JPH11261370A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH11261370A JPH11261370A JP5970598A JP5970598A JPH11261370A JP H11261370 A JPH11261370 A JP H11261370A JP 5970598 A JP5970598 A JP 5970598A JP 5970598 A JP5970598 A JP 5970598A JP H11261370 A JPH11261370 A JP H11261370A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓ０モードより高次のＳ２モードに起因する
スプリアスを抑圧することができ、帯域外減衰量の改善
及び通過帯域の形状改善が図れ、また、不要共振モード
のレベルが低減でき、周波数ジャンブなどの間題点を改
善することができるＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 ＳＡＷデバイスは、入力側ＩＤＴ１１と
出力側ＩＤＴ１２を備え、入力側ＩＤＴ１１および出力
側ＩＤＴ１２は、＋側バスバー１４ａ、１４ｃと接地側
バスバー１４ｂ、１４ｄを有し、その開口部には、くし
形交叉指状電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを備え
ている。バスバー１４ａ〜１４ｄは、所定の角度θの傾
斜角を有する網目状の反射格子となっている。
スプリアスを抑圧することができ、帯域外減衰量の改善
及び通過帯域の形状改善が図れ、また、不要共振モード
のレベルが低減でき、周波数ジャンブなどの間題点を改
善することができるＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 ＳＡＷデバイスは、入力側ＩＤＴ１１と
出力側ＩＤＴ１２を備え、入力側ＩＤＴ１１および出力
側ＩＤＴ１２は、＋側バスバー１４ａ、１４ｃと接地側
バスバー１４ｂ、１４ｄを有し、その開口部には、くし
形交叉指状電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを備え
ている。バスバー１４ａ〜１４ｄは、所定の角度θの傾
斜角を有する網目状の反射格子となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、くし形交叉指状電
極を有する弾性表面波（以下「ＳＡＷ」とも言う）デパ
イスに関し、特に、ＳＡＷが伝搬する方向に対して垂直
方向に分布する横モードの高次モードに起因するスプリ
アスを抑圧する弾性表面波デバイスに関する。
極を有する弾性表面波（以下「ＳＡＷ」とも言う）デパ
イスに関し、特に、ＳＡＷが伝搬する方向に対して垂直
方向に分布する横モードの高次モードに起因するスプリ
アスを抑圧する弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＳＡＷデバイスを示す。
図６において、従来のＳＡＷデバイスは、入力側弾性表
面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）２１と
出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）２２とを備えてい
る。また、入力側ＩＤＴ２１および出力側ＩＤＴ２２
は、それぞれ、両側にバスバー２４ａ、２４ｂを有し、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部に
は、それぞれバスバー２４ａ、２４ｂに接続されたくし
形交叉指状電極２３ａ、２３ｂを備えている。ここで、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部の長
さ（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極２３
ａ、２３ｂの厚さ（図示せず）は、Ｈとなっている。
図６において、従来のＳＡＷデバイスは、入力側弾性表
面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）２１と
出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）２２とを備えてい
る。また、入力側ＩＤＴ２１および出力側ＩＤＴ２２
は、それぞれ、両側にバスバー２４ａ、２４ｂを有し、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部に
は、それぞれバスバー２４ａ、２４ｂに接続されたくし
形交叉指状電極２３ａ、２３ｂを備えている。ここで、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部の長
さ（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極２３
ａ、２３ｂの厚さ（図示せず）は、Ｈとなっている。
【０００３】図６に示した従来のＳＡＷデバイスにおい
て、入力側ＩＤＴ２１から波長λで励振されたＳＡＷ
は、出力側ＩＤＴ２２で受信されることになる。
て、入力側ＩＤＴ２１から波長λで励振されたＳＡＷ
は、出力側ＩＤＴ２２で受信されることになる。
【０００４】この時、図６に示したようなくし形交叉指
状電極２３ａ、２３ｂを電気的に接続するバスバー２４
ａ、２４ｂが均一なベタ電極で構成されたＳＡＷデバイ
スの場合では、ＳＡＷの伝搬の際、ＳＡＷデバイスの開
口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、およびくし形交叉指状電極２
３ａ、２３ｂの膜厚Ｈによって、ＳＡＷの主伝搬モード
である横基本（Ｓ０）モードの他に、高次横モードであ
る横２次（Ｓ２）モード、横４次（Ｓ４）モードといっ
たスプリアスモードも伝搬可能となるため、このモード
がデバイス特性に悪影響を与える場合があった。例え
ば、ＳＡＷデバイスをフィルタとして使用した場合、帯
域外減衰量の悪化や通過域内のリツプルが生じ、レゾネ
ータとして使用した場合には、不要共振モードが発生し
共振周波数のジャンプが発生する等のデバイス特性を劣
化させる要因となっていたため、改善が望まれていた。
状電極２３ａ、２３ｂを電気的に接続するバスバー２４
ａ、２４ｂが均一なベタ電極で構成されたＳＡＷデバイ
スの場合では、ＳＡＷの伝搬の際、ＳＡＷデバイスの開
口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、およびくし形交叉指状電極２
３ａ、２３ｂの膜厚Ｈによって、ＳＡＷの主伝搬モード
である横基本（Ｓ０）モードの他に、高次横モードであ
る横２次（Ｓ２）モード、横４次（Ｓ４）モードといっ
たスプリアスモードも伝搬可能となるため、このモード
がデバイス特性に悪影響を与える場合があった。例え
ば、ＳＡＷデバイスをフィルタとして使用した場合、帯
域外減衰量の悪化や通過域内のリツプルが生じ、レゾネ
ータとして使用した場合には、不要共振モードが発生し
共振周波数のジャンプが発生する等のデバイス特性を劣
化させる要因となっていたため、改善が望まれていた。
【０００５】図６で示したような従来のＳＡＷデバイス
においては、スブリアスとなる横（Ｓ２、Ｓ４）モード
は、ＳＡＷの伝搬方向に対して垂直方向に分布してお
り、そのポテンシャル・エネルギは、パスパー２４ａ、
２４ｂ全体に渡って１割程度漏れ出している。そこで、
特開平５−９５２５０に示された従来のＳＡＷデバイス
においては、バスバー部に漏れ出した不要なＳＡＷを、
反射させるようにしている。
においては、スブリアスとなる横（Ｓ２、Ｓ４）モード
は、ＳＡＷの伝搬方向に対して垂直方向に分布してお
り、そのポテンシャル・エネルギは、パスパー２４ａ、
２４ｂ全体に渡って１割程度漏れ出している。そこで、
特開平５−９５２５０に示された従来のＳＡＷデバイス
においては、バスバー部に漏れ出した不要なＳＡＷを、
反射させるようにしている。
【０００６】図７（ａ）および（ｂ）は、特開平５−９
５２５０に記載されている従来のＳＡＷデバイスを示
す。図７（ａ）に示した従来のＳＡＷデバイスは、圧電
基板の表面に、＋側パスパー１Ａおよび接地側パスパー
１Ｂを有する入カ側トランスデューサ５１と、＋側パス
バー４Ａ、接地側バスパー４Ｂを有する出カ側トランス
デューサ５２を備えている。また、入力側および出力側
バスパー１Ａ，１Ｂ、および４Ａ、４Ｂは、＋側電極指
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、および５Ａ、５Ｂ、５Ｃと接地側電
極指３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、および６Ａ、６Ｂ、６Ｃとがそ
れぞれ所定の間隔を保持して対向している。ここで対向
している部分の長さＬ５は電極指２Ａと２Ｂとを比較す
るとＬ１だけ変えており、電極指２Ｂと電極指２Ｃとを
比較するとＬ３だけ変えて実質的に開口部の幅にテーパ
を付与している。また接地側電極指３Ａ、３Ｂもこの電
極指の両側の対向部分の長さがそれぞれＬ２、Ｌ４だけ
変えている。このように、対向する電極指の間隔を弾性
表面波の伝搬方向への距離の変化にともなって変化させ
ることによって、バスバー１Ａ、１Ｂ、４Ａ、４Ｂで弾
性表面波の反射波を散乱し易くなるので、横モード（Ｓ
２、Ｓ４）の発生を防ぐことができ、トランスデューサ
間の横モード結合によるスプリアスをおさえることがで
きる。
５２５０に記載されている従来のＳＡＷデバイスを示
す。図７（ａ）に示した従来のＳＡＷデバイスは、圧電
基板の表面に、＋側パスパー１Ａおよび接地側パスパー
１Ｂを有する入カ側トランスデューサ５１と、＋側パス
バー４Ａ、接地側バスパー４Ｂを有する出カ側トランス
デューサ５２を備えている。また、入力側および出力側
バスパー１Ａ，１Ｂ、および４Ａ、４Ｂは、＋側電極指
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、および５Ａ、５Ｂ、５Ｃと接地側電
極指３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、および６Ａ、６Ｂ、６Ｃとがそ
れぞれ所定の間隔を保持して対向している。ここで対向
している部分の長さＬ５は電極指２Ａと２Ｂとを比較す
るとＬ１だけ変えており、電極指２Ｂと電極指２Ｃとを
比較するとＬ３だけ変えて実質的に開口部の幅にテーパ
を付与している。また接地側電極指３Ａ、３Ｂもこの電
極指の両側の対向部分の長さがそれぞれＬ２、Ｌ４だけ
変えている。このように、対向する電極指の間隔を弾性
表面波の伝搬方向への距離の変化にともなって変化させ
ることによって、バスバー１Ａ、１Ｂ、４Ａ、４Ｂで弾
性表面波の反射波を散乱し易くなるので、横モード（Ｓ
２、Ｓ４）の発生を防ぐことができ、トランスデューサ
間の横モード結合によるスプリアスをおさえることがで
きる。
【０００７】また、図７（ｂ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスは、＋側バスパー７Ａおよび接地側バスバー７Ｂ
を有する入力側トランスデューサ５３と、＋側バスバー
１０Ａおよび接地側パスパー１０Ｂを有する出力側トラ
ンスデューサ５４とで構成されている。ここで＋側電極
指８Ａと８Ｂは、対向する面の長さが相違しており、両
電極指８Ａ、８Ｂの間でテーパ状に間隔を変えている。
接地側の電極指９Ａ、９Ｂも対向する面の長さが相違し
ており、両電極指９Ａ、９Ｂの間でテーパ状に間隔を変
えている。従って、図７（ａ）と同様に、両方のバスパ
ー部７Ａ、７Ｂ、および１０Ａ、１０Ｂのテーパ状の部
分でＳＡＷの反射波を散乱して、横モード（Ｓ２、Ｓ
４）の発生を防止している。
バイスは、＋側バスパー７Ａおよび接地側バスバー７Ｂ
を有する入力側トランスデューサ５３と、＋側バスバー
１０Ａおよび接地側パスパー１０Ｂを有する出力側トラ
ンスデューサ５４とで構成されている。ここで＋側電極
指８Ａと８Ｂは、対向する面の長さが相違しており、両
電極指８Ａ、８Ｂの間でテーパ状に間隔を変えている。
接地側の電極指９Ａ、９Ｂも対向する面の長さが相違し
ており、両電極指９Ａ、９Ｂの間でテーパ状に間隔を変
えている。従って、図７（ａ）と同様に、両方のバスパ
ー部７Ａ、７Ｂ、および１０Ａ、１０Ｂのテーパ状の部
分でＳＡＷの反射波を散乱して、横モード（Ｓ２、Ｓ
４）の発生を防止している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７
（ａ）および（ｂ）に示した従来のＳＡＷデバイスによ
れば、不要なＳＡＷを反射させるテーパ部をバスパーの
一部分だけに設けているため、パスパーの他の部分に分
布する横モード（Ｓ２、Ｓ４）は散乱されず、そのまま
スプリアスとして受信されてしまうという問題があっ
た。
（ａ）および（ｂ）に示した従来のＳＡＷデバイスによ
れば、不要なＳＡＷを反射させるテーパ部をバスパーの
一部分だけに設けているため、パスパーの他の部分に分
布する横モード（Ｓ２、Ｓ４）は散乱されず、そのまま
スプリアスとして受信されてしまうという問題があっ
た。
【０００９】また、図７（ａ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスによれば、バスバーに設けられたテーパは、ＳＡ
Ｗの伝搬方向に対して平行方向に均一であるため、その
反射および散乱の効果は極めて少ないという問題があっ
た。
バイスによれば、バスバーに設けられたテーパは、ＳＡ
Ｗの伝搬方向に対して平行方向に均一であるため、その
反射および散乱の効果は極めて少ないという問題があっ
た。
【００１０】更に、図７（ｂ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスによれば、バスバー部の斜め状のテーパが全て同
一の方向に形成されているので、反射されるＳＡＷは極
めて少なく、横モードの高次モード（Ｓ２、Ｓ４）に起
因するスプリアスを十分に抑圧することができないとい
う問題があった。
バイスによれば、バスバー部の斜め状のテーパが全て同
一の方向に形成されているので、反射されるＳＡＷは極
めて少なく、横モードの高次モード（Ｓ２、Ｓ４）に起
因するスプリアスを十分に抑圧することができないとい
う問題があった。
【００１１】従って、本発明の目的は、主伝搬モード
（Ｓ０モード）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）
に起因するスプリアスを抑圧することができ、フィルタ
においては帯域外減衰量の改善及び通過帯域の形状改善
が図れ、また、レゾネータにおいては不要共振モードの
レベルが低減でき、周波数ジャンブなどの間題点を改善
することができるＳＡＷデバイスを提供することであ
る。
（Ｓ０モード）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）
に起因するスプリアスを抑圧することができ、フィルタ
においては帯域外減衰量の改善及び通過帯域の形状改善
が図れ、また、レゾネータにおいては不要共振モードの
レベルが低減でき、周波数ジャンブなどの間題点を改善
することができるＳＡＷデバイスを提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、圧電基板上に形成された＋側バス
バーと、圧電基板上に形成された接地側バスバーと、＋
側バスバーに所定の間隔で接続された複数の電極と、複
数の電極の間に設けられ、接地側バスバーに所定の間隔
で接続された複数の電極とを備え、＋側バスバーおよび
接地側バスバーのうち少なくとも何れか１つは、斜めの
反射格子であることを特徴とする弾性表面波デバイスを
提供する。
目的を実現するため、圧電基板上に形成された＋側バス
バーと、圧電基板上に形成された接地側バスバーと、＋
側バスバーに所定の間隔で接続された複数の電極と、複
数の電極の間に設けられ、接地側バスバーに所定の間隔
で接続された複数の電極とを備え、＋側バスバーおよび
接地側バスバーのうち少なくとも何れか１つは、斜めの
反射格子であることを特徴とする弾性表面波デバイスを
提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）デバイスを詳細に説明する。
Ｗ）デバイスを詳細に説明する。
【００１４】図１（ａ）は、本発明のくし形交叉指状電
極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）デパイスを示し、図１
（ｂ）は、伝搬されるＳＡＷのポテンシャル分布を示
す。図１（ａ）において、ＳＡＷデバイスは、入力側弾
性表面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）１
１と出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）１２とを備えて
いる。また、入力側ＩＤＴ１１および出力側ＩＤＴ１２
は、それぞれ、両側に＋側バスバー１４ａ、１４ｃと接
地側バスバー１４ｂ、１４ｄを有し、＋側バスバー１４
ａ、１４ｃおよび接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の
開口部には、それぞれバスバー１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄに接続されたくし形交叉指状電極１３ａ、１
３ｂ、１３ｃ、１３ｄを備えている。
極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）デパイスを示し、図１
（ｂ）は、伝搬されるＳＡＷのポテンシャル分布を示
す。図１（ａ）において、ＳＡＷデバイスは、入力側弾
性表面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）１
１と出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）１２とを備えて
いる。また、入力側ＩＤＴ１１および出力側ＩＤＴ１２
は、それぞれ、両側に＋側バスバー１４ａ、１４ｃと接
地側バスバー１４ｂ、１４ｄを有し、＋側バスバー１４
ａ、１４ｃおよび接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の
開口部には、それぞれバスバー１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄに接続されたくし形交叉指状電極１３ａ、１
３ｂ、１３ｃ、１３ｄを備えている。
【００１５】ここで、＋側バスバー１４ａ、１４ｃおよ
び接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の開口部の長さ
（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極１３ａ〜
１３ｄの厚さは、Ｈとなっている。また、バスバー１４
ａ〜１４ｄは、所定の角度θの傾斜角を有する網目状の
反射格子となっている。
び接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の開口部の長さ
（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極１３ａ〜
１３ｄの厚さは、Ｈとなっている。また、バスバー１４
ａ〜１４ｄは、所定の角度θの傾斜角を有する網目状の
反射格子となっている。
【００１６】図１（ａ）において、入力側ＩＤＴ１１よ
り励振されたＳＡＷは、出カ側ＩＤＴ１２にて受信され
る。この時、従来のＳＡＷデバイスでは、図１（ｂ）の
ＳＡＷのポテンシャル分布に示したように、ＳＡＷの伝
搬の際、ＳＡＷデバイスの開口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、
およびくし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄの膜厚Ｈによ
って、ＳＡＷの主伝搬モードである横基本（Ｓ０）モー
ドの他に、高次横モードである横２次（Ｓ２）モードな
どが発生する。ここで、ＳＡＷの主伝搬モードとして横
基本（Ｓ０）モードを利用したＳＡＷデバイスにおいて
は、一般にそれより高次の横モード（Ｓ２、Ｓ
４、．．．モード）は不要なモード（スプリアスモー
ド）となる。
り励振されたＳＡＷは、出カ側ＩＤＴ１２にて受信され
る。この時、従来のＳＡＷデバイスでは、図１（ｂ）の
ＳＡＷのポテンシャル分布に示したように、ＳＡＷの伝
搬の際、ＳＡＷデバイスの開口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、
およびくし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄの膜厚Ｈによ
って、ＳＡＷの主伝搬モードである横基本（Ｓ０）モー
ドの他に、高次横モードである横２次（Ｓ２）モードな
どが発生する。ここで、ＳＡＷの主伝搬モードとして横
基本（Ｓ０）モードを利用したＳＡＷデバイスにおいて
は、一般にそれより高次の横モード（Ｓ２、Ｓ
４、．．．モード）は不要なモード（スプリアスモー
ド）となる。
【００１７】一般に、ＳＡＷデバイスでは、どのような
モードでも、パスバー１４ａ〜１４ｄへのポテンシャル
・エネルギの漏れがあるが、その漏れ量は、図１（ｂ）
に示したように、モードの次数が大きくなるに従い増大
する。しかしながら、横基本（Ｓ０）モ−ドの漏れ量１
５は他の高次モード（Ｓ２、Ｓ４、．．．モード）の漏
れ量、例えば、横２次（Ｓ２）モードの漏れ量１６に比
較して非常に僅かであり、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝
搬する成分は殆どない。
モードでも、パスバー１４ａ〜１４ｄへのポテンシャル
・エネルギの漏れがあるが、その漏れ量は、図１（ｂ）
に示したように、モードの次数が大きくなるに従い増大
する。しかしながら、横基本（Ｓ０）モ−ドの漏れ量１
５は他の高次モード（Ｓ２、Ｓ４、．．．モード）の漏
れ量、例えば、横２次（Ｓ２）モードの漏れ量１６に比
較して非常に僅かであり、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝
搬する成分は殆どない。
【００１８】従って、図１（ａ）に示した本発明のＳＡ
Ｗデバイスによれば、横基本（Ｓ０）モ−ドのバスバー
１４ａ〜１４ｄを伝搬するポテンシャル・エネルギが、
バスバー１４ａ〜１４ｄの網目状の反射格子によって散
乱されても、横基本（Ｓ０）モ−ド全体のポテンシャル
・エネルギの分布には殆ど影響を与えないため、基本横
（Ｓ０）モードには何ら影響を与えず、Ｓ２、Ｓ４など
の高次のモードだけを選択的に散乱し抑制できる。
Ｗデバイスによれば、横基本（Ｓ０）モ−ドのバスバー
１４ａ〜１４ｄを伝搬するポテンシャル・エネルギが、
バスバー１４ａ〜１４ｄの網目状の反射格子によって散
乱されても、横基本（Ｓ０）モ−ド全体のポテンシャル
・エネルギの分布には殆ど影響を与えないため、基本横
（Ｓ０）モードには何ら影響を与えず、Ｓ２、Ｓ４など
の高次のモードだけを選択的に散乱し抑制できる。
【００１９】これは、バスバー１４ａ〜１４ｄの網目状
の反射格子によって反射されるＳＡＷは、くし形交叉指
状電極１３ａ〜１３ｄを伝搬するＳＡＷに対して直角方
向に反射させ、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝搬するＳＡ
Ｗと平行方向のエネルギ成分を無くせば、網目状の反射
格子によって反射されたＳＡＷは、出力側ＩＤＴ１２に
よって受信されることが無くなり、スプリアスが生じな
い。
の反射格子によって反射されるＳＡＷは、くし形交叉指
状電極１３ａ〜１３ｄを伝搬するＳＡＷに対して直角方
向に反射させ、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝搬するＳＡ
Ｗと平行方向のエネルギ成分を無くせば、網目状の反射
格子によって反射されたＳＡＷは、出力側ＩＤＴ１２に
よって受信されることが無くなり、スプリアスが生じな
い。
【００２０】ここで、θの値としては４５度付近が望ま
しいが、ＳＡＷデバイスを形成する電圧基板は異方性を
もち、一般に反射角と入射角が僅かに異なり、この反射
角は、電極の膜厚や材質、ＳＡＷの波長λに応じて決ま
るため、反射格子のθは、反射角に応じて適当に設定す
れば良い。
しいが、ＳＡＷデバイスを形成する電圧基板は異方性を
もち、一般に反射角と入射角が僅かに異なり、この反射
角は、電極の膜厚や材質、ＳＡＷの波長λに応じて決ま
るため、反射格子のθは、反射角に応じて適当に設定す
れば良い。
【００２１】また、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝搬する
ＳＡＷの波長λは、くし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄ
を伝搬するＳＡＷの波長λ’とほぼ等しいので、抑圧を
図りたい高次のモードを効率よく反射させるためには、
反射格子のピッチｐをＩＤＴ１１、１２のピッチｐ’と
等しくすることが望ましい。
ＳＡＷの波長λは、くし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄ
を伝搬するＳＡＷの波長λ’とほぼ等しいので、抑圧を
図りたい高次のモードを効率よく反射させるためには、
反射格子のピッチｐをＩＤＴ１１、１２のピッチｐ’と
等しくすることが望ましい。
【００２２】図２（ａ）は、従来のＳＡＷデバイスの通
過特性を示し、図２（ｂ）は、本発明のＳＡＷデバイス
の通過特性を示す。図２（ａ）の従来のＳＡＷデバイス
において現れている高次の横モードによるスプリアス３
１は、図２（ｂ）の本発明のＳＡＷデバイスの場合には
抑圧され、ＳＡＷデバイスの帯域外減衰量が改善してい
る。
過特性を示し、図２（ｂ）は、本発明のＳＡＷデバイス
の通過特性を示す。図２（ａ）の従来のＳＡＷデバイス
において現れている高次の横モードによるスプリアス３
１は、図２（ｂ）の本発明のＳＡＷデバイスの場合には
抑圧され、ＳＡＷデバイスの帯域外減衰量が改善してい
る。
【００２３】図３は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。図３に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ４
１と、ＩＤＴ４１の左右に設けられたグレーティング反
射器４２、４３を備えており、ＳＴカット水晶基板上に
形成された横モード結合型ＳＡＷフィルタになってい
る。また、ＩＤＴ４１は、両側にバスバー４７ａ、４７
ｂを有し、バスバー４７ａ、４７ｂには、指状電極４５
ａ、４５ｂが接続されている。グレーティング反射器４
２および４３は、それぞれバスバー４８ａ、４８ｂ、お
よび４９ａ、４９ｂを有し、バスバー４８ａ、４８ｂに
は、電極４６ａが接続され、バスバー４９ａ、４９ｂに
は、電極４６ｂが接続されている。更に、電極４６ａと
電極４６ｂの間には、指状電極４５ａ、４５ｂが接続さ
れ、このグレーティング反射器４２、４３の指状電極４
５ａ、４５ｂとＩＤＴ４１の指状電極４４ａ、４４ｂと
によって、交叉指状電極が構成されている。
態例を示す。図３に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ４
１と、ＩＤＴ４１の左右に設けられたグレーティング反
射器４２、４３を備えており、ＳＴカット水晶基板上に
形成された横モード結合型ＳＡＷフィルタになってい
る。また、ＩＤＴ４１は、両側にバスバー４７ａ、４７
ｂを有し、バスバー４７ａ、４７ｂには、指状電極４５
ａ、４５ｂが接続されている。グレーティング反射器４
２および４３は、それぞれバスバー４８ａ、４８ｂ、お
よび４９ａ、４９ｂを有し、バスバー４８ａ、４８ｂに
は、電極４６ａが接続され、バスバー４９ａ、４９ｂに
は、電極４６ｂが接続されている。更に、電極４６ａと
電極４６ｂの間には、指状電極４５ａ、４５ｂが接続さ
れ、このグレーティング反射器４２、４３の指状電極４
５ａ、４５ｂとＩＤＴ４１の指状電極４４ａ、４４ｂと
によって、交叉指状電極が構成されている。
【００２４】ここで、ＳＡＷの波長をλとした場合、こ
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー４４ａ、４４ｂ、４８ａ、４
８ｂ、４９ａ、４９ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー４４ａ、４４ｂ、４８ａ、４
８ｂ、４９ａ、４９ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。
【００２５】図４は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。図４に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ６
１と、ＩＤＴ６１の左右に設けられたグレーティング反
射器６２、６３を備えており、ＳＡＷレゾネータになっ
ている。また、ＩＤＴ６１は、両側にバスバー６４ａ、
６４ｂを有し、バスバー６４ａ、６４ｂには、くし形交
叉指状電極６５ａ、６５ｂが接続されている。グレーテ
ィング反射器６２および６３は、それぞれバスバー６６
ａ、６６ｂ、および６７ａ、６７ｂを有し、バスバー６
６ａ、６６ｂには、電極６８ａが接続され、バスバー６
７ａ、６７ｂには、電極６８ｂが接続されている。
態例を示す。図４に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ６
１と、ＩＤＴ６１の左右に設けられたグレーティング反
射器６２、６３を備えており、ＳＡＷレゾネータになっ
ている。また、ＩＤＴ６１は、両側にバスバー６４ａ、
６４ｂを有し、バスバー６４ａ、６４ｂには、くし形交
叉指状電極６５ａ、６５ｂが接続されている。グレーテ
ィング反射器６２および６３は、それぞれバスバー６６
ａ、６６ｂ、および６７ａ、６７ｂを有し、バスバー６
６ａ、６６ｂには、電極６８ａが接続され、バスバー６
７ａ、６７ｂには、電極６８ｂが接続されている。
【００２６】ここで、ＳＡＷの波長をλとした場合、こ
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー６４ａ、６４ｂ、６６ａ、６
６ｂ、６７ａ、６７ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。また、反射格子は、前述の網目構造ではなく、単に
斜め電極構造とすることもでき、この斜め電極構造によ
って、そこを伝搬するＳＡＷが散乱されるために、スプ
リアス抑圧の効果を得ることができる。
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー６４ａ、６４ｂ、６６ａ、６
６ｂ、６７ａ、６７ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。また、反射格子は、前述の網目構造ではなく、単に
斜め電極構造とすることもでき、この斜め電極構造によ
って、そこを伝搬するＳＡＷが散乱されるために、スプ
リアス抑圧の効果を得ることができる。
【００２７】図５は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。このＳＡＷデバイスは、入力側ＩＤＴ７１
および出力側ＩＤＴ７２を有し、ＩＤＴ７１および７２
は、それぞれ両側にバスバー７３ａ、７３ｂ、および７
４ａ、７４ｂを有し、バスバー７３ａ、７３ｂ、および
７４ａ、７４ｂには、それぞれくし形交叉指状電極７５
ａ、７５ｂ、および７６ａ、７６ｂが接続されている。
態例を示す。このＳＡＷデバイスは、入力側ＩＤＴ７１
および出力側ＩＤＴ７２を有し、ＩＤＴ７１および７２
は、それぞれ両側にバスバー７３ａ、７３ｂ、および７
４ａ、７４ｂを有し、バスバー７３ａ、７３ｂ、および
７４ａ、７４ｂには、それぞれくし形交叉指状電極７５
ａ、７５ｂ、および７６ａ、７６ｂが接続されている。
【００２８】ここで、バスバー７３ａ、７４ａは、図１
に示したバスバー１４ａ、１４ｂと同じ構成となってお
り、バスバー７３ｂ、７４ｂは、従来のＳＡＷデバイス
のように均一なベタ電極になっている。即ち、ＩＤＴ７
１、７２の片側のバスバー７３ａ、７４ａのみを所定の
角度θの傾斜角を有する網目状の反射格子にしたもので
ある。この様に、斜め反射格子型のバスバーを交叉指状
電極の片側だけに設けている場合でも、高次横（Ｓ２）
モードのポテンシャルレベルを低減することができ、ス
プリアスの発生を抑圧することができる。
に示したバスバー１４ａ、１４ｂと同じ構成となってお
り、バスバー７３ｂ、７４ｂは、従来のＳＡＷデバイス
のように均一なベタ電極になっている。即ち、ＩＤＴ７
１、７２の片側のバスバー７３ａ、７４ａのみを所定の
角度θの傾斜角を有する網目状の反射格子にしたもので
ある。この様に、斜め反射格子型のバスバーを交叉指状
電極の片側だけに設けている場合でも、高次横（Ｓ２）
モードのポテンシャルレベルを低減することができ、ス
プリアスの発生を抑圧することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明のＳＡＷデバイ
スによれば、パスパー全体に渡ってＳＡＷの反射格子を
形成しているため、パスパー部分に分布する全てのＳＡ
Ｗを反射して散乱することができ、しかも、反射格子を
４５度付近の角度（交叉角は約９０度）で網目状にする
ことによって、左右両方向へ伝搬するＳＡＷを同時に反
射して散乱することができ、主伝搬モード（Ｓ０モー
ド）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）に起因する
スプリアスを抑圧し、フィルタにおいては帯域外減衰量
の改善及び通過帯域の形状改善が図れ、また、レゾネー
タにおいては不要共振モードのレベルが低減でき、周波
数ジャンブなどの間題点を改善することができるように
なった。
スによれば、パスパー全体に渡ってＳＡＷの反射格子を
形成しているため、パスパー部分に分布する全てのＳＡ
Ｗを反射して散乱することができ、しかも、反射格子を
４５度付近の角度（交叉角は約９０度）で網目状にする
ことによって、左右両方向へ伝搬するＳＡＷを同時に反
射して散乱することができ、主伝搬モード（Ｓ０モー
ド）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）に起因する
スプリアスを抑圧し、フィルタにおいては帯域外減衰量
の改善及び通過帯域の形状改善が図れ、また、レゾネー
タにおいては不要共振モードのレベルが低減でき、周波
数ジャンブなどの間題点を改善することができるように
なった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による弾性表面波デバイスと弾性表面波
のポテンシャル分布を示す概略図である。
のポテンシャル分布を示す概略図である。
【図２】従来と本発明の弾性表面波デバイスの通過特性
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図３】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。
である。
【図４】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。
である。
【図５】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。
である。
【図６】従来の弾性表面波デバイスを示す概略図であ
る。
る。
【図７】従来の弾性表面波デバイスを示す概略図であ
る。
る。
１Ａ、４Ａ、７Ａ、１０Ａ、１４ａ、１４ｃ、２４ａ、
７３ａ、７４ａ ＋側パスパー １Ｂ、４Ｂ、７Ｂ、１０Ｂ、１４ｂ、１４ｄ、２４ｂ、
７３ｂ、７４ｂ 接地側パスパー ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、８Ａ、８Ｂ ＋
側電極指 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、９Ａ、９Ｂ 接
地側電極指 １１、２１、７１ 入力側ＩＤＴ １２、２２、７２ 出力側ＩＤＴ １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、２３ａ、２３ｂ、６
５ａ、６５ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ くし
形交叉指状電極 １５、１６ ポテンシャル・エネルギの漏れ量 ３１ スプリアス ４１、６１ ＩＤＴ ４２、４３、６２、６３ グレーティング反射器 ４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４５ｂ 指状電極 ４６ａ、４６ｂ、６８ａ、６８ｂ 電極 ４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８ｂ、４９ａ、４９ｂ、６
４ａ、６４ｂ、６６ａ、６６ｂ、６７ａ、６７ｂ バス
バー ５１、５３ 入カ側トランスデューサ ５２、５４ 出カ側トランスデューサ
７３ａ、７４ａ ＋側パスパー １Ｂ、４Ｂ、７Ｂ、１０Ｂ、１４ｂ、１４ｄ、２４ｂ、
７３ｂ、７４ｂ 接地側パスパー ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、８Ａ、８Ｂ ＋
側電極指 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、９Ａ、９Ｂ 接
地側電極指 １１、２１、７１ 入力側ＩＤＴ １２、２２、７２ 出力側ＩＤＴ １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、２３ａ、２３ｂ、６
５ａ、６５ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ くし
形交叉指状電極 １５、１６ ポテンシャル・エネルギの漏れ量 ３１ スプリアス ４１、６１ ＩＤＴ ４２、４３、６２、６３ グレーティング反射器 ４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４５ｂ 指状電極 ４６ａ、４６ｂ、６８ａ、６８ｂ 電極 ４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８ｂ、４９ａ、４９ｂ、６
４ａ、６４ｂ、６６ａ、６６ｂ、６７ａ、６７ｂ バス
バー ５１、５３ 入カ側トランスデューサ ５２、５４ 出カ側トランスデューサ
Claims (5)
- 【請求項１】圧電基板上に形成された＋側バスバーと、 圧電基板上に形成された接地側バスバーと、 前記＋側バスバーに所定の間隔で接続された複数の電極
と、 前記複数の電極の間に設けられ、前記接地側バスバーに
所定の間隔で接続された複数の電極とを備え、 前記＋側バスバーおよび前記接地側バスバーのうち少な
くとも何れか１つは、斜めの反射格子であることを特徴
とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】前記＋側バスバーは、前記接地側バスバー
と対向した位置に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】前記＋側バスバーは、２つの前記接地側バ
スバーによって挟まれた位置に形成されたことを特徴と
する請求項１記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項４】前記複数の電極は、伝搬される弾性表面波
の波長の１／４の大きさの幅を有し、隣り合う電極間の
間隔が前記弾性表面波の波長の１／４の大きさであるこ
とを特徴とする請求項１乃至３記載の弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項５】前記斜めの反射格子は、傾斜角が約４５度
であることを特徴とする請求項１乃至４記載の弾性表面
波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5970598A JPH11261370A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5970598A JPH11261370A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261370A true JPH11261370A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13120909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5970598A Pending JPH11261370A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11261370A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005295049A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタおよびその弾性表面波フィルタ用いた通信用フィルタ |
| JP2006157307A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2008113273A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JP2008118576A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス |
| JP2016178387A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| CN112114034A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-22 | 南京航空航天大学 | 具有射频识别无线传感一体化功能的声表面波器件及其工作方法 |
| CN113169719A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | Rf360欧洲有限责任公司 | 横向间隙模式激发受到抑制且横向模式减少的电声谐振器 |
| WO2021241364A1 (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JPWO2023286704A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | ||
| WO2024085062A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波素子 |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP5970598A patent/JPH11261370A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005295049A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタおよびその弾性表面波フィルタ用いた通信用フィルタ |
| JP2006157307A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2008113273A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JP2008118576A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス |
| JP2016178387A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| CN113169719A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | Rf360欧洲有限责任公司 | 横向间隙模式激发受到抑制且横向模式减少的电声谐振器 |
| US12218649B2 (en) | 2018-12-12 | 2025-02-04 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Electro acoustic resonator with suppressed transversal gap mode excitation and reduced transversal modes |
| WO2021241364A1 (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JPWO2021241364A1 (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | ||
| CN112114034A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-22 | 南京航空航天大学 | 具有射频识别无线传感一体化功能的声表面波器件及其工作方法 |
| CN112114034B (zh) * | 2020-08-24 | 2021-08-06 | 南京航空航天大学 | 具有射频识别无线传感一体化功能的声表面波器件及方法 |
| JPWO2023286704A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | ||
| WO2023286704A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、フィルタ、分波器及び通信装置 |
| WO2024085062A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波素子 |
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