囲から基板と平
行にガスを噴出させることが行われている。前記誘導結
合型は高密度プラズマを発生させる方法として注目され
ているうえ、反応室内の圧力も１ｍTorr〜１０ｍTorr
と、容量結合型（１Torr〜１０Torr）より３桁も低くす
ることができるので、微細パターンの形成、特に溝の内
側に成膜したり、溝の内側をエッチングしたりする装置
に好適である。

【０００４】図２４を用いて前記した誘導結合型装置の
一例を説明する。本装置は被処理基板１０にバイアスを
かける高密度型プラズマＣＶＤ装置と呼ばれているもの
である。同図において、反応室２は導電性の反応容器１
と蓋９をした誘電体の円筒窓３とによって気密構造に形
成されており、反応室２の底部に試料台１２が絶縁ブロ
ック１３を介して設置されている。円筒窓３の外周には
誘導コイル４が巻回され、この誘導コイル４に高周波電
源６が出力する高周波電力を整合器７を介して供給され
る。誘導コイル４の形状は被処理基板１０の処理の仕方
によって適切に選択される。反応室２の底部に設けられ
た試料台１２には、被処理基板１０にバイアスをかけて
放電室５で発生したプラズマ中の荷電粒子を被処理基板
１０側に引き込むために、整合器１４を介して高周波電
源１５が出力する高周波電力を供給可能となっている。

【０００５】反応室２を排気ポンプ（図示省略）で排気
した後、反応室２内の試料台１２へ被処理基板１０を搬
送し、反応性ガスを試料台１２の周辺に設けられたノズ
ル７０から供給し、反応室２内を圧力制御装置（図示省
略）で所定の圧力に保持した状態で誘導コイル４に高周
波電源６が出力する高周波電力を整合器７を介して供給
する。誘導コイル４が反応室２内部に生成する交番電磁
界によって生成されるプラズマ１１によって試料台１２
上の被処理基板１０上に薄膜を形成する。このとき試料
台１２に高周波電源１５が出力する高周波電力を整合器
１４を介して供給し、被処理基板１０にバイアス電圧を
かけながら薄膜を形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図２４に示す高密度型
のプラズマＣＶＤ装置では、被処理基板１０を均一に処
理すること、つまり基板面内で均一な成膜速度分布を得
ることは、生産性の観点から非常に重要なことであり、
反応室２内部の圧力や供給する反応性ガス量や誘導コイ
ル４に印加する高周波電力の大きさなど、基板処理条件
を変更しても、基板面内の成膜速度分布が変わらないこ
とが望まれる。しかし高密度型プラズマＣＶＤ装置のよ
うにプラズマ生成の空間を広く取る構造の装置では、被
処理基板１０に形成する薄膜の成膜速度の面内分布は、
圧力、ガス量、高周波電力の大きさなどの基板処理条件
で変わるため、これらの基板処理条件を変更すると、成
膜速度の均一性を一定の範囲に保つのは非常に困難であ
る。このことは成膜に限らず、エッチングやアッシング
についてもいえる。

【０００７】本発明の課題は、基板処理条件を変更して
も成膜速度の均一性を制御することが可能なパラメータ
を導入することによって上述した従来技術の問題点を解
消し、薄膜形成やエッチング等の処理状態の均一性が得
られ、プロセスのマージンを広げることが可能な基板処
理方法および基板処理装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、被処理基
板の周辺に設けた複数のガス供給口から前記被処理基板
の中心に向けて反応性ガスを供給して前記被処理基板を
処理するに際し、前記複数のガス供給口から供給される
前記被処理基板に対する前記反応性ガスの供給位置を調
整して、前記複数のガス供給口から供給される反応性ガ
スによる前記被処理基板の処理速度が前記被処理基板面
内で均一になるようにしたことを特徴とする基板処理方
法である。ここで反応性ガスの供給方式は、被処理基板
の上方から流す方式ではなく、被処理基板の周辺から流
す方式である。また、被処理基板の処理とは薄膜形成、
エッチング、アッシングなどの成形加工処理をいう。複
数のガス供給口から供給される反応性ガスは、被処理基
板の被処理面に対して平行に流すことが好ましい。ガス
供給口は一般的にはノズルで構成する。したがって反応
性ガスの供給位置はノズル位置の調整で行う。また、被
処理基板を処理するに際して、実際に処理する被処理基
板に先立ってパイロット基板を流し、そのパイロット基
板の処理状態から反応性ガスの供給位置を調整するよう
にする。

【０００９】前記基板の処理速度例えば薄膜形成速度
は、図１８に示すように、ガス供給口の取付けの高さを
可変とすることにより制御可能である。被処理基板の被
処理面に対してガス供給口の位置が低いときは下に凸に
なり、逆にガス供給口位置が高いときは上に凸になる。
これらの中間ではＭ形分布になる。したがって被処理基
板に対するガス供給口の位置を調整することにより、薄
膜形成やエッチングなどの処理状態の均一性を制御でき
る。

【００１０】第２の発明は、反応性ガスを供給するガス
供給口を反応室内に移動可能に設けて、前記ガス供給口
の位置を可変とした基板処理装置である。基板処理速度
の均一性を大きく変化させることが可能なパラメータで
あるガス供給口の位置を可変とすることにより基板処理
状態の面内均一性が得られる。

【００１１】第３の発明は、被処理基板の周辺から前記
被処理基板の中心に向けて反応性ガスを供給する複数の
ガス供給口を備えた反応室に、前記ガス供給口を前記被
処理基板の被処理面に対して上下方向に移動して、前記
被処理基板に対する前記反応性ガスの供給位置を変える
駆動機構を設けた基板処理装置である。駆動機構はモー
タやシリンダで構成することができるが、これらによる
汚染から反応室を守るために反応室の外部に設けること
が好ましい。複数のガス供給口は点対称に備えることが
好ましく、またその点対称位置を崩さないように、被処
理面に対して垂直方向に精度よく移動することが好まし
い。

【００１２】被処理基板の面内処理速度分布が上に凸に
なるときは、駆動機構を動かしてガス供給口の位置を低
くなる方向に移動して、被処理基板の面内処理速度分布
が下に凸になる方向の修正を行う。反対に面内処理速度
が下に凸になるときは、駆動機構を動かしてガス供給口
の位置を高くなる方向に移動して、被処理基板の面内処
理速度分布が上に凸になる方向の修正を行う。このよう
な修正を行えば基板処理条件の変更によって被処理基板
面内での処理速度分布に差が生じても、その処理速度分
布の差を解消することができ、被処理基板面内の処理状
態を均一にできる。また、ガス供給口の高さを移動可能
にすると、被処理基板の処理状態の均一性を制御できる
ので、ガス供給口の高さを固定したものに比べて、プロ
セスのマージンを広げることができる。

【００１３】第４の発明は、第２または第３の発明にお
いて、前記反応室に反応性ガスを供給する複数のガス供
給口が被処理基板の周辺に同一円周上に配置され、且つ
前記複数のガス供給口が環状の連結体に一体的に取付け
られている基板処理装置である。複数のガス供給口を同
一円周上に配置するのは、複数のガス供給口の点対称位
置を正確に出せるようにするためである。環状の連結体
は、ガス供給口を被処理基板の周辺に配置するために、
被処理基板の径よりも内径を大きくする必要がある。ガ
ス供給口は連結体と一体で構成してもよいが、別体とし
てもよい。別体とするときは溶着などによって取り付け
るとよい。環状の連結体は閉じていることが好ましい
が、開いていてもよい。

【００１４】被処理基板の周辺に同一円周上に配置され
た複数の供給口から反応性ガスが供給されると、基板面
内の処理速度をより均一にすることができる。また複数
のガス供給口が連結体に一体的に取り付けられているの
で、駆動機構を動かすことにより、複数のガス供給口の
供給位置を一括して変更することができる。

【００１５】第５の発明は、第４の発明において、前記
環状連結体の内部を中空にして共通のバッファ室を設
け、前記バッファ室と連通するように前記複数のガス供
給口を前記環状連結体に一体的に取り付けた基板処理装
置である。ガス供給口はバッファ室から突設するように
設けるとよい。反応室内に導入された反応性ガスは、一
旦共通のバッファ室に蓄えられた後、各ガス供給口から
供給されるので、各ガス供給口から供給される反応性ガ
スの供給量が等しくなる。

【００１６】第６の発明は、第５の発明において、前記
バッファ室が区画形成されて複数個設けられ、互いに反
応しやすい反応性ガスを各々独立に前記バッファ室まで
導入することを可能とした基板処理装置である。複数の
バッファ室を設けるには、バッファ室を構成する環状連
結体を別個に作るようにしてもよいし、１つの環状連結
体のバッファ室を仕切るようにしてもよい。区画形成さ
れた複数のバッファ室を設けたので、互いに反応しやす
い反応性ガスを混合させないで反応室内に導入できる。

【００１７】第７の発明は、第６の発明において、前記
複数のバッファ室を上下に重ねて設けた基板処理装置で
ある。複数の環状バッファ室の径を同じにして、それら
の中心点を合せることが好ましい。複数のバッファ室を
上下に重ねるようにすると、バッファ室が複数あって
も、反応室の径方向の大きさは大きくならない。

【００１８】第８の発明は、第６の発明において、前記
複数のバッファ室が同心円状に設けられた基板処理装置
である。複数のバッファ室は同一水平面内に配置するこ
とが好ましい。バッファ室を同心円状に複数配置する
と、バッファ室を複数配置しても、反応室の高さが高く
ならない。

【００１９】特に第２から第８の発明において、前記ガ
ス供給口を交換できるよう着脱可能にすることが好まし
い。ガス供給口の着脱可能手段は、連結体に螺着した
り、連結体に設けたガス供給口の外側に装着したりして
行う。ガス供給口を着脱可能にすると、ガス供給口がプ
ラズマ等でダメージを受けて消耗しても、ガス供給口を
取り付けている取付部を含む全体を交換することなく、
ガス供給口のみを容易に交換できる。

【００２０】この場合において、着脱可能な前記ガス供
給口の材質は一般的に用いられているセラミックス、石
英あるいはアルミとすることが経済的に好ましい。セラ
ミックス、石英あるいはアルミは耐クリーニングガス特
性をもつので、ガス供給口として好適である。通常クリ
ーニングガスにはＣ₂Ｆ₆またはＣＦ₄またはＮＦ₃、
あるいはそれらのガスとＯ₂との混合ガスを用いる。

【００２１】第９の発明は、第５〜第８の発明におい
て、バッファ室に取り付けた複数のガス供給口の取付角
度が被処理基板の被処理面と平行な面に対して、平行
（０度）、上向き、または下向きに取り付けられている
基板処理装置である。ガス供給口の上下移動が特に制約
されていないときは平行、上方向の移動が制約されてい
るときは上向き、下方向の移動が制約されているときは
下向きに取り付けるとよい。上向き、下向きの取付け角
度は制約の状況に応じて決める。反応室の構造上、ガス
供給口の上下移動が制約されても、バッファ室に対する
複数のガス供給口の取付角度を変えることにより、ガス
供給口を上下移動させた場合と実質的に等価な効果を得
ることができる。

【００２２】第１０の発明は、第５〜第９の発明におい
て、前記環状のバッファ室の内周面にオリフィスを設け
て前記ガス供給口とした基板処理装置である。オリフィ
スは環状のバッファ室の内周面側に設けるとよい。バッ
ファ室にオリフィスを設けてガス供給口にすると、ガス
供給口を突設する必要がなくなる。

【００２３】第１１の発明は、第５〜第１０の発明にお
いて、前記複数のガス供給口を設けた前記バッファ室を
前記反応室を構成する反応容器と電気的に絶縁し、前記
バッファ室に高周波電源を接続し、プラズマを利用した
反応室のクリーニング時において前記バッファ室に高周
波電力を印加するように構成した基板処理装置である。
反応室をプラズマクリー二ングする際、プラズマに晒さ
れるバッファ室及びバッファ室に取り付けられたガス供
給口に高周波電力を印加すると、反応室のクリーニング
効率を高めることができる。

【００２４】第１２の発明は、第３〜第１１の発明にお
いて、前記駆動機構を前記反応室外に設け、前記反応室
内に進退自在に挿入した支持棒を介して前記ガス供給口
を上下方向に移動するようにした基板処理装置である。
支持棒の先端にガス供給口を設けた環状連結体を取り付
け、支持棒の基端に駆動機構を取り付けるとよい。支持
棒は環状連結体に一体的に取り付ける。反応室内に支持
棒を進退自在に挿入して、この支持棒を介して外部から
ガス供給口を上下移動することができる。

【００２５】第１３の発明は、第１２の発明において、
前記支持棒を中空にして、前記ガス供給口に反応性ガス
を供給するためのガス配管と兼用させた基板処理装置で
ある。中空な支持棒はパイプで構成するとよい。支持棒
を中空にしてガス配管と兼用すると、専用のガス配管を
設けることなく、支持棒の中空部から反応性ガスを導入
してガス供給口から反応室内部に供給できる。

【００２６】第１４の発明は、第３〜第１３の発明にお
いて、前記被処理基板の被処理面の上方向から前記被処
理基板の被処理面に向けて反応性ガスを供給する上部ガ
ス供給口を前記反応室に設けた基板処理装置である。上
部ガス供給口は１個または複数個設ける。１個の場合は
被処理基板の中心線上に設け、複数個の場合には前記中
心線上及び同心円状に設けるとよい。

【００２７】被処理基板の周辺方向に設けたガス供給口
から反応性ガスを供給し、被処理基板の処理を行うと処
理速度の面内均一性は同心円状に分布し、被処理基板面
内で所要の基板処理状態の均一性が得られないことがあ
る。その場合は、基板周辺に設けたガス供給口の位置を
敢えて下方に移動することにより基板処理速度分布を下
に凸とする一方、基板処理速度分布を上に凸にするため
に反応性ガスを反応室上部に設けた上部ガス供給口から
も供給するようにすると、ガス供給口の下方移動による
下に凸の分布と、上部ガス供給口からのガス供給による
上に凸の分布とが相殺されて、被処理基板面内の基板処
理速度分布が均一化する。

【００２８】第１５の発明は、第１４の発明において、
前記上部ガス供給口を多数設けてシャワー状に反応性ガ
スが供給できるように構成した基板処理装置である。上
部ガス供給口を多数設けて反応性ガスをシャワー状に供
給すると、被処理基板面内の基板処理速度分布が一層均
一化する。

【００２９】第１６の発明は、第１２〜第１５の発明に
おいて、前記支持棒を１本または複数本とした基板処理
装置である。支持棒が１つだと駆動機構が１個で済み、
また支持棒が複数本だと支持強度が向上する。

【００３０】第１７の発明によれば、第４〜第１６の発
明において、前記ガス供給口を取り付けるための前記環
状の連結体が四角形である基板処理装置である。連結体
の四角形は矩形をした被処理基板の形状に合せる。被処
理基板が液晶用ガラス基板のように四角形の場合に、環
状の連結体を四角形にして複数のガス供給口を四角形に
配列すると、液晶用ガラス基板上に流れるガス量が均一
になる。

【００３１】第１８の発明は、第２〜第１７の発明にお
いて、前記被処理基板の処理がプラズマ処理である基板
処理装置である。ここでプラズマ処理には、反応室を減
圧状態としプラズマを生成して基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）や、基板上の薄膜をエッチングしたり、
アッシングしたりする処理が含まれる。さらにプラズマ
源としてはＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｒｏｔｒｏ
ｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）型、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖ
ｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）型、ヘリコン型、
マグネトロン型などが含まれる。

【００３２】第１９の発明は、第２〜１８の発明におい
て、前記ガス供給口を上下移動可能に駆動する駆動機構
が、反応室の下部または上部に設けられた基板処理装置
である。駆動機構は反応室の下部に設けても上部に設け
てもよい。特に駆動機構が反応室の上部に設けてある
と、反応室下部の構造が単純になる。

【００３３】

【発明の実施の形態】次に本発明の基本構成を図を用い
て説明する。

【００３４】図１は本発明の基板処理装置の基本構成を
示したものである。反応室２は反応容器１で気密に構成
されている。反応室２の底部には試料台１２が設けら
れ、被処理基板１０が水平に載置可能となっている。試
料台１２の周辺には、径方向内方を向いたガス供給口と
しての複数のノズル７０が設けられ、各ノズル７０には
反応室２の外部からガス導入管６９が連結されて、ノズ
ル７０より反応性ガスを被処理基板１０とほぼ平行に噴
出するようになっている。被処理基板１０を均一に処理
するためには複数のノズル７０の機械的位置を被処理基
板１０を中心にして点対称にすることが必要である。

【００３５】複数のノズル７０は上下移動自在に設けら
れる。そのために複数のノズル７０は各ノズル台７１の
上に個別に設置され、さらに各ノズル台７１は、反応容
器１の底部から反応室２内に上下移動可能に挿入された
各支持棒８０によって支持される。支持棒８０の外部に
出ている部分はベローズ８１に覆われて、反応室２内の
気密が確保されている。支持棒８０によって支持された
ノズル７０は反応容器１の外に駆動源を設けた支持棒８
０を含むノズル駆動機構（図示省略）によって上下移動
するようになっている。

【００３６】反応室２内部を排気ポンプ（図示省略）で
排気した後、試料台１２に被処理基板１０を搬送し、反
応性ガスをノズル７０から供給し、被処理基板１０の表
面に薄膜を形成したり、既に形成されている薄膜をエッ
チングしたりする。このとき、薄膜の形成速度である成
膜速度あるいはエッチング速度を均一にするために、複
数のノズル７０の高さを反応室２外部に設けた駆動機構
（図示省略）によって調整する。被処理基板１０上での
薄膜形成速度は、概ね同心円状に分布するが、前述した
図１８に示す薄膜形成のデータプロファイルからわかる
ように、薄膜形成速度はノズル位置が低いときは下に凸
になり、ノズル位置が高いときは上に凸になる。この中
間では成膜速度の分布はＭ形（二こぶ形）になる。すな
わちノズル位置が成膜速度の均一性を制御するパラメー
タとなる。なお、エッチングやアッシングに適用する場
合には、前記薄膜形成速度は、エッチング速度、アッシ
ング速度になる。

【００３７】したがって、圧カ、ガス量、高周波印加電
力などの基板処理条件を変更したために、成膜速度が不
均一になっても、ノズル７０の高さを被処理基板１０の
処理条件に合せて最適な位置に移動することにより、基
板面内の処理速度の均一性を一定の範囲に保つことが容
易になる。このようにノズル位置を上下方向に移動させ
るだけの簡単な方法で、基板面内の処理速度の均一性を
大きく変化させることができるため、薄膜形成やエッチ
ング等の基板処理状態の均一性の制御が反応室圧力など
の基板処理条件の変更により困難になっても、処理状態
の均一性を元に戻せるようになり、基板処理状態が均一
化された品質の良い処理基板を収率良く得ることができ
る。

【００３８】図２は図１に示した基板処理装置の基本構
成において、前記ノズル台７１を一体化して環状にした
ノズル連結体７２に複数のノズル７０を等間隔に設置し
たものである。ノズル７０はノズル連結体７２の上面に
取り付ける。このような構成にすることによって、複数
のノズル７０の上下移動を一括して行うことが可能とな
る。

【００３９】図３は図２に示した基板処理装置におい
て、前記環状のノズル連結体７２を中空にして環状のバ
ッファ室７４を形成し、バッファ室７４内に反応性ガス
を充填できるようにし、このバッファ室７４の内周面に
直接ノズル７０を設置したものである。このように環状
のバッファ室７４を設けることにより、各ノズル７０か
ら供給する反応性ガスの供給量を均一にすることができ
る。環状バッファ室７４の垂直断面は図では矩形とした
が円形、楕円、その他の形状でもよい。

【００４０】図４は図３で示した基板処理装置におい
て、同一形状の環状バッファ室７４を二段上下方向に重
ねて設けたものである。本構成では、反応室２に反応性
ガスを供給する前に、混合できない２種類以上のガス、
例えばモノシランと酸素を混合しないで、上下のバッフ
ァ室７４から別々に供給し、これらからノズル７０を通
して反応室２に同時に供給して、この供給段階ではじめ
て混合することができる。

【００４１】図４に示すのと同様の機能は、図５のよう
に断面矩形の環状バッファ室７４を同心円状に２個横並
びに配置しても実現可能である。この場合、内外の環状
バッファ室７４を密接して配置した場合、外側に配置し
たバッファ室７４のノズル７０は上述した実施形態のよ
うに内周面に設置することができなくなる。そこで、図
示例のように、各ノズル７０はバッファ室７４の上面に
設置し、途中で折り曲げて、ノズル口が試料台１２と平
行または試料台１２の中央に向くように取り付ける。ま
た、内外のバッファ室７４に取り付けるノズル７０は、
周方向に沿って千鳥状に並ぶように交互に取り付けると
よい。

【００４２】なお、図４及び図５において、環状のバッ
ファ室が２個の場合について説明したが、３個以上の場
合にも適用できる。

【００４３】ところで、プラズマを利用した基板処理装
置におけるノズル７０は、プラズマに晒されてダメージ
を受けて消耗したり、あるいは成膜時の膜が付着してパ
ーティクル発生の原因となるので、ノズルは図６に示す
ように二重構造とし、内側ノズル７０に対して外側ノズ
ル７６を着脱可能とすることが好ましい。この場合、ノ
ズル７６はバッファ室７４から突設した内側ノズル７０
の外側に装着するが、そのとき内側ノズル７０の先端部
も外側ノズル７６に覆われるように、外側ノズル７６の
先端部内径を絞るようにする。着脱可能なノズル７６の
材質は、ＮＦ₃などのクリーニングガスで腐食しないセ
ラミックス、石英、アルミ等が好適である。なおノズル
は３重以上の構造としてもよい。

【００４４】またノズル７０の上下移動は、反応室２内
の構造物、例えば試料台１２などにより制約を受けて、
大きなストロークを取れない場合がある。そのような場
合には、水平方向に対してノズル７０を傾けることで、
小さなストロークでも上記制約をカバーできるようにす
るとよい。バッファ室７４に対するノズル７０の取り付
け方向は、被処理基板１０の処理の均一性、例えば薄膜
形成速度の均一性の状態により、図７に示す水平、図８
に示す上向き、図９に示す下向きの中から好適なものを
選択して用いることができる。同一バッファ室に取り付
けられたノズル同士は同じ傾きとすることが好ましい
が、傾きを変えてもよい。

【００４５】なお、上記実施の形態では、バッファ室７
４にノズル７０を突設するようにしたが、図１０に示す
ように、環状バッファ室７４の内周面に設けたオリフィ
ス７５をノズルの代りに用いても良い。このようにする
と構造の簡素化が図れる。

【００４６】また、バッファ室７４及びノズル７０は反
応性ガスのプラズマに晒されるため、その表面に反応生
成物が堆積する。この堆積物は、被処理基板１０の処理
中や被処理基板１０の搬送中にバッファ室７４あるいは
ノズル７０の表面からはがれて被処理基板１０の表面に
付着し、歩留まり悪化の原因となる。そこでクリーニン
グの際、図１１に示すように、バッファ室７４およびノ
ズル７０に高周波を印加する。反応室２から外部に出た
支持棒８０を覆っているベローズ８１の始端を絶縁物８
９を介して反応容器１の底部に固着し、その終端を絶縁
物８９を介して昇降板８２に固定することによって、導
電体からなる反応容器１と支持棒８０とを電気的に絶縁
し、支持棒８０、バッファ室７４、ノズル７０に整合器
９０を介して高周波電源９１の出力を供給可能にする。
この機構により反応室２をプラズマクリー二ングする
際、プラズマに晒されるバッファ室７４及びノズル７０
に高周波電力を印加することができるので、クリーニン
グ効率を高めることができる。

【００４７】図１２はバッファ室７４への反応性ガス供
給を、ノズル支持棒８０を利用して行うようにした構造
を示したものである。すなわち、支持棒８０を中空にし
てバッファ室７４と連通させ、反応性ガスを中空部８３
を通してバッファ室７４に導入する。この支持棒とガス
配管を兼用した構造によれば、反応室２内部にガス供給
管を導入する必要がなくなるため、構造を簡素化でき
る。

【００４８】前述したように実施形態では、ノズル７０
の高さを被処理基板の処理条件に合せて最適な位置に移
動する。しかし最適な位置にノズル７０を移動した場合
でも、そのノズル７０から反応性ガスを供給して成膜を
行うと、成膜速度の均一性が同心円状に分布してしま
い、所要の成膜速度の均一性が得られないことがある。
これは反応性ガスを基板１０と平行に流すだけのワンフ
ローに原因がある。

【００４９】この場合は図１３に示すように、周辺部に
設けたノズル７０の他に反応室２の上部中央にも上部ガ
ス供給口としての上部ノズル７７を設けて、上部からも
ガスを流すツーフロー方式を採用する。そして周辺部に
設けたノズル７０の位置を下方に移動して薄膜形成速度
を強制的に下に凸にしたうえで、さらに反応性ガスを反
応室２上部からも被処理基板１０を押し付けるように流
す。反応性ガスを反応室２の上部からも流すと、成膜速
度分布は上に凸になるため、前記した下に凸と相殺され
て、成膜速度の均一性を向上することができる。上部ノ
ズル７７からは基板周辺に設けたノズル７０から供給さ
れるガスとは異なるガスを供給しても、あるいは同一の
ガスを供給してもよい。

【００５０】図１４は反応室２の上部から供給する反応
性ガスをシャワー状に供給可能としたものである。すな
わちノズル７７と連通するチャンバ７３を反応室２の上
部に設け、そのチャンバ７３に多数の開口７８を形成し
て、チャンバ７３に導入した反応性ガスを多数の開口７
８から被処理基板１０の被処理面にシャワー状に噴出さ
せる。多数の開口７８からガスをシャワー状に噴出させ
るので、膜の均一性が一層確保できる。

【００５１】図１３または図１４は、被処理基板１０の
処理条件に合せて適宜選択して使用する。

【００５２】一方、ノズル支持棒８０は、図１５のよう
にバッファ室７４の下部に２本以上で取り付けるように
しても、あるいは図１６に示すようにバッファ室７４の
下部に１本だけで取り付けるようにしても良く、その取
り付け精度、駆動機構周辺の構造を考慮して適宜選択す
る。また、区画形成されたバッファ室７４を複数個設け
る場合には、互いに反応しやすい反応性ガスを各々独立
に反応室内まで供給する必要があることから、ノズル支
持棒８０は２本以上取り付けるとよい。

【００５３】前記バッファ室７４は被処理基板１０がシ
リコンウェーハのように円形の場合は円環状とするのが
よいが、液晶用ガラス基板のように四角形の場合は、図
１７に示すように矩形状とすることが好ましい。

【００５４】さて、上述したノズル７０を上下に移動さ
せるために支持棒８０を昇降させるノズル駆動機構の構
成は種々考えられる。たとえば図１９に示すものは、ノ
ズル駆動源にエアシリンダ８５を用いている。反応室２
の下部に収納室２０を連設し、その収納室２０内にエア
シリンダ８５により昇降する共通の昇降台８４を設け、
その昇降台８４に複数の支持棒８０を取り付ける。支持
棒８０の反応室２から出ている部分はベローズ８１で覆
って反応室２の気密を確保する。昇降台８４をエアシリ
ンダ８５で昇降させることにより支持棒８０を上下に駆
動可能としたものである。なお、エアシリンダの代りに
油圧シリンダを用いてもよい。

【００５５】前記のようにノズル上下移動の駆動源にエ
アシリンダ８５を用いると、エアシリンダ８５で設定さ
れるノズル７０の位置は１箇所ないし２箇所が限度であ
り、また位置の設定精度、再現性に難がある。これ以上
の位置設定が必要な場合、あるいは位置の設定精度、再
現性が求められる場合は、ノズル７０の駆動源としてパ
ルスモータやサーボモータを使用する。その例を図２０
に示す。これは前記昇降台８４をボールネジ８７で昇降
するように構成し、ボールネジ８７を上下させるギアボ
ックス８６にサーボモータ８８を接続して、ノズル７０
の位置決めを精度良く、また再現性良く行えるようにし
たものである。

【００５６】図１９、図２０に示すようにノズル駆動機
構は反応室２の下部に設けるのが一般的であるが、図２
１に示すように反応室２の上部に設けることもできる。
反応室２の上部に収納室２０を連設し、この収納室２０
にノズル駆動機構を収納する。支持棒８０は反応室２の
天井から垂設され、天井から突き出た部分はベローズ８
１で覆われて昇降台８４に取り付けられる。昇降台８４
はサーボモータ８８により回転するギアボックス８６に
よってボールネジ８７を昇降させ、支持棒８０を上下移
動させる。

【００５７】なお、ノズル位置をパラメータとする場
合、制御性をより有効なものとするためには、ノズル位
置は上下方向の移動のみならず、反応容器の径方向に
も、さらには上下に揺動できることが好ましい。この点
で実施の形態では、機構上ガス供給口は上下方向にのみ
移動可能としている。これはガス供給口を容器の径方向
に進退させたり、上下方向に揺動させて傾きを変えるこ
とが機構上難しいからである。径方向の進退について
は、取付け時にノズル取付け位置を変えたり、長さの異
なるノズルを用いることで対応できる。ノズルの揺動角
度については取付け時の傾きを変えることにより対応で
きる。また、実施の形態では被処理基板を水平横置きす
る反応容器について説明したが、本発明は前記反応容器
を９０°傾けて被処理基板を垂直縦置きする応容器にも
適用できる。

【００５８】

【実施例】上述した実施の形態では、基板処理装置とし
て、薄膜を形成したり、薄模をエッチングしたり、ある
いはアッシングしたりする一般的な装置を想定して説明
してきた。これをたとえばプラズマ装置について具体的
に説明しよう。

【００５９】図２２はノズル７０を上下移動可能とした
プラズマＣＶＤ装置を示したものである。図２０で説明
した基板処理装置の反応室２内上部にプラズマ源２４を
設け、反応室２内部を図示しないポンプで排気した後、
反応性ガスをノズル７０から供給し、プラズマ源２４の
作用で生成したプラズマを利用して試料台１２上の被処
理基板１０を処理する。反応室２下部の試料台１２は絶
縁ブロック１３で反応容器ｌと絶縁され、プラズマ中の
荷電粒子を被処理基板１０側に引き込むために整合器１
４を介して高周波電源１５の出力を供給できるようにな
っている。絶縁ブロック１３の材質は、耐熱性や誘電率
などを考慮して適切なものを選択して用いる。例えばテ
フロン、セラミックス、石英などである。

【００６０】前記プラズマ源２４は、前述したように誘
導型アンテナに高周波電力を印加して用いるＩＣＰ（Ｉ
ｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄｐｌａｓｍａ）
型、マイクロ波を利用するＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ＣｙｃｒｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）型、へリコ
ン波を利用するヘリコン型、磁界を利用するマグネトロ
ン型など、基板処理中の反応室２の圧カが低い状態で、
高密度のプラズマが生成可能な高密度型と呼ばれるプラ
ズマ源である。

【００６１】次にＩＣＰ型プラズマ源を備えた高密度型
プラズマＣＶＤ装置について図２３を用いて説明する。

【００６２】高密度型プラズマＣＶＤ装置は、上から順
に放電室５、反応室２、収納室２０を備える。反応室２
は導電体材料からなる反応容器１で構成され、かつ気密
構造となっている。反応容器１の天井には、反応室２と
同心に石英、あるいはセラミックスなどの透明な絶縁物
を材料とした放電室５を構成する円筒窓８が連接され、
円筒窓８の上端は導電体の蓋９により閉塞される。前記
円筒窓８の周囲にはプラズマ発生用の誘導コイル４が巻
回され、この誘導コイル４は整合器７を介して１３．５
６ＭＨｚの高周波電源６に接続されている。

【００６３】前記反応室２の底部中央は、ウェーハなど
の被処理基板１０を静電吸着する試料台１２で構成され
る。試料台１２は絶縁ブロック１３により導電体材料で
ある反応容器１と絶縁された状態で反応室底部に設置さ
れ、反応室２の外部から整合器１４を介して１３．５６
ＭＨｚの高周波電源１５が接続されている。このように
被処理基板１０に高周波バイアスを印加して、基板１０
に照射するイオンのエネルギーを放電と独立して制御
し、成膜速度や、エッチング速度や形状の制御を行う。

【００６４】前記反応室２内には反応性ガスを供給する
ガス供給ノズル７０が設けられ、ガス供給ノズル７０よ
り反応性ガスを噴出して被処理基板１０上に薄膜を形成
するようになっている。ガス供給ノズル７０は基板周辺
に円周状に複数個等間隔に配置される。複数のガス供給
ノズル７０は環状のバッファ室７４に一体的に、かつ各
々が反応室２の中心に向くように設けられる。環状バッ
ファ室７４を構成する環状ノズル連結体７２は、反応室
底部から反応室内に上下方向に挿入された複数本の支持
棒８０に支持され、ガス供給ノズル７０と一体となって
上下方向に移動できるようになっている。

【００６５】前記収納室２０内には、前記複数本の支持
棒８０を上下方向に移動させるための駆動機構が収納さ
れている。複数本の支持棒８０は、反応室２に対して気
密かつ上下移動可能に設ける。気密と上下移動はベロー
ズ８１とＯリング（図示せず）とにより確保する。ベロ
ーズ８１は、収納室２０の上部に突き出している支持棒
８０の外周に被せて、その上端をＯリングを介して反応
室２の底部に取り付け、その下端を図示しないＯリング
を介して昇降台８４に絶縁物８９を介して取り付ける。

【００６６】収納室２０には支持棒８０と連結される駆
動機構９２が設けられ、昇降台８４を昇降して支持棒８
０を上下移動するようになっている。駆動機構９２は、
サーボモータ８８と、サーボモータ８８の回転を伝達す
るギアボックス８６と、ギアボックス８６内のナット
（図示せず）に螺合されてナットの回転により軸心方向
に移動するボールネジ８７とから構成されており、ボー
ルネジ８７に前記昇降台８４が連結されている。前記試
料台１２に接続される前記整合器１４および高周波電源
１５も収納室２０内に収納される。また、環状バッファ
室７４にガス導入管６９が連通される一方、前記反応室
２の底部には排気管（図示せず）を介して排気ポンプ
（図示せず）が連通されている。なお、アルミで構成さ
れる部材は、反応容器１、収納室２０、バッファ室７
４、支持棒８０などである。

【００６７】次に図２３で説明した基板処理装置の動作
を説明する。反応室２内を排気ポンプ（図示せず）で排
気した後、試料台１２に被処理基板１０を搬送し保持す
る。図示しない圧力制御装置で圧力を１ｍTorr〜１０ｍ
Torrの間のある設定値に維持しつつ、ガス導入管６９よ
り反応性ガス（モノシランＳｉＨ₄、酸素Ｏ₂、アルゴ
ンＡｒ）を導入し、誘導コイル４に高周波電源６による
高周波電力を整合器７を介して印加すると、誘導コイル
４が形成する電界、磁界の作用により反応性ガスが解離
して放電室５にプラズマが発生する。このとき静電チャ
ックで構成された試料台１２にも高周波電源１５により
整合器１４を経て高周波電力を印加する。試料台１２に
印加された高周波電力により、試料台１２に直流バイア
ス電圧を生じさせたり、あるいはプラズマ内のイオンを
振動させたりなどして被処理基板１０側にプラズマを引
き込む。このときの電子密度は１０¹¹／ｃｍ³台、プラ
ズマによるウェーハ表面の加熱温度は３００〜４００℃
となる。

【００６８】このような制御下で被処理基板１０の表面
に薄膜が形成される。このとき薄膜の形成速度である成
膜速度（あるいはエッチング速度）を均一にするため
に、ノズル７０の高さを反応室２の外部の駆動機構９２
によって所定の位置に移動する。あらかじめパイロット
基板に成膜した基板面内の膜厚分布を測定し、この膜厚
分布が均一になるようにノズル高さを調整してから、実
際の成膜を行う。なお、前記高密度型プラズマＣＶＤ装
置をクリーニングするときは、クリーニングガスとして
Ｃ₂Ｆ₆またはＣＦ₄またはＮＦ₃、あるいはそれらの
ガスとＯ₂との混合ガスを用いる。

【００６９】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、ガス供
給口の高さを調整して被処理基板の処理速度分布を制御
するという簡単な方法で、圧力などの被処理基板の処理
条件を変更したために被処理基板面内の処理状態の均一
性が崩れても、被処理基板面内の処理速度を容易に均一
化できるため、処理状態が均一化された品質の良い被処
理基板を収率良く得ることができる。

【００７０】請求項２に記載発明によれば、基板処理速
度の均一性を大きく変化させることが可能なパラメータ
であるガス供給口の位置を可変としたので、基板処理状
態の面内均一性を容易に得ることができる。

【００７１】請求項３に記載の発明によれば、ガス供給
口を上下移動する駆動機構を設けるだけで、薄膜形成や
エッチング等の処理状態の均一性を制御することがで
き、プロセスのマージンを広げることが可能となる。

【００７２】請求項４に記載の発明によれば、複数のガ
ス供給口が同一円周上に配置されているので、特に被処
理基板が円形のときに各ガス供給口から被処理基板中央
までのガス供給距離が等しくなるので、基板面内の処理
速度をより均一にすることができる。また複数のガス供
給口が一体的に取付けられて複数のガス供給口を駆動機
構により一括して上下移動できるようにしたので、複数
のガス供給口の位置調整を簡易かつ迅速に行うことがで
きる。

【００７３】請求項５に記載の発明によれば、バッファ
室を設けることにより、各ガス供給口から反応室内に供
給する反応性ガスの供給量を均一化できるので、被処理
基板面内の処理速度を一層均一化することができる。

【００７４】請求項６に記載の発明によれば、区画形成
されたバッファ室を複数個設けたので、反応室に反応性
ガスを供給する前に混合できない２種類以上のガスを、
各バッファ室からガス供給口を通して反応室に独立して
供給することができる。このため各バッファ室を経てガ
ス供給口から供給された後に始めて反応しやすい反応性
ガスが混合されるので、被処理基板の処理を円滑に行う
ことができる。

【００７５】請求項７に記載の発明によれば、複数のバ
ッファ室を上下に重ねるようにしたので、反応室の径方
向の大きさを小さくできる。

【００７６】請求項８に記載の発明によれば、バッファ
室を同心円状に複数配置したので、反応室の高さを低く
できる。

【００７７】請求項９に記載の発明によれば、バッファ
室に対する複数のガス供給口の取付角度を変えることに
より、ガス供給口を上下移動させた場合と実質的に等価
な効果を得ることができるので、反応室の構造上、ガス
供給口の上下移動が制約されても、この制約を緩和させ
ることができる。

【００７８】請求項１０に記載の発明によれば、バッフ
ァ室にオリフィスを設けてガス供給口としたので、ガス
供給口を突設する必要がなくなり、構成が簡単になる。

【００７９】請求項１１に記載の発明によれば、反応室
をプラズマクリー二ングする際、プラズマに晒されるバ
ッファ室及びバッファ室に取り付けられたガス供給口に
高周波電力を印加するので、反応室のクリーニング効率
を高めることができる。

【００８０】請求項１２に記載の発明によれば、駆動機
構を反応室の外部に設けたので、反応室内を駆動機構の
可動部に起因する汚染を有効に防止できる。

【００８１】請求項１３に記載の発明によれば、支持棒
を中空にしてガス配管と兼用させるようにしたので、専
用の配管が不要となり、構造の簡素化が図れる。

【００８２】請求項１４に記載の発明によれば、反応室
の上部にも上部ガス供給口を追設するだけの簡単な構造
で、ガス供給口の上下移動だけでは基板処理速度を被処
理基板面内で均一化できない場合であっても、基板処理
速度を被処理基板面内で均一化できる。

【００８３】請求項１５に記載の発明のように、ガスを
シャワー状に供給するとガスの均一な分散が可能とな
る。

【００８４】請求項１６に記載の発明によれば、支持棒
が１つだと駆動機構が１個で済み構造の簡素化が図れ、
安価に作製することができる。また支持棒が複数本だと
支持強度が向上し複数のガス供給口の支持が安定する。

【００８５】請求項１７に記載の発明によれば、被処理
基板が液晶用ガラス基板のように四角形の場合に特に有
用である。

【００８６】請求項１８に記載の発明によれば、基板処
理がプラズマ処理であると、熱分解反応を用いる熱ＣＶ
Ｄなどの熱処理技術と比べ、低温で緻密な薄膜の形成、
熱的過程では不可能な薄膜形成ができる等のプラズマ処
理技術の特徴を活かせる。とくに、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ヘ
リコン波などのプラズマ源を用いたＣＶＤでは、イオン
密度を極めて高くできるため、反応性に富んだ活性種の
生成と利用が可能である。

【００８７】請求項１９に記載の発明のように、駆動機
構が反応室の下部に設けてあると比較的簡単に駆動機構
を構築できる。特に、駆動機構が反応室の上部に設けて
あると反応室下部の構造が単純になり、上部からの保守
作業で済むので保守性の面で有利になることがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】ノズルを上下移動可能とした実施形態による基
板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図２】複数のノズルを一体として上下移動可能とした
実施形態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図３】ノズルをバッファ室に取り付けた実施形態によ
る基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図４】バッファ室を上下二段に取り付けた実施形態に
よる基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図５】バッファ室を同心円状に横並びに配置した実施
形態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図６】着脱可能にした実施形態によるノズルの断面
図。

【図７】ノズルを水平に取り付けた実施形態によるバッ
ファ室の断面図。

【図８】ノズルを上向きに取り付けた実施形態によるバ
ッファ室の断面図。

【図９】ノズルを下向きに取り付けた実施形態によるバ
ッファ室の断面図。

【図１０】ノズルをオリフィスで形成した実施形態によ
る基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図１１】支持棒を介してバッファ室及びノズルに高周
波電力を供給するようにした実施形態による基板処理装
置の基本構成の概略断面図。

【図１２】支持棒をガス配管と兼用するようにした実施
形態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図１３】ノズルを反応室上部にも設けた実施形態によ
る基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図１４】シャワー状ノズルを反応室上部に設けた実施
形態による基板処理装置の基本構成を説明する概略断面
図。

【図１５】１本のノズル支持棒でバッファ室を支えるよ
うにした実施形態のノズル支持構造の斜視図。

【図１６】複数本のノズル支持棒でバッファ室を支える
ようにした実施形態のノズル支持構造の斜視図。

【図１７】矩形をした実施形態による環状バッファ室の
構成図。

【図１８】ノズルの高さをパラメータとした基板位置に
対する成膜速度の分布特性図。

【図１９】ノズル駆動機構をシリンダ系で構成した実施
形態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図２０】ノズル駆動機構をモータ系で構成した実施形
態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図２１】ノズル駆動機構を反応室の上部に設けた実施
形態による基板処理装置の基本構成の概略断面図。

【図２２】プラズマを利用した実施形態による基板処理
装置の基本構成の概略断面図。

【図２３】実施例によるＩＣＰ型プラズマ源を備えた高
密度型プラズマＣＶＤ装置の概略断面図。

【図２４】従来例の高密度型プラズマＣＶＤ装置の概略
断面図。

【符号の説明】

１反応容器２反応室１０被処理基板１２試料台７０ノズル７１ノズル台８０支持棒

フロントページの続き (72)発明者八島伸二東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者田中勉東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板の周辺に設けた複数のガス供給
口から前記被処理基板の中心に向けて反応性ガスを供給
して前記被処理基板を処理するに際し、前記複数のガス供給口から供給される前記被処理基板に
対する前記反応性ガスの供給位置を調整して、前記複数
のガス供給口から供給される反応性ガスによる前記被処
理基板の処理速度が前記被処理基板面内で均一になるよ
うにしたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】反応性ガスを供給するガス供給口を反応室
内に移動可能に設けて、前記ガス供給口の位置を可変と
した基板処理装置。
【請求項３】被処理基板の周辺から前記被処理基板の中
心に向けて反応性ガスを供給する複数のガス供給口を備
えた反応室に、前記ガス供給口を前記被処理基板の被処
理面に対して上下方向に移動して、前記被処理基板に対
する前記反応性ガスの供給位置を変える駆動機構を設け
た基板処理装置。
【請求項４】前記反応室に反応性ガスを供給する複数の
ガス供給口が被処理基板の周辺に同一円周上に配置さ
れ、且つ前記複数のガス供給口が環状の連結体に一体的
に取付けられている請求項２または３に記載の基板処理
装置。
【請求項５】前記環状連結体の内部を中空にして環状の
バッファ室を設け、前記バッファ室と連通するように前
記複数のガス供給口を前記環状連結体に一体的に取り付
けた請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】前記バッファ室が区画形成されて複数個設
けられ、互いに反応しやすい反応性ガスを各々独立に前
記バッファ室まで導入することを可能とした請求項５に
記載の基板処理装置。
【請求項７】前記複数のバッファ室を上下に重ねて設け
た請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】前記複数のバッファ室を同心円状に設けた
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】前記バッファ室に取り付けた複数のガス供
給口の取付角度が被処理基板の被処理面と平行な面に対
して、平行、上向き、または下向きに取り付けられてい
る請求項５〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】前記環状のバッファ室の内周面にオリフ
ィスを設けて前記ガス供給口とした請求項５〜９のいず
れかに記載の基板の処理装置。
【請求項１１】前記複数のガス供給口を設けた前記バッ
ファ室を、前記反応室を構成する反応容器と電気的に絶
縁し、前記バッファ室に高周波電源を接続し、プラズマ
を利用した反応室のクリーニング時において前記バッフ
ァ室に高周波電力を印加するように構成した請求項５〜
１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】前記駆動機構を前記反応室外に設け、前
記反応室内に進退自在に挿入した支持棒を介して前記ガ
ス供給口を上下方向に移動するようにした請求項３〜１
１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】前記支持棒を中空にして、前記ガス供給
口に反応性ガスを供給するためのガス配管と兼用させた
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】前記被処理基板の被処理面の上方向から
前記被処理基板の被処理面に向けて反応性ガスを供給す
る上部ガス供給口を前記反応室に設けた請求項３〜１３
のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１５】前記上部ガス供給口をシャワー状に反応
性ガスが供給できるように構成した請求項１４に記載の
基板処理装置。
【請求項１６】前記支持棒を１本または複数本とした請
求項１２〜１５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１７】前記ガス供給口を取り付けるための前記
環状の連結体が四角形である請求項４〜１６のいずれか
に記載の基板処理装置。
【請求項１８】前記被処理基板の処理がプラズマ処理で
ある請求項２〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１９】前記ガス供給口を上下移動可能に駆動す
る駆動機構が、反応室の下部または上部に設けられた請
求項２〜１８のいずれかに記載の基板処理装置。