JPH11263603A - プレート型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法 - Google Patents
プレート型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法Info
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- JPH11263603A JPH11263603A JP9099798A JP9099798A JPH11263603A JP H11263603 A JPH11263603 A JP H11263603A JP 9099798 A JP9099798 A JP 9099798A JP 9099798 A JP9099798 A JP 9099798A JP H11263603 A JPH11263603 A JP H11263603A
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プレート型オゾン発生装置に使用される放電
セルにおいて、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ量を高精
度に実現する。 【解決手段】 一対の平板ユニット１０，１０の間に放
電空隙３０を形成するために、リブ５０を介して平板ユ
ニット１０，１０を接合する。各平板ユニット１０は、
誘電体１１の裏面側に平面電極１２を設けた構造であ
る。リブ５０は、一方の平板ユニット１０の表面にガラ
ス材を印刷し焼成することにより形成され、そのガラス
材又は封着用の別のガラス材により他方の平板ユニット
１０の表面に融着される。
セルにおいて、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ量を高精
度に実現する。 【解決手段】 一対の平板ユニット１０，１０の間に放
電空隙３０を形成するために、リブ５０を介して平板ユ
ニット１０，１０を接合する。各平板ユニット１０は、
誘電体１１の裏面側に平面電極１２を設けた構造であ
る。リブ５０は、一方の平板ユニット１０の表面にガラ
ス材を印刷し焼成することにより形成され、そのガラス
材又は封着用の別のガラス材により他方の平板ユニット
１０の表面に融着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プレート型オゾン
発生装置に使用される放電セル及びその製造方法に関す
る。
発生装置に使用される放電セル及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】オゾン発生装置は、種々の化学処理に使
用される一方で、半導体の製造に使用され始めた。例え
ば、酸化膜の形成、レジストのアッシング、シリコンウ
エーハの洗浄等に、オゾン発生装置は現在使用されてい
る。このような半導体用途の場合、高純度のオゾンガス
を発生させるために、原料ガスとしては高純度の酸素ガ
スが使用される。
用される一方で、半導体の製造に使用され始めた。例え
ば、酸化膜の形成、レジストのアッシング、シリコンウ
エーハの洗浄等に、オゾン発生装置は現在使用されてい
る。このような半導体用途の場合、高純度のオゾンガス
を発生させるために、原料ガスとしては高純度の酸素ガ
スが使用される。
【０００３】図６は従来の代表的なオゾン発生装置の一
つであるプレート型オゾン発生装置に使用される放電セ
ルの概略構成図である。
つであるプレート型オゾン発生装置に使用される放電セ
ルの概略構成図である。
【０００４】この放電セルは、所定の隙間をあけて積層
された一対の平板ユニット１０，１０を備えている。各
平板ユニット１０は、平板状の誘電体１１の裏面に、平
面電極１２として導電性材料からなる薄膜を被覆した構
造になっており、平板ユニット１０，１０の誘電体１
１，１１間に放電空隙３０を形成するべく、額縁状のス
ペーサ２０を介して平板ユニット１０，１０は積層固定
されている。
された一対の平板ユニット１０，１０を備えている。各
平板ユニット１０は、平板状の誘電体１１の裏面に、平
面電極１２として導電性材料からなる薄膜を被覆した構
造になっており、平板ユニット１０，１０の誘電体１
１，１１間に放電空隙３０を形成するべく、額縁状のス
ペーサ２０を介して平板ユニット１０，１０は積層固定
されている。
【０００５】ここで、スペーサ２０は放電空隙３０の周
辺シールを兼ね、その材料としては金属板、セラミック
板、ガラス板、樹脂シートなどが使用される。
辺シールを兼ね、その材料としては金属板、セラミック
板、ガラス板、樹脂シートなどが使用される。
【０００６】オゾンを発生させるときは、平板ユニット
１０，１０の平面電極１２，１２に高圧電源装置４０を
接続し、平面電極１２，１２間に高電圧を印加して、平
板ユニット１０，１０間の放電空隙３０で無声放電を発
生させる。また、放電空隙３０に原料ガスとして酸素ガ
ス等を流通させる。これにより、原料ガス中の酸素ガス
が放電空隙３０でオゾン化され、放電空隙３０から排出
される。
１０，１０の平面電極１２，１２に高圧電源装置４０を
接続し、平面電極１２，１２間に高電圧を印加して、平
板ユニット１０，１０間の放電空隙３０で無声放電を発
生させる。また、放電空隙３０に原料ガスとして酸素ガ
ス等を流通させる。これにより、原料ガス中の酸素ガス
が放電空隙３０でオゾン化され、放電空隙３０から排出
される。
【０００７】図６に示された放電セルの場合、平板ユニ
ット１０，１０のそれぞれが誘電体１２を備えている
が、この誘電体１２は平板ユニット１０，１０の一方に
のみ設けられる場合もある。また、放電空隙３０での放
電に伴う熱を逃がすために、平板ユニット１０，１０は
背面側から強制的に冷却されるのが一般的である。
ット１０，１０のそれぞれが誘電体１２を備えている
が、この誘電体１２は平板ユニット１０，１０の一方に
のみ設けられる場合もある。また、放電空隙３０での放
電に伴う熱を逃がすために、平板ユニット１０，１０は
背面側から強制的に冷却されるのが一般的である。
【０００８】このようなプレート型オゾン発生装置に使
用される放電セルにおいては、平板ユニット１０，１０
間に形成される放電空隙３０のギャップ量Ｇを小さくす
ることが、最近の傾向となっている。これは、放電空隙
３０のギャップ量Ｇを小さくすることにより、放電空隙
３０内の冷却効率が上がり、これによりオゾンガスの高
濃度化が可能になること、電子エネルギーレベルの関係
でオゾン発生に適した放電効果が得られることなどが理
由とされている。
用される放電セルにおいては、平板ユニット１０，１０
間に形成される放電空隙３０のギャップ量Ｇを小さくす
ることが、最近の傾向となっている。これは、放電空隙
３０のギャップ量Ｇを小さくすることにより、放電空隙
３０内の冷却効率が上がり、これによりオゾンガスの高
濃度化が可能になること、電子エネルギーレベルの関係
でオゾン発生に適した放電効果が得られることなどが理
由とされている。
【０００９】そして、このギャップ量Ｇの縮小に関して
は、０．４ｍｍ以下にすることの有効性が特開平８−０
１２３０４号公報に記載されている。また、ＰＣＴ／Ｕ
Ｓ／１０７６４の公開明細書には、０．００５インチ以
下（０．１３ｍｍ以下）にすることの有効性が記載され
ている。実際、本発明者らによる試験・解析でも、０．
１ｍｍ以下のギャップ量Ｇは、高濃度オゾンの発生に明
らかに有効である。
は、０．４ｍｍ以下にすることの有効性が特開平８−０
１２３０４号公報に記載されている。また、ＰＣＴ／Ｕ
Ｓ／１０７６４の公開明細書には、０．００５インチ以
下（０．１３ｍｍ以下）にすることの有効性が記載され
ている。実際、本発明者らによる試験・解析でも、０．
１ｍｍ以下のギャップ量Ｇは、高濃度オゾンの発生に明
らかに有効である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、０．１
ｍｍ以下というような極小の放電ギャップ量Ｇを、量産
レベルで実現することは、非常に困難な技術である。
ｍｍ以下というような極小の放電ギャップ量Ｇを、量産
レベルで実現することは、非常に困難な技術である。
【００１１】即ち、極小の放電ギャップ量Ｇを実現する
ためには、そのギャップ量Ｇと同じ厚さのスペーサ２０
が必要となるが、そのスペーサ２０がセラミック板やガ
ラス板である場合は、０．１ｍｍ以下の薄板を製作する
ことが困難であり、仮に製作できたとしても、剛性がな
く、破損しやすいため、スペーサ２０としての使用は困
難である。
ためには、そのギャップ量Ｇと同じ厚さのスペーサ２０
が必要となるが、そのスペーサ２０がセラミック板やガ
ラス板である場合は、０．１ｍｍ以下の薄板を製作する
ことが困難であり、仮に製作できたとしても、剛性がな
く、破損しやすいため、スペーサ２０としての使用は困
難である。
【００１２】スペーサ２０が樹脂シートである場合は、
耐久性の欠除が問題になる。金属板の場合は、金属表面
がスパッタリングを受けることにより、オゾンガス中へ
コンタミネーションを放出する問題がある。
耐久性の欠除が問題になる。金属板の場合は、金属表面
がスパッタリングを受けることにより、オゾンガス中へ
コンタミネーションを放出する問題がある。
【００１３】また、スペーサ２０の材質に関係なく、従
来の放電セルにおいては、スペーサ２０は平板ユニット
１０，１０に対する拘束力を持たないのが通例である。
このため、図６に破線で示すような反りが平板ユニット
１０，１０に生じるおそれがある。このため、スペーサ
２０の厚みが確定されていても、実際のギャップ量Ｇは
不明確になり、ギャップ量Ｇが小さい場合は、平板ユニ
ット１０，１０の反りによるギャップ量Ｇの不均一が顕
著となる。
来の放電セルにおいては、スペーサ２０は平板ユニット
１０，１０に対する拘束力を持たないのが通例である。
このため、図６に破線で示すような反りが平板ユニット
１０，１０に生じるおそれがある。このため、スペーサ
２０の厚みが確定されていても、実際のギャップ量Ｇは
不明確になり、ギャップ量Ｇが小さい場合は、平板ユニ
ット１０，１０の反りによるギャップ量Ｇの不均一が顕
著となる。
【００１４】そして、このギャップ量Ｇの不均一は、オ
ゾン発生効率の低下を招くので、この点からも、０．１
ｍｍ以下というような極小の放電ギャップ量Ｇの実現は
困難である。
ゾン発生効率の低下を招くので、この点からも、０．１
ｍｍ以下というような極小の放電ギャップ量Ｇの実現は
困難である。
【００１５】なお、ギャップ量Ｇの不均一によるオゾン
発生効率の低下は、放電空隙３０の周囲だけでなく、そ
の内部の広い範囲にスペーサ２０を配置することによ
り、防止が可能であるが、そのような複雑な平面形状の
スペーサ２０は、製作が一層困難である。
発生効率の低下は、放電空隙３０の周囲だけでなく、そ
の内部の広い範囲にスペーサ２０を配置することによ
り、防止が可能であるが、そのような複雑な平面形状の
スペーサ２０は、製作が一層困難である。
【００１６】加えて、従来のスペーサ２０は、その厚さ
に関係なく、平板ユニット１０，１０との間のシール性
を有しない。このため、別途シール材が必要になるが、
有機系の接着剤の場合は一般的には耐久性がない。
に関係なく、平板ユニット１０，１０との間のシール性
を有しない。このため、別途シール材が必要になるが、
有機系の接着剤の場合は一般的には耐久性がない。
【００１７】以上のように、スペーサ２０の製作上の制
限や、ギャップ量Ｇの管理の困難性等の点から、放電空
隙３０のギャップ量Ｇは、従来は０．１ｍｍが限界であ
った。また、そのギャップ量Ｇに関係なく、平板ユニッ
ト１０，１０とスペーサ２０の間を簡単かつ確実にシー
ルすることは困難であった。
限や、ギャップ量Ｇの管理の困難性等の点から、放電空
隙３０のギャップ量Ｇは、従来は０．１ｍｍが限界であ
った。また、そのギャップ量Ｇに関係なく、平板ユニッ
ト１０，１０とスペーサ２０の間を簡単かつ確実にシー
ルすることは困難であった。
【００１８】本発明の目的は、０．１ｍｍ以下の放電ギ
ャップ量Ｇを簡単に実現でき、しかも、そのような極小
ギャップ量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理
できるプレート型オゾン発生装置用放電セル、及びその
製造方法を提供することにある。
ャップ量Ｇを簡単に実現でき、しかも、そのような極小
ギャップ量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理
できるプレート型オゾン発生装置用放電セル、及びその
製造方法を提供することにある。
【００１９】本発明の他の目的は、平板ユニットとスペ
ーサの間を簡単に、しかも確実にシールできるプレート
型オゾン発生装置用放電セル、及びその製造方法を提供
することにある。
ーサの間を簡単に、しかも確実にシールできるプレート
型オゾン発生装置用放電セル、及びその製造方法を提供
することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプレート型オゾン発生装置用放電セルは、
それぞれが平面電極を有し、少なくとも一方がその電極
表面上に平面状の誘電体を有する一対の平板ユニットを
備えており、且つ、一対の平板ユニット間に放電空隙を
形成するべく、一対の平板ユニットが、その表面上にガ
ラス材又はセラミック材を成膜して形成された被覆型の
リブを介して貼り合わされた構成を採用する。
に、本発明のプレート型オゾン発生装置用放電セルは、
それぞれが平面電極を有し、少なくとも一方がその電極
表面上に平面状の誘電体を有する一対の平板ユニットを
備えており、且つ、一対の平板ユニット間に放電空隙を
形成するべく、一対の平板ユニットが、その表面上にガ
ラス材又はセラミック材を成膜して形成された被覆型の
リブを介して貼り合わされた構成を採用する。
【００２１】また、本発明の放電セル製造方法は、それ
ぞれが平面電極を有し、少なくとも一方がその電極表面
上に平面状の誘電体を有する一対の平板ユニットの一方
の表面上に、ガラス材を所定パターンに印刷し焼成して
リブを形成する工程、又はセラミック材を所定パターン
に溶射してリブを形成する工程と、一方の平板ユニット
と他方の平板ユニットを重ねてガラス材により封着する
工程とを包含する。
ぞれが平面電極を有し、少なくとも一方がその電極表面
上に平面状の誘電体を有する一対の平板ユニットの一方
の表面上に、ガラス材を所定パターンに印刷し焼成して
リブを形成する工程、又はセラミック材を所定パターン
に溶射してリブを形成する工程と、一方の平板ユニット
と他方の平板ユニットを重ねてガラス材により封着する
工程とを包含する。
【００２２】被覆型リブを形成するためのガラス材又は
セラミック材の成膜は、半導体デバイス等の製造に使用
されている。本発明の放電セル及びその製造方法では、
半導体デバイス等を製造するためのミクロンレベルで、
しかも完成度の高い超精密技術が、リブの形成及び平板
ユニットの貼り合わせに使用される。このため、０．１
ｍｍ以下という極薄のリブも比較的簡単に且つ確実に形
成される。また、複雑な平面形状のリブも比較的簡単に
形成される。
セラミック材の成膜は、半導体デバイス等の製造に使用
されている。本発明の放電セル及びその製造方法では、
半導体デバイス等を製造するためのミクロンレベルで、
しかも完成度の高い超精密技術が、リブの形成及び平板
ユニットの貼り合わせに使用される。このため、０．１
ｍｍ以下という極薄のリブも比較的簡単に且つ確実に形
成される。また、複雑な平面形状のリブも比較的簡単に
形成される。
【００２３】従って、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ量
Ｇを簡単に実現でき、しかも、そのような極小ギャップ
量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理できる。
更に、一対の平板ユニットを確実に封着できる。
Ｇを簡単に実現でき、しかも、そのような極小ギャップ
量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理できる。
更に、一対の平板ユニットを確実に封着できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２５】図１（ａ）（ｂ）は本発明の実施形態に係
るプレート型オゾン発生装置用放電セルの構造説明図
で、（ａ）は同放電セルの縦断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線矢示図である。また、図２（ａ）〜（ｃ）は本
発明の実施形態に係る放電セル製造方法の工程説明図
で、図１の放電セルを製造する場合を示す。
るプレート型オゾン発生装置用放電セルの構造説明図
で、（ａ）は同放電セルの縦断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線矢示図である。また、図２（ａ）〜（ｃ）は本
発明の実施形態に係る放電セル製造方法の工程説明図
で、図１の放電セルを製造する場合を示す。
【００２５】本発明の実施形態に係る放電セルは、図１
（ａ）に示すように、微小な隙間をあけて対向配置され
た一対の平板ユニット１０，１０と、平板ユニット１
０，１０の間に所定のギャップ量Ｇを確保するためにこ
の間に介在したリブ５０とを備えている。
（ａ）に示すように、微小な隙間をあけて対向配置され
た一対の平板ユニット１０，１０と、平板ユニット１
０，１０の間に所定のギャップ量Ｇを確保するためにこ
の間に介在したリブ５０とを備えている。
【００２６】各平板ユニット１０は、平板状の誘電体１
１の裏面に、平面電極１２として導電性材料からなる薄
膜を被覆した構造になっている。誘電体１１としては、
アルミナ、窒化アルミ、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス
等が適している。
１の裏面に、平面電極１２として導電性材料からなる薄
膜を被覆した構造になっている。誘電体１１としては、
アルミナ、窒化アルミ、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス
等が適している。
【００２７】リブ５０は、図１（ｂ）に示すように、額
縁状の周辺シール部５０ａと、その内側に設けられた複
数の隔壁部５０ｂ，５０ｂ・・とからなる。周辺シール
部５０ａは、ギャップ量Ｇの管理に加え、平板ユニット
１０，１０間の周縁部をシールする。複数の隔壁部５０
ｂ，５０ｂ・・は、周辺シール部５０ａの内側に千鳥状
に変位して平行に設けらており、各隔壁部５０ｂの変位
側の端部は周辺シール部５０ａに連続している。この構
成により、複数の隔壁部５０ｂ，５０ｂ・・は、ギャッ
プ量Ｇの管理に加え、放電空隙３０に蛇行状のガス流路
を形成する。
縁状の周辺シール部５０ａと、その内側に設けられた複
数の隔壁部５０ｂ，５０ｂ・・とからなる。周辺シール
部５０ａは、ギャップ量Ｇの管理に加え、平板ユニット
１０，１０間の周縁部をシールする。複数の隔壁部５０
ｂ，５０ｂ・・は、周辺シール部５０ａの内側に千鳥状
に変位して平行に設けらており、各隔壁部５０ｂの変位
側の端部は周辺シール部５０ａに連続している。この構
成により、複数の隔壁部５０ｂ，５０ｂ・・は、ギャッ
プ量Ｇの管理に加え、放電空隙３０に蛇行状のガス流路
を形成する。
【００２８】なお、図１（ｂ）中の１３はガス流入口、
１４はガス流出口である。
１４はガス流出口である。
【００２９】リブ５０の周辺シール部５０ａ及び隔壁部
５０ｂ，５０ｂ・・は、一体的に形成されており、具体
的には、一方の平板ユニット１０の誘電体１１の表面上
に形成された第１ガラス層５１の上に、第２ガラス層５
２を積層した２層構造になっている。第２ガラス層５２
は、第１ガラス層５１と他方の平板ユニット１０の誘電
体１１を接着する接着層である。
５０ｂ，５０ｂ・・は、一体的に形成されており、具体
的には、一方の平板ユニット１０の誘電体１１の表面上
に形成された第１ガラス層５１の上に、第２ガラス層５
２を積層した２層構造になっている。第２ガラス層５２
は、第１ガラス層５１と他方の平板ユニット１０の誘電
体１１を接着する接着層である。
【００３０】次に、本発明の実施形態に係る放電セルの
製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。
製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。
【００３１】予め作製された一方の平板ユニット１０の
誘電体１１の表面上に、ガラス材にアルミナ等の金属酸
化物を混合して製造された印刷ペーストを、スクリーン
印刷法により塗布する。印刷パターンはリブ５０の平面
形状に対応している。
誘電体１１の表面上に、ガラス材にアルミナ等の金属酸
化物を混合して製造された印刷ペーストを、スクリーン
印刷法により塗布する。印刷パターンはリブ５０の平面
形状に対応している。
【００３２】この印刷を繰り返して、誘電体１１表面上
のリブ５０形成位置に、印刷ペーストを所定高さまで盛
り上げる。その後、平板ユニット１０を加熱して、印刷
ペーストを焼成する。その結果、図２（ａ）に示すよう
に、平板ユニット１０の誘電体１１表面上に第１ガラス
層５１が形成される。
のリブ５０形成位置に、印刷ペーストを所定高さまで盛
り上げる。その後、平板ユニット１０を加熱して、印刷
ペーストを焼成する。その結果、図２（ａ）に示すよう
に、平板ユニット１０の誘電体１１表面上に第１ガラス
層５１が形成される。
【００３３】第１ガラス層５１を形成する方法について
は、上記の印刷法に限らず、例えばペーストを塗布後、
その上にフィルムレジストを貼り付け、露光、エッチン
グで必要な部分を残す感光性ペースト法を用いてもよ
く、その種類は問わない。
は、上記の印刷法に限らず、例えばペーストを塗布後、
その上にフィルムレジストを貼り付け、露光、エッチン
グで必要な部分を残す感光性ペースト法を用いてもよ
く、その種類は問わない。
【００３４】第１ガラス層５１が形成されると、図２
（ｂ）に示すように、その表面上にガラス材５２′をス
クリーン印刷法により塗布する。これが終わると、図２
（ｃ）に示すように、塗布を終えた平板ユニット１０
と、予め作製された他方の平板ユニット１０を、位置決
めして重ね合わせる。
（ｂ）に示すように、その表面上にガラス材５２′をス
クリーン印刷法により塗布する。これが終わると、図２
（ｃ）に示すように、塗布を終えた平板ユニット１０
と、予め作製された他方の平板ユニット１０を、位置決
めして重ね合わせる。
【００３５】最後に、重ね合わされた平板ユニット１
０，１０を加熱して、ガラス材５２′を焼成する。これ
により、第１ガラス層５１が第２ガラス層５２を介して
他方の平板ユニット１０の誘電体１１に固着され、平板
ユニット１０，１０が封着される。
０，１０を加熱して、ガラス材５２′を焼成する。これ
により、第１ガラス層５１が第２ガラス層５２を介して
他方の平板ユニット１０の誘電体１１に固着され、平板
ユニット１０，１０が封着される。
【００３６】かくして、図１に示された放電セルが製造
される。なお、第２ガラス層５２を省略し、第１ガラス
層５１に接着層を兼用させることも可能である。
される。なお、第２ガラス層５２を省略し、第１ガラス
層５１に接着層を兼用させることも可能である。
【００３７】リブ５０は、ここではガラス材の成膜によ
り形成されているが、セラミック材の成膜により形成す
ることができる。この場合は、第１ガラス層５１に対応
する層を、マスキングを用いたセラミック材の溶射によ
り形成し、その上に第２ガラス層５２と同様の封着用ガ
ラス層を形成する。
り形成されているが、セラミック材の成膜により形成す
ることができる。この場合は、第１ガラス層５１に対応
する層を、マスキングを用いたセラミック材の溶射によ
り形成し、その上に第２ガラス層５２と同様の封着用ガ
ラス層を形成する。
【００３８】このようにして製造される放電セルの特徴
を以下に列記する。
を以下に列記する。
【００３８】リブ５０の形成に使用されるガラス材の印
刷・焼成技術や、セラミック材の溶射成膜技術、平板ユ
ニット１０，１０の貼り合わせに使用される封着技術
は、半導体デバイス等を製造するための精密技術分野に
属し、且つ完成度の高いものである。このため、０．１
ｍｍ以下という極薄のリブ５０も比較的簡単に且つ確実
に形成され、その結果、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ
量Ｇが実現される。
刷・焼成技術や、セラミック材の溶射成膜技術、平板ユ
ニット１０，１０の貼り合わせに使用される封着技術
は、半導体デバイス等を製造するための精密技術分野に
属し、且つ完成度の高いものである。このため、０．１
ｍｍ以下という極薄のリブ５０も比較的簡単に且つ確実
に形成され、その結果、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ
量Ｇが実現される。
【００３９】複雑な平面形状のリブ５０も比較的簡単に
形成できる。加えて、リブ５０は両側の平板ユニット１
０，１０に強固に固着され、平板ユニット１０，１０に
対して大きな拘束力をもつ。このため、平板ユニット１
０，１０の反りが効果的に防止される。従って、０．１
ｍｍ以下という極小の放電ギャップ量Ｇの場合も、その
ギャップ量Ｇの不均一が解消され、その不均一によるオ
ゾン発生効率の低下が防止される。
形成できる。加えて、リブ５０は両側の平板ユニット１
０，１０に強固に固着され、平板ユニット１０，１０に
対して大きな拘束力をもつ。このため、平板ユニット１
０，１０の反りが効果的に防止される。従って、０．１
ｍｍ以下という極小の放電ギャップ量Ｇの場合も、その
ギャップ量Ｇの不均一が解消され、その不均一によるオ
ゾン発生効率の低下が防止される。
【００４０】リブ５０の耐久性に優れる上、リブ５０を
介して平板ユニット１０，１０が封着されるので、平板
ユニット１０，１０とリブ５０との間、更には平板ユニ
ット１０，１０間が確実にシールされる。
介して平板ユニット１０，１０が封着されるので、平板
ユニット１０，１０とリブ５０との間、更には平板ユニ
ット１０，１０間が確実にシールされる。
【００４１】リブ５０の横幅を小さくでき、３ｍｍ以下
というな極小幅も可能である。このような幅の狭いリブ
５０は、ガスの冷却及び整流の点から好都合である。
というな極小幅も可能である。このような幅の狭いリブ
５０は、ガスの冷却及び整流の点から好都合である。
【００４２】図３〜図５は本発明の実施形態に係る別の
プレート型オゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面
形状を示す図１（ｂ）相当図である。
プレート型オゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面
形状を示す図１（ｂ）相当図である。
【００４３】図３の放電セルでは、リブ５０の周辺シー
ル部５０ａの内側にＵ字状のガス流路を形成するべく、
周辺シール部５０ａの内側に１本の隔壁部５０ｂが設け
られている。
ル部５０ａの内側にＵ字状のガス流路を形成するべく、
周辺シール部５０ａの内側に１本の隔壁部５０ｂが設け
られている。
【００４４】図４の放電セルでは、リブ５０の周辺シー
ル部５０ａの内側に複数の平行なガス流路を形成するべ
く、周辺シール部５０ａの内側に複数本の平行な隔壁部
５０ｂ，５０ｂ・・が設けられている。
ル部５０ａの内側に複数の平行なガス流路を形成するべ
く、周辺シール部５０ａの内側に複数本の平行な隔壁部
５０ｂ，５０ｂ・・が設けられている。
【００４５】また、図５の放電セルはオープンタイプで
ある。ここでは、円板形状の平板ユニット１０，１０
が、この間に放射状に設けられたリブ５０（隔壁部５０
ｂ，５０ｂ・・）により、所定のギャップ量Ｇをもって
封着されている。これにより、平板ユニット１０，１０
間に形成される放電空隙３０は、周辺部が開放した構成
となり、その周辺部から流入する原料ガスを、中心部に
設けられたガス流出口１４に導く。
ある。ここでは、円板形状の平板ユニット１０，１０
が、この間に放射状に設けられたリブ５０（隔壁部５０
ｂ，５０ｂ・・）により、所定のギャップ量Ｇをもって
封着されている。これにより、平板ユニット１０，１０
間に形成される放電空隙３０は、周辺部が開放した構成
となり、その周辺部から流入する原料ガスを、中心部に
設けられたガス流出口１４に導く。
【００４６】このタイプの放電セルでは、放電空隙３０
の周囲を封止する必要がなく、ギャップ量Ｇの管理も容
易である。
の周囲を封止する必要がなく、ギャップ量Ｇの管理も容
易である。
【００４７】いずれの放電セルにおいても、リブ５０が
ガラス材を焼成して形成されているので、０．１ｍｍ以
下の放電ギャップ量Ｇを簡単に実現でき、しかも、その
ような極小ギャップ量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高
精度に管理できる。更に、平板ユニット１０，１０間を
簡単に、しかも確実にシールできる。更に又、複雑なリ
ブ形状も簡単に実現できるので、そのリブ形状の工夫に
よる性能アップなどが簡単である。
ガラス材を焼成して形成されているので、０．１ｍｍ以
下の放電ギャップ量Ｇを簡単に実現でき、しかも、その
ような極小ギャップ量Ｇにあっても、ギャップ量Ｇを高
精度に管理できる。更に、平板ユニット１０，１０間を
簡単に、しかも確実にシールできる。更に又、複雑なリ
ブ形状も簡単に実現できるので、そのリブ形状の工夫に
よる性能アップなどが簡単である。
【００４８】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明のプレート
型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法は、スペ
ーサに対応するリブの形成及び平板ユニットの貼り合わ
せに、半導体デバイス等を製造するための精密技術分野
に属する完成度の高い技術を使用することにより、０．
１ｍｍ以下という極薄のリブも比較的簡単に且つ確実に
形成できるので、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ量Ｇを
簡単に実現できる。
型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法は、スペ
ーサに対応するリブの形成及び平板ユニットの貼り合わ
せに、半導体デバイス等を製造するための精密技術分野
に属する完成度の高い技術を使用することにより、０．
１ｍｍ以下という極薄のリブも比較的簡単に且つ確実に
形成できるので、０．１ｍｍ以下の放電ギャップ量Ｇを
簡単に実現できる。
【００４９】また、複雑な平面形状のリブも比較的簡単
に形成でき、且つこのリブは両側の平板ユニットに強固
に固着され、平板ユニットに対して大きな拘束力をもつ
ので、０．１ｍｍ以下というような極小ギャップ量Ｇに
あっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理できる。
に形成でき、且つこのリブは両側の平板ユニットに強固
に固着され、平板ユニットに対して大きな拘束力をもつ
ので、０．１ｍｍ以下というような極小ギャップ量Ｇに
あっても、ギャップ量Ｇを高精度に管理できる。
【００５０】更には、リブ自体の耐久性に優れる上、こ
のリブを介して平板ユニットが強固に封着されるので、
平板ユニットとリブとの間、更には平板ユニット間を確
実にシールできる。
のリブを介して平板ユニットが強固に封着されるので、
平板ユニットとリブとの間、更には平板ユニット間を確
実にシールできる。
【図１】本発明の実施形態に係るプレート型オゾン発生
装置用放電セルの構造説明図で、（ａ）は同放電セルの
縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢示図である。
装置用放電セルの構造説明図で、（ａ）は同放電セルの
縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢示図である。
【図２】本発明の実施形態に係る放電セル製造方法の工
程説明図で、図１の放電セルを製造する場合を示す。
程説明図で、図１の放電セルを製造する場合を示す。
【図３】本発明の実施形態に係る別のプレート型オゾン
発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図１
（ｂ）相当図である。
発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図１
（ｂ）相当図である。
【図４】本発明の実施形態に係る更に別のプレート型オ
ゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図
１（ｂ）相当図である。
ゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図
１（ｂ）相当図である。
【図５】本発明の実施形態に係る更に別のプレート型オ
ゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図
１（ｂ）相当図である。
ゾン発生装置用放電セルの放電空隙の平面形状を示す図
１（ｂ）相当図である。
【図６】従来の放電セルの概略的な縦断面図である。
１０ 平板ユニット １１ 誘電体 １２ 平面電極 １３ ガス流入口 １４ ガス流出口 ２０ スペーサ ３０ 放電空隙 ４０ 高圧電源装置 ５０ リブ ５０ａ 周辺シール部 ５０ｂ 隔壁部 ５１ 第１ガラス層 ５２ 第２ガラス層
Claims (4)
- 【請求項１】 それぞれが平面電極を有し、少なくとも
一方がその電極表面上に平面状の誘電体を有する一対の
平板ユニットを備えており、一対の平板ユニット間に放
電空隙を形成するべく、一対の平板ユニットが、その表
面上にガラス材又はセラミック材を成膜して形成された
被覆型のリブを介して貼り合わされていることを特徴と
するプレート型オゾン発生装置用放電セル。 - 【請求項２】 前記一対の平板ユニットは、ガラス材に
より封着されていることを特徴とする請求項１に記載の
プレート型オゾン発生装置用放電セル。 - 【請求項３】 それぞれが平面電極を有し、少なくとも
一方がその電極表面上に平面状の誘電体を有する一対の
平板ユニットの一方の表面上に、ガラス材を所定パター
ンに印刷し焼成してリブを形成する工程と、一方の平板
ユニットと他方の平板ユニットを重ねてガラス材により
封着する工程とを包含することを特徴とするプレート型
オゾン発生装置用放電セルの製造方法。 - 【請求項４】 それぞれが平面電極を有し、少なくとも
一方がその電極表面上に平面状の誘電体を有する一対の
平板ユニットの一方の表面上に、セラミック材を所定パ
ターンに溶射してリブを形成する工程と、一方の平板ユ
ニットと他方の平板ユニットを重ねてガラス材により封
着する工程とを包含することを特徴とするプレート型オ
ゾン発生装置用放電セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099798A JPH11263603A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | プレート型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099798A JPH11263603A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | プレート型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11263603A true JPH11263603A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=14014151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9099798A Pending JPH11263603A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | プレート型オゾン発生装置用放電セル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11263603A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002220209A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-09 | Max Co Ltd | オゾン発生装置 |
| CN100358798C (zh) * | 2004-09-28 | 2008-01-02 | 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 | 自冷式板式高浓度臭氧放电装置 |
| JP7789248B1 (ja) * | 2025-03-27 | 2025-12-19 | 住友精密工業株式会社 | オゾンガス発生用放電セル及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP9099798A patent/JPH11263603A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002220209A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-09 | Max Co Ltd | オゾン発生装置 |
| CN100358798C (zh) * | 2004-09-28 | 2008-01-02 | 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 | 自冷式板式高浓度臭氧放电装置 |
| JP7789248B1 (ja) * | 2025-03-27 | 2025-12-19 | 住友精密工業株式会社 | オゾンガス発生用放電セル及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060725 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060815 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061212 |