JPH1126368A - メンブレンマスク - Google Patents
メンブレンマスクInfo
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- JPH1126368A JPH1126368A JP19640497A JP19640497A JPH1126368A JP H1126368 A JPH1126368 A JP H1126368A JP 19640497 A JP19640497 A JP 19640497A JP 19640497 A JP19640497 A JP 19640497A JP H1126368 A JPH1126368 A JP H1126368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- membrane
- substrate
- pattern
- support frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンブレンへの歪みが少なく且つ扱いやすい
メンブレンマスクを提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板２の裏面をエッチングすること
により該Ｓｉ基板２の周辺部に形成されたサポートフレ
ーム部４と、該Ｓｉ基板２の表面に形成されたマスクメ
ンブレン１と、を具備することを特徴とする。したがっ
て、メンブレンへの歪みが少なく且つ扱いやすくするこ
とができる。
メンブレンマスクを提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板２の裏面をエッチングすること
により該Ｓｉ基板２の周辺部に形成されたサポートフレ
ーム部４と、該Ｓｉ基板２の表面に形成されたマスクメ
ンブレン１と、を具備することを特徴とする。したがっ
て、メンブレンへの歪みが少なく且つ扱いやすくするこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いるメンブレンマスクに関する。特には、メンブレ
ンへの歪みが少なく且つ扱いやすいメンブレンマスクに
関する。
に用いるメンブレンマスクに関する。特には、メンブレ
ンへの歪みが少なく且つ扱いやすいメンブレンマスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のメンブレンマスクを使用した転写
露光装置には、Ｘ線等倍、電子線キャラクタプロジェク
ション、転写タイプのイオンビーム等がある。
露光装置には、Ｘ線等倍、電子線キャラクタプロジェク
ション、転写タイプのイオンビーム等がある。
【０００３】以下、従来のメンブレンマスクの製造方法
について説明する。先ず、マスク作製基板の表面には薄
膜化されるＳｉＮメンブレン部又はＳｉメンブレン部が
形成され、このメンブレン部にはマスクパターンが形成
される。
について説明する。先ず、マスク作製基板の表面には薄
膜化されるＳｉＮメンブレン部又はＳｉメンブレン部が
形成され、このメンブレン部にはマスクパターンが形成
される。
【０００４】次に、マスク作製基板の裏面側にはマスク
窓（メンブレン部）が設けられ、このマスク窓において
ＳｉＮメンブレン又はＳｉメンブレンの裏面が露出す
る。このようにしてメンブレン部にはＳｉＮメンブレン
又はＳｉメンブレンが形成され、マスク作製基板とメン
ブレンから構成されるメンブレンマスクが作製される。
窓（メンブレン部）が設けられ、このマスク窓において
ＳｉＮメンブレン又はＳｉメンブレンの裏面が露出す
る。このようにしてメンブレン部にはＳｉＮメンブレン
又はＳｉメンブレンが形成され、マスク作製基板とメン
ブレンから構成されるメンブレンマスクが作製される。
【０００５】この後、マスク作製基板の裏面にはガラス
製のサポートフレーム（ガラスフレーム）が接着材で貼
り付けられる。このサポートフレームとしては、マスク
窓を露出させるために、例えばリング形状をしているも
のを用いる。
製のサポートフレーム（ガラスフレーム）が接着材で貼
り付けられる。このサポートフレームとしては、マスク
窓を露出させるために、例えばリング形状をしているも
のを用いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のメンブレン
マスクにおいて、マスク作製基板にサポートフレームを
貼り付けるのは、次の二つの理由による。
マスクにおいて、マスク作製基板にサポートフレームを
貼り付けるのは、次の二つの理由による。
【０００７】メンブレンマスクをＸ線マスクとして用い
る場合は、メンブレンマスクとそのマスクパターンを転
写する転写面との間の距離を数μm 程度に調整しなけれ
ばならない。このため、露光装置内でのメンブレンマス
クの保持はメンブレンマスクをステージ（ハンドリング
部）上に置くことによって行うことができず、マスク窓
の側からメンブレンマスクの保持を行うしか方法がな
い。従って、メンブレンマスクは厚さが非常に薄いもの
であるため、例えば、サポートフレームを貼り付けない
でメンブレンマスクを使用すると、装置内でのメンブレ
ンマスクの保持や扱いが困難となる。よって、マスクの
保持や扱いを容易にするにはメンブレンマスクにサポー
トフレームを貼り付ける必要がある。
る場合は、メンブレンマスクとそのマスクパターンを転
写する転写面との間の距離を数μm 程度に調整しなけれ
ばならない。このため、露光装置内でのメンブレンマス
クの保持はメンブレンマスクをステージ（ハンドリング
部）上に置くことによって行うことができず、マスク窓
の側からメンブレンマスクの保持を行うしか方法がな
い。従って、メンブレンマスクは厚さが非常に薄いもの
であるため、例えば、サポートフレームを貼り付けない
でメンブレンマスクを使用すると、装置内でのメンブレ
ンマスクの保持や扱いが困難となる。よって、マスクの
保持や扱いを容易にするにはメンブレンマスクにサポー
トフレームを貼り付ける必要がある。
【０００８】また、メンブレンマスクを電子線用ステン
シルマスクとして用いる場合は、マスクと転写面との間
の距離は数cm程度に調整することとなるが、ステンシル
マスクはメンブレンに穴をあけてマスクパターンを形成
するため、マスクメンブレン面を下にしステージ上に置
くと、ごみによりメンブレンが破れるなどの問題があ
る。このため、ステンシルマスクをメンブレン面を下に
してステージ上に置くことによって保持することはでき
ない。従って、このような状態に保持するためにはステ
ンシルマスクにサポートフレームを貼り付ける必要があ
るのは、Ｘ線マスクの場合と同様である。以上が第１の
理由である。
シルマスクとして用いる場合は、マスクと転写面との間
の距離は数cm程度に調整することとなるが、ステンシル
マスクはメンブレンに穴をあけてマスクパターンを形成
するため、マスクメンブレン面を下にしステージ上に置
くと、ごみによりメンブレンが破れるなどの問題があ
る。このため、ステンシルマスクをメンブレン面を下に
してステージ上に置くことによって保持することはでき
ない。従って、このような状態に保持するためにはステ
ンシルマスクにサポートフレームを貼り付ける必要があ
るのは、Ｘ線マスクの場合と同様である。以上が第１の
理由である。
【０００９】第２の理由としては、サポートフレームを
貼り付けないでメンブレンマスクを使用すると、露光装
置内でメンブレンマスクをホールドする際、薄いメンブ
レンマスクに形成されたパターンにパターン歪、パター
ン位置歪みが大きく生じてしまい、また、この歪み量が
露光時の装置内での保持方法によって変化してしまうこ
とがある。これを回避するため、メンブレンマスクにサ
ポートフレームを貼り付け、装置内でサポートフレーム
をホールドする。これにより、ホールドによるメンブレ
ンマスクへの歪みをサポートフレームによって緩和する
ことができる。
貼り付けないでメンブレンマスクを使用すると、露光装
置内でメンブレンマスクをホールドする際、薄いメンブ
レンマスクに形成されたパターンにパターン歪、パター
ン位置歪みが大きく生じてしまい、また、この歪み量が
露光時の装置内での保持方法によって変化してしまうこ
とがある。これを回避するため、メンブレンマスクにサ
ポートフレームを貼り付け、装置内でサポートフレーム
をホールドする。これにより、ホールドによるメンブレ
ンマスクへの歪みをサポートフレームによって緩和する
ことができる。
【００１０】従来のメンブレンマスクでは、上述したよ
うなメンブレンマスクの保持や扱いを容易にするため等
の理由により、メンブレンマスクにサポートフレーム
（ガラスフレーム）を貼り付ける必要がある。しかし、
メンブレンマスクにガラスフレームを接着材で貼り付け
ると、熱の伝導が悪くなり、マスクパターンに熱歪が生
じてしまう。
うなメンブレンマスクの保持や扱いを容易にするため等
の理由により、メンブレンマスクにサポートフレーム
（ガラスフレーム）を貼り付ける必要がある。しかし、
メンブレンマスクにガラスフレームを接着材で貼り付け
ると、熱の伝導が悪くなり、マスクパターンに熱歪が生
じてしまう。
【００１１】また、メンブレンマスクにサポートフレー
ムを貼り付けた時に、メンブレンマスクが薄いため、そ
のメンブレンに形成したパターンが大きく歪んだり、大
きなパターン位置歪みが生じたりすることがある。
ムを貼り付けた時に、メンブレンマスクが薄いため、そ
のメンブレンに形成したパターンが大きく歪んだり、大
きなパターン位置歪みが生じたりすることがある。
【００１２】また、メンブレンマスクの自重でたるまな
いようにするため、メンブレンマスクは平面外側方向に
引っ張った状態で作製されており、メンブレンマスクは
内部応力を有している。この内部応力がサポートフレー
ムを貼り付けた際に変化してしまうことがある。この内
部応力の変化により、パターン歪やパターン位置歪みが
生じることがある。
いようにするため、メンブレンマスクは平面外側方向に
引っ張った状態で作製されており、メンブレンマスクは
内部応力を有している。この内部応力がサポートフレー
ムを貼り付けた際に変化してしまうことがある。この内
部応力の変化により、パターン歪やパターン位置歪みが
生じることがある。
【００１３】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、メンブレンへの歪みが少
なく且つ扱いやすいメンブレンマスクを提供することに
ある。
れたものであり、その目的は、メンブレンへの歪みが少
なく且つ扱いやすいメンブレンマスクを提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様に係るメンブレンマスクは、Ｓｉ
基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の周
辺部に形成されたサポートフレーム部と、該Ｓｉ基板の
表面に形成されたマスクメンブレンと、を具備すること
を特徴とする。また、上記Ｓｉ基板の厚さが３mm以上で
あることが好ましい。また、上記Ｓｉ基板の厚さが５mm
以上であることがより好ましい。
め、本発明の第１態様に係るメンブレンマスクは、Ｓｉ
基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の周
辺部に形成されたサポートフレーム部と、該Ｓｉ基板の
表面に形成されたマスクメンブレンと、を具備すること
を特徴とする。また、上記Ｓｉ基板の厚さが３mm以上で
あることが好ましい。また、上記Ｓｉ基板の厚さが５mm
以上であることがより好ましい。
【００１５】第１態様に係るメンブレンマスクでは、Ｓ
ｉ基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の
周辺部にサポートフレーム部を形成している。従って、
従来品に比べて、熱の伝導が良いためマスクパターンの
熱歪を軽減することができ且つ扱いやすいメンブレンマ
スクとすることができる。
ｉ基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の
周辺部にサポートフレーム部を形成している。従って、
従来品に比べて、熱の伝導が良いためマスクパターンの
熱歪を軽減することができ且つ扱いやすいメンブレンマ
スクとすることができる。
【００１６】また、本発明の第２態様に係るメンブレン
マスクは、マスクメンブレンを有するＳｉ基板であっ
て、該マスクメンブレン表面が該Ｓｉ基板表面より低く
形成されていることを特徴とする。また、上記マスクメ
ンブレン表面が該Ｓｉ基板表面より５μm 以上低く形成
されていることが好ましい。また、上記マスクメンブレ
ン表面が該Ｓｉ基板表面より５０μm 以上低く形成され
ていることが好ましい。また、上記マスクメンブレンの
厚みが２０μm 以下であることが好ましい。
マスクは、マスクメンブレンを有するＳｉ基板であっ
て、該マスクメンブレン表面が該Ｓｉ基板表面より低く
形成されていることを特徴とする。また、上記マスクメ
ンブレン表面が該Ｓｉ基板表面より５μm 以上低く形成
されていることが好ましい。また、上記マスクメンブレ
ン表面が該Ｓｉ基板表面より５０μm 以上低く形成され
ていることが好ましい。また、上記マスクメンブレンの
厚みが２０μm 以下であることが好ましい。
【００１７】第２態様に係るメンブレンマスクでは、マ
スクメンブレン表面がＳｉ基板表面より低く形成されて
いるため、露光装置内におけるマスクステージ上にメン
ブレンマスクを置くことによってマスクの保持を行って
も、ステージ表面にメンブレン表面が接触することがな
い。
スクメンブレン表面がＳｉ基板表面より低く形成されて
いるため、露光装置内におけるマスクステージ上にメン
ブレンマスクを置くことによってマスクの保持を行って
も、ステージ表面にメンブレン表面が接触することがな
い。
【００１８】
【発明の実施の形態及び実施例】以下、図面を参照して
本発明の実施例を説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本
発明の第１の実施例によるＸ線マスク（メンブレンマス
ク）の製造方法を示す断面図である。
本発明の実施例を説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本
発明の第１の実施例によるＸ線マスク（メンブレンマス
ク）の製造方法を示す断面図である。
【００１９】先ず、図１（ａ）に示すように、直径７５
mm、厚さ１０mmのＳｉウエハ（Ｓｉ基板）２の表面上に
は減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）により厚さ
が２μm 程度のＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン）１が形成
される。
mm、厚さ１０mmのＳｉウエハ（Ｓｉ基板）２の表面上に
は減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）により厚さ
が２μm 程度のＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン）１が形成
される。
【００２０】この後、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉウ
エハ２の側面上及び裏面上にはレジスト３が塗布され、
Ｓｉウエハ２裏面の中央部上のレジスト３が除去され
る。これにより、Ｓｉウエハ２裏面上にはサポートリン
グ（サポートフレーム）の形状を有するレジストパター
ン３が形成される。
エハ２の側面上及び裏面上にはレジスト３が塗布され、
Ｓｉウエハ２裏面の中央部上のレジスト３が除去され
る。これにより、Ｓｉウエハ２裏面上にはサポートリン
グ（サポートフレーム）の形状を有するレジストパター
ン３が形成される。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
３をマスクとしてＫＯＨウエットエッチングによりＳｉ
ウエハ２にはバックエッチングが行われる。これによ
り、Ｓｉウエハ２の中央部には厚さが約１mm程度のマス
ク製作基板５が形成され、Ｓｉウエハ２の周辺部にはサ
ポートフレーム部４が形成される。この後、レジスト３
は除去される。
３をマスクとしてＫＯＨウエットエッチングによりＳｉ
ウエハ２にはバックエッチングが行われる。これによ
り、Ｓｉウエハ２の中央部には厚さが約１mm程度のマス
ク製作基板５が形成され、Ｓｉウエハ２の周辺部にはサ
ポートフレーム部４が形成される。この後、レジスト３
は除去される。
【００２２】次に、ＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン）１の
表面上には図示せぬＸ線吸収パターンが設けられる。
表面上には図示せぬＸ線吸収パターンが設けられる。
【００２３】この後、図１（ｄ）に示すように、Ｓｉウ
エハ２の側面上及び裏面上にはレジスト７が塗布され、
マスク製作基板５裏面の中央部上のレジスト７が除去さ
れる。これにより、マスク製作基板５の裏面上には４０
mm角のマスクメンブレン形状の窓パターンが作られる。
エハ２の側面上及び裏面上にはレジスト７が塗布され、
マスク製作基板５裏面の中央部上のレジスト７が除去さ
れる。これにより、マスク製作基板５の裏面上には４０
mm角のマスクメンブレン形状の窓パターンが作られる。
【００２４】次に、図１（ｅ）に示すように、レジスト
７をマスクとしてＫＯＨによりマスク作製基板５にはウ
エットエッチングが行われる。これにより、マスク作製
基板５にはマスク窓（メンブレン部）９が設けられ、こ
のマスク窓９においてＳｉＮ膜１の裏面が露出する。こ
の結果、メンブレン部９には厚さ２μm のＳｉＮメンブ
レン１が形成される。
７をマスクとしてＫＯＨによりマスク作製基板５にはウ
エットエッチングが行われる。これにより、マスク作製
基板５にはマスク窓（メンブレン部）９が設けられ、こ
のマスク窓９においてＳｉＮ膜１の裏面が露出する。こ
の結果、メンブレン部９には厚さ２μm のＳｉＮメンブ
レン１が形成される。
【００２５】上記第１の実施例によれば、図１（ｃ）に
示すようにＳｉウエハ２をバックエッチングすることに
より、Ｓｉウエハ２の周辺部に１０mm厚のＳｉからなる
サポートフレーム部４を接着材を用いることなく形成す
ることができる。したがって、メンブレンマスクにガラ
スフレームを接着材で貼り付けている従来のメンブレン
マスクに比べて、熱の伝導が良いためマスクパターンの
熱歪を軽減することができ且つ扱いやすいメンブレンマ
スクとすることができる。これと共に、従来品のように
メンブレンマスクにサポートフレームを貼り付けた時に
生じるパターン歪やパターン位置歪が生じることもな
い。
示すようにＳｉウエハ２をバックエッチングすることに
より、Ｓｉウエハ２の周辺部に１０mm厚のＳｉからなる
サポートフレーム部４を接着材を用いることなく形成す
ることができる。したがって、メンブレンマスクにガラ
スフレームを接着材で貼り付けている従来のメンブレン
マスクに比べて、熱の伝導が良いためマスクパターンの
熱歪を軽減することができ且つ扱いやすいメンブレンマ
スクとすることができる。これと共に、従来品のように
メンブレンマスクにサポートフレームを貼り付けた時に
生じるパターン歪やパターン位置歪が生じることもな
い。
【００２６】また、サポートフレームを貼り付けること
により作製していないので、従来品のようにサポートフ
レームを貼り付けた際にメンブレンマスクの内部応力が
変化することもない。
により作製していないので、従来品のようにサポートフ
レームを貼り付けた際にメンブレンマスクの内部応力が
変化することもない。
【００２７】また、上記実施例による製造方法により通
常の３インチウエハにて作製した２μm 厚、４０mm角の
ＳｉＮメンブレンの内部応力を測定した。その結果は１
０ＭＰａ±＜５％であった。これは、従来の製造方法で
作製したＳｉＮメンブレンであってサポートフレームを
貼り付ける前のものと同様であり、製品不良等の問題と
ならない値である。そして、上記実施例によるＳｉＮメ
ンブレンにパターンを形成した場合のパターンずれは５
０nm程度であった。これは、サポートフレームなしの従
来のＳｉＮメンブレンにパターンを形成した場合のパタ
ーンずれとほぼ同様で差がなかった。以上のことから、
メンブレンマスク内部の応力変化なしでサポートフレー
ム部４を形成できることが確認できた。
常の３インチウエハにて作製した２μm 厚、４０mm角の
ＳｉＮメンブレンの内部応力を測定した。その結果は１
０ＭＰａ±＜５％であった。これは、従来の製造方法で
作製したＳｉＮメンブレンであってサポートフレームを
貼り付ける前のものと同様であり、製品不良等の問題と
ならない値である。そして、上記実施例によるＳｉＮメ
ンブレンにパターンを形成した場合のパターンずれは５
０nm程度であった。これは、サポートフレームなしの従
来のＳｉＮメンブレンにパターンを形成した場合のパタ
ーンずれとほぼ同様で差がなかった。以上のことから、
メンブレンマスク内部の応力変化なしでサポートフレー
ム部４を形成できることが確認できた。
【００２８】尚、上記第１の実施例では、図１（ｃ）に
示すＳｉウエハ２にマスク作製基板５及びサポートフレ
ーム部４を形成した後、ＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン）
１の表面上にＸ線吸収パターンを設けている（バックエ
ッチ後行プロセス）が、図１（ｅ）に示すメンブレン部
９に厚さ２μm のＳｉＮメンブレン１を形成した後、Ｓ
ｉＮメンブレン１の表面上にＸ線吸収パターンを設ける
こと（バックエッチ先行プロセス）も可能である。
示すＳｉウエハ２にマスク作製基板５及びサポートフレ
ーム部４を形成した後、ＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン）
１の表面上にＸ線吸収パターンを設けている（バックエ
ッチ後行プロセス）が、図１（ｅ）に示すメンブレン部
９に厚さ２μm のＳｉＮメンブレン１を形成した後、Ｓ
ｉＮメンブレン１の表面上にＸ線吸収パターンを設ける
こと（バックエッチ先行プロセス）も可能である。
【００２９】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実
施例による荷電ビーム用ステンシルマスクの製造方法を
示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付
す。
施例による荷電ビーム用ステンシルマスクの製造方法を
示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付
す。
【００３０】先ず、図２（ａ）に示すように、直径７５
mm、厚さ１０mmのＳＯＩウエハ（薄膜部／２μm 厚Ｓ
ｉ）２２の表面上、側面上及び裏面上にはレジスト３が
塗布され、ＳＯＩウエハ２２裏面の中央部上のレジスト
３が除去される。これにより、ＳＯＩウエハ２２裏面上
にはサポートリングの形状を有するレジストパターン３
が形成される。
mm、厚さ１０mmのＳＯＩウエハ（薄膜部／２μm 厚Ｓ
ｉ）２２の表面上、側面上及び裏面上にはレジスト３が
塗布され、ＳＯＩウエハ２２裏面の中央部上のレジスト
３が除去される。これにより、ＳＯＩウエハ２２裏面上
にはサポートリングの形状を有するレジストパターン３
が形成される。
【００３１】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
３をマスクとしてＫＯＨウエットエッチングによりＳＯ
Ｉウエハ２２にはバックエッチングが行われる。これに
より、ＳＯＩウエハ２の中央部には厚さが約１mm程度の
マスク製作基板５が形成され、ＳＯＩウエハ２の周辺部
にはサポートフレーム部４が形成される。この後、レジ
スト３は除去される。
３をマスクとしてＫＯＨウエットエッチングによりＳＯ
Ｉウエハ２２にはバックエッチングが行われる。これに
より、ＳＯＩウエハ２の中央部には厚さが約１mm程度の
マスク製作基板５が形成され、ＳＯＩウエハ２の周辺部
にはサポートフレーム部４が形成される。この後、レジ
スト３は除去される。
【００３２】次に、ＳＯＩウエハ２の表面には図示せぬ
荷電ビーム用ステンシルパターンが設けられる。これは
穴をあけて回路パターンを形成したものである。
荷電ビーム用ステンシルパターンが設けられる。これは
穴をあけて回路パターンを形成したものである。
【００３３】この後、図２（ｃ）に示すように、ＳＯＩ
ウエハ２２の、表面上、側面上及び裏面上にはレジスト
７が塗布され、マスク製作基板５裏面の中央部上のレジ
スト７が除去される。これにより、マスク製作基板５の
裏面上には４０mm角のマスクメンブレン形状の窓パター
ンが作られる。
ウエハ２２の、表面上、側面上及び裏面上にはレジスト
７が塗布され、マスク製作基板５裏面の中央部上のレジ
スト７が除去される。これにより、マスク製作基板５の
裏面上には４０mm角のマスクメンブレン形状の窓パター
ンが作られる。
【００３４】次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト
７をマスクとしてＫＯＨによりマスク作製基板５にはウ
エットエッチングが行われ、その後、ＳｉＯ2 層２３が
除去される。これにより、マスク作製基板５にはマスク
窓（メンブレン部）９が設けられる。これにより、メン
ブレン部９には厚さ２μm のＳｉメンブレン２１が形成
される。
７をマスクとしてＫＯＨによりマスク作製基板５にはウ
エットエッチングが行われ、その後、ＳｉＯ2 層２３が
除去される。これにより、マスク作製基板５にはマスク
窓（メンブレン部）９が設けられる。これにより、メン
ブレン部９には厚さ２μm のＳｉメンブレン２１が形成
される。
【００３５】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。
と同様の効果を得ることができる。
【００３６】尚、上記第２の実施例では、図２（ｂ）に
示すＳＯＩウエハ２２にマスク作製基板５及びサポート
フレーム部４を形成した後、ＳＯＩウエハ２２の表面上
に荷電ビーム透過用ステンシルパターンを設けている
（バックエッチ後行プロセス）が、図２（ｄ）に示すメ
ンブレン部９に厚さ２μm のＳｉメンブレン１を形成し
た後、Ｓｉメンブレン１の表面上に荷電ビーム透過用ス
テンシルパターンを設けること（バックエッチ先行プロ
セス）も可能である。
示すＳＯＩウエハ２２にマスク作製基板５及びサポート
フレーム部４を形成した後、ＳＯＩウエハ２２の表面上
に荷電ビーム透過用ステンシルパターンを設けている
（バックエッチ後行プロセス）が、図２（ｄ）に示すメ
ンブレン部９に厚さ２μm のＳｉメンブレン１を形成し
た後、Ｓｉメンブレン１の表面上に荷電ビーム透過用ス
テンシルパターンを設けること（バックエッチ先行プロ
セス）も可能である。
【００３７】図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実
施例によるメンブレンマスク（電子ビーム用のＳｉステ
ンシルマスク）の製造方法を示す断面図である。
施例によるメンブレンマスク（電子ビーム用のＳｉステ
ンシルマスク）の製造方法を示す断面図である。
【００３８】先ず、表面から３０μm 程度の深さまでボ
ロンがドープされたＳｉウエハ（Ｓｉ基板）１２を準備
する。尚、この３０μm のボロンドープはウエットエッ
チングのストッパーとしての役割を果たす。
ロンがドープされたＳｉウエハ（Ｓｉ基板）１２を準備
する。尚、この３０μm のボロンドープはウエットエッ
チングのストッパーとしての役割を果たす。
【００３９】この後、このＳｉウエハ１２の表面上、側
面上及び裏面上には図示せぬレジストが塗布され、Ｓｉ
ウエハ１２裏面の中央部上のレジストが除去される。
面上及び裏面上には図示せぬレジストが塗布され、Ｓｉ
ウエハ１２裏面の中央部上のレジストが除去される。
【００４０】次に、このレジストをマスクとしてＫＯＨ
ウエットエッチングによりＳｉウエハ１２にはバックエ
ッチングが行われる。これにより、Ｓｉウエハ（ステン
シルマスク）１２の中央部には厚さが約３０μm 程度の
Ｓｉメンブレン１１が形成される。この後、レジストは
除去される。
ウエットエッチングによりＳｉウエハ１２にはバックエ
ッチングが行われる。これにより、Ｓｉウエハ（ステン
シルマスク）１２の中央部には厚さが約３０μm 程度の
Ｓｉメンブレン１１が形成される。この後、レジストは
除去される。
【００４１】次に、図３（ａ）に示すように、ステンシ
ルマスク１２の表面上、側面上及び裏面上にはレジスト
１３が塗布され、Ｓｉメンブレン１１の表面上のレジス
ト１３が除去される。これにより、ステンシルマスク１
２の表面にフロントエッチング用パターンが作製され
る。
ルマスク１２の表面上、側面上及び裏面上にはレジスト
１３が塗布され、Ｓｉメンブレン１１の表面上のレジス
ト１３が除去される。これにより、ステンシルマスク１
２の表面にフロントエッチング用パターンが作製され
る。
【００４２】この後、このレジストパターン１３をマス
クとしてドライエッチによりステンシルマスク１２の表
面が深さ５μm 程度エッチングされる。これにより、図
３（ｂ）に示すように、ステンシルマスク１２の外周に
は膜保護パターン１５が形成され、Ｓｉメンブレン１１
の表面が膜保護パターン１５の上面より低く形成され
る。その後、Ｓｉメンブレンにステンシルマスクのパタ
ーンを設ける。
クとしてドライエッチによりステンシルマスク１２の表
面が深さ５μm 程度エッチングされる。これにより、図
３（ｂ）に示すように、ステンシルマスク１２の外周に
は膜保護パターン１５が形成され、Ｓｉメンブレン１１
の表面が膜保護パターン１５の上面より低く形成され
る。その後、Ｓｉメンブレンにステンシルマスクのパタ
ーンを設ける。
【００４３】上記第３の実施例によれば、Ｓｉメンブレ
ン１１の表面を膜保護パターン１５の上面より低く形成
している。このため、図４に示すように、露光装置内に
おけるマスクステージ１７上にステンシルマスク１２を
置くことによってステンシルマスク１２の保持を行って
も、ステージ１７表面にＳｉメンブレン１１の表面が接
触することがなく、パターン穴にごみ等が入ることがな
い。従って、Ｓｉメンブレン１１表面側からマスク１２
を扱うことができる。即ち、扱いやすいステンシルマス
クとなっている。
ン１１の表面を膜保護パターン１５の上面より低く形成
している。このため、図４に示すように、露光装置内に
おけるマスクステージ１７上にステンシルマスク１２を
置くことによってステンシルマスク１２の保持を行って
も、ステージ１７表面にＳｉメンブレン１１の表面が接
触することがなく、パターン穴にごみ等が入ることがな
い。従って、Ｓｉメンブレン１１表面側からマスク１２
を扱うことができる。即ち、扱いやすいステンシルマス
クとなっている。
【００４４】また、従来品のようにメンブレンマスクに
ガラスフレームを接着材で貼り付けていないため、マス
クパターンに熱歪が生じることがなく、メンブレンマス
クにパターン歪やパターン位置歪が生じることもなく、
メンブレンマスクの内部応力が変化することもない。
ガラスフレームを接着材で貼り付けていないため、マス
クパターンに熱歪が生じることがなく、メンブレンマス
クにパターン歪やパターン位置歪が生じることもなく、
メンブレンマスクの内部応力が変化することもない。
【００４５】尚、上記第３の実施例では、ステンシルマ
スク１２の表面をエッチングする深さを５μm 程度とし
ているが、この深さは適宜変更することも可能である。
ステンシルマスク１２の表面をエッチングする深さは、
ステージ１７上にマスク１２をホールドした際にメンブ
レン１１がたるんでも、ステージ１７表面にメンブレン
１１が接触しない程度の深さとする必要があるが、この
メンブレン１１のたるみはメンブレンの内部応力によっ
て決まるので、それに合わせてエッチング深さを決めれ
ば良い。
スク１２の表面をエッチングする深さを５μm 程度とし
ているが、この深さは適宜変更することも可能である。
ステンシルマスク１２の表面をエッチングする深さは、
ステージ１７上にマスク１２をホールドした際にメンブ
レン１１がたるんでも、ステージ１７表面にメンブレン
１１が接触しない程度の深さとする必要があるが、この
メンブレン１１のたるみはメンブレンの内部応力によっ
て決まるので、それに合わせてエッチング深さを決めれ
ば良い。
【００４６】本発明は他のメンブレンマスク製作法にも
応用できる。
応用できる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｓ
ｉ基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の
周辺部にサポートフレーム部を形成している。したがっ
て、メンブレンへの歪みが少なく且つ扱いやすいメンブ
レンマスクを提供することができる。
ｉ基板の裏面をエッチングすることにより該Ｓｉ基板の
周辺部にサポートフレーム部を形成している。したがっ
て、メンブレンへの歪みが少なく且つ扱いやすいメンブ
レンマスクを提供することができる。
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施例
によるＸ線マスク（メンブレンマスク）の製造方法を示
す断面図である。
によるＸ線マスク（メンブレンマスク）の製造方法を示
す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例
による荷電ビーム用マスクの製造方法を示す断面図であ
る。
による荷電ビーム用マスクの製造方法を示す断面図であ
る。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施例
によるメンブレンマスク（電子ビーム用のＳｉステンシ
ルマスク）の製造方法を示す断面図である。
によるメンブレンマスク（電子ビーム用のＳｉステンシ
ルマスク）の製造方法を示す断面図である。
【図４】図３（ｂ）に示すステンシルマスクを露光装置
内におけるマスクステージにホールドした状態を示す断
面図である。
内におけるマスクステージにホールドした状態を示す断
面図である。
１…ＳｉＮ膜（ＳｉＮメンブレン） ２…Ｓｉウエハ
（Ｓｉ基板） ３…レジスト ４…サポートフレ
ーム部 ５…マスク製作基板 ７…レジスト ９…マスク窓（メンブレン部） １１…Ｓｉメンブレ
ン １２…Ｓｉウエハ（Ｓｉ基板） １３…レジスト １５…膜保護パターン １７…マスクステー
ジ ２１…Ｓｉメンブレン部 ２２…ＳＯＩ基板 ２３…ＳｉＯ2 層
（Ｓｉ基板） ３…レジスト ４…サポートフレ
ーム部 ５…マスク製作基板 ７…レジスト ９…マスク窓（メンブレン部） １１…Ｓｉメンブレ
ン １２…Ｓｉウエハ（Ｓｉ基板） １３…レジスト １５…膜保護パターン １７…マスクステー
ジ ２１…Ｓｉメンブレン部 ２２…ＳＯＩ基板 ２３…ＳｉＯ2 層
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板の裏面をエッチングすることに
より該Ｓｉ基板の周辺部に形成されたサポートフレーム
部と、 該Ｓｉ基板の表面に形成されたマスクメンブレンと、 を具備することを特徴とするメンブレンマスク。 - 【請求項２】 上記Ｓｉ基板の厚さが３mm以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載のメンブレンマスク。 - 【請求項３】 上記Ｓｉ基板の厚さが５mm以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載のメンブレンマスク。 - 【請求項４】 マスクメンブレンを有するＳｉ基板であ
って、該マスクメンブレン表面が該Ｓｉ基板表面より低
く形成されていることを特徴とするメンブレンマスク。 - 【請求項５】 上記マスクメンブレン表面が該Ｓｉ基板
表面より５μm 以上低く形成されていることを特徴とす
る請求項４記載のメンブレンマスク。 - 【請求項６】 上記マスクメンブレン表面が該Ｓｉ基板
表面より５０μm 以上低く形成されていることを特徴と
する請求項４記載のメンブレンマスク。 - 【請求項７】 上記マスクメンブレンの厚みが２０μm
以下であることを特徴とする請求項１〜６のうちのいず
れか１項記載のメンブレンマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640497A JPH1126368A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | メンブレンマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640497A JPH1126368A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | メンブレンマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126368A true JPH1126368A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16357307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19640497A Pending JPH1126368A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | メンブレンマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010062786A (ko) * | 1999-12-27 | 2001-07-07 | 가네꼬 히사시 | 전자빔마스크, 그 제조방법 및 노광방법 |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP19640497A patent/JPH1126368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010062786A (ko) * | 1999-12-27 | 2001-07-07 | 가네꼬 히사시 | 전자빔마스크, 그 제조방법 및 노광방법 |
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