JPH11261083A - 光受信装置 - Google Patents
光受信装置Info
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- JPH11261083A JPH11261083A JP10060779A JP6077998A JPH11261083A JP H11261083 A JPH11261083 A JP H11261083A JP 10060779 A JP10060779 A JP 10060779A JP 6077998 A JP6077998 A JP 6077998A JP H11261083 A JPH11261083 A JP H11261083A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気回路に起因する動作帯域の制限が少なく、
複数チャンネルの光信号を受信する受信器の構成にも適
した占有面積の小さい新規な光受信装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】光増幅用導波路１６を有し搭載基板１上に
固定された半導体光増幅素子１３と、半導体光増幅素子
１３に電気的に接続されたアノード電極１４およびカソ
ード電極１５と、導波路型の受光部１１を有し搭載基板
１上に固定された半導体受光素子２と、半導体受光素子
２に電気的に接続されたアノード電極５およびカソード
電極７とを設け、外部から入力される信号光を導く入力
用光導波路１０が、光学的に光増幅用導波路１６に結合
し、さらに、光増幅用導波路１６の発光部１６ａより出
射される信号光を導波路型の受光部１１に入射する構成
を設ける。
複数チャンネルの光信号を受信する受信器の構成にも適
した占有面積の小さい新規な光受信装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】光増幅用導波路１６を有し搭載基板１上に
固定された半導体光増幅素子１３と、半導体光増幅素子
１３に電気的に接続されたアノード電極１４およびカソ
ード電極１５と、導波路型の受光部１１を有し搭載基板
１上に固定された半導体受光素子２と、半導体受光素子
２に電気的に接続されたアノード電極５およびカソード
電極７とを設け、外部から入力される信号光を導く入力
用光導波路１０が、光学的に光増幅用導波路１６に結合
し、さらに、光増幅用導波路１６の発光部１６ａより出
射される信号光を導波路型の受光部１１に入射する構成
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光入力信号を電気
信号に変換する光受信装置に関するものである。
信号に変換する光受信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の信号増幅機能付き光受信
装置の代表的構成図である。図に示すように、搭載基板
１上に受光素子２ａと電気増幅素子３が固定されてい
る。受光素子２ａの裏面に形成され、受光部１１を構成
するｐｎ接合のカソードに電気的に接続されたカソード
電極７ａと、電気増幅素子３の上面に形成された電極１
２が、それぞれ搭載基板１上に形成された電源用の電極
４に電気的に接続されている。また、受光素子２ａの表
面に形成され、受光部１１ａを構成するｐｎ接合のアノ
ードに電気的に接続されアノード電極５ａが電気増幅素
子３表面の電極６に、電気増幅素子３表面の電極８が搭
載基板１上の電気信号出力用の電極９に、それぞれ電気
的に接続されている。また、光受信装置外部から入力さ
れる信号光を導く入力用光導波路１０が、光学的に受光
素子２ａの受光部１１ａに結合している。
装置の代表的構成図である。図に示すように、搭載基板
１上に受光素子２ａと電気増幅素子３が固定されてい
る。受光素子２ａの裏面に形成され、受光部１１を構成
するｐｎ接合のカソードに電気的に接続されたカソード
電極７ａと、電気増幅素子３の上面に形成された電極１
２が、それぞれ搭載基板１上に形成された電源用の電極
４に電気的に接続されている。また、受光素子２ａの表
面に形成され、受光部１１ａを構成するｐｎ接合のアノ
ードに電気的に接続されアノード電極５ａが電気増幅素
子３表面の電極６に、電気増幅素子３表面の電極８が搭
載基板１上の電気信号出力用の電極９に、それぞれ電気
的に接続されている。また、光受信装置外部から入力さ
れる信号光を導く入力用光導波路１０が、光学的に受光
素子２ａの受光部１１ａに結合している。
【０００３】かかる光受信装置では、入力用光導波路１
０を伝搬した信号光が、受光素子２ａに入射され、受光
部１１ａにおいて電気信号に変換される。この電気信号
はアノード電極５ａから出力され、電極６を通して電気
増幅素子３に入力される。電気増幅素子３で増幅された
信号は、電気信号出力用の電極９を介して光受信装置の
外部の電気回路に接続され、光入力信号を増幅した電気
信号に変換するという機能を実現する。
０を伝搬した信号光が、受光素子２ａに入射され、受光
部１１ａにおいて電気信号に変換される。この電気信号
はアノード電極５ａから出力され、電極６を通して電気
増幅素子３に入力される。電気増幅素子３で増幅された
信号は、電気信号出力用の電極９を介して光受信装置の
外部の電気回路に接続され、光入力信号を増幅した電気
信号に変換するという機能を実現する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の光受信装置においては、光入力信号の変調周波数が
電気増幅素子３の性能で制限されてしまい、動作帯域が
制限されるという問題と、電気増幅素子３の占有面積が
大きく、電気増幅素子３を動作させるのに必要な電気配
線も多いために、複数チャンネルの信号光を受信する光
受信装置を構成する場合、その占有面積が大きくなると
いう問題があった。
来の光受信装置においては、光入力信号の変調周波数が
電気増幅素子３の性能で制限されてしまい、動作帯域が
制限されるという問題と、電気増幅素子３の占有面積が
大きく、電気増幅素子３を動作させるのに必要な電気配
線も多いために、複数チャンネルの信号光を受信する光
受信装置を構成する場合、その占有面積が大きくなると
いう問題があった。
【０００５】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、信号増幅機能を有する光受信装置におい
て、電気回路に起因する動作帯域の制限が少なく、複数
チャンネルの光信号を受信する受信器の構成にも適した
占有面積の小さい新規な光受信装置を提供することを目
的とする。
されたもので、信号増幅機能を有する光受信装置におい
て、電気回路に起因する動作帯域の制限が少なく、複数
チャンネルの光信号を受信する受信器の構成にも適した
占有面積の小さい新規な光受信装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、光増幅用導波路を構成する第１
のｐｎ接合を有し搭載基板上に固定された半導体光増幅
素子と、上記第１のｐｎ接合のアノードおよびカソード
にそれぞれ電気的に接続された第１のアノード電極およ
び第１のカソード電極と、導波路型の受光部を構成する
第２のｐｎ接合を有し上記搭載基板上に固定された半導
体受光素子と、上記第２のｐｎ接合のアノードおよびカ
ソードにそれぞれ電気的に接続された第２のアノード電
極および第２のカソード電極と、上記第１のアノード電
極、第１のカソード電極、第２のアノード電極および第
２のカソード電極と接続された上記搭載基板上の複数の
電極と、上記半導体増幅素子の発光部と光学的に結合し
た上記半導体受光素子の受光部とを設ける。
め、本発明においては、光増幅用導波路を構成する第１
のｐｎ接合を有し搭載基板上に固定された半導体光増幅
素子と、上記第１のｐｎ接合のアノードおよびカソード
にそれぞれ電気的に接続された第１のアノード電極およ
び第１のカソード電極と、導波路型の受光部を構成する
第２のｐｎ接合を有し上記搭載基板上に固定された半導
体受光素子と、上記第２のｐｎ接合のアノードおよびカ
ソードにそれぞれ電気的に接続された第２のアノード電
極および第２のカソード電極と、上記第１のアノード電
極、第１のカソード電極、第２のアノード電極および第
２のカソード電極と接続された上記搭載基板上の複数の
電極と、上記半導体増幅素子の発光部と光学的に結合し
た上記半導体受光素子の受光部とを設ける。
【０００７】また、上記搭載基板上に、特定の波長の光
のみを透過する多層膜フィルターを設け、上記半導体光
増幅素子の発光部と上記半導体受光素子の受光部とが上
記多層膜フィルターを介して光学的に結合するように構
成する。
のみを透過する多層膜フィルターを設け、上記半導体光
増幅素子の発光部と上記半導体受光素子の受光部とが上
記多層膜フィルターを介して光学的に結合するように構
成する。
【０００８】また、上記搭載基板上に、特定の波長の光
のみを透過する光導波路を設け、上記半導体光増幅素子
の発光部と上記半導体受光素子の受光部とが上記光導波
路を介し光学的に結合するように構成する。
のみを透過する光導波路を設け、上記半導体光増幅素子
の発光部と上記半導体受光素子の受光部とが上記光導波
路を介し光学的に結合するように構成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る光受信装置の
第１の実施の形態を示す構成図である。図に示すよう
に、例えばセラミックからなる搭載基板１上に、それ自
体は公知な構造を有する半導体光増幅素子１３と、導波
路型の受光部１１を持つ半導体受光素子２が固定されて
いる。半導体光増幅素子１３の裏面に形成され、半導体
光増幅素子１３の光増幅用導波路１６を構成する第１の
ｐｎ接合のアノードに電気的に接続された第１のアノー
ド電極１４と、半導体光増幅素子１３の表面に形成さ
れ、第１のｐｎ接合のカソードに電気的に接続された第
１のカソード電極１５と、半導体受光素子２の表面に形
成され、受光部１１を構成する第２のｐｎ接合のカソー
ドに電気的に接続された第２のカソード電極７が、それ
ぞれ搭載基板１上に形成された電源用の電極４に電気的
に接続されている。また、半導体受光素子２の裏面に形
成され、受光部１１を構成する第２のｐｎ接合のアノー
ドに電気的に接続された第２のアノード電極５が搭載基
板１上の電気信号出力用の電極９に電気的に接続されて
いる。また、光受信装置外部から入力される信号光を導
く入力用光導波路１０が、光学的に光増幅用導波路１６
に結合し、さらに、光増幅用導波路１６の発光部１６ａ
より出射される信号光が導波路型の受光部１１に入射し
て、発光部１６ａと受光部１１は光学的に結合されてい
る。
第１の実施の形態を示す構成図である。図に示すよう
に、例えばセラミックからなる搭載基板１上に、それ自
体は公知な構造を有する半導体光増幅素子１３と、導波
路型の受光部１１を持つ半導体受光素子２が固定されて
いる。半導体光増幅素子１３の裏面に形成され、半導体
光増幅素子１３の光増幅用導波路１６を構成する第１の
ｐｎ接合のアノードに電気的に接続された第１のアノー
ド電極１４と、半導体光増幅素子１３の表面に形成さ
れ、第１のｐｎ接合のカソードに電気的に接続された第
１のカソード電極１５と、半導体受光素子２の表面に形
成され、受光部１１を構成する第２のｐｎ接合のカソー
ドに電気的に接続された第２のカソード電極７が、それ
ぞれ搭載基板１上に形成された電源用の電極４に電気的
に接続されている。また、半導体受光素子２の裏面に形
成され、受光部１１を構成する第２のｐｎ接合のアノー
ドに電気的に接続された第２のアノード電極５が搭載基
板１上の電気信号出力用の電極９に電気的に接続されて
いる。また、光受信装置外部から入力される信号光を導
く入力用光導波路１０が、光学的に光増幅用導波路１６
に結合し、さらに、光増幅用導波路１６の発光部１６ａ
より出射される信号光が導波路型の受光部１１に入射し
て、発光部１６ａと受光部１１は光学的に結合されてい
る。
【００１０】図１に示した光受信装置によれば、入力用
光導波路１０を伝搬した入力光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、光増幅用導波路１６中で増幅されたの
ち、半導体受光素子２の受光部１１に入射される。受光
部１１において信号光から変換された電気信号はアノー
ド電極５から出力され、電極９を介して光受信装置の外
部の電気回路に接続され、入力光信号を増幅した電気信
号に変換するという機能を実現する。
光導波路１０を伝搬した入力光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、光増幅用導波路１６中で増幅されたの
ち、半導体受光素子２の受光部１１に入射される。受光
部１１において信号光から変換された電気信号はアノー
ド電極５から出力され、電極９を介して光受信装置の外
部の電気回路に接続され、入力光信号を増幅した電気信
号に変換するという機能を実現する。
【００１１】上述のように、本発明に係る光受信装置に
おいては半導体光増幅素子１３を使用して信号を増幅し
ているので、電気増幅素子を使用した従来の増幅機能付
き光受信装置とは動作原理が異なり、また、ファイバー
型光増幅素子を使用した信号増幅機能付き光受信装置と
は、光増幅機能を受光素子と同一基板上に集積化してい
る点が異なっている。したがって、電気信号に変換した
後に電気増幅素子で増幅していた従来の構成と比較し
て、信号の変調周波数が電気回路の性能で制限されるこ
とがない。また、半導体光増幅素子は電気増幅素子より
も少ない電気配線数で動作することが可能であり、チッ
プの占有面積も電気増幅素子よりも少ない。また、複数
の信号光を同一基板で受信する多チャンネルアレイ光受
信装置を構成する場合にも、電気増幅素子を利用した従
来の構成よりも少ない面積で実現することができる。
おいては半導体光増幅素子１３を使用して信号を増幅し
ているので、電気増幅素子を使用した従来の増幅機能付
き光受信装置とは動作原理が異なり、また、ファイバー
型光増幅素子を使用した信号増幅機能付き光受信装置と
は、光増幅機能を受光素子と同一基板上に集積化してい
る点が異なっている。したがって、電気信号に変換した
後に電気増幅素子で増幅していた従来の構成と比較し
て、信号の変調周波数が電気回路の性能で制限されるこ
とがない。また、半導体光増幅素子は電気増幅素子より
も少ない電気配線数で動作することが可能であり、チッ
プの占有面積も電気増幅素子よりも少ない。また、複数
の信号光を同一基板で受信する多チャンネルアレイ光受
信装置を構成する場合にも、電気増幅素子を利用した従
来の構成よりも少ない面積で実現することができる。
【００１２】図２は本発明に係る光受信装置の第２の実
施の形態を示す構成図である。図に示すように、搭載基
板１から光増幅用導波路１６までの構成は図１と同様で
あるが、さらに、光増幅用導波路１６から出力される信
号光は、搭載基板１上の溝１７に挿入されて固定された
多層膜フィルター１８を通して、受光部１１に入力して
いる。ここで、多層膜フィルター１８は特定の波長を選
択的に透過することのできる、それ自体は公知の多層膜
構造を有するフィルターである。
施の形態を示す構成図である。図に示すように、搭載基
板１から光増幅用導波路１６までの構成は図１と同様で
あるが、さらに、光増幅用導波路１６から出力される信
号光は、搭載基板１上の溝１７に挿入されて固定された
多層膜フィルター１８を通して、受光部１１に入力して
いる。ここで、多層膜フィルター１８は特定の波長を選
択的に透過することのできる、それ自体は公知の多層膜
構造を有するフィルターである。
【００１３】図２に示した光受信装置によれば、入力用
光導波路１０を伝搬した信号光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、増幅用導波路１６中で増幅された信号光
は、信号光のもつ波長のみ透過することのできる多層膜
フィルター１８を通して、半導体受光素子２に入射され
る。受光部１１において信号光から変換された電気信号
はアノード電極５から出力され、電気信号出力用の電極
９を通して光受信装置の外部の電気回路に接続され、入
力光信号を大幅に増幅した電気信号に変換するという機
能を実現する。さらに、本発明では、半導体光増幅素子
１３が発生する信号光に寄与しないＡＳＥ（Ａmplified
Ｓpontaneous Ｅmission）を多層膜フィルター１８で
取り除くことが可能であるので、ＡＳＥに起因する雑音
を低減できるという効果がある。
光導波路１０を伝搬した信号光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、増幅用導波路１６中で増幅された信号光
は、信号光のもつ波長のみ透過することのできる多層膜
フィルター１８を通して、半導体受光素子２に入射され
る。受光部１１において信号光から変換された電気信号
はアノード電極５から出力され、電気信号出力用の電極
９を通して光受信装置の外部の電気回路に接続され、入
力光信号を大幅に増幅した電気信号に変換するという機
能を実現する。さらに、本発明では、半導体光増幅素子
１３が発生する信号光に寄与しないＡＳＥ（Ａmplified
Ｓpontaneous Ｅmission）を多層膜フィルター１８で
取り除くことが可能であるので、ＡＳＥに起因する雑音
を低減できるという効果がある。
【００１４】図３は本発明に係る光受信装置の第３の実
施の形態を示す構成図である。図に示すように、搭載基
板１から光増幅用導波路１６までの構成は図１と同様で
あるが、さらに、光増幅用導波路１６から出力される信
号光は搭載基板１上に形成された光導波路１９に光学的
に結合し、この光導波路１９を伝搬して、受光部１１に
光学的に結合している。ここで、光導波路１９は搭載基
板１の変形部１ａ内を貫通し、変形部１ａには溝１７が
設けられ、溝１７により２つの領域に分けられている。
さらに、溝１７には特定の波長を選択的に透過すること
のできる多層膜フィルター１８が挿入されている。
施の形態を示す構成図である。図に示すように、搭載基
板１から光増幅用導波路１６までの構成は図１と同様で
あるが、さらに、光増幅用導波路１６から出力される信
号光は搭載基板１上に形成された光導波路１９に光学的
に結合し、この光導波路１９を伝搬して、受光部１１に
光学的に結合している。ここで、光導波路１９は搭載基
板１の変形部１ａ内を貫通し、変形部１ａには溝１７が
設けられ、溝１７により２つの領域に分けられている。
さらに、溝１７には特定の波長を選択的に透過すること
のできる多層膜フィルター１８が挿入されている。
【００１５】図３に示した光受信装置によれば、入力用
光導波路１０を伝搬した入力光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、増幅用導波路１６中で増幅された光信号
が、第３の光導波路１９に結合される。さらに、光導波
路１９を伝搬した光は、光導波路１９と光学的に結合し
ている半導体受光素子２に入射される。ここで、光導波
路１９には、多層膜フィルター１８が挿入されているの
で、この光導波路１９は選択的に特定の波長を透過する
機能を有している。受光部１１において信号光から変換
された電気信号はアノード電極５から出力され、電源用
電極９を通して光受信装置の外部の電気回路に接続さ
れ、光入力信号を大幅に増幅した電気信号に変換すると
いう機能を実現する。また、本発明では、半導体光増幅
素子１３が発生する光信号に寄与しないＡＳＥを多層膜
フィルター１８で取り除くことが可能であるので、ＡＳ
Ｅに起因する雑音を低減できるという効果がある。
光導波路１０を伝搬した入力光が、半導体光増幅素子１
３に入射され、増幅用導波路１６中で増幅された光信号
が、第３の光導波路１９に結合される。さらに、光導波
路１９を伝搬した光は、光導波路１９と光学的に結合し
ている半導体受光素子２に入射される。ここで、光導波
路１９には、多層膜フィルター１８が挿入されているの
で、この光導波路１９は選択的に特定の波長を透過する
機能を有している。受光部１１において信号光から変換
された電気信号はアノード電極５から出力され、電源用
電極９を通して光受信装置の外部の電気回路に接続さ
れ、光入力信号を大幅に増幅した電気信号に変換すると
いう機能を実現する。また、本発明では、半導体光増幅
素子１３が発生する光信号に寄与しないＡＳＥを多層膜
フィルター１８で取り除くことが可能であるので、ＡＳ
Ｅに起因する雑音を低減できるという効果がある。
【００１６】選択的に特定の波長を透過するフィルター
機能を持つ光導波路としては、上記の導波路途中に形成
した溝１７に多層膜フィルター１８を挿入したもの以外
に、導波路型グレーティング、マッハツエンダー型導波
路フィルター、アレイ格子型導波路フィルターなど各種
のものが適用できる。これら導波路型グレーティングや
導波路フィルターは大きさの点で不利であるが、溝形成
が不要となる点で有利である。
機能を持つ光導波路としては、上記の導波路途中に形成
した溝１７に多層膜フィルター１８を挿入したもの以外
に、導波路型グレーティング、マッハツエンダー型導波
路フィルター、アレイ格子型導波路フィルターなど各種
のものが適用できる。これら導波路型グレーティングや
導波路フィルターは大きさの点で不利であるが、溝形成
が不要となる点で有利である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光受
信装置においては、同一の搭載基板上に半導体光増幅器
と半導体受光素子が集積される構造を有し、入力された
信号光は半導体光増幅器で増幅された後に半導体受光素
子に入力され電気信号に変換される。したがって、電気
信号に変換した後に電気増幅素子で増幅していた従来の
構成と比較して、信号の変調周波数が電気回路の性能で
制限されることがない。また、半導体光増幅素子は電気
増幅素子よりも少ない電気配線数で動作することが可能
であり、チップの占有面積も電気増幅素子よりも少な
い。また、複数の信号光を同一基板で受信する多チャン
ネルアレイ光受信装置を構成する場合にも、電気増幅素
子を利用した従来の構成よりも少ない面積で実現するこ
とができる。さらに、請求項２、３による構造を用いれ
ば、半導体光増幅素子の発生するＡＳＥを同一基板上で
除去することが可能であるので、半導体光増幅素子を用
いることによる雑音の増加を抑制することができる。
信装置においては、同一の搭載基板上に半導体光増幅器
と半導体受光素子が集積される構造を有し、入力された
信号光は半導体光増幅器で増幅された後に半導体受光素
子に入力され電気信号に変換される。したがって、電気
信号に変換した後に電気増幅素子で増幅していた従来の
構成と比較して、信号の変調周波数が電気回路の性能で
制限されることがない。また、半導体光増幅素子は電気
増幅素子よりも少ない電気配線数で動作することが可能
であり、チップの占有面積も電気増幅素子よりも少な
い。また、複数の信号光を同一基板で受信する多チャン
ネルアレイ光受信装置を構成する場合にも、電気増幅素
子を利用した従来の構成よりも少ない面積で実現するこ
とができる。さらに、請求項２、３による構造を用いれ
ば、半導体光増幅素子の発生するＡＳＥを同一基板上で
除去することが可能であるので、半導体光増幅素子を用
いることによる雑音の増加を抑制することができる。
【図１】本発明に係る光受信装置の第１の実施の形態を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】本発明に係る光受信装置の第２の実施の形態を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】本発明に係る光受信装置の第３の実施の形態を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図４】従来技術による光受信装置の構成図である。
【符号の説明】 １…搭載用基板 １ａ…変形部 ２…半導体受光素子 ２ａ…受光素子 ３…電気増幅素子 ４…電極 ５…第２のアノード電極 ５ａ…アノード電極 ６…入力用電極 ７…第２のカソード電極 ７ａ…カソード電極 ８…電極 ９…電極 １０…入力用光導波路 １１…受光部 １１ａ…受光部 １２…電極 １３…半導体光増幅素子 １４…第１のアノード電極 １５…第１のカソード電極 １６…光増幅用導波路 １６ａ…発光部 １７…溝 １８…多層膜フィルター １９…光導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/14 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｗ 10/04 10/06 10/02 (72)発明者 小川 育夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】光増幅用導波路を構成する第１のｐｎ接合
を有し搭載基板上に固定された半導体光増幅素子と、上
記第１のｐｎ接合のアノードおよびカソードにそれぞれ
電気的に接続された第１のアノード電極および第１のカ
ソード電極と、導波路型の受光部を構成する第２のｐｎ
接合を有し上記搭載基板上に固定された半導体受光素子
と、上記第２のｐｎ接合のアノードおよびカソードにそ
れぞれ電気的に接続された第２のアノード電極および第
２のカソード電極と、上記第１のアノード電極、第１の
カソード電極、第２のアノード電極および第２のカソー
ド電極と接続された上記搭載基板上の複数の電極と有
し、上記半導体増幅素子の発光部と上記半導体受光素子
の受光部とが光学的に結合するように構成することを特
徴とする光受信装置。 - 【請求項２】上記搭載基板上に、特定の波長の光のみを
透過する多層膜フィルターを有し、上記半導体光増幅素
子の発光部と上記半導体受光素子の受光部とが上記多層
膜フィルターを介して光学的に結合するように構成する
ことを特徴とする請求項１に記載の光受信装置。 - 【請求項３】上記搭載基板上に、特定の波長の光のみを
透過する光導波路を有し、上記半導体光増幅素子の発光
部と上記半導体受光素子の受光部とが上記光導波路を介
し光学的に結合するように構成することを特徴とする請
求項１に記載の光受信装置。
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|---|---|---|---|
| JP06077998A JP3609251B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 光受信装置 |
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| JP06077998A JP3609251B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 光受信装置 |
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| JPH11261083A true JPH11261083A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3609251B2 JP3609251B2 (ja) | 2005-01-12 |
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ID=13152127
Family Applications (1)
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| JP06077998A Expired - Fee Related JP3609251B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 光受信装置 |
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| JP (1) | JP3609251B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2391952A (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | Bookham Technology Plc | Optical device with optical filter film |
| JP2019212861A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 受光装置およびその製造方法 |
| CN111999823A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-27 | 武汉电信器件有限公司 | 光接收器件及其制造方法 |
| JPWO2023161971A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP06077998A patent/JP3609251B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2019212861A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 受光装置およびその製造方法 |
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| CN111999823A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-27 | 武汉电信器件有限公司 | 光接收器件及其制造方法 |
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